CN110619996B - 电感器及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供泄漏磁通少的能够小型化的电感器。电感器具备:主体,其包含金属磁性粉和树脂;线圈,其由卷绕部和在上述卷绕部的两端引出的一对引出部构成,并埋设于主体;一对外部端子,其分别与引出部电连接;以及导体层,其在主体的与线圈的卷绕轴线交叉的表面上配置。导体层包含:由主体表面的金属磁性粉相互熔接而成的第1金属层、和镀敷在第1金属层上而成的第2金属层,第2金属层的电阻率比第1金属层的电阻率低地构成。

Description

电感器及其制造方法
技术领域
本发明涉及电感器及其制造方法。
背景技术
公知有在由树脂材料和金属粉的复合材料构成的主体埋设线圈而成的电子元件。
专利文献1:美国专利申请公开第2017/0309394号说明书
对于在由包含磁性粉和树脂的复合材料构成的主体内置线圈而成的电感器而言,复合材料的相对透磁率低,因此磁通向主体外泄漏的泄漏磁通成为问题。泄漏磁通是从电感器放射的放射噪声的原因,因此作为抑制的方法,公知有在主体设置金属壳体的外装,通过金属壳体将泄漏磁通以涡电流的形式消耗的构造(例如参照专利文献1)。但是,若设置金属壳体的外装,则存在元件的外形增大这样的课题。本发明目的在于提供泄漏磁通少的能够小型化的电感器。
发明内容
本发明的电感器具备:主体,其包含金属磁性粉和树脂;线圈,其由卷绕部和在卷绕部的两端引出的一对引出部构成,并埋设于主体;一对外部端子,其分别与引出部电连接;以及导体层,其在主体的与线圈的卷绕轴线交叉的表面上配置。导体层包含:主体的表面附近的金属磁性粉相互熔接而成的第1金属层、和镀敷在第1金属层上而成的第2金属层,第2金属层的电阻率比第1金属层的电阻率低。
根据本发明,能够提供泄漏磁通少的能够小型化的电感器。
附图说明
图1是实施例1的电感器的概略局部透视立体图。
图2是图1所示的电感器的概略局部透视立体图。
图3是对图1所示的电感器的导体层的形成方法进行说明的示意剖视图。
图4是表示在图1所示的电感器的导体层产生的涡电流的分布的立体图。
图5是实施例2的电感器的概略局部透视立体图。
图6是实施例3的电感器的概略局部透视立体图。
图7是实施例4的电感器的概略局部透视视图。
图8是表示图7所示的电感器的磁场噪声分布的图。
图9是表示没有导体层的电感器的磁场噪声分布的图。
图10是实施例5的电感器的概略局部透视立体图。
图11是实施例6的电感器的概略局部透视立体图。
附图标记说明
100...电感器;10...主体;20...线圈;21...卷绕部;22...引出部;30...外部端子;32...接地端子;40...导体层。
具体实施方式
本实施方式所涉及的电感器具备:主体,其包含金属磁性粉和树脂;线圈,其由卷绕部和在上述卷绕部的两端引出的一对引出部构成,并埋设于主体;一对外部端子,其分别与引出部电连接;以及导体层,其在主体的与线圈的卷绕轴线交叉的表面上配置。导体层包含:由主体的表面附近的金属磁性粉相互熔接而成的第1金属层、和镀敷在第1金属层上而成的第2金属层,第2金属层的电阻率比第1金属层的电阻率低。
也可以是,第1金属层形成得比主体靠内侧。由此,能够更加减少泄漏磁通。
也可以是,从线圈的卷绕轴线方向观察时,导体层覆盖线圈的卷绕部的至少局部而配置。由此,能够更加减少泄漏磁通。
也可以是,从线圈的卷绕轴线方向观察时,导体层配置得比线圈的卷绕部的外周部靠内侧。由此,能够更加减少泄漏磁通。
也可以是,从线圈的卷绕轴线方向观察时,导体层包含配置于线圈的卷绕部的外周部与内周部之间的环状导体层。由此,能够兼具泄漏磁通的抑制和电感器的特性降低的抑制。
也可以是,导体层包含互不交叉的多个环状导体层。由此,能够兼具泄漏磁通的抑制和电感器的特性降低的抑制。
也可以是,多个环状导体层相互电连接。由此,使导体层形成的生产率更加提高。
也可以是,还具备与安装的基板的地线连接的接地端子,导体层与接地端子电连接。由此,能够更有效地抑制电场噪声。
也可以是,也可以是,电感器还具备覆盖导体层的绝缘层。由此,抑制导体层的氧化而可靠性更加提高。
本实施方式所涉及的电感器的制造方法包括以下步骤:将由卷绕部和在卷绕部的两端引出的一对引出部构成的线圈埋入包含金属磁性粉和树脂的复合材料而形成主体;在主体的与上述线圈的卷绕轴线交叉的表面设置金属磁性粉在主体的表面附近熔融而相互熔接而成的第1金属层;以及在上述第1金属层之上形成第2金属层。由此,得到泄漏磁通少的能够小型化的电感器。
以下,基于附图对本发明的实施方式进行说明。但是,以下所示的实施方式是用于将本发明的技术思想具体化的对电感器进行例示的方式,本发明不限定于以下所示的电感器。此外,权利要求书的范围所示的部件绝不限定于实施方式的部件。特别是实施方式记载的构成元件的尺寸、材质、形状、其相对的配置等不特别局限于特定的记载,不是旨在将本发明的范围仅限定于此,只不过是单纯的说明例。此外,在各图中对相同位置标注相同附图标记。考虑要点的说明或者理解的容易性,为了方便而分开表示实施方式,但能够进行不同实施方式所示的结构的局部置换或者组合。实施例2以下,省略针对与实施例1共有的事项的叙述,仅对不同点进行说明。特别是针对基于相同结构的相同作用效果,没有按每个实施方式依次提及。
实施例
(实施例1)
参照图1~图4对实施例1的电感器100进行说明。图1是对实施例1的电感器100的内部构造进行例示的概略局部透视立体图,图2是表示电感器的外形的概略局部透视立体图。
如图1和图2所示,电感器100具备:包含金属磁性粉和树脂的主体10、埋设于主体10的线圈20、分别与线圈20的两端电连接的一对外部端子30、以及配置于主体10的表面的导体层40。主体10具有:与线圈20的卷绕轴线交叉的靠安装面侧的底面、与底面对置的上表面、以及与底面和上表面邻接的四个侧面。线圈20具有卷绕部21和在卷绕部21的两端引出的一对引出部22。在电感器100中,导体层40配置在主体的与线圈20的卷绕轴线交叉的同安装面侧相反一侧的上表面、和两个对置的侧面上。从未配置有导体层的其他的两个对置的侧面,令引出部22的端面暴露,并设置有与引出部22电连接的外部端子30。外部端子30从主体10的侧面延伸至底面。在电感器100中,外部端子30设置于主体10的侧面整体和底面的局部,图2作为局部透视图而示出设置于底面的外部端子30,图1中省略。也可以是,外部端子30例如与导体层40相同地形成,与导体层40同时形成。
主体10例如由对埋设有线圈20的复合材料施加压力而形成。形成主体10的复合材料例如包含金属磁性粉和树脂等粘接剂。金属磁性粉例如能够使用铁(Fe)、Fe-Si系、Fe-Si-Cr系、Fe-Si-Al系、Fe-Ni-Al系、Fe-Cr-Al系等铁系的金属磁性粉、不包含铁的组成系的金属磁性粉、包含铁的其他的组成系的金属磁性粉、非晶体状态的金属磁性粉、表面由玻璃等绝缘体覆盖的金属磁性粉、表面改性了的金属磁性粉、纳米级别的微小的金属磁性粉等。另外,粘接剂使用环氧树脂、聚酰亚胺树脂、酚醛树脂等热固化性树脂、聚酯树脂、聚酰胺树脂等热塑性树脂。
线圈20由具有绝缘被覆的截面矩形的导体(以下也称为扁平线)沿着单方向的卷绕轴线扁立卷绕而形成。绝缘被覆例如包含聚氨基甲酸乙酯树脂、聚酯树脂、环氧树脂、聚酰胺酰亚胺树脂。线圈20使卷绕轴线与靠安装面侧的主体10的底面和上表面交叉地内置于主体10。
导体层40包含:第1金属层,其由构成主体10的复合材料所含的金属磁性粉在主体的表面附近熔融并相互熔接而成;和第2金属层,其将第1金属层作为镀敷的种子层而形成,并配置在主体10的表面上。在电感器100中,配置于主体10的上表面和侧面的导体层分别成为矩形状,并配置于从上表面向侧面连续的三个面。另外,在电感器100中,导体层40以比主体10的供引出部22的端面暴露的侧面间的宽度窄的宽度形成。
参照图3对导体层的形成方法进行说明。图3的(A)是示意性地表示主体10的表面附近的示意剖视图。主体10通过对包括包含由绝缘体层12覆盖的金属磁性粒子11的金属磁性粉和树脂13的复合材料进行加压成形而形成。在图3的(A)中,金属磁性粉是平均粒径、粒度分布互不相同的至少两种金属磁性粒子11的集合体。金属磁性粉也可以是具有单一的平均粒径、粒度分布的金属磁性粒子11的集合体。由于金属磁性粉包含平均粒径不同的金属磁性粒子11,所以能够增大主体10所含的金属磁性粉的密度。
在图3的(B)中,在主体10的表面,例如沿图中的箭头方向照射激光束而在主体10的表面附近形成第1金属层14。通过在主体10的表面照射激光束,从而将主体10的表面及其附近的树脂13的局部、和在存在于表面及其附近的金属磁性粒子11的四周设置的绝缘体层12的局部除去。另外,通过激光束将金属磁性粒子11的表面熔融而使金属磁性粒子11彼此相互熔接而形成第1金属层14。换句话说,金属磁性粒子11和第1金属层14的组成大致等同。第1金属层14形成得比主体10的最外表面靠内侧,其表面向主体10的外部暴露。第1金属层14由于金属磁性粒子11局部相互熔接而形成,因此有时连续性不完全,而且厚度也薄。因此,存在第1金属层14的电阻率比较大的情况。例如,对金属磁性粉使用铁的复合材料之上,使宽度0.25mm、开口端的间隔0.5mm的环的局部缺失的以C字形状形成的第1金属层的电阻在φ9mm时约为14Ω,在φ5mm时约为8Ω。
在图3的(C)中,在表面上从主体10暴露而形成的第1金属层14之上,利用镀敷法形成第2金属层16而形成导体层40。第2金属层16通过将第1金属层14作为种子层使镀敷生长而形成,因此具有比第1金属层14低的电阻率。例如,对金属磁性粉使用铁的复合材料之上,宽度0.25mm、开口端的间隔0.5mm的以C字形状形成第1金属层,并且,镀铜厚度52μm的导体层电阻在φ9mm时约为36mΩ,在φ5mm时约为20mΩ。此外,第2金属层也可以从主体10突出。
对于配置于电感器的主体表面的导体层所包含的第1金属层而言,电阻率比较大,因此可抑制涡电流的产生。另一方面,可认为第2金属层由于电阻率比较低,所以产生于导体层的涡电流主要在第2金属层流动。因此,导体层的实质的导体部分仅形成在主体的表面上。导体层实质上形成在主体的表面上,从而能够减少电感器的泄漏磁通,并且减少涡电流损失。
在上述的实施例中,在主体的三个面的大致整个面形成导体层,因此存在用激光束照射高效地制造较为困难的情况。为了高效地制造,优选使导体层的面积尽可能小。图4是对在实施例1的电感器100的线圈20当流过1MHz/5A的电流时产生于导体层40的涡电流的分布进行了模拟的结果。此外,使线圈的外径为9mm,使内径为5mm,并使用村田软件公司制造的有限元分析软件Femtet(注册商标)来实施模拟。在图4中,在从线圈的卷绕轴线方向俯视时,在线圈20的卷绕部21的环状的区域集中产生涡电流。因此,仅通过与模拟得到的涡电流的分布对应而在主体的上表面以环状形成导体层,便能够抑制主要的泄漏磁通。
(实施例2)
参照图5对实施例2的电感器110进行说明。图5是电感器110的概略局部透视立体图,内置于主体10的线圈省略图示。在电感器110中,导体层40a在主体10的上表面作为环状导体层而配置,侧面除了未配置导体层之外,其他与电感器100相同地构成。
在电感器110中,从线圈的卷绕轴线方向观察时,以环状形成的导体层40a和线圈的卷绕部21大致一致地配置。导体层40a仅配置于从线圈产生的泄漏磁通强的区域,从而得到充分的泄漏磁通减少效果,并且能够缩小导体层40a的面积而形成良好的生产率的导体层。
在本发明的电感器中,导体层实质上配置在主体的表面上。由此,能够减少电感器的泄漏磁通并且减少涡电流损失的理由例如能够如以下那样说明。
对在线圈的卷绕轴线的方向上从电感器的主体表面起以规定距离离开的平面的磁通密度进行测定,利用该平面内的最大磁通密度能够评价泄漏磁通。换句话说,最大磁通密度的值小,是指从电感器放射的泄漏磁通小。另一方面,无法直接测定涡电流损失。但是,若从线圈产生的磁通与导体层交叉,则在导体层产生涡电流。通过该涡电流,产生与从线圈产生的原来的磁通反向的次级磁通。从线圈产生的磁通由于因涡电流产生的次级磁通而一部分被抵消,因此电感值降低。涡电流越大则电感值越降低,因此能够通过电感值的变化率间接地评价涡电流损失的大小。换句话说,电感值的变化率小是指涡电流损失小。
因此,针对具有电感器110那样的环状的导体层的电感器,通过模拟对导体层的形成位置与最大磁通密度Bmax和电感值之关系进行了评价。结果如表1所示。通过使线圈的卷绕部的内径为5mm,使外径为9mm,从线圈的卷绕轴线方向观察时,使导体层成为在线圈的卷绕部之上重叠配置的厚度50μm的环状,将配置有导体层的位置从主体的表面上起至距主体表面150μm的深度按每50μm变化,来实施模拟。此处流动于线圈的电流为1MHz/5A。另外,对于最大磁通密度而言,在线圈的卷绕轴线方向上的距主体上表面的距离为0.5mm的平面和1.0mm的平面上计算出最大磁通密度。表1以未形成有导体层40a的电感器作为比较例,示出以比较例的电感值L作为基准(100%)的电感值L的变化率(%)、和以比较例的电感器的最大磁通密度作为基准(100%)的最大磁通密度Bmax的相对值(%)。此外,模拟使用Femtet来实施。
[表1]
Figure BDA0002080291490000071
从表1可知,最大磁通密度Bmax是无论将环状导体层埋入主体内的深度如何均减少。因此,通过设置导体层,能够减少电感器的泄漏磁通。另一方面,可知的是,电感值L的变化率的绝对值与环状导体层埋入主体内的深度对应地显著增加。可以认为这是由于若环状导体层埋设于主体内,则除了环状导体层的电感变大之外,线圈的卷绕部与环状导体层之间的磁耦合变大,作为其结果,涡电流损失变大。因此,通过在更接近主体表面的位置设置导体层能够减少涡电流损失。
(实施例3)
参照图6对实施例3的电感器120进行说明。图6是电感器120的概略局部透视立体图。对于电感器120而言,除了在主体10的上表面配置有具有与线圈的卷绕部的外径大致一致的外径的圆盘状的导体层40b,在主体10的侧面未配置有导体层以外,其他与电感器100相同地构成。
对于电感器120而言,从线圈的卷绕轴线方向观察,圆盘状的导体层40b的外周部与埋设于主体10的线圈的卷绕部的外周部大致一致地配置。导体层40b仅配置于从线圈产生的泄漏磁通强的区域,从而能够获得充分的泄漏磁通减少效果,并且能够缩小导体层40b的面积而形成更良好的生产率的导体层。
(实施例4)
参照图7~图9对实施例4的电感器130进行说明。图7是电感器130的概略局部透视立体图。对于电感器130而言,除了在主体10的上表面配置有与线圈的卷绕部的内周部上大致一致的环状的导体层40c、和与线圈的卷绕部的外周部上大致一致的环状的导体层40d,在主体10的侧面未配置有导体层以外,其他与电感器100相同地构成。另外,电感器130除了将电感器110中的一个环状的导体层40a分割为设置在线圈的卷绕部的内周部上的环状的导体层40c、和设置在外周部上的环状的导体层40d而配置,且在导体层40c和导体层40d之间未配置导体层以外,其他与电感器110相同地构成。
对于电感器130而言,从线圈的卷绕轴线方向观察时,环状的导体层40c的内径与埋设于主体10的线圈的卷绕部的内径大致一致。另外,环状的导体层40d的外径与埋设于主体10的线圈的卷绕部的外径大致一致。导体层40c和导体层40d作为以线圈的卷绕轴线为中心的同心圆而配置。导体层40c和导体层40d仅配置于从线圈产生的泄漏磁通特别强的区域,从而得到导体层的面积变小并且充分的泄漏磁通减少效果。导体层40c的宽度例如在线圈的卷绕部的内径为5mm、外径为9mm的情况下以0.25mm左右形成。
图8和图9是表示从电感器产生的磁场噪声的实际的测定结果的坐标图。图8是实施例4的电感器130的测定结果,图9是用于比较的不具有环状的导体层的电感器的测定结果。此外,测定通过在1MHz驱动的DC-DC转换器安装电感器,使用EMI测试装置(Peritech股份公司,EMV-100)来测定距电感器的上表面离开了1mm的平面内的因磁场噪声引起的激励电压的分布来进行。在图8和图9中,X轴和Y轴表示电感器上的线圈的距卷绕轴线的相对位置,纵轴表示激励电压。此外,在测定所使用的电感器中,线圈的卷绕部的内径是5mm,外径是9mm,环状的导体层40c和导体层40d的宽度分别是0.25mm。
如图9所示,用于比较的不具有环状的导体层的电感器的激励电压的最大值约为53dBμV。另一方面,如图8所示,实施例4的电感器130的激励电压的最大值约为48.1dBμV,激励电压之差为4.9dBμV。即,通过作为同心圆而配置的环状的两个导体层,能够抑制磁场噪声的约44%。
(实施例5)
参照图10对实施例5的电感器140进行说明。图10是电感器140的概略局部透视立体图。对于电感器140而言,除了在主体10的上表面配置有与线圈的卷绕部的内周部上大致一致的环状的导体层40c、和与线圈的卷绕部的外周部上大致一致的环状的导体层40d,导体层40c和导体层40d通过连接导体42相互电连接、以及在主体10的侧面未配置有导体层以外,其他与电感器100相同地构成。另外,电感器140除了电感器130中的导体层40c和导体层40d通过连接导体42相互电连接以外,其他与电感器130相同地构成。
对于电感器140而言,从线圈的卷绕轴线方向观察时,圆环状的导体层40c配置为使其内周部与配设于主体10的线圈的卷绕部的内周部大致一致。另外,使环状的导体层40d的外周部与埋设于主体10的线圈的卷绕部的外周部大致一致地配置。导体层40c和导体层40d作为以线圈的卷绕轴线为中心的同心圆配置,通过连接导体42相互电连接。也可以是,连接导体42例如能够与导体层40c和导体层40d相同地形成,与导体层40c和导体层40d同时形成。
导体层40c和导体层40d所含的第2金属层例如通过电镀形成。电感器130中镀敷的第1金属层被分为多个,因此有时电镀的生产率降低。对于电感器140而言,经由通过连接导体42连接的多个第1金属层而电连接。因此,若为滚镀方式则能够增加金属球和镀敷部的接触机会,若为在镀敷部连接并镀敷电极的方式则能够使连接位置为一处即可,能够高效地形成第2金属层。此外,即便在环状的导体层流过涡电流,也由于导体层之间成为电浮置,所以不影响泄漏磁通的减少效果。
(实施例6)
参照图11对实施例6的电感器150进行说明。图11是电感器150的概略局部透视立体图。对于电感器150而言,除了在主体10的上表面配置有与线圈的卷绕部的内周部上大致一致的环状的导体层40c、和与线圈的卷绕部的外周部上大致一致的环状的导体层40d,导体层42c和导体层40d通过连接导体42相互电连接,导体层40c和导体层40d经由连接导体44而与接地端子32电连接,以及在主体10的侧面未配置有导体层以外,其他与电感器100相同地构成。另外,电感器150除了电感器140中的导体层40c和导体层40d经由连接导体44而与接地端子32电连接以外,其他与电感器140相同地构成。
对于电感器150而言,与供电感器做安装的基板上的地线连接的接地端子32与主体10的底面、和同底面邻接且线圈的端部未暴露的侧面连续地配置。也可以是,接地端子32例如能够与导体层40c和导体层40d相同地形成,与导体层40c和导体层40d同时形成。接地端子32经由与主体10的上表面和侧面连续配置的连接导体44而与导体层40d连接。导体层40d经由连接导体42而与导体层40c连接。也可以是,连接导体44例如能够与导体层40c和导体层40d相同地形成,与导体层40c和导体层40d同时形成。通过导体层40c和导体层40d与地线连接,从而除了因泄漏磁通产生的电磁噪声之外,还能够减少电场噪声。
对于实施例1~4所示的电感器100~130而言,表2示出通过模拟对电感值L的变化率和针对在线圈的卷绕轴线方向上距电感器的上表面的距离为0.5mm和1.0mm的平面上最大磁通密度Bmax进行了评价的结果。埋设于主体的线圈的卷绕部使内径为5.0mm,使外径为9.0mm。
如图2所示,针对实施例1的电感器100,分别覆盖主体的上表面和两个侧面的矩形状的导体层以厚度50μm连续地设置。如图5所示,针对实施例2的电感器110,从轴向观察时,宽度宽的一个环状的导体层与卷绕部一致,以厚度50μm设置。如图6所示,针对实施例3的电感器120,圆盘状的导体层与卷绕部的外径一致,以厚度50μm设置。如图7所示,针对实施例4的电感器130,两个环状的导体层各自靠外侧的导体层的外径与卷绕部的外径一致,靠内侧的导体层的内径与卷绕部的内径一致,使导体宽度为0.25mm,以厚度50μm设置。
在表2中,将未形成有导体层的电感器作为比较例,由以比较例的电感值L为基准(100%)的电感值L的变化率(%)、和以比较例的电感器的最大磁通密度为基准(100%)的最大磁通密度Bmax的相对值(%)示出。此外,模拟使线圈电流为1MHz/5A,使用Femtet来实施。
[表2]
Figure BDA0002080291490000101
从表2可知,按实施例4、实施例2、实施例3、实施例1的电感器的顺序,泄漏磁通的减少效果依次提高,L的变化率的绝对值上升。另外,可知:在将导体层配置于电感器元件的表面的情况下,兼具泄漏磁通的减少效果和涡电流损失的抑制较为困难。换句话说,根据电感器所谋求的泄漏磁通和电力损失的特性,从各种导体层的图案选择导体层的图案即可。另外,即便为相同的导体层的形状,也能够通过调整第2金属层的厚度,来调整第2金属层的电阻率,也能够调整泄漏磁通的减少效果和涡电流损失的抑制的平衡。
在上述的实施例中,作为线圈而使用具有将导体扁立卷绕而成的圆形的卷绕部的线圈,但也可以是,从卷绕部的轴向观察的形状使用椭圆形、矩形、轨道形、长圆形等其他形状。卷绕方式不局限于扁立卷绕,也可以是α卷绕等其他的卷绕方式,另外也可以层叠导体图案而形成线圈。
在图5和图6中,导体层的外形为圆形状,但也可以与线圈的卷绕部的形状对应而是椭圆形、矩形、轨道形、长圆形等。
在图7、图10和图11中,作为导体层,使用两个圆环状的导体层,但圆环状的导体层的数量也可以比两个多。
也可以在导体层之上还设置绝缘层。通过绝缘层,除了防止导体层的氧化的效果之外,还得到防止与线圈导体的终端之间的短路的效果。
在上述的实施例中,在主体的上表面设置有导体层,但也可以在主体的靠安装面侧的底面还设置导体层。一般而言,对于安装于基板的电感器而言,由于在基板的电感器周边或者背面存在导体图案,所以将泄漏磁通隔断。但是,在导体图案少等情况下,通过在主体的底面也设置导体层,能够减少从电感器的底面放射的泄漏磁通。

Claims (7)

1.一种电感器,其特征在于,
具备:主体,其包含金属磁性粉和树脂;线圈,其由卷绕部和在所述卷绕部的两端引出的一对引出部构成,并埋设于所述主体;一对外部端子,其分别与所述引出部电连接;以及导体层,其在所述主体的在同安装面侧相反一侧的与所述线圈的卷绕轴线交叉的上表面上配置,用于减少泄漏磁通,
所述导体层包含:由所述主体的表面附近的金属磁性粉相互熔接而成的第1金属层、和镀敷在所述第1金属层之上而成的第2金属层,所述第2金属层的电阻率比所述第1金属层的电阻率低,
从所述线圈的卷绕轴线方向观察时,所述导体层包含配置于所述卷绕部的外周部与内周部之间的环状导体,
所述导体层包含互不交叉的多个环状导体层,
所述多个环状导体层相互电连接。
2.根据权利要求1所述的电感器,其特征在于,
所述第1金属层形成得比所述主体靠内侧。
3.根据权利要求1或2所述的电感器,其特征在于,
从所述线圈的卷绕轴线方向观察时,所述导体层覆盖所述卷绕部的至少局部而配置。
4.根据权利要求1或2所述的电感器,其特征在于,
从所述线圈的卷绕轴线方向观察时,所述导体层配置得比所述卷绕部的外周部靠内侧。
5.根据权利要求1或2所述的电感器,其特征在于,
还具备与待安装的基板的地线连接的接地端子,所述导体层与所述接地端子电连接。
6.根据权利要求1或2所述的电感器,其特征在于,
还具备覆盖所述导体层的绝缘层。
7.一种电感器的制造方法,是用于制造权利要求 1~6中任一项所述的电感器的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:
将由卷绕部和在所述卷绕部的两端引出的一对引出部构成的线圈埋入包含金属磁性粉和树脂的复合材料而形成主体;
在主体的在同安装面侧相反一侧的与所述线圈的卷绕轴线交叉的上表面,设置由所述金属磁性粉在主体的表面附近熔融而相互熔接而成的第1金属层;以及
在所述第1金属层之上,形成与所述第1金属层一起构成用于减少泄漏磁通的导体层的第2金属层。
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