CN1874648B - 布线板以及布线板的制造方法 - Google Patents

Abstract

一种布线板，包括：核心板，其包括核心体和陶瓷子核心，所述陶瓷子核心容纳在子核心容纳空间中，所述子核心容纳空间为与所述核心体的主表面相联系的通孔或在所述核心体的第一主表面中具有开口的凹陷；以及布线叠层，其每个都是通过所述核心板的主表面的每一个上层叠的树脂绝缘层和导体层形成，其中：填充所述核心体和所述陶瓷子核心之间的间隙的凹槽填充部分与所述第一主表面侧的布线叠层的最低树脂绝缘层构成整体；以及连接到所述陶瓷子核心的第一主表面上形成的各个导体图形的转接导体穿透所述最低树脂绝缘层。

Description

布线板以及布线板的制造方法

技术领域

本发明涉及具有核心板的布线板，所述核心板容纳主要由陶瓷制成的陶瓷子核心。

背景技术

传统上，为了减少半导体集成电路器件(在下文中被称作“IC芯片”)的开关噪声并且稳定其操作供电电压，在安装有IC芯片的布线板中提供电容器。关于在布线板上安装电容器的方式，随着IC芯片和电容器之间的互连的长度增加，互连的电感成分增加，并且变得难以充分地获得上述效果。因此尽可能地接近IC芯片布置电容器是所希望的。JP-A-2005-39243提议了一种布线板，在所述布线板中，位于IC芯片正下方的核心板容纳并入电容器的陶瓷子核心。

发明内容

顺便提及，例如，以下面的方式产生如上所述的核心板。如图14A所示，在其中形成子核心容纳空间(通孔)的核心体CM的第二主表面MP2被具有粘合剂ad的粘合片S覆盖。通过以下方式在核心体CM中容纳陶瓷子核心CS：通过第一主表面MP1中的开口插入陶瓷子核心CS，并且将其固定到粘合剂ad。然后，借助于已知的分配器DS将包括诸如硅石填料之类的无机填料的填充树脂JJ注入到核心体CM和陶瓷子核心CS之间的间隙中。

然而，在如上所述使用分配器DS注入填充树脂JJ的地方，在陶瓷子核心CS的第一主表面MP1一侧出现了以下问题。子核心容纳空间的形状以及陶瓷子核心CS的尺寸和定位准确度具有一定的变化。因此，即使分配器DS注入恒定量的填充树脂JJ，如图14B所示，核心体CM和陶瓷子核心CS之间的间隙中注入的填充树脂JJ也会凸出或凹陷，造成表面上的凸凹不平。在这种情况下，难以在其上形成平坦的绝缘树脂层，因为它们会反映那些凸凹不平。

考虑到上述问题进行了本发明，并且本发明的目的因此就是提供一种布线板，所述布线板具有容纳陶瓷子核心的核心板，而且在所述布线板中，在核心板上形成平坦的绝缘树脂层。

为了达到上述目的，本发明提供了一种布线板，所述布线板装备有：核心板，其具有板状核心体和陶瓷子核心，所述陶瓷子核心容纳在子核心容纳空间中，所述子核心容纳空间为与所述核心体的主表面相联系的通孔或在所述核心体的第一主表面中具有开口的凹陷；以及布线叠层，其每个都是通过所述核心板的主表面中的每一个上层叠的树脂绝缘层和导体层形成，其特征在于：

填充所述核心体和所述陶瓷子核心之间的间隙的凹槽填充部分与所述第一主表面侧的布线叠层的最低树脂绝缘层构成整体；以及

连接到所述陶瓷子核心的第一主表面上形成的各个导体图形的转接导体(via conductor)穿透所述最低树脂绝缘层。

并且，优选地，最低树脂绝缘层的位于核心体和陶瓷子核心之间的间隙之上的表面小于这样的表面，所述表面以从核心体的第一主表面倾斜的方式连接核心体的内侧表面的顶端和陶瓷子核心的外侧表面的顶端。

使用上述构造，由于填充核心体和陶瓷子核心之间的间隙的凹槽填充部分与第一主表面侧的布线叠层的最低树脂绝缘层构成整体，所以最低树脂绝缘层的表面是平坦的，并且因此使得整个布线叠层平坦。

关于最低树脂绝缘层的平坦度，优选地，位于最大的凸凹不平要不然会发生的核心体和陶瓷子核心之间的间隙之上的最低树脂绝缘层的那个表面，与连接核心体的内侧表面的顶端和陶瓷子核心的外侧表面的顶端的表面相比，和核心体的第一主表面平行地要高(亦即倾斜地要小)。

可以在核心体和陶瓷子核心之间的间隙、陶瓷子核心以及核心体上提供最低树脂绝缘层，并且最低树脂绝缘层的表面可以小于以从核心体的第一主表面倾斜的方式连接核心体的内侧表面的顶端和陶瓷子核心的外侧表面的顶端的表面。

亦即，从使得整个最低树脂绝缘层平坦的观点出发，优选地，不仅位于核心体和陶瓷子核心之间的间隙之上的最低树脂绝缘层的那个表面，而且位于陶瓷子核心和核心体之上的最低树脂绝缘层的那些表面，与连接核心体的内侧表面的顶端和陶瓷子核心的外侧表面的顶端的表面相比，和核心体的第一主表面平行地要高。

例如，能够通过以下方式产生与凹槽填充部分构成整体的最低树脂绝缘层：在陶瓷子核心容纳在子核心容纳空间中的状态下，使用橡胶滚轴(squeegee)或类似物，在陶瓷子核心和核心体的第一主表面上印刷树脂浆。

根据本发明的布线板的第一特定形式是这样的：在第一主表面侧的布线叠层中，穿透最低树脂绝缘层的转接导体是穿透多层的各个多层穿透转接导体的部分，所述多层为最低树脂绝缘层和邻近于最低树脂绝缘层的树脂绝缘层，并且将陶瓷子核心的第一主表面上形成的导体图形连接到相邻树脂绝缘层上形成的导体层。

这种构造使得可以用在线性膨胀系数方面小于相邻树脂绝缘层的材料形成最低树脂绝缘层。具体地，最低树脂绝缘层能够由这样的材料制成，所述材料的线性膨胀系数处于相邻树脂绝缘层和陶瓷子核心的线性膨胀系数之间的中途(halfway)，这提供了在厚度方向上吸收线性膨胀系数差异的效果。更加具体地，最低树脂绝缘层可以由这样的材料制成，所述材料的室温到200℃的范围内的平均线性膨胀系数(在下文中被简称作“线性膨胀系数”)小于或等于35ppm/℃(优选地，小于或等于33ppm/℃)。如果最低树脂绝缘层的线性膨胀系数超过了这个上限，那么它就和主要由聚合材料制成的布线叠层的处于相同的水平，并且因此可能不会令人满意地获得上述效果。为了获得这样的线性膨胀系数，最低树脂绝缘层可以由这样的材料制成，所述材料在填料含量方面高于相邻树脂绝缘层。更加具体地，最低树脂绝缘层的填料含量可以设置在50到80wt％。

根据本发明的布线板的第二特定形式是这样的：在第一主表面侧的布线叠层中，穿透最低树脂绝缘层的转接导体将陶瓷子核心的第一主表面上形成的导体图形连接到最低树脂绝缘层上形成的导体层。这种构造使得可以形成没有台阶的良好通孔，这依次使通过良好转接导体连接成为可能。

进而，本发明提供了一种布线板，所述布线板装备有：核心板，其具有板状核心体和陶瓷子核心，所述陶瓷子核心容纳在子核心容纳空间中，所述子核心容纳空间为与所述核心体的主表面相联系的通孔或在所述核心体的第一主表面中具有开口的凹陷；以及布线叠层，其每个都是通过所述核心板的主表面中的每一个上层叠的树脂绝缘层和导体层形成，其特征在于：

填充所述核心体和所述陶瓷子核心之间的间隙的凹槽填充部分与所述第一主表面侧的布线叠层的最低树脂绝缘层构成整体；以及

连接到所述陶瓷子核心的第一主表面上形成的各个导体图形的转接导体穿透所述最低树脂绝缘层。

并且，优选地，最低树脂绝缘层的位于核心体和陶瓷子核心之间的间隙以及陶瓷子核心之上的表面基本上平行于核心体的第一主表面。

使用上述构造，由于填充核心体和陶瓷子核心之间的间隙的凹槽填充部分与第一主表面侧的布线叠层的最低树脂绝缘层构成整体，所以最低树脂绝缘层的表面基本上平行于核心体的第一主表面，并且跟随核心体的平坦的第一主表面而平坦。这样一来就使得整个布线叠层平坦。

本发明提供了布线板的第一制造方法，所述布线板装备有：核心板，在所述核心板中，子核心容纳空间，其为与板状核心体的主表面相联系的通孔或在所述核心体的第一主表面中具有开口的凹陷，形成在所述核心体中，并且陶瓷子核心容纳在所述子核心容纳空间中；以及布线叠层，其每个都是通过所述核心板的主表面中的每一个上交替层叠的树脂绝缘层和导体层形成，其特征在于包括按书写顺序执行的如下步骤：

通过所述子核心容纳空间的所述第一主表面侧的开口在所述子核心容纳空间中容纳所述陶瓷子核心的子核心容纳步骤；以及

通过从所述核心体的所述第一主表面和所述陶瓷子核心的第一主表面的一侧压印(pressure-print)树脂浆将所述树脂浆充满到所述核心体和所述陶瓷子核心之间的间隙中的压印步骤。

根据所述根据本发明的布线板的第一制造方法，通过将树脂浆压印(充满)到陶瓷子核心和核心体之间的间隙中，用于填充陶瓷子核心和核心体之间的间隙并且将它们相互固定的充满树脂部分能够令人满意地形成而不形成空隙。

优选地，树脂浆的粘度在室温(例如25℃)到120℃的温度范围内为3到60Pa·s(更优选地粘度为5到58Pa·s)。为了执行压印，优选地粘度高于下限。另一方面，如果粘度高于上限，则甚至通过压印也不可以令人满意地充满树脂浆，因为它的流动性变得太低。为了获得这样的粘度，优选地，树脂浆的填料含量为50到80wt％(更优选地填料含量为52到78wt％)。

在根据本发明的布线板的第一制造方法中，优选地，在所述压印步骤中，通过至少在陶瓷子核心的第一主表面上直接而不介入掩模地压印树脂浆，将树脂浆充满到核心体和陶瓷子核心之间的间隙中，并且和间隙中充满的树脂浆连续的层被形成为充满树脂连续层，以便至少覆盖陶瓷子核心的第一主表面。这种制造方法能够简化过程，因为至少在陶瓷子核心的第一主表面上执行压印而不使用掩模。进而，能够在将树脂浆充满到核心体和陶瓷子核心之间的间隙中的同时形成充满树脂连续层。

在根据本发明的布线板的第一制造方法中，在所述压印步骤中，通过在陶瓷子核心和核心体的第一主表面上直接而不介入掩模地压印树脂浆，可以将树脂浆充满到核心体和陶瓷子核心之间的间隙中，并且和间隙中充满的树脂浆连续的层可以被形成为充满树脂连续层，以便整个地覆盖陶瓷子核心和核心体的第一主表面。这种制造方法能够简化过程，因为执行压印而不使用掩模。进而，由于充满树脂连续层被形成以便覆盖核心板的整个第一主表面，所以这种制造方法有助于平整产生的布线板。

根据本发明的布线板的第一制造方法可以进一步包括作为在所述子核心容纳步骤之前执行的步骤的封闭步骤：用在一个表面上具有粘合剂的薄片，以粘合剂暴露在子核心容纳空间里面的方式，封闭作为与核心体的主表面相联系的通孔的子核心容纳空间的第二主表面侧的开口；并且在所述子核心容纳步骤中，陶瓷子核心可以通过子核心容纳空间的第一主表面侧的开口容纳，并且固定到粘合剂。在这种状态下执行所述压印步骤。在子核心容纳空间为通孔的地方，这种制造方法使得可以在借助于薄片表面上的粘合剂固定陶瓷子核心的状态下执行压印步骤。

根据本发明的布线板的第一制造方法可以进一步包括作为在所述压印步骤之后执行的如下步骤：最低介电层形成步骤，在充满树脂连续层上形成第一主表面侧的布线叠层的最低树脂绝缘层；多层穿透通孔形成步骤，形成多层穿透通孔，其穿透最低树脂绝缘层和充满树脂连续层，并从而在多层穿透通孔里面暴露陶瓷子核心的第一主表面上形成的导体焊盘；以及多层穿透转接导体形成步骤，通过充满在各个多层穿透通孔中形成多层穿透转接导体。即使充满树脂连续层存在于陶瓷子核心和陶瓷子核心的第一主表面上形成的布线叠层之间，这种制造方法也通过形成多层穿透转接导体使陶瓷子核心上的导体焊盘和布线叠层中的互连之间的传导成为可能。

通过上述制造方法产生的根据本发明的布线板是这样的布线板，所述布线板装备有：核心板，在所述核心板中，子核心容纳空间，其为与由聚合材料制成的板状核心体的主表面相联系的通孔或在所述核心体的一个主表面中具有开口的凹陷，形成在所述核心体中，并且由陶瓷制成的板状陶瓷子核心容纳在所述子核心容纳空间中；以及布线叠层，其每个都通过所述核心板的主表面中的每一个上交替层叠的由聚合材料制成的介电层和导体层形成，其特征在于：

与填充所述核心体和所述陶瓷子核心之间的间隙的充满树脂部分相连续的充满树脂连续层，夹在所述陶瓷子核心和它的主表面上形成的所述布线叠层之间；以及

穿透所述布线叠层的最低介电层和所述充满树脂连续层的多层穿透转接导体，连接到所述陶瓷子核心的所述主表面上形成的导体焊盘。

根据这种根据本发明的布线板的制造方法，由于与充满树脂部分相连续的充满树脂连续层形成在陶瓷子核心和它的主表面上形成的布线叠层之间，所以陶瓷子核心的线性膨胀系数(在厚度方向上)和布线叠层(以及在其上安装的IC芯片)的之间的差，能够被充满树脂连续层的弹性变形所吸收。这防止了如陶瓷子核心周围的互连的断线那样的麻烦。充满树脂连续层可以覆盖核心板的整个主表面，这不仅提供了上述效果，而且还有助于布线板的平整。

充满树脂连续层可以由在线性膨胀系数方面小于介电层的材料制成。具体地，充满树脂连续层的线性膨胀系数可以处于陶瓷子核心和介电层的线性膨胀系数之间的中途。这允许在厚度方向上吸收线性膨胀系数之间的差异的上述效果被令人满意地获得。更加具体地，充满树脂连续层可以由这样的材料制成，所述材料的室温(例如25℃)到200℃的范围内的平均线性膨胀系数(在下文中被简称作“线性膨胀系数”)小于或等于35ppm/℃(优选地，小于或等于33ppm/℃，除了0之外)。如果充满树脂连续层的线性膨胀系数超过了这个上限，那么它就和布线叠层的处于相同的水平，所述布线叠层主要由聚合材料制成，并且因此可能不会令人满意地获得上述效果。为了获得这样的线性膨胀系数，充满树脂连续层可以由这样的材料制成，所述材料在填料含量方面高于介电层。更加具体地，充满树脂连续层的填料含量可以设置在50到80wt％。

本发明提供了布线板的第二制造方法，所述布线板装备有：核心板，在所述核心板中，子核心容纳空间，其为与板状核心体的主表面相联系的通孔或在所述核心体的第一主表面中具有开口的凹陷，形成在所述核心体中，并且主要由陶瓷制成的板状陶瓷子核心容纳在所述子核心容纳空间中；以及布线叠层，其每个都是通过所述核心板的主表面中的每一个上交替层叠的树脂绝缘层和导体层形成，其特征在于包括按书写顺序执行的如下步骤：

通过所述子核心容纳空间的所述第一主表面侧的开口在所述子核心容纳空间中容纳所述陶瓷子核心的子核心容纳步骤；以及

膜形成和充满步骤：通过从所述第一主表面一侧将树脂材料粘贴到所述核心体和所述陶瓷子核心，形成所述第一主表面侧的布线叠层的最低树脂绝缘层，并且通过将所述树脂材料充满到所述核心体和所述陶瓷子核心之间的间隙中，形成与所述最低树脂绝缘层相连续的凹槽填充部分。

通过上述制造方法产生的根据本发明的布线板是这样的布线板，所述布线板装备有：核心板，在所述核心板中，子核心容纳空间，其为与板状核心体的主表面相联系的通孔或在所述核心体的第一主表面中具有开口的凹陷，形成在所述核心体中，并且主要由陶瓷制成的板状陶瓷子核心容纳在所述子核心容纳空间中；以及布线叠层，其每个都通过所述核心板的主表面中的每一个上交替层叠的树脂绝缘层和导体层形成，其特征在于：

填充所述核心体和所述陶瓷子核心之间的间隙的凹槽填充部分与所述第一主表面侧的布线叠层的最低树脂绝缘层相连续；以及

在所述最低树脂绝缘层中形成转接导体，用于所述第一主表面侧的布线叠层的所述单层的最低树脂绝缘层下面的所述核心体或所述陶瓷子核心的所述第一主表面上形成的导体图形和所述最低树脂绝缘层上形成的导体层之间的传导。

根据这种根据本发明的布线板的制造方法，第一主表面侧的布线叠层的最低树脂绝缘层以及填充核心体和陶瓷子核心之间的间隙的凹槽填充部分被一起形成，以便成为连续的并且相互构成整体。因此，上述充满树脂部分不是必须的。由于在陶瓷子核心上没有重叠地形成具有不同特性的两个层，所以能够令人满意地形成通孔。由于最低树脂绝缘层和凹槽填充部分是一起形成的，所以核心板上形成的最低树脂绝缘层给出了均匀的厚度分布。进一步，由于省略了传统过程中的注入填充树脂的步骤，所以制造过程能够被简化。更进一步，由于产生的布线板的最低树脂绝缘层和凹槽填充部分是连续的并且相互构成整体，所以核心板和布线叠层之间的附着力增加。由于陶瓷子核心被凹槽填充部分包围，所以核心体和陶瓷子核心之间的附着力增加。

本发明提供了布线板的第三制造方法，所述布线板装备有：核心板，在所述核心板中，子核心容纳空间，其为与板状核心体的主表面相联系的通孔，形成在所述核心体中，并且主要由陶瓷制成的板状陶瓷子核心容纳在所述子核心容纳空间中；以及布线叠层，其每个都是通过所述核心板的主表面中的每一个上交替层叠的树脂绝缘层和导体层形成，其特征在于包括按书写顺序执行的如下步骤：

在所述子核心容纳空间中容纳所述陶瓷子核心的子核心容纳步骤；以及

膜形成和充满步骤：通过从所述两个主表面侧将树脂材料顺序地粘贴到所述核心体和所述陶瓷子核心，形成所述两个各自主表面侧的所述布线叠层的最低树脂绝缘层，并且通过将所述树脂材料充满到所述核心体和所述陶瓷子核心之间的间隙中，形成与所述两个主表面侧的所述最低树脂绝缘层相连续的凹槽填充部分。

通过上述制造方法产生的根据本发明的布线板是这样的布线板，所述布线板装备有：核心板，在所述核心板中，子核心容纳空间，其为与板状核心体的主表面相联系的通孔，形成在所述核心体中，并且主要由陶瓷制成的板状陶瓷子核心容纳在所述子核心容纳空间中；以及布线叠层，其每个都通过所述核心板的主表面中的每一个上交替层叠的树脂绝缘层和导体层形成，其特征在于：

填充所述核心体和所述陶瓷子核心之间的间隙的凹槽填充部分，与所述各个布线叠层的最低树脂绝缘层相连续；以及

在所述最低树脂绝缘层中形成转接导体，用于所述两个主表面侧中每一个的所述布线叠层的所述单层的最低树脂绝缘层下面的所述核心体或所述陶瓷子核心的每个主表面上形成的导体图形和所述最低树脂绝缘层上形成的导体层之间的传导。

根据这种根据本发明的布线板的制造方法，两个主表面侧中每一个的布线叠层的最低树脂绝缘层以及填充核心体和陶瓷子核心之间的间隙的凹槽填充部分被形成以便成为连续的并且相互构成整体。因此，上述充满树脂部分不是必须的。由于在陶瓷子核心上没有重叠地形成具有不同特性的两个层，所以能够令人满意地形成通孔。由于凹槽填充部分是和至少一个最低树脂绝缘层一起形成的，所以核心板上形成的(一个或多个)最低树脂绝缘层给出了均匀的厚度分布。进一步，由于省略了传统过程中的注入填充树脂的步骤，所以制造过程能够被简化。更进一步，由于产生的布线板的每个主表面侧的最低树脂绝缘层和凹槽填充部分是连续的并且相互构成整体，所以核心板和布线叠层之间的附着力增加。由于陶瓷子核心被凹槽填充部分包围，所以核心体和陶瓷子核心之间的附着力增加。

根据本发明的布线板的第二或第三制造方法可以进一步包括在所述膜形成和充满步骤之后执行的下述步骤：在所述最低树脂绝缘层中形成转接导体，用于所述/每个布线叠层的所述单层的最低树脂绝缘层下面的所述核心体或所述陶瓷子核心的所述/每个主表面上形成的导体图形和所述最低树脂绝缘层上形成的导体层之间的传导。

在根据本发明的布线板的第二或第三制造方法中，所述膜形成和充满步骤可以包括以下步骤：

以这样的方式，形成第一最低树脂绝缘层作为所述第一主表面侧的布线叠层的所述最低树脂绝缘层，并且形成与所述第一最低树脂绝缘层相连续的第一凹槽填充部分，所述方式为，在从所述子核心容纳空间中的第二主表面侧支撑陶瓷子核心的状态下，所述子核心容纳空间为与所述核心体的所述主表面相联系的所述通孔，通过从所述第一主表面侧将树脂膜压力接合到所述核心体和所述陶瓷子核心，至少所述核心体和所述陶瓷子核心之间的所述间隙的第一主表面侧的部分被填充以所述第一凹槽填充部分；以及

以这样的方式，形成第二最低树脂绝缘层作为所述第二主表面侧的布线叠层的所述最低树脂绝缘层，并且形成与所述第二最低树脂绝缘层相连续的第二凹槽填充部分，所述方式为，在所述第一最低树脂绝缘层和所述第一凹槽填充部分从所述第一主表面侧支撑所述陶瓷子核心的状态下，通过从所述第二主表面侧将树脂膜压力接合到所述核心体和所述陶瓷子核心，所述核心体和所述陶瓷子核心之间的所述间隙的未被填充以所述第一凹槽填充部分的剩余部分，被填充以所述第二凹槽填充部分。

根据本发明的这种制造方法，通过从第一主表面侧压力接合树脂膜，第一最低树脂绝缘层和第一凹槽填充部分被一起形成，以便成为连续的并且相互构成整体。然后，通过从第二主表面侧压力接合树脂膜，第二最低树脂绝缘层和第二凹槽填充部分被一起形成，以便成为连续的并且相互构成整体。第一凹槽填充部分和第二凹槽填充部分一起组合成上述凹槽填充部分。以上述方式压力接合树脂膜，使得可以以这样的方式和第一或第二凹槽填充部分一起形成具有均匀厚度分布的第一或第二最低树脂绝缘层：它们是连续的并且相互构成整体。进而，将第一凹槽填充部分和第二凹槽填充部分一起组合成凹槽填充部分，能够既增加第一又增加第二主表面侧的陶瓷子核心的附着力。

在根据本发明的布线板的第二或第三制造方法中，在所述膜形成和充满步骤中，在第一最低树脂绝缘膜和第一凹槽填充部分尚未充分固化(为半凝固)的状态下，通过从第二主表面侧压力接合树脂膜，可以形成第二最低树脂绝缘层和第二凹槽填充部分。

根据本发明的这种制造方法，由于第二最低树脂绝缘层和第二凹槽填充部分可以在第一最低树脂绝缘膜和第一凹槽填充部分尚未充分固化(为半凝固)的状态下通过从第二主表面侧压力接合树脂膜而形成，所以第一凹槽填充部分和第二凹槽填充部分成为连续的并且相互构成整体，并从而变成凹槽填充部分。因此，核心板和布线叠层之间的附着力进一步增加。

在根据本发明的布线板的第二或第三制造方法中，制造方法可以进一步包括作为在所述子核心容纳步骤之前执行的步骤的以下步骤：用在一个表面上具有粘合剂的薄片，以粘合剂暴露在子核心容纳空间里面的方式，封闭作为与核心体的主表面相联系的通孔的子核心容纳空间的第二主表面侧的开口；并且在所述子核心容纳步骤中，可以通过以下方式从第二主表面侧支撑陶瓷子核心：通过子核心容纳空间的第一主表面侧的开口容纳陶瓷子核心，并且将陶瓷子核心固定到粘合剂。

根据本发明的这种制造方法，由于陶瓷子核心是通过将其固定到带有粘合剂的薄片而容纳在子核心容纳空间中的，所以陶瓷子核心能够在形成所述最低树脂绝缘层和所述(第一)凹槽填充部分之前被容易地并且准确地安置。

根据本发明的布线板的第二或第三制造方法可以进一步包括作为在所述子核心容纳步骤之前执行的步骤的以下步骤：仅在核心体的两个主表面上形成的导体图形之中的第一主表面侧的导体图形上执行用于增加对树脂材料的附着力的表面化学处理，以及以下步骤：通过用薄片封闭子核心容纳空间的第二主表面侧的开口，用粘合剂覆盖没有经受表面化学处理的第二主表面侧的导体图形，并且所述制造方法可以是这样的：

在所述子核心容纳步骤中，其中表面化学处理已仅在陶瓷子核心的两个主表面上形成的导体图形之中的第一主表面侧的导体图形上执行过的陶瓷子核心容纳在子核心容纳空间中；并且

在所述膜形成和充满步骤中，通过从第一主表面侧将树脂膜压力接合到核心体和陶瓷子核心而形成第一最低树脂绝缘层和第一凹槽填充部分的步骤，将薄片剥离核心体和陶瓷子核心的第二主表面并且在核心体上形成的第二主表面侧的导体图形和陶瓷子核心上形成的第二主表面侧的导体图形上同时执行表面化学处理的步骤，以及通过从第二主表面侧在核心体和陶瓷子核心上压力接合树脂膜而形成第二最低树脂绝缘层和第二凹槽填充部分的步骤，按照上述顺序执行。

在密封件通过使粘合剂接触经受了用于增加对树脂材料的附着力的表面化学处理(例如粗糙处理)的核心板或陶瓷子核心上的导体图形而被粘贴到核心体或陶瓷子核心的地方，密封件的粘贴可能造成下述情况：在密封件被剥离之后，导体图形丧失了表面化学处理的效果(例如，粗糙表面的凸凹不平被粘合剂抚平)。通过按照根据本发明的上述制造方法的顺序在核心体和陶瓷子核心上的导体图形上执行表面化学处理，能够避免这样的情况。

附图说明

图1是显示根据本发明第一实施例的布线板的构造的示意性截面图；

图2显示了布置在半导体集成电路器件(IC芯片)和主板(例如母板)之间的布线板；

图3显示了布线板的第一主表面；

图4显示了布线板的制造步骤；

图5显示了图4的制造步骤之后的制造步骤；

图6显示了图5的制造步骤之后的制造步骤；

图7显示了图6的制造步骤之后的制造步骤；

图8显示了图7的制造步骤之后的制造步骤；

图9(图9A和9B)是陶瓷子核心(叠片陶瓷电容器)的水平截面图；

图10显示了陶瓷子核心(叠片陶瓷电容器)的制造过程；

图11是步骤5(子核心容纳步骤)刚刚完成状态下的板的顶视图；

图12是显示根据本发明第二实施例的布线板的构造的示意性截面图；

图13(图13A和13B)是根据本发明的布线板的重要部分的放大图；

图14(图14A和14B)显示了传统布线板的制造过程；

图15显示了布线板的另一个制造过程的制造步骤；

图16显示了图15的制造步骤之后的制造步骤；

图17显示了图16的制造步骤之后的制造步骤；

图18显示了图17的制造步骤之后的制造步骤；

图19显示了图18的制造步骤之后的制造步骤；

图20显示了第一实施例的修改，其中，在陶瓷子核心中没有提供叠片陶瓷电容器；

图21显示了第二实施例的修改，其中，仅在陶瓷子核心的第一主表面一侧提供了叠片陶瓷电容器；

图22显示了薄膜电容器部分的制造步骤；

图23显示了图22的制造步骤之后的制造步骤；

图24(图24A和24B)是过程中的薄膜电容器部分的顶视图。

符号说明：

1A、1B、1C、1D：布线板

2：核心体

25：子核心容纳空间(通孔)

25A：第一主表面侧开口

25B：第二主表面侧开口

3：陶瓷子核心(叠片陶瓷电容器)

31：导体焊盘

32：穿透导体

33：陶瓷层

36、37：电极导体层

4：凹槽填充部分

6、65：转接导体

7：焊料凸起(电源端7a、接地端7b、信号端7s)

CB：核心板

CR：核心部分

L(L1、L2)：布线叠层

B：树脂绝缘层

B0、B10：第一主表面侧的布线叠层的最低树脂绝缘层

B11：邻近于最低树脂绝缘层的树脂绝缘层(相邻树脂绝缘层)

M：导体层

M11：核心体和陶瓷子核心的第一主表面上形成的导体图形

M12：最低树脂绝缘层(或相邻树脂绝缘层)上形成的导体层

C：半导体集成电路器件(IC芯片)

GB：主板(例如母板)

S：粘合剂薄片

101：连接核心体的内侧表面的顶端和陶瓷子核心的外侧表面的顶端的平面

102：位于核心体和陶瓷子核心之间的间隙之上的层表面

103：位于陶瓷子核心之上的层表面

104：位于核心体之上的层表面

具体实施方式

[第一实施例]

下面参考附图来说明根据本发明第一实施例的布线板。图1是显示根据第一实施例的布线板1A的构造的示意性截面图。在以下说明中，关于板状部件，附图中显示在上面的表面将被称作第一主表面WP1、MP1，并且显示在下面的表面将被称作第二主表面WP2、MP2。布线板1A在核心板CB中的焊料凸起7下面具有陶瓷子核心(叠片陶瓷电容器)3。缩短半导体集成电路器件(IC芯片)C和陶瓷子核心3之间的互连的长度的陶瓷子核心3的使用，有助于减少互连的电感部分，这在减少IC芯片C的开关噪声并且稳定其操作供电电压方面很重要。由于由陶瓷制成的并因此具有比由绝缘材料制成的核心体2具有更小的线性膨胀系数的陶瓷子核心3位于核心板CB中的焊料凸起7下面，所以布线板1A和IC芯片C的线性膨胀系数的差减少，并且因此布线板1A不易于由于热应力而线路断开或发生类似情况。随后将进行详细的说明。

图2显示了布置在IC芯片C和主板(例如母板)GB之间的布线板1A。IC芯片C在第二主表面上具有信号端、电源端和接地端，并且倒装芯片连接到形成在布线板1A的第一主表面WP1上的焊料凸起7(Pb-Sn、Sn-Ag、Sn-Sb或Sn-Zn焊料)。为了延长焊料凸起7的热疲劳寿命，IC芯片C和布线板1A的第一主表面WP1之间的间隔用未充满材料(under fill material)填充，所述未充满材料为热固树脂。另一方面，主板(例如母板)GB主要由通过填料加强的树脂材料制成，所述填料为陶瓷微粒或纤维，并且经由布线板1A的第二主表面WP2上形成的焊球BL连接到终端焊盘56(见图1)。

图3显示了布线板1A的第一主表面WP1。以点阵的形式(或者以交错的方式)布置焊料凸起7。在焊料凸起7之中，电源端7a和接地端7b以方格的形式布置在中心区域中，并且信号端7s围绕它们布置。焊料凸起7对应于IC芯片C的各个终端。

核心体2是耐热树脂板(例如双马来酰亚胺三嗪(bismaleimidetriazine)树脂板)或纤维加强树脂板(例如玻璃纤维加强环氧树脂板)的板状部件。布线图形(内层图形)可以形成在核心体2里面，在所述情况下布线板1A甚至能够在功能性方面增强。进而，核心体2可以通过在核心上层叠薄绝缘层而形成。子核心容纳空间(通孔)25形成在这样的区域中，所述区域包括焊料凸起7下面的区域，以便与主表面MP1和MP2相联系。板状陶瓷子核心3容纳在子核心容纳空间25中。这样一来就形成了核心板CB。

陶瓷子核心3是这样的叠片陶瓷电容器，在所述叠片陶瓷电容器中，多个陶瓷层33和多个电极导体层36或37交替层叠。电极导体层36的集合和电极导体层37的集合中的一个是对应于电源端7a的电源侧电极导体层，而另一个则是对应于接地端7b的接地侧电极导体层。同样地，电极导体层36和电极导体层37在层叠方向上交替布置，以便通过陶瓷层33相互隔开，并因此在DC的意义上相互隔离。金属化焊盘31连接到电源侧电极导体层或接地侧电极导体层，并且包围金属化焊盘31的屏障金属化层39形成在陶瓷子核心3的主表面MP1和MP2的每一个中。

更加具体地，如图9A的水平截面图中显示的那样，在电极导体层36在水平平面上延伸的层中，电极导体层36与穿透导体32隔离，所述穿透导体32连接到以陶瓷层33夹在中间的方式紧接着位于电极导体层36之上和之下的电极导体层37，并且间隙用陶瓷层33的连接部分填充。另一方面，如图9B所示，在电极导体层37在水平平面上延伸的层中，电极导体层37与穿透导体32隔离，所述穿透导体32连接到以陶瓷层33夹在中间的方式紧接着位于电极导体层37之上和之下的电极导体层36，并且间隙用陶瓷层33的连接部分填充。具有上述结构，陶瓷子核心3起到叠片陶瓷电容器的作用。

通过如下面说明的那样同时烧制陶瓷材料和金属材料，能够产生上述叠片陶瓷电容器。如图10所示，通过冲孔、激光孔形成或类似方法在包含陶瓷材料粉末(以成为陶瓷层33)的陶瓷基板中形成通孔。通过用印刷施加包含金属材料粉末的金属浆，通孔被填充(以形成穿透导体32的部分)，并且在陶瓷基板的一个主表面上形成将要成为电极导体层36或37或者金属化焊盘31和屏障金属化层39的图形。如此获得的陶瓷板单元3P被层叠在一起，并且烧制作为结果的层叠体，由此获得叠片陶瓷电容器。最终通过穿透导体32在层叠方向上互连的电极导体层36或37，在通过用印刷施加金属浆来形成它们的图形期间，被分开地形成。

陶瓷层33的陶瓷材料的例子为氧化铝、氮化硅、氮化铝以及通过添加诸如硼硅玻璃或硼硅铅玻璃之类的无机填料40到60重量份产生的玻璃陶瓷。金属化焊盘31、穿透导体32、电极导体层36和37以及屏障金属化层39的金属材料的例子为Ni或Ag基金属。金属化焊盘31和屏障金属化层39的表面镀有铜。

陶瓷子核心3是12.0mm×12.0mm×0.8mm(厚度)的方平板。优选地，陶瓷子核心3的厚度为0.2mm到1.0mm。如果厚度小于0.2mm，则当在顶部焊料凸起7上安装IC芯片C时，陶瓷子核心3不能可靠地支撑它。另一方面，如果厚度大于1.0mm，则布线板1A会太厚。陶瓷子核心3被沿着4个垂直边斜切。

返回到图1，陶瓷子核心3和核心体2之间的间隙，其为子核心容纳空间25的部分，用由树脂材料制成的凹槽填充部分4填充。凹槽填充部分4和形成在第一主表面MP1一侧的布线叠层L1的最低树脂绝缘层B0连续并构成整体。同样地，凹槽填充部分4用来将陶瓷子核心3固定到核心体2，并且通过它自己的弹性变形吸收陶瓷子核心3和核心体2的水平方向和厚度方向上的线性膨胀系数之间的差异。与最低树脂绝缘层B0连续并且构成整体，凹槽填充部分4在对于核心板CB和布线叠层L1的附着力方面很高。

在核心板CB的主表面MP1上提供的布线叠层L1，具有由树脂绝缘层B0和B11-B14以及导体层M11-M14组成的层叠结构。在核心板CB的主表面MP2上提供的布线叠层L2，具有由树脂绝缘层B21-B24和导体层M21-M24组成的层叠结构。

在核心板CB的第一主表面MP1上形成和凹槽填充部分4连续并且构成整体的最低树脂绝缘层B0。最低树脂绝缘层B0由与凹槽填充部分4相同的树脂材料制成。用最低树脂绝缘层B0覆盖核心板CB，使得可以通过最低树脂绝缘层B0的弹性变形来吸收陶瓷子核心3和布线叠层L1上安装的IC芯片C的(厚度方向上的)线性膨胀系数之间的差异。这防止了如陶瓷子核心3周围的互连的断开那样的麻烦。凹槽填充部分4和最低树脂绝缘层B0可以由这样的树脂制成，所述树脂通过向环氧树脂或如胺那样的树脂添加酸酐而产生。

树脂绝缘层B11-B14和B21-B24基本上由诸如环氧树脂之类的树脂材料制成，并且包含适当量的诸如硅石粉之类的无机填料，用于介电常数或介电击穿电压的调节。在树脂绝缘层B11-B14和B21-B24之中，树脂绝缘层B11-B13和B21-B23被称作内建层或经由层，并且用作导体层M11-M13或M21-M23之间的绝缘。通过树脂绝缘层B11-B14和B21-B24形成用于层间连接的转接导体6和多层穿透转接导体65。另一方面，树脂绝缘层B14和B24为阻焊层，并且形成有用于暴露焊盘55或56的孔。

尽管凹槽填充部分4和最低树脂绝缘层B0基本上由与树脂绝缘层B11-B14和B21-B24相同的环氧树脂制成，但是它们的线性膨胀系数通过改变无机填料的含量来调节。亦即，与树脂绝缘层B11-B14和B21-B24相比，凹槽填充部分4和最低树脂绝缘层B0在填料含量方面较高，并因此具有较小的线性膨胀系数。

更加具体地，尽管陶瓷子核心3和树脂绝缘层B11-B14与B21-B24的线性膨胀系数分别为3到13ppm/℃和40到50ppm/℃，但是最低树脂绝缘层B0的线性膨胀系数小于或等于32ppm/℃(除了0之外)。(特别地，在打算在线性膨胀系数方面用陶瓷子核心3匹配最低树脂绝缘层B0的情况下，优选地最低树脂绝缘层B0的线性膨胀系数小于或等于25ppm/℃。)为了获得这样的线性膨胀系数，最低树脂绝缘层B0的填料含量可以设置在53到80wt％。(特别地，在打算在线性膨胀系数方面用陶瓷子核心3匹配最低树脂绝缘层B0的情况下，优选地最低树脂绝缘层B0的填料含量高于或等于70wt％。)

核心体2和陶瓷子核心3很少在高度方面完全相同。通常，任一个高，如图13A和13B所示，并且因此连接核心体2的内侧表面的顶端25A(亦即第一主表面MP1一侧的开口)和陶瓷子核心3的外侧表面的顶端35A的平面101，从核心体2的第一主表面MP1倾斜。另一方面，由于最低树脂绝缘层B0是通过用树脂浆印刷形成的(稍后详细说明)，所以最低树脂绝缘层B0被平整，以致它的位于核心体2和陶瓷子核心3之间的间隙之上的表面102从核心体2的第一主表面MP1的倾斜度被做得接近于零。由于最低树脂绝缘层B0被如此平整，所以上覆的树脂绝缘层B11-B14同样能够被平整。同样地，分别位于陶瓷子核心3和核心体2之上的最低树脂绝缘层B0的那些表面103和104同样被做得基本上平行于核心体2的第一主表面MP1(亦即，表面103和104的倾斜度被做得接近于零)。

能够关于核心体2的第一主表面MP1定义倾斜度。亦即，位于核心体2和陶瓷子核心3之间的间隙之上的表面102、位于陶瓷子核心3之上的表面103以及位于核心体2之上的表面104的倾斜度，被定义为通过作为表面102-104出现在平行于布线板1A的厚度方向截取的横截面中的直线和作为核心体2的第一主表面MP1出现在相同的横截面中的直线形成的角度。同样地，连接核心体2的内侧表面的顶端25A和陶瓷子核心3的外侧表面的顶端35A的平面101的倾斜度，被定义为通过作为平面101出现在平行于布线板1A的厚度方向截取的横截面中的直线和作为核心体2的第一主表面MP1出现在相同的横截面中的直线形成的角度。

平面是通过经过点和法向矢量(亦即垂直于平面的矢量)定义的。因此，通过确定规定的基准位置，位于核心体2和陶瓷子核心3之间的间隙之上的表面102、位于陶瓷子核心3之上的表面103、位于核心体2之上的表面104以及连接核心体2的内侧表面的顶端25A和陶瓷子核心3的外侧表面的顶端35A的平面101的平面(从核心体2的第一主表面MP1的)倾斜度，被分别定义为通过表面102-104与平面101的法向矢量和核心体2的第一主表面MP1的法向矢量形成的角度。

导体层M11-M14和M21-M24由镀Cu形成的互连51和53、焊盘55和56等等组成。转接导体6和65用作导体层M11-M14和M21-M24之间的层间连接，由此形成从焊盘55到焊盘56的传导路径(用于信号传输、电力供应和接地)。焊盘55和56被提供用于形成焊料凸起7或焊球BL，并且它们的表面是镀Ni-Au的。

特别地，转接导体65为多层穿透转接导体，其穿透两个层，亦即最低树脂绝缘层B0和相邻树脂绝缘层B11。同样地，转接导体65将陶瓷子核心3的第一主表面MP1上形成的导体焊盘31(导体层M11)连接到相邻树脂绝缘层B11上形成的导体层M12。

通过核心板CB的核心体2以及树脂绝缘层B0、B11和B21形成通孔，并且在通孔的内表面上形成用于布线叠层L1和L2之间的传导的通孔导体21。通孔导体21对应于各个信号端7s。通孔导体21的内部空间被填充以树脂孔填充材料23，其为包含诸如硅石填料之类的无机填料的环氧树脂，并且在每个通孔导体21的两个末端处提供镀Cu形成的盖导体52。从导体层M12延伸到导体层M22并且具有作为主要部分的核心基片CB的布线板1A的那个部分被称作“核心部分CR”。

下一步，将参考附图说明根据本发明实施例的布线板的制造方法。图4-8显示了布线板1A的制造方法。

在步骤1，在核心体2的两个主表面MP1和MP2上形成导体图形54(导体层M11和M21)。为此目的，使用覆铜箔叠层，其中，35μm厚的铜箔被粘贴到400mm×400mm×0.8mm(厚度)的耐热树脂板(例如双马来酰亚胺三嗪树脂板)或纤维加强树脂板(例如玻璃纤维加强环氧树脂板)的两个主表面。使用掩模将铜箔蚀刻成导体图形54。

在步骤2，通过刳刨机形成与主表面MP1和MP2相联系的作为子核心容纳空间25的通孔。作为子核心容纳空间25的通孔是具有其每个边都为14.0mm的基本上方形截面的孔。子核心容纳空间(通孔)25的壁沿着4个壁连接线形成有圆角。通过使用高锰酸钾或类似物使子核心容纳空间25的侧面经受粗糙处理，能够增加对稍后充满的凹槽填充部分4的附着力。进而，可以向侧面施加有机化合物(偶联剂)。

在步骤3(粗糙步骤)，仅在核心体2的两个主表面MP1和MP2上形成的导体图形54之中的第一主表面MP1上形成的导体图形54上，执行用于增加对树脂材料的附着力的表面化学处理。这种表面化学处理的例子是用于使铜表面粗糙的Cu粗糙处理(例如已知的微蚀刻处理或黑化处理)。粗糙化铜表面通过粘固效应增加了对于布线叠层L1的最低树脂绝缘层B0的附着力。为了充分地获得这种效果，优选地执行Cu粗糙处理，以便JIS-B-0601 10点平均粗糙度(Rz)变为大约0.3到20μm。在Cu粗糙处理之后执行清洁处理。如果必要的话，可以通过使用硅烷偶联剂来执行偶联处理。

表面化学处理的另一个例子是在铜表面上形成包括Cu和Sn的合金的非常薄的粘附层的处理。这种处理能够获得足够的对于布线叠层L1的最低树脂绝缘层B0的附着力，而不需要使铜表面粗糙。更加具体地，粘附层包括Cu、Sn以及第三金属(从Ag、Zn、A1、Ti、Bi、Cr、Fe、Co、Ni、Pd、Au和Pt中选择的至少一种金属)的合金。例如，粘附层包括大约1到50at.％的Cu、大约20到98at.％的Sn以及大约1到50at.％的第三金属。为了获得充分的粘附效果，优选地粘附层的厚度为0.001到1μm。

在步骤4(封闭步骤)，通过在一个表面上具有粘合剂ad的粘合片S，以粘合剂ad暴露于子核心容纳空间25的里面的方式，封闭子核心容纳空间25的第二主表面MP2侧的开口25B。优选地粘合片S的粘合剂ad具有高于或等于8.0N/25mm的粘合强度(通过180°剥离方法(JIS Z 0237)测量)。单位“N/25mm”是指通过25mm宽的粘合片样品上的测量获得的力。粘合片S(基底)可以是聚酯、聚酰亚胺、PET或类似物的树脂片。例如，在粘合片S的一个表面上提供的粘合剂ad可以是有机硅粘合剂、丙烯酸粘合剂、热塑橡胶粘合剂或类似物。

在步骤5(子核心容纳步骤)，陶瓷子核心3通过子核心容纳空间25的第一主表面MP1侧的开口25A被插入到它里面，并且被固定到粘合剂ad。结果，陶瓷子核心3被从第二主表面MP2侧支撑。陶瓷子核心3能够通过使用安装设备而被准确地容纳。

在这个步骤容纳的陶瓷子核心3是这样的：只有它的第一主表面MP1上提供的金属化焊盘31和导体图形39已事先经受了Cu粗糙处理。如图5所示，粘合片S的粘合剂ad粘附到了核心体2的第二主表面MP2上提供的导体图形54以及陶瓷子核心3的第二主表面MP2上提供的金属化焊盘31和导体图形39。然而，由于这些焊盘和图形并未经受Cu粗糙处理，所以没有发生粘合剂ad被埋入粗糙表面的凸凹不平中的现象。

如图11(顶视图)所示，在多产品制造板R上执行布线板1A的制造过程，所述多产品制造板R由以下组成：产品区PR，在所述产品区PR中布置要成为布线板1A的多个产品部分；以及边缘区DR，其包围产品区PR。图11显示完成步骤5之后的状态，亦即陶瓷子核心3已刚刚容纳在子核心容纳空间25中的状态。在核心体2和陶瓷子核心3之间形成间隙。在下一个步骤中，在形成最低树脂绝缘层B0期间将会用树脂材料填充间隙，并从而形成凹槽填充部分4。子核心容纳空间25和陶瓷子核心3具有方形形状。为了避免在间隙中形成凹槽填充部分4时在其中产生裂缝的现象，子核心容纳空间25的壁沿着壁连接线形成有圆角，并且陶瓷子核心3的相应边缘被斜切。

在步骤6(印刷步骤)，通过使用橡胶滚轴SK从陶瓷子核心3和核心体2的第一主表面MP1一侧压印树脂浆4P，将树脂浆4P充满到陶瓷子核心3和核心体2之间的间隙中(形成充满树脂部分)。使用橡胶滚轴SK的压印使得树脂浆4P充满到陶瓷子核心3和核心体2之间的间隙中而不形成空隙。在这个压印中，树脂浆4P直接在陶瓷子核心3和核心体2的第一主表面MP1上印刷而不介入任何掩模。因此，在用树脂浆4P填充陶瓷子核心3和核心体2之间的间隙的同时，陶瓷子核心3和核心体2的第一主表面MP1整个地被与充满树脂部分连续并且构成整体的层所覆盖(亦即，形成要成为最低树脂绝缘层B0的层)。树脂浆4P的如此形成的充满部分和覆盖层通过加热和干燥而被凝固(固化)，由此形成凹槽填充部分4和最低树脂绝缘层B0。

参考图11，在步骤6，树脂浆4P沉积在边缘区DR的位于陶瓷子核心3一侧的部分上，并且通过橡胶滚轴SK(见图6)朝向边缘区DR的位于陶瓷子核心3另一侧的另一个部分移动，由此将树脂浆4P充满到陶瓷子核心3和核心体2之间的间隙中，并且形成整个地覆盖陶瓷子核心3和核心体2的第一主表面MP1的层。

例如，树脂浆4P的粘度在室温(例如25℃)到120℃的温度范围内设置在大约6(优选地为30)到57Pa·s。为了获得这样的粘度，树脂浆4P的填料含量可以设置在53(优选地为70)到80wt％。树脂浆4P可以是通过向环氧树脂或如胺那样的树脂添加酸酐而产生的树脂。

在通过利用加热和干燥树脂浆4P使其凝固(固化)而形成凹槽填充部分4和最低树脂绝缘层B0之后，通过使用高锰酸钾或类似物执行粗糙处理，能够增加对于稍后形成的树脂绝缘层B11和B21的附着力。

在步骤7以及随后的步骤中，通过以下方式形成布线叠层L1和L2：在陶瓷子核心3容纳在其中的核心板CB的第一主表面MP1(更加具体地即最低树脂绝缘层B0)上，交替层叠导体层M12-M14和树脂绝缘层B11-B14；以及在核心板CB的第二主表面MP2上，交替层叠导体层M22-M24和树脂绝缘层B21-B24。这能够通过已知的内建过程(半叠加(semi-additive)方法、光刻技术等等的组合)进行。

在步骤7，分别在陶瓷子核心3容纳在其中的核心板CB的第一主表面MP1(更具体地即最低树脂绝缘层B0)和第二主表面MP2上，层叠树脂绝缘层B11和B21。

在步骤8，在第一主表面MP1一侧，通过诸如激光穿孔过程或光刻穿孔过程之类的技术形成多层穿透通孔65a以便穿透最低树脂绝缘层B0和相邻树脂绝缘层B11。在第二主表面MP2一侧，在树脂绝缘层B21中形成通孔6a。结果，导体焊盘31部分地暴露在通孔6a和多层穿透通孔65a的底部。在形成通孔6a和多层穿透通孔65a之后，通过使用高锰酸钾或类似物的去污处理(亦即用于去除树脂残留物的处理)清洁导体焊盘31的表面。

在步骤9，用钻孔机或类似物形成通孔TH，以便在厚度方向上穿透核心板CB以及核心板CB的主表面MP1和MP2上形成的导体层M11与M21和树脂绝缘层B0、B11与B21。在步骤10，在整个表面上执行Cu镀(在无电Cu镀之后执行Cu电镀)，由此分别在通孔6a和多层穿透通孔65a中形成转接导体6和多层穿透转接导体65，并且在通孔TH的内表面上形成通孔导体21。

在步骤11，将树脂孔填充材料23充满到由通孔导体21包围的空间中，然后在整个表面上执行Cu镀以形成盖导体52。在步骤12，覆盖树脂绝缘层B11和B21的镀Cu层被蚀刻成互连51等的图形。这样一来就获得了核心部分CR。然后，以与上述相同的方式，交替层叠树脂绝缘层B12-B14和导体层M13与M14，并且交替层叠树脂绝缘层B22-B24和导体层M23与M24。通过诸如激光穿孔过程或光刻穿孔过程之类的技术在树脂绝缘层B14和B24中形成孔，由此焊盘55和56被部分地暴露。在焊盘55和56的表面上执行Ni-Au镀，并且在焊盘55上形成焊料凸起7。随后，执行诸如电气测试和外观测试之类的规定测试，由此完成图1的布线板1A。

[第二实施例]

参考附图来说明根据本发明第二实施例的布线板。图12是显示根据第二实施例的布线板1B的构造的示意性截面图。以下说明将主要针对指出和根据第一实施例的布线板1A相比的不同，并且这样的组成部分，所述组成部分具有第一实施例中的相同或相应组成部分，将被给予与后者相同的参考符号而且不再说明。

根据第二实施例的布线板1B不具有根据第一实施例的布线板1A的相邻树脂绝缘层B11。亦即，在第一主表面MP1侧的布线板L1中，转接导体6仅穿透最低树脂绝缘层B10，并且将陶瓷子核心3的第一主表面MP1上形成的导体焊盘31(传导层M11)连接到最低树脂绝缘层B10上形成的传导层M12。

为了制造布线板1B，在步骤7(见图7)，只有树脂绝缘层B21层叠在核心板CB的第二主表面MP2上。

进而，为了制造布线板1B，上述步骤6和随后的步骤被改变成将在下面说明的步骤6’-14’。

步骤6’-8’是膜形成和充满步骤。首先，在步骤6’，如图15所示，在陶瓷子核心3在子核心容纳空间25中从第二主表面MP2侧由粘合片S支撑的状态下，从第一主表面MP1侧将树脂膜91压力接合到核心体2和陶瓷子核心3。结果，形成第一主表面MP1侧的布线叠层L1的最低树脂绝缘层B10，并且形成第一凹槽填充部分41，其填充核心体2和陶瓷子核心3之间的间隙的第一主表面MP1侧的部分，并且与最低树脂绝缘层B10相连续。

树脂膜91，其为具有脱模片92的树脂膜9的部分，通过根据真空层叠方法操作的层压机，在低压气氛中被压力接合到核心体2和陶瓷子核心3的第一主表面MP1。通过层压机的加热/挤压辊执行压力接合。结果，部分的树脂膜91被充满到核心体2和陶瓷子核心3之间的间隙的第一主表面MP1侧的部分(例如近似一半部分)中，并且成为第一凹槽填充部分41。第一凹槽填充部分41未形成在其中的剩余的第二主表面MP2侧的部分4S，将在稍后的步骤填充。根据这种方法，正在充满的第一凹槽填充部分41停止在间隙中的一半，并且因此没有进入第二主表面MP2一侧。

具有脱模片92的树脂膜9的树脂膜91为大约100μm厚，并且比将要在层叠其他树脂绝缘层B12、B13、B22和B23期间使用的树脂膜厚，因为有必要形成第一凹槽填充部分41。更加具体地，树脂膜91比尚未凝固的树脂绝缘层B10厚大约1.5到2倍，比最终形式的树脂绝缘层B10厚大约3到4倍，并且比陶瓷子核心3厚大约10％到20％。

在步骤7’，如图16所示，粘附到核心体2和陶瓷子核心3的第二主表面MP2的粘合片S被剥离。在粘合片S已被剥离之后，用诸如醇溶剂(IPA)之类的有机溶剂去除粘合剂ad的残留物。然后，为了增加对于稍后形成的树脂绝缘层B21的附着力，在核心体2的第二主表面MP2上形成的导体图形54以及陶瓷子核心3的第二主表面MP2上形成的导体图形(金属化焊盘31和屏障金属化层39)上，执行Cu粗糙处理。

在步骤8’，如图17所示，在陶瓷子核心3从第一主表面MP1侧由树脂绝缘层B10和第一凹槽填充部分41支撑的状态下，从第二主表面MP2侧将树脂膜91压力接合到核心体2和陶瓷子核心3。结果，形成第二主表面MP2侧的布线叠层L2的最低树脂绝缘层B21，并且形成第二凹槽填充部分42，其与最低树脂绝缘层B21相连续，并且填充核心体2和陶瓷子核心3之间的间隙的剩余部分4S(亦即未被第一凹槽填充部分41填充的部分)。

以如进行第一主表面MP1侧的树脂膜91那样的相同的方式压力接合第二主表面MP2侧的树脂膜91。亦即，树脂膜91，其为具有脱模片92的树脂膜9的部分，通过根据真空层叠方法操作的层压机，在低压气氛中被压力接合。在第一主表面MP1侧的树脂绝缘层B10和第一凹槽填充部分41尚未充分固化(为半凝固)的状态下压力接合树脂膜91。使用这种测量，在步骤9’，如图18所示，当完全凝固时，第一凹槽填充部分41和第二凹槽填充部分42相互构成整体成为凹槽填充部分4，其完全填充核心体2和陶瓷子核心3之间的间隙。对应于步骤9’的图18的顶部显示了从树脂膜91去除脱模片92之前的状态。

在步骤10’以及随后的步骤中，通过以下方式形成布线叠层L1和L2：在树脂绝缘层B10上交替层叠导体层M12-M14和树脂绝缘层B12-B14，并且在树脂绝缘层B21上交替层叠导体层M22-M24和树脂绝缘层B22-B24。这能够通过已知的内建过程(半叠加方法、光刻技术等等的组合)进行。

在步骤10’，通过诸如激光穿孔过程或光刻穿孔过程之类的技术在最低树脂绝缘层B10和B21中形成通孔6a。结果，金属化焊盘31部分地暴露在通孔6a的底部。在形成通孔6a之后，通过使用高锰酸钾或类似物的去污处理(亦即用于去除树脂残留物的处理)清洁金属化焊盘31的表面。能够令人满意地执行通孔6a的形成和去污处理，因为只有一个层(亦即树脂绝缘层B10或B21)形成在金属化焊盘31上，亦即，在金属化焊盘31上没有形成具有不同特性的多个树脂绝缘层。

在步骤11’，用钻孔机或类似物形成通孔TH，以便在厚度方向上穿透核心板CB以及核心板CB的主表面MP1和MP2上形成的导体层M11与M21和树脂绝缘层B10与B21。在步骤12’，在整个表面上执行Cu镀(在无电Cu镀之后执行Cu电镀)，由此在通孔6a中形成转接导体6，并且在通孔TH的内表面中形成通孔导体21。在步骤13’，将树脂孔填充材料23充满到由通孔导体21包围的空间中，然后在整个表面上执行Cu镀以形成盖导体52。在步骤14’，覆盖树脂绝缘层B10和B21的镀Cu层被蚀刻成互连51等的图案。

这样一来就获得了核心部分CR。然后，以与上述相同的方式，交替层叠树脂绝缘层B12-B14和导体层M13与M14，并且交替层叠树脂绝缘层B22-B24和导体层M23与M24。通过诸如激光穿孔过程或光刻穿孔过程之类的技术在树脂绝缘层B14和B24中形成孔，由此焊盘55和56被部分地暴露。在焊盘55和56的表面上执行Ni-Au镀，并且在焊盘55上形成焊料凸起7。随后，执行诸如电气测试和外观测试之类的规定测试，由此完成图12的布线板1B。

上述第一实施例(图1)和第二实施例(图12)针对整个陶瓷子核心3是叠片陶瓷电容器的情况，本发明并不限于这样的情况。例如，布线板可以是这样的：在陶瓷子核心3中没有提供叠片陶瓷电容器(见图20中显示的布线板1C)或者是这样的：叠片陶瓷电容器被提供以便只占用陶瓷子核心3的第一主表面MP1侧的部分(见图21中显示的布线板1D)。陶瓷子核心3可以是这样的陶瓷电容器，在所述陶瓷电容器中，在基片(不限于陶瓷基片)上形成陶瓷材料的薄膜。

例如，通过图22-24中显示的过程能够制造图21中显示的薄膜电容器部分3c。在陶瓷基底34上形成薄膜电容器部分3c。如上所述，通过以下方式产生陶瓷基底34：层叠并烧制包含陶瓷材料粉末的已知陶瓷基板，其中，在通过冲孔、激光孔形成或类似方法形成的通孔中充满金属粉末浆。

首先，在步骤C1，在陶瓷基底34的一个主表面上形成金属薄膜367。在步骤C2，包围电源或接地穿透导体32的金属薄膜367的那些部分(每个都被成形为如炸面圈一样)被蚀刻掉，由此穿透导体32与电极导体薄膜36分开。图24A是这种状态下的过程中薄膜电容器部分的顶视图。在步骤C3，例如通过溶胶-凝胶方法形成介电薄膜38，以便覆盖整个电极导体薄膜36。在步骤C4，在对应于穿透导体32的位置处的介电薄膜38中形成孔。在步骤C5，以与步骤C1相同的方式形成金属薄膜367。在步骤C6，包围不同于步骤C2的上述说明中提到的那些的穿透导体32的金属薄膜367的那些部分(每个都被成形为如炸面圈一样)被蚀刻掉，由此穿透导体32与电极导体薄膜37分开。图24B是这种状态下的过程中薄膜电容器部分的顶视图。通过重复上述步骤产生多个介电薄膜38和多个电极导体薄膜36或37在其中交替层叠的结构。

上面已说明了本发明的实施例。然而，本发明并不限于这些实施例，并且能够在等同的范围之内以适当修改的形式实施。

本申请基于2005年6月3日提交的日本专利申请JP 2005-163673、2005年10月6日提交的日本专利申请JP 2005-293806以及2006年3月28日提交的日本专利申请JP 2006-87569，其整体内容在此并入作为参考，如同详细阐明了一样。

Claims (4)

1.一种用于制造布线板的方法，所述布线板装备有：核心板(CB)，在所述核心板中，为与核心体(2)的上面和下面的第一和第二主表面(MP1，MP2)相联系的通孔的子核心容纳空间(25)形成在所述核心体(2)中，并且陶瓷子核心(3)容纳在所述子核心容纳空间(25)中；以及布线叠层(L1，L2)，其每个都是通过所述核心板(CB)的第一和第二主表面(MP1，MP2)的每一个上交替层叠的树脂绝缘层和导体层形成，所述方法包括按书写顺序执行的如下步骤：

在所述子核心容纳空间(25)中容纳所述陶瓷子核心(3)的子核心容纳步骤；

所述方法的特征还在于：

膜形成和充满步骤：通过从所述两个主表面(MP1，MP2)侧将树脂膜(91)顺序地粘贴且压力接合到所述核心体(2)和所述陶瓷子核心(3)，形成所述两个各自主表面侧上的所述布线叠层(L1，L2)的平坦的最低树脂绝缘层(B0，B10)，并且通过将所述树脂膜(91)充满到所述核心体(2)和所述陶瓷子核心(3)之间的间隙中，形成与所述两个主表面侧的所述最低树脂绝缘层(B0，B10)相连续并构成整体的凹槽填充部分(4)，并且所述平坦的最低树脂绝缘层(B0，B10)连续地形成在所述两个主表面侧并与所述两个主表面(MP1，MP2)相邻。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述膜形成和充满步骤包括以下步骤：

以如下方式形成第一最低树脂绝缘层作为所述第一主表面侧的布线叠层的所述最低树脂绝缘层，并且形成与所述第一最低树脂绝缘层相连续的第一凹槽填充部分(41)：在从所述子核心容纳空间(25)中的第二主表面侧支撑陶瓷子核心(3)的状态下，所述子核心容纳空间为与所述核心体(2)的所述主表面(MP1，MP2)相联系的所述通孔，通过从所述第一主表面侧将树脂膜压力接合到所述核心体(2)和所述陶瓷子核心(3)，至少所述核心体(2)和所述陶瓷子核心(3)之间的所述间隙的第一主表面侧的部分被填充以所述第一凹槽填充部分(41)；以及

以如下方式形成第二最低树脂绝缘层作为所述第二主表面侧的布线叠层的所述最低树脂绝缘层，并且形成与所述第二最低树脂绝缘层相连续的第二凹槽填充部分(42)：在所述第一最低树脂绝缘层和所述第一凹槽填充部分(41)从所述第一主表面侧支撑所述陶瓷子核心(3)的状态下，通过从所述第二主表面侧将树脂膜压力接合到所述核心体(2)和所述陶瓷子核心(3)，所述核心体(2)和所述陶瓷子核心(3)之间的所述间隙的未被填充以所述第一凹槽填充部分的剩余部分被填充以所述第二凹槽填充部分(42)。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述膜形成和充满步骤中，在所述第一最低树脂绝缘膜和所述第一凹槽填充部分(41)尚未充分固化的状态下，通过从所述第二主表面侧压力接合所述树脂膜，形成所述第二最低树脂绝缘层和所述第二凹槽填充部分(42)。

4.根据权利要求2所述的方法，其中：

所述制造方法进一步包括在所述子核心容纳步骤之前执行的以下步骤：用在一个表面上具有粘合剂(ad)的薄片(S)，以所述粘合剂(ad)暴露在所述子核心容纳空间(25)里面的方式，封闭作为与所述核心体(2)的所述主表面(MP1，MP2)相联系的所述通孔的所述子核心容纳空间(25)的第二主表面侧的开口(25B)；并且

在所述子核心容纳步骤中，通过以下方式从所述第二主表面侧支撑所述陶瓷子核心(3)：通过所述子核心容纳空间(25)的所述第一主表面侧的开口(25A)容纳所述陶瓷子核心(3)，并且将所述陶瓷子核心(3)固定到所述粘合剂(ad)。

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