JP2002271032A - プリント配線板及びプリント配線板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ループインダクタンスを低減できるプリント
配線板及び該プリント配線板の製造方法を提案する。 【解決手段】 プリント配線板１０内にチップコンデン
サ２０を配置するため、ＩＣチップ９０とチップコンデ
ンサ２０との距離が短くなり、ループインダクタンスを
低減することができる。また、メタライズからなる電極
２１、２２の表面に導電性ペースト２６が塗布されてい
るため、電極２１、２２の表面をフラットにでき、バイ
アホール４６との接続性を高めることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】ＩＣチップなどの電子部品を
載置するプリント配線板に関し、特にコンデンサを内蔵
するプリント配線板に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】通常、コンピュータ内部においては、電
源とＩＣチップ間の配線距離が長く、この配線部分のル
ープインダクタンスは非常に大きいものとなっている。
このため、高速動作時のＩＣ駆動電圧の変動も大きくな
り、ＩＣの誤動作の原因となり得る。また、電源電圧を
安定化させることも困難である。このため、電源供給の
補助として、コンデンサをプリント配線板の表面に実装
している。

【０００３】即ち、電圧変動となるループインダクタン
スは、図１８（Ａ）に示す電源からプリント配線板３０
０内の電源線を介してＩＣチップ２７０の電源端子２７
２Ｐまでの配線長、及び、ＩＣチップ２７０のアース端
子２７２Ｅから電源からプリント配線板３００内のアー
ス線を介して電源までの配線長に依存する。また、逆方
向の電流が流れる配線同志、例えば、電源線とアース線
との間隔を狭くすることでループインダクタンスを低減
できる。このため、図１８（Ｂ）に示すように、プリン
ト配線板３００にチップコンデンサ２９８を表面実装す
ることで、ＩＣチップ２７０と電源供給源となるチップ
コンデンサ２９２とを結んでいるプリント配線板３００
内の電源線とアース線との配線長を短くするとともに、
配線間隔を狭くすることで、ループインダクタンスを低
減することが行われていた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＩＣ駆
動電圧変動の原因となる電圧降下の大きさは周波数に依
存する。このため、ＩＣチップの駆動周波数の増加に伴
い、図１８（Ｂ）を参照して上述したようにチップコン
デンサを表面に実装させてもなおループインダクタンス
を低減できず、ＩＣ駆動電圧の変動を十分に抑えること
が難しくなった。

【０００５】このため、本発明者は、プリント配線板内
にチップコンデンサを収容するとの着想を持った。コン
デンサを基板に埋め込む技術としては、特開平６−３２
６４７２号、特開平７−２６３６１９号、特開平１０−
２５６４２９号、特開平１１−４５９５５号、特開平１
１−１２６９７８号、特開平１１−３１２８６８号等が
ある。

【０００６】特開平６−３２６４７２号には、ガラスエ
ポキシからなる樹脂基板に、コンデンサを埋め込む技術
が開示されている。この構成により、電源ノイズを低減
し、かつ、チップコンデンサを実装するスペースが不要
になり、絶縁性基板を小型化できる。また、特開平７−
２６３６１９号には、セラミック、アルミナなどの基板
にコンデンサを埋め込む技術が開示されている。この構
成により、電源層及び接地層の間に接続することで、配
線長を短くし、配線のインダクタンスを低減している。

【０００７】しかしながら、上述した技術は、ＩＣチッ
プからコンデンサの距離をあまり短くできず、ＩＣチッ
プの更なる高周波数領域においては、現在必要とされる
ようにインダクタンスを低減することができなかった。
特に、樹脂製の多層ビルドアップ配線板においては、セ
ラミックから成るコンデンサと、樹脂からなるコア基板
及び層間樹脂絶縁層の熱膨張率の違いから、チップコン
デンサの端子とバイアホールとの間に断線、チップコン
デンサと層間樹脂絶縁層との間で剥離、層間樹脂絶縁層
にクラックが発生し、長期に渡り高い信頼性を達成する
ことができなかった。

【０００８】本発明は、上述した課題を解決するために
なされたものであり、その目的とするところは、ループ
インダクタンスを低減できると共に高い信頼性を有する
プリント配線板、及びその製造方法を提供することにあ
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上述した問題を解決する
ため、請求項１では、コア基板に樹脂絶縁層と導体回路
とを積層してなるプリント配線板であって、前記コア基
板は、通孔部にコンデンサを収容した収容層と、前記収
容層の表面及び裏面に配設された絶縁樹脂層よりなる接
続層とからなり、前記コンデンサのメタライズからなる
電極の表面には、導電性ペーストが塗布されていること
を技術的特徴とする。

【００１０】請求項１では、プリント配線板内にコンデ
ンサを配置するため、ＩＣチップとコンデンサとの距離
が短くなり、ループインダクタンスを低減することがで
きる。また、コア基板は、少なくとも１層以上の接続層
と、コンデンサを収容する収容層からなり、厚みの厚い
収容層内にコンデンサを収容するため、コア基板が厚く
ならず、コア基板上に層間樹脂絶縁層と導体回路とを積
層してもプリント配線板を厚くすることがない。また、
コア基板の両面にバイアホールを設けてあるため、ＩＣ
チップと基板内に収容したコンデンサとを、また、外部
接続基板に配置された電源と基板内に収容したコンデン
サとを最短の距離で接続できる。このため、電源からＩ
Ｃチップへ瞬時に電圧を補うことができ、速やかにＩＣ
駆動電圧を安定させることができる。

【００１１】空隙には、樹脂を充填させることが望まし
い。コンデンサ、コア基板間の空隙をなくすことによっ
て、内蔵されたコンデンサが、挙動することが小さくな
るし、コンデンサを起点とする応力が発生したとして
も、該充填された樹脂により緩和することができる。ま
た、該樹脂には、コンデンサとコア基板との接着やマイ
グレーションの低下させるという効果も有する。

【００１２】また、コンデンサのメタライズからなる電
極の表面に導電性ペーストが塗布されているため、表面
が完全にフラットになる。このため、樹脂層にレーザで
開口を穿設した際に、電極の表面に樹脂が残ることが無
くなり、該電極とめっきによるバイアホールとの接続信
頼性を高めることができる。

【００１３】請求項２では、コンデンサの電極の導電性
ペースト上に金属層を設けてあるため、電極でのマイグ
レーションの発生を防止することができ、また、接続抵
抗を更に低減することができる。

【００１４】請求項３では、コンデンサの表面に、粗化
処理を施す。これにより、セラミックからなるチップコ
ンデンサと樹脂からなる接着層、層間樹脂絶縁層との密
着性が高くなり、ヒートサイクル試験を実施しても界面
での接着層、層間樹脂絶縁層の剥離が発生することがな
い。

【００１５】請求項４では、コンデンサの表面に、シラ
ンカップリング、樹脂被膜の塗布等の濡れ性改善処理を
施す。これにより、セラミックからなるチップコンデン
サと樹脂からなる接着層、層間樹脂絶縁層との密着性が
高くなり、ヒートサイクル試験を実施しても界面での接
着層、層間樹脂絶縁層の剥離が発生することがない。

【００１６】請求項５では、収容層は、心材に樹脂を含
浸させた樹脂基板からなるため、コア基板に十分な強度
を得ることができる。

【００１７】請求項６では、コンデンサは、収容層の通
孔に絶縁性接着剤を介して固定されているため、コンデ
ンサを適切な位置に固定することができる。

【００１８】請求項７では、プリント配線板の表面に配
設されるＩＣチップ、裏面側に配設される外部基板（ド
ータボード、マザーボード）とコンデンサの端子とは、
接続層に設けられたバイアホールを介して接続される。
即ち、コンデンサの端子とＩＣチップ、外部基板とを直
接接続するため、配線長を短縮することができる。

【００１９】請求項８では、コンデンサ間にＩＣチップ
と外部基板との接続用配線を配設し、コンデンサを信号
線が通過しないため、高誘電体によるインピーダンス不
連続による反射、及び、高誘電体通過による伝搬遅延が
発生しない。電源用のコンデンサを備えることで、ＩＣ
チップに大電力を容易に供給することが可能となる。グ
ランド用コンデンサを備えることで、プリント配線板の
信号伝搬のノイズを低減することができる。また、接続
用配線を配設することにより、コンデンサの下部にも、
配線を施すことが可能となる。そのために配線の自由度
が増して、高密度化、小型化をすることができる。

【００２０】請求項９では、基板内に収容したコンデン
サに加えて表面にコンデンサを配設してある。プリント
配線板内にコンデンサが収容してあるために、ＩＣチッ
プとコンデンサとの距離が短くなり、ループインダクタ
ンスを低減し、瞬時に電源を供給することができ、一
方、プリント配線板の表面にもコンデンサが配設してあ
るので、大容量のコンデンサを取り付けることができ、
ＩＣチップに大電力を容易に供給することが可能とな
る。

【００２１】請求項１０では、表面のコンデンサの静電
容量は、内層のコンデンサの静電容量以上であるため、
高周波領域における電源供給の不足がなく、所望のＩＣ
チップの動作が確保される。

【００２２】請求項１１では、表面のコンデンサのイン
ダクタンスは、内層のコンデンサのインダクタンス以上
であるため、高周波領域における電源供給の不足がな
く、所望のＩＣチップの動作が確保される。

【００２３】請求項１２では、外縁の内側に電極の形成
されたチップコンデンサを用いるため、バイアホールを
経て導通を取っても外部電極が大きく取れ、アライメン
トの許容範囲が広がるために、接続不良がなくなる。

【００２４】請求項１３では、マトリクス状に電極が形
成されたコンデンサを用いるので、大判のチップコンデ
ンサをコア基板に収容することが容易になる。そのた
め、静電容量を大きくできるので、電気的な問題を解決
することができる。さらに、種々の熱履歴などを経ても
プリント配線板に反りが発生し難くなる。

【００２５】請求項１４では、コンデンサに多数個取り
用のチップコンデンサを複数連結させてもよい。それに
よって、静電容量を適宜調整することができ、適切にＩ
Ｃチップを動作させることができる。

【００２６】請求項１５では、絶縁性接着剤の熱膨張率
を、収容層よりも小さく、即ち、セラミックからなるコ
ンデンサに近いように設定してある。このため、ヒート
サイクル試験において、コア基板を構成する収容層とコ
ンデンサとの間に熱膨張率差から内応力が発生しても、
コア基板にクラック、剥離等が生じ難く、高い信頼性を
達成できる。

【００２７】請求項１６のプリント配線板の製造方法
は、少なくとも以下（ａ）〜（ｄ）の工程を備えること
を技術的特徴とする： （ａ）心材に樹脂を含浸させてなる第１の樹脂材料にコ
ンデンサ収容用の通孔を形成する工程； （ｂ）前記第１の樹脂材料の通孔にメタライズ電極の上
に導電性ペーストを塗布したコンデンサを収容する工
程； （ｃ）前記第１の樹脂材料に第２の樹脂材料を貼り付
け、コア基板を形成する工程； （ｄ）前記コア基板の第２の樹脂材料に前記コンデンサ
の電極へ至る開口を設けてバイアホールを形成する工
程。

【００２８】請求項１６のプリント配線板の製造方法で
は、コア基板内にチップコンデンサを収容することが可
能となり、ループインダクタンスを低減させたプリント
配線板を提供できる。

【００２９】また、コンデンサの電極の表面に導電性ペ
ーストを塗布してあるため、表面が完全にフラットにな
る。このため、樹脂層にレーザで開口を穿設した際に、
電極の表面に樹脂が残ることが無くなり、該電極とめっ
きによるバイアホールとの接続信頼性を高めることがで
きる。

【００３０】請求項１７のプリント配線板の製造方法で
は、コンデンサ間にＩＣチップと外部基板とのスルーホ
ールを配設し、コンデンサを信号線が通過しないため、
高誘電体によるインピーダンス不連続による反射、及
び、高誘電体通過による伝搬遅延が発生しない。電源用
のコンデンサを備えることで、ＩＣチップに大電力を容
易に供給することが可能となる。

【００３１】請求項１８のプリント配線板の製造方法で
は、コンデンサを収容した第１の樹脂材料と第２の樹脂
材料とを、両面に圧力を加えて張り合わせコア基板を形
成するため、表面が平坦化され、高い信頼性を備える層
間樹脂絶縁層及び導体回路を積層することができる。

【００３２】本発明のにおいて層間樹脂絶縁層、接続層
として使用する樹脂フィルムは、酸または酸化剤に可溶
性の粒子（以下、可溶性粒子という）が酸または酸化剤
に難溶性の樹脂（以下、難溶性樹脂という）中に分散し
たものである。なお、本発明で使用する「難溶性」「可
溶性」という語は、同一の酸または酸化剤からなる溶液
に同一時間浸漬した場合に、相対的に溶解速度の早いも
のを便宜上「可溶性」と呼び、相対的に溶解速度の遅い
ものを便宜上「難溶性」と呼ぶ。

【００３３】上記可溶性粒子としては、例えば、酸また
は酸化剤に可溶性の樹脂粒子（以下、可溶性樹脂粒
子）、酸または酸化剤に可溶性の無機粒子（以下、可溶
性無機粒子）、酸または酸化剤に可溶性の金属粒子（以
下、可溶性金属粒子）等が挙げられる。これらの可溶性
粒子は、単独で用いても良いし、２種以上併用してもよ
い。

【００３４】上記可溶性粒子の形状は特に限定されず、
球状、破砕状等が挙げられる。また、上記可溶性粒子の
形状は、一様な形状であることが望ましい。均一な粗さ
の凹凸を有する粗化面を形成することができるからであ
る。

【００３５】上記可溶性粒子の平均粒径としては、０．
１〜１０μｍが望ましい。この粒径の範囲であれば、２
種類以上の異なる粒径のものを含有してもよい。すなわ
ち、平均粒径が０．１〜０．５μｍの可溶性粒子と平均
粒径が１〜３μｍの可溶性粒子とを含有する等である。
これにより、より複雑な粗化面を形成することができ、
導体回路との密着性にも優れる。なお、本発明におい
て、可溶性粒子の粒径とは、可溶性粒子の一番長い部分
の長さである。

【００３６】上記可溶性樹脂粒子としては、熱硬化性樹
脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸あるい
は酸化剤からなる溶液に浸漬した場合に、上記難溶性樹
脂よりも溶解速度が速いものであれば特に限定されな
い。上記可溶性樹脂粒子の具体例としては、例えば、エ
ポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフ
ェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等から
なるものが挙げられ、これらの樹脂の一種からなるもの
であってもよいし、２種以上の樹脂の混合物からなるも
のであってもよい。

【００３７】また、上記可溶性樹脂粒子としては、ゴム
からなる樹脂粒子を用いることもできる。上記ゴムとし
ては、例えば、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウ
レタン変性、（メタ）アクリロニトリル変性等の各種変
性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した（メ
タ）アクリロニトリル・ブタジエンゴム等が挙げられ
る。これらのゴムを使用することにより、可溶性樹脂粒
子が酸あるいは酸化剤に溶解しやすくなる。つまり、酸
を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、強酸以外の
酸でも溶解することができ、酸化剤を用いて可溶性樹脂
粒子を溶解する際には、比較的酸化力の弱い過マンガン
酸塩でも溶解することができる。また、クロム酸を用い
た場合でも、低濃度で溶解することができる。そのた
め、酸や酸化剤が樹脂表面に残留することがなく、後述
するように、粗化面形成後、塩化パラジウム等の触媒を
付与する際に、触媒が付与されなたかったり、触媒が酸
化されたりすることがない。

【００３８】上記可溶性無機粒子としては、例えば、ア
ルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合
物、マグネシウム化合物およびケイ素化合物からなる群
より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げら
れる。

【００３９】上記アルミニウム化合物としては、例え
ば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記
カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、
水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物と
しては、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグネシウム
化合物としては、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸
マグネシウム等が挙げられ、上記ケイ素化合物として
は、シリカ、ゼオライト等が挙げられる。これらは単独
で用いても良いし、２種以上併用してもよい。

【００４０】上記可溶性金属粒子としては、例えば、
銅、ニッケル、鉄、亜鉛、鉛、金、銀、アルミニウム、
マグネシウム、カルシウムおよびケイ素からなる群より
選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられ
る。また、これらの可溶性金属粒子は、絶縁性を確保す
るために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。

【００４１】上記可溶性粒子を、２種以上混合して用い
る場合、混合する２種の可溶性粒子の組み合わせとして
は、樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望ましい。両
者とも導電性が低くいため樹脂フィルムの絶縁性を確保
することができるとともに、難溶性樹脂との間で熱膨張
の調整が図りやすく、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶
縁層にクラックが発生せず、層間樹脂絶縁層と導体回路
との間で剥離が発生しないからである。

【００４２】上記難溶性樹脂としては、層間樹脂絶縁層
に酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する際に、粗化
面の形状を保持できるものであれば特に限定されず、例
えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等
が挙げられる。また、これらの樹脂に感光性を付与した
感光性樹脂であってもよい。感光性樹脂を用いることに
より、層間樹脂絶縁層に露光、現像処理を用いてバイア
ホール用開口を形成することできる。これらのなかで
は、熱硬化性樹脂を含有しているものが望ましい。それ
により、めっき液あるいは種々の加熱処理によっても粗
化面の形状を保持することができるからである。

【００４３】上記難溶性樹脂の具体例としては、例え
ば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、
ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂
等が挙げられる。これらの樹脂は単独で用いてもよい
し、２種以上を併用してもよい。さらには、１分子中
に、２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂がより
望ましい。前述の粗化面を形成することができるばかり
でなく、耐熱性等にも優れてるため、ヒートサイクル条
件下においても、金属層に応力の集中が発生せず、金属
層の剥離などが起きにくいからである。

【００４４】上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型
エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノール
ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ
樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエ
ン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基
を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、
トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂
等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種
以上を併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れる
ものとなる。

【００４５】本発明で用いる樹脂フィルムにおいて、上
記可溶性粒子は、上記難溶性樹脂中にほぼ均一に分散さ
れていることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗
化面を形成することができ、樹脂フィルムにバイアホー
ルやスルーホールを形成しても、その上に形成する導体
回路の金属層の密着性を確保することができるからであ
る。また、粗化面を形成する表層部だけに可溶性粒子を
含有する樹脂フィルムを用いてもよい。それによって、
樹脂フィルムの表層部以外は酸または酸化剤にさらされ
ることがないため、層間樹脂絶縁層を介した導体回路間
の絶縁性が確実に保たれる。

【００４６】上記樹脂フィルムにおいて、難溶性樹脂中
に分散している可溶性粒子の配合量は、樹脂フィルムに
対して、３〜４０重量％が望ましい。可溶性粒子の配合
量が３重量％未満では、所望の凹凸を有する粗化面を形
成することができない場合があり、４０重量％を超える
と、酸または酸化剤を用いて可溶性粒子を溶解した際
に、樹脂フィルムの深部まで溶解してしまい、樹脂フィ
ルムからなる層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁
性を維持できず、短絡の原因となる場合がある。

【００４７】上記樹脂フィルムは、上記可溶性粒子、上
記難溶性樹脂以外に、硬化剤、その他の成分等を含有し
ていることが望ましい。上記硬化剤としては、例えば、
イミダゾール系硬化剤、アミン系硬化剤、グアニジン系
硬化剤、これらの硬化剤のエポキシアダクトやこれらの
硬化剤をマイクロカプセル化したもの、トリフェニルホ
スフィン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェ
ニルボレート等の有機ホスフィン系化合物等が挙げられ
る。

【００４８】上記硬化剤の含有量は、樹脂フィルムに対
して０．０５〜１０重量％であることが望ましい。０．
０５重量％未満では、樹脂フィルムの硬化が不十分であ
るため、酸や酸化剤が樹脂フィルムに侵入する度合いが
大きくなり、樹脂フィルムの絶縁性が損なわれることが
ある。一方、１０重量％を超えると、過剰な硬化剤成分
が樹脂の組成を変性させることがあり、信頼性の低下を
招いたりしてしまうことがある。

【００４９】上記その他の成分としては、例えば、粗化
面の形成に影響しない無機化合物あるいは樹脂等のフィ
ラーが挙げられる。上記無機化合物としては、例えば、
シリカ、アルミナ、ドロマイト等が挙げられ、上記樹脂
としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアクリル樹
脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、メラ
ニン樹脂、オレフィン系樹脂等が挙げられる。これらの
フィラーを含有させることによって、熱膨脹係数の整合
や耐熱性、耐薬品性の向上などを図りプリント配線板の
性能を向上させることができる。

【００５０】また、上記樹脂フィルムは、溶剤を含有し
ていてもよい。上記溶剤としては、例えば、アセトン、
メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、
酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテートやトル
エン、キシレン等の芳香族炭化水素等が挙げられる。こ
れらは単独で用いてもよいし、２種類以上併用してもよ
い。

【００５１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図を参照して説明する。先ず、本発明の第１実施形態に
係るプリント配線板の構成について、図６、図７を参照
して説明する。図６は、プリント配線板１０の断面を示
し、図７は、図６に示すプリント配線板１０にＩＣチッ
プ９０を搭載し、ドータボード９４側へ取り付けた状態
を示している。

【００５２】図６に示すように、プリント配線板１０
は、チップコンデンサ２０と、チップコンデンサ２０を
収容するコア基板３０と、ビルドアップ配線層８０Ａ、
８０Ｂを構成する層間樹脂絶縁層６０とからなる。コア
基板３０は、コンデンサ２０を収容する収容層３１と接
続層４０とからなる。接続層４０には、バイアホール４
６及び導体回路４８が形成され、層間樹脂絶縁層６０に
は、バイアホール６６及び導体回路６８が形成されてい
る。本実施形態では、ビルドアップ層が１層の層間樹脂
絶縁層６０からなるが、ビルドアップ層は、複数の層間
樹脂絶縁層からなることができる。

【００５３】チップコンデンサ２０は、図１４（Ａ）に
示すように第１電極２１と第２電極２２と、第１、第２
電極に挟まれた誘電体２３とから成り、誘電体２３に
は、第１電極２１側に接続された第１導電膜２４と、第
２電極２２側に接続された第２導電膜２５とが複数枚対
向配置されている。第１電極２１と第２電極２２の表面
には、導電性ペースト２６を被覆させてある。

【００５４】ここで、第１電極２１及び第２電極２２
は、Ｎｉ、Ｐｂ、又はＡｇ金属のメタライズからなる。
導電性ペースト２６は、Ｃｕ、Ｎｉ又はＡｇ等の金属粒
子を含むペーストからなる。ここで、金属粒子の粒径
は、０．１〜１０μｍが望ましく、特に、１〜５μｍが
最適である。導電性ペーストとしては、金属粒子に、エ
ポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリフェニレンスルフ
ィド（ＰＰＳ）樹脂を加えた有機系導電性ペーストが望
ましい。この導電性ペースト２６の厚みは、１〜３０μ
ｍが望ましい。１μｍ未満では、電極表面の凹凸を無く
すことができず、一方、３０μｍを越えても、特に効果
が向上しないからである。ここで、５〜２０μｍの厚み
が最も望ましい。なお、２種類以上の径の異なる粒子を
配合したペーストを用いることもでき、更に、２種類以
上の径の異なる金属ペーストを被覆することも可能であ
る。

【００５５】チップコンデンサの電極２１，２２は、メ
タライズからなり表面に凹凸がある。このため、金属層
を剥き出した状態で用いると、層間樹脂絶縁層４０にレ
ーザで非貫通孔４３を穿設する工程において、該凹凸に
樹脂が残ることがある。この際には、当該樹脂残さによ
り第１、第２電極２１，２２とバイアホール４６との接
続不良が発生する。本実施形態においては、導電性ペー
スト２６によって第１、第２電極２１，２２の表面が平
滑になり、電極上に被覆された非貫通孔４３を穿設した
際に、樹脂残さが残らず、バイアホール４６を形成した
際の電極２１，２２との接続信頼性を高めることができ
る。

【００５６】更に、チップコンデンサ２０のセラミック
から成る誘電体２３の表面には粗化層２３ａが設けられ
ている。このため、セラミックから成るチップコンデン
サ２０と層間樹脂絶縁層４０との密着性が高く、ヒート
サイクル試験を実施しても界面での層間樹脂絶縁層４０
の剥離が発生することがない。この粗化層２３ａは、焼
成後に、チップコンデンサ２０の表面を研磨することに
より、また、焼成前に、粗化処理を施すことにより形成
できる。

【００５７】図７に示すように上側のビルドアップ層８
０Ａのバイアホール６６には、ＩＣチップ９０のパッド
９２Ｓ１、９２Ｓ２、９２Ｐ１，９２Ｐ２へ接続するた
めのバンプ７６が形成されている。一方、下側のビルド
アップ層８０Ｂのバイアホール６６には、ドータボード
９４のパッド９６Ｓ１、９６Ｓ２、９６Ｐ１、９６Ｐ２
へ接続するためのバンプ７６が配設されている。コア基
板３０にはスルーホール３６が形成されている。

【００５８】ＩＣチップ９０の信号用のパッド９２Ｓ２
は、バンプ７６−導体回路６８−バイアホール６６−ス
ルーホール３６−バイアホール６６−バンプ７６を介し
て、ドータボード９４の信号用のパッド９６Ｓ２に接続
されている。一方、ＩＣチップ９０の信号用のパッド９
２Ｓ１は、バンプ７６−バイアホール６６−スルーホー
ル３６−バイアホール６６−バンプ７６を介して、ドー
タボード９４の信号用のパッド９６Ｓ１に接続されてい
る。

【００５９】ＩＣチップ９０の電源用パッド９２Ｐ１
は、バンプ７６−バイアホール６６−導体回路４８−バ
イアホール４６を介してチップコンデンサ２０の第１電
極２１へ接続されている。一方、ドータボード９４の電
源用パッド９６Ｐ１は、バンプ７６−バイアホール６６
−導体回路４８−バイアホール４６を介してチップコン
デンサ２０の第１電極２１へ接続されている。

【００６０】ＩＣチップ９０の電源用パッド９２Ｐ２
は、バンプ７６−バイアホール６６−導体回路４８−バ
イアホール４６を介してチップコンデンサ２０の第２電
極２２へ接続されている。一方、ドータボード９４の電
源用パッド９６Ｐ２は、バンプ７６−バイアホール６６
−導体回路４８−バイアホール４６を介してチップコン
デンサ２０の第２電極２２へ接続されている。

【００６１】本実施形態のプリント配線板１０では、Ｉ
Ｃチップ９０の直下にチップコンデンサ２０を配置する
ため、ＩＣチップとコンデンサとの距離が短くなり、電
力を瞬時的にＩＣチップ側へ供給することが可能にな
る。即ち、ループインダクタンスを決定するループ長さ
を短縮することができる。

【００６２】更に、チップコンデンサ２０とチップコン
デンサ２０との間にスルーホール３６を設け、チップコ
ンデンサ２０を信号線が通過しない。このため、コンデ
ンサを通過させた際に発生する高誘電体によるインピー
ダンス不連続による反射、及び、高誘電体通過による伝
搬遅延を防ぐことができる。

【００６３】また、プリント配線板の裏面側に接続され
る外部基板（ドータボード）９４とコンデンサ２０の第
１端子２１，第２端子２２とは、ＩＣチップ側の接続層
４０に設けられたバイアホール４６及びドータボード側
の接続層４０に設けられたバイアホール４６を介して接
続される。即ち、コンデンサ２０の端子２１，２２とＩ
Ｃチップ９０、ドータボード９４とを直接接続するた
め、配線長を短縮することができる。

【００６４】更に、本実施形態では、図６に示すように
コア基板３０の通孔３７の側面とチップコンデンサ２０
との間接着剤３２を介在させてある。ここで、接着剤３
２の熱膨張率を、コア基板３０及び接着層４０よりも小
さく、即ち、セラミックからなるチップコンデンサ２０
に近いように設定してある。このため、ヒートサイクル
試験において、コア基板及び接着層４０とチップコンデ
ンサ２０との間に熱膨張率差から内応力が発生しても、
コア基板及び接着層４０にクラック、剥離等が生じ難
く、高い信頼性を達成できる。また、マイグレーション
の発生を防止することもできる。

【００６５】引き続き、図６を参照して上述したプリン
ト配線板の製造方法について、図１〜図５を参照して説
明する。先ず、ガラスクロス等の心材にエポキシ樹脂を
含浸させたプリプレグを積層してなる積層板（収容層）
３１αにチップコンデンサ収容用の通孔３７を形成する
（図１（Ａ））。ここで、プリプレグとして、エポキシ
以外でも、ＢＴ、フェノール樹脂あるいはガラスクロス
などの強化材を含有しているもの等、一般的にプリント
配線板で使用されるものを用い得る。なお、ガラスクロ
スなどの心材を有しない樹脂基板を用いることもでき
る。しかし、コア基板をセラミックやＡＩＮなどの基板
を用いることはできなかった。該基板は外形加工性が悪
く、コンデンサを収容することができないことがあり、
樹脂で充填させても空隙が生じてしまうためである。

【００６６】次に、収容層３１αの通孔３７内に図１４
（Ａ）を参照して上述したチップコンデンサ２０を収容
させる（図１（Ｂ））。ここで、該通孔３７とチップコ
ンデンサ２０との間に接着剤３２を介在させることが好
適である。接着剤３２は、熱膨張率がコア基板及び接着
層よりも小さいものが望ましい。

【００６７】次に、樹脂フィルム４０α、上記チップコ
ンデンサ２０を収容する収容層３１α、更に、樹脂フィ
ルム４０αを積層させる（図１（Ｃ））。この樹脂フィ
ルム４０αとしては、エポキシ、ＢＴ、ポリイミド、オ
レフィン等の熱硬化性樹脂、又は、熱硬化性樹脂と熱可
塑性樹脂との混合物を用いることができる。ここでは、
通孔の形成が容易なように心材を備えないフィルムが望
ましい。また、樹脂フィルム４０αには、金属層のない
ものを用いて積層させているが、片面に金属層を配設し
た樹脂フィルム（ＲＣＣ）を用いてもよい。即ち、両面
板、片面板、金属膜を有しない樹脂板、樹脂フィルムを
用いることができる。なお、チップコンデンサ２０の上
下面に樹脂充填剤３２ａを充填して、気密性を高めるこ
とが好適である。なお、本願に用いられる樹脂や層間樹
脂絶縁層は融点が３００℃以下であるため、３５０℃を
越える温度を加えると、溶解、軟化もくしは炭化してし
まう。

【００６８】そして、積層した収容層３１α及び樹脂フ
ィルム４０αを両面からプレスして表面を平坦にする。
その後、加熱して硬化させることで、チップコンデンサ
２０を収容する収容層３１及び接続層４０からなるコア
基板３０を完成する（図２（Ａ））。本実施形態では、
コンデンサ２０を収容した収容層３１と接続層４０と
を、両面に圧力を加えて張り合わせコア基板３０を形成
するため、表面が平坦化される。これにより、後述する
工程で、高い信頼性を備えるように層間樹脂絶縁層６０
及び導体回路６８を積層することができる。

【００６９】次に、ＣＯ₂レーザ、ＹＡＧレーザ、エキ
シマレーザあるいはＵＶレーザにより上面側の接続層４
０にバイアホールとなる非貫通孔４３を穿設する（図２
（Ｂ））。場合によっては、非貫通孔の位置に対応させ
て通孔の穿設されたエリアマスクを載置してレーザでエ
リア加工を行ってもよい。更に、バイアホールの大きさ
や径が異なる物を形成する場合には、混合のレーザによ
って形成させてもよい。この際に、導電性ペースト２６
によりチップコンデンサ２０の電極２１，２２の表面が
平滑であるため、樹脂が電極上に残ることがない。

【００７０】また、必要に応じて、バイアホール内のス
ミアを酸素、窒素などの気体プラズマ処理、コロナ処理
などのドライ処理によって、あるいは、過マンガン酸な
どの酸化剤による浸積による処理によって行ってもよ
い。引き続き、接続層４０、収容層３１及び接続層４０
からなるコア基板３０に対して、ドリル、又は、レーザ
でスルーホール用の通孔３３を５０〜５００μｍで穿設
する（図２（Ｃ））。

【００７１】コア基板３０の接続層４０の表層、バイア
ホール用非貫通孔４３及びスルーホール用貫通孔３３内
に金属膜を形成させる。このために、接続層４０の表面
にパラジウム触媒を付与してから、無電解めっき液にコ
ア基板３０を浸漬し、均一に無電解銅めっき膜４４を析
出させる（図３（Ａ））。ここでは、無電解めっきを用
いているが、スパッタにより、銅、ニッケル等の金属層
を形成することも可能である。スパッタはコスト的には
不利であるが、樹脂層との密着性を改善できる利点があ
る。また、場合によってはスパッタで形成した後に、無
電解めっき膜を形成させてもよい。樹脂によっては、触
媒付与が安定しないものには有効であるし、無電解めっ
き膜と形成させた方が電解めっきの析出性が安定するか
らである。金属膜４４は、０．１〜３mmの範囲で形成す
ることが望ましい。この際に、チップコンデンサ２０の
電極２１，２２の表面に樹脂が残っていないため、電極
２１，２２に適正に無電解銅めっき膜４４を形成するこ
とができる。

【００７２】その後、金属膜４４の表面に感光性ドライ
フィルムを張り付け、マスクを載置して、露光・現像処
理し、所定パターンのレジスト５１を形成する。そし
て、電解めっき液にコア基板３０を浸漬し、無電解めっ
き膜４４を介して電流を流し電解銅めっき膜４５を析出
させる（図３（Ｂ））。レジスト５１を５％のKOH で剥
離した後、レジスト５１下の無電解めっき膜４４を硫酸
と過酸化水素混合液でエッチングして除去し、接続層４
０にバイアホール４６及び導体回路４８を、一方、コア
基板３０の通孔３３にスルーホール３６を形成する（図
３（Ｃ））。

【００７３】導体回路４８、バイアホール４６及びスル
ーホール３６の導体層の表面に粗化層を設ける。酸化
（黒化）−還元処理、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐからなる合金など
の無電解めっき膜、あるいは、第二銅錯体と有機酸塩か
らなるエッチング液などのエッチング処理によって粗化
層を施す。粗化層はＲａ（平均粗度高さ）＝０．０１〜
５μｍである。特に望ましいのは、０．５〜３μｍの範
囲である。なお、ここでは粗化層を形成しているが、粗
化層を形成せず後述するように直接樹脂を充填、樹脂フ
ィルムを貼り付けることも可能である。

【００７４】引き続き、スルーホール３６内に樹脂層３
８を充填させる。樹脂層としては、エポキシ樹脂等の樹
脂を主成分として導電性のない樹脂、銅などの金属ペー
ストを含有させた導電性樹脂のどちらでもよい。この場
合は、熱硬化性エポキシ樹脂に、シリカなどの熱膨張率
を整合させるために含有させたものを樹脂充填材として
充填させる。スルーホール３６への樹脂３８の充填後、
樹脂フィルム６０αを貼り付ける（図４（Ａ））。な
お、樹脂フィルムを貼り付ける代わりに、樹脂を塗布す
ることも可能である。樹脂フィルム６０αを貼り付けた
後、フォト、レーザにより、絶縁層６０αに開口径２０
〜２５０μｍであるバイアホール６３を形成してから熱
硬化させる（図４（Ｂ））。その後、コア基板に触媒付
与し、無電解めっきへ浸積して、層間樹脂絶縁層６０の
表面に均一に厚さ０．９μｍの無電解めっき膜６４を析
出させ、その後、所定のパターンをレジスト７０で形成
させる（図４（Ｃ））。

【００７５】電解めっき液に浸漬し、無電解めっき膜６
４を介して電流を流してレジスト７０の非形成部に電解
銅めっき膜６５を形成する（図５（Ａ））。レジスト７
０を剥離除去した後、めっきレジスト下の無電解めっき
膜６４を溶解除去し、無電解めっき膜６４及び電解銅め
っき膜６５からなるの導体回路６８及びバイアホール６
６を得る（図５（Ｂ））。

【００７６】第２銅錯体と有機酸とを含有するエッチン
グ液により、導体回路６８及びバイアホール６６の表面
に粗化面（図示せず）を形成し、さらにその表面にSn置
換を行う。

【００７７】上述したプリント配線板にはんだバンプを
形成する。基板の両面に、ソルダーレジスト組成物を塗
布し、乾燥処理を行った後、円パターン（マスクパター
ン）が描画されたフォトマスクフィルム（図示せず）を
密着させて載置し、紫外線で露光し、現像処理する。そ
してさらに、加熱処理し、はんだパッド部分（バイアホ
ールとそのランド部分を含む）の開口部７２ａを有する
ソルダーレジスト層（厚み20μｍ）７２を形成する（図
５（Ｃ））。

【００７８】そして、ソルダーレジスト層７２の開口部
７２ａに、半田ペーストを充填する（図示せず）。その
後、開口部７２ａに充填された半田を 200℃でリフロー
することにより、半田バンプ（半田体）７６を形成する
（図６参照）。なお、耐食性を向上させるため、開口部
７２ａにＮｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄなどの金属層をめっ
き、スパッタにより形成することも可能である。

【００７９】次に、該プリント配線板へのＩＣチップの
載置及び、ドータボードへの取り付けについて、図７を
参照して説明する。完成したプリント配線板１０の半田
バンプ７６にＩＣチップ９０の半田パッド９２Ｓ１、９
２Ｓ２、９２Ｐ１、９２Ｐ２が対応するように、ＩＣチ
ップ９０を載置し、リフローを行うことで、ＩＣチップ
９０の取り付けを行う。同様に、プリント配線板１０の
半田バンプ７６にドータボード９４のパッド９６Ｓ１、
９６Ｓ２、９６Ｐ１、９６Ｐ２をリフローすることで、
ドータボード９４へプリント配線板１０を取り付ける。

【００８０】図８は、第１実施形態のプリント配線板の
第１改変例を示している。図８中に示す第１改変例のよ
うにチップコンデンサ２０の第１電極２１，第２電極２
２とバイアホール４６とを接着材料３４を介して接続す
ることもできる。導電性接着材３４は、半田（Ｓｎ／Ｐ
ｂ、Ｓｎ／Ｓｂ、Ｓｎ／Ａｇ）、導電性ペースト、ある
いは樹脂に金属粒子が含浸されたもの等の導電性と接着
性を兼ね備えるものを用いることができる。

【００８１】図１４（Ｂ）に第１実施形態の第１改変例
に係るチップコンデンサ２０の断面を示す。第１実施形
態では、コンデンサの表面に粗化処理を施し、樹脂との
密着性を高めたが、第１改変例では、この代わりに、ポ
リイミド膜２３ｂを形成しておくことで、表面濡れ性を
改善してある。ポリイミド膜の代わりに、コンデンサの
表面にシランカップリング処理を施すことも可能であ
る。

【００８２】また、第１改変例では、導電性ペースト２
６の上に、無電解銅めっき膜２８ａ及び電解銅めっき膜
２８ｂからなる複合金属膜２８を形成されている。複合
金属膜２８の厚みは、０．１〜１０μｍが望ましく、１
〜５μｍが最適である。複合金属膜の代わりに、１層の
金属膜を形成することも可能である。

【００８３】第１改変例では、コンデンサ２０の電極２
１，２２の導電性ペースト２６上に金属層２８を設けて
あるため、電極２１、２２でのマイグレーションの発生
を防止することができ、また、接続抵抗を更に低減する
ことができる。メタライズからなる電極２１、２２は、
表面に凹凸があるが、導電性ペースト２６を塗布し、更
に、金属層２８を設けることで凹凸を完全に無くすこと
ができ、バイアホール４６との密着性を高め、接続抵抗
を下げることができる。

【００８４】引き続き、本発明の第１実施形態の第２改
変例に係るプリント配線板について、図９を参照して説
明する。第２改変例のプリント配線板は、上述した第１
実施形態とほぼ同様である。但し、この第２改変例のプ
リント配線板では、導電性ピン８４が配設され、該導電
性ピン８４を介してドータボードとの接続を取るように
形成されている。なお、電極には、第１実施形態と同様
に導電性ペースト、あるいは、第１実施形態の第１改変
例と同様に導電性ペースト及び複合金属層が形成されて
いる。

【００８５】また、上述した第１実施形態では、コア基
板３０に収容されるチップコンデンサ２０のみを備えて
いたが、第２改変例では、表面及び裏面に大容量のチッ
プコンデンサ８６が実装されている。

【００８６】ＩＣチップは、瞬時的に大電力を消費して
複雑な演算処理を行う。ここで、ＩＣチップ側に大電力
を供給するために、改変例では、プリント配線板に電源
用のチップコンデンサ２０及びチップコンデンサ８６を
備えてある。このチップコンデンサによる効果につい
て、図１３を参照して説明する。

【００８７】図１３は、縦軸にＩＣチップへ供給される
電圧を、横軸に時間を取ってある。ここで、二点鎖線Ｃ
は、電源用コンデンサを備えないプリント配線板の電圧
変動を示している。電源用コンデンサを備えない場合に
は、大きく電圧が減衰する。破線Ａは、表面にチップコ
ンデンサを実装したプリント配線板の電圧変動を示して
いる。上記二点鎖線Ｃと比較して電圧は大きく落ち込ま
ないが、ループ長さが長くなるので、律速の電源供給が
十分に行えていない。即ち、電力の供給開始時に電圧が
降下している。また、二点鎖線Ｂは、図６を参照して上
述したチップコンデンサを内蔵するプリント配線板の電
圧降下を示している。ループ長さは短縮できているが、
コア基板３０に容量の大きなチップコンデンサを収容す
ることができないため、電圧が変動している。ここで、
実線Ｅは、図８を参照して上述したコア基板内のチップ
コンデンサ２０を、また表面に大容量のチップコンデン
サ８６を実装する改変例のプリント配線板の電圧変動を
示している。ＩＣチップの近傍にチップコンデンサ２０
を、また、大容量（及び相対的に大きなインダクタン
ス）のチップコンデンサ８６を備えることで、電圧変動
を最小に押さえている。

【００８８】本発明の第３改変例に係るプリント配線板
について、図１０を参照して説明する。第３改変例のプ
リント配線板１０は、上述した第１実施形態とほぼ同様
である。但し、この第３改変例のプリント配線板では、
チップコンデンサ２０の第１電極２１，第２電極２２上
にフィルドビア４６が形成され、フィルドビア６６を介
してＩＣチップ９０のパッド９２と接続されている。な
お、電極には、第１実施形態と同様に導電性ペースト、
あるいは、第１実施形態の第１改変例と同様に導電性ペ
ースト及び複合金属層が形成されている。

【００８９】本発明の第１実施形態の第４改変例に係る
プリント配線板について、図１１を参照して説明する。
第４改変例のプリント配線板１０は、上述した第１実施
形態とほぼ同様である。但し、この改変例のプリント配
線板では、チップコンデンサ２０の第１電極２１，第２
電極２２にフィルドビア４６が形成され、該フィルドビ
ア４６の直上に形成されたフィルドビア６６を介してＩ
Ｃチップ９０のパッド９２Ｐ１、９２Ｐ２と接続されて
いる。この第４改変例では、ＩＣチップとチップコンデ
ンサとの距離を最短にすることができる。なお、電極に
は、第１実施形態と同様に導電性ペースト、あるいは、
第１実施形態の第１改変例と同様に導電性ペースト及び
複合金属層が形成されている。

【００９０】第５改変例に係るプリント配線板につい
て、図１２を参照して説明する。第５改変例のプリント
配線板１０は、上述した第１実施形態とほぼ同様であ
る。但し、この改変例のプリント配線板では、チップコ
ンデンサ２０の第１電極２１，第１電極２２を介して、
ＩＣチップ９０側のパッド９２とドータボード９４側の
パッド９６とが接続されている。即ち、ＩＣチップとド
ータボードとの電源用、アース用のスルーホールが省か
れている。この第５改変例では、第１実施形態と比べて
配線密度を高めることができる。なお、電極には、第１
実施形態と同様に導電性ペースト、あるいは、第１実施
形態の第１改変例と同様に導電性ペースト及び複合金属
層が形成されている。

【００９１】引き続き、本発明の第２実施形態に係るプ
リント配線板の構成について図１５を参照して説明す
る。この第２実施形態のプリント配線板の構成は、上述
した第１実施形態とほぼ同様である。但し、コア基板３
０への収容されるチップコンデンサ２０が異なる。図１
５は、チップコンデンサの平面図を示している。図１５
（Ａ）は、多数個取り用の裁断前のチップコンデンサを
示し、図中で一点鎖線は、裁断線を示している。上述し
た第１実施形態のプリント配線板では、図１５（Ｂ）に
平面図を示すようにチップコンデンサの側縁に第１電極
２１及び第２電極２２を配設してある。図１５（Ｃ）
は、第２実施形態の多数個取り用の裁断前のチップコン
デンサを示し、図中で一点鎖線は、裁断線を示してい
る。第２実施形態のプリント配線板では、図１５（Ｄ）
に平面図を示すようにチップコンデンサの側縁の内側に
第１電極２１及び第２電極２２を配設してある。なお、
電極には、第１実施形態と同様に導電性ペースト、ある
いは、第１実施形態の第１改変例と同様に導電性ペース
ト及び複合金属層が形成されている。

【００９２】この第２実施形態のプリント配線板では、
外縁の内側に電極の形成されたチップコンデンサ２０を
用いるため、容量の大きなチップコンデンサを用いるこ
とができる。

【００９３】引き続き、第２実施形態の第１改変例に係
るプリント配線板について図１６を参照して説明する。
図１６は、第１改変例に係るプリント配線板のコア基板
に収容されるチップコンデンサ２０の平面図を示してい
る。上述した第１実施形態では、複数個の小容量のチッ
プコンデンサをコア基板に収容したが、第１改変例で
は、大容量の大判のチップコンデンサ２０をコア基板に
収容してある。ここで、チップコンデンサ２０は、第１
電極２１と第２電極２２と、誘電体２３と、第１電極２
１へ接続された第１導電膜２４と、第２電極２２側に接
続された第２導電膜２５と、第１導電膜２４及び第２導
電膜２５へ接続されていないチップコンデンサの上下面
の接続用の電極２７とから成る。この電極２７を介して
ＩＣチップ側とドータボード側とが接続されている。な
お、電極には、第１実施形態と同様に導電性ペースト、
あるいは、第１実施形態の第１改変例と同様に導電性ペ
ースト及び複合金属層が形成されている。

【００９４】この第１改変例のプリント配線板では、大
判のチップコンデンサ２０を用いるため、容量の大きな
チップコンデンサを用いることができる。また、大判の
チップコンデンサ２０を用いるため、ヒートサイクルを
繰り返してもプリント配線板に反りが発生することがな
い。

【００９５】図１７を参照して第２改変例に係るプリン
ト配線板について説明する。図１７（Ａ）は、多数個取
り用の裁断前のチップコンデンサを示し、図中で一点鎖
線は、通常の裁断線を示し、図１７（Ｂ）は、チップコ
ンデンサの平面図を示している。図１７（Ｂ）に示すよ
うに、この第２改変例では、多数個取り用のチップコン
デンサを複数個（図中の例では３枚）連結させて大判で
用いている。なお、電極には、第１実施形態と同様に導
電性ペースト、あるいは、第１実施形態の第１改変例と
同様に導電性ペースト及び複合金属層が形成されてい
る。

【００９６】この第２改変例では、大判のチップコンデ
ンサ２０を用いるため、容量の大きなチップコンデンサ
を用いることができる。また、大判のチップコンデンサ
２０を用いるため、ヒートサイクルを繰り返してもプリ
ント配線板に反りが発生することがない。

【００９７】上述した実施形態では、チップコンデンサ
をプリント配線板に内蔵させたが、チップコンデンサの
代わりに、セラミック板に導電体膜を設けてなる板状の
コンデンサを用いることも可能である。

【００９８】ここで、第１実施形態のプリント配線板に
ついて、コア基板内に埋め込んだチップコンデンサ２０
のインダクタンスと、プリント配線板の裏面（ドータボ
ード側の面）に実装したチップコンデンサのインダクタ
ンスとを測定した値を示す。 コンデンサ単体の場合 埋め込み形 １３７pH 裏面実装形 ２８７pH <BR> コンデンサを８個並列に接続した場合 埋め込み形 ６０pH 裏面実装形 ７２pH 以上のように、コンデンサを単体で用いても、容量を増
大させるため並列に接続した場合にも、チップコンデン
サを内蔵することでインダクタンスを低減できる。

【００９９】次に、信頼性試験を行った結果について説
明する。ここでは、第１実施形態のプリント配線板にお
いて、１個のチップコンデンサの静電容量の変化率を測
定した。 静電容量変化率 （測定周波数100Hz） （測定周波数1kHz） Steam 168時間: 0.3% 0.4% HAST 100時間: −0.9% −0.9% TS 1000cycles: 1.1% 1.3%

【０１００】Steam試験は、蒸気に当て湿度１００％に
保った。また、ＨＡＳＴ試験では、相対湿度１００％、
印加電圧１．３Ｖ、温度１２１℃で１００時間放置し
た。ＴＳ試験では、−１２５℃で３０分、５５℃で３０
分放置する試験を１０００回線り返した。

【０１０１】上記信頼性試験において、チップコンデン
サを内蔵するプリント配線板においても、既存のコンデ
ンサ表面実装形と同等の信頼性が達成できていることが
分かった。また、上述したように、ＴＳ試験において、
セラミックから成るコンデンサと、樹脂からなるコア基
板及び層間樹脂絶縁層の熱膨張率の違いから、内部応力
が発生しても、チップコンデンサの端子とバイアホール
との間に断線、チップコンデンサと層間樹脂絶縁層との
間で剥離、層間樹脂絶縁層にクラックが発生せず、長期
に渡り高い信頼性を達成できることが判明した。

【０１０２】

【発明の効果】本願発明の構造により、インダクタンス
を起因とする電気特性の低下することはない。コンデン
サの下部からも接続することが可能となるので、ループ
インダクタンスの距離を短くし、配設する自由度を増す
構造であるといえる。また、コンデンサの電極の表面に
導電性ペーストを塗布してあるため、表面が完全にフラ
ットになる。このため、樹脂層にレーザで開口を穿設し
た際に、電極の表面に樹脂が残ることが無くなり、該電
極とめっきによるバイアホールとの接続性を高めること
ができる。更に、コア基板とコンデンサの間に樹脂が充
填されているので、コンデンサなどが起因する応力が発
生しても緩和されるし、マイグレーションの発生がな
い。そのために、コンデンサの電極とバイアホールの接
続部への剥離や溶解などの影響がない。そのために、信
頼性試験を実施しても所望の性能を保つことができるの
である。また、コンデンサを銅によって被覆されている
場合にも、マイグレーションの発生を防止することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、本発明の第１実施
形態に係るプリント配線板の製造工程図である。

【図２】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、本発明の第１実施
形態に係るプリント配線板の製造工程図である。

【図３】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、本発明の第１実施
形態に係るプリント配線板の製造工程図である。

【図４】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、本発明の第１実施
形態に係るプリント配線板の製造工程図である。

【図５】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、本発明の第１実施
形態に係るプリント配線板の製造工程図である。

【図６】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の
断面図である。

【図７】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の
断面図である。

【図８】本発明の第１実施形態の第１改変例に係るプリ
ント配線板の断面図である。

【図９】本発明の第１実施形態の第２改変例に係るプリ
ント配線板の断面図である。

【図１０】本発明の第１実施形態の第３改変例に係るプ
リント配線板の断面図である。

【図１１】本発明の第１実施形態の第４改変例に係るプ
リント配線板の断面図である。

【図１２】本発明の第１実施形態の第５改変例に係るプ
リント配線板の断面図である。

【図１３】ＩＣチップへの供給電力と時間との変化を示
すグラフである。

【図１４】（Ａ）は、第１実施形態のチップコンデンサ
の断面図であり、（Ｂ）は、第１実施形態の第１改変例
のチップコンデンサの断面図である。

【図１５】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、第２実
施形態のプリント配線板のチップコンデンサの平面図で
ある。

【図１６】第２実施形態の第１改変例に係るプリント配
線板のチップコンデンサの平面図である。

【図１７】（Ａ）、（Ｂ）は、第２実施形態の第２改変
例に係るプリント配線板のチップコンデンサの平面図で
ある。

【図１８】（Ａ）及び（Ｂ）は、従来技術に係るプリン
ト配線板のループインダクタンスの説明図である。

【符号の説明】 １０ プリント配線板 ２０ チップコンデンサ ２１ 第１電極 ２２ 第２電極 ２３ 誘電体 ２３ａ 粗化面 ２３ｂ ポイリミド膜 ２６ 導電性ペースト ２８ａ 無電解銅めっき膜 ２８ｂ 電解銅めっき膜 ２８ 複合金属膜 ３０ コア基板 ３１ 収容層 ３４ 導電性接着剤 ３６ スルーホール ３７ 通孔 ４０ 接続層 ４３ 非貫通孔 ４６ バイアホール ４８ 導体回路 ６０ 層間樹脂絶縁層 ６６ バイアホール ６８ 導体回路 ８４ 導電性ピン ９０ ＩＣチップ ９４ ドータボード

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｈ０１Ｇ 4/38 Ａ Ｈ０５Ｋ 1/18 Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｂ Ｎ Ｆターム(参考） 5E082 AA01 CC01 DD15 EE23 5E336 AA04 AA07 BB03 BB15 BC02 BC26 CC32 CC36 CC43 CC53 CC55 CC58 EE07 EE08 GG09 GG11 GG16 5E346 AA02 AA06 AA12 AA15 AA32 AA43 AA51 BB16 BB20 CC04 CC09 CC32 CC42 DD02 DD03 DD25 DD33 DD34 EE06 EE18 EE31 EE32 EE33 EE38 FF04 FF07 FF15 FF18 FF45 GG15 GG17 GG18 GG19 GG27 GG28 HH02 HH11

Claims (18)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 コア基板に樹脂絶縁層と導体回路とを積
   層してなるプリント配線板であって、 前記コア基板は、通孔部にコンデンサを収容した収容層
   と、前記収容層の表面及び裏面に配設された絶縁樹脂層
   よりなる接続層とからなり、 前記コンデンサのメタライズからなる電極の表面には、
   導電性ペーストが塗布されていることを特徴とするプリ
   ント配線板。
2. 【請求項２】 前記コンデンサの電極の導電性ペースト
   上に金属層を設けたことを特徴とする請求項１に記載の
   プリント配線板。
3. 【請求項３】 前記コンデンサの表面に、粗化処理を施
   したことを特徴とする請求項１又は請求項２のいずれか
   １に記載のプリント配線板。
4. 【請求項４】 前記コンデンサの表面に、表面の濡れ性
   改善処理を施したことを特徴とする請求項１又は請求項
   ２のいずれか１に記載のプリント配線板。
5. 【請求項５】 前記収容層は、心材に樹脂を含浸させた
   樹脂基板からなり、前記接続層は心材を有しない樹脂基
   板からなることを特徴とする請求項１に記載のプリント
   配線板。
6. 【請求項６】 前記コンデンサは、前記収容層の通孔に
   絶縁性接着剤を介して固定されていることを特徴とする
   請求項１〜請求項５の内の１に記載のプリント配線板。
7. 【請求項７】 前記収容層の表面及び裏面に配設された
   接続層には、それぞれＩＣチップ、外部基板に接続する
   ためのバイアホールが配設されていることを特徴とする
   請求項１〜請求項６の内の１に記載のプリント配線板。
8. 【請求項８】 前記コンデンサを複数個収容し、コンデ
   ンサ間にＩＣチップと外部基板との接続用配線を配設し
   たことを特徴とする請求項１〜請求項７の内１に記載の
   プリント配線板。
9. 【請求項９】 前記プリント配線板の表面にコンデンサ
   を実装したことを特徴とする請求項１〜請求項８の内１
   に記載のプリント配線板。
10. 【請求項１０】 前記表面のチップコンデンサの静電容
    量は、内層のチップコンデンサの静電容量以上であるこ
    とを特徴とする請求項９に記載のプリント配線板。
11. 【請求項１１】 前記表面のチップコンデンサのインダ
    クタンスは、内層のチップコンデンサのインダクタンス
    以上であることを特徴とする請求項９に記載のプリント
    配線板。
12. 【請求項１２】 前記コンデンサとして、外縁の内側に
    電極が形成されたチップコンデンサを用いたことを特徴
    とする請求項１〜請求項１１の内１に記載のプリント配
    線板。
13. 【請求項１３】 前記コンデンサとして、マトリクス状
    に電極を形成されたチップコンデンサを用いたことを特
    徴とする請求項１〜請求項１２の内１に記載のプリント
    配線板。
14. 【請求項１４】 前記コンデンサとして、多数個取り用
    のチップコンデンサを複数個連結させて用いたことを特
    徴とする請求項１〜請求項１３の内１に記載のプリント
    配線板。
15. 【請求項１５】 前記絶縁性接着剤は、前記収容層より
    も熱膨張率が小さいことを特徴とする請求項６に記載の
    プリント配線板。
16. 【請求項１６】 少なくとも以下（ａ）〜（ｄ）の工程
    を備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法： （ａ）心材に樹脂を含浸させてなる第１の樹脂材料にコ
    ンデンサ収容用の通孔を形成する工程； （ｂ）前記第１の樹脂材料の通孔にメタライズ電極の上
    に導電性ペーストを塗布したコンデンサを収容する工
    程； （ｃ）前記第１の樹脂材料に第２の樹脂材料を貼り付
    け、コア基板を形成する工程； （ｄ）前記コア基板の第２の樹脂材料に前記コンデンサ
    の電極へ至る開口を設けてバイアホールを形成する工
    程。
17. 【請求項１７】 前記（ｄ）工程の前あるいは後に、前
    記コア基板に、通孔を穿設してスルーホールとする工程
    を経ることを特徴とする請求項１６に記載のプリント配
    線板の製造方法。
18. 【請求項１８】 前記（ｃ）工程の貼り付けの際、基板
    の両面から圧力をかけることを特徴とする請求項１６又
    は請求項１７に記載のプリント配線板の製造方法。