WO2004053901A1 - 外部電極を備えた電子部品 - Google Patents

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WO2004053901A1
WO2004053901A1 PCT/JP2003/015745 JP0315745W WO2004053901A1 WO 2004053901 A1 WO2004053901 A1 WO 2004053901A1 JP 0315745 W JP0315745 W JP 0315745W WO 2004053901 A1 WO2004053901 A1 WO 2004053901A1
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melting point
conductive paste
multilayer ceramic
resin
metal powder
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PCT/JP2003/015745
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English (en)
French (fr)
Inventor
Takeshi Kimura
Yamato Takada
Michinori Komagata
Masahiro Kitamura
Kiminori Yokoyama
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
Namics Corporation
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002Details
    • H01G4/228Terminals
    • H01G4/232Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
    • H01G4/2325Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor characterised by the material of the terminals
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • HELECTRICITY
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    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002Details
    • H01G4/005Electrodes

Definitions

  • the present invention relates to a multilayer ceramic electronic component.
  • the present invention relates to a multilayer ceramic electronic component such as a multilayer ceramic capacitor having high reliability, which is suitable for mounting on a board and performing a plating process.
  • Figure 1 shows a multilayer ceramic capacitor, which is an example of multilayer ceramic electronic components.
  • the external electrodes 4 formed on the internal electrode take-out surface of the ceramic composite of the multilayer ceramic capacitor 1 in which the ceramic dielectrics 2 and the internal electrodes 3 are alternately laminated generally have a firing type conductive paste or a thermosetting conductive paste. And is formed by the following method.
  • the first method is to apply, for example, a fired conductive paste obtained by mixing a vehicle and conductive particles such as Ag and Cu and a glass frit to a surface where the internal electrode 3 of the multilayer ceramic composite is taken out, and to dry the paste. Then, the external electrodes 4 are formed by firing at a high temperature of 500 to 900 ° C. in an atmosphere of an inert gas such as nitrogen.
  • a fired conductive paste obtained by mixing a vehicle and conductive particles such as Ag and Cu and a glass frit to a surface where the internal electrode 3 of the multilayer ceramic composite is taken out, and to dry the paste.
  • the external electrodes 4 are formed by firing at a high temperature of 500 to 900 ° C. in an atmosphere of an inert gas such as nitrogen.
  • the second method is to apply a thermosetting conductive paste in which conductive particles such as Ag powder are mixed with a thermosetting resin to the take-out surface of the internal electrode 3 of the multilayer ceramic composite,
  • the third method is to use a thermosetting conductive paste obtained by mixing a thermosetting resin with a thermally decomposable organometallic substance such as silver acetate or conductive particles such as Ag powder.
  • This is a method of forming the external electrode 4 by applying the heat to the substrate at 350 ° C. (see, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-188283).
  • a plating layer 5 is formed on the surface of the electrode layer as necessary in order to increase the adhesive strength when the obtained capacitor element is soldered and mounted on a substrate or the like.
  • the surface of the external electrode is electroplated with a Ni After that, solder plating and Sn plating are further performed by electric plating.
  • the capacitor having the external electrode obtained by the first method described above has a problem in that the glass frit component in the conductive paste diffuses into the inside of the capacitor element at the time of high-temperature baking, resulting in poor adhesion due to glass floating and a problem with the substrate. There is a defect such as cracking during solder mounting.
  • the penetration of the plating liquid into the sintered body during plating processing causes a problem with the reliability of the capacitor performance, such as a decrease in the capacitance below the design value and a deterioration in the insulation resistance.
  • capacitors with external electrodes obtained by a method of thermosetting at a low temperature using a second thermosetting conductive paste can solve the above-mentioned problems of mounting on a board and plating. Since the curing temperature is low, the solid phase diffusion between the metal and the conductive particles such as Ag powder in the conductive paste and the internal electrode does not progress, and the capacitance etc. designed due to poor connection between the internal and external electrodes Cannot be obtained and the reliability is inferior.
  • a capacitor having an external electrode formed using a thermosetting conductive paste containing a third thermally decomposable organometallic has a reduced pot life of the paste due to the added silver acetate and amine. There is a problem such as insulation deterioration during the humidity resistance life.
  • An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art in the formation of external electrodes and subsequent plating. That is, an object of the present invention is to solve the problem of the bonding property between the internal electrode and the external electrode of the thermosetting conductive paste and to provide a multilayer ceramic electronic component having high reliability suitable for mounting on a board and plating. It shall be. Disclosure of the invention
  • the present invention relates to a multilayer ceramic electronic component having an external electrode formed of a thermosetting conductive paste containing conductive particles having a high melting point, metal powder having a melting point of 30 or less, and resin.
  • the present invention provides a thermosetting conductive paste for forming an external electrode by using metal powder having a melting point of 300 ° C. or less in addition to conventionally used high-melting conductive particles.
  • the present inventors have found that a multilayer ceramic electronic component having excellent bonding properties between an internal electrode and an external electrode and suitable for mounting on a substrate and plating can be obtained.
  • the present invention provides (1) a thermosetting conductive paste containing conductive particles having a high melting point, a metal powder having a melting point of 300 ° C. or less and a resin, and a ceramic composite for providing an external electrode; 2) A thermosetting conductive paste is printed or coated on the internal electrode take-out surface of the ceramic composite; and (3) the ceramic composite obtained in (2) is heated at 80 ° C to 400 ° C.
  • the present invention relates to a multilayer ceramic electronic component obtained by holding an external electrode for 1 minute to 60 minutes and forming the external electrode.
  • thermosetting conductive paste contains a metal powder with a melting point of 300 ° C or lower in addition to the conventionally used conductive particles with a high melting point, so that it can be used at a low curing temperature of about 80 ° C to 400 ° C. Even so, solid phase diffusion between the conductive particles in the conductive paste and the metal of the internal electrode progresses, and it becomes possible to obtain excellent bonding properties between the internal electrode and the external electrode.
  • FIG. 1 is a schematic diagram of a multilayer ceramic capacitor, which is an example of a multilayer ceramic electronic component.
  • the multilayer ceramic electronic component of the present invention is characterized by having external electrodes formed of a thermosetting conductive paste containing conductive particles having a high melting point, metal powder having a melting point of 300 ° C. or lower, and a resin.
  • the thermosetting conductive paste used in the present invention may further contain a curing catalyst, a curing agent, Z or an organic solvent, if desired.
  • the high-melting conductive particles include Ag, Cu, Ni, Zn, Al, Pd, Au, Pt, and high-melting metal powders composed of these alloys. These may be used alone or in combination of two or more.
  • the metal powder having a high melting point has a melting point of 400 or more, and particularly preferably has a melting point of 600 ° C. or more.
  • metal powders of Cu, Ni, Ag, and Ag alloys are preferable because excellent conductivity can be obtained relatively easily, and metals of Ag and Ag alloys are preferable. Powders are particularly preferred.
  • Ag alloys include AgCu alloys containing Ag as a main component and AgAu alloys. Gold, AgPd alloy, AgNi alloy and the like.
  • metal powder having a melting point of 300 ° C or less As a metal powder having a melting point of 300 ° C or less, Sn, SnZn, SnAg, SnCu, SnAl, SnPb, In, InAg, InZn, InSn, Bi, Biag, BiNi, B i Sn, BiZn or BiPb. These may be used alone or in combination of two or more. From the viewpoint of the bondability between the internal electrode and the external electrode, metal powders of Sn and Sn alloy are particularly preferable.
  • the shape of the conductive particles having a high melting point and the metal powder having a melting point of 300 ° C. or less may be any shape such as a spherical shape, a scaly shape, and a needle shape.
  • the average particle size is preferably from 0.05 to 30 im, because it gives an excellent surface condition after printing or coating and gives an excellent conductivity to the formed electrode. ra is more preferred.
  • the average particle size means the average of the particle diameter in the case of a spherical shape, the major axis of the particle flake in the case of a scale, and the average of the length in the case of a needle shape.
  • the mixing amount of the high-melting conductive particles and the metal powder having a melting point of 300 ° C or less in the thermosetting conductive paste indicates that the thermosetting conductive paste has good printability and that the obtained electrode layer has good conductivity. From the viewpoint of the properties, it is preferably 60 to 98% by weight, more preferably 70 to 95% by weight, based on the total weight of the high melting point conductive particles, the metal powder having a melting point of 300 ° C or lower and the resin.
  • the amount of the metal powder having a melting point of 300 ° C. or less is preferably 0.1 to 20% by weight, and more preferably 1 to 20% by weight based on the total weight of the high melting point conductive particles and the metal powder having a melting point of 300 ° C. or less. %, More preferably 5 to 20% by weight.
  • the resin used for the thermosetting conductive paste functions as a binder and includes a thermosetting resin.
  • the thermosetting resin include amino resins such as urea resin, melamine resin, and guanamine resin; bisphenol A type, bisphenol F type, phenol novolak type, alicyclic epoxy resin; oxetane resin; A phenolic resin such as a mold; and a silicone-modified organic resin such as silicone epoxy and silicone polyester are preferable. These resins may be used alone or in combination of two or more. Further, a thermoplastic resin may be used in combination with these thermosetting resins. As the thermoplastic resin, polysulfone, polyethersulfone, maleimide resin and the like are preferable.
  • a resin that is liquid at normal temperature is preferable to use as the resin because the amount of the organic solvent used as a diluent can be reduced.
  • a liquid resin include a liquid epoxy resin and a liquid phenol resin.
  • a resin having compatibility with these liquid resins and exhibiting a solid or ultra-high viscosity at room temperature may be further added and mixed within a range where the mixing system shows fluidity.
  • Such resins include epoxy resins such as high molecular weight bisphenol A type epoxy resin, diglycidyl biphenyl, novolak epoxy resin, tetrabromobisphenol A type epoxy resin; resole phenol resin, novolak phenol Noll resins and the like are exemplified.
  • the curing mechanism may be a self-curing resin, a curing agent such as amines, imidazoles, acid anhydrides or onium salts, or a curing catalyst, such as an amino resin or phenol. Resin may function as a curing agent for epoxy resin.
  • the epoxy resin used for the thermosetting conductive paste is preferably one that is cured by a phenol resin.
  • the phenolic resin may be any phenolic resin initial condensate that is commonly used as a curing agent for epoxy resins, and may be a resole type or a novolak type. Stress during curing is relaxed, and excellent heat cycle resistance is achieved.
  • 50% by weight or more of the phenolic resin is preferably an alkyl resol type or alkyl novolac type phenol resin.
  • the average molecular weight is preferably at least 2,000 to obtain excellent printability.
  • alkyl resole type or alkyl novolak type phenol resins an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms can be used, and ethyl, propyl, butyl, pentyl, hexyl, octyl, nonyl, Those having 2 to 10 carbon atoms, such as decyl, are preferred.
  • bisphenol-type epoxy resins and resole-type phenolic resins are preferred because of excellent adhesiveness and excellent heat resistance, and a combination of bisphenol-type epoxy resins and resole-type phenolic resins is preferred. Is particularly preferred.
  • the weight ratio of the epoxy resin to the phenol resin is preferably in the range of 4: 1 to 1: 4, and 4: 1 :! to 1: 2 is more preferred.
  • the amount of the resin contained in the thermosetting conductive paste is determined based on the suitability for printing and the conductivity of the electrode layer obtained by curing, because of the high melting point of conductive particles, metal powder and melting point of 300 ° C or less. 2 to 40% by weight, and more preferably 5 to 30% by weight, based on the total weight of
  • thermosetting conductive paste the type and amount of conductive particles and resin are selected, and if necessary, a diluent is used, so that the ceramic composite of the desired electronic component can be printed or coated.
  • a diluent is used, so that the ceramic composite of the desired electronic component can be printed or coated.
  • the apparent viscosity of the conductive paste at room temperature is preferably from 10 to 50 OPa's, and more preferably from 15 to 30 OPa's.
  • an organic solvent is used as the diluent.
  • the organic solvent is selected according to the type of the resin, and the amount of the organic solvent used is selected from the high melting point conductive particles used, the metal powder having a melting point of 300 ° C or less, and the resin. It is arbitrarily selected depending on the kind and composition ratio thereof, and the method of printing or applying the conductive paste.
  • organic solvent examples include aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, mesitylene, and tetralin; ethers such as tetrahydrofuran; ketones such as methylethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, and isophorone; Ratatatones such as 2-pyrrolidone and 1-methyl-2-pyrrolidone; Ether alcohols such as monomethinooleatenole, diethyleneglyconelemonoethenolateneolete, diethyleneglyconelemonobutynoate ether, and the corresponding propylene glycol derivatives; acetate esters corresponding thereto Such esters; and Malo phosphate, methyl esters of dicarboxylic acids such as succinic acid, di esters such as Echiruesuteru are exemplified.
  • aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, mesitylene, and
  • thermosetting conductive paste may further include, if necessary, a dispersing aid such as aluminum chelate compounds such as diisopropoxy (ethyl acetate) aluminum; isopropylinoletriisostearoyl titanate.
  • a dispersing aid such as aluminum chelate compounds such as diisopropoxy (ethyl acetate) aluminum; isopropylinoletriisostearoyl titanate.
  • surfactants such as sorbitan monooleate
  • polyester amine salts such as polyamides and the like.
  • Such a high molecular compound may be used.
  • inorganic and organic pigments such as inorganic and organic pigments,
  • thermosetting conductive paste can be prepared by uniformly mixing the components by a mixing means such as a raikai machine, a propeller stirrer, a kneader, a roll, a pot mill and the like.
  • the preparation temperature is not particularly limited, but for example, it can be prepared at normal temperature, 20 ° C to 30 ° C.
  • thermosetting conductive paste containing a metal powder having a melting point of 300 ° C. or less and a resin, the laminated ceramic electronic component having the external electrodes of the present invention is: It is formed according to a known method.
  • a thermosetting conductive paste can be directly printed or coated on the surface of the ceramic composite of the multilayer ceramic capacitor from which the internal electrodes are taken out by screen printing, transfer, dip coating, or the like.
  • a fired copper electrode may be first formed on the internal electrode extraction surface, and the paste may be printed or applied thereon.
  • printing or coating is performed so that the thickness of the external electrode after curing is preferably 1 to 300 / zm, more preferably 20 to 100 ⁇ .
  • the solvent is volatilized at normal temperature or by heating after printing or coating.
  • the external electrode formed of the thermosetting conductive paste of the present invention can be formed by curing at a relatively low temperature and for a short time, but in order to obtain sufficient reliability in mounting on a substrate and plating process.
  • the 80-400:,:! It is preferably formed by curing for up to 60 minutes.
  • the resin in the paste is an epoxy resin using a phenol resin as a curing agent
  • curing is performed at 150 to 300 ° C. for 1 to 60 minutes to obtain an external electrode.
  • the multilayer ceramic electronic component of the present invention comprises: (1) a thermosetting conductive paste containing conductive particles having a high melting point, a metal powder having a melting point of 300 ° C. or lower, and a resin; and a ceramic composite for providing an external electrode.
  • a thermosetting conductive paste containing conductive particles having a high melting point, a metal powder having a melting point of 300 ° C. or lower, and a resin
  • a ceramic composite for providing an external electrode.
  • diffusion bonding is understood to mean “a method of bonding without melting the base material (that is, the conductive particles and the metal of the internal electrode) itself or its state”.
  • the ceramic composite of the multilayer ceramic electronic component used in the present invention may be manufactured by any known method.
  • the ceramic composite refers to a laminate obtained by firing a laminate in which ceramic layers and internal electrode layers are alternately laminated, or a laminate in which a resin / ceramic hybrid material and internal electrodes are alternately laminated.
  • the ceramic layer or the resin / ceramic hybrid material has properties suitable for the desired electronic component, for example, dielectric properties for a capacitor, and may be obtained by any known method.
  • the internal electrode layer is not particularly limited, but it is preferable to use an inexpensive and easily available base metal such as Ni or Cu as the internal electrode.
  • the multilayer ceramic electronic component of the present invention includes, for example, capacitors, capacitor arrays, thermistors, varistors, inductors, LCs, CRs,
  • It may be an L R and L C R composite part or the like.
  • the obtained multilayer ceramic electronic component is subjected to plating on the surface of the electrode layer as necessary in order to increase the bonding strength when soldering and mounting on a substrate or the like.
  • the plating process is performed according to a known method, but it is preferable to perform Pb-free plating in consideration of the environment. For example, a Ni plating is applied to the surface of the external electrode by an electric plating in a watt bath or the like, and then a solder plating or a Sn plating is further applied by the electric plating.
  • composition of the conductive paste used in the examples and comparative examples is as shown in Table 1 below.
  • spherical silver powder A has an average particle size of 0.5 and a purity of 99.5% or more; spherical silver powder B has an average particle size of 0.5 ra and a purity of 99.5% or more; Grain size 1 2; / ra, purity 99% or more; Limpen silver powder D has an average particle size of 5 / m, purity 99% or more (silver powders A to D are manufactured by Namics Corporation), and tin powder A spherical powder having an average particle size of 4 / im and a purity of 99% or more was used.
  • the resin-type phenol resin used had a number average molecular weight of 3000, and the bisphenol A-type epoxy resin used had a number average molecular weight of 900.
  • Comparative Example 1 Comparative capacitor: preparation of fired electrode
  • the conductive paste A (fired type) having the composition shown in Table 1 was connected to the inside of a ceramic composite (2125 type, B characteristics, Ni internal electrode, theoretical capacity lOOnF) of a chip laminated capacitor. Uniformly dip-coat on the electrode extraction surface so that the thickness after firing is about 50 / ra, dry at 150 ° C for 10 minutes, and then dry in air at 65 ° C, 10 ° C.
  • the resultant was baked by heating for about 60 minutes, including the time required for raising and lowering the temperature to a predetermined temperature and before and after that, for about 60 minutes to form an external electrode. Subsequently, Ni plating was performed in a Watts bath, and then Sn plating was performed by electric plating to obtain a multilayer chip capacitor.
  • Conductive paste B (thermosetting) shown in Table 1 is dip-coated on the surface of the ceramic composite of the above-mentioned chip multilayer capacitor, from which the internal electrodes are taken out, so that the thickness after curing becomes 40-80. After drying at 150 ° C. for 10 minutes, curing was performed at 300 ° C. for 10 minutes in a belt furnace in the atmosphere to form external electrodes. Subsequently, Ni plating was performed in a hot water bath, and then Sn plating was performed by electric plating to obtain a multilayer chip capacitor.
  • the conductive paste C (thermosetting) shown in Table 1 was applied, dried, cured, and plated under the conditions of Comparative Example 2 to obtain a multilayer chip capacitor.
  • the chip multilayer capacitor element obtained above is placed on a Pb-free solder paste printed on a copper-clad electrode on a glass epoxy substrate, and the temperature is such that the solder paste is sufficiently melted, for example, 250 to 26.
  • Solder bonding was performed at a temperature of 0 ° C to obtain test samples for electrical characteristics and bonding strength.
  • the initial electrical characteristics (capacitance, tan 5) of the sample were measured with Agient 428 A, and the bonding strength (shear strength) with the substrate electrode was measured with a desktop strength tester manufactured by Eikoichi Engineering. After the heat cycle resistance test (at -55 / 125 ° C (30 minutes 30 minutes); 141,265 and 545 cycles), the same electrical properties and bonding strength was measured. Table 2 shows the results. Table 2
  • the electrical characteristics of the capacitor obtained in the example of the present invention after the application of the 545 f-curve show a small decrease in the capacitance even at the initial stage and after the heat cycle, indicating that the capacitor is excellent.
  • the capacitor obtained in Comparative Example 1 did not have any electrical characteristics because no contact with the Ni internal electrode was obtained due to poor bonding.
  • the capacitance of the capacitor obtained from the conventional thermosetting conductive paste obtained in Comparative Example 2 decreased to about 60% of the initial value after the heat cycle resistance test (545 cycles). However, ta ⁇ ⁇ increased to about 30 times the initial value, and the reliability as a capacitor was poor.
  • thermosetting conductive paste was prepared in the same manner.
  • the compounding amount of the high-melting conductive particles and the metal powder having a melting point of 300 ° C or less in the thermosetting conductive paste is as follows. The content was 60 to 98% by weight, and a capacitor sample was prepared in the same manner as in Example 1 using the prepared paste, and its electrical characteristics and bonding strength were measured.
  • the capacitors obtained in Examples 1a to 1d exhibited good electrical properties and bonding strength as in Example 1, but in particular, high melting point conductive particles and metal powders having a melting point of 300 ° C or less. More preferable electric characteristics and bonding strength were shown at a compounding amount of powder (metal powder ratio in the table) of 70 to 95% by weight.
  • thermosetting conductive paste was prepared by the same method as described above with the composition shown in Table 4 below.
  • the mixing amount of the metal powder having a melting point of 300 ° C. or less was 1 to 25% by weight based on the total weight of the high melting point conductive particles and the metal powder having a melting point of 300 ° C. or less.
  • Sensor samples were prepared and their electrical properties and bonding strength were measured.
  • Example 1 The capacitors obtained in e to lg exhibited good electrical properties and bonding strength as in Example 1, but in particular, the amount of the metal powder having a melting point of 300 ° C. or less (tin in the table) In the range of 5 to about 20% by weight, more preferable electric characteristics and bonding strength were exhibited. Table 4
  • thermosetting conductive paste was prepared by the same method as described above with the compositions shown in Tables 5 and 6, and a capacitor sample was prepared in the same manner as in Example 1 using the prepared paste. The electrical characteristics and bonding strength were measured. The obtained capacitor showed good electrical properties and bonding strength as in Example 1. Table 5
  • thermosetting conductive paste C used in Example 1.
  • Metal powders of C or less are converted from tin powder to SnAg (9/1), SnCu (9/1), SnA1 (9/1), SnPb (9/1) InAg (8/2), InZn (8/2), BiPb (8/2) powder (average particle size 4 ⁇ 6 / ira) except that a thermosetting conductive paste was prepared in the same way, and the prepared paste was used to prepare a sample in the same manner as in Example 1, and its electrical characteristics and bonding The strength was measured.
  • the obtained capacitor exhibited good electrical characteristics and bonding strength with a capacitance of 99 to 101 nF, a ta ⁇ of 1.4%, and a bonding strength of 10 mm.
  • a ceramic composite of a chip laminated thermistor using an Ag-Pd electrode as an internal electrode was prepared.
  • the fired conductive paste A used in Comparative Example 1 was immersed in both 3 X 3 X 5 ram prism-shaped terminals (outside surfaces of the internal electrodes) so that the cured thickness was 40 to 80 // m. It was applied, dried at 150 ° C for 10 minutes, and baked at 600 ° C for 10 minutes to form external electrodes. Subsequently, the surface of the obtained external electrode was subjected to Ni plating in a hot water bath, followed by Sn plating by electric plating, to obtain a chip laminated thermistor.
  • thermosetting conductive paste B and the thermosetting conductive paste B used in Comparative Example 2 and Example 1 were applied to both terminals of the ceramic composite of the above-mentioned chip laminated thermistor so that the thickness after curing was 40 to 80 / m.
  • C was applied by dip coating, dried at 150 ° C for 10 minutes, and cured in an air belt furnace at 300 ° C for 10 minutes to form external electrodes. Subsequently, Ni plating was performed on the surface of each of the obtained external electrodes in a watt bath, and then Sn plating was performed using an electric plating to obtain a chip laminated thermistor.
  • the chip laminated thermistor element obtained above is placed on a Pb-free solder paste printed on a copper-clad electrode on a glass epoxy substrate, and the temperature is such that the solder paste is sufficiently melted, for example, 250 to 260 ° C. Soldering was performed at this temperature and used as a test sample. After measuring the initial electrical characteristics (resistance) of the sample with Ag 1ent 4278 A, the resistance after the heat cycle resistance test (-55 ° C / 1 25 ° C (30 minutes 30 minutes); 1000 cycles) The values were measured similarly. Table 7
  • Example 17 of the present invention showed no change in the resistance value even after the heat cycle test, indicating that it was an excellent thermistor.
  • a ceramic composite of a zinc oxide-based laminated varistor using an Ag-Pd electrode as an internal electrode was prepared. Created.
  • the fired conductive paste A used in Comparative Example 1 was dip-coated on both of the 3 ⁇ 3 ⁇ 5 mm prismatic terminals so that the thickness after curing was 40 to 80 m. After drying at 0 ° C. for 10 minutes, firing was performed at 600 ° C. for 10 minutes to form external electrodes. Subsequently, Ni plating was performed on the surface of the obtained external electrode in a watt bath, and then Sn plating was performed by electric plating to obtain a chip laminated varistor.
  • thermosetting conductive paste B and the thermosetting conductive paste B used in Comparative Example 2 and Example 1 were applied to both terminals of the ceramic composite of the above-mentioned chip laminated varistor so that the thickness after curing was 40 to 80 im.
  • C was applied by dip coating, dried at 150 ° C for 10 minutes, and then cured in an air belt furnace at 300 ° C for 10 minutes to form external electrodes. Subsequently, Ni plating was performed on the surface of each of the obtained external electrodes in a watt bath, and then Sn plating was performed using an electric plating to obtain a chip laminated varistor.
  • the chip laminated varistor element obtained above is placed on a Pb-free solder paste printed on a copper-clad electrode of a glass epoxy substrate, and the temperature at which the solder paste sufficiently melts, for example, 250 to Solder joining was performed at a temperature of 260 ° C, which was used as a test sample. After measuring the initial electrical characteristics (varistor voltage) of the sample, applying in moisture: 85 ° C, 85 RH%, electrical characteristics after applying constant current for 100 hours (varistor voltage) was similarly measured. The number of cracks generated was determined by observing the above sample with a 50-fold optical microscope after the wet charging test.
  • the chip laminated varistor obtained in Example 18 of the present invention has a small change in the varistor voltage even after the wet charging test, has a small number of cracks in the element body, and is excellent as a varistor. Indicated.
  • thermosetting conductive pastes ⁇ and C used in Comparative Example 2 and Example 1 were applied to both terminals of the ceramic composite of the above-mentioned LCR laminated chip so that the thickness after curing was 40 to 80 / ⁇ .
  • Each was applied by dip coating, dried at 150 ° C for 10 minutes, and then cured in an air belt furnace at 300 ° C for 10 minutes to form external electrodes. Subsequently, Ni plating was performed on the surface of each of the obtained external electrodes in a watt bath, and then Sn plating was performed by an electric plating to obtain an LCR laminated component.
  • the LCR laminated component obtained above is soldered to a 0.8 mm thick FR4 board at a temperature at which the solder paste is sufficiently melted, for example, at a temperature of 250-260 ° C, and a heat cycle resistance test ( One 55 ° C + 125 (30 minutes / 30 minutes); 2000 cycles) was performed.
  • the transmission and reception characteristics of the antenna before and after the heat cycle resistance test were measured using an Agient E 5071A network analyzer, and the input loss on the transmission side was 1.5 dB or more, and the attenuation factor on the reception side was 30. Less than dB is shown as the number of defects.
  • Table 9 The LCR laminated component obtained in Example 19 of the present invention showed little change in antenna characteristics even after the heat cycle resistance test, indicating that it was excellent as an LCR laminated component.
  • the multilayer ceramic electronic component having the external electrodes formed of the thermosetting conductive paste of the present invention can be cured at a low temperature, so that it can be fired at a high temperature found in a conventional firing type conductive paste.
  • a multilayer ceramic electronic component can be obtained without causing any trouble and without using a nitrogen atmosphere during firing. Also, there is no deterioration in electrical characteristics unlike the conventional thermosetting 14 conductive paste. Therefore, it has become possible to obtain a multilayer ceramic electronic component that has excellent electrical characteristics and is suitable for mounting on a board and plating.

Abstract

 本発明は、従来の熱硬化性導電ペーストの有する内部電極と外部電極の接合性の課題を解決し、基板への実装やメッキ処理に適した積層セラミック電子部品を提供しようとするものである。 高融点の導電粒子、融点が300℃以下の金属粉末及び樹脂を含む熱硬化性導電ペーストで形成された外部電極を有することを特徴とする積層セラミック電子部品。

Description

明 細 書
外部電極を備えた電子部品 技術分野
本発明は、 積層セラミック電子部品に関する。 特に、 基板への実装ゃメツキ処 理に適し、 高い信頼性を有する積層セラミックコンデンサ等の積層セラミック電 子部品に関する。 背景技術
積層セラミック電子部品の一例である、 積層セラミックコンデンサを図 1に示 す。 ここで積層セラミックコンデンサ 1の、 セラミック誘電体 2と内部電極 3と を交互に積層したセラミック複合体の内部電極取り出し面に形成された外部電極 4は、 一般に焼成型導電ペースト又は熱硬化性導電ペーストを用い、 以下のよう な方法により形成される。
第一の方法は、 例えば、 ビヒクルに A g、 C u等の導電粒子とガラスフリット とを混合した焼成型導電ペーストを、 積層セラミック複合体の内部電極 3の取り 出し面に塗布し、 乾燥させた後、 窒素等の不活性ガス雰囲気下、 5 0 0〜 9 0 0 °Cの高温で焼成することにより、 外部電極 4を形成する方法である。
第二の方法は、 熱硬化性樹脂に A g粉末等の導電粒子を混合した熱硬化性導電 ペーストを、 積層セラミック複合体の内部電極 3の取り出し面に塗布後、
1 5 0〜2 5 0 °Cの低温で熱硬化させることにより、 外部電極 4を形成する方法 である (例えば、 特開平 6— 2 6 7 7 8 4号公報参照)。
第三の方法は、 熱硬化性樹脂に酢酸銀等の熱分解性有機金属体、 A g粉末等の 導電粒子を混合した熱硬化性導電ペーストを、 積層セラミック複合体の内部電極 3の取り出し面に塗布後、 3 5 0 °Cで熱硬化させることにより、 外部電極 4を形 成する方法である (例えば、 特開 2 0 0 0— 1 8 2 8 8 3号公報参照)。
いずれの方法においても、 得られたコンデンサ素子を基板等へはんだ付け実装 する際の接着強度を高めるため、 必要に応じて電極層表面にメツキ処理層 5が形 成される。 例えば外部電極の表面に、 ワット浴等で電気メツキにより N i 'メツキ が施され、 その後さらに、 電気メツキによりはんだメツキや S nメツキが施され る。
しかしながら、 上記第一の方法で得られた外部電極を有するコンデンサは、 高 温焼成時に導電ペースト中のガラスフリット成分がコンデンサ素子内部に拡散す ることにより、 ガラス浮きによるメツキ付き不良や、 基板へのはんだ付け実装時 のクラック発生等の不具合がある。 さらにメツキ処理時に焼結体にメツキ液が浸 透することにより、 静電容量が設計値を下回ったり、 絶縁抵抗の劣化が起こる等、 コンデンサ性能の信頼性に問題がある。
—方、 第二の熱硬化性導電ペーストを用いて低温で熱硬化した方法で得られた 外部電極を有するコンデンサは、 上述の基板への実装時ゃメッキ処理時の課題は 解決し得るが、 硬化温度が低いため、 導電ペースト中の A g粉末等の導電粒子と 内部電極との金属同士の固相拡散が進行せず、 内部電極と外部電極の接合不良に より設計された静電容量等の電気特性が得られず信頼性に劣る。
また、 第三の熱分解性有機金属体を含有する熱硬化性導電ペーストを用いて形 成された外部電極を有するコンデンサは、 添加された酢酸銀とァミンにより、 ペーストのポットライフが短くなる、 耐湿寿命における絶縁劣化が起こる等の不 具合がある。
本発明は、 外部電極の形成及び続くメツキ処理における、 従来技術が抱える上 述の課題を解決することを目的とする。 すなわち、 上記熱硬化性導電ペース トの 有する内部電極と外部電極の接合性の課題を解決し、 基板への実装ゃメツキ処理 に適し、 高い信頼性を有する積層セラミック電子部品を提供することを目的とす る。 発明の開示
本発明は、 高融点の導電粒丰、 融点が 3 0 以下の金属粉末及び榭脂を含む 熱硬化性導電ペーストで形成された外部電極を有する積層セラミック電子部品に 関する。
本発明は、 外部電極を形成する熱硬化性導電ペーストに、 従来用いられている 高融点の導電粒子に加えて、 融点が 3 0 0 °C以下の金属粉末を併用することによ り、 内部電極と外部電極の接合性に優れ、 かつ基板への実装ゃメツキ処理に適し た積層セラミック電子部品が得られることを見出したものである。
さらに本発明は、 (1) 高融点の導電粒子、 融点が 300°C以下の金属粉末及 び樹脂を含む熱硬化性導電ペーストと、 外部電極を設けようとするセラミック複 合体を供給し; (2) 該セラミック複合体の内部電極取り出し面に、 熱硬化性導 電ペーストを印刷又は塗布し;そして (3) (2) で得られた該セラミック複合 体を、 80°C〜400°C、 1分〜 60分で保持し、 外部電極を形成することによ り得られる、 積層セラミック電子部品に関する。
熱硬化性導電ペーストが、 従来用いられている高融点の導電粒子に加えて、 融 点が 300°C以下の金属粉末を含むことにより、 80°C〜400°C程度の低い硬 化温度であっても、 導電ペースト中の導電粒子と内部電極の金属との固相拡散が 進行し、 優れた内部電極と外部電極の接合性を得ることが可能となる。 図面の簡単な説明
図 1は、 積層セラミック電子部品の一例である、 積層セラミックコンデンサの 模式図である。 発明を実施するための最良の形態
本発明の積層セラミック電子部品は、 高融点の導電粒子、 融点が 300°C以下 の金属粉末及び樹脂を含む熱硬化性導電ペーストで形成された外部電極を有する ことを特徴とする。 本発明に用いる熱硬化性導電ペーストには、 所望によりさら に硬化触媒、 硬化剤及び Z又は有機溶剤等を添加することが出来る。
高融点の導電粒子として、 Ag、 Cu、 N i、 Zn、 A l、 Pd、 Au、 P t 又はこれらの合金からなる高融点の金属粉末が挙げられる。 これらを単独で用い ても、 2種以上を併用してもよい。 なお、 ここで高融点の金属粉末とは、 融点 400で以上のものであり、 特に 600°C以上のものが好ましい。 これらの高融 点の導電粒子のうち、 優れた導電性が比較的容易に得られることから、 Cu、 N i、 A g及び A g合金の金属粉末が好ましく、 A g及び A g合金の金属粉末が特 に好ましい。 Ag合金としては、 Agを主成分とする AgCu合金、 AgAu合 金、 AgP d合金、 A g N i合金等が挙げられる。
融点が 300°C以下の金属粉末として、 Sn、 SnZn、 SnAg、 SnCu、 SnA l、 SnPb、 I n、 I nAg、 I nZn、 I n Sn、 B i、 B i Ag、 B i N i、 B i Sn、 B i Z n又は B i P bが挙げられる。 これらを単独で用い ても、 2種以上を併用してもよい。 内部電極と外部電極の接合性の観点から、 特 に S n及び S n合金の金属粉末が好ましい。
高融点の導電粒子及び融点が 300°C以下の金属粉末の形状は、 球状、 りん片 状、 針状等、 どのような形状のものであってもよい。 これらの平均粒子寸法は、 印刷又は塗布の後に優れた表面状態を与え、 また、 形成した電極に優れた導電性 を与えることから、 0. 05〜30 im が好ましく、 0. :!〜 20 / ra がより好 ましい。 なお、 ここで平均粒子寸法とは、 球状の場合は粒子径、 りん片状の場合 は粒子薄片の長径、 針状の場合は長さのそれぞれ平均をいう。
熱硬化性導電ペースト中の高融点の導電粒子及び融点が 300°C以下の金属粉 末の配合量は、 熱硬化性導電ペーストが良好な印刷適性を示し、 得られた電極層 が良好な導電性を示すことから、 高融点の導電粒子、 融点が 300°C以下の金属 粉末及び樹脂の合計重量に対して、 60〜98重量%が好ましく、 70〜95重 量%がより好ましい。 また融点が 300°C以下の金属粉末の配合量は、 高融点の 導電粒子と融点が 300°C以下の金属粉末の合計重量に対し、 0. 1〜20重 量%が好ましく、 1〜20重量%がより好ましく、 特に 5〜20重量%がより好 ましい。
熱硬化性導電ペーストに用いられる樹脂は、 バインダとして機能するものであ り、 熱硬化性樹脂を含む。 熱硬化性樹脂としては、 尿素樹脂、 メラミン樹脂、 グ アナミン樹脂のようなァミノ樹脂; ビスフエノール A型、 ビスフヱノール F型、 フエノールノボラック型、 脂環式等のエポキシ樹脂;ォキセタン樹脂; レゾーノレ 型、 ノボラック型のようなフエノール樹脂; シリコーンエポキシ、 シリコーンポ リエステルのようなシリコーン変性有機樹脂等が好ましい。 これらの樹脂は、 単 独で用いても、 2種以上を併用してもよい。 またこれらの熱硬化性樹脂と併せて 熱可塑性樹脂を使用してもよい。 熱可塑性樹脂としては、 ポリスルホン、 ポリ エーテルスルホン、 マレイミ ド樹脂等が好ましい。 樹脂として、 常温で液状である榭脂を用いると、 希釈剤としての有機溶剤の使 用量を低減することが出来るため好ましい。 このような液状榭脂としては、 液状 エポキシ樹脂、 液状フエノール榭脂等が例示される。 また、 これらの液状樹脂に 相溶性があり、 かつ常温で固体ないし超高粘性を呈する樹脂を、 混合系が流動性 を示す範囲内でさらに添加混合してもよい。 そのような樹脂として、 高分子量の ビスフエノール A型エポキシ樹脂、 ジグリシジルビフエニル、 ノボラックェポキ シ樹脂、 テトラブロモビスフエノール A型エポキシ樹脂のようなエポキシ樹脂; レゾールフヱノール榭脂、 ノボラックフエノ一ル樹脂等が例示される。
エポキシ樹脂を用いる場合、 硬化機構としては、 自己硬化性樹脂を用いても、 アミン類、 ィミダゾール類、 酸無水物又はォニゥム塩のような硬化剤や硬化触媒 を用いてもよく、 ァミノ樹脂やフエノール樹脂を、 エポキシ樹脂の硬化剤として 機能させてもよレ、。
熱硬化性導電ペーストに使用されるエポキシ樹脂は、 フ: ノール樹脂によって 硬化するものが好ましい。 フエノール樹脂としては、 エポキシ樹脂の硬化剤とし て通常用いられるフエノール樹脂初期縮合物であればよく、 レゾール型でもノボ ラック型でもよいが、 硬化の際の応力が緩和され、 優れた耐ヒートサイクル性を 得るためには、 その 5 0重量%以上がアルキルレゾ一ル型又はアルキルノボラッ ク型のフエノール樹脂であることが好ましい。 また、 アルキルレゾール型のフエ ノール榭脂の場合、 優れた印刷適性を得るためには、 平均分子量が 2 , 0 0 0以 上であることが好ましレ、。 これらのアルキルレゾール型又はアルキルノボラック 型フエノール榭脂において、 アルキル基としては、 炭素数 1〜1 8のものを用い ることができ、 ェチル、 プロピル、 ブチル、 ペンチル、 へキシル、 ォクチル、 ノ ニル、 デシルのような炭素数 2〜 1 0のものが好ましレ、。
これらのうち、 優れた接着性が得られ、 また耐熱性も優れていることから、 ビ スフヱノール型エポキシ樹脂及びレゾ一ル型フエノール樹脂が好ましく、 ビス フエノール型エポキシ樹脂及びレゾール型フエノール榭脂の組み合わせが特に好 ましい。 ビスフエノール型エポキシ樹脂及びレゾール型フエノ一ル榭脂の組み合 わせを用いる場合、 エポキシ樹脂とフエノール樹脂の重量比が、 4 : 1〜1 : 4の範囲が好ましく、 4 : :!〜 1 : 2がさらに好ましい。 熱硬化性導電ペース ト中の樹脂の配合量は、 印刷適性と、 硬化して得られる電 極層の導電性から、 高融点の導電粒子、 融点が 3 0 0 °C以下の金属粉末及び樹脂 の合計重量に対して、 2〜4 0重量%が好ましく、 5〜3 0重量%がより好まし レ、。
熱硬化性導電ペース トは、 導電粒子及び樹脂の種類と量を選択し、 また必要に 応じて希釈剤を用いることにより、 所望の電子部品のセラミック複合体に印刷又 は塗布する方法に応じて、 適切な粘度に調製することが出来る。 例えば、 スク リーン印刷に用いられる場合、 常温における導電ペース トの見掛粘度は、 1 0〜 5 0 O Pa' s が好ましく、 1 5〜3 0 O Pa' s がより好ましい。 希釈剤としては、 有機溶剤が用いられるが、 有機溶剤は樹脂の種類に応じて選択され、 その使用量 は用いられる高融点の導電粒子、 融点が 3 0 0 °C以下の金属粉末及び樹脂の種類 とその構成比、 並びに導電ペーストを印刷又は塗布する方法等により任意に選択 される。
有機溶剤としては、 トルエン、 キシレン、 メシチレン、 テトラリンのような芳 香族炭化水素類;テトラヒ ドロフランのようなエーテル類;メチルェチルケトン、 メチルイソブチルケトン、 シクロへキサノン、 イソホロンのようなケトン類; 2—ピロリ ドン、 1ーメチルー 2—ピロリ ドンのようなラタ トン類;エチレング リコ一ノレモノメチノレエーテノレ、 エチレングリコーノレモノエチノレエーテノレ、 ェチレ ングリコーノレモノブチノレエーテノレ、 ジエチレングリコーノレモノメチノレエーテノレ、 ジエチレングリ コーノレモノェチノレエーテノレ、 ジエチレングリ コーノレモノブチノレ エーテル、 更にこれらに対応するプロピレングリコール誘導体のようなエーテル アルコール類;それらに対応する酢酸エステルのようなエステル類;並びにマロ ン酸、 コハク酸等のジカルボン酸のメチルエステル、 ェチルエステルのようなジ エステル類が例示される。
熱硬化性導電ペース トには、 このほか、 必要に応じて、 分散助剤として、 ジィ ソプロポキシ (ェチルァセトァセタト) アルミニウムのようなアルミニウムキ レ一ト化合物;イソプロピノレトリイソステアロイルチタナートのようなチタン酸 エステル;脂肪族多価カルボン酸エステル;不飽和脂肪酸アミン塩; ソルビタン モノォレエ一トのような界面活性剤;又はポリエステルアミン塩、 ポリアミ ドの ような高分子化合物等を用いてもよい。 また、 無機及び有機顔料、
リング剤、 レべリング剤、 チキソトロピック剤、 消泡剤等を配合してもよい。 熱硬化性導電ペース トは、 配合成分を、 ライカイ機、 プロペラ撹拌機、 ニー ダー、 ロール、 ポットミル等のような混合手段により、 均一に混合して調製する ことが出来る。 調製温度は、 特に限定されないが、 例えば常温、 20°C〜30°C で調製することが出来る。
このようにして得られた高融点の導電粒子、 融点が 300°C以下の金属粉末及 ぴ樹脂を含む熱硬化性導電ペーストを用いて、 本発明の外部電極を有する積層セ ラミック電子部品は、 公知の方法に従って形成される。 例えば熱硬化性導電べ一 ストを、 直接、 積層セラミックコンデンサのセラミック複合体の内部電極取り出 し面に、 スクリーン印刷、 転写、 浸漬塗布等、 任意の方法で印刷又は塗布するこ とができる。 また必要に応じて、 内部電極取り出し面にまず焼成銅電極を形成し、 その上に当該ペース トを印刷又は塗布してもよい。 通常、 硬化後の外部電極の厚 さが、 好ましくは l〜300 /zm、 より好ましくは 20〜100 μπι になるよう な厚さに印刷又は塗布する。 有機溶剤を用いる場合は、 印刷又は塗布の後、 常温 で、 又は加熱によって、 該溶剤を揮散させる。
次いで特に不活性ガス雰囲気下に置くことなく硬化を行い、 外部電極を形成す る。 本発明の熱硬化性導電ペーストで形成された外部電極は、 比較的低温、 短時 間の硬化により形成することができるが、 基板への実装ゃメツキ処理での充分な 信頼性を得るためには、 80〜400 :、 :!〜 60分の硬化により形成すること が好ましい。 例えばペースト中の樹脂がフエノール樹脂を硬化剤として用いるェ ポキシ樹脂の場合、 150〜300°Cで、 1〜60分の硬化を行い、 外部電極を 得る。
すなわち本発明の積層セラミック電子部品は、 (1) 高融点の導電粒子、 融点 が 300 °C以下の金属粉末及び樹脂を含む熱硬化性導電ペーストと、 外部電極を 設けようとするセラミック複合体を供給し; (2) 該セラミック複合体の内部電 極取り出し面に、 熱硬化性導電ペース トを印刷又は塗布し;そして (3) (2) で得られた該セラミック複合体を、 80°C〜400°C、 1分〜 60分で保持し、 外部電極を形成することにより得られる。 このように比較的低温、 短時間の硬化 と同時に、 導電ペースト中 (すなわち、 外部電極) の導電粒子と、 内部電極の金 属との固相拡散が進行し、 いわゆる同一又は異なる金属間で拡散接合をしている 状態となることにより、 優れた内部電極と外部電極の接合性を有するものである。 なお、 本明細書で拡散接合とは、 「母材 (すなわち、 導電粒子及び内部電極の 金属) 自身を溶かすことなく接合する方法又はその状態」 を意味すると解する。 本発明で用いられる積層セラミック電子部品のセラミック複合体は、 いずれか 公知の方法で作製されるものであってよい。 なお本発明においてセラミック複合 体とは、 セラミック層と内部電極層を交互に積層した積層体を焼成したものや、 樹脂 ·セラミックハイプリッド材料と内部電極を交互に積層した積層体をいう。 セラミック層又は樹脂 ·セラミツクハイブリッド材料は、 その所望の電子部品に 適した性質、 例えばコンデンサであれば誘電性、 を有するもので、 いずれか公知 の方法で得られるものであってよい。 また内部電極層も特に限定されるものでは ないが、 安価で入手の容易な卑金属、 例えば N i、 C u等を内部電極として使用 しているものが好ましい。 本発明の積層セラミック電子部品は、 例えばコンデン サ、 コンデンサアレイ、 サ一ミスタ、 バリスター、 インダクタ並びに L C、 C R、
L R及び L C R複合部品等であってよい。
得られた積層セラミック電子部品は、 基板等へはんだ付け実装する際の接着強 度を高めるため、 必要に応じて電極層表面にメツキが施される。 メツキ処理は公 知の方法に従って行なわれるが、 環境への配慮から P bフリーメツキが施される のが好ましい。 例えば外部電極の表面に、 ワット浴等で電気メツキにより N i メツキが施され、 その後さらに、 電気メツキによりはんだメツキや S nメツキが 施される。
このようにして得られた高融点の導電粒子、 3 0 0 °C以下の融点を有する金属 粉末及び樹脂を含む熱硬化性導電ペーストで形成された外部電極層にメツキを施 した積層セラミック電子部品は、 内部電極と外部電極の接合性等、 電気特性に優 れ、 回路基板等への実装に適した有用なものである。 実施例
以下、 実施例及び比較例によって、 本発明をさらに詳細に説明する。 本発明は、 これらの実施例によって限定されるものではない。 なお、 これらの例において、 部は重量部を示す。
〔導電ペーストの調製〕
実施例及び比較例で使用した導電ペーストの組成は、 以下の表 1のとおりであ る。
Figure imgf000011_0001
表 1において、 球状銀粉末 Aは平均粒子寸法 0. 、 純度 99. 5 %以 上;球状銀粉末 Bは平均粒子寸法 0. 5 ra、 純度 99. 5 %以上; リンペン状 銀粉末 Cは平均粒子寸法 1 2;/ra、 純度 99%以上; リンペン状銀粉末 Dは平均 粒子寸法 5 / m、 純度 99%以上 (以上銀粉末 A〜Dはナミックス (株) 製) の もの、 また錫粉末は、 球状粉末で平均粒子寸法 4 /im、 純度 99%以上のものを 使用した。 またレゾ一ル型フエノール樹脂は数平均分子量 3000、 ビスフエ ノール A型エポキシ樹脂は数平均分子量 900のものを使用した。
表 1に示す組成に基づいて、 粉末、 樹脂、 添加剤、 溶剤等を配合し、 ロールミ ルにより均一になるまで混練した後、 さらに溶剤としてプチルカルビトールを加 えペースト粘度が 20 Pa's/ 25°Cになるように調整した。
〔積層セラミックコンデンサ試料の作成〕
比較例 1 (比較コンデンサ:焼成型電極の作成) 表 1に示した組成を有する導電ペース ト A (焼成型) を、 チップ積層コンデン サのセラミック複合体 (2 1 2 5タイプ、 B特性、 N i内部電極、 理論容量 l O O n F ) の内部電極取り出し面に、 焼成後の厚さが 5 0 / ra程度になるよう に均一に浸漬塗布し、 1 5 0 °Cで 1 0分間乾燥した後、 大気中で 6 5 0 °C、 1 0分間、 その前後に所定温度までの昇温と徐冷に要する時間を含めて約 6 0分 間加熱することにより焼成し、 外部電極を形成した。 続いてワット浴で N iメッ キを行い、 次いで電気メツキにより S nメツキを行い、 チップ積層コンデンサを 得た。
比較例 2 (比較コンデンサ:熱硬化性電極の作成)
表 1に示した導電ペースト B (熱硬化性) を、 前出のチップ積層コンデンサの セラミック複合体の内部電極取り出し面に、 硬化後の厚さが 4 0〜8 0 にな るように浸漬塗布し、 1 5 0 °Cで 1 0分間乾燥した後、 大気中のベルト炉で 3 0 0 °C、 1 0分の硬化を行い外部電極を形成した。 続いてヮット浴で N iメッ キを行い、 次いで電気メツキにより S nメツキを行い、 チップ積層コンデンサを 得た。
実施例 1 (熱硬化性電極の作成)
表 1に示した導電べ一スト C (熱硬化性) を、 比較例 2の条件で塗布、 乾燥、 硬化、 メツキを行い、 チップ積層コンデンサを得た。
〔測定〕
上記で得られたチップ積層コンデンサ素子を、 ガラスエポキシ基板の銅張り電 極上に印刷された P bフリーハンダペースト上に置き、 ハンダペーストが十分溶 融するような温度、 例えば 2 5 0〜2 6 0 °Cの温度ではんだ接合を行い、 電気特 性、 接合強度の試験試料とした。 試料の初期電気特性 (静電容量、 t a n 5 ) を A g i 1 e n t製 4 2 7 8 Aで測定し、 基板電極との接合強度 (せん断強度) を アイコ一エンジニアリング製卓上強度試験機で測定した後、 耐ヒートサイクル性 試験 (― 5 5で/ 1 2 5 °C ( 3 0分 3 0分) ; 1 4 1、 2 6 5及び 5 4 5サイ クル) 後の電気特性及び接合強度を同様に測定した。 結果を表 2に示す。 表 2
比較例 1 比較例 2 実施例 1 電気特性 静電容量 初期 3 9 0 1 0 0 n F 1 4 1サイクル後 3 8 4 9 9
2 6 5サイクル後 3 7 4 9 9
5 4 51 クル後 3 5 D 9 8 電気特性 t a η δ 初期 1 . 5 1 . 4
% 1 4 11Kクル後 5 . 5 1 . 4
2 6 5サイクル後 1 8 . 5 1 . 4
5 4 5サイクル後 4 1 1 . 4 接合強度 (N) 初期 1 0 1 0 1 0
1 4 11Kクル後 1 0 1 0 1 0
2 6 5サイクル後 1 0 1 0 1 0
5 4 5 fクル後 1 0 1 0 1 0 本発明の実施例で得られたコンデンサの電気特性は、 初期及びヒートサイクル 後においても静電容量の減少が少なく、 コンデンサとして優れていることが示さ れた。 一方比較例 1で得られたコンデンサ (焼成型メツキ下地銀電極) は、 接合 不良で N i内部電極とのコンタク 卜が得られない為、 全く電気特性が得られな かった。 さらに比較例 2で得られた従来の熱硬化性導電ペーストから得られたコ ンデンサは、 耐ヒートサイクル性試験 (5 4 5サイクル) 後、 静電容量は初期値 の約 6 0 %にまで減少し、 t a η δは初期値の約 3 0倍まで増加しており、 コン デンサとしての信頼性に乏しかった。
また、 比較例 2と実施例 1で得られたコンデンサの内部電極と外部電極の接合 面を、 Ε ΡΜΑ (X線マイクロアナリシス) により観察した結果、 実施例 1で得 られたコンデンサの内部電極と外部電極の接合面には金属間 (導電粒子と内部電 極) の拡散接合が確認されたが、 比較例 2のコンデンサには、 ほとんど観察され なかった。 実施例 1 a〜: I d
熱硬化性導電ペースト中の高融点の導電粒子及び融点 3 0 0 °C以下の金属粉末 の配合量を変更した場合について検討するため、 以下表 3に示す組成で上記と同 様の方法により、 熱硬化性導電ペーストを調製した。 熱硬化性導電ペースト中の 高融点の導電粒子及び融点 3 0 0 °C以下の金属粉末の配合量は、 高融点の導電粒 子、 融点が 3 0 (TC以下の金属粉末及び樹脂の合計重量に対して、 6 0〜9 8重 量%であった。 さらに調製したペーストを用い、 実施例 1と同様の方法でコンデ ンサ試料を作成し、 その電気特性及び接合強度を測定した。
実施例 1 a〜 1 dで得られたコンデンサは実施例 1と同様、 良好な電気特性及 び接合強度を示したが、 特に、 高融点の導電粒子及び融点 3 0 0 °C以下の金属粉 末の配合量 (表中の金属粉末比) 7 0〜9 5重量%において、 より好ましい電気 特性及び接合強度を示した。
表 3
Figure imgf000014_0001
注) 表中※は、 表 1と同義 実施例 1 e ~ 1 g
熱硬化性導電ペースト中の融点 3 0 以下の金属粉末の配合量を変更した場 合について検討するため、 以下表 4に示す組成で上記と同様の方法により、 熱硬 化性導電ペーストを調製した。 融点が 3 0 0 °C以下の金属粉末の配合量は、 高融 点の導電粒子と融点が 3 0 0 °C以下の金属粉末の合計重量に対し、 1〜2 5重 量%であった。 さらに調製したペーストを用い、 実施例 1と同様の方法でコンデ ンサ試料を作成し、 その電気特性及び接合強度を測定した。
実施例 1 e〜l gで得られたコンデンサは実施例 1と同様、 良好な電気特性及 び接合強度を示したが、 特に融点 3 0 0 °C以下の金属粉末の配合量 (表中の錫粉 末比) 5〜約 2 0重量%において、 より好ましい電気特性及び接合強度を示した。 表 4
Figure imgf000015_0001
注) 表中※は、 表 1と同義 実施例 2〜 9
熱硬化性導電ペースト中の高融点の導電粒子及び/又は融点 3 0 0 °C以下の金 属粉末を、 他の金属種 (各平均粒子寸法 4〜6 / ra) に変更した場合について検 討するため、 以下表 5及び表 6に示す組成で上記と同様の方法により、 熱硬化性 導電ペース トを調製し、 さらに調製したペーストを用い、 実施例 1と同様の方法 でコンデンサ試料を作成し、 その電気特性及び接合強度を測定した。 得られたコ ンデンサは実施例 1と同様、 良好な電気特性及び接合強度を示した。 表 5
Figure imgf000016_0001
注) 表中※は、 表 1と同義 表 6
Figure imgf000016_0002
注) 表中※は、 表 1と同義 実施例 10〜: L 6
実施例 1で用いた熱硬化性導電ペースト Cの融点 300。C以下の金属粉末を、 錫粉末から S nAg (9/1)、 S n Cu (9/1)、 S n A 1 (9/1), S n P b (9/1) I n A g (8/2)、 I n Z n (8/2)、 B i P b (8/2) 粉末 (平均粒子寸法 4〜 6 /ira) に置き換えた以外は同様の方法で熱硬化性導電ペース トを調製し、 さら に調製したペーストを用い、 実施例 1と同様の方法で試料を作成し、 その電気特 性及び接合強度を測定した。 得られたコンデンサは、 静電容量が 99〜101 n F、 t a η δが 1. 4 %、 接合強度が 10 Νと、 良好な電気特性及び接合強度を 示した。
〔積層セラミツクサ一ミスタ試料の作成〕
比較例 3
特開 2000— 357603に記載の手順に従い、 内部電極に A g— P d電極 を使用したチップ積層サーミスタのセラミック複合体を作成した。 3 X 3 X 5ram の角柱状の両端子 (内部電極取り出し面) に、 硬化後の厚さが 40〜80 //m に なるよう、 前記比較例 1で使用した焼成型導電ペース ト Aを浸漬塗布し、 150°Cで 10分乾燥後、 600°Cでのキープ時間 10分で焼成し、 外部電極を 形成した。 続いて得られた外部電極表面に、 ヮット浴で N iメツキを行い、 次い で電気メツキにより S nメツキを行い、 チップ積層サ一ミスタを得た。
比較例 4及び実施例 17
前出のチップ積層サ一ミスタのセラミック複合体の両端子に、 硬化後の厚さが 40〜80/ m になるよう、 前記比較例 2及び実施例 1で使用した熱硬化性導電 ペースト B及び Cを各々浸漬塗布し、 150°Cで 10分乾燥後、 大気中のベルト 炉で 300°C、 10分の硬化を行い外部電極を形成した。 続いて得られた各々の 外部電極表面に、 ワット浴で N iメツキを行い、 次いで電気メツキにより S n メツキを行い、 チップ積層サーミスタを得た。
〔測定〕
上記で得られたチップ積層サ一ミスタ素子を、 ガラスエポキシ基板の銅張り電 極上に印刷された Pbフリーハンダペースト上に置き、 ハンダペーストが十分溶 融するような温度、 例えば 250〜 260°Cの温度ではんだ接合を行い、 試験試 料とした。 試料の初期電気特性 (抵抗値) を Ag i 1 e n t製 4278 Aで測定 した後、 耐ヒートサイクル性試験 (― 55°C/1 25°C (30分 30分) ; 1000サイクル) 後の抵抗値を同様に測定した。 表 7
Figure imgf000018_0001
本発明の実施例 1 7で得られたチップ積層サ一ミスタは、 耐ヒートサイクル試 験後も抵抗値に変化が無い、 サーミスタとして優れたものであることが示された。 〔積層セラミックバリスター試料の作成〕
比較例 5
特開平 2— 5 8 8 0 7、 特開平 8— 9 7 0 0 6等に記載の手順に従い、 内部電 極に A g— P d電極を使用した酸化亜鉛系積層バリスターのセラミック複合体を 作成した。 3 X 3 X 5 mmの角柱状の両端子に、 硬化後の厚さが 4 0〜 8 0 mに なるよう、 前記比較例 1で使用した焼成型導電ペース ト Aを浸漬塗布し、 1 5 0 °Cで 1 0分乾燥後、 6 0 0 °Cでのキープ時間 1 0分で焼成し、 外部電極を 形成した。 続いて得られた外部電極表面に、 ワット浴で N iメツキを行い、 次い で電気メツキにより S nメツキを行い、 チップ積層バリスターを得た。
比較例 6及び実施例 1 8
前出のチップ積層バリスターのセラミック複合体の両端子に、 硬化後の厚さが 4 0〜8 0 i m になるよう、 前記比較例 2及び実施例 1で使用した熱硬化型導電 ペースト B及び Cを各々浸漬塗布し、 1 5 0 °Cで 1 0分乾燥後、 大気中のベルト 炉で 3 0 0 °C、 1 0分の硬化を行い外部電極を形成した。 続いて得られた各々の 外部電極表面に、 ワット浴で N iメツキを行い、 次いで電気メツキにより S n メツキを行い、 チップ積層バリスターを得た。
〔測定〕
上記で得られたチップ積層バリスター素子を、 ガラスエポキシ基板の銅張り電 極上に印刷された P bフリーハンダペース ト上に置き、 ハンダペーストが十分溶 融するような温度、 例えば 2 5 0〜2 6 0 °Cの温度ではんだ接合を行い、 試験試 料とした。 試料の初期電気特性 (バリスター電圧) を測定した後、 湿中加電: 8 5 °C、 8 5 R H%、 1 0 0 0時間定電流印可後の電気特性 (バリスター電圧) を同様に測定した。 クラック発生数は、 湿中加電試験後上記試料を 50倍の光学 顕微鏡で観察した。
表 8
Figure imgf000019_0001
本発明の実施例 18で得られたチップ積層バリスターは、 湿中加電試験後もバ リスター電圧の変化が少なく、 素子本体のクラック発生数も少ない、 バリスター として優れたものであることが示された。
〔LCR積層部品試料の作成〕
比較例 7
特開 2002— 314455、 特開 2002— 208873、 特開平 10— 312934、 特開平 6— 232005等に記載の手順に従い、 LCRを積層し た模擬チップで、 内部電極に A g電極を使用した LCR積層チップのセラミック 複合体を作成した。 誘電体、 フヱライトシートを積層した 7 X 7 X 5ram の角柱 状の両端子に、 硬化後の厚さが 40〜80 //ra になるよう、 前記比較例 1で使用 した焼成型導電ペースト Aを浸漬塗布し、 150°Cで 10分乾燥後、 600°Cで のキープ時間 10分で焼成し、 外部電極を形成した。 続いて得られた外部電極表 面に、 ワット浴で N iメツキを行い、 次いで電気メツキにより S nメツキを行い、 LCR積層部品を得た。
比較例 8及び実施例 19
前出の LCR積層チップのセラミック複合体の両端子に、 硬化後の厚さが 40〜80/ ιη になるよう、 前記比較例 2及び実施例 1で使用した熱硬化性導電 ペースト Β及び Cを各々浸漬塗布し、 150°Cで 10分乾燥後、 大気中のベルト 炉で 300°C、 10分の硬化を行い外部電極を形成した。 続いて得られた各々の 外部電極表面に、 ワット浴で N iメツキを行い、 次いで電気メツキにより S n メツキを行い、 LCR積層部品を得た。
〔測定〕 上記で得られた L CR積層部品を、 0. 8mm厚の FR4基板にハンダペース トが充分溶融するような温度、 例えば 250-260°Cの温度ではんだ接続し、 耐ヒー トサイクル性試験 (一 5 5 °C + 1 2 5 ( 3 0分/ 3 0分) ; 2000サイクル) を実施した。 耐ヒートサイクル性試験前後のアンテナの送受 信特性を A g i 1 e n t製 E 5071 Aネットワークアナライザ一で測定し、 送 信側の揷入損失が 1. 5 d B以上、 受信側の減衰率が 30 d B未満を不良個数と して示した。 表 9
Figure imgf000020_0001
本発明の実施例 19で得られた LCR積層部品は、 耐ヒートサイクル試験後も ァンテナ特性に変化が少なく、 L C R積層部品として優れたものであることが示 された。 産業上の利用性
本発明の熱硬化性導電ペーストにより形成された外部電極を有する積層セラ ミック電子部品は、 低温で硬化が可能なため、 従来の焼成型導電べ一ストで見ら れた高温で焼成することによる不具合を発生させることがなく、 焼成時に窒素雰 囲気を使用することなく積層セラミック電子部品を得ることが出来る。 また従来 の熱硬化 14導電ペーストのように電気特性の劣化を生じることもない。 よって電 気特性に優れ、 基板への実装ゃメツキ処理に適した積層セラミック電子部品を得 ることが可能となった。

Claims

請 求 の 範 囲
1. 高融点の導電粒子、 融点が 300°C以下の金属粉末及び樹脂を含む熱硬化性 導電ペーストで形成された外部電極を有する積層セラミック電子部品。
2. 熱硬化性導電ペースト中の高融点の導電粒子及び融点が 300°C以下の金属 粉末の配合量が、 高融点の導電粒子、 融点が 300°C以下の金属粉末及び樹脂の 合計重量に対して、 70〜95重量%でぁる、 請求項 1記載の積層セラミック電 十部ロロ。
3. 熱硬化性導電ペースト中の融点が 300°C以下の金属粉末の配合量が、 高融 点の導電粒子と融点が 300°C以下の金属粉末の合計重量に対し、 5〜20重 量%である、 請求項 1又は 2記載の積層セラミック電子部品。
4. (1) 高融点の導電粒子、 融点が 300°C以下の金属粉末及び樹脂を含む熱 硬化性導電ペーストと、 外部電極を設けようとするセラミック複合体を供給し;
(2) 該セラミック複合体の内部電極取り出し面に、 熱硬化性導電ペーストを印 刷又は塗布し;そして
(3) (2) で得られた該セラミック複合体を、 80°C〜400°C、 1分〜 60分で保持し、 外部電極を形成する
ことにより得られる、 積層セラミック電子部品。
5. 外部電極中の導電粒子と、 積層セラミック複合体の内部電極の金属とが、 拡 散接合している、 請求項 4記載の積層セラミック電子部品。
6. 積層セラミック電子部品が、 コンデンサ、 コンデンサアレイ、 サーミスタ、 ノくリスター並びに LC、 CR、 LR及び LCR複合部品からなる群から選択され る、 請求項 1〜5いずれかに記載の積層セラミック電子部品。
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