JP4643482B2 - 配線基板 - Google Patents
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- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
Description
R=ε×L/S
で表すことができる。なお、εは比抵抗、Lは長さ、Sは断面積である。
[第2実施形態]
[第3実施形態]
[第4実施形態]
11…コア材
12…コア第1主面としての上面
13…コア第2主面としての下面
15…スルーホール用孔内
16…スルーホール導体
21…半導体素子としてのICチップ
31…第1配線積層部としてのビルドアップ層
33,35…第1層間絶縁層
32…第2配線積層部としてのビルドアップ層
34,36…第2層間絶縁層
52,56…絶縁層内ビア導体
60…母基板としてのマザーボード
91…収容穴部
101…埋め込み用セラミックチップとしてのセラミックキャパシタ
102…チップ第1主面としての上面
103…チップ第2主面としての下面
111,112…チップ第1主面側電極としての第1外部端子電極
121,122…チップ第2主面側電極としての第2外部端子電極
131,132…チップ内ビア導体としてのビア導体
134,135…チップ内ビア導体群としてのビア導体群
Claims (6)
- コア第1主面及びコア第2主面を有し、前記コア第1主面及び前記コア第2主面のうち少なくともいずれかにて開口する収容穴部を有するコア材と、
前記コア材をその厚さ方向に貫通するスルーホール用孔内に形成されたスルーホール導体と、
チップ第1主面及びチップ第2主面を有し内部にチップ内ビア導体が形成され、前記収容穴部内に収容固定された埋め込み用セラミックチップと、
第1絶縁層内ビア導体を有する第1層間絶縁層を前記コア第1主面の上にて積層した構造を有し、半導体素子を支持することが可能な第1配線積層部と、
第2絶縁層内ビア導体を有する第2層間絶縁層を前記コア第2主面の上にて積層した構造を有し、母基板によって支持されることが可能な第2配線積層部と
を備え、
前記チップ内ビア導体の断面積が、前記スルーホール導体の断面積よりも大きく、
前記チップ第1主面上には、前記チップ内ビア導体と導通する複数のチップ第1主面側電極が配置され、前記チップ第2主面上には、前記チップ内ビア導体と導通する複数のチップ第2主面側電極が配置され、
前記チップ第1主面側電極及び前記チップ第2主面側電極は、前記チップ内ビア導体よりも直径の大きいメタライズ層上に銅めっき層を直接接続するように形成した構造を有するとともに、前記銅めっき層の表面は前記チップ第1主面及び前記チップ第2主面よりも粗化されており、
前記第1絶縁層内ビア導体及び前記第2絶縁層内ビア導体は、銅からなるフィルドビア導体である
ことを特徴とする配線基板。 - コア第1主面及びコア第2主面を有し、前記コア第1主面及び前記コア第2主面のうち少なくともいずれかにて開口する収容穴部を有するコア材と、
前記コア材をその厚さ方向に貫通するスルーホール用孔内に形成されたスルーホール導体と、
チップ第1主面及びチップ第2主面を有し内部にチップ内ビア導体が形成され、前記収容穴部内に収容固定された埋め込み用セラミックチップと、
第1絶縁層内ビア導体を有する第1層間絶縁層を前記コア第1主面の上にて積層した構造を有し、半導体素子を支持することが可能な第1配線積層部と、
第2絶縁層内ビア導体を有する第2層間絶縁層を前記コア第2主面の上にて積層した構造を有し、母基板によって支持されることが可能な第2配線積層部と
を備え、
前記チップ第1主面上に配置されたチップ第1主面側電極と、前記チップ第2主面上において前記チップ第1主面側電極の位置に対応して配置されたチップ第2主面側電極と、前記チップ第1主面側電極及び前記チップ第2主面側電極間にて並列に配置された複数のチップ内ビア導体からなるチップ内ビア導体群とを備え、前記チップ内ビア導体群の端部に前記チップ第1主面側電極及び前記チップ第2主面側電極が接続されていることを特徴とする配線基板。 - 前記チップ内ビア導体群の断面積が、前記スルーホール導体の断面積よりも大きいことを特徴とする請求項2に記載の配線基板。
- 前記チップ内ビア導体の単位長さあたりの抵抗値が、前記スルーホール導体の単位長さあたりの抵抗値よりも小さいことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の配線基板。
- 前記チップ内ビア導体の最大径は120μm以上200μm以下であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の配線基板。
- 前記チップ内ビア導体に用いる金属の比抵抗は、前記スルーホール導体に用いる金属の比抵抗よりも高いことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の配線基板。
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