JP4880277B2 - 配線基板の製造方法 - Google Patents
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Description
板状のコア本体に主面間を貫通する貫通孔あるいは第1主面に開口する凹部として副コア収容部が形成され、その内部にセラミックを主体とする板状のセラミック副コアが収容されたコア基板と、該コア基板の主面上に樹脂絶縁層と導体層とが交互に積層して形成された配線積層部と、を備える配線基板の製造方法であって、
セラミック副コアを、副コア収容部の第1主面の開口側から収容する副コア収容工程と、
コア本体及びセラミック副コアに第1主面側から樹脂材料を付着させることで、第1主面側の配線積層部の最下層となる樹脂絶縁層を形成するとともに、コア本体とセラミック副コアの隙間に当該樹脂絶縁層と連続する溝埋め部を充填形成する成膜充填工程と、
をこの順に含むことを特徴とする。
板状のコア本体に主面間を貫通する貫通孔あるいは第1主面に開口する凹部として副コア収容部が形成され、その内部にセラミックを主体とする板状のセラミック副コアが収容されたコア基板と、該コア基板の主面上に樹脂絶縁層と導体層とが交互に積層して形成された配線積層部と、を備える配線基板であって、
コア本体とセラミック副コアの隙間に充填形成された溝埋め部が、第1主面側の配線積層部の最下層となる樹脂絶縁層と連続して形成されてなり、
第1主面側の配線積層部の最下層となる単層の樹脂絶縁層には、当該樹脂絶縁層下でコア本体またはセラミック副コアの主面に形成されている導体パターンと、当該樹脂絶縁層上に形成された導体層と、を導通させるためのビア導体が形成されてなることを特徴とする。
板状のコア本体に主面間を貫通する貫通孔として副コア収容部が形成され、その内部にセラミックを主体とする板状のセラミック副コアが収容されたコア基板と、該コア基板の主面上に樹脂絶縁層と導体層とが交互に積層して形成された配線積層部と、を備える配線基板の製造方法であって、
セラミック副コアを副コア収容部に収容する副コア収容工程と、
コア本体及びセラミック副コアに両主面側から交互に樹脂材料を付着させることで、両主面側の配線積層部の最下層となる樹脂絶縁層を各々形成するとともに、コア本体とセラミック副コアの隙間に当該両主面側の各樹脂絶縁層と連続する溝埋め部を充填形成する成膜充填工程と、
をこの順に含むことを特徴とする。
板状のコア本体に主面間を貫通する貫通孔として副コア収容部が形成され、その内部にセラミックを主体とする板状のセラミック副コアが収容されたコア基板と、該コア基板の主面上に樹脂絶縁層と導体層とが交互に積層して形成された配線積層部と、を備える配線基板であって、
コア本体とセラミック副コアの隙間に充填形成された溝埋め部が、両主面側の配線積層部の最下層となる各樹脂絶縁層と連続して形成されてなり、
両主面側の配線積層部の最下層となる単層の樹脂絶縁層には、当該樹脂絶縁層下でコア本体またはセラミック副コアの主面に形成されている導体パターンと、当該樹脂絶縁層上に形成された導体層と、を導通させるためのビア導体が形成されてなることを特徴とする。
成膜充填工程後に、配線積層部の最下層となる単層の樹脂絶縁層に、当該樹脂絶縁層下でコア本体またはセラミック副コアの主面に形成されている導体パターンと、当該樹脂絶縁層上に形成される導体層と、を導通させるためのビア導体を形成する工程を含むようにすることができる。
コア本体の主面間を貫通する貫通孔として形成された副コア収容部内にセラミック副コアが第2主面側から支持された状態で、コア本体及びセラミック副コアに第1主面側から樹脂フィルムを圧着することで、第1主面側の配線積層部の最下層となる第1側樹脂絶縁層を形成するとともに、コア本体とセラミック副コアの隙間のうち少なくとも第1主面側の隙間を埋めるように、当該第1側樹脂絶縁層と連続する第1側溝埋め部を充填形成する操作と、
第1側樹脂絶縁層および第1側溝埋め部によりセラミック副コアが第1主面側から支持された状態で、コア本体及びセラミック副コアに第2主面側から樹脂フィルムを圧着することで、第2主面側の配線積層部の最下層となる第2側樹脂絶縁層を形成するとともに、コア本体とセラミック副コアの隙間のうち第1側溝埋め部に埋められていない残部を埋めるように、当該第2側樹脂絶縁層と連続する第2側溝埋め部を充填形成する操作と、を行うようにすることができる。
副コア収容工程前に、コア本体の両主面に形成された導体パターンのうち第1主面側の導体パターンに対してのみ、樹脂材料との密着性を向上させるための表面化学処理を施す工程と、副コア収容部の第2主面側の開口をシート材で塞ぐことにより、当該表面化学処理が施されていない第2主面側の導体パターンが粘着剤で覆われる工程とを行い、
副コア収容工程では、セラミック副コアの両主面に形成された導体パターンのうち、第1主面側の導体パターンに対してのみ予め表面化学処理が施されたセラミック副コアを副コア収容部に収容し、
成膜充填工程では、コア本体及びセラミック副コアに第1主面側から樹脂フィルムを圧着し、第1側樹脂絶縁層および第1側溝埋め部を形成する操作を行った後、コア本体及びセラミック副コアの第2主面に貼付されているシート材を剥離し、コア本体の第2主面側の導体パターン及びセラミック副コアの第2主面側の導体パターンに対して一括して表面化学処理を施す操作を行い、その後、コア本体及びセラミック副コアに第2主面側から樹脂フィルムを圧着し、第2側樹脂絶縁層および第2側溝埋め部を形成する操作を行うようにすることができる。
2 コア本体
25 副コア収容部(貫通孔)
3 セラミック副コア(積層セラミックコンデンサ)
31 導体パッド
32 貫通導体
33 セラミック層
36,37 電極導体層
4(41,42) 溝埋め部(第1側溝埋め部,第2側溝埋め部)
6 ビア導体
7 半田バンプ(電源端子7a,グランド端子7b,信号端子7s)
CB コア基板
CR コア領域
L(L1,L2) 配線積層部
B 樹脂絶縁層
B11 最下層となる第1側樹脂絶縁層
B21 最下層となる第2側樹脂絶縁層
M 導体層
M11 コア本体及びセラミック副コアの第1主面に形成された導体パターン
M21 コア本体及びセラミック副コアの第2主面に形成された導体パターン
M12 第1側樹脂絶縁層上の導体層
M22 第2側樹脂絶縁層上の導体層
C 半導体集積回路素子(ICチップ)
GB 主基板(マザーボード等)
S 粘着シート材
25A 第1主面側の開口
25B 第2主面側の開口
Claims (5)
- 板状のコア本体に主面間を貫通する貫通孔として副コア収容部が形成され、その内部にセラミック副コアが収容されたコア基板と、該コア基板の主面上に樹脂絶縁層と導体層とが交互に積層して形成された配線積層部と、を備える配線基板の製造方法であって、
前記セラミック副コアを前記副コア収容部に収容する副コア収容工程と、
前記コア本体及び前記セラミック副コアに両主面側から交互に樹脂材料を付着させることで、両主面側の前記配線積層部の最下層となる樹脂絶縁層を各々形成するとともに、前記コア本体と前記セラミック副コアの隙間に当該両主面側の各樹脂絶縁層と連続する溝埋め部を充填形成する成膜充填工程と、
をこの順に含み、
前記成膜充填工程では、
前記コア本体の主面間を貫通する貫通孔として形成された前記副コア収容部内に前記セラミック副コアが第2主面側から支持された状態で、前記コア本体及び前記セラミック副コアに第1主面側から樹脂フィルムを圧着することで、第1主面側の前記配線積層部の最下層となる第1側樹脂絶縁層を形成するとともに、前記コア本体と前記セラミック副コアの隙間のうち第1主面側から途中までの隙間を埋めるように、当該第1側樹脂絶縁層と連続する第1側溝埋め部を充填形成する操作と、
前記第1側樹脂絶縁層および前記第1側溝埋め部により前記セラミック副コアが第1主面側から支持された状態で、前記コア本体及び前記セラミック副コアに第2主面側から樹脂フィルムを圧着することで、第2主面側の前記配線積層部の最下層となる第2側樹脂絶縁層を形成するとともに、前記コア本体と前記セラミック副コアの隙間のうち前記第1側溝埋め部に埋められていない残部を埋めるように、当該第2側樹脂絶縁層と連続する第2側溝埋め部を充填形成する操作と、が行われることを特徴とする配線基板の製造方法。 - 前記成膜充填工程では、前記コア本体及び前記セラミック副コアに第1主面側から樹脂フィルムを圧着して形成された前記第1側樹脂絶縁層および前記第1側溝埋め部が半硬化の状態で、第2主面側から樹脂フィルムを圧着して前記第2側樹脂絶縁層および前記第2側溝埋め部を形成する請求項1に記載の配線基板の製造方法。
- 前記副コア収容工程前に、前記コア本体の主面間を貫通する貫通孔として形成された前記副コア収容部の第2主面側の開口を、表面に粘着剤を有するシート材で、該粘着剤が前記副コア収容部の内側に露出するように塞ぐ工程を行い、
前記副コア収容工程では、前記セラミック副コアを、前記副コア収容部の第1主面側の開口から収容するとともに前記粘着剤に固着させることで第2主面側から支持する請求項1または2に記載の配線基板の製造方法。 - 前記副コア収容工程前に、前記コア本体の両主面に形成された導体パターンのうち第1主面側の導体パターンに対してのみ、樹脂材料との密着性を向上させるための表面化学処理を施す工程と、前記副コア収容部の第2主面側の開口を前記シート材で塞ぐことにより、当該表面化学処理が施されていない第2主面側の導体パターンが前記粘着剤で覆われる工程とを行い、
前記副コア収容工程では、前記セラミック副コアの両主面に形成された導体パターンのうち、第1主面側の導体パターンに対してのみ予め前記表面化学処理が施された前記セラミック副コアを前記副コア収容部に収容し、
前記成膜充填工程では、前記コア本体及び前記セラミック副コアに第1主面側から樹脂フィルムを圧着し、前記第1側樹脂絶縁層および前記第1側溝埋め部を形成する操作を行った後、前記コア本体及び前記セラミック副コアの第2主面に貼付されている前記シート材を剥離し、前記コア本体の第2主面側の導体パターン及び前記セラミック副コアの第2主面側の導体パターンに対して一括して前記表面化学処理を施す操作を行い、その後、前記コア本体及び前記セラミック副コアに第2主面側から樹脂フィルムを圧着し、前記第2側樹脂絶縁層および前記第2側溝埋め部を形成する操作を行う請求項3に記載の配線基板の製造方法。 - 前記成膜充填工程後に、前記配線積層部の最下層となる単層の樹脂絶縁層に、当該樹脂絶縁層下で前記コア本体または前記セラミック副コアの主面に形成されている導体パターンと、当該樹脂絶縁層上に形成される前記導体層と、を導通させるためのビア導体を形成する工程を含む請求項1ないし4のいずれか1項に記載の配線基板の製造方法。
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