CN110993331A - 多层陶瓷电子组件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种多层陶瓷电子组件，所述多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，包括介电层以及彼此面对的第一内电极和第二内电极，介电层介于第一内电极和第二内电极之间；以及第一外电极和第二外电极，第一外电极电连接到第一内电极，第二外电极电连接到第二内电极，第一外电极和第二外电极设置在陶瓷主体的外部。第一外电极和第二外电极各自包括：第一电极层，包括导电金属；第一镀层，设置在第一电极层上并包括镍(Ni)；以及第二镀层，设置在第一镀层上并包括锡(Sn)。包括镍(Ni)的第一镀层的厚度(t1)与包括锡(Sn)的第二镀层的厚度(t2)之间的比(t1/t2)在从1.0至9.0的范围内。

Description

多层陶瓷电子组件
本申请要求于2018年10月2日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0117770号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种多层陶瓷电子组件，更具体地，涉及一种具有高电容的多层陶瓷电子组件。
背景技术
近来，已经开发出具有高的安装密度的基板，并且减小多层陶瓷电容器的安装面积已变得必要。对于其中具有薄的厚度的多层陶瓷电容器嵌在基板中或安装在应用处理器(AP)的下端作为焊盘侧电容器(LSC)的产品的需求已经增加。
在这种情况下，不仅可减小安装面积，而且还可减小在基板中发生的等效串联电感(ESL)。因此，已经越来越多地使用具有相对薄的厚度的多层陶瓷电容器。
已经进行了大量研究以开发在陶瓷主体中形成通孔、使电极填充在通孔中并且连接内电极的多层陶瓷电容器产品。
在应用在陶瓷主体中形成通孔的工艺的情况下，浸渍陶瓷主体以在外表面上形成外电极的工艺可能不必要。因此，可以使多层陶瓷电容器产品的尺寸增加等于外电极的厚度减小的量。
此外，在陶瓷主体中形成通孔的工艺可应用于薄膜多层陶瓷电容器。
然而，当使用上述工艺时，外电极可形成在陶瓷主体的上部和下部二者中，但是因为外电极以岛的形式(the form of islands)设置，外电极可彼此不连接，这会导致在回流焊过程中设置在外电极的最外部分中的锡(Sn)镀层中的锡(Sn)的聚集。
由于锡(Sn)的聚集，使得外电极的厚度会增加。因此，已有必要解决锡(Sn)的聚集问题。
发明内容
本公开的一方面在于提供一种多层陶瓷电子组件，更具体地，提供一种具有高电容的多层陶瓷电子组件。
根据本发明的一方面，一种多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，包括介电层以及彼此面对的第一内电极和第二内电极，并且介电层介于第一内电极和第二内电极之间，并且所述陶瓷主体具有彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面且彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面至所述第四表面且彼此相对的第五表面和第六表面；以及第一外电极和第二外电极，所述第一外电极电连接到所述第一内电极，所述第二外电极电连接到所述第二内电极，所述第一外电极和所述第二外电极设置在所述陶瓷主体的外部。所述第一外电极设置在所述陶瓷主体的所述第一表面和所述第二表面上，并且通过贯穿所述陶瓷主体并设置在所述陶瓷主体中的第一过孔彼此连接。所述第二外电极设置在所述陶瓷主体的所述第一表面和所述第二表面上，并且通过贯穿所述陶瓷主体并设置在所述陶瓷主体中的第二过孔彼此连接。所述第一外电极和所述第二外电极各自包括：第一电极层，包括导电金属；第一镀层，设置在所述第一电极层上并包括镍(Ni)；以及第二镀层，设置在所述第一镀层上并包括锡(Sn)。包括镍(Ni)的所述第一镀层的厚度(t1)与包括锡(Sn)的所述第二镀层的厚度(t2)之间的比(t1/t2)在从1.0至9.0的范围内。
附图说明
通过以下结合附图进行的详细描述，本公开的以上和其他方面、特征和优点将被更清楚地理解，在附图中：
图1是示出根据本公开中的示例性实施例的多层陶瓷电容器的透视图；
图2是示出根据本公开中的示例性实施例的陶瓷主体的示图；
图3是第一示例性实施例中的沿I-I'线截取的截面图；以及
图4是第二示例性实施例中的沿I-I'线截取的截面图。
具体实施方式
在下文中，将如下参照附图描述本公开的实施例。
然而，本公开可以以许多不同的形式来进行例证，并且不应该被解释为限于这里阐述的具体实施例。更确切地说，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且将本公开的范围充分地传达给本领域技术人员。因此，为了清楚描述，可夸大附图中的元件的形状和尺寸，并且在附图中由相同的附图标记指示的元件是相同的元件。
此外，在整个说明书中，将理解的是，当一部分“包括”一个元件时，除非另有说明，否则该部分还可包括另外的元件，而不排除另外的元件。
在附图中，可省略特定的元件以清楚地描述本公开，并且为了清楚地表达多个层和区域，可夸大厚度。将利用相同的附图标记来描述在相同构思的范围内具有相同功能的相同元件。
图1是示出根据本公开中的示例性实施例的多层陶瓷电容器的透视图。
图2是示出根据本公开中的示例性实施例的陶瓷主体的示图。
图3是第一示例性实施例中的沿I-I'线截取的截面图。
参照图1至图3，根据示例性实施例的多层陶瓷电子组件可包括：陶瓷主体110，包括介电层111以及彼此面对的第一内电极121和第二内电极122，介电层111介于第一内电极121和第二内电极122之间，并且陶瓷主体110具有彼此相对的第一表面S1和第二表面S2、连接到第一表面和第二表面并彼此相对的第三表面S3和第四表面S4以及连接到第一表面S1至第四表面S4并且彼此相对的第五表面S5和第六表面S6；以及第一外电极131和第二外电极132，第一外电极131电连接到第一内电极121，第二外电极132电连接到第二内电极122，第一外电极131和第二外电极132设置在陶瓷主体110的外部。第一外电极131可设置在陶瓷主体的第一表面S1和第二表面S2上，并且设置在第一表面S1和第二表面S2上的第一外电极131可通过贯穿陶瓷主体110并设置在陶瓷主体110中的第一过孔141彼此连接。第二外电极132可设置在陶瓷主体110的第一表面S1和第二表面S2上，并且设置在第一表面S1和第二表面S2上的第二外电极132可通过贯穿陶瓷主体110并设置在陶瓷主体110中的第二过孔142彼此连接。每个第一外电极131可包括：第一电极层131a，包括导电金属；第一镀层131b，设置在第一电极层131a上并包括镍(Ni)；以及第二镀层131c，设置在第一镀层131b上并包括锡(Sn)。每个第二外电极132可包括：第一电极层132a，包括导电金属；第一镀层132b，设置在第一电极层132a上并包括镍(Ni)；以及第二镀层132c，设置在第一镀层132b上并包括锡(Sn)。
在下面的描述中，将描述根据示例性实施例的多层陶瓷电子组件，具体地，多层陶瓷电容器，但多层陶瓷电子组件不限于此。
对于根据示例性实施例的多层陶瓷电容器，长度方向可以被定义为“L”方向，宽度方向可以被定义为“W”方向，并且厚度方向可以被定义为“T”方向。厚度方向可与层叠方向(层叠介电层所沿的方向)相同。
在示例性实施例中，陶瓷主体110可不限于任何具体形状。如图所示，陶瓷主体110可具有例如六面体形状。
陶瓷主体110可具有彼此相对的第一表面S1和第二表面S2、连接到第一表面S1和第二表面S2并彼此相对的第三表面S3和第四表面S4以及连接到第一表面S1至第四表面S4并且彼此相对的第五表面S5和第六表面S6。
第一表面S1和第二表面S2可在陶瓷主体110的厚度方向上彼此面对，第三表面S3和第四表面S4可在陶瓷主体110的长度方向上彼此面对，并且第五表面S5和第六表面S6可在陶瓷主体110的宽度方向上彼此面对。所述陶瓷主体的长度是所述第三表面S3和所述第四表面S4之间的距离，所述陶瓷主体的宽度是所述第五表面S5和所述第六表面S6之间的距离。
第一内电极121和第二内电极122可设置在陶瓷主体110中，并且可不暴露于陶瓷主体110的侧表面。
对于内电极121和122，具有不同极性的第一内电极121中的一个和第二内电极122中的一个可以是一对。
第一内电极121可设置在陶瓷主体110中，并且可电连接到贯穿陶瓷主体110并暴露于陶瓷主体110的第一表面S1和第二表面S2的第一过孔141。
第二内电极122可设置在陶瓷主体110中，并且可电连接到贯穿陶瓷主体110并暴露于陶瓷主体110的第一表面S1和第二表面S2的第二过孔142。
第一外电极131和第二外电极132可设置在陶瓷主体110的第一表面S1和第二表面S2上。第一外电极131和第二外电极132可分别电连接到第一内电极121和第二内电极122。
具体地，第一内电极121可通过暴露于陶瓷主体110的第一表面S1和第二表面S2的第一过孔141电连接到第一外电极131。
第二内电极122可通过暴露于陶瓷主体110的第一表面S1和第二表面S2的第二过孔142电连接到第二外电极132。
根据示例性实施例，只要可获得足够的电容，介电层111的材料可不限于任何具体材料。例如，介电层111的材料可以是钛酸钡(BaTiO3)粉末。
根据预期目的，可将各种陶瓷添加剂、有机溶剂、粘合剂、分散剂等添加到钛酸钡(BaTiO3)粉末等作为介电层111的材料。
陶瓷主体110可具有：有效部A，对形成电容器的电容有贡献的部分；以及上覆盖部C和下覆盖部C，分别形成在有效部A的上部和下部上作为上边缘部和下边缘部。
有效部A可通过重复地层叠多个第一内电极121和多个第二内电极122并且使介电层111介于第一内电极121和第二内电极122之间而形成。
上覆盖部C和下覆盖部C可具有与介电层111的材料和成分相同的材料和成分，但上覆盖部C和下覆盖部C可不包括内电极。
换句话说，上覆盖部C和下覆盖部C可包括诸如以钛酸钡(BaTiO3)陶瓷材料为例的陶瓷材料。
上覆盖部C和下覆盖部C可通过在有效部A的上表面和下表面上设置单个介电层或层叠两个或更多个介电层来形成，并且可防止由物理应力或化学应力引起的对内电极的损坏。
第一内电极121和第二内电极122的材料可不限于任何具体材料。第一内电极121和第二内电极122可利用包括银(Ag)、铅(Pb)、铂(Pt)、镍(Ni)和铜(Cu)中的一种或更多种的导电膏形成。
根据示例性实施例的多层陶瓷电容器可包括：第一外电极131，电连接到第一内电极121；以及第二外电极132，电连接到第二内电极122。
第一外电极131和第二外电极132可电连接到第一内电极121和第二内电极122以形成电容，并且第二外电极132可连接到与第一外电极131的电势不同的电势。
第一内电极121和第二内电极122可设置为彼此相对，且介电层111介于第一内电极121和第二内电极122之间，第一内电极121和第二内电极122可分别连接到贯穿陶瓷主体110的第一过孔141和第二过孔142，并分别连接到第一外电极131和第二外电极132。
如上所述，由于第一外电极131和第二外电极132在陶瓷主体110的第一表面S1和第二表面S2上在宽度方向上彼此分开时，因此可实现反向几何电容器(RGC，reversegeometry capacitor)或低电感片式电容器(LICC)。
在一般的多层陶瓷电子组件中，外电极可设置在陶瓷主体在长度方向上彼此相对的表面上。
在这种情况下，当交流电(AC)施加到外电极时，由于电流路径长，因此会形成大的电流回路，并且感应磁场会增大，这会导致电感增加。
为了解决上述问题，根据示例性实施例，第一外电极131和第二外电极132可设置在陶瓷主体110的第一表面S1和第二表面S2上并且彼此分开，以减小电流路径。
在这种情况下，由于第一外电极131和第二外电极132之间的间距小，因此可减小电流路径，并且还可减小电流回路，这可减小电感。
第一外电极131可设置在陶瓷主体110在厚度方向上的第一表面S1和第二表面S2上，并且设置在第一表面S1上的第一外电极131和设置在第二表面S2上的第一外电极131在陶瓷主体110的外部可彼此不连接，并且可因此以岛的形式设置。在多层陶瓷电容器中，设置在第一表面S1上的第一外电极131和设置在第二表面S2上的第一外电极131可在厚度方向上彼此相对并且彼此分开。
设置在第一表面S1上的第一外电极131和设置在第二表面S2上的第一外电极131可连接到贯穿陶瓷主体110的第一过孔141。
相似地，第二外电极132可设置在陶瓷主体110在厚度方向上的第一表面S1和第二表面S2上，并且设置在第一表面S1上的第二外电极132和设置在第二表面S2上的第二外电极132在陶瓷主体110的外部可彼此不连接，并且可因此以岛的形式设置。在多层陶瓷电容器中，设置在第一表面S1上的第二外电极132和设置在第二表面S2上的第二外电极132可在厚度方向上彼此相对并且彼此分开。
设置在第一表面S1上的第二外电极132和设置在第二表面S2上的第二外电极132可连接到贯穿陶瓷主体110的第二过孔142。
第一外电极131和第二外电极132可沿陶瓷主体110的长度方向设置在陶瓷主体110的第一表面S1上，并且第一外电极131和第二外电极132可彼此分开，第一外电极131和第二外电极132可沿陶瓷主体110的长度方向设置在陶瓷主体110的第二表面S2上，并且第一外电极131和第二外电极132可彼此分开，但其示例性实施例不限于此。例如，第一外电极131可形成至第一表面S1与第三表面S3之间的边界以及第二表面S2与第三表面S3之间的边界，第二外电极132可形成至第一表面S1与第四表面S4之间的边界以及第二表面S2与第四表面S4之间的边界。
此外，第一外电极131和第二外电极132可分别彼此分开地设置在陶瓷主体110的第一表面S1和第二表面S2上，并且第一外电极131和第二外电极132可在宽度方向上彼此面对。
由于第一外电极131和第二外电极132彼此分开地设置在陶瓷主体110的第一表面S1和第二表面S2上并且在宽度方向上彼此面对，因此可减小电流路径并且可实现可减小等效串联电感(ESL)的低电感片式电容器(LICC)或反向几何电容器(RGC)。
第一过孔141和第二过孔142可通过在陶瓷主体110以及第一内电极121和第二内电极122中形成孔并用导电材料填充孔来形成。可通过涂覆导电膏、通过镀覆工艺等来涂覆导电材料。在这种情况下，陶瓷主体110中的孔可通过在陶瓷生片上的冲压工艺或激光工艺形成，或者可在烧结工艺之后通过在层叠主体上形成孔来获得。
导电材料可不限于任何具体材料。导电材料可包括例如从由铜(Cu)、银(Ag)、镍(Ni)及它们的合金组成的组中选择的一种或更多种导电金属。
在根据示例性实施例的多层陶瓷电容器中，第一内电极121和第二内电极122可分别通过第一过孔141和第二过孔142连接到第一外电极131和第二外电极132，并且因此，第一内电极121和第二内电极122之间的重叠面积可显著增加。
因此，在不应用通过减小介电层和内电极的厚度等来增加内电极层的数量的方法的情况下，可以增加电容器的电容。
此外，由于相同类型的内电极通过第一过孔141或第二过孔142彼此电连接，因此即使当多层陶瓷电容器的厚度非常小(例如，厚度为110μm或更小)时，仍可提高内电极的连接性。
第一过孔141可连接到第一内电极121，并且可与第二内电极122绝缘。第二过孔142可连接到第二内电极122，并且可与第一内电极121绝缘。
设置在陶瓷主体110的第一表面S1和第二表面S2上的第一外电极131可通过设置在陶瓷主体110中并贯穿陶瓷主体110的第一过孔141连接，并且由于第一过孔141连接到第一内电极121并与第二内电极122绝缘，所以第一外电极131可仅电连接到第一内电极121。
设置在陶瓷主体110的第一表面S1和第二表面S2上的第二外电极132可通过设置在陶瓷主体110中并贯穿陶瓷主体110的第二过孔142彼此连接，并且由于第二过孔142连接到第二内电极122并与第一内电极121绝缘，所以第二外电极132可仅电连接到第二内电极122。
根据示例性实施例，第一外电极131可包括：第一电极层131a，设置在陶瓷主体110的外部并包括导电金属；第一镀层131b，设置在第一电极层131a上并包括镍(Ni)；第二镀层131c，设置在第一镀层131b上并包括锡(Sn)。第二外电极132可包括：第一电极层132a，设置在陶瓷主体110的外部上并且包括导电金属；第一镀层132b，设置在第一电极层132a上并包括镍(Ni)；第二镀层132c，设置在第一镀层132b上并包括锡(Sn)。
参照图3，镀层可具有两层，并且镀层可包括：第一镀层131b和132b，包括镍(Ni)；以及第二镀层131c和132c，设置在第一镀层131b和132b上并且包括锡(Sn)。然而，其示例性实施例不限于此。
第一电极层131a和132a可包括导电金属和玻璃。
为了形成电容，第一外电极131和第二外电极132可沿长度方向形成在陶瓷主体110的第一表面S1和第二表面S2上，并且包括在第一外电极131中的第一电极层131a和包括在第二外电极132中的第一电极层132a可分别电连接到第一内电极121和第二内电极122。
更具体地，由于第一电极层131a和第一电极层132a分别连接到第一过孔141和第二过孔142，所以第一电极层131a和第一电极层132a可分别电连接到第一内电极121和第二内电极122。
第一电极层131a和132a可利用与第一内电极121和第二内电极122的材料相同的导电材料形成，但第一电极层131a和132a的材料不限于此。第一电极层131a和132a的材料可包括例如从由铜(Cu)、银(Ag)、镍(Ni)和它们的合金组成的组中选择的一种或更多种导电金属。
根据示例性实施例，第一电极层131a和132a可包括镍(Ni)作为导电金属。
第一电极层131a和132a可通过涂覆导电膏并执行烧结工艺来形成，导电膏通过向导电金属的粉末添加玻璃料(glass grit)制成。
换句话说，第一电极层131a和132a可以是包括导电金属和玻璃的烧结电极层。
根据示例性实施例，第一外电极131可包括：第一镀层131b，设置在第一电极层131a上并且包括镍(Ni)，以及第二镀层131c，设置在第一镀层131b上并包括锡(Sn)。第二外电极132可包括：第一镀层132b，设置在第一电极层132a上并且包括镍(Ni)，以及第二镀层132c，设置在第一镀层132b上并包括锡(Sn)。
如在示例性实施例中，当外电极设置在陶瓷主体的上部和下部上，但外电极彼此不连接并且以岛的形式设置时，在回流焊过程中，在设置在外电极的最外部的锡(Sn)镀层上锡(Sn)可能会聚集。
如果发生锡(Sn)的聚集，则会增加外电极的厚度，并且还会增加多层陶瓷电容器的尺寸。结果，会难以实现具有高电容的多层陶瓷电容器。
为了解决上述问题，根据示例性实施例，包括镍(Ni)的第一镀层131b和132b的厚度t1与包括锡(Sn)的第二镀层131c和132c的厚度t2之间的比t1/t2可调整为在从1.0至9.0的范围内。因此，可以在具有显著低的厚度(例如，110μm或更小的厚度)的多层陶瓷电容器中防止锡(Sn)的聚集，并且可因此实现具有高电容的多层陶瓷电容器。
换句话说，根据示例性实施例，通过将包括镍(Ni)的第一镀层131b和132b的厚度形成为大于包括锡(Sn)的第二镀层131c和132c的厚度，可防止锡(Sn)的聚集，并且可控制外电极的总厚度。因此，可实现具有显著低的厚度(例如，110μm或更小的厚度)并且具有高电容的多层陶瓷电容器。
根据示例性实施例，多层陶瓷电容器可具有110μm或更小的厚度。
如在示例性实施例中，当外电极分别设置在陶瓷主体的上部和下部上，并且外电极彼此不连接且以岛的形式设置时，连接到焊料的锡(Sn)镀层的厚度越大，在焊接工艺或回流焊过程中，锡(Sn)聚集的可能性越高。
如上所述，由于因锡(Sn)镀层的厚度增加引起的锡(Sn)的聚集导致外电极的厚度增加，因此外电极占据的面积也会增加并且可能难以实现具有高电容的多层陶瓷电容器。
根据示例性实施例，为了实现具有薄的厚度(例如，110μm或更小的厚度)并且具有高电容的多层陶瓷电容器，在镀层的有限厚度内，可研究第一镀层131b和132b的厚度与第二镀层131c和132c的厚度之间的期望比。
根据示例性实施例，在具有显著低厚度(例如，110μm或更小的厚度)的多层陶瓷电容器中，可确定包括镍(Ni)的第一镀层131b和132b的厚度t1与包括锡(Sn)的第二镀层131c和132c的厚度t2之间的比t1/t2。在现有技术中的在多层陶瓷电容器具有大于110μm的厚度并且在陶瓷主体的长度方向上的两个侧表面上设置外电极而不是以岛的形式设置外电极的一般的多层陶瓷电容器的情况下，锡(Sn)镀层中不会发生锡(Sn)的聚集，或者实现具有高电容的多层陶瓷电容器可能没有困难。
因此，可能没有必要将示例性实施例中建议的构造应用于现有技术中公开的多层陶瓷电容器中。
当包括镍(Ni)的第一镀层131b和132b的厚度t1与包括锡(Sn)的第二镀层131c和132c的厚度t2之间的比(t1/t2)小于1.0时，会发生锡(Sn)的聚集，并且外电极的厚度会增加。
当包括镍(Ni)的第一镀层131b和132b的厚度t1与包括锡(Sn)的第二镀层131c和132c的厚度t2之间的比(t1/t2)大于9.0时，外电极占据的部分的厚度与陶瓷主体110的厚度之间的比会显著增加，并且可能无法实现具有高电容的多层陶瓷电容器。
根据示例性实施例，第二镀层131c的厚度与第一镀层131b的厚度之和可以是10μm或更小，并且第二镀层132c的厚度与第一镀层132b的厚度之和可以是10μm或更小。
根据示例性实施例，为了增加具有薄的厚度(例如110μm或更小的厚度)的多层陶瓷电容器的抗断裂强度，并且为了实现具有高电容的多层陶瓷电容器，包括镍(Ni)的第一镀层131b和132b的厚度t1与包括锡(Sn)的第二镀层131c和132c的厚度t2之间的比(t1/t2)可以在从1.0至9.0的范围内，并且第二镀层131c的厚度和第一镀层131b的厚度之和可以是10μm或更小，第二镀层132c的厚度和第一镀层132b的厚度之和可以是10μm或更小。
如果第二镀层131c的厚度与第一镀层131b的厚度之和超过10μm并且第二镀层132c的厚度与第一镀层132b的厚度之和超过10μm，则外电极占据的部分的厚度与陶瓷主体110的厚度之间的比可显著增加，并且可能不能实现具有高电容的多层陶瓷电容器。
第二镀层131c和132c的厚度t2可以是0.5μm或更大，并且厚度t2的最大值不受具体限制。然而，为了防止锡(Sn)的聚集，第二镀层131c和132c的厚度t2可以是5.0μm或更小。
根据示例性实施例，设置在陶瓷主体110的第一表面S1上的第一外电极131和第二外电极132可占据陶瓷主体110的第一表面S1的50％或更大的面积，设置在陶瓷主体110的第二表面S2上的第一外电极131和第二外电极132可占据陶瓷主体110的第二表面S2的50％或更大的面积。
图4是第二示例性实施例中的沿I-I'线截取的截面图。
如上所述，镀层可以具有两层，并且镀层可分别包括第一镀层131b和132b以及第二镀层131c和132c。
参照图4，在根据示例性实施例的多层陶瓷电容器中，在第一外电极131和第二外电极132中，在第一电极层131a和132a与设置在第一电极层131a和132a上的第一镀层131b和132b之间还可设置包括铜(Cu)的第三镀层131d和132d。
在以下描述中，将根据示例性实施例描述制造多层陶瓷电容器的方法。然而，制造多层陶瓷电容器的方法不限于此。
关于根据示例性实施方式的制造多层陶瓷电容器的方法，可将包含诸如钛酸钡(BaTiO3)等粉末的浆料涂覆在载体膜上并干燥以形成多个陶瓷生片，并且可以利用陶瓷生片形成介电层。
陶瓷生片可以是具有一定厚度(μm)的片，其可以使用利用陶瓷粉末、粘合剂和溶剂的混合物形成的浆料并且对浆料执行刮刀工艺来制造。
然后，可制备用于内电极的导电膏，导电膏包括40至50重量份的范围内的具有0.1μm和0.2μm之间平均尺寸的镍颗粒的镍粉末。
可通过使用印刷工艺在生片上涂覆用于内电极的导电膏来形成内电极，可层叠其上设置有内电极图案的生片，并且可形成陶瓷主体110。
此后，可在陶瓷主体110和内电极中形成孔，可利用导电材料填充孔，并且可形成第一过孔141和第二过孔142。
填充的用于形成第一过孔141和第二过孔142的导电材料可通过涂覆导电膏或通过镀覆工艺来涂覆。
在这种情况下，可通过在陶瓷生片上执行激光工艺或冲压工艺来形成陶瓷主体110中的孔，或者可在烧结工艺之后通过在层叠主体上形成孔来获得陶瓷主体110中的孔。
导电材料可没有具体限制。导电材料可包括例如从由铜(Cu)，银(Ag)，镍(Ni)及它们的合金组成的组中选择的一种或更多种导电金属。
然后，可以在陶瓷主体110的外部上形成包括导电金属和玻璃的第一电极层。
导电材料可以没有特别限制。导电材料可以是例如从由铜(Cu)、银(Ag)、镍(Ni)及它们的合金组成的组中选择的一种或更多种导电金属。
在示例性实施例中，可使用镍(Ni)作为导电金属来形成第一电极层。
玻璃可没有具体限制。玻璃可具有与用于制造一般的多层陶瓷电容器的外电极的玻璃的成分相同的成分。
第一电极层可形成在陶瓷主体110的上表面和下表面上，并且第一电极层可连接到第一内电极121和第二内电极122。
第一电极层可包括相对于导电金属体积为5％或更高的玻璃。
然后，可在第一电极层上形成包括镍(Ni)的第一镀层。
此后，可在第一镀层上形成包括锡(Sn)的第二镀层。
下面的表1示出了根据包括在外电极中的第一镀层和第二镀层的厚度之间的比存在锡(Sn)的聚集。
发生锡(Sn)聚集的样本标记为“X”，并选择该样本作为比较示例。没有发生锡(Sn)聚集的样本标记为“O”，并且选择该样本作为发明示例。
表1
Figure BDA0001993496780000121
*比较示例
在上述的表1中，在样本1至4中，包括镍(Ni)的第一镀层131b和132b的厚度t1与包括锡(Sn)的第二镀层131c和132c的厚度t2之间的比(t1/t2)小于1.0，并且发生锡(Sn)的聚集。结果，外电极的厚度可能已增加。
然而，在示例性实施例的样本5至9中，包括镍(Ni)的第一镀层131b和132b的厚度t1与包括锡(Sn)的第二镀层131c和132c的厚度t2之间的比(t1/t2)在从1.0至9.0的范围内，并且在具有薄的厚度(110μm或更小的厚度)的多层陶瓷电容器中没有发生锡(Sn)的聚集。因此，可实现具有高电容的多层陶瓷电容器。
此外，在样本10中，包括镍(Ni)的第一镀层131b和132b的厚度t1与包括锡(Sn)的第二镀层131c和132c的厚度t2之间的比(t1/t2)大于9.0。在这种情况下，外电极的厚度与陶瓷主体110的厚度之间的比非常高，并且可能无法实现具有高电容的多层陶瓷电容器。
根据前述示例性实施例，通过调整包括镍(Ni)的第一镀层的厚度与包括锡(Sn)的第二镀层的厚度之间的比，可防止在设置在外电极的最外部的包括锡(Sn)的第二镀层中锡(Sn)的聚集，并且可实现具有高电容的多层陶瓷电容器。
虽然以上已经示出并描述了示例性实施例，但是对于本领域技术人员而言将显而易见的是，在不脱离由所附权利要求限定的本发明的范围的情况下，可做出修改和变型。

Claims (12)

1.一种多层陶瓷电子组件，包括：
陶瓷主体，包括介电层以及彼此面对的第一内电极和第二内电极，并且介电层介于第一内电极和第二内电极之间，并且所述陶瓷主体具有彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面且彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面至所述第四表面且彼此相对的第五表面和第六表面；以及
第一外电极和第二外电极，所述第一外电极电连接到所述第一内电极，所述第二外电极电连接到所述第二内电极，所述第一外电极和所述第二外电极设置在所述陶瓷主体的外部，
其中，所述第一外电极设置在所述陶瓷主体的所述第一表面和所述第二表面上，并且通过贯穿所述陶瓷主体并设置在所述陶瓷主体中的第一过孔彼此连接，
其中，所述第二外电极设置在所述陶瓷主体的所述第一表面和所述第二表面上，并且通过贯穿所述陶瓷主体并设置在所述陶瓷主体中的第二过孔彼此连接，
其中，所述第一外电极和所述第二外电极各自包括：第一电极层，包括导电金属；第一镀层，设置在所述第一电极层上并包括镍；以及第二镀层，设置在所述第一镀层上并包括锡，并且
其中，包括镍的所述第一镀层的厚度t1与包括锡的所述第二镀层的厚度t2之间的比t1/t2在从1.0至9.0的范围内。
2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述第一镀层的厚度t1和所述第二镀层的厚度t2之和为10μm或更小。
3.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述第二镀层的厚度t2为0.5μm或更大。
4.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述第一电极层是包括从由铜、银、镍和它们的合金组成的组中选择的一种或更多种导电金属和玻璃的烧结电极层。
5.根据权利要求4所述的多层陶瓷电子组件，其中，包括在所述第一电极层中的导电金属是镍。
6.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，还包括：
第三镀层，包括铜，位于所述第一电极层和所述第一镀层之间。
7.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述多层陶瓷电子组件的厚度为110μm或更小。
8.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述陶瓷主体的长度是所述第三表面和所述第四表面之间的距离，所述陶瓷主体的宽度是所述第五表面和所述第六表面之间的距离。
9.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述第一外电极和所述第二外电极在所述陶瓷主体的所述第一表面上彼此分开地设置，所述第一外电极和所述第二外电极在所述陶瓷主体的所述第二表面上彼此分开地设置。
10.根据权利要求9所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述第一外电极和所述第二外电极在所述陶瓷主体的宽度方向上彼此分开。
11.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述第一过孔连接到所述第一内电极并且与所述第二内电极绝缘，并且所述第二过孔连接到所述第二内电极并且与所述第一内电极绝缘。
12.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，设置在所述陶瓷主体的所述第一表面上的所述第一外电极和所述第二外电极占据所述陶瓷主体的所述第一表面的50％或更大的面积，设置在所述陶瓷主体的所述第二表面上的所述第一外电极和所述第二外电极占据所述陶瓷主体的所述第二表面的50％或更大的面积。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112185700A (zh) * 2019-07-04 2021-01-05 三星电机株式会社 多层陶瓷电容器
CN112185704A (zh) * 2019-07-04 2021-01-05 三星电机株式会社 多层陶瓷电容器
US11410815B2 (en) 2019-08-19 2022-08-09 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Multilayer ceramic capacitor

Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000100647A (ja) * 1998-09-24 2000-04-07 Kyocera Corp 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法
CN1335418A (zh) * 2000-05-24 2002-02-13 株式会社村田制作所 电子元件、制造电子元件的方法和电路板
JP2002203734A (ja) * 2000-12-27 2002-07-19 Ibiden Co Ltd コンデンサ、多層プリント配線板および多層プリント配線板の製造方法
CN1828795A (zh) * 2005-02-28 2006-09-06 Tdk株式会社 电子部件和电子设备
US20090310277A1 (en) * 2008-06-13 2009-12-17 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multilayer ceramic electronic component and method for making the same
US20110290542A1 (en) * 2010-05-27 2011-12-01 Murata Manufacturing Co., Ltd. Ceramic electronic component and method for manufacturing the same
JP2013206898A (ja) * 2012-03-27 2013-10-07 Tdk Corp チップ型電子部品
CN104240950A (zh) * 2013-06-14 2014-12-24 三星电机株式会社 多层陶瓷电容器和安装有该多层陶瓷电容器的板
CN104282438A (zh) * 2013-07-10 2015-01-14 株式会社村田制作所 陶瓷电子部件及其制造方法
US20150124371A1 (en) * 2013-11-06 2015-05-07 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Multilayer ceramic capacitor
CN104979096A (zh) * 2014-04-14 2015-10-14 三星电机株式会社 多层陶瓷电容器、其制造方法和具有多层陶瓷电容器的板
US20170018363A1 (en) * 2015-07-17 2017-01-19 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multilayer ceramic capacitor
US20170256359A1 (en) * 2016-03-04 2017-09-07 Murata Manufacturing Co., Ltd. Electronic component mount structure, electronic component, and method for manufacturing electronic component
US20170294268A1 (en) * 2016-04-12 2017-10-12 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multilayer ceramic capacitor
US20180068793A1 (en) * 2016-09-08 2018-03-08 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Capacitor component

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005217126A (ja) 2004-01-29 2005-08-11 Kyocera Corp コンデンサの製造方法
DE102011076672B3 (de) 2011-05-30 2012-12-06 Osram Ag Signalisierungsvorrichtung und Sensorvorrichtung
US9320146B2 (en) * 2012-08-09 2016-04-19 Tdk Corporation Electronic circuit module component
KR20140085097A (ko) 2012-12-27 2014-07-07 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조 방법
KR101452130B1 (ko) * 2013-08-30 2014-10-16 삼성전기주식회사 기판 내장용 적층 세라믹 전자부품 및 적층 세라믹 전자부품 내장형 인쇄회로기판
KR102494324B1 (ko) * 2016-07-27 2023-02-01 삼성전기주식회사 적층형 커패시터 및 그 실장 기판
KR102620535B1 (ko) * 2016-09-06 2024-01-03 삼성전기주식회사 적층형 커패시터 및 그 실장 기판
KR102319596B1 (ko) * 2017-04-11 2021-11-02 삼성전기주식회사 적층형 커패시터 및 그 실장 기판
KR102427926B1 (ko) * 2017-05-29 2022-08-02 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터 및 그의 제조 방법
KR102404320B1 (ko) * 2017-08-31 2022-06-07 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법
KR102393213B1 (ko) * 2017-09-07 2022-05-02 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법
KR102101932B1 (ko) * 2018-10-02 2020-04-20 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자부품
KR102121579B1 (ko) * 2018-10-02 2020-06-10 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자부품

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000100647A (ja) * 1998-09-24 2000-04-07 Kyocera Corp 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法
CN1335418A (zh) * 2000-05-24 2002-02-13 株式会社村田制作所 电子元件、制造电子元件的方法和电路板
JP2002203734A (ja) * 2000-12-27 2002-07-19 Ibiden Co Ltd コンデンサ、多層プリント配線板および多層プリント配線板の製造方法
CN1828795A (zh) * 2005-02-28 2006-09-06 Tdk株式会社 电子部件和电子设备
US20090310277A1 (en) * 2008-06-13 2009-12-17 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multilayer ceramic electronic component and method for making the same
US20110290542A1 (en) * 2010-05-27 2011-12-01 Murata Manufacturing Co., Ltd. Ceramic electronic component and method for manufacturing the same
JP2013206898A (ja) * 2012-03-27 2013-10-07 Tdk Corp チップ型電子部品
CN104240950A (zh) * 2013-06-14 2014-12-24 三星电机株式会社 多层陶瓷电容器和安装有该多层陶瓷电容器的板
CN104282438A (zh) * 2013-07-10 2015-01-14 株式会社村田制作所 陶瓷电子部件及其制造方法
US20150124371A1 (en) * 2013-11-06 2015-05-07 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Multilayer ceramic capacitor
CN104979096A (zh) * 2014-04-14 2015-10-14 三星电机株式会社 多层陶瓷电容器、其制造方法和具有多层陶瓷电容器的板
US20170018363A1 (en) * 2015-07-17 2017-01-19 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multilayer ceramic capacitor
US20170256359A1 (en) * 2016-03-04 2017-09-07 Murata Manufacturing Co., Ltd. Electronic component mount structure, electronic component, and method for manufacturing electronic component
US20170294268A1 (en) * 2016-04-12 2017-10-12 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multilayer ceramic capacitor
US20180068793A1 (en) * 2016-09-08 2018-03-08 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Capacitor component

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112185700A (zh) * 2019-07-04 2021-01-05 三星电机株式会社 多层陶瓷电容器
CN112185704A (zh) * 2019-07-04 2021-01-05 三星电机株式会社 多层陶瓷电容器
CN115472431A (zh) * 2019-07-04 2022-12-13 三星电机株式会社 多层陶瓷电容器
CN112185704B (zh) * 2019-07-04 2023-02-17 三星电机株式会社 多层陶瓷电容器
US11410815B2 (en) 2019-08-19 2022-08-09 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Multilayer ceramic capacitor
US11646158B2 (en) 2019-08-19 2023-05-09 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Multilayer ceramic capacitor

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Publication number Publication date
KR102148446B1 (ko) 2020-08-26
US20200105476A1 (en) 2020-04-02
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US10978251B2 (en) 2021-04-13

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