JPH0344639A - フォトマスク - Google Patents
フォトマスクInfo
- Publication number
- JPH0344639A JPH0344639A JP1181075A JP18107589A JPH0344639A JP H0344639 A JPH0344639 A JP H0344639A JP 1181075 A JP1181075 A JP 1181075A JP 18107589 A JP18107589 A JP 18107589A JP H0344639 A JPH0344639 A JP H0344639A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- shielding film
- photomask
- glass substrate
- light shielding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/60—Substrates
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高精度なパターン形成を可能にするフォトマス
クに関するものである。
クに関するものである。
従来の技術
近年、半導体集積回路の微細化・高集積化の進展は著し
く、これらの製造に用いられるフォトマスクに対し、高
いパターン精度が要求されてきている。
く、これらの製造に用いられるフォトマスクに対し、高
いパターン精度が要求されてきている。
以下に従来のフォトマスクについて説明する。
第３図は従来のフォトマスクが半導体集積回路製造工程
において使用される時の断面形状を示すものである。第
３図において、１１はガラス基板、１２．１３は部分的
にエツチングされた遮光膜である。
において使用される時の断面形状を示すものである。第
３図において、１１はガラス基板、１２．１３は部分的
にエツチングされた遮光膜である。
以上のように構成されたフォトマスクは、第３図に示す
ように、遮光膜を下にした状態で水平保持され使用され
る。一般的な半導体製造装置において使用されるフォト
マスクは、５インチ角の大きさ、０．０９インチの厚さ
の合成石英板である。このフォトマスクに形成された遮
光膜のパターンを紫外光などを用いて、感光剤を塗布し
たシリコンウェーハ等に等倍あるいは縮小投影し転写す
る。
ように、遮光膜を下にした状態で水平保持され使用され
る。一般的な半導体製造装置において使用されるフォト
マスクは、５インチ角の大きさ、０．０９インチの厚さ
の合成石英板である。このフォトマスクに形成された遮
光膜のパターンを紫外光などを用いて、感光剤を塗布し
たシリコンウェーハ等に等倍あるいは縮小投影し転写す
る。
発明が解決しようとする課題
上記の従来のフォトマスクでは、水平に保持した時に自
重によりたわみを生じる。このたわみの大きさは、上記
の一般的なフォトマスクの場合で、最大的２μｍになる
。このたわみのために、フォトマスク中央部と端部のパ
ターンをウェーハ上に一括転写した際、フォーン１スに
ズレが生じ、形成されるパターンの精度が低下するとい
う欠点を有していた。
重によりたわみを生じる。このたわみの大きさは、上記
の一般的なフォトマスクの場合で、最大的２μｍになる
。このたわみのために、フォトマスク中央部と端部のパ
ターンをウェーハ上に一括転写した際、フォーン１スに
ズレが生じ、形成されるパターンの精度が低下するとい
う欠点を有していた。
本発明は上記従来の課題を解決するもので、半導体製造
装置にセットした際、遮光膜形成面が水平となるフォト
マスクを提供することを目的とする。
装置にセットした際、遮光膜形成面が水平となるフォト
マスクを提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために本発明のマスク乾板は、ガラ
ス基板を曲面とし、凹面に遮光膜を形成した構成をして
いる。
ス基板を曲面とし、凹面に遮光膜を形成した構成をして
いる。
作用
この構成によって、半導体製造装置にセットしたフォト
マスクの遮光膜パターン面が水平となり、高精度なパタ
ーンをウェーハ上に転写できる。
マスクの遮光膜パターン面が水平となり、高精度なパタ
ーンをウェーハ上に転写できる。
実施例
以下本発明の一実施例について１図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図は本発明の実施例におけるマスク乾板の断面図で
ある。第１図において、ｌはガラス基板、２は金属化合
物などによる遮光膜である。
ある。第１図において、ｌはガラス基板、２は金属化合
物などによる遮光膜である。
第１図に示すように、ガラス基板１を球面状に底形し、
凹面に遮光膜２を成膜する。この球面の曲率半径は約１
０００ｍである。このようなマスク乾板を用いると、半
導体製造装置にセットした際、すなわち遮光膜面を下に
して水平保持した際にちょうど遮光パターン面が水平と
なり、フォーカスのズレはなくなる。
凹面に遮光膜２を成膜する。この球面の曲率半径は約１
０００ｍである。このようなマスク乾板を用いると、半
導体製造装置にセットした際、すなわち遮光膜面を下に
して水平保持した際にちょうど遮光パターン面が水平と
なり、フォーカスのズレはなくなる。
第２図は本発明の実施例におけるマスク乾板の、マスク
パターン形成時の断面形状を示すものである。第２図に
おいて、４は電子ビームである。
パターン形成時の断面形状を示すものである。第２図に
おいて、４は電子ビームである。
一般に、高精度を必要とするマスクの製作には、電子ビ
ーム描画装置によるパターン形成が行なわれる。そして
、電子ビーム描画装置では、半導体製造装置とは逆に、
第２図に示すように、遮光膜面を上にした状態でマスク
乾板を用いる。
ーム描画装置によるパターン形成が行なわれる。そして
、電子ビーム描画装置では、半導体製造装置とは逆に、
第２図に示すように、遮光膜面を上にした状態でマスク
乾板を用いる。
従って、この時のマスク乾板のたわみは従来のマスク乾
板よりも大きく、最大的４μｍになる。多くの電子ビー
ム描画装置は、高さ方向の補正機能を有するので、この
程度り変形は問題ない。
板よりも大きく、最大的４μｍになる。多くの電子ビー
ム描画装置は、高さ方向の補正機能を有するので、この
程度り変形は問題ない。
発明の効果
以上のように本発明によれば、ガラス基板を球面とし、
その凹面側に遮光膜パターンを形成することによって、
半導体製造装置に設置した際の自重によるたわみを打ち
消しフラットな遮光パターン面を作り、高精度なパター
ン転写を行なうことができる。
その凹面側に遮光膜パターンを形成することによって、
半導体製造装置に設置した際の自重によるたわみを打ち
消しフラットな遮光パターン面を作り、高精度なパター
ン転写を行なうことができる。
第１図は本発明の実施例フォトマスクの断面図、第２図
はマスクパターン形成時の断面図、第３図は従来のフォ
トマスクを半導体製造装置に設、置した際の断面図であ
る。 ■、１１・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・遮光
膜、３・・・・・・レジスト、４・・・・・・電子ビー
ム、１２〜１４・・・・・・パターニングされた遮光膜
。
はマスクパターン形成時の断面図、第３図は従来のフォ
トマスクを半導体製造装置に設、置した際の断面図であ
る。 ■、１１・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・遮光
膜、３・・・・・・レジスト、４・・・・・・電子ビー
ム、１２〜１４・・・・・・パターニングされた遮光膜
。
Claims (1)
- ガラス基板の上下面を平行な球面とし、このガラス基板
の凹面に金属あるいは金属化合物の薄膜によるパターン
を形成したフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1181075A JPH0344639A (ja) | 1989-07-12 | 1989-07-12 | フォトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1181075A JPH0344639A (ja) | 1989-07-12 | 1989-07-12 | フォトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0344639A true JPH0344639A (ja) | 1991-02-26 |
Family
ID=16094370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1181075A Pending JPH0344639A (ja) | 1989-07-12 | 1989-07-12 | フォトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0344639A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008139848A1 (ja) * | 2007-05-09 | 2008-11-20 | Nikon Corporation | フォトマスク用基板、フォトマスク用基板の成形部材、フォトマスク用基板の製造方法、フォトマスク、およびフォトマスクを用いた露光方法 |
| CN106502044A (zh) * | 2017-01-10 | 2017-03-15 | 昆山国显光电有限公司 | 掩膜板及其制造方法 |
-
1989
- 1989-07-12 JP JP1181075A patent/JPH0344639A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008139848A1 (ja) * | 2007-05-09 | 2008-11-20 | Nikon Corporation | フォトマスク用基板、フォトマスク用基板の成形部材、フォトマスク用基板の製造方法、フォトマスク、およびフォトマスクを用いた露光方法 |
| EP2146244A1 (en) * | 2007-05-09 | 2010-01-20 | Nikon Corporation | Photomask substrate, photomask substrate forming member, photomask substrate manufacturing method, photomask, and exposure method using photomask |
| EP2146244A4 (en) * | 2007-05-09 | 2010-04-28 | Nikon Corp | FOTOMASKENSUBSTRAT, ELEMENT FOR FORMING A FOTOMASKENSUBSTRATS, METHOD FOR THE PRODUCTION OF A FOTOMASKE, FOTOMASKE AND EXPOSURE PROCESSES WITH THE FOTOMASKE |
| US8153336B2 (en) | 2007-05-09 | 2012-04-10 | Nikon Corporation | Photomask substrate, photomask substrate forming member, photomask substrate fabricating method, photomask, and exposing method that uses the photomask |
| CN106502044A (zh) * | 2017-01-10 | 2017-03-15 | 昆山国显光电有限公司 | 掩膜板及其制造方法 |
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