JP4497548B2 - 配線基板 - Google Patents
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Description
板状のコア本体と、該コア本体の主面間を貫通する貫通孔あるいは第1主面に開口する凹部として形成された副コア収容部の内部に収容されたセラミック副コアと、を含むコア基板と、該コア基板の主面上に樹脂絶縁層および導体層が積層して形成された配線積層部と、を備える配線基板であって、
コア本体とセラミック副コアの隙間に充填形成された溝埋め部が、第1主面側の配線積層部の最下層をなす最下樹脂絶縁層と一体に形成されてなり、
当該最下樹脂絶縁層は、他の樹脂絶縁層よりも線膨張係数が小さく、セラミック副コアの第1主面に形成された導体パターンに接続するビア導体が貫通形成されてなり、
当該最下樹脂絶縁層におけるコア本体とセラミック副コアの隙間上に位置する層表面は、コア本体の内縁上端とセラミック副コアの外縁上端とを結ぶ面よりも、コア本体の第1主面に対する傾きが小さいことを特徴とする。
最下樹脂絶縁層は、コア本体とセラミック副コアの隙間上、セラミック副コア上及びコア本体上に配置され、層表面は、コア本体の内縁上端とセラミック副コアの外縁上端とを結ぶ面よりも、コア本体の第1主面に対する傾きを小さくすることができる。
第1主面側の配線積層部において、最下樹脂絶縁層に貫通形成されたビア導体は、当該最下樹脂絶縁層とそれに隣接する隣接樹脂絶縁層との複数層に跨って貫通形成された複数層貫通ビア導体の一部であり、セラミック副コアの第1主面に形成された導体パターンと該隣接樹脂絶縁層上の導体層とを接続するように構成することができる。
第1主面側の配線積層部において、最下樹脂絶縁層に貫通形成されたビア導体は、セラミック副コアの第1主面に形成された導体パターンと該最下樹脂絶縁層上の導体層とを接続するように構成することができる。これによると、段差のない良好なビア孔を形成することができ、ひいては良好なビア導体による接続が可能となる。
板状のコア本体と、該コア本体の主面間を貫通する貫通孔あるいは第1主面に開口する凹部として形成された副コア収容部の内部に収容されたセラミック副コアと、を含むコア基板と、該コア基板の主面上に樹脂絶縁層および導体層が積層して形成された配線積層部と、を備える配線基板であって、
コア本体とセラミック副コアの隙間に充填形成された溝埋め部が、第1主面側の配線積層部の最下層をなす最下樹脂絶縁層と一体に形成されてなり、
当該最下樹脂絶縁層は、他の樹脂絶縁層よりも線膨張係数が小さく、前記セラミック副コアの第1主面に形成された導体パターンに接続するビア導体が貫通形成されてなり、
最下樹脂絶縁層におけるコア本体とセラミック副コアの隙間上及びセラミック副コア上に位置する層表面は、コア本体の第1主面と略平行に形成されてなることを特徴とする。
本発明の配線基板の第1実施形態を、図面を参照しながら説明する。図1は、第1実施形態に係る配線基板1Aの断面構造を概略的に表す図である。なお、説明中において、板状の部材は、図中で上側に表れている面を第1主面WP1とし、下側に表れている面を第2主面WP2とする。配線基板1Aは、コア基板CBのうち半田バンプ7の下部領域に、積層セラミックコンデンサとして構成されたセラミック副コア3を有しており、半導体集積回路素子(ICチップ)Cのスイッチングノイズの低減や動作電源電圧の安定化を図るうえで、ICチップCとセラミック副コア(積層セラミックコンデンサ)3との間の配線長の短縮化により、配線のインダクタンス成分の減少に寄与している。また、絶縁材料からなるコア本体2よりも線膨張係数の小さいセラミックからなるセラミック副コア3が、コア基板CBのうち半田バンプ7の下部領域に設けられることにより、ICチップCとの線膨張係数差を縮減し、熱応力による断線等を生じ難くしている。以下、詳細な説明を行う。
或いは、平面は、通過点と法線ベクトル(平面に対して垂直方向のベクトル)で決まるので、所定の基準位置を定め、コア本体2の第1主面MP1における法線ベクトルと、コア本体2とセラミック副コア3との隙間上に位置する層表面102、セラミック副コア3上に位置する層表面103、コア本体2上に位置する層表面104、並びにコア本体2の内縁上端25Aとセラミック副コア3の外縁上端35Aとを結ぶ面101におけるそれぞれの法線ベクトルと、の角度を平面の傾き(コア本体2の第1主面MP1に対する傾き)とすることができる。
本発明の配線基板の第2実施形態を、図面を参照しながら説明する。図12は、第2実施形態に係る配線基板1Bの断面構造を概略的に表す図である。以下、主に上述した第1実施形態に係る配線基板1Aと異なる点について述べ、重複する箇所については同番号を付して説明を省略する。
2 コア本体
25 副コア収容部(貫通孔)
25A 第1主面側の開口
25B 第2主面側の開口
3 セラミック副コア(積層セラミックコンデンサ)
31 導体パッド
32 貫通導体
33 セラミック層
36,37 電極導体層
4 溝埋め部
6,65 ビア導体
7 半田バンプ(電源端子7a,グランド端子7b,信号端子7s)
CB コア基板
CR コア領域
L(L1,L2) 配線積層部
B 樹脂絶縁層
B0,B10 第1側配線積層部の最下層をなす樹脂絶縁層(最下樹脂絶縁層)
B11 最下樹脂絶縁層に隣接する樹脂絶縁層(隣接樹脂絶縁層)
M 導体層
M11 コア本体およびセラミック副コアの第1主面に形成された導体パターン
M12 最下樹脂絶縁層(若しくは隣接樹脂絶縁層)上の導体層
C 半導体集積回路素子(ICチップ)
GB 主基板(マザーボード等)
S 粘着シート材
101 コア本体の内縁上端とセラミック副コアの外縁上端とを結ぶ面
102 コア本体とセラミック副コアの隙間上に位置する層表面
103 セラミック副コア上に位置する層表面
104 コア本体上に位置する層表面
Claims (5)
- 板状のコア本体と、該コア本体の主面間を貫通する貫通孔あるいは第1主面に開口する凹部として形成された副コア収容部の内部に収容されたセラミック副コアと、を含むコア基板と、該コア基板の主面上に樹脂絶縁層および導体層が積層して形成された配線積層部と、を備える配線基板であって、
前記コア本体と前記セラミック副コアの隙間に充填形成された溝埋め部が、第1主面側の前記配線積層部の最下層をなす最下樹脂絶縁層と一体に形成されてなり、
当該最下樹脂絶縁層は、他の前記樹脂絶縁層よりも線膨張係数が小さく、前記セラミック副コアの第1主面に形成された導体パターンに接続するビア導体が貫通形成されてなり、
当該最下樹脂絶縁層における前記コア本体と前記セラミック副コアの隙間上に位置する層表面は、前記コア本体の内縁上端と前記セラミック副コアの外縁上端とを結ぶ面よりも、前記コア本体の第1主面に対する傾きが小さいことを特徴とする配線基板。 - 前記最下樹脂絶縁層は、前記コア本体と前記セラミック副コアの隙間上及び前記セラミック副コア上に配置され、層表面は、前記コア本体の内縁上端と前記セラミック副コアの外縁上端とを結ぶ面よりも、前記コア本体の第1主面に対する傾きが小さい請求項1に記載の配線基板。
- 板状のコア本体と、該コア本体の主面間を貫通する貫通孔あるいは第1主面に開口する凹部として形成された副コア収容部の内部に収容されたセラミック副コアと、を含むコア基板と、該コア基板の主面上に樹脂絶縁層および導体層が積層して形成された配線積層部と、を備える配線基板であって、
前記コア本体と前記セラミック副コアの隙間に充填形成された溝埋め部が、第1主面側の前記配線積層部の最下層をなす最下樹脂絶縁層と一体に形成されてなり、
当該最下樹脂絶縁層は、他の前記樹脂絶縁層よりも線膨張係数が小さく、前記セラミック副コアの第1主面に形成された導体パターンに接続するビア導体が貫通形成されてなり、
前記最下樹脂絶縁層における前記コア本体と前記セラミック副コアの隙間上及び前記セラミック副コア上に位置する層表面は、前記コア本体の第1主面と略平行に形成されてなることを特徴とする配線基板。 - 第1主面側の前記配線積層部において、前記最下樹脂絶縁層に貫通形成された前記ビア導体は、当該最下樹脂絶縁層とそれに隣接する隣接樹脂絶縁層との複数層に跨って貫通形成された複数層貫通ビア導体の一部であり、前記セラミック副コアの第1主面に形成された導体パターンと該隣接樹脂絶縁層上の導体層とを接続する請求項1ないし3のいずれか1項に記載の配線基板。
- 第1主面側の前記配線積層部において、前記最下樹脂絶縁層に貫通形成された前記ビア導体は、前記セラミック副コアの第1主面に形成された導体パターンと該最下樹脂絶縁層上の導体層とを接続する請求項1ないし3のいずれか1項に記載の配線基板。
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