JP5245261B2 - 走査型露光装置、露光方法、及びデバイスの製造方法 - Google Patents

Description

この発明は、液晶表示素子等のフラットパネル表示素子等のマイクロデバイスをリソグラフィ工程で製造するための露光装置等に用いられる温度測定器を備えた走査型露光装置、該走査型露光装置を用いた露光方法及び該露光方法を用いたデバイスの製造方法に関するものである。

半導体素子又は液晶表示素子等を製造する際に、マスク（レチクル、フォトマスク等）のパターンを投影光学系を介してレジストが塗布されたプレート（ガラスプレート又は半導体ウエハ等）上に投影する投影露光装置が使用されている。従来はステップ・アンド・リピート方式でプレート上の各ショット領域にそれぞれレチクルのパターンを一括露光する投影露光装置（ステッパ）が多用されていた。近年、１つの大きな投影光学系を使用する代わりに、等倍の倍率を有する小さな複数の投影光学ユニットを走査方向に直交する方向に千鳥状に複数配置し、マスク及びプレートを走査させつつ各投影光学ユニットでそれぞれマスクのパターンをプレート上に露光するステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置が提案されている。

上述のステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置においては、反射プリズム、凹面鏡及び各レンズを備えて構成される反射屈折光学系により中間像を一度形成し、更にもう一段の反射屈折光学系によりマスク上のパターンをプレート上に正立正像等倍にて露光している。

近年、プレートが益々大型化し、２ｍ角を越えるプレートが使用されるようになってきている。ここで、上述のステップ・アンド・スキャン方式の露光装置を用いて大型のプレート上に露光を行う場合、投影光学ユニットが等倍の倍率を有するため、マスクも大型化する。マスクのコストは、マスク基板の平面性を維持する必要もあり、大型化すればするほど高くなる。また、通常のＴＦＴ部を形成するためには、４〜５層分のマスクが必要とされており多大なコストを要していた。従って、投影光学系の倍率を拡大倍率とすることで、マスクの大きさを小さくした投影露光装置が提案されている（特許文献１参照）。
特開平１１−２６５８４８号公報

上述の拡大倍率を有する投影光学系を備えた投影露光装置においては、パターンが形成されている領域とパターンが形成されていない領域とが走査方向と直交する方向に交互に形成されているマスクが用いられている。このようなマスクを用いてパターンの転写を行なう場合には、転写されるべきパターンが形成されている領域は照明光学系により照明されるが、転写されるべきパターンが形成されていない領域は照明光学系により照明されない。したがって、原版上において照明光学系により照明される領域と照明されない領域とが存在することになり、照明される領域と照明されない領域との間に温度差が生じる。原版が温度差により非等方的に変形した状態でパターン露光を行なうと、各投影光学ユニットにより形成される像の一部がプレート上において重なって形成される継ぎ領域の継ぎ精度の低下、パターンの線幅のばらつき及び各層の重ね合わせ露光の重ね合わせ精度の低下等が生じることになる。

この発明の課題は、転写されるべきパターンが形成されている領域とパターンが形成されていない領域との間の温度差を正確に測定することができる温度測定器を備えた走査型露光装置、該走査型露光装置を用いた露光方法及び該露光方法を用いたデバイスの製造方法を提供することである。

この発明の走査型露光装置は、照明光学系により照明された原版に形成されているパターンを走査方向と交差する方向に所定の間隔で配置された複数の拡大投影光学系を介して被照射体上に転写する走査型露光装置であって、前記パターンが形成されたパターン形成領域内の少なくとも一点の温度を測定する第１温度測定器と、前記原版上において前記パターンが形成されない非パターン形成領域内の少なくとも一点の温度を測定する第２温度測定器と、前記第１温度測定器及び前記第２温度測定器の測定結果を用いて前記複数の投影光学系のそれぞれにより形成される像の像形成状態についての調整量を算出する算出器と、前記算出器により算出された前記調整量に基づいて、前記像形成状態の調整を行う調整器とを備え、前記第２温度測定器は、前記原版上の所定方向に沿って配置された複数の前記パターン形成領域の間に位置する前記非パターン形成領域内の温度を測定することを特徴とする。

また、この発明の走査型露光装置は、照明光学系により照明された原版に形成されているパターンを走査方向と交差する方向に所定の間隔で配置された複数の拡大投影光学系を介して被照射体上に転写する走査型露光装置であって、前記照明光学系により照明される前記原版上の照明領域内の少なくとも一点の温度を測定する第１温度測定器と、前記照明光学系により照明されない前記原版上の非照明領域内の少なくとも一点の温度を測定する第２温度測定器と、前記第１温度測定器及び前記第２温度測定器の測定結果を用いて前記複数の投影光学系のそれぞれにより形成される像の像形成状態についての調整量を算出する算出器と、前記算出器により算出された前記調整量に基づいて、前記像形成状態の調整を行う調整器とを備え、前記照明光学系は、前記原版上の所定方向に沿って配置された複数のパターン形成領域のそれぞれを照明し、前記第２温度測定器は、前記複数のパターン形成領域の間に位置する非パターン形成領域内の温度を測定することを特徴とする。

また、この発明の露光方法は、照明光学系により照明された原版に形成されているパターンを走査方向と交差する方向に所定の間隔で配置された複数の拡大投影光学系を介して被照射体上に転写する走査型露光装置を用いて露光を行う露光方法であって、前記原版上の前記照明光学系により照明される照明領域内の少なくとも一点の温度を測定する第１温度測定工程と、前記原版上の前記照明光学系により照明されない非照明領域内の少なくとも一点の温度を測定する第２温度測定工程と、前記第１温度測定工程及び前記第２温度測定工程の測定結果に基づいて、前記複数の投影光学系のそれぞれにより形成される像の像形成状態についての調整量を算出する算出工程と、前記算出工程により算出された前記調整量に基づいて、前記像形成状態の調整を行う調整工程と、を含み、前記第２温度測定工程では、前記原版上の所定方向に沿って配置された複数のパターン形成領域の間に位置する非パターン形成領域内の温度を測定することを特徴とする。

また、この発明のデバイスの製造方法は、この発明の露光方法を用いてパターンを感光性基板上に露光する露光工程と、前記露光工程により露光された前記感光性基板を現像する現像工程とを含むことを特徴とする。

この発明の走査型露光装置によれば、パターン形成領域内の少なくとも一点の温度を測定する第１温度測定器と、非パターン形成領域内の少なくとも一点の温度を測定する第２温度測定器とを備えているため、パターン形成領域の温度及び非パターン形成領域の温度を正確に測定することができ、パターン形成領域と非パターン形成領域との温度差を正確に検出することができる。したがって、原版の温度変化による変形量を正確に検出することができる。また、検出結果を用いて投影光学系の像形成状態の調整を適切に行うことにより、原版の変形を要因とする露光精度の低下、例えば複数の投影光学系により形成される像の一部が被照射体上において重なって形成される継ぎ領域の継ぎ精度の低下、パターンの線幅のばらつき及び各層の重ね合わせ露光の重ね合わせ精度の低下等を防止することができる。

また、この発明の走査型露光装置によれば、照明光学系により照明される原版上の照明領域内の少なくとも一点の温度を測定する第１温度測定器と、照明光学系により照明されない原版上の非照明領域内の少なくとも一点の温度を測定する第２温度測定器とを備えているため、照明領域の温度及び非照明領域の温度を正確に測定することができ、照明領域と非照明領域との温度差を正確に検出することができる。したがって、原版の温度変化による変形量を正確に検出することができる。また、検出結果を用いて投影光学系の像形成状態の調整を適切に行うことにより、原版の変形を要因とする露光精度の低下、例えば複数の投影光学系により形成される像の一部が被照射体上において重なって形成される継ぎ領域の継ぎ精度の低下、パターンの線幅のばらつき及び各層の重ね合わせ露光の重ね合わせ精度の低下等を防止することができる。

また、この発明の露光方法によれば、照明領域及び非照明領域の温度測定結果により算出された像形成状態の調整量に基づいて像形成状態の調整を行うため、原版の変形を要因とする露光精度の低下、例えば複数の投影光学系により形成される像の一部が被照射体上において重なって形成される継ぎ領域の継ぎ精度の低下、パターンの線幅のばらつき及び各層の重ね合わせ露光の重ね合わせ精度の低下等を防止することができ、良好な露光を行うことができる。

また、この発明のデバイスの製造方法によれば、この発明の露光方法を用いて露光を行うため、高精度な露光を行うことができ、良好なデバイスを製造することができる。

以下、図面を参照して、本発明の実施の形態に係る走査型露光装置について説明する。図１は、この実施の形態に係る走査型露光装置の概略構成を示す斜視図である。この実施の形態においては、マスク（原版）Ｍとプレート（被照射体、感光性基板）Ｐとを走査方向（Ｘ方向）に移動させつつ、光源を含む照明光学系ＩＬにより照明されたマスクＭに形成されているパターンを走査方向と直交する方向（Ｙ方向）に所定の間隔で２列に配置された所定（この実施の形態においては２倍）の拡大倍率を有する複数の投影光学ユニットＰＬ１，ＰＬ３，ＰＬ５及び図示しない２つの投影光学ユニット（以下、投影光学ユニットＰＬ２，ＰＬ４という。）からなる投影光学系ＰＬを介してプレートＰ上に転写するステップ・アンド・スキャン方式の露光装置を例に挙げて説明する。

なお、以下の説明においては、各図中に示したＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。ＸＹＺ直交座標系は、Ｘ軸及びＹ軸がプレートＰに対して平行となるよう設定され、Ｚ軸がプレートＰに対して直交する方向に設定されている。図中のＸＹＺ座標系は、実際にはＸＹ平面が水平面に平行な面に設定され、Ｚ軸が鉛直方向に設定される。また、本実施の形態ではマスクＭ及びプレートＰを移動させる方向（走査方向）をＸ軸方向に設定している。

図１に示す走査型露光装置は、図示しないマスクステージ上に載置されたマスクＭを均一に照明するための照明光学系ＩＬを備えている。照明光学系ＩＬは、光源を含む光学系１及び走査方向に直交する方向であるＹ方向（所定の方向）に所定の間隔で２列に配置された複数の照明光学ユニットＩＬ１〜ＩＬ５を備えている。図２は、光学系１及び照明光学ユニットＩＬ１の構成を示す図である。図２に示すように、光学系１は、例えば水銀ランプ又は超高圧水銀ランプからなる光源２を備えている。光源２より射出した光束は楕円鏡３及びダイクロイックミラー４により反射され、シャッタ５を通過し、コリメートレンズ６を通過することにより平行光となり、所定の露光波長域の光束のみを透過させる波長選択フィルタ７を通過する。

波長選択フィルタ７を通過した光束は、集光レンズ８によりライトガイドファイバ９の入射口９ａに集光される。ライトガイドファイバ９は、例えば多数のファイバ素線をランダムに束ねて構成されたランダムライトガイドファイバであって、入射口９ａと５つの射出口（以下、射出口９ｂ，９ｃ，９ｄ，９ｅ，９ｆという。）を備えている。ライトガイドファイバ９の入射口９ａに入射した光束は、ライトガイドファイバ９の内部を伝播した後、５つの射出口９ｂ〜９ｆより分割されて射出し、マスクＭ上に所定の照射領域Ｉ１〜Ｉ５（図３参照）を形成する５つの照明光学ユニットＩＬ１〜ＩＬ５にそれぞれ入射する。

照明光学ユニットＩＬ１に入射した光束は、照明光学ユニットＩＬ１を構成するコリメータレンズ１０を通過し、オプティカルインテグレータ１１を構成する多数の要素レンズを通過する。オプティカルインテグレータ１１の後側焦点面に形成された多数の二次光源からの光束は、コンデンサレンズ１２を通過し、マスクＭをほぼ均一に照明する。なお、照明光学ユニットＩＬ２〜ＩＬ５は、照明光学ユニットＩＬ１と同様の構成を有しており、これらを介した光によってもマスクＭを略均一に照明する。照明光学ユニットＩＬ１〜ＩＬ５の＋Ｘ方向側には、図１に示すように、マスクＭ上の温度を測定するための温度測定装置１３が設けられている。

図３は、マスクＭ及び温度測定装置１３の構成を示す図である。マスクＭは、パターン形成領域Ｍ１〜Ｍ５、非パターン形成領域ｍ１〜ｍ６及びプレートＰとの位置合わせに用いられる１０個のアライメントマークａ１〜ａ１０を有している。マスクＭ上に形成されているパターン形成領域Ｍ１は、マスクＭのＸ方向(走査方向)への走査に従い、照明光学ユニットＩＬ１により照明される照明領域、即ち照明光学ユニットＩＬ１が形成する台形状の照射領域Ｉ１により照明される領域である。同様に、パターン形成領域Ｍ２〜Ｍ５のそれぞれは、マスクＭのＸ方向(走査方向)への走査に従い、照明光学ユニットＩＬ２〜ＩＬ５のそれぞれにより照明される照明領域、即ち照明光学ユニットＩＬ２〜ＩＬ５のそれぞれが形成する台形状の照射領域Ｉ２〜Ｉ５のそれぞれにより照明される領域である。また、マスクＭ上の非パターン形成領域ｍ１〜ｍ６は、プレートＰ上に転写されるべきパターンが形成されていない領域であり、照明光学ユニットＩＬ１〜ＩＬ５のいずれによっても照明されない非照明領域、即ち走査中に照射領域Ｉ１〜Ｉ５が形成されない領域である。

温度測定装置１３は、マスクＭ上に形成されているパターン形成領域Ｍ１〜Ｍ５のそれぞれの温度を測定する５つの第１放射温度計（第１温度測定器）Ｔ１〜Ｔ５を備えている。また、温度測定装置１３は、パターンが形成されていない非パターン形成領域ｍ１〜ｍ６のそれぞれの温度を測定するための６つの第２放射温度計（第２温度測定器）ｔ１〜ｔ６を備えている。第１放射温度計Ｔ１は、図２に示すように、レンズ１３ａ及び赤外線センサ等によって構成される温度センサ１３ｂを備えており、パターン形成領域Ｍ１内の温度を測定する。即ち、走査中に第１放射温度計Ｔ１の下を通過するパターン形成領域Ｍ１内の所定の領域から放射される赤外線をレンズ１３ａを介して温度センサ１３ｂに集光することにより所定の領域の温度測定を行う。第１放射温度計Ｔ２〜Ｔ５の構成は第１放射温度計Ｔ１と同様の構成であり、走査中に第１放射温度計Ｔ２〜Ｔ５のそれぞれの下を通過するパターン形成領域Ｍ２〜Ｍ５のそれぞれの所定の領域からの赤外線の放射量を計測することにより各所定の領域の温度測定を行う。

また、第２放射温度計ｔ１は、第１放射温度計Ｔ１と同様の構成を有しており、非パターン形成領域ｍ１内の温度を測定する。即ち、走査中に第２放射温度計ｔ１の下を通過する非パターン形成領域ｍ１内の所定の領域から放射される赤外線をレンズを介して温度センサに集光することにより所定の領域の温度測定を行う。第２放射温度計ｔ２〜ｔ６の構成は第１放射温度計Ｔ１と同様の構成であり、走査中に第２放射温度計ｔ２〜ｔ６のそれぞれの下を通過する非パターン形成領域ｍ２〜ｍ６のそれぞれの所定の領域の温度測定を行う。即ち、第１放射温度計Ｔ１〜Ｔ５及び第２放射温度計ｔ１〜ｔ６は、マスクＭ上の所定の領域の温度を、マスクＭと非接触で測定する。

マスクＭが載置されているマスクステージ（図示せず）には、マスクステージを走査方向であるＸ方向に沿って移動させるための長いストロークを有する走査駆動系（図示せず）が設けられている。また、マスクステージを走査方向と直交する方向であるＹ方向に沿って所定量だけ移動させるとともにＺ軸廻りに微小量回転させるための一対のアライメント駆動系（図示せず）が設けられている。そして、マスクステージの位置座標が移動鏡（図示せず）を用いたレーザ干渉計（図示せず）によって計測され且つ位置制御されるように構成されている。

マスクＭ上の各照射領域Ｉ１〜Ｉ５からの光は、各照射領域Ｉ１〜Ｉ５に対応するようにＹ方向に沿って千鳥状に配列された複数（この実施の形態においては５つ）の投影光学ユニットＰＬ１〜ＰＬ５からなる投影光学系ＰＬに入射する。図４は、投影光学ユニットＰＬ１の構成を示す図である。マスクＭ上の照射領域Ｉ１からの光は、プリズムミラー１５の反射面１５ａにより反射されて、レンズ１６，１７を介して、凹面鏡１８により反射される。凹面鏡１８により反射された光は、再びレンズ１６，１７を介して、プリズムミラー１５の反射面１５ｂにより反射されて、像の倍率を補正するための倍率調整レンズ群２０を通過する。倍率調整レンズ群２０は、凹レンズ２０ａ及び凸レンズ２０ｂにより構成されており、凹レンズ２０ａ及び凸レンズ２０ｂは、投影光学ユニットＰＬ１の光軸方向（Ｚ方向）に移動可能であり、光軸方向の間隔を変更できるように構成されている。凹レンズ２０ａ及び凸レンズ２０ｂの少なくとも一方をＺ方向に移動させることにより、プレートＰ上に形成される像の倍率を調整することができる。倍率調整レンズ群２０を通過した光は、像の位置を調整するための像位置調整部材群２１を通過する。像位置調整部材群２１は、２つの平行平面板２１ａ，２１ｂにより構成されており、平行平面板２１ａ，２１ｂは、投影光学ユニットＰＬ１の光軸に対して傾斜可能に構成されている。平行平面板２１ａ，２１ｂの少なくとも一方を光軸に対して傾斜させることにより、プレートＰ上に形成される像の位置をシフトさせることができる。

像位置調整部材群２１を通過した光は、図示しないプレートステージ上において、図示しないプレートホルダを介してＸＹ平面に平行に支持されたプレートＰ上にマスクＭのパターンの像を形成する。即ち、投影光学ユニットＰＬ１は、照射領域Ｉ１により照明されたマスクＭ上のパターン像をプレートＰ上の露光領域Ｒ１（図５参照）に形成する。

なお、投影光学ユニットＰＬ２〜ＰＬ５の構成は、投影光学ユニットＰＬ１の構成と同様の構成であり、各投影光学ユニットＰＬ２〜ＰＬ５を通過した光は、プレートＰ上にマスクＭのパターンの像を形成する。即ち、投影光学ユニットＰＬ２〜ＰＬ５は、各照射領域Ｉ２〜Ｉ５により照明されたマスクＭ上のパターン像をプレートＰ上の各露光領域Ｒ１〜Ｒ５（図５参照）に形成する。この実施の形態においては、投影光学ユニットＰＬ１〜ＰＬ５は、２倍の拡大倍率を有している。したがって、プレートＰ上において各照射領域Ｉ１〜Ｉ５に対応するようにＹ方向に２列に並んだ各露光領域Ｒ１〜Ｒ５（図５参照）には、マスクＭのパターンの拡大像が形成される。また、各投影光学ユニットＰＬ１〜ＰＬ５によりプレートＰ上に形成される像は、Ｙ方向に倒立した倒立像である。

プレートＰが載置されているプレートステージ（図示せず）には、プレートステージを走査方向であるＸ軸方向に沿って移動させるための長いストロークを有する走査駆動系（図示せず）、プレートステージを走査直交方向であるＹ軸方向に沿って所定量だけ移動させるとともにＺ軸廻りに微小量回転させるための一対のアライメント駆動系（図示せず）が設けられている。そして、プレートステージの位置座標が移動鏡５０を用いたレーザ干渉計（図示せず）によって計測され且つ位置制御されるように構成されている。この実施の形態では、マスクＭのパターンは投影光学系ＰＬにより２倍に拡大されてプレートＰ上に投影される。したがって、マスクステージとプレートステージとを１：２の走査比で、それぞれ投影光学系ＰＬに対して走査させる。つまり、投影光学系ＰＬの倍率に応じ、マスクステージに対してプレートステージを倍率倍の速度比で走査させる。これにより走査方向に関しては、マスクＭのパターン領域の長さに対して、倍率倍の長さに拡大されてプレートＰ側に露光されることになる。

また、図１に示すように、投影光学ユニットＰＬ１、ＰＬ３、ＰＬ５と投影光学ユニットＰＬ２、ＰＬ４との間には、プレートＰの位置合わせを行うためのアライメント系５２、及びプレートＰのフォーカス位置を調整するためのオートフォーカス系５４が配置されている。また、プレートＰの＋Ｘ方向の端部のプレートステージ（図示せず）上には、アライメント顕微鏡５６が設けられている。図５は、アライメント顕微鏡５６の構成を示す図である。図５に示すように、アライメント顕微鏡５６は、Ｙ方向に所定の間隔で配置された顕微鏡Ａ１〜Ａ６を備えている。なお、図５に示す領域Ｒ１〜Ｒ５はプレートＰ上に投影光学ユニットＰＬ１〜ＰＬ５のそれぞれにより形成される露光領域である。顕微鏡Ａ１〜Ａ６の間隔は、投影光学系ＰＬを介して図３に示すマスクＭ上のアライメントマークａ１〜ａ１０の像が２倍に拡大されてプレートＰ上に形成された際のアライメントマーク像の間隔と一致している。

図６は、この実施の形態にかかる走査型露光装置のシステム構成を示す図である。この走査型露光装置は、露光処理の制御を行う制御部６０を備えている。制御部６０は、投影光学ユニットＰＬ１の像倍率調整レンズ群２０を構成する凹レンズ２０ａ及び凸レンズ２０ｂを駆動するための像倍率調整用駆動部６２に接続されており、像倍率調整用駆動部６２の駆動を制御している。また、制御部６０は、投影光学ユニットＰＬ１の像位置調整部材群２１を構成する平行平面板２１ａ，２１ｂを駆動するための像位置調整用駆動部６４に接続されており、像位置調整用駆動部６４の駆動を制御している。また、制御部６０は、各投影光学ユニットＰＬ２〜ＰＬ５を構成する各像倍率調整レンズ群（図示せず）及び各像位置調整部材群（図示せず）を駆動するための像調整用駆動部（図示せず）及び像位置調整用駆動部（図示せず）に接続されており、各像調整用駆動部及び各像位置調整用駆動部の駆動を制御している。

また、制御部６０は、温度測定装置１３を構成する第１放射温度計Ｔ１の温度センサ１３ｂ、第１放射温度計Ｔ２の温度センサ１３ｃ、第１放射温度計Ｔ３の温度センサ１３ｄ、第１放射温度計Ｔ４の温度センサ１３ｅ、第１放射温度計Ｔ５の温度センサ１３ｆ、第２放射温度計ｔ１の温度センサ１３ｇ、第２放射温度計ｔ２の温度センサ１３ｈ、第２放射温度計ｔ３の温度センサ１３ｉ、第２放射温度計ｔ４の温度センサ１３ｊ、第２放射温度計ｔ５の温度センサ１３ｋ、第２放射温度計ｔ６の温度センサ１３ｌに接続されており、各温度センサ１３ａ〜１３ｌの測定結果を取得する。制御部（算出器）６０は、各温度センサ１３ａ〜１３ｌの測定結果を用いて投影光学ユニットＰＬ１〜ＰＬ５のそれぞれにより形成される像の像形成状態についての調整量を算出する。なお、この実施の形態においては、像形成状態として、像の位置及び像の倍率について説明しているが、像形成状態には、投影光学系の収差による像のゆがみ、（歪曲収差起因）、像のぼけ（球面収差、批点収差、像面湾曲起因）、像の流れ（コマ収差起因）等が含まれる。また、制御部（調整器）６０は、算出された調整量に基づいて、像調整用駆動部６０及び像位置調整用駆動部６２等を介して凹レンズ２０ａ、凸レンズ２０ｂ、平行平面板２１ａ，２１ｂ等を駆動させることにより像の位置及び像の倍率の調整を行う。

次に、図７に示すフローチャートを参照して、この実施の形態にかかる走査型露光装置の露光方法について説明する。この実施の形態に係る走査型露光装置においてパターンの転写を行なう場合には、まず、図８に示すように、投影光学ユニットＰＬ２，ＰＬ４により形成されるアライメントマークａ３，ａ４，ａ７，ａ８の像ａｒ３，ａｒ４，ａｒ７，ａｒ８が、顕微鏡Ａ２〜Ａ５の視野の中心と一致するように、投影光学ユニットＰＬ２，ＰＬ４の像位置や像倍率を調整する。次に、図９に示すように、投影光学ユニットＰＬ１，ＰＬ３，ＰＬ５により形成されるアライメントマークａ１，ａ２，ａ５，ａ６，ａ９，ａ１０の像ａｒ１，ａｒ２，ａｒ５，ａｒ６，ａｒ９，ａｒ１０が、顕微鏡Ａ１〜Ａ６の視野の中心と一致するように、投影光学ユニットＰＬ１，ＰＬ３，ＰＬ５の像位置や像倍率を調整する。

そして、投影光学系ＰＬに対してマスクＭ及びプレートを相対的に移動させながら、投影光学ユニットＰＬ１〜ＰＬ５によりマスクＭのパターン形成領域Ｍ１〜Ｍ５に形成されているパターンの拡大像をプレートＰ上に転写する。

この実施の形態にかかる走査型露光装置においては、拡大倍率を有する投影光学系ＰＬを有しているため、マスクＭはパターンが形成されている領域と形成されていない領域とを有し、マスクＭに形成されているパターンはプレートＰ上のほぼ全面に転写される。したがって、プレートＰはほぼ全面均一に光が照射されることとなるが、マスクＭは光が照射される領域と照射されない領域を有することとなり、光が照射される領域と光が照射されない領域との温度に差が生じる。

そこで、この実施の形態にかかる走査型露光装置においては、温度測定装置１３により光により照明される領域、即ちパターン形成領域Ｍ１〜Ｍ５と、光により照明されない領域、即ち非パターン形成領域ｍ１〜ｍ６との温度を個別に測定する。

まず、マスクＭ上の照明光学系ＩＬ（照明光学ユニットＩＬ１〜ＩＬ５）により照明されるパターン形成領域Ｍ１〜Ｍ５内の温度を測定する（ステップＳ１０、第１温度測定工程）と同時に、マスクＭ上の照明光学系ＩＬ（照明光学ユニットＩＬ１〜ＩＬ５）により照明されない非パターン形成領域ｍ１〜ｍ６内の温度を測定する（ステップＳ１１、第２温度測定工程）。

具体的には、制御部６０は、マスクＭをＸ方向に走査させ、温度センサ１３ｂにより計測されたパターン形成領域Ｍ１の温度変化量、温度センサ１３ｃにより計測されたパターン形成領域Ｍ２の温度変化量、温度センサ１３ｄにより計測されたパターン形成領域Ｍ３の温度変化量、温度センサ１３ｅにより計測されたパターン形成領域Ｍ４の温度変化量、温度センサ１３ｆにより計測されたパターン形成領域Ｍ５の温度変化量、温度センサ１３ｇにより計測された非パターン形成領域ｍ１の温度変化量、温度センサ１３ｈにより計測された非パターン形成領域ｍ２の温度変化量、温度センサ１３ｉにより計測された非パターン形成領域ｍ３の温度変化量、温度センサ１３ｊにより計測された非パターン形成領域ｍ４の温度変化量、温度センサ１３ｋにより計測された非パターン形成領域ｍ５の温度変化量、及び温度センサ１３ｌにより計測された非パターン形成領域ｍ６の温度変化量を取得する。

次に、制御部６０は、ステップＳ１０及びステップＳ１１において取得したマスクＭ上の各パターン形成領域Ｍ１〜Ｍ５及び各非パターン形成領域ｍ１〜ｍ６の温度を用いて、投影光学ユニットＰＬ１〜ＰＬ５のそれぞれにより形成される像の像形成状態（この実施の形態においては、像位置及び像倍率）についての調整量を算出する（ステップＳ１２、算出工程）。

ここで、パターン形成領域Ｍ１の温度変化量をΔＴ１、パターン形成領域Ｍ２の温度変化量をΔＴ２、パターン形成領域Ｍ３の温度変化量をΔＴ３、パターン形成領域Ｍ４の温度変化量をΔＴ４、パターン形成領域Ｍ５の温度変化量をΔＴ５、非パターン形成領域ｍ１の温度変化量をΔｔ１、非パターン形成領域ｍ２の温度変化量をΔｔ２、非パターン形成領域ｍ３の温度変化量をΔｔ３、非パターン形成領域ｍ４の温度変化量をΔｔ４、非パターン形成領域ｍ５の温度変化量をΔｔ５、及び非パターン形成領域ｍ６の温度変化量をΔｔ６とし、マスクＭを構成する基板の膨張率をα、マスクＭ上を照射する照射領域のＹ方向における長さをＷｍ₀（図１０参照）、プレートＰ上に形成される露光領域の幅をＷｐ（図１０参照）、マスクＭ上の非照射領域のＹ方向における基準長さ（ギャップ）をＷｇ₀（図１０参照）とする。

まず、照明光学ユニットＩＬ１〜ＩＬ５のそれぞれの照明領域のＹ方向の長さの変位量ΔＷｍ１〜ΔＷｍ５を（１）式より算出する。

ΔＷｍｎ＝α×ΔＴｎ×Ｗｍ₀ （ｎ＝１，２，３，４，５） （１）
１つの投影光学ユニットの所望の露光幅はＷｐであるから、各投影光学ユニットＰＬ１〜ＰＬ５の投影倍率β１〜β５は、（１）式より算出された算出結果を用いて（２）式により表される。

｜βｎ｜＝{Ｗｐ／（Ｗｍ₀＋ΔＷｍｎ）} （ｎ＝１，２，３，４，５） （２）
次に、（３）式からマスクＭのＹ方向における伸び量Δａｌｌを算出する。

Δａｌｌ＝α×{Ｗｍ₀×（ΔＴ１＋ΔＴ２＋ΔＴ３＋ΔＴ４＋ΔＴ５）＋Ｗｇ₀×（Δｔ１＋Δｔ２＋Δｔ３＋Δｔ４＋Δｔ５＋Δｔ６）} （３）
ここで、図１１及び図１２に示す図を参照して、Ｙ方向におけるマスクＭの伸び量について説明する。図１１及び図１２に示すように、マスクＭはマスクステージＭＳＴ上に装着されたマスクホルダＭＨＡ，ＭＨＢ上に固定されており、マスクステージＭＳＴは干渉計７０により所望の位置に制御されている。なお、図１１及び図１２においては、Ｙ方向の位置を制御する干渉計のみを図示している。

図１１においては、マスクホルダＭＨＡ，ＭＨＢが比較的剛性の低い素材で構成されている。マスクＭが照明光に照射されることにより膨張した場合、両端のマスクホルダＭＨＡ，ＭＨＢがほぼ同程度に変形したままマスクＭが保持され、マスクホルダＭＨＡ，ＭＨＢに対するマスクＭの中心位置はほぼ変化せず、マスクＭの中心ＭＣから各投影光学ユニットＰＬ１〜ＰＬ５の視野中心までの距離に比例して、図中の矢印で示す方向にプレートＰ上の露光領域Ｒ１〜Ｒ５の位置が変化する。したがって、各投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ５の像位置のＹ方向の調整量ΔＳ１〜ΔＳ５は、（４）式により算出される。

ΔＳｎ＝{（Δａｌｌ／Ｍａｌｌ）×Ｌｎ}×｜βｎ｜ （ｎ＝１，２，３，４，５） （４）
ただし、Ｌｎ（ｎ＝１，２，３，４，５）はマスクＭの中心を原点とし、原点とそれぞれの投影光学ユニットＰＬ１〜ＰＬ５の視野中心との間のＹ方向における距離、Ｍａｌｌは非照射時のマスクＭのＹ方向における全体の幅とする。

なお、投影光学系ＰＬの像倍率βｎが正の値のときは、ΔＳｎはマスクＭの中心が対応するプレートＰの中心から離れる方向を＋として、それに対してΔＳｎだけ調整すればよく、像倍率βｎが負の値のときは、ΔＳｎはマスクＭの中心が対応するプレートＰの中心から離れる方向を−として、それに対してΔＳｎだけ調整すればよい。

図１２においては、マスクホルダＭＨＡ，ＭＨＢの一方の剛性を意図的に下げている場合、またはマスクホルダＭＨＡとマスクＭとを吸着保持している真空チャック若しくはマスクホルダＭＨＢとマスクＭとを吸着保持している真空チャックを意図的に弱くしてマスクＭの膨張収縮に対する逃げを想定している場合が示されている。

例えば、マスクホルダＭＨＢがマスクホルダＭＨＡに比較して非常に小さな吸引力の真空チャックで固定されており、マスクＭの膨張や収縮の際にはマスクホルダＭＨＢの保持面ですべりを起こしてその変化分を吸収できる構成となっている場合、マスクホルダＭＨＡから各投影光学ユニットＰＬ１〜ＰＬ５の視野中心までの距離に比例して、図中の矢印で示す方向にプレートＰ上の露光領域Ｒ１〜Ｒ５の位置が変化する。従って、各投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ５の像位置の調整量ΔＳ１〜ΔＳ５は、（５）式により算出される。

ΔＳｎ＝{（Δａｌｌ／Ｍａｌｌ）×Ｄｎ}×｜βｎ｜ （ｎ＝１，２，３，４，５） （５）
ただし、ＤｎはマスクＭのマスクホルダＭＨＡ側を原点とし、原点とそれぞれの投影光学ユニットＰＬ１〜ＰＬ５の視野中心との間のＹ方向における距離とする。なお、投影光学系ＰＬの像倍率βｎが正の値のときは、ΔＳｎはマスクホルダＭＨＡ側から離れる方向を＋として、それに対してΔＳｎだけ調整すればよく、像倍率βｎが負の値のときは、ΔＳｎはマスクホルダＭＨＡ側から離れる方向を−として、それに対してΔＳｎだけ調整すればよい。

なお、上述では、全体の伸び量Δａｌｌを用いて像位置の補正量を求めたが、各モジュール毎にΔｔ、ΔＴ、Ｌｎ及びＤｎから補正量を求めても良い。これにより、像位置の補正量をより正確に求めることができる。

次に、ステップＳ１２において算出された調整量を用いて、投影光学ユニットＰＬ１〜ＰＬ５の像位置及び像倍率の調整を行う（ステップＳ１３、調整工程）。

具体的には、（２）式より算出された算出結果を用いて、像倍率調整用駆動部６２等を介して各投影光学ユニットＰＬ１〜ＰＬ５を構成する倍率調整レンズ群を駆動させ、各投影光学ユニットＰＬ１〜ＰＬ５の像倍率を調整する。また、マスクＭのＹ方向における両端の剛性が低い場合には、（４）式により算出された算出結果を用いて、像位置調整用駆動部６４等を介して各投影光学ユニットＰＬ１〜ＰＬ５を構成する像位置調整部材群を駆動させ、各投影光学ユニットＰＬ１〜ＰＬ５の像位置を調整する。マスクＭのＹ方向における両端の剛性が相違している場合には、（５）式により算出された算出結果を用いて、像位置調整用駆動部６４等を介して各投影光学ユニットＰＬ１〜ＰＬ５を構成する像位置調整部材群を駆動させ、各投影光学ユニットＰＬ１〜ＰＬ５の像位置を調整する。

次に、ステップＳ１２において像倍率及び像位置の調整を終えた投影光学ユニットＰＬ１〜ＰＬ５を用いて、マスクＭに形成されているパターンをプレートＰ上に拡大露光する。 上述の露光方法によれば、温度変化により変形したマスクのパターンを露光することによる露光精度の低下を防止することができ、良好な露光を行うことができる。

この実施の形態にかかる温度測定装置１３によれば、照明光学系ＩＬにより照明されるパターン形成領域Ｍ１〜Ｍ５の温度を測定する第１放射温度計Ｔ１〜Ｔ５と、照明光学系ＩＬにより照明されない非パターン形成領域ｍ１〜ｍ６の温度を測定する第２放射温度計ｔ１〜ｔ６とを備えているため、パターン形成領域Ｍ１〜Ｍ５の温度及び非パターン形成領域ｍ１〜ｍ６の温度を正確に測定することができ、パターン形成領域Ｍ１〜Ｍ５と非パターン形成領域ｍ１〜ｍ６との温度差を正確に検出することができる。したがって、この実施の形態にかかる走査型露光装置において、マスクＭの温度変化による変形量を正確に検出することができるため、投影光学系ＰＬの像形成状態の調整を適切に行うことができ、マスクＭの変形を要因とする露光精度の低下、例えば投影光学ユニットＰＬ１〜ＰＬ５により形成される像の一部がプレートＰ上において重なって形成される継ぎ領域の継ぎ精度の低下、パターンの線幅のばらつき及び各層の重ね合わせ露光の重ね合わせ精度の低下等を防止することができる。

なお、この実施の形態に係るマスクのパターン形成領域Ｍ１〜Ｍ５及び非パターン形成領域ｍ１〜ｍ６との温度差に基づく像倍率及び像位置の調整は、所定時間間隔で行なってもよいし、所定枚数のプレートに対してパターンの転写を行なう毎に行なってもよい。

また、この実施の形態においては、パターン形成領域Ｍ１〜Ｍ５内、即ち照明領域内の温度を測定する５つの第１放射温度計Ｔ１〜Ｔ５を備えているが、少なくとも１つの第１放射温度計を備え、照明領域内の少なくとも一点の温度を測定するようにしてもよい。また、非パターン形成領域ｍ１〜ｍ６内、即ち非照明領域内の温度を測定する６つの第２放射温度計ｔ１〜ｔ６を備えているが、少なくとも１つの第２放射温度計を備え、非照明領域内の少なくとも一点の温度を測定するようにしてもよい。

また、この実施の形態においては、放射温度計Ｔ１〜Ｔ５，ｔ１〜ｔ６によりマスクＭ上の所定の領域の温度を測定しているが、マスクＭ上のパターン形成領域Ｍ１〜Ｍ５の近傍及び非パターン形成領域ｍ１〜ｍ６内に温度により色が変化する素子を貼り付け、その色の変化を観察するための観察装置を備え、観察装置による観察結果からマスクＭ上の所定の領域の温度測定を行うようにしてもよい。また、例えばエリプソメトリー（偏光解析）でマスクＭ上のパターン形成領域Ｍ１〜Ｍ５及び非パターン形成領域ｍ１〜ｍ６内の屈折率をリアルタイムに測定し、測定結果及びマスクＭを構成する素材の屈折率の温度係数からマスクＭ上の所定の領域の温度を検出してもよい。また、マスクＭの一方の端部からレーザ光等の平行性の良い光を略全反射する角度で入射させ、この光を他方の端部から検出する検出装置を備え、検出装置により検出された光量や漏れ光の強度等の変化からマスクＭ上の所定の領域の温度を検出してもよい。いずれの場合においても、マスクＭ上の所定の領域の温度を、マスクＭと非接触で測定することができる。

また、この実施の形態においては、投影光学ユニットＰＬ１〜ＰＬ５により形成される像の像形成状態としての像位置及び像倍率の調整を行っているが、像形成状態としての投影光学ユニットＰＬ１〜ＰＬ５の歪曲収差による像のゆがみ、球面収差や非点収差や像面湾曲による像のぼけ及びコマ収差による像の流れの調整を行ってもよい。

上述の実施の形態にかかる走査型露光装置では、投影光学系を用いてマスクにより形成された転写用のパターンを感光性基板（プレート）に露光する（露光工程）ことにより、マイクロデバイス（半導体素子、撮像素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等）を製造することができる。以下、上述の実施の形態にかかる走査型露光装置を用いて感光性基板としてのプレート等に所定の回路パターンを形成することによって、マイクロデバイスとしての半導体デバイスを得る際の手法の一例につき図１３のフローチャートを参照して説明する。

先ず、図１３のステップＳ３０１において、１ロットのプレート上に金属膜が蒸着される。次のステップＳ３０２において、その１ロットのプレート上の金属膜上にフォトレジストが塗布される。その後、ステップＳ３０３において、上述の実施の形態にかかる走査型露光装置を用いて、像位置及び像倍率の調整が行われた投影光学系を介して、マスクにより形成されたパターンの像がその１ロットのプレート上の各ショット領域に順次露光転写される。その後、ステップＳ３０４において、その１ロットのプレート上のフォトレジストの現像が行われた後、ステップＳ３０５において、その１ロットのプレート上でレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことによって、マスクにより形成されたパターンに対応する回路パターンが、各プレート上の各ショット領域に形成される。

その後、更に上のレイヤの回路パターンの形成等を行うことによって、半導体素子等のデバイスが製造される。上述の半導体デバイスの製造方法によれば、上述の実施の形態にかかる走査型露光装置を用いた露光方法により露光を行うため、高精度な露光を行うことができ、良好な半導体デバイスを得ることができる。なお、ステップＳ３０１〜ステップＳ３０５では、プレート上に金属を蒸着し、その金属膜上にレジストを塗布、そして露光、現像、エッチングの各工程を行っているが、これらの工程に先立って、プレート上にシリコンの酸化膜を形成後、そのシリコンの酸化膜上にレジストを塗布、そして露光、現像、エッチング等の各工程を行っても良いことはいうまでもない。

また、この実施の形態にかかる露光装置では、プレート（ガラス基板）上に所定のパターン（回路パターン、電極パターン等）を形成することによって、マイクロデバイスとしての液晶表示素子を得ることもできる。以下、図１４のフローチャートを参照して、このときの手法の一例につき説明する。図１４において、パターン形成工程４０１では、この実施の形態にかかる走査型露光装置を用いてマスクのパターンをプレートに転写露光する、所謂光リソグラフィ工程が実行される。この光リソグラフィ工程によって、プレート上には多数の電極等を含む所定パターンが形成される。その後、露光されたプレートは、現像工程、エッチング工程、レジスト剥離工程等の各工程を経ることによって、プレート上に所定のパターンが形成され、次のカラーフィルタ形成工程４０２へ移行する。

次に、カラーフィルタ形成工程４０２では、Ｒ（Red）、Ｇ（Green）、Ｂ（Blue）に対応した３つのドットの組がマトリックス状に多数配列されたり、またはＲ、Ｇ、Ｂの３本のストライプのフィルタの組を複数水平走査線方向に配列されたりしたカラーフィルタを形成する。そして、カラーフィルタ形成工程４０２の後に、セル組み立て工程４０３が実行される。セル組み立て工程４０３では、パターン形成工程４０１にて得られた所定パターンを有するプレート、およびカラーフィルタ形成工程４０２にて得られたカラーフィルタ等を用いて液晶パネル（液晶セル）を組み立てる。セル組み立て工程４０３では、例えば、パターン形成工程４０１にて得られた所定パターンを有するプレートとカラーフィルタ形成工程４０２にて得られたカラーフィルタとの間に液晶を注入して、液晶パネル（液晶セル）を製造する。

その後、モジュール組み立て工程４０４にて、組み立てられた液晶パネル（液晶セル）の表示動作を行わせる電気回路、バックライト等の各部品を取り付けて液晶表示素子として完成させる。上述の液晶表示素子の製造方法によれば、上述の実施の形態にかかる走査型露光装置を用いた露光方法により露光を行うため、高精度な露光を行うことができ、良好な液晶表示素子を得ることができる。

以上説明した実施の形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上述の実施の形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。

実施の形態にかかる走査型露光装置の概略構成を示す斜視図である。 実施の形態にかかる照明光学系の構成を示す図である。 実施の形態にかかるマスク及び温度測定装置の構成を示す図である。 実施の形態にかかる投影光学ユニットの構成を示す図である。 実施の形態にかかるアライメント系の構成を示す図である。 実施の形態にかかる走査型露光装置のシステム構成を示す図である。 実施の形態にかかる走査型露光装置を用いた露光方法について説明するための図である。 アライメント顕微鏡とアライメントマークの位置関係を説明するための図である。 アライメント顕微鏡とアライメントマークの位置関係を説明するための図である。 調整量を算出するためのパラメータを説明するための図である。 マスクホルダの構成及びマスクの伸びの状態を示す図である。 マスクホルダの構成及びマスクの伸びの状態を示す図である。 この発明の実施の形態にかかるマイクロデバイスとしての半導体デバイスの製造方法を示すフローチャートである。 この発明の実施の形態にかかるマイクロデバイスとしての液晶表示素子の製造方法を示すフローチャートである。

符号の説明

１…光学系、２…光源、３…楕円鏡、４…ダイクロイックミラー、５…シャッタ、６…コリメートレンズ、７…波長選択フィルタ、８…集光レンズ、９…ライトガイドファイバ、１０…コリメータレンズ、１１…オプティカルインテグレータ、１２…コンデンサレンズ、１３…温度測定装置、１３ｂ〜１３ｌ…温度センサ、１５…プリズムミラー、１６，１７…レンズ、１８…凹面鏡、２０…倍率調整レンズ群、２１…像位置調整部材群、５２…アライメント系、５４…オートフォーカス系、５６…アライメント顕微鏡、６０…制御部、６２…像倍率調整用駆動部、６４…像位置調整用駆動部、７０…干渉計、Ａ１〜Ａ６…顕微鏡、ＩＬ…照明光学系、ＩＬ１〜ＩＬ５…照明光学ユニット、Ｍ…マスク、ＭＳＴ…マスクステージ、ＭＨＡ，ＭＨＢ…マスクホルダ、Ｍ１〜Ｍ５…パターン形成領域、ｍ１〜ｍ６…非パターン形成領域、Ｐ…プレート、Ｔ１〜Ｔ５…第１放射温度計、ｔ１〜ｔ６…第２放射温度計、ＰＬ…投影光学系、ＰＬ１〜ＰＬ５…投影光学ユニット。

Claims (9)

1. 照明光学系により照明された原版に形成されているパターンを走査方向と交差する方向に所定の間隔で配置された複数の拡大投影光学系を介して被照射体上に転写する走査型露光装置であって、
   前記パターンが形成されたパターン形成領域内の少なくとも一点の温度を測定する第１温度測定器と、
   前記原版上において前記パターンが形成されない非パターン形成領域内の少なくとも一点の温度を測定する第２温度測定器と、
   前記第１温度測定器及び前記第２温度測定器の測定結果を用いて前記複数の投影光学系のそれぞれにより形成される像の像形成状態についての調整量を算出する算出器と、
   前記算出器により算出された前記調整量に基づいて、前記像形成状態の調整を行う調整器と、
   を備え、
   前記第２温度測定器は、前記原版上の所定方向に沿って配置された複数の前記パターン形成領域の間に位置する前記非パターン形成領域内の温度を測定することを特徴とする走査型露光装置。
2. 前記原版は前記照明光学系により照明され、
   前記第１温度測定器は、前記照明光学系により照明される前記原版上の照明領域内の少なくとも一点の温度を測定し、
   前記第２温度測定器は、前記照明光学系により照明されない前記原版上の非照明領域内の少なくとも一点の温度を測定することを特徴とする請求項１記載の走査型露光装置。
3. 照明光学系により照明された原版に形成されているパターンを走査方向と交差する方向に所定の間隔で配置された複数の拡大投影光学系を介して被照射体上に転写する走査型露光装置であって、
   前記照明光学系により照明される前記原版上の照明領域内の少なくとも一点の温度を測定する第１温度測定器と、
   前記照明光学系により照明されない前記原版上の非照明領域内の少なくとも一点の温度を測定する第２温度測定器と、
   前記第１温度測定器及び前記第２温度測定器の測定結果を用いて前記複数の投影光学系のそれぞれにより形成される像の像形成状態についての調整量を算出する算出器と、
   前記算出器により算出された前記調整量に基づいて、前記像形成状態の調整を行う調整器と、
   を備え、
   前記照明光学系は、前記原版上の所定方向に沿って配置された複数のパターン形成領域のそれぞれを照明し、
   前記第２温度測定器は、前記複数のパターン形成領域の間に位置する非パターン形成領域内の温度を測定することを特徴とする走査型露光装置。
4. 前記照明光学系は、所定の方向に所定の間隔で配置された複数の照明光学ユニットを備え、
   前記第１温度測定器は、前記複数の照明光学ユニットのそれぞれにより照明される前記原版上の各照明領域内の温度を測定することを特徴とする請求項２又は請求項３記載の走査型露光装置。
5. 前記第２温度測定器は、前記複数の照明光学ユニットのそれぞれにより照明される前記原版上の照明領域間の各非照明領域内の温度を測定することを特徴とする請求項４記載の走査型露光装置。
6. 前記第１温度測定器及び前記第２温度測定器の少なくとも一方は、前記原版上の前記少なくとも一点の温度を、前記原版と非接触で測定することを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の走査型露光装置。
7. 前記像形成状態は、前記像の位置及び前記像の倍率の少なくとも一方を有することを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の走査型露光装置。
8. 照明光学系により照明された原版に形成されているパターンを走査方向と交差する方向に所定の間隔で配置された複数の拡大投影光学系を介して被照射体上に転写する走査型露光装置を用いて露光を行う露光方法であって、
   前記原版上の前記照明光学系により照明される照明領域内の少なくとも一点の温度を測定する第１温度測定工程と、
   前記原版上の前記照明光学系により照明されない非照明領域内の少なくとも一点の温度を測定する第２温度測定工程と、
   前記第１温度測定工程及び前記第２温度測定工程の測定結果に基づいて、前記複数の投影光学系のそれぞれにより形成される像の像形成状態についての調整量を算出する算出工程と、
   前記算出工程により算出された前記調整量に基づいて、前記像形成状態の調整を行う調整工程と、
   を含み、
   前記第２温度測定工程では、前記原版上の所定方向に沿って配置された複数のパターン形成領域の間に位置する非パターン形成領域内の温度を測定することを特徴とする露光方法。
9. 請求項８記載の露光方法を用いてパターンを感光性基板上に露光する露光工程と、
   前記露光工程により露光された前記感光性基板を現像する現像工程と、
   を含むことを特徴とするデバイスの製造方法。

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