JP2002246258A - セラミック電子部品及びその製造方法 - Google Patents

セラミック電子部品及びその製造方法

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JP2002246258A
JP2002246258A JP2001094327A JP2001094327A JP2002246258A JP 2002246258 A JP2002246258 A JP 2002246258A JP 2001094327 A JP2001094327 A JP 2001094327A JP 2001094327 A JP2001094327 A JP 2001094327A JP 2002246258 A JP2002246258 A JP 2002246258A
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JP
Japan
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ceramic
electrode layer
curable resin
electronic component
polymer
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Application number
JP2001094327A
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English (en)
Inventor
Akio Harada
昭雄 原田
Kazuyuki Kamata
和行 鎌田
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Daiken Kagaku Kogyo KK
Original Assignee
Daiken Kagaku Kogyo KK
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 熱応力やガラスに起因する応力をセラミック
内に残留させず、耐久性のある高導通性のセラミック電
子部品を開発する。 【解決手段】 本発明に係るセラミック電子部品の製造
方法は、内部電極6を内蔵したセラミック本体4とこの
セラミック本体4の上に形成された外部電極8からなる
セラミック電子部品において、ガラス成分を含まずに金
属超微粒子又は金属有機化合物と樹脂と溶剤を含む導電
性ペーストをセラミック本体4の上に塗着し、400℃
以下で焼成して内部電極6と導通するようにコンタクト
電極10を形成する工程と、金属粉末と硬化性樹脂と溶
剤を含むポリマーペーストを前記コンタクト電極10の
上に塗着し、硬化性樹脂を硬化させてポリマー電極12
を形成することを特徴としている。ガラスを含まないか
らガラスに起因する応力がなく、400℃以下の低温で
形成するから熱応力がセラミック内に残留せず、高耐久
性と高導通性のあるセラミック電子部品を実現できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は内部電極を内蔵した
セラミック本体に外部電極を形成してなるセラミック電
子部品に関し、更に詳細には積層セラミックコンデンサ
や積層セラミックインダクタなどのセラミック電子部品
について、セラミック本体と接着するコンタクト電極か
らガラス成分を除去してセラミック本体にガラスを原因
とする応力(以下、ガラス応力と呼ぶ)が発生すること
を除去し、400℃以下の低融点でコンタクト電極を形
成してセラミック本体に熱応力が残留することを除去
し、耐久性を格段に向上させたセラミック電子部品及び
その製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、積層セラミックコンデンサはセ
ラミック本体の中に多数の内部電極を配置し、この内部
電極と導通するようにセラミック本体の上に外部電極を
形成して構成されている。
【0003】当初、外部電極は次に様に形成されてい
た。まず、金属粉末とガラスフリットと樹脂と溶剤を混
合して導電性ペーストを形成する。この導電性ペースト
をセラミック本体の左右に塗着し、600〜850℃で
焼成して有機成分を除去し、金属製の外部電極を形成す
る。
【0004】ガラスフリットはガラス粉末からなり、焼
成によってセラミック本体の微孔中に溶融浸透してセラ
ミックスと反応し、外部電極とセラミック本体との結合
を強化する作用を行う。この一体化反応は600℃以上
に加熱することによって生起する。
【0005】しかし、ガラスとの反応によってセラミッ
ク本体の内部に応力(ガラス応力と呼ぶ)が残留し、ま
たガラスと反応しない場所にも600℃以上の加熱によ
る熱応力が残留する。この残留応力はセラミックコンデ
ンサの製品出荷後も製品の中に残る。セラミックコンデ
ンサを配線基板に200℃以上の加熱温度でハンダ付け
すると、前記残留応力がこの加熱によって急激に開放さ
れる。この残留応力の開放によってセラミック本体が割
れたり破損することがしばしばあった。ガラス応力以外
の熱応力に関しても同様のことがあり、この欠点を解決
するために種々の研究がなされてきた。最大の解決策は
ガラスフリットを除去し、しかも低温焼成を実現するこ
とである。
【0006】図3は従来の積層セラミックコンデンサの
概略断面図である。この積層セラミックコンデンサ22
は、内部電極26を内蔵したセラミック本体24の左右
に、外部電極28としてポリマー電極層32を形成して
構成されている。
【0007】このポリマー電極層32には残留応力の原
因となるガラスフリットは含有されず、金属粉末と硬化
性樹脂から構成されている。熱硬化性樹脂を用いた場合
には、加熱処理が必要になるが、400℃以下の加熱温
度で硬化する材料を使用すれば、熱応力の残留も急減さ
せることができる。硬化剤を用いた低温硬化性樹脂であ
れば常温でも硬化するし、紫外線硬化性樹脂や電子線硬
化性樹脂では熱応力が残留するまで温度を上昇させる事
はない。
【0008】つまり、ポリマー電極層32はガラスフリ
ットを含まないからガラス応力の残留はあり得ない。ま
た、加熱処理においても400℃以下の処理で済むか
ら、熱応力がセラミック本体24の中に発生することは
ない。従って、このポリマー電極層32の出現により、
ハンダ付け時の応力割れ等を防止することができるよう
になった。
【0009】しかし、このポリマー電極層32は内部電
極26との導通性が悪いという欠点が指摘されていた。
ポリマー電極層32はそれほど高温には加熱されないか
ら、その中に含まれる金属粉末同士の電気的接触性は金
属粉末密度が低い場合には十分ではない。この事は金属
粉と内部電極26との電気的接触性においても同様であ
る。この欠点を解決するために、次のような提案が行わ
れた。
【0010】図4は従来の他の積層セラミックコンデン
サの概略断面図である。この積層セラミックコンデンサ
22では、外部電極28をガラスコンタクト電極層30
とポリマー電極層32の2層構造としている。
【0011】ポリマー電極層32とセラミック本体24
の間にガラスコンタクト電極層30を配置した点が図3
と異なっている。このガラスコンタクト電極層30は、
前述したように、金属粉体とガラスフリットと樹脂と溶
剤からなる導電性ペーストを塗着し、焼成して構成され
たものである。
【0012】つまり、セラミック本体24と十分な強度
を有して一体化させるには、ガラスフリットを用いる以
外に無いのである。ガラスとセラミックスとの一体化に
よって金属粉と内部電極26との一体化も増進される。
ガラスコンタクト電極層30により内部電極26とポリ
マー電極層32の導通性も強化される。
【0013】しかし、ガラスコンタクト電極層30を設
けることは、元来の問題点、即ちガラスフリットに対す
る600℃以上の高温焼成が必要となり、ガラス応力と
熱応力がセラミック本体24に残留し、ハンダ付け時の
加熱によって応力割れが生じる危険性が再燃する。つま
り、ポリマー電極層32の欠点を解消するために導入し
たガラスコンタクト電極層30が最初の欠点を復活させ
るという事態に直面している。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】ポリマー電極層32の
導入は応力割れを防止するためには必要な手段である。
このポリマー電極層32を導入したことによる導通不良
の欠点を解消するために、ガラスフリット以外の手段を
探索し、良質のコンタクト電極層を確立する技術が要請
されている。
【0015】従って、本発明に係るセラミック電子部品
及びその製造方法は、セラミック本体との効率的な電気
伝導性を確保し、しかも熱応力やガラス応力をセラミッ
ク本体に導入しないガラスフリット以外の良好なコンタ
クト電極層を完成し、耐久性の高いセラミック電子部品
を提供することを目的とする。
【0016】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、内部
電極を内蔵したセラミック本体とこのセラミック本体の
上に形成された外部電極からなるセラミック電子部品に
おいて、前記外部電極は、内部電極に導通するようにセ
ラミック本体の表面に形成され、しかもガラス成分を含
有しないで金属成分からなるコンタクト電極層と、この
コンタクト電極層の上に形成され金属粉末を分散させた
硬化性樹脂からなるポリマー電極層から構成されること
を特徴とするセラミック電子部品である。
【0017】請求項2の発明は、前記硬化性樹脂が、硬
化剤を併用して硬化する低温硬化性樹脂、熱硬化性樹
脂、紫外線硬化性樹脂及び電子線硬化性樹脂の少なくと
も一つである請求項1に記載のセラミック電子部品であ
る。
【0018】請求項3の発明は、前記セラミック電子部
品が、積層セラミックコンデンサ、積層セラミックイン
ダクタ、積層セラミック圧電素子又は積層圧電セラミッ
クアクチュエータである請求項1に記載のセラミック電
子部品である。
【0019】請求項4の発明は、内部電極を内蔵したセ
ラミック本体とこのセラミック本体の上に形成された外
部電極からなるセラミック電子部品において、ガラス成
分を含まずに金属超微粒子と樹脂と溶剤を含む導電性ペ
ーストをセラミック本体の上に塗着し、400℃以下で
焼成して内部電極と導通するようにコンタクト電極層を
形成する工程と、金属粉末と硬化性樹脂と溶剤を含むポ
リマーペーストを前記コンタクト電極層の上に塗着し、
硬化性樹脂を硬化させてポリマー電極層を形成すること
を特徴とするセラミック電子部品の製造方法である。
【0020】請求項5の発明は、内部電極を内蔵したセ
ラミック本体とこのセラミック本体の上に形成された外
部電極からなるセラミック電子部品において、ガラス成
分を含まずに有機金属化合物と樹脂と溶剤を含む導電性
ペーストをセラミック本体の上に塗着し、400℃以下
で焼成して内部電極と導通するようにコンタクト電極層
を形成する工程と、金属粉末と硬化性樹脂と溶剤を含む
ポリマーペーストを前記コンタクト電極層の上に塗着
し、硬化性樹脂を硬化させてポリマー電極層を形成する
ことを特徴とするセラミック電子部品の製造方法であ
る。
【0021】請求項6の発明は、内部電極を内蔵したセ
ラミック本体とこのセラミック本体の上に形成された外
部電極からなるセラミック電子部品において、ガラス成
分を含まずに金属超微粒子と有機金属化合物と樹脂と溶
剤を含む導電性ペーストをセラミック本体の上に塗着
し、400℃以下で焼成して内部電極と導通するように
コンタクト電極層を形成する工程と、金属粉末と硬化性
樹脂と溶剤を含むポリマーペーストを前記コンタクト電
極の上に塗着し、硬化性樹脂を硬化させてポリマー電極
層を形成することを特徴とするセラミック電子部品の製
造方法である。
【0022】
【発明の実施の形態】以下に、本発明に係るセラミック
電子部品及びその製造方法の実施形態を図面に従って詳
細に説明する。
【0023】図1は本発明に係るセラミック電子部品の
一例である積層セラミックコンデンサの概略断面図であ
る。この積層セラミックコンデンサ2は、内部電極6を
内蔵したセラミック本体4の左右に、外部電極8を形成
して構成されている。
【0024】まず、セラミックス層と内部電極層の2層
からなる単位体を多数形成する。次に、この単位体を多
数積層することによって厚肉のセラミック本体4が形成
される。積層数は任意であるが、一般には数十から数百
に及ぶ。
【0025】外部電極層8はコンタクト電極層10、ポ
リマー電極層12及びメッキ層14から構成されてい
る。コンタクト電極層10はセラミック本体4とポリマ
ー電極層12の電気的導通性を強化するために形成さ
れ、しかも400℃以下という比較的低温度で焼成され
るため、セラミック本体4に熱応力などを残留させるこ
とはない。
【0026】コンタクト電極層10はセラミック本体の
表面に塗着された導電性ペーストを400℃以下で焼成
して形成される。導電性ペーストの成分調整によって、
400℃以下での焼成が可能となる。このような低温焼
成が可能な導電性ペーストには2種類存在する。
【0027】第1の導電性ペーストは、金属超微粒子、
樹脂及び溶剤から構成される。金属超微粒子はナノオー
ダーの直径を有する金属微粒子で、反応性が極めて高い
と同時に、その融点はバルク金属と比較して極めて小さ
い。例えば貴金属超微粒子の場合、数nmのpt超微粒
子では融点は約100℃程度に低下するという報告もあ
る。従って、大方の金属超微粒子の融点は400℃以下
であると考えられる。
【0028】第2の導電性ペーストは、金属析出温度が
400℃以下の金属有機化合物、樹脂及び溶剤から構成
される。金属有機化合物は粘度調製にも使用されるか
ら、樹脂が不要な場合もある。
【0029】前記2種類の導電性ペーストは、400℃
以下の適当温度で焼成することにより、有機成分は分解
蒸発し、最終的に金属成分が残留してコンタクト電極層
10を形成する。ガラスフリットなどのガラス成分は全
く存在しないから、セラミック本体4にガラス応力を残
留させず、400℃以下の焼成により熱応力もほとんど
残留しない。
【0030】金属超微粒子には、金属単体で形成される
超微粒子と、金属核の周囲を有機物で被覆した超微粒子
がある。後者の金属超微粒子の例として、特開平10−
183207号で開示される超微粒子がある。この超微
粒子は、内部に金属核があり、周囲にその母材としての
金属有機化合物が取り巻き、有機成分が外方に向いて配
置している。従って、有機溶剤の中で金属超微粒子が団
子にならずに分散状態となっている。その一例として、
脂肪酸基に被覆されたAg超微粒子、特に直鎖脂肪酸基
に被覆されたAg超微粒子がある。
【0031】前記金属成分には、Cu、Ag、Au、Z
n、Cd、Ga、In、Si、Ge、Sn、Pd、F
e、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、P
t、V、Cr、Mn、Y、Zr、Nb、Mo、Ca、S
r、Ba、Sb等がある。金属核の直径は1〜100n
mである。
【0032】前記金属有機化合物には、有機金属錯体や
有機金属化合物、金属アルコキシド等も包含する。具体
的には、ナフテン酸塩、オクチル酸塩、ステアリン酸
塩、安息香酸塩、パラトルイル酸塩、n−デカン酸塩な
どの脂肪酸塩、イソプロポキシド、エトキシド等の金属
アルコキシド、アセチルアセトン錯塩などが利用され
る。ナフテン酸塩で説明すると、ナフテン酸銀、ナフテ
ン酸ビスマス、ナフテン酸バナジウムなど、貴金属に限
らず各種金属のナフテン酸塩が用いられる。
【0033】樹脂は導電性ペーストの粘度を調製するた
めに添加される。金属超微粒子を溶剤に混合し、樹脂を
添加して粘度調製を行う。樹脂には公知の各種樹脂が利
用でき、例えば、フェノール樹脂・メラミン樹脂・アル
キド樹脂などの熱硬化性樹脂、フェノキシ樹脂・アクリ
ル樹脂などの熱可塑性樹脂、エポキシ樹脂などの硬化剤
硬化性樹脂などが焼成温度に応じて利用できる。
【0034】有機溶剤としては、金属超微粒子や金属有
機化合物や樹脂を溶解できるペースト調製用の公知の溶
剤が利用できる。例えば、脂肪族アルコール、アルコー
ルエステル、カルビトール系溶媒、セロソルブ系溶媒、
ケトン系溶媒、炭化水素系溶媒などが利用できる。
【0035】導電性ペース5は焼成により有機成分が除
去されるから、最終的にコンタクト電極層10は金属成
分だけから構成されることになる。従って、導電性ペー
ストにおける金属成分と樹脂と溶剤の重量比は、ペース
トの塗着処理のし易さと焼成の容易さで決まり、る。一
般的には、金属超微粒子又は金属有機化合物のペースト
に占める重量%は10〜90%が適当である。
【0036】コンタクト電極層10の上にポリマー電極
層12が形成される。このポリマー電極層12はポリマ
ー導電性ペーストをコンタクト電極層10の上に塗着
し、これをポリマー導電性ペーストを硬化させて形成さ
れる。このポリマー導電性ペーストは、金属粉末と、硬
化性樹脂と、有機溶剤を混合して形成される。硬化させ
る方法は硬化性樹脂の種類により異なり、加熱、硬化剤
の添加、紫外線照射、電子線照射などが利用できる
【0037】金属粉末には各種の金属粉末が利用できる
が、安定性や安全性から貴金属粉末が多用される。例え
ば、Au、Pt、Ag、Ru、Rh、Pd、Ir、Os
などの金属であり、またこれらの混合物や合金も使用さ
れる。
【0038】硬化性樹脂には、硬化剤による硬化性樹
脂、熱硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂、電子線硬化性樹
脂などがあり、硬化剤の添加、加熱、紫外線照射、電子
線照射がそれぞれの硬化手段になる。この中でも、硬化
手段の容易性から、硬化剤による硬化性樹脂又は熱硬化
性樹脂が用いられることが多い。
【0039】硬化剤硬化性樹脂は触媒を含む硬化剤によ
り硬化する樹脂で、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、
グルシジルエーテル化エポキシ樹脂、ジグリシジルエス
テル型樹脂、ノボラックエポキシ樹脂、グリシジルアミ
ン型樹脂、脂環族エポキシ樹脂などのエポキシ樹脂があ
る。
【0040】これらの硬化性樹脂の硬化剤には低温硬化
剤と高温硬化剤がある。低温硬化剤には、ポリアミド硬
化剤、脂肪族ポリアミン硬化剤、環状脂肪族ポリアミン
硬化剤、芳香族ポリアミン硬化剤、ジシアンジアミド硬
化剤があり、特に常温で硬化反応を生起する硬化剤が望
ましい。高温硬化剤には芳香族ポリアミン硬化剤や酸無
水物硬化剤が利用できる。
【0041】熱硬化性樹脂には、フェノール樹脂、メラ
ミン樹脂、アルキド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジ
アリールフタレート樹脂などがある。硬化温度は樹脂の
種類毎に異なり、セラミック本体4やコンタクト電極層
10に影響を与えない硬化温度を有する硬化剤を選択す
る。
【0042】前記ポリマー導電性ペーストに使用される
有機溶媒には、エタノール・ブタノールなどの脂肪族ア
ルコール、アセテート・プロピオネートなどのアルコー
ルエステル、メチルカルビトール・エチルカルビトール
・ブチルカルビトールなどのカルビトール系溶媒、セロ
ソルブ・ブチルセロソルブ・イソアミルセロソルブなど
のセロソルブ系溶媒、アセトン・メチルエチルケトン・
シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、ベンゼン・トル
エン・キシレン・テレピン・シクロヘキサン・メチルペ
ンタンなどの炭化水素系溶媒がある。
【0043】金属粉末と硬化性樹脂との混合重量比は目
的に応じて自在に調整されるが、100:5〜100:
40が好適である。硬化性樹脂が少ないとポリマー電極
層の硬度が低下し、硬化性樹脂が多いと電極の導電性が
低下する。従って、それらの重量比は硬度と電導度の両
者を満足させるように適宜調整される。
【0044】最後に、メッキ層14がポリマー電極層1
2の上に形成される。このメッキ層14により配線基板
へのハンダ付けが確実に行われ、積層セラミックコンデ
ンサ2への電圧印加が確実になる。
【0045】ポリマー電極層12は焼結体ではないの
で、表面に小さな隙間が多数存在する。この表面にメッ
キすると、これらの隙間からメッキ液がポリマー電極層
12の内部に浸透する可能性がある。これらの小さな隙
間をなくすために、ポリマー電極層12の表面を研磨す
ることが行われる。研磨にはバレル研磨等が用いられ、
研磨によりメッキ層14の付着性能が向上される。
【0046】図2は本発明に係るセラミック電子部品の
他の例である積層セラミックインダクタの概略断面図で
ある。この積層セラミックインダクタ18の断面構造
は、内部電極6の構造が相違するだけで、他の構造は積
層セラミックコンデンサ2と同様である。セラミック本
体4はCu−Zn−Co系のフェライト材料から構成さ
れている。他の部材の材質や構造は図1と同様であるか
ら、同一部分には同一番号を付してその説明を省略す
る。
【0047】図1及び図2では、積層セラミックコンデ
ンサと積層セラミックインダクタを説明したが、本発明
は積層セラミック圧電素子や積層圧電セラミックアクチ
ュエーターなどの他のセラミック電子部品にも適用する
ことができる。
【0048】
【実施例】[実施例1:金属超微粒子としてステアリン
酸銀超微粒子]コンタクト電極層を形成するために導電
性ペーストが次の組成で作成された。但し、ここで使用
されるビヒクルは樹脂10重量部と溶剤90重量部を混
練して形成された混合物である。また、銀超微粒子の平
均直径は5nmである。 ステアリン酸銀超微粒子 50重量% ビヒクル 20重量% テルピネオール 30重量%
【0049】この導電性ペーストをセラミック本体4の
両端面に塗着し、400℃で1時間焼成した。形成され
たコンタクト電極層10は内部電極6と良好な電気導通
性を示した。断面を割って電子顕微鏡で調べたところ、
有機物は除去され、銀超微粒子が相互に溶融して銀膜が
形成されていた。この銀膜は内部電極層と一体化し、良
好な電極性能を示すことが構造的にも確認された。
【0050】次に、ポリマー導電性ペーストが下記の組
成比で形成された。使用された銀粉末の粒径は1〜6μ
mであり、硬化性樹脂として熱硬化性樹脂が使用され
た。 銀粉末 60重量% フェノール樹脂 15重量% ブチルカルビトール 25重量%
【0051】このポリマー導電性ペーストをコンタクト
電極層10の上に塗着し、200℃で1時間加熱して硬
化させてポリマー電極層12を形成した。ポリマー電極
層12とコンタクト電極層10との電気的導通性は良好
であった。この段階でも、電子顕微鏡で導通構造が調査
され、内部電極6とコンタクト電極層10及びポリマー
電極層12が確実に一体化していることが確認された。
【0052】[実施例2:金属有機化合物としてナフテ
ン酸銀]金属有機化合物の例としてナフテン酸銀が用い
られた。コンタクト電極層用の導電性ペーストが調製さ
れた。ここで使用されるビヒクルは実施例1と同様であ
る。 ナフテン酸銀 55重量% ビヒクル 15重量% テルピネオール 30重量%
【0053】この導電性ペーストをセラミック本体4の
両端面に塗着し、400℃で2時間焼成した。形成され
たコンタクト電極層10は内部電極6と良好な電気導通
性を示した。この焼成でナフテン酸銀は完全に分解さ
れ、析出した銀によって銀被膜が形成された。この銀被
膜は内部電極層と一体化し、良好な導通性を示すことが
電子顕微鏡によって確認された。
【0054】次に、ポリマー導電性ペーストが調製され
た。使用された銀粉末の粒径は1〜6μmである。この
実施例では、硬化剤による硬化性樹脂が使用され、硬化
性樹脂としてエポキシ樹脂、硬化剤としてジシアンジア
ミドが用いられた。 銀粉末 56重量% エポキシ樹脂 13重量% ジシアンジアミド 1重量% プチルカルビトール 30重量%
【0055】このポリマー導電性ペーストをコンタクト
電極層10の上に塗着し、250℃で1時間硬化させて
ポリマー電極層12を形成した。内部電極6とコンタク
ト電極層10及びポリマー電極層12が確実に一体化し
ていることが電子顕微鏡で確認された。
【0056】[実施例3:金属超微粒子と有機金属化合
物]コンタクト電極層用の導電性ペーストが、銀超微粒
子を主剤とし、ナフテン酸銀(有機金属化合物)を助剤
として構成された。ビヒクルは樹脂10重量部と溶剤9
0重量部を混練して形成された混合物である。また、銀
超微粒子の平均直径は5nmである。 ステアリン酸銀超微粒子 50重量% ナフテン酸銀 5重量% ビヒクル 15重量% テルピネオール 30重量%
【0057】この導電性ペーストをセラミック本体4に
塗着し、400℃で1時間焼成した。形成されたコンタ
クト電極層10は内部電極6と良好な電気導通性を示し
た。断面を割って電子顕微鏡で調べたところ、実施例1
と同程度の秀麗な銀被膜が形成されていた。
【0058】ポリマー導電性ペーストは実施例1と同様
に構成された。コンタクト電極層10の上にポリマー導
電性ペーストを塗着し、200℃で1時間加熱して硬化
させてポリマー電極層12を形成した。電子顕微鏡で導
通構造が調査され、内部電極6とコンタクト電極層10
及びポリマー電極層12が確実に一体化していることが
確認された。
【0059】本発明は上記実施形態に限定されるもので
はなく、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲における
種々の変形例、設計変更などをその技術的範囲内に包含
することは云うまでもない。
【0060】
【発明の効果】請求項1の発明によれば、ガラス成分を
含まないで金属成分だけからなるコンタクト電極をセラ
ミック本体とポリマー電極層の間に形成したから、金属
成分が内部電極と強力に密着して、内部電極とポリマー
電極の電気的導通性が確実に保証され、セラミック電子
部品の導通不良を激減させることができる。また、コン
タクト電極層はガラス成分を含有しないから、セラミッ
ク本体内にガラスによって形成される応力が生じず、応
力割れのおそれのないセラミック電子部品を提供でき
る。
【0061】請求項2の発明によれば、硬化性樹脂とし
て、硬化剤による硬化性樹脂、熱硬化性樹脂、紫外線硬
化性樹脂及び電子線硬化性樹脂の少なくとも一つを使用
したから、400℃以下の硬化温度で硬化させることが
でき、セラミック本体の中に熱応力が残留せず、応力割
れ等のおそれがない。
【0062】請求項3の発明によれば、応力割れの危険
性がなく、導通性能の高い積層セラミックコンデンサ、
積層セラミックインダクタ、積層セラミック圧電素子又
は積層圧電セラミックアクチュエータを提供できる。
【0063】請求項4の発明によれば、低融点の金属超
微粒子を用いることによりコンタクト電極層を400℃
以下の低温度で形成でき、しかもポリマー電極層も低温
度で形成できるから、セラミック本体にガラス応力や熱
応力が残留せず、耐久性の高い高導通性のセラミック電
子部品を提供できる。
【0064】請求項5の発明によれば、低融点の金属有
機化合物を用いることにより請求項4と同様の効果、即
ちセラミック本体にガラス応力や熱応力が残留せず、耐
久性の高い高導通性のセラミック電子部品を提供でき
る。
【0065】請求項6の発明によれば、低融点の金属超
微粒子と金属有機化合物を用いたから、両物質が協同し
て秀麗な金属膜からなるコンタクト電極層を形成でき
る。このコンタクト電極層の上にポリマー電極層を形成
したから、導通性や耐久性の優れたセラミック電子部品
を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るセラミック電子部品の一例である
積層セラミックコンデンサの概略断面図である。
【図2】本発明に係るセラミック電子部品の他の例であ
る積層セラミックインダクタの概略断面図である。
【図3】従来の積層セラミックコンデンサの概略断面図
である。
【図4】従来の他の積層セラミックコンデンサの概略断
面図である。
【符号の説明】
2・・・・積層セラミックコンデンサ 4・・・・セラミック本体 6・・・・内部電極 8・・・・外部電極 10・・・コンタクト電極層 12・・・ポリマー電極層 14・・・メッキ層 18・・・積層セラミックインダクタ 22・・・積層セラミックコンデンサ 24・・・セラミック本体 26・・・内部電極 28・・・外部電極 30・・・ガラスコンタクト電極層 32・・・ポリマー電極層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 41/22 H01L 41/22 Z Fターム(参考) 5E001 AB03 AF06 AH01 AH09 AJ01 AJ03 5E070 AA01 AB02 CB13 EA01 5E082 AB03 BC33 FG26 GG10 GG28 JJ03 JJ23 JJ26 MM24 PP06

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 内部電極を内蔵したセラミック本体とこ
    のセラミック本体の上に形成された外部電極からなるセ
    ラミック電子部品において、前記外部電極は、内部電極
    に導通するようにセラミック本体の表面に形成され、し
    かもガラス成分を含有しないで金属成分からなるコンタ
    クト電極層と、このコンタクト電極層の上に形成され金
    属粉末を分散させた硬化性樹脂からなるポリマー電極層
    から構成されることを特徴とするセラミック電子部品。
  2. 【請求項2】 前記硬化性樹脂が、硬化剤を併用して硬
    化する低温硬化性樹脂、熱硬化性樹脂、紫外線硬化性樹
    脂及び電子線硬化性樹脂の少なくとも一つである請求項
    1に記載のセラミック電子部品。
  3. 【請求項3】 前記セラミック電子部品が、積層セラミ
    ックコンデンサ、積層セラミックインダクタ、積層セラ
    ミック圧電素子又は積層圧電セラミックアクチュエータ
    である請求項1に記載のセラミック電子部品。
  4. 【請求項4】 内部電極を内蔵したセラミック本体とこ
    のセラミック本体の上に形成された外部電極からなるセ
    ラミック電子部品において、ガラス成分を含まずに金属
    超微粒子と樹脂と溶剤を含む導電性ペーストをセラミッ
    ク本体の上に塗着し、400℃以下で焼成して内部電極
    と導通するようにコンタクト電極層を形成する工程と、
    金属粉末と硬化性樹脂と溶剤を含むポリマーペーストを
    前記コンタクト雷極層の上に塗着し、硬化性樹脂を硬化
    させてポリマー電極層を形成することを特徴とするセラ
    ミック電子部品の製造方法。
  5. 【請求項5】 内部電極を内蔵したセラミック本体とこ
    のセラミック本体の上に形成された外部電極からなるセ
    ラミック電子部品において、ガラス成分を含まずに有機
    金属化合物と樹脂と溶剤を含む導電性ペーストをセラミ
    ック本体の上に塗着し、400℃以下で焼成して内部電
    極と導通するようにコンタクト電極層を形成する工程
    と、金属粉末と硬化性樹脂と溶剤を含むポリマーペース
    トを前記コンタクト電極の上に塗着し、硬化性樹脂を硬
    化させてポリマー電極層を形成することを特徴とするセ
    ラミック電子部品の製造方法。
  6. 【請求項6】 内部電極を内蔵したセラミック本体とこ
    のセラミック本体の上に形成された外部電極からなるセ
    ラミック電子部品において、ガラス成分を含まずに金属
    超微粒子と有機金属化合物と樹脂と溶剤を含む導電性ペ
    ーストをセラミック本体の上に塗着し、400℃以下で
    焼成して内部電極と導通するようにコンタクト電極層を
    形成する工程と、金属粉末と硬化性樹脂と溶剤を含むポ
    リマーペーストを前記コンタクト電極の上に塗着し、硬
    化性樹脂を硬化させてポリマー電極層を形成することを
    特徴とするセラミック電子部品の製造方法。
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