JP5304644B2 - フォトマスク用基板、フォトマスク用基板の成形部材、フォトマスク用基板の製造方法、フォトマスク、およびフォトマスクを用いた露光方法 - Google Patents

フォトマスク用基板、フォトマスク用基板の成形部材、フォトマスク用基板の製造方法、フォトマスク、およびフォトマスクを用いた露光方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5304644B2
JP5304644B2 JP2009514063A JP2009514063A JP5304644B2 JP 5304644 B2 JP5304644 B2 JP 5304644B2 JP 2009514063 A JP2009514063 A JP 2009514063A JP 2009514063 A JP2009514063 A JP 2009514063A JP 5304644 B2 JP5304644 B2 JP 5304644B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photomask
photomask substrate
reference plane
sides
molding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2009514063A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2008139848A1 (ja
Inventor
哲也 阿邊
祐平 新田
幸泰 木村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP2009514063A priority Critical patent/JP5304644B2/ja
Publication of JPWO2008139848A1 publication Critical patent/JPWO2008139848A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5304644B2 publication Critical patent/JP5304644B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70783Handling stress or warp of chucks, masks or workpieces, e.g. to compensate for imaging errors or considerations related to warpage of masks or workpieces due to their own weight
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B23/00Re-forming shaped glass
    • C03B23/02Re-forming glass sheets
    • C03B23/023Re-forming glass sheets by bending
    • C03B23/025Re-forming glass sheets by bending by gravity
    • C03B23/0252Re-forming glass sheets by bending by gravity by gravity only, e.g. sagging
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G03F1/42Alignment or registration features, e.g. alignment marks on the mask substrates
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/60Substrates
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H01L21/0332Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their composition, e.g. multilayer masks, materials
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P40/00Technologies relating to the processing of minerals
    • Y02P40/50Glass production, e.g. reusing waste heat during processing or shaping
    • Y02P40/57Improving the yield, e-g- reduction of reject rates

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

フラットパネルディスプレイ(以下、FPDと呼ぶ)等のデバイスは、フォトリソグラフィー技術を用い、フォトマスクに形成されたマスクパターンをデバイス基板の表面に高精度に投影露光することにより製造される。したがって、フォトマスクが変形してしまうとフォトマスクに形成されたマスクパターンにも変形が生じてしまい、その結果デバイス基板に投影されるマスクパターンの像にも変形が生じてしまう。
そこで、フォトマスクの平坦性を上げるため、フォトマスク基板の部分的な凸部分を除去する加工を行なうことで基板の平面性を改善することが検討されている(特許文献1、特許文献2、及び特許文献3参照)。
特開2003−292346 特開2004−359544 特開2005−262432
ところで、フォトマスクに形成されたマスクパターンを基板に投影露光することによってFPD等のデバイスを製造する露光装置では、マスクパターンが形成された面が下方を向くようにフォトマスクを露光装置にほぼ水平に保持しながらフォトマスクに形成されたマスクパターンを基板に露光することが知られている。その際に、露光装置の構成上の制約により、フォトマスクは、下面、即ち、マスクパターンが形成された面を囲む四辺のうち、対向する一組の二辺近傍の領域で支持される。このように支持されたフォトマスクは、支持された一組の辺の間の領域は、その自重により下面側に湾曲して垂れ下がるように変形する。ここで、この変形を第1の変形と呼ぶ。また、同時に、支持されていない二辺(自由端)の近傍においては、更に下方に湾曲して垂れ下がるように変形する。ここでは、この変形を第2の変形と呼ぶ。このようなフォトマスクの変形によって、フォトマスクの下面に形成されたマスクパターンにも上記説明の通りの変形が生じるおそれがある。
このように変形したマスクパターンを基板上に正確に結像して露光するために、露光装置の投影光学系はオートフォーカス機能を有している。しかしながら、投影光学系のオートフォーカス機能によるフォーカス深度は第1の変形に対して有用であるのに対し、第2の変形による影響はフォーカス深度の範囲を超える傾向にある。また、フォトマスクが大型化されるのに伴って第2の変形は顕著に大きくなり、投影光学系のフォーカス深度の範囲内からさらに外れるという問題が発生する。
こうした問題に対し、特許文献1〜3で検討されたように平面性を良好にしたとしても、基板の自重による変形の問題に対応することはできない。
本発明は、自重によるフォトマスク基板の第2の変形によって引き起こされる、フォトマスク基板における所望のマスクパターンからの変形を抑制して、デバイス基板上にマスクパターンを投影露光することが可能なフォトマスク用基板、フォトマスク用基板の成形部材、フォトマスク用基板の製造方法、フォトマスク、及びフォトマスクを用いた露光方法を提供することを目的とする。
本発明に係るフォトマスク用基板は、厚さが実質的に均一の板状部材からなるフォトマスク用基板であって、連続的な曲面からなる、マスクパターンを形成すべき第1面と、第1面と対向する第2面と、を備え、第1面は、相対向する一対の第1組の辺と当該第1組の辺を連結するように延びる相対向する一対の第2組の辺とからなる四角形状を呈し、第1組の各辺に沿った端部にフォトマスク用基板が支持されるための支持部を有し、フォトマスク用基板を、第1面が実質的に鉛直な状態となるように保持したときに、フォトマスク用基板の重心を通り且つフォトマスク用基板の厚さ方向に延びる軸線が第1面と交わる点を第1面の中心点とし、中心点における第1面の接平面と平行な参照平面を、フォトマスク用基板に対し第2面より第1面に近い側において定義した場合、第1面の中心点と参照平面との間の厚さ方向に沿った第1の距離が、第2組の各辺の中点と参照平面との間の厚さ方向に沿った第2の距離よりも短く、第2組の各辺において、当該辺の第1組の辺側の部分と参照平面との間の厚さ方向に沿った距離が、第2の距離よりも短いことを特徴とする。ここで、本明細書における接平面とは、曲面上の一点で、この曲面に引いた接線をすべて含む平面をいう。
ォトマスク用基板を、第1面が実質的に鉛直な状態となるように保持したときに、第1組の各辺上の何れの点についても、当該第1組の辺上の点と参照平面との間の厚さ方向に沿った距離が実質的に同一であってもよい。
フォトマスク用基板を、第1面が実質的に鉛直な状態となるように保持したときに、第1組の各辺の中点と参照平面との間の厚さ方向に沿った距離が、第1の距離と実質的に同一であってもよい。
フォトマスク用基板を、第1面が実質的に鉛直な状態となるように保持したときに、第1組の各辺の中点と参照平面との間の厚さ方向に沿った距離が、第1の距離より短くてもよい。
上記のフォトマスク用基板であって、第1面と第2面とを識別するためのマークを備えていてもよい。上記のフォトマスク用基板であって、基板は石英ガラスからなっていてもよい。
本発明に係るフォトマスクは、上記のフォトマスク用基板を用いて作成されたフォトマスクであって、第1面にマスクパターンが形成されており、第2面側から露光光が投射されるように支持部において露光装置に支持されることを特徴とする。
本発明に係る露光方法は、上記のフォトマスクに形成されたマスクパターンをウェハ上に露光する露光方法であって、フォトマスクのマスクパターンが形成された面とは反対側の面から露光光が投射され、マスクパターンが形成された面がウェハ側に向くように、支持部が露光装置のフォトマスク支持部材により支持された状態で露光を行なうことを特徴とする。
本発明に係るフォトマスク用基板の成形部材は、板状部材を成形してフォトマスク用基板を成形する成形部材であって、連続的な曲面からなり、相対向する一対の第1組の辺と当該第1組の辺を連結するように延びる相対向する一対の第2組の辺とからなる四角形状を呈する、板状部材を成形するための成形面を備え、第1組の各辺の中点を結ぶ直線と第2組の各辺の中点を結ぶ直線との交点を成形面の中心点とし、中心点における成形面の接平面と平行な参照平面を、成形面に対し成形部材から遠ざかる側において定義した場合、成形面の中心点と参照平面との間の接平面の法線方向に沿った第1の距離が、第2組の各辺の中点と参照平面との間の法線方向に沿った第2の距離よりも短く、第1組の各辺の中点と参照平面との間の法線方向に沿った距離が、第1の距離より短いことを特徴とする。
第2組の各辺において、当該辺の第1組の辺側の部分と参照平面との間の法線方向に沿った距離が、第2の距離よりも短くてもよい。または、第1組の各辺上の何れの点についても、当該第1組の辺上の点と参照平面との間の法線方向に沿った距離が実質的に同一であってもよい。
第1組の各辺の中点と参照平面との間の法線方向に沿った距離が、第1の距離と実質的に同一であってもよい
記の成形部材は、グラファイトからなっていてもよい。
本発明に係るフォトマスク用基板の製造方法は、上記の成形部材を用意し、マスクパターンを形成すべき第1面と、第1面と対向する第2面と、を備える厚さが実質的に均一の板状部材を用意し、板状部材の第2面を成形部材の成形面によって支持した状態で熱処理炉内に配置し、板状部材の温度が所定の温度となるように熱処理炉内を加熱した後、板状部材の温度を降下させることを特徴とする。
本発明に係るフォトマスク用基板の製造方法は、マスクパターンを形成すべき第1面と、第1面と対向する第2面と、を備える厚さが実質的に均一の板状部材を用意し、板状部材がほぼ水平となるように、板状部材の第2面を構成する互いに対向する二組の辺のうち、一方の一組の辺に沿った端部領域を支持部材により支持した状態で熱処理炉内配置し、板状部材の温度が所定の温度となるように熱処理炉内を加熱した後、板状部材の温度を降下させることを特徴とする。この場合、支持部材はグラファイトからなっていてもよい。
板状部材は石英ガラスからなっていてもよい。
また、本発明は第1に、フォトマスク用基板であって、マスクパターン形成を行なうための第1面は対角線の長さが1200mm以上の矩形であって、フォトマスク用基板の厚さは8mm以上であって、フォトマスク用基板を、第1面が実質的に鉛直な状態に保持し、第1面の中心近傍と平行であって、第1面の手前側に第1面から十分に離れた位置に任意の平面である参照平面を定義した場合、第1面を構成する二つの中心線のうちの一方の第1中心線の端部近傍から参照平面までの距離は、第1中心線の中心近傍から参照平面までの距離に比べて、30〜100μm長く、第1面を構成する二つの中心線のうちの第1中心線とは別の第2中心線の中央部近傍から参照平面までの距離は、第2中心線の端部近傍から参照平面までの距離に比べて、150〜1500μm長いフォトマスク用基板を提供する。
このフォトマスクは第1中心線に平行な一組の辺の近傍で露光装置により支持された状態で露光が行なわれる。従って、この構成によれば、露光中にフォトマスクが支持されない二辺(自由端)の中央部近傍で第2の変形が大きくなることを抑制するので、大きなサイズのフォトマスクであっても、ガラス基板上にマスクパターンを高精度に露光できる。また、上記の構成によれば、フォトマスク基板は、露光中に支持領域の間の領域に発生する第1の変形がキヤンセルされると同時に、自由端の中央部近傍に発生する第2の変形もキャンセルされるような形状となっている。従って、大きなサイズのフォトマスクであっても、ガラス基板上にマスクパターンを極めて高精度に露光できる。
本発明は第2に、上記第1の発明のフォトマスク用基板であって、更に、第1中心線に平行な一組の辺である第1組の辺の近傍の各点から参照平面までの距離は、実質的に同一であるフォトマスク用基板を提供する。
このフォトマスクは第1中心線に平行な一組の辺の近傍で露光装置により支持された状態で露光が行なわれる。この構成によれば、フォトマスク基板は、露光中にフォトマスクが支持されない二辺(自由端)の中央部近傍で発生する第2の変形がキャンセルされるような形状となっている。従って、露光中に自由端で発生する第2の変形は抑制されるので、大きなサイズのフォトマスクであっても、ガラス基板上にマスクパターンを更に高精度に露光できる。
本発明によれば、自重によるフォトマスク基板の第2の変形によって引き起こされる、フォトマスク基板における所望のマスクパターンからの変形を抑制して、デバイス基板上にマスクパターンを投影露光することが可能なフォトマスク用基板、フォトマスク用基板の成形部材、フォトマスク用基板の製造方法、フォトマスク、及びフォトマスクを用いた露光方法を提供することができる。
第1実施形態に係るフォトマスク用基板を示す概念図である。 第2実施形態に係るフォトマスク用基板を示す概念図である。 第3実施形態に係るフォトマスク用基板を示す概念図である。 第1実施形態に係るフォトマスク用基板の成形部材を示す概念図である。 第2実施形態に係るフォトマスク用基板の成形部材を示す概念図である。 第3実施形態に係るフォトマスク用基板の成形部材を示す概念図である。 第1実施形態、第2実施形態および第3実施形態に係るフォトマスク用基板の製造方法を示す概念図である。 第4実施形態に係るフォトマスク用基板の製造方法を示す概念図である。 フォトマスクの製造方法を示す概念図である。 フォトマスクを用いた露光方法を示す概念図である。 フォトマスクを用いた露光方法を示す概念図である。 フォトマスクの変形の様子を示す概念図である。 フォトマスクを用いた露光方法を示す概念図である。
符号の説明
1〜3…フォトマスク用基板、11、21、31…第1面、12、22、32…第2面、100、200、300、400、500、600…参照平面、40、50、60…成形部材、41、51、61…成形面。
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。また、各要素に付した符号はその要素の例示に過ぎず、各要素を限定するものではない。
<第1実施形態>
図7は第1実施形態に係るフォトマスク用基板の製造方法を示す概略図である。まず、対向する二面が実質的に平行で、厚さが実質的に均一な石英ガラス製板状部材を用意する。対向する二面は矩形であって、その大きさは縦、横の長さがそれぞれ1220mmおよび1400mmであり、厚さは13mmである。この石英ガラス製板状部材の両面に対して研磨加工を行なう。石英ガラス製板状部材71は、対向する二面のうちの一方としてマスクパターンを形成すべき第1面71aと、他方として第1面と対向する第2面71bと、を備える。
次に、この石英ガラス製板状部材71を成形するために用いるグラファイト製の成形部材72を用意する。
この成形部材72は図4に示される成形部材40と同じである。ここで、図4を参照して、成形部材40について説明する。成形部材40の厚さは約100mmで、石英ガラス製板状部材を成形するための成形面41の大きさは石英ガラス製板状部材とほぼ同等である。成形面41は予め次のような形状に加工されている。即ち、成形面41の中心近傍と平行であって、成形面41の手前側に十分に離れた位置に任意の平面である参照平面400を定義した場合、成形面41を構成する二つの中心線のうちの一方の第1中心線42の端部近傍から参照平面400までの距離401は、第1中心線42の中心近傍から参照平面までの距離402に比べて約40μm長い。言い換えると、成形面41が上向きになるように上記グラファイト製支持部材40を置いた場合、第1中心線42に沿って、その両端部近傍の表面はその中央部近傍の表面に比べて約40μm低い。
すなわち、成形面41は、連続的な曲面からなり、相対向する一対の第1組の辺41a、41bと当該第1組の辺を連結するように延びる相対向する一対の第2組の辺41c、41dとからなる四角形状を呈する。ここで、第1組の各辺41a、41bの中点41e、41fを結ぶ直線である第2中心線43と第2組の各辺41c、41dの中点41g、41hを結ぶ直線である第1中心線42との交点を成形面41の中心点41iとする。このとき、参照平面400は、成形面41の中心点41iにおける成形面41の接平面410と平行であって、成形面41に対し成形部材40から遠ざかる側において定義される。成形面41の接平面410とは、上述の定義のように、成形面41上の一点である中心点41iで、成形面41に引いた接線をすべて含む平面をいう。
成形面41の中心点41iと参照平面400との間の接平面410の法線方向410Nに沿った第1の距離402は、第2組の各辺41c、41dの中点41g、41hと参照平面400との間の法線方向410Nに沿った第2の距離401よりも短い。また、第2組の各辺41c、41d上の何れの点についても、当該第2組の辺41c、41d上の点と参照平面400との間の法線方向41iに沿った距離401が実質的に同一である。
上記形状は、既に説明した通り、露光装置に支持されたフォトマスクに発生するその自重による変形をキャンセルするために設定されたものである。なお、約40μmという数値は、石英ガラス製板状部材の大きさによって異なる。また、石英ガラス以外の材料を用いる場合には、その材料の弾性率に応じて適宜変更することが望ましい。
次に、石英ガラス製板状部材71をグラファイト製成形部材72の成形面73上に載置する(図7(b))。石英ガラス製板状部材71は自重により弾性変形してグラファイト製成形部材72の成形面73とほぼ全面が接する。このため石英ガラス製板状部材71には応力が発生した状態となっている。なお、グラファイト製成形部材72は十分な厚みがあるため変形は無視できる程度である(図7(c))。
次に、この状態で熱処理炉内に格納する。熱処理炉内の温度を約1300℃まで徐々に上昇させ、更に、約1300℃で所定の時間維持する。これにより、石英ガラス製板状部材71に発生していた応力は緩和され、全面がグラファイト製成形部材の成形面に接した状態で応力がほぼゼロとなる。熱処理前の石英ガラス製板状部材の上面と下面はほぼ平行なので、応力はゼロとなってもこの関係は変わらない。なお、維持温度は1300℃としているが、この温度はサンプルの応力が緩和する温度であれば十分で、もっと低い温度でも構わない。また、石英ガラス以外の材料を用いる場合には、その材料が応力緩和する温度に設定すればよい。
石英ガラス製板状部材71の応力緩和が終了したら、熱処理炉内の温度を室温に向けて徐々に降下させ、室温まで降下後は所定の時間放置した後、石英ガラス製板状部材71を熱処理炉から取り出す。石英ガラス製板状部材71はグラファイト製成形部材72の成形面の形状が転写した状態となりフォトマクス用基板1が完成する。
次に、完成したフォトマスク用基板1の平面度を測定する。測定する面は、グラファイト製支持部材72に接していなかった側の面、すなわち石英ガラス製板状部材71の第1面71aに対応する。平面度の測定は、フォトマスク用基板1を垂直に立てた状態で非接触の光学的測定装置を用いて行なう。これにより、フォトマスク用基板1の表面はグラファイト製支持部材72の支持面である成形面73の形状がほぼ転写した形状となっていることが確認できる。
即ち、図1に示すように、完成したフォトマスク用基板1を、マスクパターン形成を行なう第1面11が実質的に鉛直となるように保持し、第1面11の中心近傍と平行であって、第1面の手前側に前記第1面から十分に離れた位置に任意の平面である参照平面100を定義した場合、観察方向Oから見て、第1面を構成する二つの中心線のうちの一方の第1中心線C1の端部近傍から参照平面までの距離101は、第1中心線の中心近傍から参照平面までの距離102に比べて約40μm長いフォトマスク用基板が完成する。
すなわち、フォトマスク用基板1は、厚さが実質的に均一の板状部材であって、連続的な曲面からなる、マスクパターンを形成すべき第1面11と、第1面11と対向する第2面12と、を備える。第1面11は、相対向する一対の第1組の辺11a、11bと第1組の辺11a、11bを連結するように延びる相対向する一対の第2組の辺11c、11dとからなる四角形状を呈する。第1面11は、第1組の各辺11a、11bに沿った端部にフォトマスク用基板1が支持されるための支持部11s、11tを有する。
ここで、フォトマスク用基板1は、第1面11が実質的に鉛直な状態となるように保持されたときを想定する。そして、フォトマスク用基板1の重心を通り且つフォトマスク用基板1の厚さ方向Dに延びる軸線が第1面11と交わる点を第1面11の中心点11iとする。フォトマスク用基板1は厚さが実質的に均一の板状部材であるので、中心点11iは、第1組の各辺11a、11bの中点11e、11fを結ぶ直線である第2中心線C2と第2組の各辺11c、11dの中点11g、11hを結ぶ直線である第1中心線C1との交点である。
また、参照平面100として、中心点11iにおける第1面11の接平面110と平行な面であって、フォトマスク用基板1に対し第2面12より第1面11に近い側における面を定義する。第1面11の接平面110とは、上述の定義のように、第1面11上の一点である中心点11iで、第1面11に引いた接線をすべて含む平面をいう。
このとき、第1面11の中心点11iと参照平面100との間の厚さ方向Dに沿った第1の距離102は、第2組の各辺11c、11dの中点11g、11hと参照平面100との間の厚さ方向Dに沿った第2の距離101よりも短い。また、第2組の各辺11c、11d上の何れの点についても、当該第2組の辺11c、11d上の点と参照平面100との間の厚さ方向Dに沿った距離101が実質的に同一である。
本実施形態に係るフォトマスク用基板1、フォトマスク用基板の成形部材41(72)、及びフォトマスク用基板の製造方法は、液晶パネル等のFPDを製造する際に有用である。
液晶パネル等のFPDは、ガラス基板の表面にFPDの要素を高精度に形成することにより製造される。そのためにはフォトリソグラフィー技術が用いられる。即ち、平面性が優れた平板状の透明基板の表面に高精度にマスクパターンが形成されたフォトマスクを露光光で照明し、そのマスクパターンの像を、予めフォトレジストが塗布されたガラス基板上に結像させた後、現像することで、ガラス基板表面にレジストパターンを形成する。その後、複数の工程を経てFPDが製造される。
ところで、FPDの画面サイズの大型化と生産の効率化のために、FPD用ガラス基板は年々大型化が進み、これに伴って、その生産に用いるためのフォトマスクの大型化も進んでいる。近い将来、ガラス基板は、例えば2200mm×2500mmという極めて大きなものとなり、これに伴って、このガラス基板にマスクパターンを露光するために用いるフォトマスクのサイズは、例えば、1220 mm×1400mm、厚さは13mmと極めて大きいものとなる。しかし、大型化はこれに留まらず、更に大きなガラス基板とフォトマスクが要求されている。
フォトマスクに形成されたマスクパターンを基板に露光する場合には、マスクパターンが形成された面が下方を向くようにフォトマスクを露光装置にほぼ水平に保持しながら行なう。その際に、露光装置の構成上の制約により、フォトマスクは、下面、即ち、マスクパターンが形成された面を囲む四辺のうち、対向する一組の二辺近傍の領域で支持される。このように支持されたフォトマスクは、支持された一組の辺の間の領域は、その自重により下面側に湾曲して垂れ下がるように変形する。ここでは、この変形を第1の変形と呼ぶ。また、同時に、支持されていない二辺(自由端)の近傍においては、更に下方に湾曲して垂れ下がるように変形する。ここでは、この変形を第2の変形と呼ぶ。この様子を図12に示す。即ち、図12において、フォトマスクMは、2ヵ所の支持部分Sの間の領域では下方に垂れ下がると同時に、支持されていない自由端Fの中央部近傍では更に下方に垂れ下がる。このことは、フォトマスクの下面に形成されたマスクパターンにも上記説明の通りの変形が生じることを意味している。なお、図12において、C1およびC2はマスクパターンが形成される面の二つの中心線を示しており、ここでは、支持部分Sに平行な方の中心線を第1中心線C1、他の一方を第2中心線C2と呼ぶ。
露光装置は、投影光学系が細長い領域を露光するように構成されている。このように変形したマスクパターンをFPDの基板であるガラス基板上に正確に結像して露光するために、露光装置の投影光学系はオートフォーカス機能を有している。
フォトマスクに形成されたマスクパターンには上記説明の通り変形が発生するが、上記第1の変形に対しては、これまで露光装置のオートフォーカス機能やフォトマスクの移動方向等により対応してきた。また、上記第2の変形に関しては、投影光学系のフォーカス深度の範囲内であったため特別な対応はしていなかった。
しかし、フォトマスクの大型化に伴って、特に第2の変形は更に大きくなり、投影光学系のフォーカス深度の範囲内から外れるという問題が発生する。また、第1の変形についても、更に大きくなる。このタイプの変形に対しては、上記説明の通り、露光装置の機能によりある程度までは対応可能とは言うものの、大型化したフォトマスクのマスクパターンの露光品質を極めて高い状態に維持するには、何らかの対策を行なうのが好ましい。
マスクパターンの露光品質を上げる目的では、特開2003−292346(特許文献1)、特開2004−359544(特許文献2)、および特開2005−262432(特許文献3)には、基板の部分的な凸部分を除去する加工を行なうことで、基板の平面性を改善することが開示されている。しかし、平面性を良好にしても、大型化した基板の自重による変形による問題に対応することはできない。
本実施形態は、これらの問題を解決し、大きなサイズのフォトマスクであっても、フォトマスクのマスクパターンをガラス基板上に高精度に露光できるフォトマスクを製造するためのフォトマスク用基板、フォトマスク用基板を製造するための成形部材、及びフォトマスク用基板の製造方法を提供することが可能である。
<第2実施形態>
第1実施形態と同じ石英ガラス製の板状部材を用意し、第1実施形態で用いた手順と同様の手順で研磨加工を行なう。
次に、この石英ガラス製板状部材を支持して熱処理を行なうために用いるグラファイト製の成形部材50を用意する。
この成形部材50を図5に示す。成形部材50の厚さは約100mmで、成形面51の大きさは石英ガラス製板状部材とほぼ同等である。成形面51は予め次のような形状に加工されている。即ち、成形面51の中心近傍と平行であって、成形面51の手前側に十分に離れた位置に任意の平面である参照平面500を定義した場合、成形面51を構成する二つの中心線のうちの一方の第1中心線52の端部近傍から参照平面までの距離501は、第1中心線の中心近傍から参照平面までの距離502に比べて約40μm長く、第1中心線52に平行な一組の辺である第一組の辺の近傍の各点から参照平面までの距離503は、実質的に同一である。
すなわち、成形面51は、連続的な曲面からなり、相対向する一対の第1組の辺51a、51bと当該第1組の辺を連結するように延びる相対向する一対の第2組の辺51c、51dとからなる四角形状を呈する。ここで、第1組の各辺51a、51bの中点51e、51fを結ぶ直線である第2中心線53と第2組の各辺51c、51dの中点51g、51hを結ぶ直線である第1中心線52との交点を成形面51の中心点51iとする。このとき、参照平面500は、成形面51の中心点51iにおける成形面51の接平面と平行であって、成形面51に対し成形部材50から遠ざかる側において定義される。
成形面51の中心点51iと参照平面500との間の接平面の法線方向Nに沿った第1の距離502は、第2組の各辺51c、51dの中点51g、51hと参照平面500との間の法線方向Nに沿った第2の距離501よりも短い。
また、第2組の各辺51c、51dにおいて、当該辺51c、51dの第1組の辺51a、51b側の部分と参照平面500との間の法線方向Nに沿った距離503が、第2の距離501よりも短い。よって、第1組の各辺51a、51b上の何れの点についても、当該第1組の辺51a、51b上の点と参照平面500との間の法線方向Nに沿った距離が距離503で実質的に同一となる。
また、第1組の各辺51a、51bの中点51e、51fと参照平面500との間の法線方向Nに沿った距離503が、第1の距離502と実質的に同一である。これは、第1組の各辺51a、51bの中点51e、51fを結ぶ直線が、成形面51の中心点51iを通るためである。
上記形状は、既に説明した通り、露光装置に支持されたフォトマスクに発生するその自重による変形をキャンセルするために設定されたものである。なお、約40μmという数値は、石英ガラス製板状部材の大きさによって異なる。また、石英ガラス以外の材料を用いる場合には、その材料の弾性率に応じて適宜変更することが望ましい。
その後、第1実施形態に説明したのと同様の手順によりフォトマクス用基板が完成する。
完成したフォトマスク用基板の平面度の測定も、第1実施形態に説明したのと同様の手順により行なう。これにより、フォトマスク用基板の表面はグラファイト製支持部材の支持面の形状がほぼ転写した形状となっていることが確認できる。
即ち、図2に示すように、完成したフォトマスク用基板2を、マスクパターン形成を行なう第1面21が実質的に鉛直となるように保持し、第1面の中心近傍と平行であって、第1面の手前側に第1面から十分に離れた位置に任意の平面である参照平面200を定義した場合、観察方向Oから見て、第1面を構成する二つの中心線のうちの一方の第1中心線C1の端部近傍から参照平面までの距離201は、第1中心線C1の中心近傍から参照平面までの距離202に比べて約40μm長く、第1中心線C1に平行な一組の辺である第1組の辺21a、21bの近傍の各点から参照平面までの距離203は実質的に同一であるフォトマスク用基板が完成する。
すなわち、フォトマスク用基板2は、厚さが実質的に均一の板状部材であって、連続的な曲面からなる、マスクパターンを形成すべき第1面21と、第1面21と対向する第2面22と、を備える。第1面21は、相対向する一対の第1組の辺21a、21bと第1組の辺21a、21bを連結するように延びる相対向する一対の第2組の辺21c、21dとからなる四角形状を呈する。第1面21は、第1組の各辺21a、21bに沿った端部にフォトマスク用基板2が支持されるための支持部21s、21tを有する。
ここで、フォトマスク用基板2は、第1面21が実質的に鉛直な状態となるように保持されたときを想定する。そして、フォトマスク用基板2の重心を通り且つフォトマスク用基板2の厚さ方向Dに延びる軸線が第1面21と交わる点を第1面21の中心点21iとする。フォトマスク用基板2は厚さが実質的に均一の板状部材であるので、中心点21iは、第1組の各辺21a、21bの中点21e、21fを結ぶ直線である第2中心線C2と第2組の各辺21c、21dの中点21g、21hを結ぶ直線である第1中心線C1との交点である。
また、参照平面200として、中心点21iにおける第1面21の接平面210と平行な面であって、フォトマスク用基板2に対し第2面22より第1面21に近い側における面を定義する。
このとき、第1面21の中心点21iと参照平面200との間の厚さ方向Dに沿った第1の距離202は、第2組の各辺21c、21dの中点21g、21gと参照平面200との間の厚さ方向Dに沿った第2の距離201よりも短い。また、第2組の各辺21c、21dにおいて、当該辺21c、21dの第1組の辺21a、21b側の部分と参照平面200との間の厚さ方向Dに沿った距離203が、第2の距離201よりも短い。よって、第1組の各辺21a、21b上の何れの点についても、当該第1組の辺21a、21b上の点と参照平面200との間の厚さ方向Dに沿った距離203が実質的に同一となる。また、第1組の各辺21a、21bの中点21e、21fと参照平面200との間の厚さ方向Dに沿った距離203が、第1の距離202と実質的に同一である。これは、第1組の各辺21a、21bの中点21e、21fを結ぶ直線が、第1面21の中心点21iを通るためである。
<第3実施形態>
第1実施形態と同じ石英ガラス製の板状部材71を用意し、第1実施形態で用いた手順と同様の手順で研磨加工を行なう。
次に、この石英ガラス製板状部材71を支持して熱処理を行なうために用いるグラファイト製の成形部材60を用意する。
この成形部材60を図6に示す。成形部材60の厚さは約100mmで、成形面61の大きさは石英ガラス製板状部材71とほぼ同等である。成形面61は予め次のような形状に加工されている。即ち、成形面61の中心近傍と平行であって、成形面61の手前側に十分に離れた位置に任意の平面である参照平面600を定義した場合、成形面61を構成する二つの中心線のうちの一方の第1中心線62の端部近傍から参照平面までの距離601は、第1中心線の中心近傍から参照平面までの距離602に比べて約40μm長く、第1中心線62に平行な一組の辺である第一組の辺の近傍の各点から参照平面までの距離603は、実質的に同一であり、成形面61を構成する二つの中心線のうちの第1中心線とは異なる第2中心線の中央部近傍から参照平面600までの距離602は、前記第2中心線の端部近傍から前記参照平面までの距離603に比べて約500μm長い。
すなわち、成形面61は、連続的な曲面からなり、相対向する一対の第1組の辺61a、61bと当該第1組の辺を連結するように延びる相対向する一対の第2組の辺61c、61dとからなる四角形状を呈する。ここで、第1組の各辺61a、61bの中点61e、61fを結ぶ直線である第2中心線63と第2組の各辺61c、61dの中点61g、61hを結ぶ直線である第1中心線62との交点を成形面61の中心点61iとする。このとき、参照平面600は、成形面61の中心点61iにおける成形面61の接平面と平行であって、成形面61に対し成形部材60から遠ざかる側において定義される。成形面61の接平面610とは、上述の定義のように、成形面61上の一点である中心点61iで、成形面61に引いた接線をすべて含む平面をいう。
成形面61の中心点61iと参照平面600との間の接平面610の法線方向610Nに沿った第1の距離602は、第2組の各辺61c、61dの中点61g、61hと参照平面600との間の法線方向Nに沿った第2の距離601よりも短い。また、第1組の各辺61a、61bの中点61e、61fと参照平面600との間の法線方向Nに沿った距離603が、第1の距離602より短い。
上記形状は、既に説明した通り、露光装置に支持されたフォトマスクに発生するその自重による変形をキャンセルするために設定されたものである。なお、約40μmおよび500μmという数値は、石英ガラス製板状部材の大きさによって異なる。また、石英ガラス以外の材料を用いる場合には、その材料の弾性率に応じて適宜変更することが望ましい。
その後、第1実施形態に説明したのと同様の手順によりフォトマクス用基板が完成する。完成したフォトマスク用基板の平面度の測定も、第1実施形態に説明したのと同様の手順により行なう。これにより、フォトマスク用基板の表面はグラファイト製支持部材の支持面の形状がほぼ転写した形状となっていることが確認できる。
即ち、図3に示すように、完成したフォトマスク用基板3を、マスクパターン形成を行なう第1面31が実質的に鉛直となるように保持し、第1面の中心近傍と平行であって、第1面の手前側に前記第1面から十分に離れた位置に任意の平面である参照平面300を定義した場合、観察方向Oから見て、第1面を構成する二つの中心線のうちの一方の第1中心線C1の端部近傍から参照平面までの距離301は、第1中心線C1の中心近傍から参照平面までの距離302に比べて約40μm長く、第1中心線C1に平行な一組の辺である第1組の辺32の近傍の各点から参照平面までの距離303は、実質的に同一であり、第1面を構成する二つの中心線のうちの前記第1中心線とは別の第2中心線C2の中央部近傍から参照平面までの距離302は、前記第2中心線C2の端部近傍から参照平面までの距離303に比べて約500μm長い。
すなわち、フォトマスク用基板3は、厚さが実質的に均一の板状部材であって、連続的な曲面からなる、マスクパターンを形成すべき第1面31と、第1面31と対向する第2面32と、を備える。第1面31は、相対向する一対の第1組の辺31a、31bと第1組の辺31a、31bを連結するように延びる相対向する一対の第2組の辺31c、31dとからなる四角形状を呈する。第1面31は、第1組の各辺31a、31bに沿った端部にフォトマスク用基板3が支持されるための支持部31s、31tを有する。
ここで、フォトマスク用基板3が、第1面31が実質的に鉛直な状態となるように保持されたときを想定する。そして、フォトマスク用基板3の重心を通り且つフォトマスク用基板3の厚さ方向Dに延びる軸線が第1面31と交わる点を第1面31の中心点31iとする。フォトマスク用基板3は厚さが実質的に均一の板状部材であるので、中心点31iは、第1組の各辺31a、31bの中点31e、31fを結ぶ直線である第2中心線C2と第2組の各辺31c、31dの中点31g、31hを結ぶ直線である第1中心線C1との交点である。
また、参照平面300として、中心点31iにおける第1面31の接平面と平行な面であって、フォトマスク用基板3に対し第2面32より第1面31に近い側における面を定義する。
このとき、第1面31の中心点31iと参照平面300との間の厚さ方向Dに沿った第1の距離302は、第2組の各辺31c、31dの中点31g、31hと参照平面300との間の厚さ方向Dに沿った第2の距離301よりも短い。また、第1組の各辺31a、31bの中点31e、31fと参照平面300との間の厚さ方向Dに沿った距離303が、第1の距離302より短い。
なお、第1実施形態、第2実施形態および第3実施形態においては、グラファイト製支持部材の上に石英ガラス製板状部材を直接載せて熱処理を行なっているが、熱処理の際に、グラファイト製支持部材と石英ガラス製板状部材の間にグラファイトシートを介して行なってもよい。この場合には石英ガラス製板状部材にキズが付くことを防止する効果が見込める。また、研磨加工を行なった後、石英ガラス製板状部材を熱処理しているが、熱処理後に研磨加工を行なってもよい。更に、グラファイト製支持部材の支持面の形状を凹凸が逆の形状となるようにしてもよい。この場合には、マスクパターンを形成する面を熱処理の際に下側になった面に行なうことになる。
また、第1実施形態、第2実施形態および第3実施形態に係るフォトマスク用基板1、2、3において、第1面11、21、31と第2面12、22、32とを識別するためのマークを備えていてもよい。
<第4実施形態>
図8は第4実施形態に係るフォトマスク基板の製造方法を示す概略図である。
第1実施形態で用いた板状部材71と同じ石英ガラス製の板状部材85を用意し、第1実施形態で用いた手順と同様の手順で研磨加工を行なう(図8(a))。
次に、石英ガラス製の板状部材85を熱処理炉内に格納する。その際、図8(b)に示すように、石英ガラス製板状部材85の表面85bを構成する互いに対向する二組の辺のうち、一方の一組の辺に沿った近傍の領域で石英ガラス製板状部材85をほぼ水平に支持した状態となるように一対のグラファイト製棒状部材Sにより支持する。支持する領域は、石英ガラス製板状部材85を用いて完成させたフォトマスクが露光装置により支持される領域とほぼ一致するようにする。この状態では、グラファイト製棒状部材Sにより支持されている領域の間では、石英ガラス製板状部材85はその自重により下方に垂れ下がるように変形し、同時に、支持されていない二辺Fの中央部近傍では更に下方に垂れ下がるように変形する。
次に、熱処理炉内の温度を1300℃まで徐々に上昇させた後、熱処理炉内温度を徐々に降下させ、室温まで降下させたところで所定時間放置した後、石英ガラス製板状部材を取り出す。これにより、石英ガラス製板状部材は、上記説明の自重による変形の状態から更に変形が大きくなる。
同様の手順で、複数の石英ガラス製板状部材に対して熱処理を行なう。その際、1300℃に維持する時間を種々変更し、複数の条件で熱処理を行なう。
すなわち、図8(a)に示すように、マスクパターンを形成すべき第1面85aと、第1面85aと対向する第2面85bと、を備える厚さが実質的に均一の板状部材85を用意する。そして、図8(b)に示すように、板状部材85がほぼ水平となるように、板状部材85の第2面85bを構成する互いに対向する二組の辺のうち、一方の一組の辺85c、85dに沿った端部領域を一対のグラファイト製棒状部材Sにより支持する。そして、支持部材Sによって支持した状態で板状部材85を熱処理炉内配置する。
板状部材85の温度が所定の温度(例えば、1300℃)となるように熱処理炉内を加熱した後、板状部材85の温度を徐々に降下させる。こうして、室温まで降下させたところで所定時間放置した後、板状部材85を取り出すことで、図8(c)に示すように、フォトマスク用基板8が得られる。
次に、上記複数の条件で熱処理を行なった石英ガラス製板状部材の平面度を測定する。平面度の測定は、第1実施形態に説明したのと同様の手順により行なう。平面度は、1300℃に維持した時間が長いものほど大きな値となる。そこで、これら複数の熱処理条件の中から、次の条件を満たす熱処理条件を探す。
即ち、図8(c)に示すように、熱処理が完了した石英ガラス製板状部材85である石英ガラス製板状部材8を、マスクパターン形成を行なうべき第1面81が実質的に鉛直となるように保持し、第1面の中心近傍と平行であって、第1面の手前側に前記第1面から十分に離れた位置に任意の平面である参照平面800を定義した場合、観察方向Oから見て、熱処理中に支持した領域近傍の一組の辺82と直角に交わる第1面の中心線C2の中央部近傍から参照平面800までの距離801が、第2中心線C2の端部近傍から参照平面800までの距離802に比べて約500μm長い石英ガラス製板状部材を選択する。そして、石英ガラス製板状部材に対して行なった熱処理条件を求める熱処理条件としてフォトマスク用基板を製造する。
このようにして製造されたフォトマスク基板は、第3実施形態で製造されたフォトマスク用基板とほぼ同じ形状となっている。即ち、図3に示すように、完成したフォトマスク用基板3を、マスクパターン形成を行なう第1面31が実質的に鉛直となるように保持し、第1面の中心近傍と平行であって、第1面の手前側に前記第1面から十分に離れた位置に任意の平面である参照平面300を定義した場合、観察方向Oから見て、第1面を構成する二つの中心線のうちの一方の第1中心線C1の端部近傍から参照平面までの距離301は、第1中心線C1の中心近傍から参照平面までの距離302に比べて約40μm長く、第1中心線C1に平行な一組の辺である第1組の辺32の近傍の各点から参照平面までの距離303は、実質的に同一であり、第1面を構成する二つの中心線のうちの前記第1中心線とは別の第2中心線C2の中央部近傍から参照平面までの距離302は、前記第2中心線C2の端部近傍から参照平面までの距離303に比べて約500μm長い。
上記形状は、既に説明した通り、露光装置に支持されたフォトマスクに発生するその自重による変形をキャンセルする。なお、約40μmおよび500μmという数値は、石英ガラス製板状部材の大きさによって異なる。また、石英ガラス以外の材料を用いる場合には、その材料の弾性率に応じて適宜変更することが望ましい。
<第5実施形態>
本実施形態では、フォトマスクの製造方法について図9を用いて説明する。
まず、第1〜第3実施形態に係るフォトマスク用基板1、2、3、又は第4実施形態に係る製造方法により製造されたフォトマスク用基板8を、フォトマスク用基板90として用意する。フォトマスク基板90は極めて清浄な状態となるように洗浄が行なわれている。この状態を図9(a)に示す。
次に、フォトマスク用基板90のマスクパターン形成面である第1面90aにクロム層91を形成する。この状態を図9(b)に示す。
次に、クロム層91の上にフォトレジスト92を塗布した後、所望の液晶パターンを露光する。この状態を図9(c)に示す。
次に、現像を行なうことで、露光された部分のフォトレジストを除去して、レジストパターンを形成する。この状態を図9(d)に示す。
次に、エッチングを行ない、露出したクロム層の部分を除去する。この状態を図9(e)に示す。
次に、残っているフォトレジストを除去することで、表面にクロムによる液晶パターンが形成されたフォトマスクとなる、最後に、液晶パターンが正しく形成されているかを測長器により検査した後、精密に洗浄し、フォトマスクは完成する。この状態を図9(f)に示す。
すなわち、第1〜第3実施形態に係るフォトマスク用基板1、2、3、又は第4実施形態に係る製造方法により製造されたフォトマスク用基板8であるフォトマスク用基板90は、マスクパターンが形成されるべき第1面90aと、第1面90aと対向する第2面90bとを備える。フォトマスク用基板90では、第1面90aにマスクパターンが形成されており、第2面90b側から露光光が投射されるように、第1面90aの支持部において露光装置に支持される。
既に説明した通り、第1〜第3実施形態に係るフォトマスク用基板を用いることにより、高精度に露光を行なうことができるので、高品質なフォトマスクを製造することができる。
なお、フォトマスクは、フォトマスク用基板を研磨後、成形部材等を用いて熱処理を施して変形させてから、図9に示す工程を経てマスクパターンを形成することで得てもよい。あるいは、フォトマスク用基板を、成形部材等を用いて熱処理を施して変形させてから、研磨を施し、その後図9に示す工程を経てマスクパターンを形成することで得てもよい。あるいは、フォトマスク用基板を研磨後、図9に示す工程を経てマスクパターンを形成してから、成形部材等を用いて熱処理を施して変形させることで得てもよい。すなわち、研磨、熱処理、及びマスクパターンの形成の工程の順番を変更して組み合わせてもよい。
<第6実施形態>
本実施形態は、第1〜第3実施形態に係るフォトマスクを用いた液晶パターンの露光方法に関するものである。図10を用いて説明する。
図10には、液晶用露光装置ESが示されている。この露光装置は、光源LS、照明光学系IS、投影光学系PS、マスクステージMS、基板ステージSSを有している。
第5実施形態で作成したフォトマスクであるフォトマスクMを露光装置のマスクステージMSに配置する。フォトマスクMは第1面に対応する下面M1にマスクパターンが形成されており、マスクステージMSにより、下面M1を構成する二組の辺のうち、一組の辺の近傍で支持されている。従って、図10において、2ヵ所のマスクステージMSにより支持されていない他の一組の辺は自由端となっている。
また、フォトレジストを塗布した液晶用基板Sを露光装置の基板ステージSS上に支持されている。
光源LSから出射された光は、照明光学系ISによりマスクパターンを照明する。照明されたマスクパターンは投影光学系PSにより予めフォトレジストが塗布された基板Sに集光する。その際、マスクステージMSと基板ステージSSは同期して紙面に直角の方向に移動する。
すなわち、本実施形態に係るフォトマスクを用いた液晶パターンの露光方法では、フォトマスクMのマスクパターンが形成された面M1とは反対側の面M2から露光光が投射され、マスクパターンが形成された面M1が基板S側に向くように、フォトマスクMが露光装置ESのフォトマスク支持部材MSにより支持された状態で露光を行なう。
第1〜第3実施形態に係るフォトマスク基板は基板を支持した際にその自重により発生する変形をキャンセルするような形状に製造されているので、大きなサイズのフォトマスクであっても、ガラス基板上にマスクパターンを高精度に露光できる。
また、別のタイプの露光装置を用いた場合について図11を用いて説明する。図11には別のタイプの露光装置ES2が示されている。この露光装置は、光源LS2、FM1、FM2、FM3、およびFM4のミラー、曲面ミラーCM、マスクステージMS、基板ステージSSを有している。
第5実施形態で作成したフォトマスクであるフォトマスクMを露光装置のマスクステージMSに配置する。フォトマスクMは上面M1にマスクパターンが形成されており、マスクステージMSにより、下面を構成する二組の辺のうち、一組の辺の近傍で支持されている。従って、図10において、2ヵ所のマスクステージMSにより支持されていない他の一組の辺は自由端となっている。
また、フォトレジストを塗布した液晶用基板Sを露光装置の基板ステージSS上に支持されている。
光源LS2から出射された光は、ミラーFM1を経てフォトマスクを照明する。照明されたフォトマスクから出射した光は、FM2、FM3の各ミラー、曲面ミラーCM、およびミラーFM4を経て予めフォトレジストが塗布された基板Sに集光する。その際、マスクステージMSと基板ステージSSは同期して紙面の左右方向に移動する。
<第7実施形態>
本実施形態は、実施形態に係るフォトマスク1〜3の何れかをフォトマスクMをして用いた液晶パターンの露光方法に関するものである。図13を用いて説明する。
図13には、液晶用露光装置ES3が示されている。この露光装置は、照明光学系1010、投影光学系1002a〜1002g、マスクステージMS、プレートPを有している。なお、図13では、所定のマスクパターンが設けられたフォトマスクMと、ガラス基板上にレジストが塗布されたプレートWとが搬送される方向(走査方向)をX軸、フォトマスクMの平面内でX軸と直交する方向をY軸、フォトマスクMの法線方向をZ軸とした座標系をとっている。
図13において、照明光学系1010による露光光は、図中XY平面内のフォトマスクMを均一に照明する。照明光学系1010として、例えばg線(435nm) 、あるいはi線(365nm) 等の露光光を供給する水銀ランプ等の光源を備えるものを用いることができる。露光光は、照明光学系1010の視野絞りの開口部の像である照明領域Ma〜Mgを形成する。
フォトマスクMは、図1の上方、すなわち照明光学系1010側に第2面が向き、投影光学系1002a〜1002g側、すなわちプレートP側にマスクパターンが形成された第1面が向くように配置される。フォトマスクMは、第1組の辺がY軸方向と平行になり、第2組の辺がX軸方向と平行になるように配置される。また、フォトマスクMは、フォトマスクMの第1組の辺に沿った端部にある第1面上の支持部において、マスクステージMSに支持される。一方、フォトマスクMの第2組の辺は自由端となっている。
フォトマスクMの下方には、複数の投影光学系1002a〜1002gが配置されている。投影光学系1002a〜1002gは、投影光学系内の視野絞りによって規定される視野領域Ma〜Mgを有している。これらの視野領域Ma〜Mgの像は、プレートP上の露光領域Pa〜Pg上に等倍の正立像として形成される。ここで、投影光学系1002a〜1002dは、視野領域Ma〜Mdが図中Y方向に沿って配列されるように設けられている。また、投影光学系1002e〜1002gは、図中X方向で視野領域Ma〜Mdとは異なる位置に、視野領域Me〜MgがY方向に沿って配列されるように設けられている。
プレートP上には、投影光学系1002a〜1002dによって、図中Y方向に沿って配列された露光領域Pa〜Pdが形成され、投影光学系1002e〜1002gによって、露光領域Pa〜Pdとは異なる位置にY方向に沿って配列された露光領域Pe〜Pgが形成される。これらの露光領域Pa〜Pgは、視野領域Ma〜Mdの等倍の正立像である。
ここで、フォトマスクMはマスクステージMS上に載置されており、プレートPは、プレートステージ60上に載置されている。ここで、マスクステージMSとプレートステージ60とは、図中X方向に同期して移動する。これにより、プレートP上には、照明光学系1010により照明されたフォトマスクMの像が逐次転写され、所謂走査露光が行なわれる。フォトマスクMの移動により、視野領域Ma〜MgによるフォトマスクMの全面の走査が完了すると、プレートP上の全面に渡ってフォトマスクMの像が転写される。マスクステージMSには、マスクステージMSの移動量を計測するレーザ干渉計(図示省略)が設けられている。レーザ干渉計は、マスクステージMSの位置座標を移動鏡を用いて計測し、計測された位置座標に基づいてマスクステージMSの位置を制御する。
プレートステージ60上には、Y軸に沿った反射面を有する反射部材1061と、X軸に沿った反射面を有する反射部材1062とが設けられている。また、露光装置本体側には、干渉計として、例えばHe−Ne(633nm) 等のレーザ光を供給するレーザ光源1063、レーザ光源1063からのレーザ光をX方向測定用のレーザ光とY方向測定用のレーザ光とに分割するビームスプリッタ1064、ビームスプリッタ1064からのレーザ光を反射部材1061へ投射するためのプリズム1065及びビームスプリッタ1064からのレーザ光を反射部材1062上の2点へ投射するためのプリズム1066、1067が設けられている。これにより、ステージのX方向の位置、Y方向の位置及びXY平面内での回転を検出することができる。なお、図13においては、反射部材1061、1062にて反射されたレーザ光と参照用レーザ光とを干渉させた後に検出する検出系について図示省略している。
露光装置ES3では、マスクステージMSに対しフォトマスクMを支持する支持部MS以外に、干渉計が必要であり、またフォトマスクMの上下に空間を保つ必要がある。そのため、フォトマスクMの2対の対向する辺の組に対し、一方の対の組の辺近傍でのみフォトマスクMを支持することが好ましい。そうした場合、上述したようにフォトマスクMが大きくなるに従い、フォトマスクMの自重による変形、特に第2の変形の問題が顕著となってしまう。これに対し、フォトマスクMは実施形態に係るフォトマスク1〜3であるので、投影光学系のオートフォーカス機能の焦点深度を超えてしまう自重による変形がキャンセルされるように作用する。そのため、露光装置ES3では、高精度の露光が可能となる。
第1〜第3実施形態に係るフォトマスク基板は基板を支持した際にその自重により発生する変形をキャンセルするような形状に製造されているので、大きなサイズのフォトマスクであっても、ガラス基板上にマスクパターンを高精度に露光できる。
以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、フォトマスク用基板の大きさは、上記実施形態で記載した大きさに限定されない。
また、フォトマスク用基板は、石英ガラス以外からなっていてもよい。フォトマスク用基板は、液晶露光用のフォトマスクに限らず、他のデバイス用のフォトマスクに用いられてもよい。また、フォトマスクの成形部材は、グラファイトに限られない。
フラットパネルディスプレイ、特に大型液晶の高精細なマスクパターンを高精度に露光するために用いるフォトマスク、フォトマスク用基板、フォトマスク用基板の製造方法、フォトマスクを用いた露光方法を提供できる。

Claims (33)

  1. 厚さが実質的に均一の板状部材からなるフォトマスク用基板であって、
    連続的な曲面からなる、マスクパターンを形成すべき第1面と、前記第1面と対向する第2面と、を備え、
    前記第1面は、相対向する一対の第1組の辺と当該第1組の辺を連結するように延びる相対向する一対の第2組の辺とからなる四角形状を呈し、前記第1組の各辺に沿った端部に前記フォトマスク用基板が支持されるための支持部を有し、
    前記フォトマスク用基板を、前記第1面が実質的に鉛直な状態となるように保持したときに、
    前記フォトマスク用基板の重心を通り且つ前記フォトマスク用基板の厚さ方向に延びる軸線が前記第1面と交わる点を前記第1面の中心点とし、
    前記中心点における前記第1面の接平面と平行な参照平面を、前記フォトマスク用基板に対し前記第2面より前記第1面に近い側において定義した場合、
    前記第1面の中心点と前記参照平面との間の前記厚さ方向に沿った第1の距離が、前記第2組の各辺の中点と前記参照平面との間の前記厚さ方向に沿った第2の距離よりも短く、前記第2組の各辺において、当該辺の前記第1組の辺側の部分と前記参照平面との間の前記厚さ方向に沿った距離が、前記第2の距離よりも短いことを特徴とするフォトマスク用基板。
  2. 前記フォトマスク用基板を、前記第1面が実質的に鉛直な状態となるように保持したときに、
    前記第1組の各辺の中点と前記参照平面との間の前記厚さ方向に沿った距離が、前記第1の距離と実質的に同一であることを特徴とする請求項に記載のフォトマスク用基板。
  3. 前記フォトマスク用基板を、前記第1面が実質的に鉛直な状態となるように保持したときに、
    前記第1組の各辺の中点と前記参照平面との間の前記厚さ方向に沿った距離が、前記第1の距離より短いことを特徴とする請求項1又は2に記載のフォトマスク用基板。
  4. 厚さが実質的に均一の板状部材からなるフォトマスク用基板であって、
    連続的な曲面からなる、マスクパターンを形成すべき第1面と、前記第1面と対向する第2面と、を備え、
    前記第1面は、相対向する一対の第1組の辺と当該第1組の辺を連結するように延びる相対向する一対の第2組の辺とからなる四角形状を呈し、前記第1組の各辺に沿った端部に前記フォトマスク用基板が支持されるための支持部を有し、
    前記フォトマスク用基板を、前記第1面が実質的に鉛直な状態となるように保持したときに、
    前記フォトマスク用基板の重心を通り且つ前記フォトマスク用基板の厚さ方向に延びる軸線が前記第1面と交わる点を前記第1面の中心点とし、
    前記中心点における前記第1面の接平面と平行な参照平面を、前記フォトマスク用基板に対し前記第2面より前記第1面に近い側において定義した場合、
    前記第1面の中心点と前記参照平面との間の前記厚さ方向に沿った第1の距離が、前記第2組の各辺の中点と前記参照平面との間の前記厚さ方向に沿った第2の距離よりも短く、前記第1組の各辺の中点と前記参照平面との間の前記厚さ方向に沿った距離が、前記第1の距離より短いことを特徴とするフォトマスク用基板。
  5. 前記フォトマスク用基板を、前記第1面が実質的に鉛直な状態となるように保持したときに、
    前記第1組の各辺上の何れの点についても、当該第1組の辺上の点と前記参照平面との間の前記厚さ方向に沿った距離が実質的に同一であることを特徴とする請求項に記載のフォトマスク用基板。
  6. 請求項1〜の何れか一項に記載のフォトマスク用基板であって、
    前記第1面と前記第2面とを識別するためのマークを備えていることを特徴とするフォトマスク用基板。
  7. 請求項1〜の何れか一項に記載のフォトマスク用基板であって、
    前記基板は石英ガラスからなることを特徴とするフォトマスク用基板。
  8. 請求項1〜の何れか一項に記載のフォトマスク用基板を用いて作成されたフォトマスクであって、
    前記第1面にマスクパターンが形成されており、
    前記第2面側から露光光が投射されるように前記支持部において露光装置に支持されることを特徴とするフォトマスク。
  9. 請求項に記載のフォトマスクに形成されたマスクパターンをウェハ上に露光する露光方法であって、
    前記フォトマスクのマスクパターンが形成された面とは反対側の面から露光光が投射され、前記マスクパターンが形成された面が前記ウェハ側に向くように、前記支持部が露光装置のフォトマスク支持部材により支持された状態で露光を行なうことを特徴とする露光方法。
  10. 板状部材を成形してフォトマスク用基板を成形する成形部材であって、
    連続的な曲面からなり、相対向する一対の第1組の辺と当該第1組の辺を連結するように延びる相対向する一対の第2組の辺とからなる四角形状を呈する、前記板状部材を成形するための成形面を備え、
    前記第1組の各辺の中点を結ぶ直線と前記第2組の各辺の中点を結ぶ直線との交点を前記成形面の中心点とし、
    前記中心点における前記成形面の接平面と平行な参照平面を、前記成形面に対し前記成形部材から遠ざかる側において定義した場合、
    前記成形面の中心点と前記参照平面との間の前記接平面の法線方向に沿った第1の距離が、前記第2組の各辺の中点と前記参照平面との間の前記法線方向に沿った第2の距離よりも短く、前記第2組の各辺において、当該辺の前記第1組の辺側の部分と前記参照平面との間の前記法線方向に沿った距離が、前記第2の距離よりも短いことを特徴とするフォトマスク用基板の成形部材。
  11. 前記第1組の各辺の中点と前記参照平面との間の前記法線方向に沿った距離が、前記第1の距離と実質的に同一であることを特徴とする請求項10に記載のフォトマスク用基板の成形部材。
  12. 前記第1組の各辺の中点と前記参照平面との間の前記法線方向に沿った距離が、前記第1の距離より短いことを特徴とする請求項10又は11に記載のフォトマスク用基板の成形部材。
  13. 板状部材を成形してフォトマスク用基板を成形する成形部材であって、
    連続的な曲面からなり、相対向する一対の第1組の辺と当該第1組の辺を連結するように延びる相対向する一対の第2組の辺とからなる四角形状を呈する、前記板状部材を成形するための成形面を備え、
    前記第1組の各辺の中点を結ぶ直線と前記第2組の各辺の中点を結ぶ直線との交点を前記成形面の中心点とし、
    前記中心点における前記成形面の接平面と平行な参照平面を、前記成形面に対し前記成形部材から遠ざかる側において定義した場合、
    前記成形面の中心点と前記参照平面との間の前記接平面の法線方向に沿った第1の距離が、前記第2組の各辺の中点と前記参照平面との間の前記法線方向に沿った第2の距離よりも短く、前記第1組の各辺の中点と前記参照平面との間の前記法線方向に沿った距離が、前記第1の距離より短いことを特徴とするフォトマスク用基板の成形部材。
  14. 前記第1組の各辺上の何れの点についても、当該第1組の辺上の点と前記参照平面との間の前記法線方向に沿った距離が実質的に同一であることを特徴とする請求項13に記載のフォトマスク用基板の成形部材。
  15. グラファイトからなることを特徴とする請求項10〜14の何れか一項に記載のフォトマスク用基板の成形部材。
  16. フォトマスク用基板の製造方法であって、
    請求項1015の何れか一項に記載の成形部材を用意し、
    マスクパターンを形成すべき第1面と、前記第1面と対向する第2面と、を備える厚さが実質的に均一の板状部材を用意し、
    前記板状部材の前記第2面を前記成形部材の前記成形面によって支持した状態で熱処理炉内に配置し、
    前記板状部材の温度が所定の温度となるように前記熱処理炉内を加熱した後、前記板状部材の温度を降下させることを特徴とするフォトマスク用基板の製造方法。
  17. フォトマスク用基板の製造方法であって、
    マスクパターンを形成すべき第1面と、前記第1面と対向する第2面と、を備える厚さが実質的に均一の板状部材を用意し、
    前記板状部材がほぼ水平となるように、前記板状部材の前記第2面を構成する互いに対向する二組の辺のうち、一方の一組の辺に沿った端部領域を支持部材により支持した状態で熱処理炉内配置し、
    前記板状部材の温度が所定の温度となるように前記熱処理炉内を加熱した後、前記板状部材の温度を降下させることを特徴とするフォトマスク用基板の製造方法。
  18. 前記支持部材はグラファイトからなることを特徴とする請求項17に記載のフォトマスク用基板の製造方法。
  19. 前記板状部材は石英ガラスからなることを特徴とする請求項17又は18に記載のフォトマスク用基板の製造方法。
  20. フォトマスク用基板であって、
    マスクパターン形成を行なうための第1面は対角線の長さが1200mm以上の矩形であって、
    前記フォトマスク用基板の厚さは8mm以上であって、
    前記フォトマスク用基板を、前記第1面が実質的に鉛直な状態に保持し、
    前記第1面の中心近傍と平行であって、前記第1面の手前側に前記第1面から十分に離れた位置に任意の平面である参照平面を定義した場合、
    前記第1面を構成する二つの中心線のうちの一方の第1中心線の端部近傍から前記参照平面までの距離は、前記第1中心線の中心近傍から前記参照平面までの距離に比べて、30〜100μm長く、前記第1面を構成する二つの中心線のうちの前記第1中心線とは別の第2中心線の中央部近傍から前記参照平面までの距離は、前記第2中心線の端部近傍から前記参照平面までの距離に比べて、150〜1500μm長いことを特徴とするフォトマスク用基板。
  21. 請求項20に記載のフォトマスク用基板であって、
    前記第1中心線に平行な一組の辺である第1組の辺の近傍の各点から前記参照平面までの距離は、実質的に同一であることを特徴とするフォトマスク用基板。
  22. 請求項20又は21に記載のフォトマスク用基板であって、
    前記第1面と対向する第2面は、前記第1面と実質的に平行であることを特徴とするフォトマスク用基板。
  23. 請求項2022の何れか一項に記載のフォトマスク用基板であって、
    前記第1面と前記第2面を識別するためのマークを備えていることを特徴とするフォトマスク用基板。
  24. 請求項2023の何れか一項に記載のフォトマスク用基板であって、
    前記基板は石英ガラスからなることを特徴とするフォトマスク用基板。
  25. 請求項2024の何れか一項に記載のフォトマスク用基板を用いて作成されたフォトマスクであって、
    前記第1面にマスクパターンが形成されており、
    前記フォトマスクが露光装置に支持される支持部分は、第1組の辺の近傍であることを特徴とするフォトマスク。
  26. 請求項25に記載のフォトマスクを用いて露光を行なうことを特徴とする露光方法であって、
    前記フォトマスクのマスクパターンが形成された面が下方を向くように前記支持部分を露光装置のフォトマスク支持部材により指示した状態で露光を行なうことを特徴とする露光方法。
  27. 板状部材を成形してフォトマスク用基板の成形部材であって、板状部材を成形するための成形面を有し、
    前記成形面は、対角線の長さが1200mm以上の矩形であって、
    前記成形面の中心近傍と平行であって、前記成形面の手前側に前記成形面から十分に離れた位置に任意の平面である参照平面を定義した場合、
    前記成形面を構成する二つの中心線のうちの一方の第1中心線の端部近傍から前記参照平面までの距離は、前記第1中心線の中心近傍から前記参照平面までの距離に比べて30〜100μm長く、前記成形面を構成する二つの中心線のうちの前記第1中心線とは異なる第2中心線の中央部近傍から前記参照平面までの距離は、前記第2中心線の端部近傍から前記参照平面までの距離に比べて、150〜1500μm長いことを特徴とするフォトマスク用基板の成形部材。
  28. 請求項27に記載のフォトマスク用基板の成形部材であって、
    前記第1中心線に平行な一組の辺である第一組の辺の近傍の各点から前記参照平面までの距離は、実質的に同一であることを特徴とするフォトマスク用基板の成形部材。
  29. 請求項27又は28に記載のフォトマスク用基板の成形部材であって、前記成形部材はグラファイトからなる。
  30. フォトマスク用基板の製造方法であって、
    請求項2729の何れか一項に記載の成形部材を用意し、
    マスクパターン形成を行なうための面が矩形であって、その対角線の長さが1200mm以上の矩形、厚さが8mm以上の板状部材を用意し、
    前記板状部材を前記成形部材の前記成形面によって支持した状態で熱処理炉内に配置し、
    前記板状部材の温度が所定の温度となるように前記熱処理炉内を加熱した後、前記板状部材の温度を降下させることを特徴とするフォトマスク用基板の製造方法。
  31. フォトマスク用基板の製造方法であって、
    マスクパターン形成を行なうための面は対角線の長さが1200mm以上の矩形であって、厚さが8mm以上の板状部材を用意し、
    前記板状部材がほぼ水平となるように、前記板状部材の下面を構成する互いに対向する二組の辺のうち、一方の一組の辺に沿った近傍の領域を支持部材により支持した状態で熱処理炉内配置し
    前記板状部材の温度が所定の温度となるように前記熱処理炉内を加熱した後、前記板状部材の温度を降下させることを特徴とするフォトマスク用基板の製造方法。
  32. 前記支持部材はグラファイトからなることを特徴とする請求項31に記載のフォトマスク用基板の製造方法。
  33. 前記板状部材は石英ガラスからなることを特徴とする請求項30〜32の何れか一項に記載のフォトマスク用基板の製造方法。
JP2009514063A 2007-05-09 2008-04-22 フォトマスク用基板、フォトマスク用基板の成形部材、フォトマスク用基板の製造方法、フォトマスク、およびフォトマスクを用いた露光方法 Active JP5304644B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009514063A JP5304644B2 (ja) 2007-05-09 2008-04-22 フォトマスク用基板、フォトマスク用基板の成形部材、フォトマスク用基板の製造方法、フォトマスク、およびフォトマスクを用いた露光方法

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007124126 2007-05-09
JP2007124126 2007-05-09
PCT/JP2008/057718 WO2008139848A1 (ja) 2007-05-09 2008-04-22 フォトマスク用基板、フォトマスク用基板の成形部材、フォトマスク用基板の製造方法、フォトマスク、およびフォトマスクを用いた露光方法
JP2009514063A JP5304644B2 (ja) 2007-05-09 2008-04-22 フォトマスク用基板、フォトマスク用基板の成形部材、フォトマスク用基板の製造方法、フォトマスク、およびフォトマスクを用いた露光方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2008139848A1 JPWO2008139848A1 (ja) 2010-07-29
JP5304644B2 true JP5304644B2 (ja) 2013-10-02

Family

ID=40002066

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009514063A Active JP5304644B2 (ja) 2007-05-09 2008-04-22 フォトマスク用基板、フォトマスク用基板の成形部材、フォトマスク用基板の製造方法、フォトマスク、およびフォトマスクを用いた露光方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8153336B2 (ja)
EP (1) EP2146244B1 (ja)
JP (1) JP5304644B2 (ja)
KR (2) KR101545361B1 (ja)
CN (1) CN101681092B (ja)
TW (1) TWI430018B (ja)
WO (1) WO2008139848A1 (ja)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1857880B1 (en) 2003-04-09 2015-09-16 Nikon Corporation Exposure method and apparatus and device manufacturing method
TW201834020A (zh) 2003-10-28 2018-09-16 日商尼康股份有限公司 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
TWI519819B (zh) 2003-11-20 2016-02-01 尼康股份有限公司 光束變換元件、光學照明裝置、曝光裝置、以及曝光方法
TWI511182B (zh) 2004-02-06 2015-12-01 尼康股份有限公司 光學照明裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
KR101455551B1 (ko) 2005-05-12 2014-10-27 가부시키가이샤 니콘 투영 광학계, 노광 장치 및 노광 방법
US8451427B2 (en) 2007-09-14 2013-05-28 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method
JP5267029B2 (ja) 2007-10-12 2013-08-21 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法
CN101681123B (zh) 2007-10-16 2013-06-12 株式会社尼康 照明光学系统、曝光装置以及元件制造方法
EP2179329A1 (en) 2007-10-16 2010-04-28 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8379187B2 (en) 2007-10-24 2013-02-19 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9116346B2 (en) 2007-11-06 2015-08-25 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
WO2009145048A1 (ja) 2008-05-28 2009-12-03 株式会社ニコン 空間光変調器の検査装置および検査方法、照明光学系、照明光学系の調整方法、露光装置、およびデバイス製造方法
KR101260221B1 (ko) * 2011-12-01 2013-05-06 주식회사 엘지화학 마스크
NL2011592A (en) * 2012-10-31 2014-05-06 Asml Netherlands Bv Compensation for patterning device deformation.
US9027365B2 (en) 2013-01-08 2015-05-12 Heraeus Quartz America Llc System and method for forming fused quartz glass
JP2014141356A (ja) * 2013-01-22 2014-08-07 Nippon Electric Glass Co Ltd 結晶化ガラス屈曲板の製造方法
JP5582232B1 (ja) * 2013-07-30 2014-09-03 日本電気硝子株式会社 曲面形状を有するガラス板の製造方法、曲面形状を有するガラス板及び曲面形状を有するガラス板の製造装置
DE112013007710B4 (de) 2013-12-23 2018-11-29 Heraeus Quartz America Llc Verfahren zum Formen von Komponenten aus opakem Quarzglas
CN108351597B (zh) * 2015-09-01 2021-02-09 株式会社尼康 光罩保持装置、曝光装置、平板显示器的制造方法、器件制造方法、光罩的保持方法以及曝光方法
CN105511220B (zh) * 2016-02-04 2019-12-27 京东方科技集团股份有限公司 掩膜版
CN106502044B (zh) * 2017-01-10 2020-01-24 昆山国显光电有限公司 掩膜板及其制造方法
DE102020114880A1 (de) * 2020-06-04 2021-12-09 Gerresheimer Bünde Gmbh Vorrichtung zum Umformen eines Glaszeuges

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09167736A (ja) * 1995-12-15 1997-06-24 Canon Inc 走査型露光装置及びそれを用いたデバイス製造方法
JP2000077321A (ja) * 1998-08-31 2000-03-14 Canon Inc 投影露光方法及び投影露光装置
JP2002053330A (ja) * 2000-08-10 2002-02-19 Nikon Corp 合成石英ガラスの成形方法及び合成石英ガラス
JP2003050458A (ja) * 2001-05-31 2003-02-21 Toshiba Corp 露光マスクの製造方法、マスク基板情報生成方法、半導体装置の製造方法、マスク基板、露光マスクおよびサーバー
JP2003192363A (ja) * 2001-12-26 2003-07-09 Shin Etsu Chem Co Ltd 合成石英ガラス及びその製造方法
JP2003292346A (ja) * 2002-01-31 2003-10-15 Shin Etsu Chem Co Ltd 大型基板及びその製造方法
JP2006225249A (ja) * 2004-10-15 2006-08-31 Toshiba Ceramics Co Ltd フォトマスク用合成シリカガラス基板の製造方法、その方法によるフォトマスク用合成シリカガラス基板、及びその方法に用いるアニール炉

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5727262A (en) * 1980-07-28 1982-02-13 Toshiba Corp Pattern forming mask
JPS60152026A (ja) * 1984-01-20 1985-08-10 Fujitsu Ltd 曲面レチクルの製造方法
US4883525A (en) * 1988-08-05 1989-11-28 Corning Incorporated Glass-ceramic support for fusing and sagging ophthmalmic multifocal lenses
JPH0344639A (ja) * 1989-07-12 1991-02-26 Matsushita Electron Corp フォトマスク
GB9210525D0 (en) * 1992-05-16 1992-07-01 British Aerospace Manufacture of articles from composite material
JPH05326367A (ja) * 1992-05-21 1993-12-10 Hitachi Ltd 露光方法、露光装置およびそれに用いるフォトマスク
JPH09251203A (ja) * 1996-03-14 1997-09-22 Hitachi Ltd 露光装置
US20020050152A1 (en) * 2000-08-10 2002-05-02 Seishi Fujiwara Synthetic silica glass molding method, synthetic silica glass molding apparatus, and synthetic silica glass
US6776006B2 (en) * 2000-10-13 2004-08-17 Corning Incorporated Method to avoid striae in EUV lithography mirrors
CN1264196C (zh) * 2001-05-31 2006-07-12 株式会社东芝 曝光掩模的制造方法及其应用
US6537844B1 (en) * 2001-05-31 2003-03-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Manufacturing method for exposure mask, generating method for mask substrate information, mask substrate, exposure mask, manufacturing method for semiconductor device and server
TWI250133B (en) * 2002-01-31 2006-03-01 Shinetsu Chemical Co Large-sized substrate and method of producing the same
JP4340893B2 (ja) 2002-01-31 2009-10-07 信越化学工業株式会社 大型基板の製造方法
JP3450848B2 (ja) * 2002-08-19 2003-09-29 Hoya株式会社 フォトマスクブランク、フォトマスクブランク用ガラス基板及びフォトマスク
US20050092026A1 (en) * 2003-11-03 2005-05-05 Merola Janice E. Curved support fixtures for shape control
JP2005262432A (ja) 2004-02-18 2005-09-29 Shin Etsu Chem Co Ltd 大型基板の製造方法
US8212988B2 (en) * 2004-08-06 2012-07-03 Carl Zeiss GmbH Projection objective for microlithography
JP5153998B2 (ja) * 2005-02-25 2013-02-27 Hoya株式会社 マスクブランク用透明基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、露光用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法
JP4362732B2 (ja) * 2005-06-17 2009-11-11 信越化学工業株式会社 フォトマスク用大型ガラス基板及びその製造方法、コンピュータ読み取り可能な記録媒体、並びにマザーガラスの露光方法
CN1828423A (zh) * 2005-08-30 2006-09-06 上海海晶电子有限公司 一种曝光掩模板的固定方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09167736A (ja) * 1995-12-15 1997-06-24 Canon Inc 走査型露光装置及びそれを用いたデバイス製造方法
JP2000077321A (ja) * 1998-08-31 2000-03-14 Canon Inc 投影露光方法及び投影露光装置
JP2002053330A (ja) * 2000-08-10 2002-02-19 Nikon Corp 合成石英ガラスの成形方法及び合成石英ガラス
JP2003050458A (ja) * 2001-05-31 2003-02-21 Toshiba Corp 露光マスクの製造方法、マスク基板情報生成方法、半導体装置の製造方法、マスク基板、露光マスクおよびサーバー
JP2003192363A (ja) * 2001-12-26 2003-07-09 Shin Etsu Chem Co Ltd 合成石英ガラス及びその製造方法
JP2003292346A (ja) * 2002-01-31 2003-10-15 Shin Etsu Chem Co Ltd 大型基板及びその製造方法
JP2006225249A (ja) * 2004-10-15 2006-08-31 Toshiba Ceramics Co Ltd フォトマスク用合成シリカガラス基板の製造方法、その方法によるフォトマスク用合成シリカガラス基板、及びその方法に用いるアニール炉

Also Published As

Publication number Publication date
EP2146244A1 (en) 2010-01-20
US20100062350A1 (en) 2010-03-11
US8153336B2 (en) 2012-04-10
CN101681092A (zh) 2010-03-24
JPWO2008139848A1 (ja) 2010-07-29
KR101497886B1 (ko) 2015-03-04
EP2146244A4 (en) 2010-04-28
WO2008139848A1 (ja) 2008-11-20
KR20100023854A (ko) 2010-03-04
TW200903145A (en) 2009-01-16
EP2146244B1 (en) 2016-03-16
KR20140057353A (ko) 2014-05-12
TWI430018B (zh) 2014-03-11
KR101545361B1 (ko) 2015-08-19
CN101681092B (zh) 2012-07-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5304644B2 (ja) フォトマスク用基板、フォトマスク用基板の成形部材、フォトマスク用基板の製造方法、フォトマスク、およびフォトマスクを用いた露光方法
JP5153998B2 (ja) マスクブランク用透明基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、露光用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法
CN101713929B (zh) 光刻设备和器件制造方法
JP4362732B2 (ja) フォトマスク用大型ガラス基板及びその製造方法、コンピュータ読み取り可能な記録媒体、並びにマザーガラスの露光方法
JP2009528561A (ja) 基材を処理し、解析する、プラットフォーム、装置、システム、及び方法
JP2007046946A (ja) 基板の両面形状測定装置及び基板の両面形状測定方法
JP4340638B2 (ja) 基板の表側または裏側に結像するためのリソグラフィ装置、基板識別方法、デバイス製造方法、基板、およびコンピュータプログラム
JP5372136B2 (ja) リソグラフィ装置のための剪断層チャック
JP2015032800A (ja) リソグラフィ装置、および物品製造方法
JP2007108037A (ja) 位置測定方法、距離測定方法及び位置測定装置
US20080204735A1 (en) Apparatus and method for measuring structures on a mask and or for calculating structures in a photoresist resulting from the structures
JP4968720B2 (ja) 電子デバイス用基板形状検査装置及び電子デバイス用基板形状検査方法、並びにマスクブランク用ガラス基板の製造方法
JP2004214415A (ja) パターン描画方法及び描画装置
KR101080144B1 (ko) 노광장치 및 디바이스 제조방법
KR101061056B1 (ko) 유리판 내부 마킹 장치
KR101369588B1 (ko) 유리기판 인사이드 마킹 장치
JP4435760B2 (ja) デバイス製造方法
JP5245261B2 (ja) 走査型露光装置、露光方法、及びデバイスの製造方法
TW396295B (en) Method and device for producing masks
US20060141738A1 (en) Method for measuring bonding quality of bonded substrates, metrology apparatus, and method of producing a device from a bonded substrate
KR20110103918A (ko) 유리기판 인사이드 마킹 장치
WO2021015099A1 (ja) 露光装置及び露光方法
JP2004023046A (ja) 走査型露光方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110215

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110824

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120522

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120718

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130108

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130528

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130610

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5304644

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250