JP5304644B2 - フォトマスク用基板、フォトマスク用基板の成形部材、フォトマスク用基板の製造方法、フォトマスク、およびフォトマスクを用いた露光方法 - Google Patents
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Description
図7は第1実施形態に係るフォトマスク用基板の製造方法を示す概略図である。まず、対向する二面が実質的に平行で、厚さが実質的に均一な石英ガラス製板状部材を用意する。対向する二面は矩形であって、その大きさは縦、横の長さがそれぞれ1220mmおよび1400mmであり、厚さは13mmである。この石英ガラス製板状部材の両面に対して研磨加工を行なう。石英ガラス製板状部材71は、対向する二面のうちの一方としてマスクパターンを形成すべき第1面71aと、他方として第1面と対向する第2面71bと、を備える。
第1実施形態と同じ石英ガラス製の板状部材を用意し、第1実施形態で用いた手順と同様の手順で研磨加工を行なう。
第1実施形態と同じ石英ガラス製の板状部材71を用意し、第1実施形態で用いた手順と同様の手順で研磨加工を行なう。
図8は第4実施形態に係るフォトマスク基板の製造方法を示す概略図である。
本実施形態では、フォトマスクの製造方法について図9を用いて説明する。
本実施形態は、第1〜第3実施形態に係るフォトマスクを用いた液晶パターンの露光方法に関するものである。図10を用いて説明する。
本実施形態は、実施形態に係るフォトマスク1〜3の何れかをフォトマスクMをして用いた液晶パターンの露光方法に関するものである。図13を用いて説明する。
Claims (33)
- 厚さが実質的に均一の板状部材からなるフォトマスク用基板であって、
連続的な曲面からなる、マスクパターンを形成すべき第1面と、前記第1面と対向する第2面と、を備え、
前記第1面は、相対向する一対の第1組の辺と当該第1組の辺を連結するように延びる相対向する一対の第2組の辺とからなる四角形状を呈し、前記第1組の各辺に沿った端部に前記フォトマスク用基板が支持されるための支持部を有し、
前記フォトマスク用基板を、前記第1面が実質的に鉛直な状態となるように保持したときに、
前記フォトマスク用基板の重心を通り且つ前記フォトマスク用基板の厚さ方向に延びる軸線が前記第1面と交わる点を前記第1面の中心点とし、
前記中心点における前記第1面の接平面と平行な参照平面を、前記フォトマスク用基板に対し前記第2面より前記第1面に近い側において定義した場合、
前記第1面の中心点と前記参照平面との間の前記厚さ方向に沿った第1の距離が、前記第2組の各辺の中点と前記参照平面との間の前記厚さ方向に沿った第2の距離よりも短く、前記第2組の各辺において、当該辺の前記第1組の辺側の部分と前記参照平面との間の前記厚さ方向に沿った距離が、前記第2の距離よりも短いことを特徴とするフォトマスク用基板。 - 前記フォトマスク用基板を、前記第1面が実質的に鉛直な状態となるように保持したときに、
前記第1組の各辺の中点と前記参照平面との間の前記厚さ方向に沿った距離が、前記第1の距離と実質的に同一であることを特徴とする請求項1に記載のフォトマスク用基板。 - 前記フォトマスク用基板を、前記第1面が実質的に鉛直な状態となるように保持したときに、
前記第1組の各辺の中点と前記参照平面との間の前記厚さ方向に沿った距離が、前記第1の距離より短いことを特徴とする請求項1又は2に記載のフォトマスク用基板。 - 厚さが実質的に均一の板状部材からなるフォトマスク用基板であって、
連続的な曲面からなる、マスクパターンを形成すべき第1面と、前記第1面と対向する第2面と、を備え、
前記第1面は、相対向する一対の第1組の辺と当該第1組の辺を連結するように延びる相対向する一対の第2組の辺とからなる四角形状を呈し、前記第1組の各辺に沿った端部に前記フォトマスク用基板が支持されるための支持部を有し、
前記フォトマスク用基板を、前記第1面が実質的に鉛直な状態となるように保持したときに、
前記フォトマスク用基板の重心を通り且つ前記フォトマスク用基板の厚さ方向に延びる軸線が前記第1面と交わる点を前記第1面の中心点とし、
前記中心点における前記第1面の接平面と平行な参照平面を、前記フォトマスク用基板に対し前記第2面より前記第1面に近い側において定義した場合、
前記第1面の中心点と前記参照平面との間の前記厚さ方向に沿った第1の距離が、前記第2組の各辺の中点と前記参照平面との間の前記厚さ方向に沿った第2の距離よりも短く、前記第1組の各辺の中点と前記参照平面との間の前記厚さ方向に沿った距離が、前記第1の距離より短いことを特徴とするフォトマスク用基板。 - 前記フォトマスク用基板を、前記第1面が実質的に鉛直な状態となるように保持したときに、
前記第1組の各辺上の何れの点についても、当該第1組の辺上の点と前記参照平面との間の前記厚さ方向に沿った距離が実質的に同一であることを特徴とする請求項4に記載のフォトマスク用基板。 - 請求項1〜5の何れか一項に記載のフォトマスク用基板であって、
前記第1面と前記第2面とを識別するためのマークを備えていることを特徴とするフォトマスク用基板。 - 請求項1〜6の何れか一項に記載のフォトマスク用基板であって、
前記基板は石英ガラスからなることを特徴とするフォトマスク用基板。 - 請求項1〜7の何れか一項に記載のフォトマスク用基板を用いて作成されたフォトマスクであって、
前記第1面にマスクパターンが形成されており、
前記第2面側から露光光が投射されるように前記支持部において露光装置に支持されることを特徴とするフォトマスク。 - 請求項8に記載のフォトマスクに形成されたマスクパターンをウェハ上に露光する露光方法であって、
前記フォトマスクのマスクパターンが形成された面とは反対側の面から露光光が投射され、前記マスクパターンが形成された面が前記ウェハ側に向くように、前記支持部が露光装置のフォトマスク支持部材により支持された状態で露光を行なうことを特徴とする露光方法。 - 板状部材を成形してフォトマスク用基板を成形する成形部材であって、
連続的な曲面からなり、相対向する一対の第1組の辺と当該第1組の辺を連結するように延びる相対向する一対の第2組の辺とからなる四角形状を呈する、前記板状部材を成形するための成形面を備え、
前記第1組の各辺の中点を結ぶ直線と前記第2組の各辺の中点を結ぶ直線との交点を前記成形面の中心点とし、
前記中心点における前記成形面の接平面と平行な参照平面を、前記成形面に対し前記成形部材から遠ざかる側において定義した場合、
前記成形面の中心点と前記参照平面との間の前記接平面の法線方向に沿った第1の距離が、前記第2組の各辺の中点と前記参照平面との間の前記法線方向に沿った第2の距離よりも短く、前記第2組の各辺において、当該辺の前記第1組の辺側の部分と前記参照平面との間の前記法線方向に沿った距離が、前記第2の距離よりも短いことを特徴とするフォトマスク用基板の成形部材。 - 前記第1組の各辺の中点と前記参照平面との間の前記法線方向に沿った距離が、前記第1の距離と実質的に同一であることを特徴とする請求項10に記載のフォトマスク用基板の成形部材。
- 前記第1組の各辺の中点と前記参照平面との間の前記法線方向に沿った距離が、前記第1の距離より短いことを特徴とする請求項10又は11に記載のフォトマスク用基板の成形部材。
- 板状部材を成形してフォトマスク用基板を成形する成形部材であって、
連続的な曲面からなり、相対向する一対の第1組の辺と当該第1組の辺を連結するように延びる相対向する一対の第2組の辺とからなる四角形状を呈する、前記板状部材を成形するための成形面を備え、
前記第1組の各辺の中点を結ぶ直線と前記第2組の各辺の中点を結ぶ直線との交点を前記成形面の中心点とし、
前記中心点における前記成形面の接平面と平行な参照平面を、前記成形面に対し前記成形部材から遠ざかる側において定義した場合、
前記成形面の中心点と前記参照平面との間の前記接平面の法線方向に沿った第1の距離が、前記第2組の各辺の中点と前記参照平面との間の前記法線方向に沿った第2の距離よりも短く、前記第1組の各辺の中点と前記参照平面との間の前記法線方向に沿った距離が、前記第1の距離より短いことを特徴とするフォトマスク用基板の成形部材。 - 前記第1組の各辺上の何れの点についても、当該第1組の辺上の点と前記参照平面との間の前記法線方向に沿った距離が実質的に同一であることを特徴とする請求項13に記載のフォトマスク用基板の成形部材。
- グラファイトからなることを特徴とする請求項10〜14の何れか一項に記載のフォトマスク用基板の成形部材。
- フォトマスク用基板の製造方法であって、
請求項10〜15の何れか一項に記載の成形部材を用意し、
マスクパターンを形成すべき第1面と、前記第1面と対向する第2面と、を備える厚さが実質的に均一の板状部材を用意し、
前記板状部材の前記第2面を前記成形部材の前記成形面によって支持した状態で熱処理炉内に配置し、
前記板状部材の温度が所定の温度となるように前記熱処理炉内を加熱した後、前記板状部材の温度を降下させることを特徴とするフォトマスク用基板の製造方法。 - フォトマスク用基板の製造方法であって、
マスクパターンを形成すべき第1面と、前記第1面と対向する第2面と、を備える厚さが実質的に均一の板状部材を用意し、
前記板状部材がほぼ水平となるように、前記板状部材の前記第2面を構成する互いに対向する二組の辺のうち、一方の一組の辺に沿った端部領域を支持部材により支持した状態で熱処理炉内配置し、
前記板状部材の温度が所定の温度となるように前記熱処理炉内を加熱した後、前記板状部材の温度を降下させることを特徴とするフォトマスク用基板の製造方法。 - 前記支持部材はグラファイトからなることを特徴とする請求項17に記載のフォトマスク用基板の製造方法。
- 前記板状部材は石英ガラスからなることを特徴とする請求項17又は18に記載のフォトマスク用基板の製造方法。
- フォトマスク用基板であって、
マスクパターン形成を行なうための第1面は対角線の長さが1200mm以上の矩形であって、
前記フォトマスク用基板の厚さは8mm以上であって、
前記フォトマスク用基板を、前記第1面が実質的に鉛直な状態に保持し、
前記第1面の中心近傍と平行であって、前記第1面の手前側に前記第1面から十分に離れた位置に任意の平面である参照平面を定義した場合、
前記第1面を構成する二つの中心線のうちの一方の第1中心線の端部近傍から前記参照平面までの距離は、前記第1中心線の中心近傍から前記参照平面までの距離に比べて、30〜100μm長く、前記第1面を構成する二つの中心線のうちの前記第1中心線とは別の第2中心線の中央部近傍から前記参照平面までの距離は、前記第2中心線の端部近傍から前記参照平面までの距離に比べて、150〜1500μm長いことを特徴とするフォトマスク用基板。 - 請求項20に記載のフォトマスク用基板であって、
前記第1中心線に平行な一組の辺である第1組の辺の近傍の各点から前記参照平面までの距離は、実質的に同一であることを特徴とするフォトマスク用基板。 - 請求項20又は21に記載のフォトマスク用基板であって、
前記第1面と対向する第2面は、前記第1面と実質的に平行であることを特徴とするフォトマスク用基板。 - 請求項20〜22の何れか一項に記載のフォトマスク用基板であって、
前記第1面と前記第2面を識別するためのマークを備えていることを特徴とするフォトマスク用基板。 - 請求項20〜23の何れか一項に記載のフォトマスク用基板であって、
前記基板は石英ガラスからなることを特徴とするフォトマスク用基板。 - 請求項20〜24の何れか一項に記載のフォトマスク用基板を用いて作成されたフォトマスクであって、
前記第1面にマスクパターンが形成されており、
前記フォトマスクが露光装置に支持される支持部分は、第1組の辺の近傍であることを特徴とするフォトマスク。 - 請求項25に記載のフォトマスクを用いて露光を行なうことを特徴とする露光方法であって、
前記フォトマスクのマスクパターンが形成された面が下方を向くように前記支持部分を露光装置のフォトマスク支持部材により指示した状態で露光を行なうことを特徴とする露光方法。 - 板状部材を成形してフォトマスク用基板の成形部材であって、板状部材を成形するための成形面を有し、
前記成形面は、対角線の長さが1200mm以上の矩形であって、
前記成形面の中心近傍と平行であって、前記成形面の手前側に前記成形面から十分に離れた位置に任意の平面である参照平面を定義した場合、
前記成形面を構成する二つの中心線のうちの一方の第1中心線の端部近傍から前記参照平面までの距離は、前記第1中心線の中心近傍から前記参照平面までの距離に比べて30〜100μm長く、前記成形面を構成する二つの中心線のうちの前記第1中心線とは異なる第2中心線の中央部近傍から前記参照平面までの距離は、前記第2中心線の端部近傍から前記参照平面までの距離に比べて、150〜1500μm長いことを特徴とするフォトマスク用基板の成形部材。 - 請求項27に記載のフォトマスク用基板の成形部材であって、
前記第1中心線に平行な一組の辺である第一組の辺の近傍の各点から前記参照平面までの距離は、実質的に同一であることを特徴とするフォトマスク用基板の成形部材。 - 請求項27又は28に記載のフォトマスク用基板の成形部材であって、前記成形部材はグラファイトからなる。
- フォトマスク用基板の製造方法であって、
請求項27〜29の何れか一項に記載の成形部材を用意し、
マスクパターン形成を行なうための面が矩形であって、その対角線の長さが1200mm以上の矩形、厚さが8mm以上の板状部材を用意し、
前記板状部材を前記成形部材の前記成形面によって支持した状態で熱処理炉内に配置し、
前記板状部材の温度が所定の温度となるように前記熱処理炉内を加熱した後、前記板状部材の温度を降下させることを特徴とするフォトマスク用基板の製造方法。 - フォトマスク用基板の製造方法であって、
マスクパターン形成を行なうための面は対角線の長さが1200mm以上の矩形であって、厚さが8mm以上の板状部材を用意し、
前記板状部材がほぼ水平となるように、前記板状部材の下面を構成する互いに対向する二組の辺のうち、一方の一組の辺に沿った近傍の領域を支持部材により支持した状態で熱処理炉内配置し
前記板状部材の温度が所定の温度となるように前記熱処理炉内を加熱した後、前記板状部材の温度を降下させることを特徴とするフォトマスク用基板の製造方法。 - 前記支持部材はグラファイトからなることを特徴とする請求項31に記載のフォトマスク用基板の製造方法。
- 前記板状部材は石英ガラスからなることを特徴とする請求項30〜32の何れか一項に記載のフォトマスク用基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009514063A JP5304644B2 (ja) | 2007-05-09 | 2008-04-22 | フォトマスク用基板、フォトマスク用基板の成形部材、フォトマスク用基板の製造方法、フォトマスク、およびフォトマスクを用いた露光方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007124126 | 2007-05-09 | ||
JP2007124126 | 2007-05-09 | ||
PCT/JP2008/057718 WO2008139848A1 (ja) | 2007-05-09 | 2008-04-22 | フォトマスク用基板、フォトマスク用基板の成形部材、フォトマスク用基板の製造方法、フォトマスク、およびフォトマスクを用いた露光方法 |
JP2009514063A JP5304644B2 (ja) | 2007-05-09 | 2008-04-22 | フォトマスク用基板、フォトマスク用基板の成形部材、フォトマスク用基板の製造方法、フォトマスク、およびフォトマスクを用いた露光方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2008139848A1 JPWO2008139848A1 (ja) | 2010-07-29 |
JP5304644B2 true JP5304644B2 (ja) | 2013-10-02 |
Family
ID=40002066
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009514063A Active JP5304644B2 (ja) | 2007-05-09 | 2008-04-22 | フォトマスク用基板、フォトマスク用基板の成形部材、フォトマスク用基板の製造方法、フォトマスク、およびフォトマスクを用いた露光方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8153336B2 (ja) |
EP (1) | EP2146244B1 (ja) |
JP (1) | JP5304644B2 (ja) |
KR (2) | KR101545361B1 (ja) |
CN (1) | CN101681092B (ja) |
TW (1) | TWI430018B (ja) |
WO (1) | WO2008139848A1 (ja) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1857880B1 (en) | 2003-04-09 | 2015-09-16 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus and device manufacturing method |
TW201834020A (zh) | 2003-10-28 | 2018-09-16 | 日商尼康股份有限公司 | 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法 |
TWI519819B (zh) | 2003-11-20 | 2016-02-01 | 尼康股份有限公司 | 光束變換元件、光學照明裝置、曝光裝置、以及曝光方法 |
TWI511182B (zh) | 2004-02-06 | 2015-12-01 | 尼康股份有限公司 | 光學照明裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法 |
KR101455551B1 (ko) | 2005-05-12 | 2014-10-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영 광학계, 노광 장치 및 노광 방법 |
US8451427B2 (en) | 2007-09-14 | 2013-05-28 | Nikon Corporation | Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method |
JP5267029B2 (ja) | 2007-10-12 | 2013-08-21 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
CN101681123B (zh) | 2007-10-16 | 2013-06-12 | 株式会社尼康 | 照明光学系统、曝光装置以及元件制造方法 |
EP2179329A1 (en) | 2007-10-16 | 2010-04-28 | Nikon Corporation | Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US8379187B2 (en) | 2007-10-24 | 2013-02-19 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9116346B2 (en) | 2007-11-06 | 2015-08-25 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
WO2009145048A1 (ja) | 2008-05-28 | 2009-12-03 | 株式会社ニコン | 空間光変調器の検査装置および検査方法、照明光学系、照明光学系の調整方法、露光装置、およびデバイス製造方法 |
KR101260221B1 (ko) * | 2011-12-01 | 2013-05-06 | 주식회사 엘지화학 | 마스크 |
NL2011592A (en) * | 2012-10-31 | 2014-05-06 | Asml Netherlands Bv | Compensation for patterning device deformation. |
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- 2008-04-22 JP JP2009514063A patent/JP5304644B2/ja active Active
- 2008-04-22 EP EP08751903.9A patent/EP2146244B1/en not_active Not-in-force
- 2008-04-22 KR KR1020097025627A patent/KR101545361B1/ko active IP Right Grant
- 2008-04-22 CN CN2008800153743A patent/CN101681092B/zh active Active
- 2008-04-22 KR KR1020147007728A patent/KR101497886B1/ko active IP Right Grant
- 2008-04-22 WO PCT/JP2008/057718 patent/WO2008139848A1/ja active Application Filing
- 2008-05-08 TW TW097116955A patent/TWI430018B/zh active
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Publication number | Publication date |
---|---|
EP2146244A1 (en) | 2010-01-20 |
US20100062350A1 (en) | 2010-03-11 |
US8153336B2 (en) | 2012-04-10 |
CN101681092A (zh) | 2010-03-24 |
JPWO2008139848A1 (ja) | 2010-07-29 |
KR101497886B1 (ko) | 2015-03-04 |
EP2146244A4 (en) | 2010-04-28 |
WO2008139848A1 (ja) | 2008-11-20 |
KR20100023854A (ko) | 2010-03-04 |
TW200903145A (en) | 2009-01-16 |
EP2146244B1 (en) | 2016-03-16 |
KR20140057353A (ko) | 2014-05-12 |
TWI430018B (zh) | 2014-03-11 |
KR101545361B1 (ko) | 2015-08-19 |
CN101681092B (zh) | 2012-07-25 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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