TWI430018B - A substrate for a mask, a forming member for a substrate for a mask, a method for manufacturing a mask for a mask, a photomask, and an exposure method using a mask - Google Patents

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Description

光罩用基板、光罩用基板之成形構件、光罩用基板之製造方法、光罩、及使用光罩之曝光方法
本發明係關於一種使用光微影技術製造平面面板顯示器(以下，稱為FPD)等之元件時所使用之光罩用基板、光罩用基板之成形構件、光罩用基板之製造方法、光罩、及使用光罩之曝光方法。
平面面板顯示器(以下，稱為FPD)等之元件，係藉由使用光微影技術，使形成於光罩之光罩圖案高精度投影曝光於元件基板的表面來製造。是以，光罩變形時形成於光罩之光罩圖案亦會產生變形，其結果，投影於元件基板之光罩圖案像亦會產生變形。
因此，探討下述課題，即為了提昇光罩的平坦性，進行除去光罩基板之一部分凸部分的加工，以改善基板的平面性(參照專利文獻1、專利文獻2、及專利文獻3)。
專利文獻1：日本特開2003－292346專利文獻2：日本特開2004－359544專利文獻3：日本特開2005－262432
然而，藉由使形成於光罩之光罩圖案投影曝光於基板來製造FPD等之元件之曝光裝置中，已知一邊以形成光罩圖案之面朝向下方之方式將光罩大致水平地保持在曝光裝置，一邊使形成於光罩之光罩圖案曝光於基板。此時，由於曝光裝置之構成上的限制，光罩係支持於包圍下面(亦即 形成光罩圖案之面)之四邊之中，相對向之一組二邊附近的區域。以此方式支持之光罩，支持之一組之邊之間的區域，會因本身重量向下面側彎曲而下垂般地變形。此處，將此變形稱為第1變形。又，同時，於未支持之二邊(自由端)之附近，會進一步向下方彎曲而下垂般地變形。此處，將此變形稱為第2變形。由於此種光罩的變形，形成於光罩下面之光罩圖案亦會有產生如上述說明之變形之虞。
為了使如此變形之光罩圖案正確地成像、曝光於基板上，曝光裝置之投影光學系統具有自動聚焦功能。然而，投影光學系統之自動聚焦功能之聚焦深度對第1變形有效，但相對於此，第2變形造成的影響有超過聚焦深度之範圍的傾向。又，伴隨光罩之大型化，第2變形顯著變大，產生進一步自投影光學系統之聚焦深度之範圍內脫離的問題。
相對於此問題，即使專利文獻1~3所探討般地使平面性良好，亦無法對應因基板本身重量而變形的問題。
本發明之目的在於提供一種可抑制因本身重量導致之光罩基板之第2變形所引起之光罩基板之從所欲光罩圖案的變形，使光罩圖案投影曝光於元件基板上之光罩用基板、光罩用基板之成形構件、光罩用基板之製造方法、光罩、及使用光罩之曝光方法。
本發明之光罩用基板，係由厚度實質上均一之板狀構件構成，其特徵在於：具備由連續曲面構成之待形成光罩圖案的第1面、及與第1面相對向的第2面；第1面呈由 相對向之一對第1組之邊、及以連結該第1組之邊之方式延伸之相對向之一對第2組之邊構成的四邊形，沿著第1組之各邊之端部具有用以支持光罩用基板的支持部；以第1面實質上呈鉛垂狀態之方式保持光罩用基板時，以通過光罩用基板之重心且延伸於光罩用基板之厚度方向之軸線與第1面的交點作為第1面的中心點；將在中心點之與第1面之切平面平行的參照平面，定義在對光罩用基板較第2面接近第1面側時，沿著第1面之中心點與參照平面之間之厚度方向的第1距離，短於沿著第2組之各邊之中點與參照平面之間之厚度方向的第2距離。此處，本說明書之切平面，係包含在曲面上之一點、與此曲面相切之所有切線的平面。
以第1面實質上呈鉛垂狀態之方式保持光罩用基板時，於第2組之各邊，該邊之沿著第1組之邊側之部分與參照平面之間之厚度方向的距離短於第2距離亦可。又，以第1面實質上呈鉛垂狀態之方式保持光罩用基板時，第1組之各邊上之任一點，沿著該第1組之邊上之點與參照平面之間之厚度方向的距離實質上相同亦可。
以第1面實質上呈鉛垂狀態之方式保持光罩用基板時，沿著第1組之各邊之中點與參照平面之間之厚度方向的距離與第1距離實質上相同亦可。
以第1面實質上呈鉛垂狀態之方式保持光罩用基板時，沿著第1組之各邊之中點與參照平面之間之厚度方向的距離短於第1距離亦可。
以第1面實質上呈鉛垂狀態之方式保持光罩用基板時，第2組之各邊上之任一點，沿著該第2組之邊上之點與參照平面之間之厚度方向的距離實質上相同亦可。
上述光罩用基板中，具備用以辨別第1面與第2面的標記亦可。上述光罩用基板中，基板由石英玻璃構成亦可。
本發明之光罩，係使用上述光罩用基板製作，其特徵在於：在第1面形成光罩圖案；於該支持部被曝光裝置支持為自第2面側投射曝光用光。
本發明之曝光方法，係使形成於上述光罩之光罩圖案曝光於晶圓上，其特徵在於：自與光罩之光罩圖案形成面相反側之面投射曝光用光，以光罩圖案形成面朝向晶圓側之方式，在支持部被曝光裝置之光罩支持構件支持之狀態下進行曝光。
本發明之光罩用基板之成形構件，係成形為板狀構件以形成光罩用基板，其特徵在於：具備用以形成板狀構件的成形面，該板狀構件，係呈由連續曲面構成之相對向之一對第1組之邊、及以連結該第1組之邊之方式延伸之相對向之一對第2組之邊所構成的四邊形；以連結第1組之各邊之中點之直線及連結第2組之各邊之中點之直線的交點作為成形面的中心點；將在中心點之與成形面之切平面平行的參照平面，定義在對成形面自成形構件遠離之側時，沿著成形面之中心點與參照平面之間之切平面之法線方向的第1距離，短於沿著第2組之各邊之中點與參照平面之間之法線方向的第2距離。
於第2組之各邊，該邊之沿著第1組之邊側之部分與參照平面之間之法線方向的距離短於第2距離亦可。又，第1組之各邊上之任一點，沿著該第1組之邊上之點與參照平面之間之法線方向的距離實質上相同亦可。
沿著第1組之各邊之中點與參照平面之間之法線方向的距離與第1距離實質上相同亦可。沿著第1組之各邊之中點與參照平面之間之法線方向的距離短於第1距離亦可。
第2組之各邊上之任一點，沿著該第2組之邊上之點與參照平面之間之法線方向的距離實質上相同亦可。上述成形構件，由石墨構成亦可。
本發明之光罩用基板之製造方法，其特徵在於：準備上述成形構件；準備具備待形成光罩圖案之第1面、及與第1面相對向之第2面之厚度實質上均一的板狀構件；將板狀構件之第2面在被成形構件之成形面支持之狀態下配置於熱處理爐內；將熱處理爐內加熱至板狀構件之溫度成為既定溫度後，降低板狀構件的溫度。
本發明之光罩用基板之製造方法，其特徵在於：準備具備待形成光罩圖案之第1面、及與第1面相對向之第2面之厚度實質上均一的板狀構件；以板狀構件呈大致水平之方式，將沿著構成板狀構件之第2面之彼此相對向之二組邊之中、一側之一組邊之端部區域被支持構件支持之狀態下配置於熱處理爐內；將熱處理爐內加熱至板狀構件之溫度成為既定溫度後，降低板狀構件的溫度。此時，支持 構件，由石墨構成亦可。
板狀構件，由石英玻璃構成亦可。
又，本發明第1發明之光罩用基板，其特徵在於：用以進行光罩圖案形成之第1面，係對角線長度1200mm以上的矩形；光罩用基板之厚度為8mm以上；將光罩用基板保持成第1面實質上呈鉛垂狀態；將任意平面之參照平面定義在與第1面之中心附近平行之第1面之前側之與第1面充分離開的位置時，自構成第1面之二條中心線之中之一側之第1中心線之端部附近至參照平面為止的距離，相較於自第1中心線之中心附近至參照平面為止的距離，長30~100 μm。
此光罩在平行於第1中心線之一組之邊附近藉由曝光裝置支持之狀態下進行曝光。是以，根據此構成，由於可抑制曝光中在光罩未受到支持之二邊(自由端)之中央部附近之第2變形的變大，因此即使是大尺寸的光罩，亦能使光罩圖案高精度曝光於玻璃基板上。
本發明第2發明之光罩用基板，於上述第1發明之光罩用基板中，自平行於第1中心線之一組之邊之第1組之邊附近之各點至參照平面為止的距離實質上相同。
此光罩在平行於第1中心線之一組之邊附近藉由曝光裝置支持之狀態下進行曝光。根據此構成，光罩基板形成為曝光中在光罩未受到支持之二邊(自由端)之中央部附近產生之第2變形消除的形狀。是以，由於可抑制曝光中在自由端產生之第2變形，因此即使是大尺寸的光罩，亦能 使光罩圖案進一步高精度曝光於玻璃基板上。
本發明第3發明之光罩用基板，於上述第1及第2發明之光罩用基板中，自第2中心線之中央部附近至參照平面為止的距離，相較於自第2中心線之端部附近至參照平面為止的距離，長150~1500 μm。
根據此構成，光罩基板形成為曝光中在支持區域之間之區域產生之第1變形消除，且同時在自由端之中央部附近產生之第2變形亦消除的形狀。是以，即使是大尺寸的光罩，亦能使光罩圖案以極高精度曝光於玻璃基板上。
根據本發明，能提供一種可抑制因本身重量導致之光罩基板之第2變形所引起之光罩基板之從所欲光罩圖案的變形，使光罩圖案投影曝光於元件基板上之光罩用基板、光罩用基板之成形構件、光罩用基板之製造方法、光罩、及使用光罩之曝光方法。
以下，參照圖式說明本發明之實施形態，但本發明並不限於此。又，說明中，相同元件或具有相同功能之元件係使用相同符號，以省略重複說明。又，各元件所附加之符號僅為該元件之例示，並非限定各元件。
(第1實施形態)
圖7係顯示第1實施形態之光罩用基板之製造方法的概略圖。首先，準備相對向之二面實質上平行、厚度實質上均一的石英玻璃製板狀構件。相對向之二面係矩形，其尺寸為長、寬長度分別係1220mm及1400mm，厚度13mm。 對此石英玻璃製板狀構件之兩面進行研磨加工。石英玻璃製板狀構件71，具備相對向之二面之中之一面作為待形成光罩圖案的第1面71a、及另一面作為與第1面相對向的第2面71b。
接著，準備使用於形成此石英玻璃製板狀構件71的石墨製成形構件72。
此成形構件72與圖4所示之成形構件40相同。此處，參照圖4說明成形構件40。成形構件40之厚度大約100mm，用以形成石英玻璃製板狀構件之成形面41的尺寸與石英玻璃製板狀構件大致相同。成形面41係預先加工成下述形狀。亦即，將任意平面之參照平面400定義在與成形面41之中心附近平行之成形面41之前側之充分離開的位置時，自構成成形面41之二條中心線之中之一側之第1中心線42之端部附近至參照平面400為止的距離401，相較於自第1中心線42之中心附近至參照平面為止的距離402，長大約40 μm。亦即，以成形面41朝上之方式設置上述石墨製支持構件40時，沿著第1中心線42，其兩端部附近之表面相較於其中央部附近之表面，低大約40 μm。
亦即，成形面41呈由連續曲面構成之相對向之一對第1組之邊41a,41b、及以連結該第1組之邊之方式延伸之相對向之一對第2組之邊41c,41d所構成的四邊形。此處，以連結第1組之各邊41a,41b之中點41e,41f之直線之第2中心線43、與連結第2組之各邊41c,41d之中點41g,41h 之直線之第1中心線42之交點作為成形面41的中心點41i。此時，參照平面400，係在成形面41之中心點41i之與成形面41的切平面410平行，定義在對成形面41自成形構件40遠離之側。成形面41的切平面410，如上述定義般，係包含在成形面41上之一點之中心點41i、與成形面41相切之所有切線的平面。
沿著成形面41之中心點41i與參照平面400之間之切平面410之法線方向410N的第1距離402，短於沿著第2組之各邊41c,41d之中點41g,41h與參照平面400之間之法線方向410N的第2距離401。又，第2組之各邊41c,41d上之任一點，沿著該第2組之邊41c,41d上之點與參照平面400之間之法線方向41i的距離401實質上相同。
上述形狀，如上述說明，係為了消除曝光裝置所支持之光罩產生之因本身重量導致的變形而設定。此外，大約40 μm之數值，會因石英玻璃製板狀構件之尺寸而不同。又，使用石英玻璃以外之材料時，較佳為，依材料之彈性模數來適當變更。
接著，將石英玻璃製板狀構件71裝載於石墨製成形構件72的成形面73上(圖7(b))。石英玻璃製板狀構件71因本身重量而彈性變形，與石墨製成形構件72的成形面73大致整面接觸。因此，石英玻璃製板狀構件71成為應力產生的狀態。此外，由於石墨製成形構件72具有充分的厚度，因此可忽視變形(圖7(c))。
接著，在此狀態下收納於熱處理爐內。使熱處理爐內 之溫度逐漸上升至大約1300℃，接著，以大約1300℃維持既定時間。藉此，緩和石英玻璃製板狀構件71產生之應力，在整面接觸石墨製成形構件之成形面之狀態下應力大致為零。由於熱處理前之石英玻璃製板狀構件之上面與下面大致平行，因此即使應力為零此關係亦不會改變。又，雖維持溫度1300℃，但只要此溫度為可緩和樣本之應力之溫度即可，為更低之溫度亦可。又，使用石英玻璃以外之材料時，將材料設定在應力緩和之溫度即可。
石英玻璃製板狀構件71之應力緩和結束後，使熱處理爐內之溫度逐漸下降至室溫，下降至室溫後放置既定時間，之後從熱處理爐取出石英玻璃製板狀構件71。石英玻璃製板狀構件71成為石墨製成形構件72之成形面之形狀已轉印之狀態，製成光罩用基板1。
接著，測定製成之光罩用基板1的平面度。測定之面，係未接觸石墨製成形構件72之側的面，亦即對應石英玻璃製板狀構件71的第1面71a。平面度之測定，係在使光罩用基板1垂直豎立之狀態下使用非接觸之光學測定裝置進行。籍此，可確認光罩用基板1之表面已成為石墨製成形構件72之支持面之成形面73之形狀已大致轉印之形狀。
亦即，如圖1所示，製成下述光罩用基板，即以進行光罩圖案形成之第1面11實質上呈鉛垂之方式保持製成之光罩用基板1，將任意平面之參照平面100定義在與第1面11之中心附近平行之第1面之前側之與該第1面充分 離開的位置時，從觀察方向O觀察，自構成第1面之二條中心線之中之一側之第1中心線C1之端部附近至參照平面為止的距離101，相較於自第1中心線之中心附近至參照平面為止的距離102，長大約40 μm。
亦即，光罩用基板1，係厚度實質上均一之板狀構件，其具備由連續曲面構成之待形成光罩圖案的第1面11、及與第1面11相對向的第2面12。第1面11呈由相對向之一對第1組之邊11a,11b、及以連結第1組之邊11a,11b之方式延伸之相對向之一對第2組之邊11c,11d構成的四邊形。第1面11，具有用以在沿著第1組之各邊11a,11b之端部支持光罩用基板1的支持部11s,11t。
此處，假設以第1面11實質上呈鉛垂狀態之方式保持光罩用基板1。此外，以通過光罩用基板1之重心且延伸於光罩用基板1之厚度方向D之軸線與第1面11的交點作為第1面11的中心點11i。由於光罩用基板1係厚度實質上均一之板狀構件，因此中心點11i，係連結第1組之各邊11a,11b之中點11e,11f之直線之第2中心線C2、與連結第2組之各邊11c,11d之中點11g,11h之直線之第1中心線C1的交點。
又，參照平面100，係在中心點11i之與第1面11的切平面110平行的面，定義在對光罩用基板1較第2面12接近第1面11側。第1面11的切平面110，如上述定義般，係包含在第1面11上之一點之中心點11i、與第1面11相切之所有切線的平面。
此時，沿著第1面11之中心點11i與參照平面100之間之厚度方向D的第1距離102，短於沿著第2組之各邊11c,11d之中點11g,11h與參照平面100之間之厚度方向D的第2距離101。又，第2組之各邊11c,11d上之任一點，沿著該第2組之邊11c,11d上之點與參照平面100之間之厚度方向D的距離101實質上相同。
本實施形態之光罩用基板1、光罩用基板之成形構件41(72)、及光罩用基板之製造方法，適用於製造液晶面板等之FPD時。
液晶面板等之FPD，係藉由在玻璃基板表面高精度形成FPD之元件來製造。因此，使用光微影技術。亦即，以曝光用光照明在平面性優異之平板狀透明基板表面高精度形成光罩圖案的光罩，使該光罩圖案像預先成像在塗布有光阻之玻璃基板上後，藉由顯影在玻璃基板表面形成光阻圖案。之後，經由複數個步驟製造FPD。
然而，為了FPD之畫面尺寸之大型化與生產之效率化，FPD用玻璃基板逐年大型化，伴隨於此，其生產所使用之光罩亦逐漸大型化。不久的將來，玻璃基板會成為例如2200mm×2500mm般極大，伴隨於此，使光罩圖案曝光於此玻璃基板所使用之光罩的尺寸，成為例如1220mm×1400mm、厚度13mm般極大。然而，大型化之進展不會停於此，要求更大的玻璃基板與光罩。
使形成於光罩之光罩圖案曝光於基板時，一邊以光罩圖案形成面向下之方式將光罩大致水平地保持在曝光裝置 一邊進行。此時，由於曝光裝置之構成上的限制，光罩係支持於包圍下面(亦即形成光罩圖案之面)之四邊之中，相對向之一組二邊附近的區域。以此方式支持之光罩，支持之一組之邊之間的區域，會因本身重量向下面側彎曲而下垂般地變形。此處，將此變形稱為第1變形。又，同時，於未支持之二邊(自由端)之附近，會進一步向下方彎曲而下垂般地變形。此處，將此變形稱為第2變形。圖12係顯示該樣子。亦即，圖12中，光罩M，與2個部位之支持部分S之間之區域向下方下垂同時，未支持之自由端F之中央部附近進一步向下方下垂。其意味著形成於光罩下面之光罩圖案亦產生如上述說明之變形。又，圖12中，C1及C2係顯示光罩圖案形成面之二條中心線，此處，將平行於支持部分S之中心線稱為第1中心線C1，另一者稱為第2中心線C2。
曝光裝置，係構成為投影光學系統使細長區域曝光。為了使如上述變形之光罩圖案正確地成像、曝光於FPD之基板之玻璃基板上，曝光裝置之投影光學系統具有自動聚焦功能。
雖形成於光罩之光罩圖案產生如上述說明之變形，但對上述第1變形，以往能藉由曝光裝置之自動聚焦功能或光罩之移動方向等來對應。又，關於上述第2變形，由於在投影光學系統之聚焦深度之範圍內，因此並無特別的對應。
然而，伴隨光罩之大型化，特別是第2變形更大，會 產生自投影光學系統之聚焦深度之範圍內脫離的問題。又，第1變形亦進一步變大。對此類型之變形，如上述說明，藉由曝光裝置之功能可對應至某種程度，但為了將大型化之光罩之光罩圖案之曝光品質維持在極高的狀態，較佳為，採取某些對策。
為了提升光罩圖案之曝光品質，日本特開2003－292346(專利文獻1)、日本特開2004－359544(專利文獻2)、及日本特開2005－262432(專利文獻3)揭示有藉由進行除去基板之一部分凸部分的加工，以改善基板的平面性。然而，即使平面性良好，亦無法對應大型化之基板之本身重量導致之變形的問題。
本實施形態解決此等問題，能提供一種即使是大尺寸之光罩，亦能使光罩之光罩圖案高精度曝光於玻璃基板上之用以製造光罩之光罩用基板、用以製造光罩用基板之成形構件、及光罩用基板之製造方法。
(第2實施形態)
準備與第1實施形態相同之石英玻璃製板狀構件，以與第1實施形態所使用之步驟相同的步驟進行研磨加工。
接著，準備使用於支持此石英玻璃製板狀構件以進行熱處理的石墨製成形構件50。
圖5係顯示此成形構件50。成形構件50之厚度大約100mm，成形面51的尺寸與石英玻璃製板狀構件大致相同。成形面51係預先加工成下述形狀。亦即，將任意平面之參照平面500定義在與成形面51之中心附近平行之 成形面51之前側之充分離開的位置時，自構成成形面51之二條中心線之中之一側之第1中心線52之端部附近至參照平面為止的距離501，相較於自第1中心線之中心附近至參照平面為止的距離502，長大約40 μm，自平行於第1中心線52之一組之邊之第一組之邊附近的各點至參照平面為止的距離503實質上相同。
亦即，成形面51呈由連續曲面構成之相對向之一對第1組之邊51a,51b、及以連結該第1組之邊之方式延伸之相對向之一對第2組之邊51c,51d所構成的四邊形。此處，以連結第1組之各邊51a,51b之中點51e,51f之直線之第2中心線53、與連結第2組之各邊51c,51d之中點51g,51h之直線之第1中心線52之交點作為成形面51的中心點51i。此時，參照平面500，係在成形面51之中心點51i之與成形面51的切平面平行，定義在對成形面51自成形構件50遠離之側。
沿著成形面51之中心點51i與參照平面500之間之切平面之法線方向N的第1距離502，短於沿著第2組之各邊51c,51d之中點51g,51h與參照平面500之間之法線方向N的第2距離501。
又，於第2組之各邊51c,51d，該邊51c,51d之沿著第1組之邊51a,51b側之部分與參照平面500之間之法線方向N的距離503短於第2距離501。因此，第1組之各邊51a,51b上之任一點，沿著該第1組之邊51a,51b上之點與參照平面500之間之法線方向N的距離與距離503實 質上相同。
又，沿著第1組之各邊51a,51b之中點51e,51f與參照平面500之間之法線方向N的距離503與第1距離502實質上相同。其原因在於，連結第1組之各邊51a,51b之中點51e,51f之直線，通過成形面51的中心點51i。
上述形狀，如上述說明，係為了消除曝光裝置所支持之光罩產生之因本身重量導致的變形而設定。此外，大約40 μm之數值，會因石英玻璃製板狀構件之尺寸而不同。又，使用石英玻璃以外之材料時，較佳為，依材料之彈性模數來適當變更。
之後，以與第1實施形態說明之步驟相同的步驟製成光罩用基板。
製成之光罩用基板之平面度的測定，亦藉由與第1實施形態說明之步驟相同的步驟來進行。藉此，可確認光罩用基板之表面已成為石墨製成形構件之支持面之形狀已大致轉印之形狀。
亦即，如圖2所示，製成下述光罩用基板，即以進行光罩圖案形成之第1面21實質上呈鉛垂之方式保持製成之光罩用基板2，將任意平面之參照平面200定義在與第1面之中心附近平行之第1面之前側之與第1面充分離開的位置時，從觀察方向O觀察，自構成第1面之二條中心線之中之一側之第1中心線C1之端部附近至參照平面為止的距離201，相較於自第1中心線C1之中心附近至參照平面為止的距離202，長大約40 μm，自平行於第1中心 線C1之一組之邊之第1組之邊21a,21b附近的各點至參照平面為止的距離203實質上相同。
亦即，光罩用基板2，係厚度實質上均一之板狀構件，其具備由連續曲面構成之待形成光罩圖案的第1面21、及與第1面21相對向的第2面22。第1面21呈由相對向之一對第1組之邊21a,21b、及以連結第1組之邊21a,21b之方式延伸之相對向之一對第2組之邊21c,21d構成的四邊形。第1面21，具有用以在沿著第1組之各邊21a,21b之端部支持光罩用基板2的支持部21s,21t。
此處，假設以第1面21實質上呈鉛垂狀態之方式保持光罩用基板2。此外，以通過光罩用基板2之重心且延伸於光罩用基板2之厚度方向D之軸線與第1面21的交點作為第1面21的中心點21i。由於光罩用基板2係厚度實質上均一之板狀構件，因此中心點21i，係連結第1組之各邊21a,21b之中點21e,21f之直線之第2中心線C2、與連結第2組之各邊21c,21d之中點21g,21h之直線之第1中心線C1的交點。
又，參照平面200，係在中心點21i之與第1面21的切平面210平行的面，定義在對光罩用基板2較第2面22接近第1面21側。
此時，沿著第1面21之中心點21i與參照平面200之間之厚度方向D的第1距離102，短於沿著第2組之各邊21c,21d之中點21g,21h與參照平面200之間之厚度方向D的第2距離201。又，於第2組之各邊21c,21d，該邊21c, 21d之沿著第1組之邊21a,21b側之部分與參照平面200之間之厚度方向D的距離203短於第2距離201。因此，第1組之各邊21a,21b上之任一點，沿著該第1組之邊21a,21b上之點與參照平面200之間之厚度方向D的距離203實質上相同。又，沿著第1組之各邊21a,21b之中點21e,21f與參照平面200之間之厚度方向D的距離203與第1距離202實質上相同。其原因在於，連結第1組之各邊21a,21b之中點21e,21f之直線，通過第1面21的中心點21i。
(第3實施形態)
準備與第1實施形態相同之石英玻璃製板狀構件71，以與第1實施形態所使用之步驟相同的步驟進行研磨加工。
接著，準備使用於支持此石英玻璃製板狀構件71以進行熱處理的石墨製成形構件60。
圖6係顯示此成形構件60。成形構件60之厚度大約100mm，成形面61的尺寸與石英玻璃製板狀構件71大致相同。成形面61係預先加工成下述形狀。亦即，將任意平面之參照平面600定義在與成形面61之中心附近平行之成形面61之前側之充分離開的位置時，自構成成形面61之二條中心線之中之一側之第1中心線62之端部附近至參照平面為止的距離601，相較於自第1中心線之中心附近至參照平面為止的距離602，長大約40 μm，自平行於第1中心線62之一組之邊之第一組之邊附近的各點至參照平面為止的距離603實質上相同，自構成成形面61之 二條中心線之中之與第1中心線不同之第2中心線之中央部附近至參照平面600為止的距離602，相較於自該第2中心線之端部附近至該參照平面為止的距離603，長大約500 μm。
亦即，成形面61呈由連續曲面構成之相對向之一對第1組之邊61a,61b、及以連結該第1組之邊之方式延伸之相對向之一對第2組之邊61c,61d所構成的四邊形。此處，以連結第1組之各邊61a,61b之中點61e,61f之直線之第2中心線63、與連結第2組之各邊61c,61d之中點61g,61h之直線之第1中心線62之交點作為成形面61的中心點61i。此時，參照平面600，係在成形面61之中心點61i之與成形面61的切平面平行，定義在對成形面61自成形構件60遠離之側。成形面61的切平面610，如上述定義般，係包含在成形面61上之一點之中心點61i、與成形面61相切之所有切線的平面。
沿著成形面61之中心點61i與參照平面600之間之切平面610之法線方向610N的第1距離602，短於沿著第2組之各邊61c,61d之中點61g,61h與參照平面600之間之法線方向N的第2距離601。又，沿著第1組之各邊61a,61b之中點61e,61f與參照平面600之間之法線方向N的距離603短於第1距離602。
上述形狀，如上述說明，係為了消除曝光裝置所支持之光罩產生之因本身重量導致的變形而設定。此外，大約40 μm及500 μm之數值，會因石英玻璃製板狀構件之尺 寸而不同。又，使用石英玻璃以外之材料時，較佳為，依材料之彈性模數來適當變更。
之後，以與第1實施形態說明之步驟相同的步驟製成光罩用基板。製成之光罩用基板之平面度的測定，亦藉由與第1實施形態說明之步驟相同的步驟來進行。藉此，可確認光罩用基板之表面已成為石墨製成形構件之支持面之形狀已大致轉印之形狀。
亦即，如圖3所示，製成下述光罩用基板，即以進行光罩圖案形成之第1面31實質上呈鉛垂之方式保持製成之光罩用基板3，將任意平面之參照平面300定義在與第1面之中心附近平行之第1面之前側之與第1面充分離開的位置時，從觀察方向O觀察，自構成第1面之二條中心線之中之一側之第1中心線C1之端部附近至參照平面為止的距離301，相較於自第1中心線C1之中心附近至參照平面為止的距離302，長大約40 μm，自平行於第1中心線C1之一組之邊之第1組之邊31a,31b附近的各點至參照平面為止的距離303實質上相同，自構成第1面之二條中心線之中之與該第1中心線不同之第2中心線C2之中央部附近至參照平面為止的距離302，相較於自該第2中心線C2之端部附近至參照平面為止的距離303，長大約500 μm。
亦即，光罩用基板3，係厚度實質上均一之板狀構件，其具備由連續曲面構成之待形成光罩圖案的第1面31、及與第1面31相對向的第2面32。第1面31呈由相對向之 一對第1組之邊31a,31b、及以連結第1組之邊31a,31b之方式延伸之相對向之一對第2組之邊31c,31d構成的四邊形。第1面31，具有用以在沿著第1組之各邊31a,31b之端部支持光罩用基板3的支持部31s,31t。
此處，假設以第1面31實質上呈鉛垂狀態之方式保持光罩用基板3。此外，以通過光罩用基板3之重心且延伸於光罩用基板3之厚度方向D之軸線與第1面31的交點作為第1面31的中心點31i。由於光罩用基板3係厚度實質上均一之板狀構件，因此中心點31i，係連結第1組之各邊31a,31b之中點31e,31f之直線之第2中心線C2、與連結第2組之各邊31c,31d之中點31g,31h之直線之第1中心線C1的交點。
又，參照平面300，係在中心點31i之與第1面31的切平面平行的面，定義在對光罩用基板3較第2面32接近第1面31側。
此時，沿著第1面31之中心點31i與參照平面300之間之厚度方向D的第1距離302，短於沿著第2組之各邊31c,31d之中點31g,31h與參照平面300之間之厚度方向D的第2距離301。又，沿著第1組之各邊31a,31b之中點31e,31f與參照平面300之間之厚度方向D的距離303短於第1距離302。
此外，於第1實施形態、第2實施形態、及第3實施形態，雖在石墨製支持構件之上直接置放石英玻璃製板狀構件以進行熱處理，但熱處理時，使石墨片位在石墨製支 持構件與石英玻璃製板狀構件之間來進行亦可。此時，具有防止石英玻璃製板狀構件產生損傷的效果。又，雖進行研磨加工後，對石英玻璃製板狀構件進行熱處理，但在熱處理後進行研磨加工亦可。再者，使石墨製支持構件之支持面的形狀成為凹凸相反的形狀亦可。此時，熱處理時使光罩圖案形成面成為下側之面來進行。
又，第1實施形態、第2實施形態、及第3實施形態之光照用基板1,2,3，亦可具備用以辨別第1面11,21,31與第2面12,22,32的標記。
(第4實施形態)
圖8係顯示第4實施形態之光罩用基板之製造方法的概略圖。
準備與第1實施形態所使用之板狀構件71相同之石英玻璃製板狀構件85，以與第1實施形態所使用之步驟相同的步驟進行研磨加工(圖8(a))。
接著，將石英玻璃製板狀構件85收納於熱處理爐內。此時，如圖8(b)所示，在沿著構成石英玻璃製板狀構件85之表面85b之彼此相對向之二組邊之中、一側之一組邊附近之區域，藉由一對石墨製棒狀構件S將石英玻璃製板狀構件85支持成大致水平支持的狀態。支持之區域，係與藉由曝光裝置支持使用石英玻璃製板狀構件85製成之光罩的區域大致一致。此狀態下，藉由石墨製棒狀構件S支持之區域之間，石英玻璃製板狀構件85會因本身重量向下方下垂般地變形，同時，於未支持之二邊F之中央部附 近，會進一步向下方下垂般地變形。
接著，使熱處理爐內之溫度逐漸上升至1300℃後，使熱處理爐內之溫度逐漸下降，下降至室溫為止並放置既定時間後，取出石英玻璃製板狀構件。籍此，石英玻璃製板狀構件，從上述說明之因本身重量導致變形之狀態進一步產生更大的變形。
以同樣步驟對複數個石英玻璃製板狀構件進行熱處理。此時，改變各種維持在1300℃之時間，以複數個條件進行熱處理。
亦即，如圖8(a)所示，準備具備待形成光罩圖案之第1面85a、及與第1面85a相對向之第2面85b之厚度實質上均一的板狀構件85。接著，如圖8(b)所示，在沿著構成板狀構件85之第2面85b之彼此相對向之二組邊之中、一側之一組邊85c,85d之端部區域，藉由一對石墨製棒狀構件S將板狀構件85支持成大致水平。接著，在被支持構件S支持之狀態下，將板狀構件85配置於熱處理爐內。
將熱處理爐內加熱至板狀構件85之溫度成為既定溫度(例如，1300℃)後，使板狀構件85之溫度逐漸下降。以此方式，下降至室溫並放置既定時間後，取出板狀構件85，如圖8(c)所示，製得光罩用基板8。
接著，測定以上述複數個條件進行熱處理之石英玻璃製板狀構件的平面度。平面度之測定，係藉由與第1實施形態說明之步驟相同的步驟來進行。平面度，維持在1300℃之時間愈長則值愈大。因此，從此等複數個熱處理條件 之中，求出滿足下述條件的熱處理條件。
亦即，如圖8(c)所示，選擇下述石英玻璃製板狀構件，即以待進行光罩圖案形成之第1面81實質上呈鉛垂之方式保持熱處理結束之石英玻璃製板狀構件85之石英玻璃製板狀構件8，將任意平面之參照平面800定義在與第1面之中心附近平行之第1面之前側之與該第1面充分離開的位置時，從觀察方向O觀察，自與熱處理中支持之區域附近之一組之邊82正交之第1面之中心線C2之中央部附近至參照平面800為止的距離801，相較於自第2中心線C2之端部附近至參照平面800為止的距離802，長大約500 μm。接著，以對石英玻璃製板狀構件進行之熱處理條件作為求出之熱處理條件來製造光罩用基板。
以此方式製造之光罩用基板，與第3實施形態所製造之光罩用基板為大致相同形狀。亦即，如圖3所示，以進行光罩圖案形成之第1面31實質上呈鉛垂之方式保持製成之光罩用基板3，將任意平面之參照平面300定義在與第1面之中心附近平行之第1面之前側之與該第1面充分離開的位置時，從觀察方向O觀察，自構成第1面之二條中心線之中之一側之第1中心線C1之端部附近至參照平面為止的距離301，相較於自第1中心線C1之中心附近至參照平面為止的距離302，長大約40 μm，自平行於第1中心線C1之一組之邊之第1組之邊31a,31b附近的各點至參照平面為止的距離303實質上相同，自構成第1面之二條中心線之中之與該第1中心線不同之第2中心線C2 之中央部附近至參照平面為止的距離302，相較於自該第2中心線C2之端部附近至參照平面為止的距離303，長大約500 μm。
上述形狀，如上述說明，係為了消除曝光裝置所支持之光罩產生之因本身重量導致的變形而設定。此外，大約40 μm及500 μm之數值，會因石英玻璃製板狀構件之尺寸而不同。又，使用石英玻璃以外之材料時，較佳為，依材料之彈性模數來適當變更。
(第5實施形態)
使用圖9說明本實施形態之光罩之製造方法。
首先，準備第1~第3實施形態之光罩用基板1,2,3或第4實施形態之製造方法所製造之光罩用基板8作為光罩用基板90。光罩用基板90係進行洗淨以成為極潔淨的狀態。圖9(a)係顯示其狀態。
接著，在光罩用基板90之光罩圖案形成面之第1面90a形成鉻層91。圖9(b)係顯示其狀態。
接著，在鉻層91之上塗布光阻92後，使所欲之液晶圖案曝光。圖9(c)係顯示其狀態。
接著，進行顯影以除去已曝光之部分的光阻，形成光阻圖案。圖9(d)係顯示其狀態。
接著，進行蝕刻，除去露出之鉻層的部分。圖9(e)係顯示其狀態。
接著，籍由除去殘留之光阻，成為在表面形成鉻之液晶圖案的光罩，最後，以測長器檢查液晶圖案是否正確地 形成後，進行精密洗淨，製成光罩。圖9(f)係顯示其狀態。
亦即，第1~第3實施形態之光罩用基板1,2,3或第4實施形態之製造方法所製造之光罩用基板8之光罩用基板90，具備待形成光罩圖案的第1面90a、及與第1面90a相對向的第2面90b。光罩用基板90，係在第1面90a形成光罩圖案，在第1面90a之支持部被曝光裝置支持為自第2面90b側投射曝光用光。
如上述說明，由於使用第1~第3實施形態之光罩用基板，可高精度進行曝光，因此能製造高品質的光罩。
此外，在研磨光罩用基板後，使用成形構件等施加熱處理使其變形後，經由圖9所示之步驟形成光罩圖案來製得光罩亦可。或者，使用成形構件等對光罩用基板施加熱處理使其變形後，施加研磨，之後經由圖9所示之步驟形成光罩圖案來製得光罩亦可。或者，在研磨光罩用基板後，經由圖9所示之步驟形成光罩圖案後，使用成形構件等施加熱處理使其變形來製得光罩亦可。亦即，亦可變更組合研磨、熱處理、及光罩圖案之形成步驟的順序。
(第6實施形態)
本實施形態係關於使用第1~第3實施形態之光罩用基板之液晶圖案的曝光方法。使用圖10加以說明。
圖10係顯示液晶用曝光裝置ES。此曝光裝置，具備光源LS、照明光學系統IS、投影光學系統PS、光罩載台MS、及基板載台SS。
將第5實施形態製作之光罩之光罩M配置於曝光裝置 之光罩載台MS。光罩M，在對應第1面之下面M1形成有光罩圖案，在構成下面M1之二組邊之中之一組邊之附近被光罩載台MS所支持。是以，圖10中，2處之未被光罩載台MS所支持之另一組之邊成為自由端。
又，塗布光阻之液晶用基板S，係支持於曝光裝置之基板載台SS上。
從光源LS射出之光，係藉由照明光學系統IS來照明光罩圖案。照明之光罩圖案，係藉由投影光學系統PS而聚光於預先塗布光阻之基板S。此時，光罩載台MS與基板載台SS係同步移動於與紙面呈直角的方向。
亦即，於本實施形態之使用光罩之液晶圖案之曝光方法，從與光罩M之光罩圖案形成面M1相反側之面M2投射曝光用光，以光罩圖案形成面M1朝向基板S側之方式，在藉由曝光裝置ES之光罩支持構件MS支持光罩M之狀態下進行曝光。
由於第1~第3實施形態之光罩用基板係製造成消除當支持基板時因本身重量導致之變形的形狀，因此即使是大尺寸的光罩，亦可使光罩圖案高精度曝光於玻璃基板上。
又，使用圖11說明使用另一類型之曝光裝置之情形。圖11係顯示另一類型之曝光裝置ES2。此曝光裝置，具備光源LS2、反射鏡FM1,FM2,FM3,FM4、曲面反射鏡CM、光罩載台MS、及基板載台SS。
將第5實施形態製作之光罩之光罩M配置於曝光裝置 之光罩載台MS。光罩M，在上面M1形成有光罩圖案，在構成下面之二組邊之中之一組邊之附近被光罩載台MS所支持。是以，圖10中，2處之未被光罩載台MS所支持之另一組之邊成為自由端。
又，塗布光阻之液晶用基板S，係支持於曝光裝置之基板載台SS上。
從光源LS2射出之光，係經由反射鏡M1而照明光罩。從照明之光罩射出之光，係經由各反射鏡FM2,FM3、曲面反射鏡CM、及反射鏡FM4而聚光於預先塗布光阻之基板S。此時，光罩載台MS與基板載台SS係同步移動於紙面的左右方向。
(第7實施形態)
本實施形態係關於將實施形態之光罩1~3之任一者使用為光罩M之液晶圖案之曝光方法。使用圖13加以說明。
圖13係顯示液晶用曝光裝置ES3。此曝光裝置，具備照明光學系統1010、投影光學系統1002a~1002g、光罩載台MS、板件P。此外，圖13中，設定座標系統，該座標系統，係以設有既定光罩圖案之光罩M、及在玻璃基板上塗布光阻之板件W的搬送方向(掃描方向)為X軸，在光罩M之平面內與X軸正交的方向為Y軸，光罩M的法線方向為Z軸。
圖13中，照明光學系統1010之曝光用光，均一地照明圖中XY平面內之光罩M。照明光學系統1010，可使用具備例如供應g線(435nm)、或i線(365nm)等之曝光用光 之水銀燈等的光源。曝光用光，形成照明光學系統1010之視野光闌之孔徑部之像之照明區域Ma~Mg。
光罩M，係配置成第2面朝向圖1之上方、亦即照明光學系統1010側，形成光罩圖案之第1面朝向投影光學系統1002a~1002g側、亦即板件P側。光罩M，係配置成第1組之邊與Y軸方向平行，第2組之邊與X軸方向平行。又，光罩M，在位於沿著光罩M之第1組之邊之端部之第1面上的支持部支持光罩載台MS。另一方面，光罩M之第2組之邊為自由端。
在光罩M之下方配置複數個投影光學系統1002a~1002g。投影光學系統1002a~1002g具有以投影光學系統內之視野光闌規定的視野區域Ma~Mg。此等視野區域Ma~Mg之像，在板件P上之曝光區域Pa~Pg上形成為等倍的正立像。此處，投影光學系統1002a~1002d，係設成視野區域Ma~Md沿著圖中Y方向排列。又，投影光學系統1002e~1002g，係設成在圖中X方向與視野區域Ma~Md不同之位置、視野區域Me~Mg沿著Y方向排列。
在板件P上，藉由投影光學系統1002a~1002d形成沿著圖中Y方向排列的曝光區域Pa~Pd，藉由投影光學系統1002e~1002g形成在與曝光區域Pa~Pd不同之位置沿著Y方向排列的曝光區域Pe~Pg。此等曝光區域Pa~Pg，係視野區域Ma~Mg之等倍的正立像。
此處，光罩M係裝載於光罩載台MS上，板件P係裝載於板件載台60上。此處，光罩載台MS與板件載台60 係同步移動於圖中X方向。藉此，在板件P上依序轉印照明光學系統1010所照明之光罩M的像，即進行所謂掃描曝光。藉由光罩M之移動，視野區域Ma~Mg之光罩M之整面的掃描結束後，光罩M之像轉印至板件P上的整面。在光罩載台MS設置測量光罩載台MS之移動量的雷射干涉儀(圖示省略)。雷射干涉儀，使用移動鏡測量光罩載台MS的位置座標，根據測量之位置座標控制光罩載台MS的位置。
在板件載台60上設置具有沿著Y軸之反射面的反射構件1061、及具有沿著X軸之反射面的反射構件1062。又，在曝光裝置本體側作為干涉儀設有供應例如He－Ne(633nm)等之雷射光的雷射光源1063、將來自雷射光源1063之雷射光分割成X方向測定用之雷射光與Y方向測定用之雷射光的分束器1064、用以將來自分束器1064之雷射光投射至反射構件1061的稜鏡1065、及用以將來自分束器1064之雷射光投射至反射構件1062上之2點的稜鏡1066,1067。藉此，可檢測載台之X方向的位置、Y方向的位置、及在XY平面內的旋轉。此外，圖13中，使反射構件1061,1062所反射之雷射光與參照用雷射光干涉後加以檢測的檢測系統，係省略圖示。
曝光裝置ES3，除了對光罩載台MS支持光罩M的支持部MS以外，亦需要干涉儀，或需在光罩M之上下保持空間。因此，較佳為，對光罩M之2對相對向之邊之組，僅在一對之組之邊附近支持光罩M。此時，如上述，隨著 光罩M變大，因光罩M之本身重量所導致的變形，特別是第2變形的問題變顯著。相對於此，由於光罩M係實施形態之光罩1~3，因此可消除超過投影光學系統之自動聚焦功能之焦點深度之因本身重量導致的變形。因此，曝光裝置ES3可高精度曝光。
由於第1~第3實施形態之光罩用基板係製造成消除當支持基板時因本身重量導致之變形的形狀，因此即使是大尺寸的光罩，亦可使光罩圖案高精度曝光於玻璃基板上。
以上，對本發明之較佳實施形態加以詳細說明，但本發明並不限於上述實施形態，可進行各種變形。例如，光罩用基板之尺寸並不限於上述實施形態所記載的尺寸。
又，光罩用基板亦可由石英玻璃以外構成。光罩用基板並不限於液晶曝光用之光罩，亦可使用其他元件用之光罩。又，光罩之成形構件並不限於石墨。
本發明能提供使平面面板顯示器，特別是大尺寸液晶之高精細光罩圖案高精度曝光所使用之光罩、光罩用基板、光罩用基板之製造方法、及使用光罩之曝光方法。
1~3‧‧‧光罩用基板
11,21,31‧‧‧第1面
12,22,32‧‧‧第2面
40,50,60‧‧‧成形構件
41,51,61‧‧‧成形面
100,200,300,400,500,600‧‧‧參照平面
圖1係顯示第1實施形態之光罩用基板的概念圖。
圖2係顯示第2實施形態之光罩用基板的概念圖。
圖3係顯示第3實施形態之光罩用基板的概念圖。
圖4係顯示第1實施形態之光罩用基板之成形構件的概念圖。
圖5係顯示第2實施形態之光罩用基板之成形構件的概念圖。
圖6係顯示第3實施形態之光罩用基板之成形構件的概念圖。
圖7(a)~(d)係顯示第1實施形態、第2實施形態、及第3實施形態之光罩用基板之製造方法的概念圖。
圖8(a)~(c)係顯示第4實施形態之光罩用基板之製造方法的概念圖。
圖9(a)~(f)係顯示光罩之製造方法的概念圖。
圖10係顯示使用光罩之曝光方法的概念圖。
圖11係顯示使用光罩之曝光方法的概念圖。
圖12係顯示光罩之變形之樣子的概念圖。
圖13係顯示使用光罩之曝光方法的概念圖。
C1‧‧‧第1中心線
C2‧‧‧第2中心線
D‧‧‧厚度方向
O‧‧‧觀察方向
1‧‧‧光罩用基板
11‧‧‧第1面
11a,11b‧‧‧第1組之邊
11c,11d‧‧‧第2組之邊
11e,11f,11g,11h‧‧‧中點
11I‧‧‧中心點
11s,11t‧‧‧支持部
12‧‧‧第2面
100‧‧‧參照平面
101‧‧‧自第1中心線之端部附近至參照平面為止的距離
102‧‧‧自第1中心線之中心附近至參照平面為止的距離
110‧‧‧切平面

Claims (35)

  1. 一種光罩用基板，係由厚度實質上均一之板狀構件構成，其特徵在於：具備由連續曲面構成之待形成光罩圖案的第1面、及與該第1面相對向的第2面；該第1面呈由相對向之一對第1組之邊、及以連結該第1組之邊之方式延伸之相對向之一對第2組之邊構成的四邊形，沿著該第1組之各邊之端部具有用以支持該光罩用基板的支持部；以該第1面實質上呈鉛垂狀態之方式保持該光罩用基板時，以通過該光罩用基板之重心且延伸於該光罩用基板之厚度方向之軸線與該第1面的交點作為該第1面的中心點；將在該中心點之與該第1面之切平面平行的參照平面，定義在對該光罩用基板較該第2面接近該第1面側時，沿著該第1面之中心點與該參照平面之間之該厚度方向的第1距離，短於沿著該第2組之各邊之中點與該參照平面之間之該厚度方向的第2距離；以該第1面實質上呈鉛垂狀態之方式保持該光罩用基板時，於該第2組之各邊，該邊之沿著該第1組之邊側之部分與該參照平面之間之該厚度方向的距離短於該第2距離。
  2. 如申請專利範圍第1項之光罩用基板，其中，以該第1面實質上呈鉛垂狀態之方式保持該光罩用基板時，該第1 組之各邊上之任一點，沿著該第1組之邊上之點與該參照平面之間之該厚度方向的距離實質上相同。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之光罩用基板，其中，該以第1面實質上呈鉛垂狀態之方式保持該光罩用基板時，沿著該第1組之各邊之中點與該參照平面之間之該厚度方向的距離與該第1距離實質上相同。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之光罩用基板，其中，以該第1面實質上呈鉛垂狀態之方式保持該光罩用基板時，沿著該第1組之各邊之中點與該參照平面之間之該厚度方向的距離短於該第1距離。
  5. 如申請專利範圍第1項之光罩用基板，其中，以該第1面實質上呈鉛垂狀態之方式保持該光罩用基板時，該第2組之各邊上之任一點，沿著該第2組之邊上之點與該參照平面之間之該厚度方向的距離實質上相同。
  6. 如申請專利範圍第1、2、5項中任一項之光罩用基板，其具備用以辨別該第1面與該第2面的標記。
  7. 如申請專利範圍第1、2、5項中任一項之光罩用基板，其中，該基板由石英玻璃構成。
  8. 一種光罩，係使用申請專利範圍第1至7項中任一項之光罩用基板製作，其特徵在於：在該第1面形成光罩圖案；於該支持部被曝光裝置支持為自該第2面側投射曝光用光。
  9. 一種曝光方法，係使形成於申請專利範圍第8項之光 罩之光罩圖案曝光於晶圓上，其特徵在於：自與該光罩之光罩圖案形成面相反側之面投射曝光用光，以該光罩圖案形成面朝向該晶圓側之方式，在該支持部被曝光裝置之光罩支持構件支持之狀態下進行曝光。
  10. 一種光罩用基板之成形構件，係成形為板狀構件以形成光罩用基板，其特徵在於：具備用以形成該板狀構件的成形面，該板狀構件，係呈由連續曲面構成之相對向之一對第1組之邊、及以連結該第1組之邊之方式延伸之相對向之一對第2組之邊所構成的四邊形；以連結該第1組之各邊之中點之直線及連結該第2組之各邊之中點之直線的交點作為該成形面的中心點；將在該中心點之與該成形面之切平面平行的參照平面，定義在對該成形面自該成形構件遠離之側時，沿著該成形面之中心點與該參照平面之間之該切平面之法線方向的第1距離，短於沿著該第2組之各邊之中點與該參照平面之間之該法線方向的第2距離；於該第2組之各邊，該邊之沿著該第1組之邊側之部分與該參照平面之間之該法線方向的距離短於該第2距離。
  11. 如申請專利範圍第10項之光罩用基板之成形構件，其中，該第1組之各邊上之任一點，沿著該第1組之邊上之點與該參照平面之間之該法線方向的距離實質上相同。
  12. 如申請專利範圍第10或11項之光罩用基板之成形 構件，其中，沿著該第1組之各邊之中點與該參照平面之間之該法線方向的距離與該第1距離實質上相同。
  13. 如申請專利範圍第10或11項之光罩用基板之成形構件，其中，沿著該第1組之各邊之中點與該參照平面之間之該法線方向的距離短於該第1距離。
  14. 如申請專利範圍第10項之光罩用基板之成形構件，其中，該第2組之各邊上之任一點，沿著該第2組之邊上之點與該參照平面之間之該法線方向的距離實質上相同。
  15. 如申請專利範圍第10、11、14項中任一項之光罩用基板之成形構件，其由石墨構成。
  16. 一種光罩用基板之製造方法，其特徵在於：準備申請專利範圍第10至15項中任一項之成形構件；準備具備待形成光罩圖案之第1面、及與該第1面相對向之第2面之厚度實質上均一的板狀構件；將該板狀構件之該第2面在被該成形構件之該成形面支持之狀態下配置於熱處理爐內；將該熱處理爐內加熱至該板狀構件之溫度成為既定溫度後，降低該板狀構件的溫度。
  17. 一種光罩用基板之製造方法，其特徵在於：準備具備待形成光罩圖案之第1面、及與該第1面相對向之第2面之厚度實質上均一的板狀構件；以該板狀構件呈大致水平之方式，將沿著構成該板狀構件之該第2面之彼此相對向之二組邊之中、一側之一組邊 之端部區域被支持構件支持之狀態下配置於熱處理爐內；將該熱處理爐內加熱至該板狀構件之溫度成為既定溫度後，降低該板狀構件的溫度。
  18. 如申請專利範圍第17項之光罩用基板之製造方法，其中，該支持構件，由石墨構成。
  19. 如申請專利範圍第17或18項之光罩用基板之製造方法，其中，該板狀構件，由石英玻璃構成。
  20. 一種光罩用基板，其特徵在於：用以進行光罩圖案形成之第1面，係對角線長度1200mm以上的矩形；該光罩用基板之厚度為8mm以上；將該光罩用基板保持成該第1面實質上呈鉛垂狀態；將任意平面之參照平面定義在與該第1面之中心附近平行之該第1面之前側之與該第1面充分離開的位置時，自構成該第1面之二條中心線之中之一側之第1中心線之端部附近至該參照平面為止的距離，相較於自該第1中心線之中心附近至該參照平面為止的距離，長30~100μm；自平行於該第1中心線之一組之邊之第1組之邊附近之各點至該參照平面為止的距離實質上相同。
  21. 如申請專利範圍第20項之光罩用基板，其中，自構成該第1面之二條中心線之中之與該第1中心線不同之第2中心線之端部附近內之各點至該參照平面為止的距離實質上相同。
  22. 如申請專利範圍第20項之光罩用基板，其中，自該 第2中心線之中央部附近至該參照平面為止的距離，相較於自該第2中心線之端部附近至該參照平面為止的距離，長150~1500μm。
  23. 如申請專利範圍第20至22項中任一項之光罩用基板，其中，與該第1面相對向之第2面，係與該第1面實質上平行。
  24. 如申請專利範圍第20至22項中任一項之光罩用基板，其具備用以辨別該第1面與該第2面的標記。
  25. 如申請專利範圍第20至22項中任一項之光罩用基板，其中，該基板由石英玻璃構成。
  26. 一種光罩，係使用申請專利範圍第20至25項中任一項之光罩用基板製作，其特徵在於：在該第1面形成光罩圖案；該光罩被曝光裝置所支持之支持部分，係第1組之邊的附近。
  27. 一種曝光方法，係使用申請專利範圍第26項之光罩進行曝光，其特徵在於：以該光罩之光罩圖案形成面朝向下方之方式，在該支持部分被曝光裝置之光罩支持構件支持之狀態下進行曝光。
  28. 一種光罩用基板之成形構件，係成形為板狀構件，其特徵在於：具備用以形成該板狀構件的成形面；該成形面係對角線長度1200mm以上的矩形；將任意平面之參照平面定義在與該成形面之中心附近 平行之該成形面之前側之與該成形面充分離開的位置時，自構成該成形面之二條中心線之中之一側之第1中心線之端部附近至該參照平面為止的距離，相較於自該第1中心線之中心附近至該參照平面為止的距離，長30~100μm；自平行於該第1中心線之一組之邊之第1組之邊附近之各點至該參照平面為止的距離實質上相同。
  29. 如申請專利範圍第28項之光罩用基板之成形構件，其中，自構成該成形面之二條中心線之中之與該第1中心線不同之第2中心線之端部附近內之各點至該參照平面為止的距離實質上相同。
  30. 如申請專利範圍第28項之光罩用基板之成形構件，其中，自該第2中心線之中央部附近至該參照平面為止的距離，相較於自該第2中心線之端部附近至該參照平面為止的距離，長150~1500μm。
  31. 如申請專利範圍第28至30項中任一項之光罩用基板之成形構件，其中，該成形構件，由石墨構成。
  32. 一種光罩用基板之製造方法，其特徵在於：準備申請專利範圍第28至31項中任一項之成形構件；準備用以進行光罩圖案形成之面為矩形、對角線長度1200mm以上、厚度8mm以上的板狀構件；將該板狀構件在被該成形構件之該成形面支持之狀態下配置於熱處理爐內；將該熱處理爐內加熱至該板狀構件之溫度成為既定溫度後，降低該板狀構件的溫度。
  33. 一種光罩用基板之製造方法，其特徵在於：準備用以進行光罩圖案形成之面為矩形、對角線長度1200mm以上、厚度8mm以上的板狀構件；以該板狀構件呈大致水平之方式，將沿著構成該板狀構件之下面之彼此相對向之二組邊之中、一側之一組邊之附近之區域被支持構件支持之狀態下配置於熱處理爐內；將該熱處理爐內加熱至該板狀構件之溫度成為既定溫度後，降低該板狀構件的溫度。
  34. 如申請專利範圍第33項之光罩用基板之製造方法，其中，該支持構件由石墨構成。
  35. 如申請專利範圍第32至34項中任一項之光罩用基板之製造方法，其中，該板狀構件由石英玻璃構成。
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