JP2013118357A - セラミック電子部品及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】セラミック電子部品は、セラミック素体と、外部電極とを備えている。外部電極は、セラミック素体の上に配されている。外部電極は、第1の導電層と第2の導電層とを有する。第1の導電層は、樹脂と、第1の金属成分と、第1の金属成分よりも融点が高い第2の金属成分とを含む。第2の導電層は、第1の導電層の上に配されている。第2の導電層は、めっき膜からなる。第1の金属成分と第2の金属成分とを含む合金粒子が第1の導電層の表面から第2の導電層側に突出している。
【選択図】図6
Description
図1は、本実施形態に係るセラミック電子部品の略図的斜視図である。図2は、本実施形態に係るセラミック電子部品の長さ方向L及び厚み方向Tに沿った略図的断面図である。図3は、図2のIII部分の略図的断面図である。図4は、図2のIV部分の略図的断面図である。まず、図1〜図4を参照しながら、本実施形態に係るセラミック電子部品1の構成について説明する。
次に、セラミック電子部品1の製造方法の一例について説明する。
上記実施形態に係るセラミック電子部品1と同様の構成を有するセラミック電子部品を以下の条件で各条件について作製した。なお、第1の導電層15の形成後、走査型電子顕微鏡(加速電圧20kV、倍率×180)を用いて第1の導電層15の中央領域を観察し、第1の導電層15から突出した合金粒子の有無を確認した。図6に、実験例5における第1の導電層の電子顕微鏡写真を示す。
セラミック材料:BaTiO3
セラミック層10gの厚み:1.90μm
内部電極25,26の材料:Ni
内部電極25,26の厚み:0.61μm
内部電極25,26の枚数:156枚
最も外側の内部電極から主面までの距離(片側外層の厚み):60μm
樹脂17c:熱硬化性のエポキシ樹脂
第1の導電性フィラーの材料:Sn
第2の導電性フィラーの材料:Ag
第1の導電性フィラーと第2の導電性フィラーと樹脂17cの合計量における第1の導電性フィラーの含有量:25.6重量%
第1の導電性フィラーと第2の導電性フィラーと樹脂17cの合計量における第2の導電性フィラーの含有量:60重量%
第1の導電性フィラーと第2の導電性フィラーと樹脂17cの合計量における樹脂17cの含有量:14.4重量%
熱処理雰囲気:窒素ガス雰囲気
熱処理時間:18分
熱処理温度:表1に示す通り。
第2の導電層16:Niめっき層とSnめっき層との積層体(Snめっき層が最外層を構成)
図7に示すように、各試料30をガラスエポキシ基板31上のランド32上に載置して半田付けし、試料30のセラミック素体10の側面中央を幅方向に沿って加圧治具で押圧して加重速度0.5mm/sにて荷重を加えていき、第1の導電層15と第2の導電層16とが剥離した時点での荷重を剥離強度とした。
10…セラミック素体
10a、10b…主面
10c、10d…側面
10e、10f…端面
10g…セラミック層
13…第1の外部電極
14…第2の外部電極
15…第1の導電層
15a…表面
16…第2の導電層
17…電極層
17a…第2の金属フィラー
17b…第1の金属フィラー
17c…樹脂
25…第1の内部電極
26…第2の内部電極
Claims (7)
- セラミック素体と、
前記セラミック素体の上に配された外部電極と、
を備え、
前記外部電極は、
樹脂と、第1の金属成分と、前記第1の金属成分よりも融点が高い第2の金属成分とを含む第1の導電層と、
前記第1の導電層の上に配されており、めっき膜からなる第2の導電層と、
を有し、
前記第1の金属成分と前記第2の金属成分とを含む合金粒子が前記第1の導電層の表面から前記第2の導電層側に突出している、セラミック電子部品。 - 前記第1の金属成分がSnであり、
前記第2の金属成分がAgである、請求項1に記載のセラミック電子部品。 - 前記合金粒子は、Sn−Ag合金を含む、請求項2に記載のセラミック電子部品。
- セラミック素体の表面の上に、樹脂、第1の金属成分を含む第1の金属フィラー、及び、前記第1の金属成分よりも融点が高い第2の金属成分を含む第2の金属フィラーを含む電極層を形成する工程と、
前記電極層を加熱し、前記第1の金属成分と前記第2の金属成分とを含む合金粒子を表面から突出させ、前記合金粒子が表面から突出した第1の導電層を形成する加熱工程と、
前記第1の導電層の上に、めっきにより第2の導電層を形成する工程と、
を含む、セラミック電子部品の製造方法。 - 前記加熱工程において、前記電極層を、非酸化性雰囲気下において、480℃以上に加熱する、請求項4に記載のセラミック電子部品の製造方法。
- 前記加熱工程において、前記電極層を800℃未満の温度に加熱する、請求項5に記載のセラミック電子部品の製造方法。
- 前記第1の金属成分がSnであり、
前記第2の金属成分がAgである、請求項5に記載のセラミック電子部品の製造方法。
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