JP6748428B2 - リソグラフィ装置、物品の製造方法、ステージ装置及び計測装置 - Google Patents

Description

本発明は、リソグラフィ装置、物品の製造方法、ステージ装置及び計測装置に関する。

ＦＰＤ（Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）用ガラス基板などの基板を露光する露光装置では、プリアライメントと呼ばれる工程において、ステージ装置に保持された基板の側面（端面）の位置の計測が行われている。プリアライメントとは、基板に形成されたアライメントマークを高倍率で検出して位置決めする前に、基板の側面の位置を数μｍ〜数十μｍの精度で計測して、アライメントマークをスコープの視野に追い込むように基板を駆動する工程である。

基板の側面の位置を計測する技術としては、例えば、基板の側面に接触子を押し当てて接触子の位置を計測するメカニカル式（接触式）と、光学センサを用いて基板の側面の位置を非接触で計測する光学式とがある。また、光学式としては、基板端に照射した光のうち基板を透過する光を撮像して基板端の位置を計測する透過光式と、基板端に照射した光のうち基板で反射された光を撮像して基板端の位置を計測する反射光式とが提案されている（特許文献１及び２参照）。

特開平９−２９７４０８号公報 特開２００１−２４１９２１号公報

しかしながら、近年では、ＦＰＤ用ガラス基板の薄型化が急激に進んでおり、接触式では、接触子の接触圧によって基板が歪んでしまうため、基板に形成されるパターンの精度が低下するという問題が生じてきている。また、基板の薄型化が進むと、その側面（基板端）が薄く鋭い形状になっていくため、接触子が側面に接触した際の衝撃で基板が割れたり、接触子の摩耗（削れ）に起因する粉塵の発生や計測精度の低下を招いたりしてしまう。なお、接触式では、接触子を物理的に駆動する時間や接触子を側面に接触させてから接触子の振動が収束するまで待機する時間が必要となるため、基板の側面の位置の計測に時間を要し、タクトタイムを向上させる上でも不利となる。

一方、特許文献１に開示された技術（透過光式）では、照明部と検出部（光学センサ）とを基板を挟み込むように配置し、基板端に対して垂直に光を照射する必要がある。但し、露光装置における投影光学系と基板との間の間隔は非常に狭い（１ｍｍ程度）ため、基板を露光する露光位置（露光空間）において、照明部と検出部とを基板を挟み込むように配置することは非常に困難である。露光位置とは別の位置に照明部と検出部とを配置することも考えられるが、基板端を計測する際には、ステージ装置をその位置まで移動させなければならないため、露光処理に大きな制限を与えるだけではなく、タクトタイムの点でも不利となる。

また、特許文献２に開示された技術（反射光式）では、基板の側面に面取り処理が施されていると計測騙され（計測誤差）が発生し、面取りの大小のばらつきが計測誤差に影響を与えることを本発明者は見出した。特に、ＦＰＤ用ガラス基板においては、側面の傷や欠けに起因する基板の割れを低減するために、一般的に、Ｃ面取り、或いは、Ｒ形状の研磨処理が側面に施されている。ＦＰＤ用ガラス基板の面取り量は、最大で板厚程度（例えば、ＦＰＤ用ガラス基板の板厚を７００μｍとすると、５０μｍ〜７００μｍ程度）となり、製造条件によってロット間で面取り量にばらつきが発生してしまう。従って、特許文献２に開示された技術では、ＦＰＤ用ガラス基板の側面の面取り量が大きく異なるために、プリアライメントにおいて基板の側面の位置の計測に求められる精度（数μｍ〜数十μｍの精度）を実現することができない。

本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、チャックに吸着された基板の側面の位置を計測するのに有利なリソグラフィ装置を提供することを例示的目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのリソグラフィ装置は、基板にパターンを形成するリソグラフィ装置であって、前記基板を吸着面で吸着するチャックを含み、前記基板の側面を含む前記基板の一部が前記チャックから露出するように前記基板を保持するステージと、前記チャックに吸着された前記基板の側面に対して、前記吸着面に平行な面に対して０度以上２０度以下の範囲の入射角度で光を入射させる照明部と、前記チャックに吸着された前記基板の側面の下方に配置され、前記基板の側面で反射された光を検出する検出部と、前記検出部による検出結果に基づいて、前記チャックに吸着された前記基板の側面の位置を求める処理部と、を有し、前記照明部及び前記検出部は、前記ステージに支持されていることを特徴とする。

本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。

本発明によれば、例えば、チャックに吸着された基板の側面の位置を計測するのに有利なリソグラフィ装置を提供することができる。

本発明の一側面としての露光装置の構成を示す概略図である。 図１に示す露光装置における基板ステージの詳細な構成を示す斜視図である。 図１に示す露光装置における計測部の構成を模式的に示す図である。 図１に示す露光装置における計測部の構成を示す図である。 基板の側面に入射する光の入射角度と検出波形との関係の一例を示す図である。 基板の側面に入射する光の入射角度と検出波形との関係の一例を示す図である。

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。

図１は、本発明の一側面としての露光装置１の構成を示す概略図である。露光装置１は、ＦＰＤ用ガラス基板などの基板を露光してパターンを形成するリソグラフィ装置である。露光装置１は、照明光学系１０と、マスクステージ２０と、投影光学系３０と、基板ステージ４０と、ステージ定盤５０と、ステージ位置計測部６０と、アライメント検出系７０と、制御部８０と、計測部９０とを有する。

照明光学系１０は、レンズ、ミラー、オプティカルインテグレーター、位相板、回折光学素子、絞りなどを含み、光源からの光でマスクＭを照明する光学系である。マスクＭには、基板Ｗに転写すべきパターンが形成されている。マスクステージ２０は、マスクＭを吸着するマスクチャック２２と、マスクチャック２２を支持するベース２４とを含み、マスクＭを保持して移動可能なステージ装置である。ベース２４には、マスクステージ２０の位置を計測するためのバーミラー６５が配置されている。

投影光学系３０は、照明光学系１０によって照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｗに投影する光学系である。マスクＭと基板Ｗとは、投影光学系３０に対して光学的に共役な位置に配置されている。投影光学系３０は、等倍結像光学系、拡大結像光学系及び縮小結像光学系のいずれの光学系も適用可能である。本実施形態では、投影光学系３０は、平面ミラー、凹面ミラー、凸面ミラーなどを含む等倍結像光学系として構成されている。

基板ステージ４０は、基板Ｗを保持するステージ装置である。基板ステージ４０は、ステージ定盤５０に載置されている。基板ステージ４０は、ステージ定盤５０の上を、基板Ｗを保持しながらＸＹ平面内で移動することが可能である。基板ステージ４０には、後述するように、基板ステージ４０に保持された基板Ｗの側面の位置を光学的に計測する計測部（計測装置）９０が取り付けられている。

ステージ位置計測部６０は、例えば、レーザ干渉計６１と、ビームスプリッタ６２と、折り曲げミラー６３と、バーミラー６４及び６５とを含み、マスクステージ２０及び基板ステージ４０のそれぞれの位置をリアルタイムに計測する。

アライメント検出系７０は、例えば、スコープで構成され、マスクＭに形成されたアライメントマークと、基板Ｗに形成されたアライメントマークとを、投影光学系３０を介して検出する。アライメント検出系７０は、マスクＭ及び基板Ｗのそれぞれに形成されたアライメントマークを同時に検出してもよいし、個別に検出してもよい。

制御部８０は、ＣＰＵやメモリなどを含み、露光装置１の全体を制御する。制御部８０は、露光装置１の各部を統括的に制御して、基板Ｗを露光する処理、即ち、マスクＭのパターンを基板Ｗに転写する処理を制御する。制御部８０は、基板Ｗを露光する際に、まず、基板ステージ４０に保持された基板Ｗの側面の位置を求め、基板Ｗに形成されているアライメントマークをアライメント検出系７０の視野内に収めるように基板ステージ４０を移動させるプリアライメントを行う。次いで、制御部８０は、アライメント検出系７０によるマスクＭ及び基板Ｗのそれぞれに形成されたアライメントマークの検出結果、即ち、マスクＭと基板Ｗとのずれ量に基づいて、マスクＭや基板Ｗの位置合わせを行うファインアライメントを行う。なお、マスクＭと基板Ｗとのずれ量は、例えば、アライメントマークを検出（撮像）して取得される画像を画像処理することで求めることができる。そして、照明光学系１０からの光でマスクＭを照明し、マスクＭのパターンを反映する光を、投影光学系３０を介して、基板Ｗに投影することで、基板Ｗを露光する。

図２を参照して、基板ステージ４０の詳細について説明する。基板Ｗは、ロボットアーム（不図示）によって搬送され、基板ステージ４０の基板チャック４０２に載置される。基板チャック４０２は、基板Ｗを吸着面４０２ａで吸着（例えば、真空吸着）して固定する。なお、基板チャック４０２は、基板チャックベース４０４に支持されている。更に、基板ステージ４０は、バーミラー６５が配置されるミラーベース４０６、ステージ定盤５０に配置されたＹガイド４０８、ＹＡＷガイド４１０及びＹリニアモーター固定子４１２やＹガイド４０８の上に配置されたＸガイド４１４なども含む。本実施形態では、図２に示すように、計測部９０は、基板ステージ４０の周辺の少なくとも３箇所に配置されている。また、基板チャック４０２の側面に沿って、基板ステージ４０のＸ方向の位置を計測するためのバーミラー６４ａ及び基板ステージ４０のＹ方向の位置を計測するためのバーミラー６４ｂがミラーベース４０６に配置されている。

基板Ｗを基板チャック４０２に吸着させたら、計測部９０によって基板Ｗの側面の位置を計測し、その計測結果に基づいて、基板チャック４０２に対する基板Ｗの載置ずれ、即ち、ＸＹθ方向の位置ずれを求める。そして、基板ＷのＸＹθ方向の位置ずれを補正しながら、基板Ｗに形成されているアライメントマークをアライメント検出系７０の視野内に収めるように基板ステージ４０を移動させる。基板ＷのＸＹ方向の位置ずれは、基板ステージ４０をＸＹ平面内で移動させることで補正することが可能であり、基板Ｗのθ方向の位置ずれは、基板チャック４０２をＺ軸周りに回転させることで補正することが可能である。

このようなプリアライメントにおいて、計測部９０の役割は、アライメント検出系７０の視野内に基板Ｗに形成されているアライメントマークが収まるまで基板ＷのＸＹθ方向の位置ずれを求めるために、基板Ｗの側面の位置を計測することにある。アライメント検出系７０は、一般的に、倍率切り替え機能を備えており、視野が広い低倍率から視野が狭い高倍率に段階的に切り替えながら、マスクＭと基板Ｗとの位置合わせ精度が目標精度に到達するまでファインアライメントを行うことになる。従って、計測部９０による基板Ｗの側面の位置の計測精度が向上すれば、アライメント検出系７０における低倍率でのマスクＭと基板Ｗとの位置合わせを省略することが可能となり、タクトタイムの向上に寄与する。

また、投影光学系３０と基板ステージ４０、或いは、投影光学系３０と基板ステージ４０に保持された基板Ｗとの間の間隔は非常に狭く、１ｍｍ程度のスペースしかない。従って、基板ステージ４０に保持された基板Ｗの表面よりも上方に計測部９０を配置することは難しく、基板Ｗの表面よりも下方に計測部９０を配置しなければならないことが多い。換言すれば、投影光学系３０の下方では配置の自由度が著しく低下するため、計測部９０には、基板Ｗを垂直方向から照明する照明部と基板Ｗを透過した光を検出する検出部とを基板Ｗを挟み込むように配置する透過光式を採用することはできない。そこで、本実施形態では、計測部９０には、基板Ｗの側面を照明して基板Ｗの側面で反射された光を検出する反射光を検出する反射光式を採用する。

図３（ａ）及び図３（ｂ）は、計測部９０の構成を模式的に示す図であって、図３（ａ）は、計測部９０の側面図であり、図３（ｂ）は、計測部９０の上面図である。基板ステージ４０は、図３（ａ）に示すように、基板Ｗの側面Ｗａで反射された光の光路を確保するために、基板Ｗの側面Ｗａを含む基板Ｗの一部が基板チャック４０２から露出するように基板Ｗを保持する。本実施形態では、基板チャック４０２に対して基板Ｗの側面Ｗａが数ｍｍ程度突出している。なお、基板チャック４０２に対する基板Ｗの側面Ｗａの突出量は、想定される基板Ｗの載置ずれ量よりも大きく設定する必要があり、最大の載置ずれ量が発生した場合であっても、基板Ｗの一部が基板チャック４０２から露出している必要がある。

計測部９０は、上述したように、基板チャック４０２に吸着された基板Ｗの側面Ｗａの位置を計測する機能を有し、照明部９１０と、検出部９２０とを含む。照明部９１０は、図３（ａ）に示すように、基板チャック４０２に吸着された基板Ｗの側面Ｗａに対して、吸着面４０２ａに平行な面ＰＰに対して角度（入射角度）θで光を入射させる。また、照明部９１０は、図３（ｂ）に示すように、基板Ｗの側面Ｗａに入射する光の光路（進路）を吸着面４０２ａに平行な面ＰＰに投影することで規定される直線と基板Ｗの側面Ｗａとのなす角が９０度となるように、基板Ｗの側面Ｗａに対して光を入射させる。検出部９２０は、本実施形態では、基板チャック４０２に吸着された基板Ｗの側面Ｗａの下方に配置され、基板Ｗの側面Ｗａで反射された光を検出する。なお、本実施形態では、基板Ｗの形状を矩形としているが、基板Ｗの形状は円形であってもよい。基板Ｗの形状が円形である場合には、基板Ｗの側面Ｗａに入射する光の光路を吸着面４０２ａに平行な面ＰＰに投影することで規定される直線と基板Ｗの側面Ｗａの接線とのなす角が９０度となるように、基板Ｗの側面Ｗａに対して光を入射させる。

照明部９１０は、ＬＥＤやＬＤを含む光源９１２と、光源９１２からの光をコリメートして基板チャック４０２に吸着された基板Ｗの側面Ｗａに導光する光学系９１４とを含む。照明部９１０は、本実施形態では、基板チャック４０２に吸着された基板Ｗの表面よりも下方に配置されているため、照明部９１０、特に、光学系９１４をコンパクトに構成する必要がある。そこで、本実施形態では、光学系９１４は、レンズ９１４ａやスリット９１４ｂに加えて、光学系９１４の光軸を折り曲げるための光学素子９１４ｃを含む。また、光学素子９１４ｃは、本実施形態では、透過型のプリズムとしているが、ミラーであってもよい。なお、投影光学系３０と基板ステージ４０に保持された基板Ｗとの間の間隔に余裕がある場合には、基板チャック４０２に吸着された基板Ｗの表面よりも上方に照明部９１０を配置してもよい。

検出部９２０は、撮像素子９２２と、基板Ｗの側面Ｗａで反射された光を撮像素子９２２に結像する撮像光学系９２４とを含む。撮像素子９２２は、ＣＭＯＳイメージセンサやＣＣＤイメージセンサなどを含み、ラインセンサ及びエリアセンサのどちらで構成してもよい。但し、撮像素子９２２をエリアセンサとすることで、基板Ｗの側面Ｗａ（計測箇所）に傷や欠けが存在する場合に、かかる傷や欠けを認識することが可能となり、それらに起因する計測精度の低下や計測エラーを回避することができる。また、撮像素子９２２は、撮像素子９２２の上において、基板チャック４０２に吸着された基板Ｗの側面Ｗａのノミナル位置と撮像素子９２２の中心位置とが重なるように配置されている。撮像光学系９２４は、レンズ９２４ａ及び９２４ｃと、スリット９２４ｃとを含み、倍率が変化しにくい両側テレセントリック光学系を構成している。従って、撮像光学系９２４は、基板Ｗの厚さのばらつきや基板Ｗの浮きなどに起因して基板Ｗ（の側面Ｗａ）のＺ方向が変位した場合であっても、基板Ｗの側面Ｗａで反射された光を撮像素子９２２に結像することができる。また、撮像素子９２２の画素分解能や撮像光学系９２４の光学倍率は、任意に設定することが可能であり、基板Ｗの側面Ｗａの位置の計測に要求される計測精度や計測範囲に基づいて決定される。

本実施形態では、制御部８０は、検出部９２０での検出結果に基づいて、基板チャック４０２に吸着された基板Ｗの側面Ｗａの位置を求める処理部として機能する。具体的には、撮像素子９２２では、基板チャック４０２に吸着された基板Ｗの側面Ｗａの位置に応じて、図３（ａ）に示すような検出波形ＤＷが得られる。制御部８０は、撮像素子９２２で得られた検出波形ＤＷのピーク位置を検出することで、基板チャック４０２に吸着された基板Ｗの側面Ｗａの位置を求めることができる。なお、検出部９２０での検出結果に基づいて、基板チャック４０２に吸着された基板Ｗの側面Ｗａの位置を求める処理部を制御部８０とは別に設けてもよい。

計測部９０は、上述したように、基板ステージ４０に取り付けられている。具体的には、図４に示すように、照明部９１０及び検出部９２０は筐体９３０に収容され、支持部９５０を介して、基板チャックベース４０４に支持されている。支持部９５０は、照明部９１０及び検出部９２０を基板チャックベース４０４に支持させる機能を有する。特に、本実施形態では、支持部９５０は、ミラーベース４０６に配置されたバーミラー６４と基板チャック４０２の側面との間の空間において、照明部９１０及び検出部９２０を基板チャックベース４０４に支持させることを実現する。

ここで、照明部９１０から基板チャック４０２に吸着された基板Ｗの側面Ｗａに入射する光の入射角度θと、検出部９２０（撮像素子９２２）で得られる検出波形との関係について説明する。特許文献２に開示された技術のように、入射角度θを３０度として、照明部９１０から基板チャック４０２に吸着された基板Ｗの側面Ｗａに光を入射させると、撮像素子９２２では、図５に示すように、複数のピーク位置を含む乱れた検出波形が得られる。図５では、撮像素子９２２で検出される光の強度を縦軸に採用し、撮像素子９２２の画素位置を横軸に採用している。図５に示す検出波形は、そのピーク位置から基板Ｗの側面Ｗａの位置を求めるには不利であり、基板Ｗの側面Ｗａの位置の計測精度の低下や誤計測の原因となる。

一方、入射角度θを１０度として、照明部９１０から基板チャック４０２に吸着された基板Ｗの側面Ｗａに光を入射させると、撮像素子９２２では、図６に示すように、１つのピーク位置を含む検出波形が得られる。図６では、撮像素子９２２で検出される光の強度を縦軸に採用し、撮像素子９２２の画素位置を横軸に採用している。検出波形ＤＷ１、ＤＷ２及びＤＷ３は、入射角度θを１０度として、側面の面取り量がそれぞれ異なる３つの基板を同一の位置に設定した場合（即ち、基板の側面の位置の計測結果が同一となるべき場合）において、撮像素子９２２で得られる検出波形である。基板の側面の面取り量の差異に起因するピーク位置のばらつきをｄとすると、ｄは、基板の側面の面取り量の多寡に起因する基板の側面の位置の計測結果のばらつきと考えることができる。また、本発明者の鋭意検討によれば、入射角度θが小さくなるほど、ばらつきｄも小さくなる。従って、ばらつきｄを最小にするためには、入射角度θを０度、即ち、基板Ｗの側面Ｗａに対して垂直な方向から光を入射させればよい。また、基板Ｗの側面Ｗａの面取り量のばらつき（例えば、５０μｍ〜７００μｍ）に起因する基板Ｗの側面Ｗａの位置の計測結果のばらつきを１０μｍ以下に抑えるためには、入射角度θを２０度以下にすればよい。このように、照明部９１０は、基板チャック４０２に吸着された基板Ｗの側面Ｗａに対して、吸着面４０２ａに平行な面ＰＰに対して０度以上２０度以下の範囲の入射角度θで光を入射させる。

露光装置１では、計測部９０によって、基板Ｗの側面Ｗａの面取り処理による影響を抑え、基板チャック４０２に吸着された基板Ｗの側面Ｗａの位置を高精度に計測することができる（計測精度を向上させることができる）。また、露光装置１では、計測部９０を基板ステージ４０に取り付けることが可能であるため、基板ステージ４０の位置にかかわらず、基板Ｗの側面Ｗａの位置を短時間で計測することが可能となり、タクトタイムを向上させることができる。例えば、マスクＭを基板Ｗとの位置合わせを行う際にアライメント検出系７０の視野内に基板Ｗに形成されたアライメントマークが収まっていない場合には、基板ステージ４０を移動させることなく、基板Ｗの側面Ｗａの位置を再度求めることが可能である。

なお、露光装置１では、基板チャック４０２に吸着される基板Ｗの表面には、通常、レジスト（感光性樹脂）が供給されているため、基板Ｗの側面Ｗａに入射させる光として、レジストを感光しない波長の光を選択するとよい。また、基板Ｗには、投影光学系３０を介して、露光光が入射するため、露光光の一部が基板Ｗの近傍に配置された検出部９２０（撮像素子９２２や撮像光学系９２４）に入射する可能性がある。露光光が紫外線である場合、撮像素子９２２に露光光が入射すると、撮像素子９２２の寿命及び性能を著しく低下させてしまう。従って、検出部９２０には、照明部９１０からの光の波長以外の波長の光をカットするフィルター、或いは、露光光を遮断するシャッターを検出部９２０に設けるとよい。

また、本実施形態では、基板Ｗの側面Ｗａを含む基板Ｗの一部を基板チャック４０２から露出させるために、基板チャック４０２に対して基板Ｗの側面Ｗａを突出させているが、これに限定されるものではない。例えば、基板チャック４０２に対して基板Ｗの側面Ｗａを突出させる代わりに、基板チャック４０２に切り欠きを形成することで基板Ｗの一部を基板チャック４０２から露出させてもよい。この場合、基板チャック４０２に形成された切り欠きの下方に検出部９２０を配置すればよい。

本発明の実施形態における物品の製造方法は、例えば、液晶表示素子や半導体デバイスなどの物品を製造するのに好適である。かかる製造方法は、露光装置１を用いて、感光剤が塗布された基板を露光する工程（パターン形成を基板に行う工程）と、露光した基板を現像する工程（パターン形成を行われた基板を加工する工程）とを含む。また、上記形成工程につづけて、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージングなど）を含みうる。本実施形態における物品の製造方法は、従来に比べて、物品の性能、品質、生産性及び生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。例えば、本発明は、露光装置への適用に限定されるものではなく、インプリント装置やその他の基板処理装置など、基板の側面の位置を計測する用途において広く適用することが可能である。

１：露光装置 ４０：基板ステージ ４０２：基板チャック ８０：制御部 ９０：計測部 ９１０：照明部 ９２０：検出部 Ｗ：基板 Ｗａ：側面

Claims (14)

1. 基板にパターンを形成するリソグラフィ装置であって、
   前記基板を吸着面で吸着するチャックを含み、前記基板の側面を含む前記基板の一部が前記チャックから露出するように前記基板を保持するステージと、
   前記チャックに吸着された前記基板の側面に対して、前記吸着面に平行な面に対して０度以上２０度以下の範囲の入射角度で光を入射させる照明部と、
   前記チャックに吸着された前記基板の側面の下方に配置され、前記基板の側面で反射された光を検出する検出部と、
   前記検出部による検出結果に基づいて、前記チャックに吸着された前記基板の側面の位置を求める処理部と、
   を有し、
   前記照明部及び前記検出部は、前記ステージに支持されていることを特徴とするリソグラフィ装置。
2. 前記照明部は、前記照明部から前記基板の側面に入射する光の進路を前記吸着面に平行な面に投影することで規定される直線と前記基板の側面とのなす角が９０度となるように、前記基板の側面に対して光を入射させることを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
3. 前記照明部は、前記チャックに吸着された前記基板の表面よりも下方に配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のリソグラフィ装置。
4. 前記ステージは、前記チャックを支持するベースを含み、
   前記リソグラフィ装置は、前記照明部及び前記検出部を前記ベースに支持させる支持部を更に有することを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
5. 前記ステージは、前記チャックの側面に沿って配置され、前記ステージの位置を計測するためのバーミラーを含み、
   前記支持部は、前記バーミラーと前記チャックの側面との間の空間において、前記照明部及び前記検出部を前記ベースに支持させることを特徴とする請求項４に記載のリソグラフィ装置。
6. 前記照明部は、
   光源と、
   前記光源からの光を前記チャックに吸着された前記基板の側面に導光する光学系と、
   を含み、
   前記光学系は、前記光学系の光軸を折り曲げるための光学素子を含むことを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
7. 前記光学素子は、ミラー又はプリズムを含むことを特徴とする請求項６に記載のリソグラフィ装置。
8. 前記検出部は、
   撮像素子と、
   前記基板の側面で反射された光を前記撮像素子に結像する撮像光学系と、
   を含み、
   前記撮像素子は、前記撮像素子の上において、前記チャックに吸着された前記基板の側面のノミナル位置と前記撮像素子の中心位置とが重なるように配置され、
   前記ノミナル位置は、前記処理部によって求められる前記基板の側面の位置の平均値であることを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
9. 前記撮像光学系は、両側テレセントリック光学系を構成することを特徴とする請求項８に記載のリソグラフィ装置。
10. マスクに形成されたマークと、前記基板に形成されたマークとを検出するアライメント検出系と、
    前記マスクと前記基板との位置合わせを行う制御部と、
    を更に有し、
    前記制御部は、前記アライメント検出系の検出結果に基づいて前記位置合わせを行う前に、前記処理部によって求められた前記基板の側面の位置に基づいて前記アライメント検出系の視野内に前記基板に形成されたマークを収めるように前記ステージを移動させる処理を行うことを特徴とする請求項１乃至９のうちいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
11. 前記制御部は、前記位置合わせを行う際に前記アライメント検出系の視野内に前記基板に形成されたマークが収まっていない場合には、前記ステージを移動させることなく、前記チャックに吸着された前記基板の側面の位置を再度求めるように、前記照明部、前記検出部及び前記処理部を制御することを特徴とする請求項１０に記載のリソグラフィ装置。
12. 請求項１乃至１１のうちいずれか１項に記載のリソグラフィ装置を用いてパターン形成を基板に行う工程と、
    前記工程で前記パターン形成を行われた前記基板を加工する工程と、
    を含むことを特徴とする物品の製造方法。
13. 基板を保持するステージ装置であって、
    前記基板を吸着面で吸着するチャックを含み、前記基板の側面を含む前記基板の一部が前記チャックから露出するように前記基板を保持するステージと、
    前記チャックに吸着された前記基板の側面に対して、前記吸着面に平行な面に対して０度以上２０度以下の範囲の入射角度で光を入射させる照明部と、
    前記チャックに吸着された前記基板の側面の下方に配置され、前記基板の側面で反射された光を検出する検出部と、
    前記検出部による検出結果に基づいて、前記チャックに吸着された前記基板の側面の位置を求める処理部と、
    を有し、
    前記照明部及び前記検出部は、前記ステージに支持されていることを特徴とするステージ装置。
14. 基板を吸着面で吸着するチャックを含み、前記基板の側面を含む前記基板の一部が前記チャックから露出するように前記基板を保持するステージを含むステージ装置に保持された前記基板の側面の位置を計測する計測装置であって、
    前記チャックに吸着された前記基板の側面に対して、前記吸着面に平行な面に対して０度以上２０度以下の範囲の入射角度で光を入射させる照明部と、
    前記チャックに吸着された前記基板の側面の下方に配置され、前記基板の側面で反射された光を検出する検出部と、
    前記検出部による検出結果に基づいて、前記チャックに吸着された前記基板の側面の位置を求める処理部と、
    を有し、
    前記照明部及び前記検出部は、前記ステージに支持されていることを特徴とする計測装置。

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