JP6344540B2 - 電力変換モジュール - Google Patents
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Description
また、巻線コイルの巻回軸は、磁性体基板の法線方向であるため、磁性体基板の影響を巻線コイルが直接的に受けてしまい、損失が増加するという問題があった。
前記基板の前記第1主面に設けられ、磁性体粒子を含む磁性材料層と、
前記磁性材料層に埋設されており、前記第1主面から離間して配置され、前記第1主面の面内方向に沿った巻回軸を有するコイルと、
前記基板の前記第1主面より前記第2主面側に設けられ、前記コイルと接続されたスイッチングIC素子と、
前記スイッチングIC素子と接続された入出力端子と、
を含む。
前記基板の前記第1主面に設けられ、磁性体粒子を含む磁性材料層と、
前記磁性材料層に埋設されており、前記第1主面から離間して配置され、前記第1主面の面内方向に沿った巻回軸を有するコイルと、
前記基板の前記第1主面より前記第2主面側に設けられ、前記コイルと接続されたスイッチングIC素子と、
前記スイッチングIC素子と接続された入出力端子と、
を含む。
前記スイッチングIC素子は、前記磁性体基板の前記第2主面に設けられていてもよい。
前記スイッチングIC素子と前記柱状金属体とを接続し、前記第2主面上に引き回されたグランド配線と、
前記スイッチングIC素子と前記柱状金属体とを接続し、内層で引き回された信号線と、
を配線として含んでもよい。
前記樹脂多層基板は、前記スイッチングIC素子と前記入出力端子とを接続する層間導体を有してもよい。
図1(a)は、実施の形態1に係る電力変換モジュール10の構成を示す概略斜視透視図である。図1(b)は、図1(a)のA−A方向からみた概略断面図である。
なお、図1(a)では、コイル3及び柱状金属体8を示すために磁性材料層2及び封止樹脂層5を透過させて示している。
この電力変換モジュール10は、互いに対向する第1主面P及び第2主面Qを有する基板(磁性体基板)1と、基板1の第1主面Pに設けられ、磁性体粒子を含む磁性材料層2と、磁性材料層2に埋設されたコイル3と、基板1の第1主面Pより第2主面Q側に設けられ、コイル3と接続されたスイッチングIC素子6と、を含む。また、コイル3は、基板1の第1主面Pから所定間隔Gで離間して配置され、第1主面Pの面内方向に沿った巻回軸4を有する。また、スイッチングIC素子6と接続された入出力端子9が設けられている。
これによってコイル3からの磁界が磁性体基板1の第1主面に沿って延在するので、磁性体基板1の磁気飽和が抑制され、磁性体基板1からコイル3への影響を抑制することができる。
なお、磁性体基板1を多層基板とし、封止樹脂層5を非磁性体層とすれば、多層基板の内部(多層基板の層間)を通る引回し配線には、ノイズ除去能が付与され、表面の引回し配線にはインダクタンス成分がのりにくい。たとえば信号線を磁性体基板1の内部に、グランド配線を表面にてそれぞれ引回すことにより、電気特性を改善できる。
基板1として、ここでは磁性体基板1を用いているが、これに限定されない。磁性体基板1は、磁性体層を含んでいる。磁性体層には、引き回し配線、磁性体及び樹脂を含んでいてもよい。また、磁性体基板1は、複数の磁性体層を積層して構成された磁性体多層基板であってもよい。各磁性体層にはそれぞれ引き回し配線を設けてもよい。例えば、上述のように、グランド配線を表面側の磁性体層に配し、信号線を内側の磁性体層に配して磁性体基板1を多層基板として構成してもよい。各層間は、層間接続導体等で電気的に接続できる。
磁性材料層2は、磁性体粒子を含む。例えば、磁性材料層2は、磁性体粒子がバインダ中に分散している複合磁性体、特に、磁性金属粉がバインダ(樹脂)中に分散しているメタルコンポジット材、あるいは、バインダ(樹脂)を含まず、磁性体粒子が、その表面の酸化膜を介して接触するように成形された成形体であってもよい。この場合、磁性体粒子間の酸化膜が互いにつながっていてもよい。さらに酸化膜の結晶が連続的につながっていてもよい。磁性金属粉としては、例えば、Fe系磁性金属粉である。なお、Fe系磁性金属粉にはMn、Cr等の添加物又は不純物を含んでいてもよい。バインダは、例えばエポキシ樹脂である。なお、磁性体粒子として、Fe系磁性金属粉に限定するものではない。磁性体粒子としてフェライト粉末を用いてもよい。磁性体粒子としてFe系磁性金属粉を用いた場合、比透磁率が高く、飽和しにくいのでパワーインダクタ用の表面実装型コイル部品として有用である。
磁性材料層2は、例えば、複合磁性体、特に、メタルコンポジット材を印刷工程等で設けた後、圧粉成型によって形成できる。磁性金属粉の体積分率は、例えば、80vol%以上であり、さらに、95vol%以上であることが好ましい。磁性金属粉の割合を高くできるので、電力変換モジュール向けのパワーインダクタとして有用である。また、単に印刷工程で設けるだけでなく、圧粉成型することで磁性金属粉の充填密度を高めることができるので比透磁率が高い。
また、磁性材料層2は、バインダ(樹脂)を用いないで、磁性体粒子を、その表面の酸化膜を介して接触するように成形することによっても形成できる。
コイル3は、導電性材料からなる巻線コイルである。また、コイル3は、基板1の第1主面Pの面内方向に沿った巻回軸4を有するように配置されている。このコイル3に生じる磁界は、コイル3の内側領域が最も強い(磁束密度が高い)。コイル3は、予め巻線コイル形状に形成されたコイル3を未硬化状態のメタルコンポジット材中に配置した後に、圧粉成型により磁性材料層2と一体化するように埋設される。
スイッチングIC素子6は、基板1の第1主面Pより第2主面Q側に設けられている。また、スイッチングIC素子6は、コイル3と接続されている。具体的には、スイッチングIC素子6は、基板1の第1主面Pから第2主面Qまでの内側、基板1の第2主面Q上、基板1の第2主面Qから外側、の少なくともいずれかに設けられている。つまり、スイッチングIC素子6は、基板1の第1主面P側の磁性材料層2内には配置されていない。
磁性材料層2であるメタルコンポジット層2は、金属磁性体をベースとした材料なので、絶縁抵抗が数MΩから数十MΩと低い。このため直流電圧のかかる電力変換モジュール10の配線パターンをメタルコンポジット層2の内部または境界部に配線した場合には漏れ電流が大きくなったり信頼性が著しく劣化したりすることに繋がる。つまり、スイッチングIC素子6は、基板1の第1主面P側の磁性材料層2内には配置できない。この電力変換モジュール10では、スイッチングIC素子6を磁性体基板1の第2主面Q上に配置することによって、十分な信頼性を確保している。
柱状金属体(金属ピン)8は、例えばCuを主成分とする金属ピンを用いることができる。あるいは、金属ピン8は、例えば、Cu系金属塊を所定形状に延伸させたものであってもよい。なお、金属ピン8の材料は、導電性を有すればよく、その素材はCuに限られず、Ag、Al等の導電性材料であってもよい。金属ピン8の外径は、例えば0.1mm以上0.5mm以下のものを用いてもよい。金属ピン8の長さは、例えば0.5mm以上10mm以下のものを用いてもよい。
なお、柱状金属体8は、金属ピンに限られず、例えば、ビアホール導体やその他の層間接続導体等であってもよい。
図4(a)は、基板1の法線方向からみて、封止樹脂層5が基板1より大きい関係にある場合を示す概略図である。図4(b)は、基板1の法線方向からみて、封止樹脂層5が基板1と同じ大きさである場合を示す概略図である。なお、図4(a)(b)において、端子9a、9b、9c、9dは、入出力端子等の外部端子の一部を示しており、他の端子の図示は省略している。
図4(a)に示すように、基板1が磁性体基板である場合に、封止樹脂層5が磁性体基板1より大きい場合であって、端子9a、9b、9c、9dが磁性体基板1より外側にはみ出ている場合には、コイル3に流れるスイッチング電流の高周波ノイズは、端子9a、9b、9c、9dから空中へ放射されやすくなる。一方、図4(b)に示すように、封止樹脂層5と磁性体基板1とが同じ大きさであって、端子9a、9b、9c、9dが磁性体基板1の投影範囲内にある場合には、コイル3に流れるスイッチング電流の高周波ノイズは、端子9a、9b、9c、9dから空中に放射されくくなる。これは端子9a、9b、9c、9dの法線方向の上部に磁性材料層2があり、このモジュールがプリント基板に搭載される事により、端子9a、9b、9c、9dの下部にプリント基板のグランドパターンが配置されるので、高周波ノイズが磁性材料層2及びグランドパターンにより抑制されるためである。
そこで、端子9a、9b、9c、9dは、磁性体基板1の投影範囲内に存在することが好ましい。
図3(a)は、コイル53の巻回軸54が基板51に垂直となるように配置した場合の基板51のスイッチングIC素子56への磁界の影響を示す概略断面図である。図3(b)は、実施の形態1に係る電力変換モジュール10のコイル3の巻回軸4及び磁界の向きを示す概略断面図である。図3(a)に示すように、従来のような縦軸型巻線コイル53の場合、コイル53の磁界が磁性体基板51の影響を直接的に受けてしまう。すなわち、コイルの磁界(磁力線)が集中している部分が磁性体基板51に衝突し、磁性体基板の透磁率によりインダクタンス値が変化する。また磁性体基板51の表面または内部の配線パターンにより磁界が打ち消されうる。特に磁性体基板51をフェライトで構成する場合は直流重畳により透磁率が大きく減少するので、コイル53のインダクタンス値が変化してしまい、電源の変換効率が劣化する可能性がある。コイル53のインダクタンス値を大きくしようとすると、なおさら影響を受けやすい。一方、実施の形態1に係る電力変換モジュール10であれば、図3(b)に示すように、巻回軸4が磁性体基板1の第1主面Pの面内方向に沿っている横軸型の巻線コイル3を用いている。そこで、磁界が磁性体基板1の第1主面Pに平行に延在し、また、コイル3は磁性体基板1とは所定間隔Gをあけて配置されているので、磁性体基板1の影響を小さくできる。これによって磁性体基板1によるロスを低減できる。
図2(a)は、図1(a)の電力変換モジュールをDC−DCコンバータとして用いた場合の等価回路図である。図2(b)は、図2(a)のDC−DCコンバータにおいて対応する配線を示す概略断面図である。なお、図2(b)では基板1内の配線11、12を説明するために磁性材料層2、基板1及び封止樹脂層5のハッチングを部分的に省略している。
実施の形態1に係る電力変換モジュール10は、例えば、図2に示すDC−DCコンバータ(昇降圧型)を含むモジュールであるが、これに限られず、AC−DCコンバータを含むモジュールであってもよく、あるいは、その他の電力変換モジュールであってもよい。
この構成によれば、磁性体基板1の第1主面Pの面内方向に沿った巻回軸4を有するコイル3をチョークコイルとして用いているので、スイッチングIC素子6及び入出力コンデンサ7a、7bからコイル3への影響を抑制できる。
また、この電力変換モジュール10では、その入出力端子につながる配線(DC電圧)はメタルコンポジット層2内には配線できないので、磁性体基板1の第2主面Qに入出力端子9a、9bを設けている。
なお、この電力変換モジュール10は、チョークコイルに代えて、メタルコンポジット層2内にトランスを入れることによって絶縁型の電力変換モジュールとすることもできる。つまり、この電力変換モジュール10は、上記のように非絶縁型の電力変換モジュールとすることも、あるいは絶縁型の電力変換モジュールとすることもできる。
グランド配線(グランド端子およびグランドパターン)は、できるだけ小さなインダクタンス値にして電力変換モジュール10が搭載されるプリント基板に形成されているグランドパターンに接続することでグランド電位を安定させる必要がある。グランド電位が不安定になると、DC−DCコンバータの出力DC電圧にスイッチングノイズが重畳されノイズを含むDC電源となってしまう。
一方、磁性体を搭載するモジュールではグランドパターンと磁性体材料とが非常に近接配置されるため、モジュールの配線パターンは√μ倍のインダクンス成分を持つので、大きな不要インダクタとなってしまう。
このため本実施の形態の電力変換モジュール10のようにメタルコンポジット層2(磁性体)付きのモジュールでは、グランド配線11を短くしてメタルコンポジット材から離れる方向に金属ピン8をつけてプリント基板のグランドパターンに落とす構造にする必要がある。この構造にすることで不要インダクタが小さくなり、スイッチングノイズの重畳が小さくできる。そこで、本実施の形態では、スイッチングIC素子6の電源ラインのグランド端子となる金属ピン8は、入出力端子となる金属ピンよりスイッチングIC素子近傍に配置させている。
高周波ノイズ(無線通信の信号ノイズを含む)は、DC−DCコンバータのスイッチングIC素子6で発生する。このノイズを空中に放射(伝播)させないために、電力変換モジュール10の上部にある磁性材料層(メタルコンポジット層)2の磁性体で空中伝播する高周波ノイズを反射(または吸収)し、電力変換モジュール10が搭載されるプリント基板側に落とすことで、DC−DCコンバータの高周波ノイズ(特に無線通信の周波数帯のノイズ)を低減させることができ、DC−DCコンバータを使ったときの無線通信機の通信品質が向上する。
このとき電力変換モジュール10の封止樹脂層5のエッジ部(主面を上面から見たときにの外縁)が磁性体基板1より大きい(はみ出ている)(図4(a))と、入出力端子から高周波ノイズが放射されてしまう。つまり、ノイズ源を磁性体基板1とプリント基板側パターンとで挟まないと高周波ノイズが放射されてしまう。
そこで、理想的には磁性材料層(メタルコンポジット層)2のエッジ部が封止樹脂層5と同じ位置にあるか、封止樹脂層5より大きい(はみ出ている)ほうが良い(図4(b))。[少なくとも磁性体基板1の配線パターンの形成領域が上面から見たときに磁性材料層(メタルコンポジット層)2より同じか小さいことが必要である。つまり、電力変換モジュール10の上面から見て、封止樹脂層5の配線パターン部は、磁性材料層(メタルコンポジット層)2と同じか小さい形状がよい。
電力変換モジュールは、厚み1mm以下の低背化が要求されている。従来のDC−DCコンバータモジュールなどでは、スイッチングIC素子・基板・磁性材料層を縦積みしているので、磁性材料層部分(コイル部分)の厚みは0.4mm以下となる。この為、磁性材料層の体積は2.5×2.0×0.4mmとなり、平面方向の面積に対し高さが非常に小さくなる。
この磁性材料層に縦方向に巻回軸を有する巻き線コイルを配置すると、磁力線がモジュールの法線方向となる(図3(a))。このモジュール内の配線にはグランドパターンがあるので、渦電流が発生し磁力線を抑制しようと働き、磁界が弱くなってしまう。この為、磁性材料層に形成した巻線コイルのインダクタンス値やQ劣化が起こる。特に、メタルコンポジット層は、μ≦40以下であり、透磁率がフェライト材(透磁率μ=100〜300)に比べ大きくないので磁界のモレ(磁界モレは0.2mm程度まで離れると影響が無くなる)が発生し、磁性材料層と近接している部分の電極パターンによる影響は大きい。
これに対し、本実施の形態に係る電力変換モジュール(DC−DCコンバータ)10では、巻回軸4が基板1の面内方向に沿った横方向の巻き線コイル3を用いている。この横方向に巻回軸を有する巻線コイル3では、磁力線は基板1のパターンにほぼ平行に走るので、磁力線がグランドパターンに衝突しにくくグランドパターンの影響を受けないコイルを作ることができる。そのため、インダクタンス値やQ劣化が起こらず、電源効率の良いDC−DCコンバータを作ることができる。
電力変換モジュール10の製造方法について、図5(a)〜(c)及び図6(a)、(b)を用いて説明する。
(1)磁性体多層基板である磁性体基板1を用意し、磁性体基板1の第1主面Pに、第1主面Pの面内方向に沿った巻回軸4を有する巻線コイル3を実装する(図5(a))。巻線コイル3の実装は、例えば、リフロー実装で行うことができる。
(2)次に、巻線コイル3を埋設するように磁性材料層(メタルコンポジット層)2を形成する(図5(b))。この磁性材料層(メタルコンポジット層)2は、例えば、Fe系磁性金属粉にエポキシ樹脂等のバインダを混合したものである。磁性材料層(メタルコンポジット層)2は、具体的には、未硬化のメタルコンポジット材を印刷工程等によって巻線コイル3に対して付与し、次いで、上下方向から圧力を加えて成型(圧粉成型)することによって行う。これにより、巻線コイル3を埋設した磁性材料層(メタルコンポジット層)2を得ることができる。
(3)次いで、磁性体基板1の第2主面QにスイッチングIC素子6やチップ型のコンデンサ7を実装する(図5(c))。同時に、入出力端子およびグランド端子用の金属ピン8を実装する。
(4)その後、磁性体基板1の第2主面Qに封止樹脂層5を形成する(図6(a))。この場合、必要であれば封止樹脂層5を削りだして高さを合わせて金属ピン8の頭出しを行ってもよい。
(5)さらに、磁性体基板(集合基板)1を分割して、個片化し、各電力変換モジュール10を得る(図6(b))。
以上によって、電力変換モジュール10を得ることができる。
<製造方法>
図7(a)〜(c)、図8(a)及び(b)を用いて実施の形態2に係る電力変換モジュールの製造方法を説明する。実施の形態2に係る電力変換モジュールの製造方法は、実施の形態1に係る電力変換モジュールの製造方法と対比すると、まず、磁性体基板1の第2主面QにスイッチングIC素子6等を実装した後、第1主面Pに巻線コイル3を実装する点で相違する。このように、磁性体基板1の第1主面P又は第2主面Qのいずれに先に巻線コイル3又はスイッチングIC素子6等を実装するか適宜選択できる。
(1)まず、磁性体基板1を用意して、磁性体基板1の第2主面QにスイッチングIC素子6やコンデンサ7を実装する(図7(a))。同時に、入出力端子およびグランド端子用の金属ピン8を実装する。
(2)次に、磁性体基板1の第2主面Qに封止樹脂層5を形成する(図7(b))。
(3)磁性体基板1の第1主面Pに、第1主面Pの面内方向に沿った巻回軸4を有する巻線コイル3を実装する(図7(c))。
(4)次に、巻線コイル3を埋設するようにメタルコンポジット層2を形成する(図8(a))。
(5)さらに、磁性体基板(集合基板)1を分割して、個片化し、各電力変換モジュール10を得る(図8(b))。
以上によって、電力変換モジュール10を得ることができる。
<電力変換モジュール>
図9は、実施の形態3に係る電力変換モジュール10aの構成を示す概略断面図である。
この実施の形態3に係る電力変換モジュール10aは、実施の形態1に係る電力変換モジュール10と対比すると、基板が磁性体基板ではなく、スイッチングIC素子6及びコンデンサ7等を内蔵する樹脂多層基板1aである点で相違する。この電力変換モジュール10aでは、スイッチングIC素子6を樹脂多層基板1aの第1主面Pから第2主面Qまでの内側に設けている。また、入出力端子9a、9bは、樹脂多層基板1aの第2主面Qに設けており、スイッチングIC素子6と入出力端子9a、9bとは、層間導体によって接続している。さらに、グランド端子も層間導体によって形成している。
この電力変換モジュール10aによれば、樹脂多層基板1a内にスイッチングIC素子6及びコンデンサ7等を内蔵しているので、樹脂封止層の形成等の工程を省略できる。
図10(a)乃至(c)を用いて、実施の形態3に係る電力変換モジュール10aの製造方法を説明する。
(1)まず、予め引き回し配線が形成され、スイッチングIC素子6、チップ型のコンデンサ7を内蔵するための開口を設けた複数の樹脂層22を用意し、この開口にスイッチングIC素子6、コンデンサ7等とを配置する(図10(a))。
(2)図10(a)の複数の樹脂層22を、スイッチングIC素子6、コンデンサ7を内蔵した状態で積層して熱プレスにより圧着する。これにより、スイッチングIC素子6及びコンデンサ7を内蔵する樹脂多層基板1aを形成する(図10(b))。
(3)得られた樹脂多層基板1aの第1主面Pに、実施の形態2で示す方法と同様の方法により、コイル3を埋設した磁性体粒子を含む磁性材料層2を設ける(図10(c))。
以上によって、電力変換モジュール10aを得ることができる。この電力変換モジュール10aは、モジュールの配線基板が非磁性材料となるので、配線インダクタが小さくなり、スイッチングIC素子6やコンデンサとグランド間の不要インダクタが小さくなり、スイッチング電源のリップルノイズが小さくなる。
<電力変換モジュール>
図11は、実施の形態4に係る電力変換モジュール10bの構成を示す概略断面図である。
この実施の形態4に係る電力変換モジュール10bは、実施の形態1に係る電力変換モジュール10と対比すると、封止樹脂層5に代えて、スイッチングIC素子6及びコンデンサ7等を内蔵する樹脂多層基板15を用いている点で相違する。この電力変換モジュール10bでは、スイッチングIC素子6を樹脂多層基板15の内側に設けている。また、入出力端子9a、9bは、樹脂多層基板15の第2主面に設けており、スイッチングIC素子6と入出力端子9a、9bとは、層間導体によって接続している。
この電力変換モジュール10bによれば、樹脂多層基板15内にスイッチングIC素子6及びコンデンサ7等を内蔵しているので、樹脂封止層の形成等の工程を省略できる。さらに、実施の形態3に係る電力変換モジュール10aと対比すると、磁性体基板1を磁性材料層2と樹脂多層基板15の間に配置している点で、スイッチングIC素子6及びコンデンサ7等からコイル3への影響を抑制できる。
図12(a)乃至(c)を用いて、実施の形態4に係る電力変換モジュール10bの製造方法を説明する。
(1)まず、磁性体基板1の第2主面Q側に、引き回し配線を含む複数の樹脂層22と、スイッチングIC素子6、チップ型のコンデンサ7等とを配置する(図12(a))。
(2)図12(a)の、磁性体基板1の第2主面Q側に、複数の樹脂層22と、スイッチングIC素子6、コンデンサ7等とを積層して、スイッチングIC素子6及びコンデンサ7を内蔵する樹脂多層基板15を形成する(図12(b))。
(3)磁性体基板1の第1主面Pに、実施の形態2で示す方法と同様の方法により、巻線コイル3を埋設した磁性体粒子を含む磁性材料層2を設ける(図12(c))。
以上によって、電力変換モジュール10bを得ることができる。
1a 部品内蔵樹脂多層基板
2 磁性材料層
3 コイル
4 巻回軸
5 封止樹脂層
6 スイッチングIC素子
7、7a、7b コンデンサ
8 柱状金属体(金属ピン)
9a、9b、9c、9d 端子
10、10a、10b 電力変換モジュール
11 グランド配線
12 内部配線
15 部品内蔵樹脂多層基板
22 熱可塑性樹脂(非磁性体)
Claims (9)
- 互いに対向する第1主面及び第2主面を有する基板と、
前記基板の前記第1主面に設けられ、磁性体粒子を含む磁性材料層と、
前記磁性材料層に埋設されており、前記第1主面から離間して配置され、前記第1主面の面内方向に沿った巻回軸を有するコイルと、
前記基板の前記第1主面より前記第2主面側に設けられ、前記コイルと接続されたスイッチングIC素子と、
前記スイッチングIC素子と接続された入出力端子と、
を含むと共に、
前記基板は、磁性体層を有する磁性体基板を含み、
前記スイッチングIC素子は、前記磁性体基板の第2主面に設けられている、電力変換モジュール。 - 前記第2主面の法線方向からみた場合に、前記入出力端子は、前記磁性体基板の投影範囲内に存在する、請求項1に記載の電力変換モジュール。
- 前記磁性体基板の前記第2主面に設けられ、一端が前記スイッチングIC素子側に接続され、他端が入出力端子として利用される柱状金属体をさらに備える、請求項1又は2に記載の電力変換モジュール。
- 前記磁性体基板は、
前記スイッチングIC素子と前記柱状金属体とを接続し、前記第2主面上に引き回されたグランド配線と、
前記スイッチングIC素子と前記柱状金属体とを接続し、内層で引き回された信号線と、
を配線として含む、請求項3に記載の電力変換モジュール。 - 前記基板の前記第2主面には非磁性体からなる封止樹脂層をさらに含む、請求項1から4のいずれか一項に記載の電力変換モジュール。
- 互いに対向する第1主面及び第2主面を有する基板と、
前記基板の前記第1主面に設けられ、磁性体粒子を含む磁性材料層と、
前記磁性材料層に埋設されており、前記第1主面から離間して配置され、前記第1主面の面内方向に沿った巻回軸を有するコイルと、
前記基板の前記第1主面より前記第2主面側に設けられ、前記コイルと接続されたスイッチングIC素子と、
前記スイッチングIC素子と接続された入出力端子と、
を含むと共に、
前記基板は、前記スイッチングIC素子を内蔵する樹脂多層基板を含む、電力変換モジュール。 - 前記入出力端子は、前記樹脂多層基板の第2主面に設けられ、
前記樹脂多層基板は、前記スイッチングIC素子と前記入出力端子とを接続する層間導体を有する、請求項6に記載の電力変換モジュール。 - 前記磁性体粒子は、磁性金属粒子であって、前記磁性材料層は、前記磁性金属粒子を含む圧粉成形体層である、請求項1から7のいずれか一項に記載の電力変換モジュール。
- 前記電力変換モジュールは、DC−DCコンバータとして機能する、請求項1から8のいずれか一項に記載の電力変換モジュール。
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