TWI413870B - Detection device, moving body device, pattern forming device and pattern forming method, exposure device and exposure method, and device manufacturing method - Google Patents

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Description

檢測裝置、移動體裝置、圖案形成裝置及圖案形成方法、曝光裝置及曝光方法、以及元件製造方法
本發明係關於一種檢測裝置、移動體裝置、圖案形成裝置及圖案形成方法、曝光裝置及曝光方法、以及元件製造方法，更詳細而言，係關於一種檢測測量構件之表面狀態的檢測裝置、具備該檢測裝置的移動體裝置、具備該移動體裝置的圖案形成裝置、在移動體所保持之物體上形成圖案的圖案形成方法、以能量束使該物體曝光的曝光裝置及曝光方法、以及使用該圖案形成方法的元件製造方法。
以往，在製造半導體元件(積體電路等)、液晶顯示元件等之電子元件(微型元件)的微影製程中，主要使用步進重複方式之投影曝光裝置(所謂步進器)、步進掃描方式之投影曝光裝置(所謂掃描步進器(亦稱掃描器))等。
一般而言，此等步進器、或掃描器等，係使用高解析度之雷射干涉儀來進行保持被曝光基板(例如晶圓)之載台的位置測量。又，雷射干涉儀之光束之光路長為數百mm程度以上。又，由於半導體元件高度集成化所伴隨之圖案之微細化，而要求更高精度之載台之位置控制性能。由於上述原因，現在，無法忽視因雷射干涉儀之光束光路上之環境氣氛之溫度搖晃(空氣搖晃)導致之測量值之短期變動。
因此，最近，作為測量載台位置的裝置，提出一種使用溫度搖晃(空氣搖晃)導致之測量值之短期變動較雷射干涉儀小之線性編碼器的技術(例如，參照國際公開第 2007/097379號小冊子及對應美國專利申請公開第2008/0088843號等)。使用此種線性編碼器時，若標尺上存在異物，則會有因該異物產生測量誤差，而無法測量之虞。
本發明係為解決上述問題而構成，第1形態之第1曝光裝置，係以能量束使移動體所保持之物體曝光，其具備：編碼器系統，於該移動體設置測量構件與讀頭構件之一者，且另一者與該移動體相對向設置，使用與該測量構件相對向之該讀頭構件之複數個讀頭測量該移動體的位置資訊；以及檢測裝置，檢測關於該測量構件表面狀態之資訊。
據此，藉由檢測裝置，檢測關於測量構件表面狀態之資訊，因此可考慮測量構件之表面狀態(異物之附著狀態等)，抑制該表面狀態所導致之編碼器系統之測量精度的惡化。據此，可高精度進行移動體之位置資訊之測量，能對該移動體所保持之物體進行高精度的曝光。
本發明第2形態之曝光方法，係以能量束使移動體所保持之物體曝光，其特徵在於，包含：測量步驟，使用編碼器系統測量該移動體之位置資訊，該編碼器系統，於該移動體設置測量構件與讀頭構件之一者，且另一者與該移動體相對向設置，使用與該測量構件相對向之該讀頭構件之複數個讀頭測量該移動體的位置資訊；以及檢測步驟，使用檢測裝置檢測關於該測量構件表面狀態之資訊。
據此，由於在檢測步驟使用檢測裝置檢測關於測量構件表面狀態之資訊，因此可考慮測量構件之表面狀態(異物 之附著狀態等)，抑制該表面狀態所導致之編碼器系統之測量精度的惡化。據此，可高精度進行移動體之位置資訊之測量，能對該移動體所保持之物體進行高精度的曝光。
本發明第3形態之檢測裝置，係檢測設於移動體、被測量光束所照射之測量構件之表面狀態，該測量光束用於測量關於該移動體於既定方向之位置資訊，其具備：照射系統，對該測量構件照射光束；以及檢測系統，檢測透射過該測量構件的光束。
據此，能以與測量構件非接觸之方式進行表面狀態的檢測。
本發明第4形態之第1移動體裝置，其具備：移動體，係設有測量構件；測量裝置，具有與該測量構件相對向之讀頭，藉由該讀頭測量該移動體於該既定方向的位置資訊；以及檢測裝置，以檢測該測量構件的表面狀態。
據此，由於藉由檢測裝置以與測量構件非接觸之方式檢測測量構件的表面狀態，因此檢測裝置之檢測動作不會妨礙移動體的移動。又，可考慮測量構件之表面狀態(異物之附著狀態等)，抑制該表面狀態所導致之測量裝置之測量精度的惡化，據此，可進行高精度之移動體的移動控制。
本發明第5形態之第1圖案形成裝置，其具備：第1移動體裝置，該移動體保持物體；以及圖案產生裝置，供在該物體上產生圖案。
據此，由於能高精度進行移動體的位置控制(物體的位置控制)，因此在該移動體所保持之物體上藉由圖案產生裝 置產生圖案，以對物體上進行高精度的圖案產生。
本發明第6形態之第2曝光裝置，係藉由能量束使物體曝光，以在該物體形成圖案，其特徵在於：具備該移動體保持該物體的第1移動體裝置。
據此，由於能高精度進行移動體之位置資訊的測量，因此能對該移動體所保持之物體高精度形成圖案。
本發明第7形態之第2移動體裝置，其具備：移動體，係設有測量構件；測量裝置，具有與該測量構件相對向時對該測量構件照射測量光束，接收透射過該測量構件之該測量光束之讀頭，藉由該讀頭測量該移動體之既定方向的位置資訊；以及檢測裝置，檢測該測量構件的表面狀態。
據此，由於藉由檢測裝置檢測測量構件的表面狀態，因此可考慮測量構件之表面狀態(異物之附著狀態等)，抑制該表面狀態所導致之測量裝置之測量精度的惡化。據此，可進行高精度之移動體的移動控制。
本發明第8形態之第2圖案形成裝置，其具備：第2移動體裝置，該移動體保持物體；以及圖案產生裝置，在該物體上產生圖案。
據此，由於能高精度進行移動體的位置控制(物體的位置控制)，因此在該移動體所保持之物體上藉由圖案產生裝置產生圖案，以對物體上進行高精度的圖案產生。
本發明第9形態之第3曝光裝置，係藉由能量束使物體曝光，以在該物體形成圖案，其特徵在於：具備該移動體保持該物體的第2移動體裝置。
據此，由於能高精度進行移動體之位置資訊的測量，因此能對該移動體所保持之物體高精度形成圖案。
本發明第10形態之第3移動體裝置，其具備：移動體，保持所裝載之物體並於既定平面內移動；測量裝置，具有與平行於裝載該移動體之該物體之該平面之一面相對向之讀頭，藉由該讀頭對該移動體之該一面之該物體之裝載區域外之區域照射測量光束，以測量該移動體之既定方向的位置資訊；以及檢測裝置，檢測該移動體之該一面之該物體之裝載區域外之區域的表面狀態。
據此，由於藉由檢測裝置檢測移動體之一面之物體之裝載區域外之區域的表面狀態，因此可考慮來自測量裝置之檢測束所照射之移動體之一面之物體之裝載區域外之區域的表面狀態(異物之附著狀態等)，抑制該表面狀態所導致之測量裝置之測量精度的惡化。據此，可進行高精度之移動體之既定方向的位置控制。
本發明第11形態之第3圖案形成裝置，其具備：第3移動體裝置；以及圖案產生裝置，在該移動體所裝載之物體上產生圖案。
據此，由於能高精度進行移動體的位置控制(物體的位置控制)，因此在該移動體所保持之物體上藉由圖案產生裝置產生圖案，以對物體上進行高精度的圖案產生。
本發明第12形態之第1圖案形成方法，其包含：圖案形成步驟，在移動體所保持之物體上形成圖案；以及檢測步驟，檢測被測量光束所照射之測量構件之表面狀態，該 測量光束用於測量關於該移動體於既定方向之位置資訊。
據此，可在避免測量構件之表面狀態(異物之附著狀態等)所造成之影響的狀態下，高精度進行對物體上的圖案產生。
本發明第13形態之第1元件製造方法，其包含：藉由第1圖案形成方法在物體上形成圖案的步驟；以及對形成有圖案之該物體施加處理的步驟。
本發明第14形態之第2圖案形成方法，其包含：圖案形成步驟，在移動體所保持之物體上形成圖案；以及異物除去步驟，將設於該移動體、被測量光束所照射之測量構件存在的異物除去，該測量光束用於測量關於該移動體於既定方向之位置資訊。
據此，於異物除去步驟，由於將設於移動體之測量構件存在的異物除去，因此於圖案形成步驟，不會受到測量構件存在的異物的影響，可在物體上形成圖案。
本發明第15形態之第2元件製造方法，其包含：藉由第2圖案形成方法在物體上形成圖案的步驟；以及對形成有圖案之該物體施加處理的步驟。
以下，根據圖1~圖21說明本發明之一實施形態。
圖1係概略顯示一實施形態之曝光裝置100的構成。此曝光裝置100，係步進掃描方式之投影曝光裝置、亦即所謂掃描器。如後述般，本實施形態中係設有投影光學系統PL，以下，將與此投影光學系統PL之光軸AX平行之方向 設為Z軸方向、將在與該Z軸方向正交之面內標線片與晶圓相對掃描的方向設為Y軸方向、將與Z軸及Y軸正交之方向設為X軸方向，且將繞X軸、Y軸、及Z軸之旋轉(傾斜)方向分別設為θ x、θ y、及θ z方向，以進行說明。
曝光裝置100，包含照明系統10、保持該照明系統10之曝光用照明光(以下稱為「照明光」或「曝光用光」)IL所照明之標線片R的標線片載台RST、包含用以使從標線片R射出之照明光IL投射於晶圓W上之投影光學系統PL的投影單元PU、具有晶圓載台WST及測量載台MST的載台裝置50、及上述裝置之控制系統等。於晶圓載台WST上裝載有晶圓W。
照明系統10，例如特開2001－313250號公號(對應美國專利申請公開第2003/0025890號說明書)等所揭示，其包含光源、包含光學積分器等的照度均一化光學系統、及具有標線片遮板等(均未圖示)的照明光學系統。該照明系統10，係籍由照明光(曝光用光)IL，以大致均一之照度來照明被標線片遮板(遮蔽系統)限定之標線片R上之狹縫狀照明區域IAR。此處，作為一例，係使用ArF準分子雷射光(波長193nm)來作為照明光IL。又，作為光學積分器，係可使用例如複眼透鏡、棒狀積分器(內面反射型積分器)或繞射光學元件等。
於標線片載台RST上例如籍由真空吸附固定有標線片R，該標線片R係於其圖案面(圖1之下面)形成有電路圖案等。標線片載台RST，能籍由包含例如線性馬達等之標線 片載台驅動系統11(在圖1未圖示、參照圖5)而在XY平面內微幅驅動，且能以指定之掃描速度驅動於掃描方向(指圖1之圖面內左右方向的Y軸方向)。標線片載台RST之位置資訊，係藉由標線片干涉儀116經時測量。
投影單元PU，係配置於標線片載台RST之圖1之下方。投影單元PU，包含鏡筒40、及具有由以既定位置關係保持於該鏡筒40內之複數個光學元件的投影光學系統PL。作為投影光學系統PL，例如係使用沿與Z軸方向平行之光軸AX排列之複數個透鏡(透鏡元件)所構成的折射光學系統。投影光學系統PL，例如係兩側遠心且具有既定投影倍率(例如1/4倍、1/5倍、或1/8倍等)。藉此，當以來自照明系統10之照明光IL來照明照明區域IAR時，籍由通過投影光學系統PL之第1面(物體面)與其圖案面大致配置成一致之標線片R的照明光IL，使該照明區域IAR內之標線片R的電路圖案縮小像(電路圖案之一部分縮小像)透過投影光學系統PL(投影單元PU)及形成於區域(曝光區域)IA，該區域IA係與配置於其第2面(像面)側、表面塗布有光阻(感光劑)之晶圓W上的前述照明區域IAR共軛。此處雖未圖示，但投影單元PU係透過防振機構裝載於以三支支柱支持之鏡筒平台。但並不限於此，例如亦可如國際公開第2006/038952號小冊子所揭示，將投影單元PU吊掛支持於配置在投影單元PU上方之未圖示主框架構件、或吊掛支持於配置標線片載台RST之基座構件等。
又，本實施形態之曝光裝置100，由於係進行適用液浸 法的曝光，因此滿足珀茲伐條件，且為了避免投影光學系統的大型化，使用含有反射鏡與透鏡的反射折射系統亦可。
又，本實形形態之曝光裝置100，由於係進行適用液浸法的曝光，因此將構成局部液浸裝置8一部分之嘴單元32設成包圍用以保持構成投影光學系統PL之最靠像面側(晶圓W側)之光學元件、此處為透鏡(以下亦稱「前端透鏡」)191之鏡筒40的下端部周圍。本實施形態中，嘴單元32係如圖1所示其下端面與前端透鏡191之下端面設定成大致面高相同。又，嘴單元32，具備液體Lq的供應口及回收口、與晶圓W對向配置且設有回收口的下面、及分別與液體供應管31A及液體回收管31B連接的供應流路及回收流路。
本實施形態中，透過液體供應管31A、供應流路、及供應口，從液體供應裝置5(圖1中未圖示、參照圖5)將液體供應至前端透鏡191與晶圓W之間，且透過回收口、回收流路、及液體回收管31B，藉由液體回收裝置6(圖1中未圖示、參照圖5)，從前端透鏡191與晶圓W之間回收液體，以在前端透鏡191與晶圓W之間保持一定量的液體Lq(參照圖1)。此時，保持於前端透鏡191與晶圓W之間的液體Lq係隨時更換。
本實施形態中，作為上述液體，係使用可使ArF準分子雷射光(波長193nm之光)透射的純水(以下除特別必要情況外，僅記述為「水」)。水對ArF準分子雷射光之折射率n為大致1.44。於該水中，照明光IL之波長，係縮短至193nm×1/n＝約134nm。
從上述說明可清楚得知，本實施形態之局部液浸裝置8，包含嘴單元32、液體供應裝置5、液體回收裝置6、液體供應管31A及液體回收管31B等。此外，局部液浸裝置8之一部分、例如至少嘴單元32，亦可吊掛支持於用以保持投影單元PU之主框架(包含前述之鏡筒平台)，或亦可設於與主框架不同之框架構件。或者，當如前所述將投影單元PU吊掛支持時，雖亦可將投影單元PU與嘴單元32一體吊掛支持，但本實施形態中，係將嘴單元32設於與投影單元PU獨立吊掛支持之測量框架。此情況下，亦可不吊掛支持投影單元PU。
此外，即使測量載台MST位於投影單元PU下方時，亦能與上述同樣地將水Lq充滿於後述測量台與前端透鏡191之間。
回到圖1，載台裝置50，具備配置於基座12上方的晶圓載台WST及測量載台MST、包含測量此等載台WST,MST之位置資訊之Y干涉儀16,18的干涉儀系統118(參照圖5)、在曝光時等用以測量晶圓載台WST之位置資訊的編碼器系統200(參照圖5)、驅動載台WST,MST的載台驅動系統124(參照圖5)、及後述檢測裝置PDX1 ~PDX4 ,PDY1 ,PDY2 (參照圖3及圖5等)。
於晶圓載台WST、測量載台MST各自之底面之複數處，設有未圖示之非接觸軸承、例如真空預壓型空氣靜壓軸承(以下稱為「空氣墊」)，籍由從此等空氣墊往基座12上面噴出之加壓空氣的靜壓，使晶圓載台WST、測量載台 MST透過數μm程度之間隙以非接觸方式支持於基座12的上方。又，載台WST、MST，係可藉由載台驅動系統124而獨立驅動於至少Y軸方向及X軸方向。
於前述晶圓載台WST上設有藉由真空吸附等來保持晶圓W的晶圓保持具(未圖示)。晶圓保持具雖可與晶圓載台WST形成為一體，但本實施形態中晶圓保持具與晶圓載台WST係分別構成，藉由例如真空吸附等將晶圓保持具固定於晶圓載台WST之凹部內。又，於晶圓載台WST上面設有板體(撥液板)28，該板體具有與裝載於晶圓保持具上之晶圓表面大致同一面高、已對液體Lq進行撥液化處理的表面(撥液面)，其外形(輪廓)為矩形且於其中央部形成有較晶圓保持具(晶圓之裝載區域)大一圈的圓形開口。板體28，係由低熱膨脹率之材料、例如玻璃或陶瓷(首德公司之Zerodur(商品名)、Al2 O3 或TiC等)構成，於其表面例如由氟樹脂材料、聚四氟乙烯(鐵氟龍(註冊商標))等氟系樹脂材料、丙烯酸系樹脂材料或矽系樹脂材料等來形成撥液膜。進一步地，如圖2之載台裝置50之俯視圖所示，板體28具有用以包圍圓形開口之外形(輪廓)為矩形之第1撥液區域28a、及配置於第1撥液區域28a周圍之矩形框狀(環狀)第2撥液區域28b。第1撥液區域28a，例如在進行曝光動作時，形成有從晶圓表面露出之液浸區域14(例如參照圖3)之至少一部分，第2撥液區域28b，係形成有後述編碼器系統用之標尺。此外，板體28之表面之至少一部分亦可不與晶圓表面為同一面高，亦即亦可係相異之高度。又，板體 28雖可係單一板體，但在本實施形態中為複數個板體，例如組合分別與第1及第2撥液區域28a,28b對應之第1及第2撥液板來構成。本實施形態中，由於如前所述係使用純水來作為液體Lq，因此以下將第1及第2撥液區域28a,28b亦稱為第1及第2撥水板28a,28b。
此情形下，相對於曝光用光IL會照射於內側之第1撥水板28a，曝光用光IL幾乎不會照射到外側之第2撥水板28b。考量到此點，本實施形態中係於第1撥水板28a表面形成有第1撥水區域，其係被施以對曝光用光IL(此時為真空紫外區之光)有充分之耐性之撥水被覆膜，而於第2撥水板28b表面則形成第2撥水區域，其係被施以對曝光用光IL之耐性較第1撥水區域差之撥水被覆膜。由於一般而言，並不容易對玻璃板施以對曝光用光IL(此時為真空紫外區之光)有充分之耐性之撥水被覆膜，因此如上述般分離成第1撥水板28a與其周圍之第2撥水板28b之兩個部分可更具效果。此外，並不限於此，亦可對同一板體之上面施加對曝光用光IL之耐性相異之兩種撥水被覆膜，以形成第1撥水區域及第2撥水區域。又，第1及第2撥水區域之撥水被覆膜的種類亦可相同。或例如亦可於同一板體僅形成一個撥水區域。
又，由圖2可清楚得知，於第1撥水板28a之＋Y側端部之X軸方向的中央部形成有長方形缺口，於此缺口與第2撥水板28b所包圍之長方形空間內部(缺口內部)埋設測量板30。於此測量板30之長邊方向中央(晶圓載台WST之中 心線LL上)形成基準標記FM，且於該基準標記FM之X軸方向一側與另一側，形成有相對基準標記FM中心配置成對稱之一對空間像測量狹縫圖案(狹縫狀之測量用圖案)SL。各空間像測量狹縫圖案SL，例如係使用具有沿Y軸方向與X軸方向之邊的L字形狹縫圖案、或分別延伸於X軸及Y軸方向之2個直線狀狹縫圖案等。該等空間像測量狹縫圖案SL下方之晶圓載台WST之內部，設有與狹縫圖案SL一起構成空間像測量裝置45(參照圖5)的光學系統等。
第2撥水板28b，實際上，如圖7A所示，係貼合2片板狀構件29a,29b而形成。其中，在下側之板狀構件29b之上面(＋Z側之面)，沿著其四邊分別以既定間距設有繞射光柵RG之多數條格子線。更詳細而言，如圖2所示，第2撥水板28b(板狀構件29b)之X軸方向一側與另一側(圖2中上下兩側)之區域，分別形成有Y標尺39Y1 ,39Y2 。Y標尺39Y1 ,39Y2 ，係分別藉由例如以X軸方向為長邊方向之格子線以既定間距沿著平行於Y軸之方向(Y軸方向)而形成、以Y軸方向為周期方向之反射型格子(例如繞射光柵)而構成。同樣地，第2撥水板28b之Y軸方向一側與另一側(圖2中左右兩側)之區域，分別形成有X標尺39X1 ,39X2 。X標尺39X1 ,39X2 ，係分別藉由例如以Y軸方向為長邊方向之格子線以既定間距沿著平行於X軸之方向(X軸方向)而形成、以X軸方向為周期方向之反射型格子(例如繞射光柵)而構成。於本實施形態，如上述般藉由2片板狀構件29a,29b構成第2撥水板28b，由於上側之板狀構件29a覆蓋繞射光 柵RG，因此可防止繞射光柵RG的損傷等。此外，圖2中，為了方便圖示，格子之間距，相較於實際上間距係以加大非常多之方式圖示。於其他圖亦相同。
晶圓載台WST之－Y端面、－X端面，係分別施以鏡面加工而形成為圖2所示之反射面17a、反射面17b。干涉儀系統118(參照圖5)之Y軸干涉儀16及X軸干涉儀126(圖1中X軸干涉儀126並未圖示，參照圖2)，係分別對此等反射面17a,17b投射干涉儀光束(測長光束)，並籍由接收各自之反射光，測量各反射面從基準位置(一般係於投影單元PU側面配置固定鏡，再以該處為基準面)的位移、亦即晶圓載台WST在XY平面內的位置資訊，並將該測量值供應至主控制裝置20。本實施形態中，作為Y軸干涉儀16及X軸干涉儀126，均使用具有複數個光軸之多軸干涉儀。根據Y軸干涉儀16及X軸干涉儀126之測量值，主控制裝置20，除了測量晶圓載台WST之X,Y位置之外，亦可測量θ x方向之旋轉資訊(亦即縱搖)、θ y方向之旋轉資訊(亦即橫搖)、及θ z方向之旋轉資訊(亦即偏搖)。然而，本實施形態中，晶圓載台WST之XY平面內之位置資訊(包含θ z方向之旋轉資訊)，主要係藉由使用上述Y標尺、X標尺等之後述編碼器系統的各編碼器來測量。此外，干涉儀16,126之測量值，係輔助性使用於修正(校正)各編碼器之測量值之長期變動(例如標尺之經時變形等所導致)之情形等。又，干涉儀16，為了晶圓更換，係使用於測量在後述卸載位置、及裝載位置附近之晶圓載台WST之Y位置等。又，在例如裝 載動作與對準動作之間、及/或曝光動作與卸載動作之間之晶圓載台WST之移動，亦使用干測儀系統118之測量資訊、亦即5自由度方向(X軸,Y軸,θ x,θ y及θ z方向)之位置資訊之至少一個。此外，干測儀系統118之至少一部分(例如光學系統等)，係設於保持投影單元PU之主框架、或如上述與吊掛支持之投影單元PU一體設置亦可，本實施形態中，係設於上述測量框架。
此外，本實施形態中，雖晶圓載台WST採用可在6自由度移動之單一載台，但晶圓載台WST之構成亦可採用包含可在XY面內移動自如之載台本體，及裝載於該載台本體上、能相對載台本體微幅驅動於Z軸方向、θ x方向、及θ y方向的晶圓台。又，亦可於晶圓載台WST設置由平面鏡構成之移動鏡來代替反射面17a,反射面17b。再者，以設於投影單元PU之固定鏡之反射面為基準面測量晶圓載台WST之位置資訊，但該基準面之配置位置並不限於投影單元PU，亦可不使用固定鏡測量晶圓載台WST之位置資訊。
又，本實施形態中，干涉儀系統118所測量之晶圓載台WST之位置資訊，並不使用於後述曝光動作與對準動作等，主要使用於各編碼器之校正動作(亦即，測量值的校正)等，但干涉儀系統118之測量資訊(亦即，5自由度方向之位置資訊之至少一個)亦可使用於例如曝光動作及/或對準動作等。本實施形態中，編碼器系統，係藉由至少3個編碼器，測量晶圓載台WST在3自由度方向、亦即X軸,Y軸及θ z方向之位置資訊。因此，於曝光動作等，亦可僅使 用干涉儀系統118之測量資訊之中，與編碼器之晶圓載台WST之位置資訊之測量方向(X軸,Y軸及θ z方向)不同之方向、例如θ x方向及/或θ y方向相關的位置資訊，亦可使用該不同方向之位置資訊及與編碼器之測量方向相同方向(亦即X軸,Y軸及θ z方向之至少一個)相關的位置資訊。又，干涉儀系統118亦可測量晶圓載台WST之Z軸方向的位置資訊。此時，於曝光動作等，亦可使用Z軸方向的位置資訊。
於測量載台MST設有各種測量用構件，可驅動於6自由度方向。作為測量用構件，例如圖2所示，係採用具有針孔狀受光部來在投影光學系統PL之像面上接收照明光IL的照度偏差感測器94、用以測量投影光學系統PL所投影之圖案空間像(投影像)的空間像測量器96、及例如國際公開第03/065428號小冊子等所揭示的夏克一哈特曼(Shack－Hartman)方式之波面像差測量器98等。波面像差測量器98，例如能使用國際公開第99/60361號小冊子(對應歐洲專利第1,079,223號)所揭示者。
照度偏差感測器94，例如能使用與日本特開昭57－117238號公報(對應美國專利第4,465,368號說明書)等所揭示者相同之構造。又，空間像測量器96，例如能使用與日本特開2002－14005號公報(對應美國專利申請公開第2002/0041377號說明書)等所揭示者相同之構造。此外，本實施形態中雖將三個測量用構件(94,96,98)設於測量載台MST，但測量用構件之種類、及/或數量等並不限於此。測 量用構件，例如可使用用以測量投影光學系統PL之透射率的透射率測量器、及/或能採用用以觀察前述局部液浸裝置8、例如嘴單元32(或前端透鏡191)等的測量器等。再者，亦可將與測量用構件相異之構件、例如用以清潔嘴單元32、前端透鏡191等的清潔構件等裝載於測量載台MST。
除了上述各感測器以外，尚能採用例如日本特開平11－16816號公報(對應美國專利申請公開第2002/0061469號說明書)等所揭示之照度監測器(具有在投影光學系統PL之像面上接收照明光IL之既定面積的受光部)，此照度監測器最好亦配置於中心線上。
此外，本實施形態中，對應所進行之籍由透過投影光學系統PL與液體(水)Lq之曝光用光(照明光)IL來使晶圓W曝光的液浸曝光，使用照明光IL之測量所使用的上述照度偏差感測器94(以及照度監測器)、空間像測量器96、及波面像差感測器98，即係透過投影光學系統PL及水來接收照明光IL。又，各感測器，例如亦可僅有光學系統等之一部分裝載於測量載台MST，或亦可將感測器整體配置於測量載台MST。
又，於測量載台MST之－Y側之側面，沿X軸方向延伸有長方體狀之作為基準構件的基準桿(以下簡稱為「CD桿」)。此CD桿46，係藉由全運動式支架構造以運動式支持於測量載台MST上。又，CD桿46亦稱為基準桿(簡稱為「FD桿」)。
由於CD桿46為原器(測量基準)，因此其材料係採用 低熱膨脹率之光學玻璃陶瓷、例如首德公司之Zerodur(商品名)等。此CD桿46之上面(表面)的平坦度設定得較高，與所謂基準平面板相同程度。又，於該CD桿46之長邊方向一側與另一側端部附近，係如圖2所示分別形成有以Y軸方向為周期方向的基準格子(例如繞射光柵)52。此一對基準格子52之形成方式，係彼此隔著既定距離在CD桿46之X軸方向中心、亦即相隔前述中心線CL配置成對稱。
又，於該CD桿46上面以圖2所示之配置形成有複數個基準標記M。該複數個基準標記M，係以同一間距在Y軸方向形成為三行的排列，各行排列形成為在X軸方向彼此偏移既定距離。各基準標記M，例如使用可藉由後述第一對準系統、第二對準系統來檢測之尺寸的二維標記。基準標記M之形狀(構成)雖亦可與前述基準標記FM相異，但本實施形態中基準標記M與基準標記FM係相同構成，且亦與晶圓W之對準標記相同構成。此外，本實施形態中，CD桿46之表面及測量載台MST(亦可包含前述測量用構件)之表面均分別以撥液膜(撥水膜)覆蓋。
測量載台MST之＋Y端面、－X端面亦形成有與前述晶圓載台WST同樣之反射面19a,19b(參照圖2)。干涉儀系統118(參照圖5)之Y軸干涉儀18及X軸干涉儀130(圖1中X軸干涉儀130並未圖示，參照圖2)，係如圖2所示分別對此等反射面19a,19b投射干涉儀光束(測長光束)，並籍由接收各自之反射光，測量各反射面從基準位置的位移、亦即測量載台MST的位置資訊(例如至少包含X軸及Y軸 方向之位置資訊與θ z方向之旋轉資訊)，並將該測量值供應至主控制裝置20。
本實施形態之曝光裝置100，雖在圖1、圖2中為了避免圖式過於複雜而予以省略，但實際上如圖3所示，在支持構件54所支持之狀態下配置有第一對準系統AL1，該第一對準系統AL1在通過投影單元PU之中心且與Y軸平行之直線LV上，從該中心往－Y側相隔既定距離的位置具有檢測中心。又，隔著此第一對準系統AL1之X軸方向一側與另一側，分別設有其檢測中心相對該直線LV配置成大致對稱之第二對準系統AL21 ,AL22 與AL23 ,AL24 。各第二對準系統AL2n (n＝1~4)，能以旋轉中心O為中心在紙面內旋動，藉由此旋動，調整X位置。又，五個對準系統AL1 ,AL21 ~AL24 ，係固定於保持投影單元PU的主框架下面。然而，並不限於此，五個對準系統AL1,AL21 ~AL24 ，例如亦可設於上述測量框架。
本實施形態之第一對準系統AL1及4個第二對準系統AL21 ~AL24 ，可使用例如影像處理方式之FIA(Field Image Alignment(場像對準))系統的感側器，其能將不會使晶圓上之光阻感光的寬頻檢測光束照射於對象標記，並以攝影元件(CCD(電荷耦合元件)等)拍攝藉由來自該對象標記之反射光而成像於受光面的對象標記像、及未圖示之指標(設於各對準系統內之指標板上的指標圖案)像，並輸出該等之攝影訊號。來自第一對準系統AL1及4個第二對準系統AL21 ~AL24 各自之攝影訊號，係供應至圖5的主控制裝置20。
接著，以圖3說明本實施形態之曝光裝置100之編碼器系統200。又，圖3中，省略測量載台MST之圖示，且以符號14顯示該測量載台MST與前端透鏡191之間所保持之水Lq所形成的液浸區域。
本實施形態之曝光裝置100，如圖3所示，係以從四方包圍前述嘴單元32周圍的狀態配置有編碼器系統之四個讀頭單元62A~62D。此等讀頭單元62A~62D，雖在圖3等中為了避免圖式過於複雜而予以省略，但實際上係透過支持構件以吊掛狀態固定於用以保持前述投影單元PU的主框架。此外，讀頭單元62A~62D在例如投影單元PU為吊掛支持的情形下，亦可與投影PU吊掛支持成一體，或設於前述測量框架。
讀頭單元62A,62C，係於投影單元PU之＋X側、－X側，分別以X軸方向為長邊方向且相對投影光學系統PL之光軸AX對稱地配置成從光軸AX大致相隔同一距離。又，讀頭單元62B,62D，係於投影單元PU之＋Y側、－Y側，分別以Y軸方向為長邊方向且相對投影光學系統PL之光軸AX配置成從光軸AX大致相隔同一距離。
如圖3所示，讀頭單元62A,62C，具備複數個(此處為六個)沿X軸方向以既定間隔配置於通過投影光學系統PL之光軸AX且與X軸平行之直線LH上的Y讀頭64。讀頭單元62A，係構成使用前述Y標尺39Y1 來測量晶圓載台WST在Y軸方向之位置(Y位置)之多眼(此處為六眼)的Y線性編碼器(以下適當簡稱為「Y編碼器」或「編碼 器」)70A(參照圖5)。同樣地，讀頭單元62C，係構成使用前述Y標尺39Y2 來測量晶圓載台WST之Y位置之多眼(此處為六眼)的Y編碼器70C(參照圖5)。此處，讀頭單元62A,62C所具備之相鄰Y讀頭64(亦即測量光束)的間隔，係設定成較前述Y標尺39Y1 ,39Y2 在X軸方向的寬度(更正確而言為格子線之長度)窄。又，讀頭單元62A,62C各自具備之複數個Y讀頭64中位於最內側之Y讀頭64，為了儘可能配置於接近投影光學系統PL之光軸，係固定於投影光學系統PL之鏡筒40下端部(更正確而言為包圍前端透鏡191之嘴單元32的橫方向側)。
讀頭單元62A,62C，在與分別具備之Y讀頭64相同之X位置，但Y位置朝＋Y側偏移既定距離，分別具備6個Z感測器761 ~766 ,741 ~746 (圖3中未圖示，參照圖5)。
Z感測器741 ~746 及Z感測器761 ~766 ，如圖5所示，係透過未圖示之處理裝置而連接於主控制裝置20。透過此處理裝置，Z感測器72a~72d(該等之配置於後述)亦連接於主控制裝置20。
各Z感測器，係使用例如CD驅動裝置等所使用之光學讀寫頭構成的光學式位移感測器(光學讀寫頭方式之感測器)，其係對晶圓載台WST從上方照射光，並接收其反射光來測量該光之照射點中晶圓載台WST之上面(於本實施形態為測量對象之Y標尺之測量面(測量對稱面))在與XY平面正交之Z軸方向的位置資訊。
主控制裝置20，透過處理裝置從Z感測器72a~72d、 Z感測器741 ~746 及Z感測器761 ~766 之中選擇任意Z感測器並使其為作動狀態，接收以該作動狀態之Z感測器檢測之面位置資訊。
更詳細而言，各Z感測器，具備聚焦感測器、收納該聚焦感測器之感測器本體、及將感測器本體驅動於Z軸方向之驅動部、以及測量感測器本體在Z軸方向之位移之測量部等(皆未圖示)。
聚焦感測器，係使用與對測量對象面照射測量光束，接收其反射光以光學讀取測量對象面之位移之光學讀寫頭相同的光學式位移感測器。聚焦感測器之輸出訊號(亦稱為聚焦錯誤)係傳至驅動部。驅動部，根據來自聚焦感測器之輸出訊號，以將感測器本體與測量對象面之距離保持一定之方式(更正確而言，以將測量對象面保持在聚焦感測器之光學系統之最佳聚焦位置之方式)，將感測器本體驅動於Z軸方向。藉此，感測器本體追隨測量對象面在Z軸方向之位移，保持為聚焦鎖定狀態。
測量部，於本實施形態，例如係使用繞射干涉方式之編碼器。測量部讀取感測器本體在Z軸方向之位移。
於本實施形態，如上述，在聚焦鎖定狀態下，感測器本體，以與測量對象面之距離保持一定之方式，在Z軸方向位移。是以，測量部之編碼器讀頭，測量感測器本體在Z軸方向之位移，以測量測量對象面之面位置(Z位置)。測量部之編碼器讀頭之測量值，係透過上述處理裝置供應至主控制裝置20以作為Z感測器的測量值。
如圖3所示，讀頭單元62B，具備複數個(此處為七個)沿著Y軸方向以既定間隔配置於上述直線LV上的X讀頭66。又，讀頭單元62D，具備複數個(此處為十一個(不過，圖3之十一個中與第一對準系統AL1重疊之三個係未圖示))以既定間隔配置於上述直線LV上的X讀頭66。讀頭單元62B，係構成使用前述X標尺39X1 來測量晶圓載台WST在X軸方向之位置(X位置)之多眼(此處為七眼)的X線性編碼器(以下適當簡稱為「X編碼器」或「編碼器」)70B(參照圖5)。又，讀頭單元62D，係構成使用前述X標尺39X2 來測量晶圓載台WST之X位置之多眼(此處為十一眼)的X編碼器70D(參照圖5)。又，本實施形態中，例如在進行後述對準時等讀頭單元62D所具備之十一個X讀頭66中之兩個讀頭66，有時會同時相對向於X標尺39X1 ,X標尺39X2 。此時，使用與X標尺39X1 相對向之X讀頭66、及與X標尺39X2 相對向之X讀頭66之任一者皆可。不論如何，藉由讀頭單元62D之與X標尺相對向之X讀頭66來構成X線性編碼器70D。
此處，十一個X讀頭66中之一部分、此處為三個X讀頭，係安裝於支持第一對準系統AL1之支持構件54下面側。又，讀頭單元62B,62D各自具備之相鄰X讀頭66(測量光束)的間隔，係設定成較前述X標尺39X1 ,39X2 在Y軸方向的寬度(更正確而言為格子線之長度)窄。又，讀頭單元62B,62D各自具備之複數個X讀頭66中位於最內側之X讀頭66，為了儘可能配置於接近投影光學系統PL之光軸， 係固定於投影光學系統PL之鏡筒下端部(更正確而言為包圍前端透鏡191之嘴單元32的橫方向側)。
再者，於第二對準系統AL21 之－X側、第二對準系統AL24 之＋X側，分別設有在平行於X軸之直線(通過第一對準系統AL1之檢測中心)上且其檢測點相對該檢測中心配置成大致對稱的Y讀頭64y1 ,64y2 。Y讀頭64y1 ,64y2 之間隔，係設定成大致與前述CD桿46上之一對基準格子52間之間隔相等。Y讀頭64y1 ,64y2 ，在晶圓載台WST上之晶圓W中心位於上述直線LV上之圖3所示的狀態下，係分別與Y標尺39Y2 ,39Y1 相對向。在進行後述之對準動作時，Y標尺39Y2 ,39Y1 係分別與Y讀頭64y1 ,64y2 相對向配置，藉由該Y讀頭64y1 ,64y2 (亦即藉由此等Y讀頭64y1 ,64y2 構成之Y編碼器70E,70F(參照圖5))來測量晶圓載台WST的Y位置(及θ z旋轉)。
又，本實施形態中，在進行第二對準系統之後述基線測量時，CD桿46之一對基準格子52與Y讀頭64y1 ,64y2 係分別相對向，藉由與一對基準格子52相對向之Y讀頭64y1 ,64y2 ，以各自之基準格子52的位置來測量CD桿46的Y位置。以下，將藉由與基準格子52分別相對向之Y讀頭64y1 ,64y2 所構成之編碼器稱為Y軸線性編碼器70E2 ,70F2 。又，為了辨識，將藉由與Y標尺39Y2 ,39Y1 相對向之Y讀頭64y1 ,64y2 所構成之Y編碼器稱為Y編碼器70E1 ,70F1 。
上述線性編碼器70A~70F之測量值，係供應至主控制 裝置20，主控制裝置20，根據線性編碼器70A~70D之測量值，控制晶圓載台WST在XY平面內的位置，且根據線性編碼器70E,70F之測量值，控制CD桿46在θ z方向的旋轉。
又，本實施形態之曝光裝置100(載台裝置50)，如圖3所示，設有用以檢測標尺39X1 ,39X2 ,39Y1 ,39Y2 ,及CD桿46上之一對基準格子52之表面狀態(例如，異物等之存在狀態)之6個檢測裝置PDX1 ~PDX4 ,PDY1 ,PDY2 (圖3中，附有斜線)。檢測裝置PDX1 ~PDX4 ,PDY1 ,PDY2 ，亦可吊掛支持於用以保持投影單元PU之主框架(包含前述之鏡筒平台)，或亦可固定於與主框架不同之框架構件。
該等6個檢測裝置之中，檢測裝置PDX1 係設於投影單元PU之＋Y側且－X側的位置，檢測裝置PDX2 係設於投影單元PU之＋Y側且＋X側的位置，以直線LV為基準與檢測裝置PDX1 左右對稱的位置。又，檢測裝置PDX3 係設於投影單元PU之－Y側且－X側的位置，檢測裝置PDX4 係設於以直線LV為基準與檢測裝置PDX3 左右對稱的位置。再者，檢測裝置PDY1 係配置於讀頭單元62C之－Y側且照射系統90a(後述)之＋Y側，檢測裝置PDY2 係配置於讀頭單元62A之－Y側且受光系統90b(後述)之＋Y側的位置，以直線LV為基準與檢測裝置PDY1 左右對稱的位置。
檢測裝置PDY1 ，如圖4A所示，包含對標尺39Y2 之表面照射檢測光束的照射系統69A、及接收在標尺39Y2 之表面散射之檢測光束的受光系統69B。
照射系統69A，例如含有具雷射光源、準直鏡、照射光調整構件、歪像稜鏡、光圈等的送光部61，及反射鏡63。雷射光源係射出波長例如約780nm之檢測光束的半導體雷射。
從送光部61射出之檢測光束，被反射鏡63反射，以接近90°之入射角(圖4中，89°)射入標尺39Y2 之表面。亦即，由於檢測光束大致平行地射入標尺39Y2 之表面，因此如圖4B所示，檢測光束照射於遍步標尺39Y2 表面之X軸方向之大致整個區域而延伸之帶狀照射區域BA。此外，在標尺39Y2 之表面，如圖4A所示，存在異物(微粒)11時，照射於此異物11之檢測光束會散射。
受光系統69B，如圖4A所示，含有受光透鏡65及影像感測器67。影像感測器67，例如係使用一維CCD(Charge Coupled Device)等之光電檢測器。
於受光系統69B，因標尺39Y2 之表面之異物11而散射之散射光之中，射入受光透鏡65之散射光為影像感測器67所接收。此時，根據異物11的X位置，影像感測器67上之散射光之受光位置會改變。此影像感測器67之受光結果，係傳至主控制裝置20(參照圖5)。主控制裝置20，根據該受光結果特定異物11的位置。
此外，檢測裝置PDY2 之構成亦與上述檢測裝置PDY1 相同。又，雖檢測裝置PDX1 ~PDX4 之檢測光束之照射方向與檢測裝置PDY1 ,PDY2 不同，但與檢測裝置PDY1 ,PDY2 相同。是以，使用檢測裝置PDX1 ~PDX4 ，可檢測標尺(39X1 或39X2 )上存在之異物11的位置。於本實施形態，異物檢測時雖使用上述編碼器系統所測量之晶圓載台WST的位置資訊，但代用或併用干涉儀系統118所測量之晶圓載台WST的位置資訊亦可。
此外，於本實施形態，由於來自檢測裝置之檢測光束照射於標尺39X1 ,39X2 ,39Y1 ,39Y2 ,及CD桿46上之基準格子52，因此會有標尺39X1 ,39X2 ,39Y1 ,39Y2 ,及CD桿46上之基準格子52之繞射光柵之繞射光為受光系統69B所接收之虞。然而，於本實施形態，繞射光柵之格子間距及方向一定，於受光系統69B，恆接收同一狀態之繞射光，因此藉由繞射光之接收來自異物11之散射光之檢測幾乎不會受到影響。亦即，接收光之光量(光強度)僅增加來自繞射光柵之繞射光之光量，但此增加量(雜訊成分)不取決於位置，相對於此，來自異物11之散射光因位置而不同。然而，從提升異物之檢測訊號之S/N比(雜訊比)之觀點觀之，以影像感測器67不會接收繞射光之方式，來設計受光系統69B之配置等為佳。
再者，如圖3所示，本實施形態之曝光裝置100，設有與照射系統90a及受光系統90b所構成、例如於日本特開平6－283403號公報(對應美國專利第5,448,332號說明書)等所揭示者相同之斜入射方式的多點焦點位置檢測系統(以下簡稱為「多點AF系統」)。本實施形態中，作為其一例，係於前述讀頭單元62C之－X端部之－Y側配置照射系統90a，並以與其相對向之狀態於前述讀頭單元62A之＋X端 部之－Y側配置受光系統90b。
多點AF系統(90a,90b)之複數個檢測點，係在被檢測面上沿X軸方向以既定間隔配置。本實施形態中，例如配置成一行M列(M為檢測點之總數)或兩行N列(N為檢測點總數之1/2)的陣列狀。圖3中並未個別圖示檢測光束分別照射之複數個檢測點，而係顯示在照射系統90a及受光系統90b之間延伸於X軸方向的細長檢測區域AF。此檢測區域AF，由於其X軸方向之長度係設定成與晶圓W之直徑相同程度，因此藉由僅沿Y軸方向掃描晶圓W一次，即能測量晶圓W之大致整面之Z軸方向位置資訊(面位置資訊)。又，該檢測區域AF，由於係於Y軸方向，配置於前述液浸區域14(曝光區域IA)與對準系統(AL1,AL21 ,AL22 ,AL23 ,AL24 )之檢測區域之間，因此能同時以多點AF系統與對準系統進行其檢測動作。多點AF系統雖可設於用以保持投影單元PU之主框架等，但在本實施形態中係設於前述測量框架。
此外，複數個檢測點雖係以1行M列或2行N列來配置，但行數及/或列數並不限於此。不過，當行數為2以上時，最好係在不同行之間使檢測點在X軸方向之位置亦相異。再者，雖複數個檢測點係沿X軸方向配置，但並不限於此，亦可將複數個檢測點之全部或一部分在Y軸方向配置於不同位置。例如亦可沿與X軸及Y軸兩方交叉之方向配置複數個檢測點。亦即，複數個檢測點只要至少在X軸方向位置相異即可。又，雖在本實施形態中係對複數個檢測點照射檢測光束，但例如亦可對檢測區域AF整個區域 照射檢測光束。再者，檢測區域AF在X軸方向之長度亦可不與晶圓W之直徑為相同程度。
又，雖圖3中省略圖示，但在多點AF系統之複數個檢測點中位於兩端之檢測點附近、亦即檢測區域AF之兩端部附近，以相對前述直線LV呈對稱之配置設有前述各一對之Z感測器72a,72b及72c,72d(參照圖5)。此等面位置感測器，係使用例如CD驅動裝置等所使用之光學讀寫頭構成的光學式位移感測器(光學讀寫頭方式之感測器)，其係對晶圓載台WST從上方照射光，並接收其反射光來測量該光之照射點中晶圓載台WST表面在與XY平面正交之Z軸方向的位置資訊。
圖3中，符號UP，係顯示供進行晶圓在晶圓載台WST上之卸載的卸載位置，符號LP係顯示供進行將晶圓裝載於晶圓載台WST上之裝載位置。本實施形態中，卸載位置UP與裝載位置LP係相對直線LV設定成對稱。此外，雖將晶圓W之更換位置分別設定於卸載位置UP與裝載位置LP，但亦能使卸載位置UP與裝載位置LP為同一位置。
圖5，係顯示曝光裝置100之控制系統的主要構成。此控制系統，係以由用以統籌裝置整體之微電腦(或工作站)所構成的主控制裝置20為中心。此外，圖5中，係將前述照度偏差感測器94、空間像測量器96、及波面像差感測器98等設於測量載台MST之各種感測器，合稱為感測器群99。
以上述方式構成之本實施形態的曝光裝置100，由於採用如前所述之晶圓載台WST上之X標尺、Y標尺之配置及 如前述之X讀頭、Y讀頭的配置，因此會如圖6A及圖6B等之示例所示，晶圓載台WST之有效移動範圍(亦即本實施形態中之為了進行對準及曝光動作而移動的範圍)中，讀頭單元62B,62D(X讀頭66)必定會相對向於X標尺39X1 ,39X2 ，且讀頭單元62A,62C(Y讀頭64)、或Y讀頭64y1 ,64y2 必定會相對向於Y標尺39Y1 ,39Y2 。此外，圖6A及圖6B中，相對應之與X標尺或Y標尺相對向的讀頭係以圓圈框住表示。
因此，主控制裝置20可在前述晶圓載台WST之有效移動範圍中，藉由根據編碼器70A~70D之至少三個、或編碼器70E1 ,70F1 ,70B及70D之中之至少三個的測量值控制構成載台驅動系統124的各馬達，以高精度控制晶圓載台WST在XY平面內的位置資訊(包含θ z方向之旋轉資訊)。編碼器70A~70F之測量值所承受之空氣晃動的影響，由於與干涉儀相較係小到幾乎可忽視，因此起因於空氣晃動之測量值的短期穩定性，係較干涉儀好上許多。此外，本實施形態中，對應晶圓載台WST之有效移動範圍及標尺的尺寸(亦即，繞射光柵之形成範圍)等，設定讀頭單元62B,62D,62A,62C之尺寸(例如，讀頭之數量及/或間隔等)。是以，於晶圓載台WST之有效移動範圍，4個標尺39X1 ,39X2 ,39Y1 ,39Y2 皆分別與讀頭單元62B,62D,62A,62C相對向，但4個標尺不全與對應之讀頭單元相對向亦可。例如，X標尺39X1 ,39X2 之一者、及/或Y標尺39Y1 ,39Y2 之一者從讀頭單元偏移亦可。X標尺39X1 ,39X2 之一者、或Y標尺39Y1 , 39Y2 之一者從讀頭單元偏移時，於晶圓載台WST之有效移動範圍，3個標尺與讀頭單元相對向，因此可經時測量晶圓載台WST在X軸、Y軸及θ z方向之位置資訊。又，X標尺39X1 ,39X2 之一者、及Y標尺39Y1 ,39Y2 之一者從讀頭單元偏移時，於晶圓載台WST之有效移動範圍，2個標尺與讀頭單元相對向，因此雖無法經時測量晶圓載台WST在θ z方向之位置資訊，但可經時測量在X軸及Y軸方向的位置資訊。此時，併用干涉儀系統118所測量之晶圓載台WST在θ z方向之位置資訊，進行晶圓載台WST之位置控制亦可。
又，當如圖6A中白色箭頭所示將晶圓載台WST驅動於X軸方向時，用以測量該晶圓載台WST在Y軸方向之位置的Y讀頭64，係如該圖中之箭頭e1 ,e2 所示依序切換至相鄰之Y讀頭64。例如從實線圓圈框住之Y讀頭64切換至以虛線圓圈框住之Y讀頭64。因此，後述測量值係在此切換之前後被接續。亦即本實施形態中，為了能順利地進行該Y讀頭64之切換及測量值之接續，係如前所述般將讀頭單元62A,62C所具備之相鄰Y讀頭64的間隔設定成較Y標尺39Y1 ,39Y2 在X軸方向的寬度窄。
又，雖省略圖示，但與上述Y讀頭相同，進行讀頭單元62A,62C所具備之相鄰Z感測器76彼此、74彼此的切換(接續處理)。
又，本實施形態中，由於如前所述係將讀頭單元62B,62D所具備之相鄰X讀頭66彼此的間隔設定成較前述X標 尺39X1 ,39X2 在Y軸方向的寬度窄，因此與上述同樣地，當如圖6B中白色箭頭所示將晶圓載台WST驅動於Y軸方向時，用以測量該晶圓載台WST在X軸方向之位置的X讀頭66，即依序切換至相鄰之X讀頭66(例如從實線圓圈框住之X讀頭66切換至以虛線圓圈框住之X讀頭66)，測量值係在此切換之前後被接續。
其次，針對編碼器70A~70F之構成等，以放大顯示於圖7A之Y編碼器70A為代表進行說明。此圖7A中，係顯示用以將檢測光(測量光束)照射於Y標尺39Y1 之讀頭單元62A的一個Y讀頭64。
Y讀頭64，大分為照射系統64a、光學系統64b、及受光系統64c之三部分。
照射系統64a，包含將雷射光束LB沿相對Y軸及Z軸成45°之方向射出的光源(例如半導體雷射LD)、及配置在該半導體雷射LD所射出之雷射光束LB之光路上的透鏡L1。
光學系統64b，包含其分離面與XZ平面平行之偏振分束器PBS、一對反射鏡R1a,R1b、透鏡L2a,L2b、四分之一波長板(以下記述為λ/4板)WP1a,WP1b、及反射鏡R2a,R2b等。
受光系統64c包含偏振子(檢光子)及光檢測器等。
該Y編碼器70A中，從半導體雷射LD射出之雷射光束LB係透過透鏡L1射入偏振分束器PBS，使其偏振光被分離成兩個光束LB1 ,LB2 。透射過偏振分束器PBS之光束 LB1 ，透過反射鏡R1a到達形成於Y標尺39Y1 之反射型繞射光柵RG，在偏振分束器PBS反射之光束LB2 則透過反射鏡R1b到達反射型繞射光柵RG。此外，此處之「偏振光分離」，係指將入射光束分離成P偏光成分與S偏光成分。
藉由光束LB1 ,LB2 之照射而從繞射光柵RG產生之既定次數的繞射光束、例如一次繞射光束，係在透過透鏡L2b,L2a而被λ/4板WP1b,WP1a轉換成圓偏光後，在反射鏡R2b,R2a反射而再次通過λ/4板WP1b,WP1a，沿與往路相同光路之相反方向到達偏振分束器PBS。
到達偏振分束器PBS之兩個光束，其各自之偏光方向相對原本之方向被旋轉了90度。因此，先透射過偏振分束器PBS之光束LB1 的一次繞射光束，係在偏振分束器PBS反射而射入受光系統64c，先在偏振分束器PBS反射之光束LB2 的一次繞射光束，則透射過偏振分束器PBS後與光束LB1 的一次繞射光束合成為同軸而射入受光系統64c。
接著，上述兩個一次繞射光束，係在受光系統64c內部被檢光子整合其偏光方向，而彼此干涉成為干涉光，該干涉光被光檢測器檢測，並轉換成與干涉光強度對應之電氣訊號。
從上述說明可知，Y編碼器70A中，由於彼此干涉之兩個光束之光路長極短且大致相等，因此幾乎可忽視空氣晃動之影響。又，當Y標尺39Y1 (亦即晶圓載台WST)移動於測量方向(此時為Y軸方向)時，兩個光束各自之相位即變化使干涉光之強度變化。該干涉光之強度變化被受光系統 64c檢測出，與該強度變化相對應之位置資訊即作為Y編碼器70A的測量值輸出。其他之編碼器70B,70C,70D等亦與編碼器70A為相同構成。各編碼器，係使用解析度為例如0.1nm程度者。此外，本實施形態之編碼器，如圖7B所示，作為檢測光亦可使用延伸於格子線所構成之繞射光柵RG之周期方向之截面形狀的雷射光束LB。圖7B中，與繞射光柵RG之格子線相較，係誇大圖示雷射光束LB。
其次，根據圖8~圖21說明本實施形態之曝光裝置100中使用晶圓載台WST與測量載台MST的並行處理動作。此外，以下動作中，係透過主控制裝置20，以前述方式進行局部液浸裝置8之液體供應裝置5及液體回收裝置6之各閥的開關控制，藉以隨時將水充滿於投影光學系統PL之前端透鏡191之射出面側。以下為了使說明易於理解，省略與液體供應裝置5及液體回收裝置6之控制相關的說明。又，之後之動作說明雖會利用到多數圖式，但於各圖式中有時會對同一構件賦予符號，有時則不會賦予。亦即各圖式所記載之符號雖相異，但不論該等圖式中有無符號，均為同一構成。此點與截至目前為止之說明中所使用之各圖式亦相同。
此外，作為前提，設已經進行第一對準系統AL1之基線測量(基線檢查)、第二對準系統AL2n (n＝1~4)之基線測量動作。此處，第一對準系統AL1之基線，係意指投影光學系統PL之圖案(例如標線片R的圖案)之投影位置與第一對準系統AL1之檢測中心的位置關係(或距離)，第二對準 系統AL2n 之基線，係意指以第一對準系統AL1(之檢測中心)為基準之各第二對準系統AL2n (之檢測中心)的相對位置。第一對準系統AL1之基線，例如，在基準標記FM定位於第一對準系統AL1之視野(檢測區域)內之狀態下，測量基準標記FM，且在基準標記FM定位於投影光學系統PL之曝光區域IA(液浸區域14)內之狀態下，例如，與日本特開2002－14005號公報(對應美國專利申請公開第2002/0041377號說明書)等所揭示之方法相同，以使用一對空間像測量狹縫圖案SL之狹縫掃描方式之空間像測量動作，分別測量一對測量標記之空間像，根據個別之檢測結果及測量結果算出。又，第二對準系統AL2n 之基線，例如，在事前，以第一對準系統AL1、第二對準系統AL21 ~AL24 分別檢測批量前頭之晶圓W(製程晶圓)上之特定之對準標記，根據該檢測結果與檢測時之編碼器70A~70D之測量值算出。此外，主控制裝置20，配合對準照射區域之配置事前調整第二對準系統AL21 ~AL24 在X軸方向的位置。
圖8，係顯示對晶圓載台WST上之晶圓W(此處係例舉某批量(一批量為25片或50片)中間的晶圓)進行步進掃描方式之曝光的狀態。在此曝光中，藉由主控制裝置20，根據分別相對向於X標尺39X1 ,39X2 之圖8中以圓圈框住顯示之兩個X讀頭66(X編碼器70B,70D)、以及分別相對向於Y標尺39Y1 ,39Y2 之圖8中以圓圈框住顯示的兩個Y讀頭64(Y編碼器70A,70C)中、至少三個編碼器的測量值，控制晶圓載台WST在XY平面內的位置(包含θz旋轉)。 又，晶圓載台WST在Z軸方向之位置與θy旋轉(橫搖)及θx旋轉(縱搖)，係根據設於讀頭單元62A,62C內部之前述Z感測器74i ,76j (I,j為1~6之任一個)之測量值來控制，θx旋轉(縱搖)係根據Y軸干涉儀16的測量值來控制。
此外，亦將Z感測器於Y軸方向並排配置於讀頭單元62A,62C之內部或其附近，根據複數個Z感測器之測量值控制晶圓載台WST在Z軸方向之位置與θy旋轉(橫搖)及θx旋轉(縱搖)亦可。無論如何，在該曝光中晶圓載台WST在Z軸方向之位置、θy旋轉及θx旋轉之控制(晶圓W之聚焦調平控制)，係根據事前進行之聚焦映射(後述)之結果來進行。
上述曝光動作，係籍由主控制裝置20，根據事前進行之晶圓對準(EGA,增強整體對準)之結果(後述)及對準系統AL1,AL21 ~AL24 之最新基線等，反覆進行照射區域間移動動作(使晶圓載台WST往用以使晶圓W上之各照射區域曝光的掃描開始位置(加速開始位置)移動)與掃描曝光動作(以掃描曝光方式對各照射區域轉印形成於標線片R的圖案)，藉此來進行。此外，上述曝光動作，係在將水保持在前端透鏡191與晶圓W間的狀態下進行。又，依位於圖8之－Y側之照射區域至位於＋Y側之照射區域的順序來進行曝光。此外，EGA方式，例如日本特開昭61－44429號公報(對應美國專利第4,780,617號說明書)所揭示般，將晶圓W上之複數個照射區域之一部分(例如，8~16個程度)選擇為對準照射區域，藉由對準系統AL1,AL21 ~AL24 檢測該選擇 之照射區域的對準標記。接著，統計運算該檢測之對準標記的位置資訊，以算出晶圓W上之各照射區域的位置資訊(排列座標)。此EGA方式，不僅可求出照射區域的位置資訊，亦可求出晶圓W之定比、旋轉等相關資訊。
接著，如圖9所示，主控制裝置20，當對晶圓W之曝光結束前(最終照射區域進行曝光前)，係一邊將X軸干涉儀130之測量值維持於一定值，一邊根據Y軸干涉儀18之測量值控制載台驅動系統124，使測量載台MST移動至圖10所示之位置。此時，CD桿46之－Y側端面與晶圓載台WST之＋Y側端面係接觸。此外，亦可監測例如用以測量各載台在Y軸方向之位置之干涉儀或編碼器的測量值，使測量載台MST與晶圓載台WST在Y軸方向分離300μm左右，保持非接觸之狀態(接近狀態)。
其次，如圖11所示，主控制裝置20一邊保持晶圓載台WST與測量載台MST在Y軸方向之位置關係，一邊開始將測量載台MST驅動於－Y方向、將晶圓載台WST驅動向卸載位置UP的動作。當此動作開始時，在本實施形態中測量載台MST僅移動於－Y方向，晶圓載台WST則移動於－Y方向及－X方向。
如此，當藉由主控制裝置20同時驅動晶圓載台WST、測量載台MST時，保持於投影單元PU之前端透鏡191與晶圓W之間的水(液浸區域14之水)，即隨著晶圓載台WST及測量載台MST往－Y側之移動，而依序照晶圓W→板體28→CD桿46→測量載台MST上之順序移動。此外，在上 述移動當中，晶圓載台WST、測量載台MST係保持前述接觸狀態(或接近狀態)。此外，圖11係顯示液浸區域14之水從板體28移至CD桿46前一刻的狀態。
當從圖11之狀態更進一步地將晶圓載台WST、測量載台MST分別往－Y方向同時驅動些微距離時，由於Y編碼器70A,70C即無法測量晶圓載台WST之位置，因此在此之前一刻，主控制裝置20即將晶圓載台WST之Y位置及θz旋轉的控制，從基於Y編碼器70A,70C之測量值之控制切換成基於Y軸干涉儀16之測量值之控制。接著在既定時間後，如圖12所示，由於測量載台MST之CD桿46位於對準系統AL1,AL21 ~AL24 之正下方，因此主控制裝置20即使測量載台MST停止在該位置，且藉由與X標尺39X1 相對向之圖12中以圓圈框住顯示的X讀頭66(X線性編碼器70B)來測量晶圓載台WST之X位置，以Y軸干涉儀16測量Y位置及θz旋轉等，同時使晶圓載台WST進一步往卸載位置UP驅動並使其在卸載位置UP停止。此外，在圖12之狀態下，於測量載台MST與前端透鏡191之間保持有水。
其次，主控制裝置20如圖12及圖13所示，使用CD桿46的基準標記M，測量第二對準系統AL2n (之檢測中心)之以第一對準系統AL1(之檢測中心)為基準的相對位置關係(基線)。此時之基線測量，由於在每次更換晶圓之時距進行，因此以下亦適當稱為「Sec－BCHK(時距)」。
於此Sec－BCHK(時距)，主控制裝置20，根據分別相對向於CD桿46上的一對基準格子52的Y讀頭64y1 ,64y2 (Y 軸線性編碼器70E2 ,70F2 )之測量值，調整CD桿46之θz旋轉，且根據用以檢測位於測量載台MST之中心線CL上或其附近之基準標記M的第一對準系統AL1的測量值，使用例如干涉儀之測量值調整CD桿46之XY位置。
接著，在此狀態下，主控制裝置20使用四個第2對準系統AL21 ~AL24 ，同時測量位於各第二對準系統之視野內之CD桿46上的基準標記M，以分別求出四個第2對準系統AL21 ~AL24 之基線。接著，在進行之後之處理時，使用新測量的基線，修正四個第2對準系統AL21 ~AL24 之基線的偏移。
又，主控制裝置20，以與此Sec－BCHK(時距)同時進行之方式，對未圖示卸載臂之驅動系統下達指令以卸載停在卸載位置UP之晶圓載台WST上的晶圓W，並將晶圓載台WST往＋X方向驅動使其移動至裝載位置LP。
其次，主控制裝置20如圖14所示將測量載台MST移動至最佳待機位置(以下稱為「最佳急停待機位置」)，該待機位置係供將測量載台MST從離開晶圓載台WST之狀態移行至與晶圓載台WST之前述接觸狀態(或接近狀態)的位置。主控制裝置20以與上述動作同時進行之方式，對未圖示裝載臂之驅動系統下達指令以將新的晶圓W裝載於晶圓載台WST上。此外，圖14係顯示晶圓W裝載於晶圓載台WST上之狀態。
本實施形態中，上述測量載台MST之最佳急停待機位置，係根據附設於晶圓上之對準照射區域之對準標記的Y 座標來適當地設定。藉此，移行至前述接觸狀態(或接近狀態)時，不需要將測量載台MST移動至該最佳急停待機位置的動作，因此相較於在離開最佳急停待機位置之位置待機之情形，可削減測量載台MST之移動次數一次。又，本實施形態中，係將最佳急停待機位置設定成能使晶圓載台WST停止於供進行晶圓對準之位置，且係能移行至接觸狀態(或接近狀態)的位置。
其次，主控制裝置20，使晶圓載台WST移動至如圖15所示之位置。此移動途中，主控制裝置20，係藉由在X軸方向則基於編碼器70B之測量值、在Y軸方向及θz旋轉則基於Y軸干涉儀16之測量值的控制，控制晶圓載台WST在XY平面內的位置，接著，切換至根據相對向於X標尺39X1 ,39X2 之圖15中以圓圈框住顯示之2個X讀頭66之至少一者(編碼器70D)、及相對向於Y標尺39Y1 ,39Y2 之圖15中以圓圈框住顯示之2個Y讀頭64y2 ,64y1 (編碼器70F1 ,70E1 )之3個測量值的控制。
其次，主控制裝置20一邊根據上述三個編碼器之測量值來管理晶圓載台WST之位置，一邊開始使晶圓載台WST往＋Y方向移動。接著，當晶圓載台WST到達圖16所示之位置時，主控制裝置20，使晶圓載台WST與測量載台MST接觸(或接近至300μm左右的距離)，立刻使晶圓載台WST停止。
在晶圓載台WST停止後，主控制裝置20使用第一對準系統AL1,第二對準系統AL22 ,AL23 大致同時且個別檢 測出附設於三個照射區域(以下，稱為「第一對準照射區域」)之對準標記(參照圖16中之星標記)，再將上述三個對準系統AL11 ,AL22 ,AL23 之檢測結果與進行該檢測時之上述三個編碼器的測量值以彼此相關聯之方式儲存於未圖示之記憶體。此外，附設於此三個第一對準照射區域之對準標記的同時檢測，係藉由一邊改變晶圓載台WST之Z位置，一邊改變複數個對準系統AL1,AL21 ~AL24 與晶圓載台WST所裝載之晶圓W之間之Z軸方向(聚焦方向)的相對位置關係來進行。
如上所述，本實施形態中，在檢測第一對準照射區域之對準標記之位置，結束移行至測量載台MST與晶圓載台WST成為接觸狀態(或接近狀態)的動作，並藉由主控制裝置20，開始在該接觸狀態(或接近狀態)下之兩載台WST,MST從上述位置往＋Y方向的移動。在該兩載台WST,MST往＋Y方向之移動開始之前，主控制裝置20係如圖16所示開始從多點AF系統(90a,90b)將檢測光束對晶圓載台WST照射。藉此於晶圓載台WST上形成多點AF系統的檢測區域。
此時，液浸區域14係形成於CD桿46與晶圓載台WST之邊界附近。亦即，係液浸區域14之水從CD桿46移至晶圓載台WST前一刻的狀態。
接著，使兩載台WST,MST在保持接觸狀態(或接近狀態)之狀態下往＋Y方向更進一步移動，而到達圖17所示之位置時，主控制裝置20使用五個對準系統AL1,AL21 ~AL24 大致同時且個別檢測出圖17中附設於與對準系統AL1, AL21 ~AL24 分別相對向之位置存在的五個照射區域(以下，稱為「第二對準照射區域」)之對準標記(參照圖17中之星標記)，再將上述五個對準系統AL1,AL21 ~AL24 之檢測結果與進行該檢測時之三個編碼器的測量值以彼此相關聯之方式儲存於未圖示之記憶體。此外，此時之附設於五個第二對準照射區域之對準標記的同時檢測，亦與第一對準照射區域的檢測相同，係一邊改變晶圓載台WST之Z位置一邊進行。
又，此時，由於不存在與X標尺39X1 相對向且位於上述直線LV上之X讀頭，因此主控制裝置20根據與X標尺39X2 相對向之X讀頭66(X線性編碼器70D)及Y線性編碼器70E1 ,70F1 的測量值來控制晶圓載台WST在XY平面內的位置。
如上所述，本實施形態中，在第二對準照射區域之對準標記之檢測結束的時間點，可檢測出合計八個之對準標記的位置資訊(二維位置資訊)。因此在此階段時，主控制裝置20亦可使用此等之位置資訊，來進行例如上述EGA方式之統計運算，求出晶圓W之定比(照射倍率)，並根據該算出之照射倍率調整投影光學系統PL之光學特性、例如投影倍率亦可。本實施形態中，藉由驅動構成投影光學系統PL之特定可動透鏡，或改變構成投影光學系統PL之特定透鏡間所形成之氣密室內部的氣體壓力，來控制調整投影光學系統PL之光學特性之調整裝置68(參照圖5)，來調整投影光學系統PL之光學特性。亦即，主控制裝置20，在對準系 統AL1,AL21 ~AL24 檢測晶圓W上之既定數(此處為八個)之標記結束之階段，根據該等檢測結果，控制調整裝置68來調整投影光學系統PL之光學特性亦可。此外，標記之個數並不限於八個，或檢測對象之標記之總數的一半等，例如只要為算出晶圓之定比等所需之個數以上即可。
又，主控制裝置20，在結束上述附設於五個第二對準照射區域之對準標記的同時檢測動作後，即再次開始在接觸狀態(或接近狀態)下之兩載台WST,MST往＋Y方向的移動，同時使用多點AF系統(90a,90b)開始聚焦映射(晶圓W表面在Z軸方向相關位置資訊(面位置資訊)的檢測)。
進行此聚焦映射時，主控制裝置20，根據與X標尺39X2 相對向之X讀頭66(X線性編碼器70D)、及與Y標尺39Y1 ,Y標尺39Y2 分別相對向之2個Y讀頭64y2 ,64y1 (Y線性編碼器70F1 ,70E1 )來管理晶圓載台WST在XY平面內的位置。接著，主控制裝置20，在使多點AF系統(90a,90b)與面位置感測器一起作動之狀態下，在晶圓載台WST往＋Y方向行進之期間，以既定取樣間隔，取得面位置感測器所測量之晶圓載台WST表面(板體28的表面)之Z軸方向相關位置資訊(面位置資訊)、及多點AF系統(90a,90b)所檢測之複數個檢測點之晶圓W表面在Z軸方向相關位置資訊(面位置資訊)，使取得之2種類面位置資訊與各取樣時之Y線性編碼器70F1 ,70E1 之測量值的三者相互對應逐一儲存於未圖示之記憶體。
藉由使在上述接觸狀態(或接近狀態)下之兩載台WST, MST往＋Y方向移動，而使晶圓載台WST到達圖18所示之位置時，主控制裝置20使晶圓載台WST停止在該位置，且使測量載台MST持續往＋Y方向移動。此外，測量載台MST，在晶圓載台WST側到達曝光開始前待機之曝光開始待機位置之階段，在該位置停止測量載台MST。接著，主控制裝置20使用五個對準系統AL1,AL21 ~AL24 大致同時且個別檢測出圖18中附設於與對準系統AL1,AL21 ~AL24 分別相對向之位置存在的五個照射區域(以下，稱為「第三對準照射區域」)之對準標記(參照圖18中之星標記)，並將上述五個對準系統AL1,AL21 ~AL24 之檢測結果與進行該檢測時之上述三個編碼器70D,70F1 ,70E1 的測量值以彼此相關聯之方式儲存於未圖示之記憶體。此外，此時之附設於五個第三對準照射區域之對準標記的同時檢測，亦與前述相同，係一邊改變晶圓載台WST之Z位置一邊進行。
其次，主控制裝置20開始使晶圓載台WST往＋Y方向移動。接著，當晶圓載台WST到達圖19所示之位置時，主控制裝置20即立即使晶圓載台WST停止，且大致同時且個別檢測出圖19中附設於與第一對準系統AL1、第二對準系統AL22 ,AL23 分別相對向之三個照射區域(以下，稱為「第四對準照射區域」)之對準標記(參照圖19中之星標記)，並將上述三個對準系統AL1,AL22 ,AL23 之檢測結果與進行該檢測時之上述三個編碼器的測量值以彼此相關聯之方式儲存於未圖示之記憶體。此外，此時之附設於三個第四對準照射區域之對準標記的同時檢測，亦與前述相 同，係一邊改變晶圓載台WST之Z位置一邊進行。在此時點亦持續進行聚焦映射。另一方面，測量載台MST則係持續在上述曝光開始待機位置待機。接著，主控制裝置20使用以上述方式獲得之合計十六個對準標記之檢測結果與所對應之四個編碼器的測量值，透過例如上述EGA方式進行統計運算，算出上述四個編碼器之測量軸所限定之XY座標系統上晶圓W上之所有照射區域的排列資訊(座標值)。
其次，主控制裝置20一邊再次使晶圓載台WST往＋Y方向移動，一邊持續進行聚焦映射。接著，當來自多點AF系統(90a,90b)之檢測光束自晶圓W表面偏離時，即如圖20所示結束聚焦映射。此時，主控制裝置20，將多點AF系統(90a,90b)之各檢測點的面位置資訊，換算成以同時取得之面位置感測器之面位置資訊為基準的資料。其後，主控制裝置20根據上述晶圓對準(EGA)之結果及五個對準系統AL1,AL21 ~AL22 之最新的基線等，透過液浸曝光進行步進掃描方式之曝光，以將標線片圖案依序轉印至晶圓W上之複數個照射區域。圖21係顯示該狀態。其後，對批量內之剩餘晶圓亦反覆進行同樣之動作。
此處，於上述曝光動作中，由於對晶圓W之大致整面進行曝光，因此從圖21或圖9等可知，來自檢測裝置PDY1 之照射系統69A之檢測光束，對標尺39Y2 之Y軸方向整個區域照射至少一次。是以，主控制裝置20，當構成檢測裝置PDY1 之影像感測器67接收散射光時，判斷為標尺39Y2 上存在異物，藉由該檢測時之編碼器70C的測量結果，檢 測異物之Y軸方向位置(座標)。又，主控制裝置20，根據影像感測器67之檢測結果及編碼器70B或70D的測量結果，檢測異物在標尺39Y2 上的位置(座標)。
又，關於檢測裝置PDY2 之檢測光束，與檢測裝置PDY1 相同，於曝光動作中，由於對標尺39Y1 之Y軸方向整個區域照射至少一次，因此主控制裝置20，當構成檢測裝置PDY2 之影像感測器67接收散射光時，判斷為標尺39Y1 上存在異物，藉由該檢測時之編碼器70A的測量結果，檢測異物之位置(座標)。又，主控制裝置20，根據檢測裝置PDY2 之檢測結果及編碼器70B或70D的測量結果，判斷異物是否存在、及檢測異物在標尺39Y1 上的位置(座標)。
又，於上述曝光動作中，如圖21代表所示，檢測裝置PDX1 或PDX2 ，係與標尺39X1 相對向，又，曝光動作中，對標尺39X1 之表面整個區域至少照射一次檢測裝置PDX1 或PDX2 的檢測光束。是以，主控制裝置20，使用編碼器70B、及70A或70C、以及檢測裝置PDX1 ,PDX2 ，與上述相同地判斷異物是否存在、及檢測異物在標尺39X1 上的位置(座標)。
再者，如圖12~圖14所示，晶圓載台WST從卸載位置UP移至裝載位置LP之期間，由於檢測裝置PDX3 或PDX4 ，係與標尺39X2 相對向，對標尺39X2 之表面整個區域至少照射一次檢測裝置PDX3 的檢測光束及檢測裝置PDX4 的檢測光束的任一者，因此主控制裝置20，使用該等檢測裝置PDX3 或PDX4 及編碼器70D、以及Y軸干涉儀 16，判斷異物是否存在、及檢測異物在標尺39X2 上的位置(座標)。
又，如圖9或圖18所示，在測量載台MST上不存在液浸區域14，測量載台MST可自由移動時，主控制裝置20，使測量載台MST移至CD桿46上之基準格子52與檢測裝置PDX1 或PDX2 相對向的位置，使用檢測裝置PDX1 或PDX2 ，判斷異物是否存在於基準格子52上、及檢測異物在基準格子52上的位置(座標)。
此外，不限於上述情形，例如，如圖15~圖19所示，進行使用對準系統AL1,AL21 ~AL24 之對準動作及伴隨於此之移動動作之期間，檢測裝置PDY1 (PDY2 )之檢測光束亦照射於標尺39Y2 (39Y1 )的整個區域，因此在此期間，使用檢測裝置PDY1 (PDY2 )，檢測(檢查)標尺39Y2 (39Y1 )上面的異物亦可。亦即，異物檢測動作之至少一部分與不同於曝光動作之其他動作同時進行亦可。此外，異物檢測動作之至少一部分單獨進行亦可。此時，異物之檢測裝置與圖3不同配置、及/或數量不同亦可。
本實施形態中，上述異物之檢測(檢查)的結果，判斷標尺表面存在異物時，主控制裝置20，根據異物檢測結果，依據例如動作狀況等判斷進行標尺之洗淨(或更換)、或繼續進行曝光動作(包含對準動作等)，繼續進行曝光動作(包含對準動作等)時，在該動作中，以不使用與異物相對向之讀頭之方式，避開異物來選擇讀頭。例如，從4個讀頭單元之中，選擇不與異物相對向之3個讀頭單元之讀頭、或在 各讀頭單元內，改變讀頭之切換時序等，使用不與異物相對向之讀頭。亦即，根據異物檢測結果，將標尺上異物存在的區域，特定為無法進行編碼器系統200之測量或測量值異常的非測量區域。再者，編碼器系統200之進行晶圓載台WST之位置測量的動作，例如於曝光動作，一邊依據晶圓載台WST之位置選擇不與非測量區域相對向之3個編碼器讀頭，一邊使用選擇之3個編碼器讀頭控制晶圓載台WST之位置。接著，例如，在對此階段裝載於晶圓載台WST上之晶圓W的曝光結束之階段，以標尺上異物存在之部分位於投影單元PU正下方之方式，透過載台驅動系統124移動晶圓載台WST。亦即，包含異物之標尺之一部分移動於液浸區域14內。局部液浸裝置8，由於同時進行液體Lq的供應與回收，因此移動於液浸區域14內之異物係與液體Lq一起被回收。據此，除去(洗淨)標尺上的異物。
接著，在上述異物除去結束之階段，主控制裝置20，使晶圓載台WST返回原來的位置，進行後續動作。此處，由於晶圓W之曝光、及異物之除去結束，因此使晶圓載台WST移至卸載位置UP以進行晶圓的更換，繼續進行曝光程序控制。此外，雖於晶圓W之曝光結束之後立刻進行異物除去，但例如於曝光程序控制結束之時點進行異物除去程序控制、亦即開始異物除去動作亦可。又，根據異物檢測結果特定之標尺之非測量區域，僅為異物存在的區域亦可，為大於異物的區域亦可。
另一方面，根據異物檢測結果，判斷進行標尺之洗淨(或 更換)時，主控制裝置20，立刻中止曝光動作，進行必要的處理。此外，不立刻中止曝光動作，在晶圓W之曝光結束之階段開始必要的處理亦可。又，在曝光動作之前進行異物檢測動作時，根據異物檢測結果判斷是否能進行曝光動作亦可。舉一例而言，標尺上不存在異物、即使存在異物編碼器系統亦可測量、或避開異物(非測量區域)而能選擇3個讀頭時，判斷為可進行曝光動作。另一方面，異物導致編碼器系統之測量不佳所造成之晶圓載台WST的控制精度(或晶圓對標線片圖案之對準精度)超過容許值時，判斷為不能進行曝光動作而進行必要的處理(標尺之洗淨或更換等)。
如以上所說明，根據本實施形態，對用於測量晶圓載台WST之位置之標尺39X1 ,39X2 ,39Y1 ,39Y2 照射來自檢測裝置PDX1 ~PDX4 ,PDY1 ,PDY2 之照射系統69A的檢測光束，以受光系統69B檢測透射過標尺39X1 ,39X2 ,39Y1 ,39Y2 (在標尺39X1 ,39X2 ,39Y1 ,39Y2 上散射)之檢測光束，藉此檢測標尺之表面狀態(異物之存在狀態)，因此能對標尺以非接觸方式進行表面狀態之檢測。
又，根據本實施形態，藉由檢測裝置，可檢測標尺之表面狀態(異物之存在狀態)，因此考慮該表面狀態，進行使用標尺之晶圓載台WST的位置測量，藉此能進行高精度之晶圓載台WST的位置控制。特別是，於本實施形態，檢測裝置之檢測結果，發現異物時，將該異物除去後，進行曝光動作，因此不會受到異物的影響，能進行高精度之晶圓載台WST的位置控制。
又，由於如上述能進行高精度之晶圓載台WST的位置控制，因此能對晶圓載台WST所保持之晶圓W高精度進行曝光。
又，根據本實施形態，藉由檢測裝置，亦可檢測CD桿46上之基準格子52之表面狀態(異物之存在狀態)，因此考慮該表面狀態(除去異物等)，進行Sec－BCHK(時距)，藉此能高精度檢測第二對準系統AL2n (之檢測中心)之以第一對準系統AL1(之檢測中心)為基準的相對位置關係。又，使用該結果進行曝光，藉此可實現高精度的曝光。
又，根據本實施形態，由於以包含測量之短期穩定性良好之編碼器70A~70D等之編碼器系統來測量晶圓載台WST在XY平面內的位置資訊，因此不會受到空氣搖晃等的影響，能進行高精度的測量。
此外，於上述實施形態，與進行曝光裝置100之曝光動作、對準動作、或晶圓更換動作等同時地進行標尺表面之異物之檢測(檢查)，但本發明並不限於此。例如，當曝光裝置100處於閒置狀態(亦即，未進行曝光動作、對準動作、及晶圓更換動作等之任一者之待機狀態)時，以檢測裝置之檢測光束照射標尺表面整個區域之方式使晶圓載台WST移動，進行標尺表面之異物檢查亦可。
又，異物檢查之時序，並不限於如上述實施形態般之每使1片晶圓曝光即進行異物檢查之情形，每當使既定片數之晶圓曝光時、或經過既定時間等，每既定間隔進行亦可，僅在作業員有指示時(對曝光裝置100之輸入裝置(例 如，檢查開始按鈕)進行輸入時)進行亦可。又，採用每既定間隔進行異物之檢測(檢查)，且作業員有指示時亦進行異物之檢測(檢查)之程序控制亦可。又，採用對1片晶圓進行曝光時，進行標尺之一部分之異物檢查，其餘部分之異物檢查在之後對晶圓進行曝光時進行之程序控制亦可。
此外，於上述實施形態，標尺表面存在異物時，使用局部液浸裝置8的液體(液浸曝光所使用之液體)來除去(洗淨)異物，但並不限於此，例如，從局部液浸裝置8供應與液浸曝光所使用之液體不同的液體(洗淨液)，使用該洗淨液來除去(洗淨)異物亦可。此洗淨液，使用例如氧濃度高於液體Lq之液體(例如，未施加脫氣處理之液體)亦可。使用此種液體進行洗淨，可促進異物(例如由有機物構成之異物)的氧化分解。此外，取代此種液體，使用例如過氧化氫水進行洗淨亦可。又，液浸曝光用或洗淨用之液體進行標尺之洗淨時，例如，併用曝光用光IL之光洗淨，及/或超音波洗淨等亦可。
又，將與局部液浸裝置8同樣的裝置設於曝光裝置100，使用該裝置進行標尺上之異物之除去亦可。亦即，將與局部液浸裝置8至少一部分不同之洗淨裝置(異物除去裝置)設於與投影光學系統PL(嘴單元32)不同的位置、例如透過投影光學系統PL照射曝光用光IL之曝光位置與晶圓之更換位置之間之晶圓載台WST的移動路徑上亦可。
又，並不限於使用液體除去異物之情形，將噴出氣體之送風裝置設於曝光裝置100內，使用從該送風裝置噴出 之氣體，進行標尺表面之異物除去亦可。又，將藉由加熱除去異物之加熱裝置設於曝光裝置100內，使用該裝置除去異物亦可。
又，標尺表面存在異物時，主控制裝置20僅對作業員(operator)發出警告亦可。此時，作業員(operator)停止曝光裝置進行維修作業亦可。又，於上述實施形態，僅在存在既定個數以上之異物時，進行異物除去作業(或發出警告)亦可。或，僅在如上述般不能進行曝光動作時，進行異物除去作業，或發出警告亦可。
此外，於上述實施形態之曝光裝置100，如圖3所示，雖設有6個檢測裝置(PDX1 ~PDX4 ,PDY1 ,PDY2 )，但並不限於此，只要能對標尺之整個區域照射檢測光束，則數量任意皆可。又，關於檢測裝置之配置，只要能對標尺之整個區域照射檢測光束，則並不限於上述實施形態的配置。此外，進行異物檢測之區域，可為標尺之整面，亦可僅為晶圓載台WST之位置測量所需的區域。
此外，至目前為止，對標尺上之異物為雜質或水滴之情形進行說明，但檢測裝置之檢測對象之異物並不限於雜質或水滴。
又，於上述實施形態，關於編碼器系統200之編碼器之位置測量，對進行標尺上之異物之檢測、及伴隨於此之各種處理之情形進行說明，但亦同樣地適用於以標尺為檢測面之上述Z感測器。亦即，避開異物(非測量區域)選擇Z感測器，產生異物導致之Z感測器之測量不良，即可進行 標尺之洗淨或更換等處理。
又，於上述實施形態，如圖7A所示，雖使用具備以分束器等之光學元件使來自光源之光分歧，使分歧後之光反射之2片反射鏡之繞射干涉方式之編碼器作為編碼器70A~70F，但並不限於此，亦可使用3格子之繞射干涉式編碼器、讀寫頭方式、磁氣方式、或例如日本特開2005－114406號公報等所揭示之具備光反射塊的編碼器、例如美國專利第6,639,686號說明書等所揭示之所謂掃描編碼器等。又，於上述實施形態，頭單元62A~62D，具有相隔既定間隔配置之複數個讀頭，但並不限於此，亦可採用單一讀頭，該單一讀頭具備將光束射出至細長延伸於Y標尺或X標尺之間距方向之區域的光源，及接收光束之來自Y標尺或X標尺(繞射光柵)之反射光(繞射光)、無間隙排列於Y標尺或X標尺之間距方向的多數個受光元件。
又，於上述實施形態，編碼器讀頭雖使用X讀頭或Y讀頭、亦即一維讀頭，但並不限於此，使用以正交雙軸方向為測量方向之二維讀頭(2D讀頭)亦可。又，編碼器讀頭使用與Z感測器一體型之讀頭亦可。後者之情形，Z感測器與編碼器讀頭之單純組合亦可，將具備Z感測器與編碼器讀頭之功能的單一感測器使用為編碼器讀頭亦可。
又，於上述實施形態，對藉由將2片板狀構件29a,29b貼合而形成第2撥水板28b之情形進行說明，但並不限於此，以1片板狀構件構成第2撥水板28b，在其上面直接形成繞射光柵亦可。又，在第2撥水板28b的上面形成繞射 光柵，在第2撥水板28b的上面設置來自讀頭單元62A~62D之檢測光可透射過的保護構件(例如，薄膜)，以防止繞射光柵的損傷等亦可。又，在晶圓載台WST表面直接形成繞射光柵，以覆蓋該繞射光柵之方式設置第2撥水板28b亦可。又，繞射光柵採用機械性刻有狹縫或槽等者亦可，例如，採用將干涉條紋煅燒在感光性樹脂而作成者亦可。
又，於上述實施形態，在與XY平面大致平行之晶圓載台WST之上面設置反射型的繞射光柵，但例如在晶圓載台WST之下面設置反射型的繞射光柵亦可。此時，讀頭單元62A~62D係配置於與晶圓載台WST之下面相對向之例如底板。再者，例如美國專利申請公開第2006/0227309號、第2007/0052976號、第2007/0263197號等所揭示，採用在晶圓載台WST設置編碼器讀頭，以與其相對向之方式在晶圓載台WST之上方設置標尺之編碼器系統亦可。此時，在晶圓載台WST配置Z感測器亦可，將標尺之既定面(例如表面)兼用為使來自Z感測器之測量光束反射之反射面亦可。又，例如，在配置於基座12之可動體設置上述檢測裝置，一邊移動可動體一邊在標尺之整面進行異物檢測亦可。再者，在該可動體設置上述異物除去裝置，根據異物檢測結果除去標尺之異物亦可。此外，可動體亦可為測量載台MST，與晶圓載台WST及測量載台MST分開設置亦可。又，將上述檢測裝置及異物除去裝置裝載於不同可動體亦可。又，於上述實施形態，雖使晶圓載台WST移動於水平面內，但移動於與水平面交叉之平面(例如，ZX平面等)內亦可。 又，藉由編碼器系統測量標線片載台RST之位置亦可。例如，標線片載台RST二維移動時，設置與上述編碼器系統同樣構成的編碼器系統來測量標線片載台RST之位置資訊亦可。此時，為了檢測設於標線片載台RST之標尺(繞射光柵)上的異物，例如使用上述檢測裝置亦可。不論如何，藉由在與繞射光柵(標尺)相對向之位置設置上述實施形態之檢測裝置，可檢測標尺上的異物。
又，檢測異物之檢測裝置，並不限於上述實施形態(圖4A)之構成，只要為對標尺照射檢測光束，藉由接收透射過該標尺之檢測光束來檢測異物之檢測裝置，採用其他構成亦可。例如，將上述多點AF系統使用為檢測裝置亦可，此時，不另外設置與多點AF系統不同之上述檢測裝置亦可。又，例如，使用上述Z感測器等，檢測晶圓載台WST上面之晶圓W之裝載區域以外之區域之表面(包含標尺表面)、亦即Z感測器之測量面之Z位置時，檢測裝置並不限於標尺，只要檢測晶圓載台WST上面之晶圓W之裝載區域以外之區域之表面(測量面)之異物即可。如此，與於上述實施形態藉由各檢測裝置檢測標尺上之異物之情形相同，可藉由與上述實施形態之各檢測裝置相同或不同的檢測裝置，檢測上述測量面上之異物，藉此，可獲得與上述實施形態同等的效果。
此外，於上述實施形態，雖使嘴單元32之下面與投影光學系統PL之前端光學元件之下端面為大致同一面，但並不限於此，例如將嘴單元32之下面，配置於較前端光學元 件之射出面更接近投影光學系統PL之像面(亦即晶圓)亦可。亦即，局部液浸裝置8並不限於上述構造，例如，可使用歐洲專利公開第1420298號公報、國際公開第2004/055803號小冊子、國際公開第2004/057590號小冊子、國際公開第2005/029559號小冊子(對應美國專利公開第2006/0231206號)、國際公開第2004/086468號小冊子(對應美國專利公開第2005/0280791號)、日本特開2004－289126號公報(對應美國專利第6,952,253號)等所記載者。又，例如國際公開第2004/019128號小冊子(對應美國專利公開第2005/0248856號)所揭示，除了前端光學元件之像面側之光路外，以液體充滿前端光學元件之物體面側之光路亦可。再者，在前端光學元件之表面之一部分(包含至少與液體之接觸面)或全部，形成具有親液性及/或溶解防止功能的薄膜亦可。此外，石英與液體之親和性高，且不需要溶解防止膜，但較佳為，螢石至少形成溶解防止膜。
此外，上述實施形態中，雖使用純水(水)作為液體，但本發明當然並不限定於此。
又，上述實施形態中，亦可再利用回收之液體，此時，最好將用以從所回收液體除去雜質的過濾器設置於液體回收裝置或回收管等。
此外，上述實施形態中，雖對曝光裝置為液浸型之曝光裝置的情形來加以說明，但並不限於此，亦能採用不透過液體(水)來進行晶圓W之曝光的乾式曝光裝置。
此外，於上述實施形態，雖對將本發明適用於具備晶 圓載台WST(移動體)、測量載台MST(另一移動體)、對準系統(AL1,AL21 ~AL24 )、多點AF系統(90a,90b)、干涉儀系統118、及編碼器系統200等全部之曝光裝置之情形進行說明，但本發明並不限於此。例如，本發明亦適用於未設有測量載台MST等之曝光裝置。又，當然未必要設置干涉儀系統及編碼器系統兩者。亦即，僅設置編碼器系統亦可。
此外，於上述實施形態，雖對採用FIA系統作為對準系統之情形進行說明，但並不限於此，當然亦能單獨或適當組合使用例如將同調光之檢測光照射於對象標記，檢測自該對象標記產生之散射光或繞射光、或使自該對象標記產生之2個繞射光(例如同次數之繞射光、或繞射於同方向之繞射光)干涉而檢測之對準感測器。又，於上述實施形態，雖設置5個對準系統AL1,AL21 ~AL24 ，但其數量並不限於5個，亦可為2個以上且4個以下、或6個以上，不為奇數而為偶數亦可。再者，對準系統亦可為1個，亦可為可動及固定之任一種。
又，上述實施形態中，雖說明了將本發明適用於步進掃描方式等之掃描型曝光裝置，但並不限於此，亦能將本發明適用於步進器等靜止型曝光裝置。即使係步進器等，亦能藉由編碼器來測量裝載有曝光對象物體之載台的位置，而能同樣地使因空氣搖晃所導致之位置測量誤差的產生可能性幾乎為零。此時，可根據使用干涉儀之測量值修正編碼器之測量值之短期變動之修正資訊與編碼器之測量值，來以高精度定位載台，其結果能將高精度之標線片圖 案轉印至物體上。又，本發明亦適用於用以合成照射區域與照射區域之步進接合方式的縮小投影曝光裝置、近接方式之曝光裝置、或反射投射對準器等。再者，本發明亦適用於例如日本特開平10－163099號公報及日本特開平10－214783號公報(對應美國專利第6,590,634號)、日本特表2000－505958號公報(對應美國專利第5,969,441號)、美國專利第6,208,407號等所揭示之具備複數個晶圓載台之多載台型曝光裝置。
又，上述實施形態之曝光裝置中之投影光學系統之倍率並不僅可為縮小系統，亦可為等倍系統及放大系統之任一者，投影光學系統PL不僅可為折射系統，亦可係反射系統及反射折射系統之任一者，其投影像亦可係倒立像與正立像之任一者。再者，透過投影光學系統PL照射有照明光IL之曝光區域IA，雖係在投影光學系統PL之視野內包含光軸AX的同軸區域，但例如亦可與如國際公開第2004/107011號小冊子所揭示之所謂線內型反射折射系統同樣地，其曝光區域為不含光軸AX之離軸區域，該線內型反射折射系統具有複數個反射面且將至少形成一次中間像之光學系統(反射系統或反射折射系統)設於其一部分，並具有單一光軸。又，前述照明區域及曝光區域之形狀雖為矩形，但並不限於此，亦可係例如圓弧、梯形、或平行四邊形等。
又，上述實施形態之曝光裝置的光源，不限於ArF準分子雷射光，亦能使用KrF準分子雷射光(輸出波長248nm)、F2 雷射(輸出波長157nm)、Ar2 雷射(輸出波長 126nm)、Kr2 雷射(輸出波長146nm)等脈衝雷射光源，或發出g線(波長436 nm)、i線(波長365nm)等輝線之超高壓水銀燈等。又，亦可使用YAG雷射之諧波產生裝置等。另外，可使用例如國際公開第1999/46835號小冊子(對應美國專利第7,023,610號說明書)所揭示之諧波，其係以摻雜有鉺(或鉺及鐿兩者)之光纖放大器，將從DFB(分布回饋式)半導體雷射或光纖雷射振盪產生之紅外線區或、或可見區的單一波長雷射光放大來作為真空紫外光，並以非線性光學晶體將其轉換波長成紫外光。
又，上述實施形態中，作為曝光裝置之照明光IL，並不限於波長100nm以上之光，亦可使用波長未滿100nm之光。例如，近年來，為了曝光70nm以下之圖案，已進行了一種EUV(極紫外光)曝光裝置之開發，其係以SOR(同步加速器軌道放射光)或電漿雷射為光源來產生軟X線區域(例如5~15nm之波長域)之EUV(Extreme Ultra Violet)光，且使用根據其曝光波長(例如13.5nm)所設計之全反射縮小光學系統及反射型光罩。此裝置由於係使用圓弧照明同步掃描光罩與晶圓來進行掃瞄曝光之構成，因此能將本發明非常合適地適用於上述裝置。此外，本發明亦適用於使用電子射線或離子光束等之帶電粒子射線的曝光裝置。
又，上述實施形態中，雖使用於具光透射性之基板上形成既定遮光圖案(或相位圖案，減光圖案)的光透射性光罩(標線片)，但亦可使用例如美國專利第6,778,257號公報所揭示之電子光罩來代替此標線片，該電子光罩(亦稱為可變 成形光罩、主動光罩、或影像產生器，例如包含非發光型影像顯示元件(空間光調變器)之一種之DMD(數位微鏡裝置：Digital Micro－mirror Device)等)係根據待曝光圖案之電子資料來形成透射圖案、反射圖案、或發光圖案。
又，本發明亦能適用於，例如國際公開第2001/035168號小冊子所揭示，藉由將干涉條紋形成於晶圓上、而在晶圓上形成線寬與線距圖案之曝光裝置(微影系統)。
進而，例如亦能將本發明適用於例如日本特表2004－519850號公報(對應美國專利第6,611,316號說明書)所揭示之曝光裝置，其係將兩個標線片圖案透過投影光學系統在晶圓上合成，藉由一次之掃描曝光來對晶圓上之一個照射區域大致同時進行雙重曝光。
又，於物體上形成圖案之裝置並不限於前述曝光裝置(微影系統)，例如亦能將本發明適用於以噴墨方式來將圖案形成於物體上的裝置。
此外，上述實施形態中待形成圖案之物體(能量束所照射之曝光對象的物體)並不限於晶圓，亦可係玻璃板、陶瓷基板、膜構件、或者光罩基板等其他物體。
曝光裝置用途並不限定於半導體製造用之曝光裝置，亦可廣泛適用於例如用來將液晶顯示元件圖案轉印於方型玻璃板之液晶用曝光裝置，或製造有機EL(電致發光)、薄膜磁頭、攝影元件(CCD等)、微機器及DNA(基因)晶片等的曝光裝置。又，除了製造半導體元件等微元件以外，為了製造用於光曝光裝置、EUV曝光裝置、X射線曝光裝置及 電子射線曝光裝置等的標線片或光罩，亦能將本發明適用於用以將電路圖案轉印至玻璃基板或矽晶圓等之曝光裝置。
又，上述實施形態的曝光裝置(圖案形成裝置)，係藉由組裝各種子系統(包含本案申請專利範圍中所列舉的各構成元件)，以能保持既定機械精度、電氣精度、光學精度之方式所製造。為確保此等各種精度，於組裝前後，係對各種光學系統進行用以達成光學精度之調整、對各種機械系統進行用以達成機械精度之調整、對各種電氣系統進行用以達成電氣精度之調整。從各種子系統至曝光裝置之組裝步驟，包含各種子系統彼此之機械連接、電路之配線連接、氣壓迴路之配管連接等。當然，從各種子系統至曝光裝置之組裝步驟前，有各子系統個別之組裝步驟。當各種子系統至曝光裝置之組裝步驟結束後，即進行綜合調整，以確保曝光裝置整體之各種精度。此外，曝光裝置之製造最好是在溫度及真空度等皆受到管理之無塵室進行。
此外，援引與上述實施形態所引用之曝光裝置等相關之所有公報、國際公開小冊子、美國專利申請公開說明書及美國專利說明書之揭示，來作為本說明書之記載的一部分。
半導體元件等之電子元件，係經由下述步驟製造，亦即進行元件之功能/性能設計的步驟、根據該設計步驟製作標線片的步驟、使用矽材料來製造晶圓的步驟、藉由上述實施形態之曝光裝置(圖案形成裝置)將光罩(標線片)之圖 案轉印於晶圓的微影步驟、使曝光後晶圓顯影的顯影步驟、藉由蝕刻除去光阻殘留部分以外之部分之露出構件的蝕刻步驟、除去已蝕刻而不需要之光阻的光阻除去步驟、元件組裝步驟(包含晶片切割步驟、接合步驟、及封裝步驟)、檢查步驟等。此時，於微影步驟，使用上述實施形態之曝光裝置(圖案形成裝置)進行上述曝光方法，在晶圓上形成元件圖案，因此可產率良好地製造高集成度的元件。
如上述說明，本發明之檢查裝置，適於檢測設於移動體之測量面的表面狀態。又，本發明之移動體裝置，適用於曝光裝置。又，本發明之圖案形成裝置及方法，適於在移動體所保持之物體上形成圖案。又，本發明之曝光裝置及曝光方法，適於以能量束使物體曝光，以在該物體形成圖案。
AF‧‧‧檢測區域
AL1‧‧‧第一對準系統
AL21 ~AL24 ‧‧‧第二對準系統
AX‧‧‧光軸
BA‧‧‧照射區域
CL‧‧‧中心線
FM‧‧‧基準標記
IA‧‧‧曝光區域
IAR‧‧‧照明區域
IL‧‧‧曝光用照明光
LB‧‧‧雷射光束
LB1 ,LB2 ‧‧‧光束
LD‧‧‧半導體雷射
LH‧‧‧直線
LL‧‧‧中心線
LP‧‧‧裝載位置
Lq‧‧‧液體
LV‧‧‧直線
L1,L2a,L2b‧‧‧透鏡
M‧‧‧基準標記
MST‧‧‧測量載台
O‧‧‧旋轉中心
PBS‧‧‧偏光分束器
PDX1 ~PDX4 ,PDY1 ,PDY2 ‧‧‧檢測裝置
PL‧‧‧投影光學系統
PU‧‧‧投影單元
R‧‧‧標線片
RG‧‧‧繞射光柵
RST‧‧‧標線片載台
R1a,R1b,R2a,R2b‧‧‧反射鏡
SL‧‧‧空間像測量狹縫圖案
UP‧‧‧卸載位置
W‧‧‧晶圓
WP1a,WP1b‧‧‧λ/4板
WST‧‧‧晶圓載台
5‧‧‧液體供應裝置
6‧‧‧液體回收裝置
8‧‧‧局部液浸裝置
10‧‧‧照明系統
11‧‧‧標線片載台驅動系統
12‧‧‧基座
14‧‧‧液浸區域
16,18‧‧‧Y軸干涉儀
17a,17b‧‧‧反射面
19a,19b‧‧‧反射面
20‧‧‧主控制裝置
28‧‧‧板體
28a‧‧‧第1撥液區域
28b‧‧‧第2撥液區域
29a,29b‧‧‧板狀構件
30‧‧‧測量板
31A‧‧‧液體供應管
31B‧‧‧液體回收管
32‧‧‧嘴單元
39X1 ,39X2 ‧‧‧X標尺
39Y1 ,39Y2 ‧‧‧Y標尺
40‧‧‧鏡筒
45‧‧‧空間像測量裝置
46‧‧‧CD桿
50‧‧‧載台裝置
52‧‧‧基準格子
54‧‧‧支持構件
61‧‧‧送光部
62A~62D‧‧‧讀頭單元
63‧‧‧反射鏡
64‧‧‧Y讀頭
64a‧‧‧照射系統
64b‧‧‧光學系統
64c‧‧‧受光系統
64y1 ,64y2 ‧‧‧Y讀頭
65‧‧‧受光透鏡
66‧‧‧X讀頭
67‧‧‧影像感測器
68‧‧‧調整裝置
69A‧‧‧照射系統
69B‧‧‧受光系統
70A,70C‧‧‧Y線性編碼器
70B,70D‧‧‧X線性編碼器
70E,70F‧‧‧Y編碼器
72a~72d‧‧‧Z感測器
741 ~746 ,761 ~766 ‧‧‧Z感測器
90a‧‧‧照射系統
90b‧‧‧受光系統
94‧‧‧照度偏差感測器
96‧‧‧空間像測量器
98‧‧‧波面像差測量器
99‧‧‧感測器群
100‧‧‧曝光裝置
116‧‧‧標線片干涉儀
118‧‧‧干涉儀系統
124‧‧‧載台驅動系統
126,130‧‧‧X軸干涉儀
191‧‧‧前端透鏡
200‧‧‧編碼器系統
圖1係顯示一實施形態之曝光裝置的概略圖。
圖2係顯示圖1之載台裝置的俯視圖。
圖3係顯示圖1之曝光裝置所具備之各種測量裝置(編碼器、對準系統、多點AF系統等)之配置的俯視圖。
圖4A係顯示圖3之檢測裝置之構成的立體圖，圖4B係顯示從圖4A之送光系統射出之檢測束對標尺之入射狀態的圖。
圖5係顯示一實施形態之曝光裝置之控制系統之主要構成的方塊圖。
圖6A及圖6B係用以說明分別包含配置成陣列狀之複 數個讀頭之複數個編碼器對晶圓載台在XY平面內之位置測量及讀頭間之測量值之接續的圖。
圖7A係顯示編碼器之構成之一例的圖，圖7B係顯示使用較長地延伸於格子RG之周期方向之截面形狀之雷射束LB作為檢測光時的圖。
圖8係顯示對晶圓載台上之晶圓進行步進掃描方式之曝光之狀態下晶圓載台及測量載台之狀態的圖。
圖9係顯示在晶圓載台側，對晶圓之曝光結束之階段之晶圓載台及測量載台之狀態的圖。
圖10係顯示曝光結束後，從晶圓載台與測量載台分離之狀態移行至兩載台彼此接觸之狀態後一刻之兩載台之狀態的圖。
圖11係顯示一邊保持晶圓載台與測量載台在Y軸方向之位置關係、一邊使測量載台往－Y方向移動且使晶圓載台往卸載位置移動時兩載台之狀態的圖。
圖12係顯示測量載台在到達將進行Sec－BCHK(時距)之位置時晶圓載台與測量載台之狀態的圖。
圖13係顯示與進行Sec－BCHK(時距)同時將晶圓載台從卸載位置移動至裝載位置時晶圓載台與測量載台之狀態的圖。
圖14係顯示測量載台往最佳急停待機位置移動、晶圓裝載於晶圓載台上時晶圓載台與測量載台之狀態的圖。
圖15係顯示測量載台在最佳急停待機位置待機中、晶圓載台往進行Pri－BCHK前半之處理之位置移動時兩載台 之狀態的圖。
圖16係顯示使用對準系統AL1,AL22 ,AL23 ，來同時檢測附設於三個第一對準照射區域之對準標記時晶圓載台與測量載台之狀態的圖。
圖17係使用對準系統AL1,AL21 ~AL24 ，來同時檢測附設於五個第二對準照射區域之對準標記時晶圓載台與測量載台之狀態的圖。
圖18係顯示使用對準系統AL1,AL21 ~AL24 ，來同時檢測附設於五個第三對準照射區域之對準標記時晶圓載台與測量載台之狀態的圖。
圖19係顯示使用對準系統AL1,AL22 ,AL23 ，來同時檢測附設於三個第四對準照射區域之對準標記時晶圓載台與測量載台之狀態的圖。
圖20係顯示聚焦映射結束時晶圓載台與測量載台之狀態的圖。
圖21係顯示曝光動作中之晶圓載台與測量載台之狀態的圖。
BA‧‧‧照射區域
PDY1 ‧‧‧檢測裝置
11‧‧‧異物
39Y2 ‧‧‧標尺
61‧‧‧送光部
63‧‧‧反射鏡
65‧‧‧受光透鏡
67‧‧‧影像感測器
69A‧‧‧照射系統
69B‧‧‧受光系統

Claims (19)

  1. 一種曝光裝置，係以能量束使移動體所保持之物體曝光，其具備：編碼器系統，於該移動體設置測量構件與讀頭構件之一者，且另一者與該移動體相對向設置，使用與該測量構件相對向之該讀頭構件之複數個讀頭測量該移動體的位置資訊；檢測裝置，檢測關於該測量構件表面狀態之資訊；以及控制裝置，根據該所測量之位置資訊控制該移動體之位置，且根據該檢測結果決定該測量所使用之複數個讀頭，在該移動體之移動中將該測量所使用之複數個讀頭切換成該決定之複數個讀頭。
  2. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該檢測裝置對該測量構件之檢測動作之至少一部分，係與包含該物體之曝光動作、對準動作、及移動動作之至少一者之其他動作同時進行。
  3. 如申請專利範圍第2項之曝光裝置，其中，該檢測結果包含關於該測量構件上異物之資訊；該控制裝置根據該檢測結果判斷是否繼續該其他動作，在判斷繼續該其他動作時，在該動作中，不使用與該異物對向之讀頭，避開異物地選擇用於該測量之複數個讀頭。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之曝光裝置，其 中，該檢測結果包含關於該測量構件上異物之資訊；進一步具備異物除去裝置，該異物除去裝置根據該檢測結果判斷是否進行該測量構件上異物之除去，在判斷進行該測量構件上異物之除去時，在該其他動作結束後或中止該其他動作，除去該測量構件上異物。
  5. 如申請專利範圍第4項之曝光裝置，其進一步具備射出該能量束的光學構件、及在該光學構件與該物體之間形成液浸區域的液浸系統；該異物除去裝置包含該液浸系統。
  6. 如申請專利範圍第5項之曝光裝置，其中，該測量構件係設於該移動體，且其表面係藉由該移動體之移動與該液浸區域接觸。
  7. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之曝光裝置，其中，該測量構件係設於該移動體之上方，該檢測裝置係設成可相對該測量構件移動。
  8. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之曝光裝置，其中，該編碼器系統，係對該測量構件之格子面照射測量光束，以測量該移動體在既定平面內之位置資訊。
  9. 如申請專利範圍第8項之曝光裝置，其中，該測量構件之該格子面與該表面不同。
  10. 一種曝光方法，係以能量束使移動體所保持之物體曝光，其特徵在於，包含：測量步驟，使用編碼器系統測量該移動體之位置資訊，該編碼器系統，於該移動體設置測量構件與讀頭構件 之一者，且另一者與該移動體相對向設置，使用與該測量構件相對向之該讀頭構件之複數個讀頭測量該移動體的位置資訊；檢測步驟，使用檢測裝置檢測關於該測量構件表面狀態之資訊；以及控制步驟，根據該所測量之位置資訊控制該移動體之位置，且根據該檢測結果決定該測量所使用之複數個讀頭，在該移動體之移動中將該測量所使用之複數個讀頭切換成該決定之複數個讀頭。
  11. 如申請專利範圍第10項之曝光方法，其中，該檢測裝置對該測量構件之檢測動作之至少一部分，係與包含該物體之曝光動作、對準動作、及移動動作之至少一者之其他動作同時進行。
  12. 如申請專利範圍第11項之曝光方法，其中，該檢測結果包含關於該測量構件上異物之資訊；在該控制步驟，根據該檢測結果判斷是否繼續該其他動作，在判斷繼續該其他動作時，在該動作中，不使用與該異物對向之讀頭，避開異物地選擇用於該測量之複數個讀頭。
  13. 如申請專利範圍第10至12項中任一項之曝光方法，其中，該檢測結果包含關於該測量構件上異物之資訊；進一步包含異物除去步驟，該異物除去步驟根據該檢測結果判斷是否進行該測量構件上異物之除去，在判斷進行該測量構件上異物之除去時，在該其他動作結束後或中 止該其他動作，除去該測量構件上異物。
  14. 如申請專利範圍第13項之曝光方法，其中，係在射出該能量束之光學構件與該物體之間形成液浸區域之狀態下進行該物體的曝光；在該異物除去步驟，藉由形成該液浸區域之液體除去該測量構件上異物。
  15. 如申請專利範圍第14項之曝光方法，其中，該測量構件係設於該移動體，且其表面係藉由該移動體之移動與該液浸區域接觸。
  16. 如申請專利範圍第10至12項中任一項之曝光方法，其中，該測量構件係設於該移動體之上方，該檢測裝置係設成可相對該測量構件移動。
  17. 如申請專利範圍第10至12項中任一項之曝光方法，其中，該編碼器系統，係對該測量構件之格子面照射測量光束，以測量該移動體在既定平面內之位置資訊。
  18. 如申請專利範圍第17項之曝光方法，其中，該測量構件之該格子面與該表面不同。
  19. 一種元件製造方法，其包含：藉由申請專利範圍第10至18項中任一項之曝光方法在物體上形成圖案的步驟；以及對形成有圖案之該物體施加處理的步驟。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI746669B (zh) * 2016-11-04 2021-11-21 日商濱松赫德尼古斯股份有限公司 半導體元件檢查裝置及半導體元件檢查方法

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8237919B2 (en) * 2007-08-24 2012-08-07 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method for continuous position measurement of movable body before and after switching between sensor heads
JP5446875B2 (ja) * 2007-12-17 2014-03-19 株式会社ニコン 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
NL1036618A1 (nl) * 2008-03-24 2009-09-25 Asml Netherlands Bv Encoder-type measurement system, lithograpic apparatus and method to detect an error on or in a grid or grating of an encoder-type measurement system.
US8786829B2 (en) * 2008-05-13 2014-07-22 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8817236B2 (en) 2008-05-13 2014-08-26 Nikon Corporation Movable body system, movable body drive method, pattern formation apparatus, pattern formation method, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8228482B2 (en) * 2008-05-13 2012-07-24 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
KR101947004B1 (ko) 2008-06-10 2019-02-12 엑스트랄리스 테크놀로지 리미티드 입자 검출
NL2003638A (en) * 2008-12-03 2010-06-07 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
US8773635B2 (en) * 2008-12-19 2014-07-08 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8599359B2 (en) 2008-12-19 2013-12-03 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, and carrier method
US8902402B2 (en) 2008-12-19 2014-12-02 Nikon Corporation Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8760629B2 (en) 2008-12-19 2014-06-24 Nikon Corporation Exposure apparatus including positional measurement system of movable body, exposure method of exposing object including measuring positional information of movable body, and device manufacturing method that includes exposure method of exposing object, including measuring positional information of movable body
NL2003845A (en) * 2008-12-19 2010-06-22 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, and patterning device for use in a lithographic process.
MY158884A (en) * 2009-05-01 2016-11-30 Xtralis Technologies Ltd Particle detectors
US8488109B2 (en) 2009-08-25 2013-07-16 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
US20110102761A1 (en) * 2009-09-28 2011-05-05 Nikon Corporation Stage apparatus, exposure apparatus, and device fabricating method
US20110096306A1 (en) * 2009-09-28 2011-04-28 Nikon Corporation Stage apparatus, exposure apparatus, driving method, exposing method, and device fabricating method
US20110096318A1 (en) * 2009-09-28 2011-04-28 Nikon Corporation Exposure apparatus and device fabricating method
US20110096312A1 (en) * 2009-09-28 2011-04-28 Nikon Corporation Exposure apparatus and device fabricating method
US20110128523A1 (en) * 2009-11-19 2011-06-02 Nikon Corporation Stage apparatus, exposure apparatus, driving method, exposing method, and device fabricating method
US20110123913A1 (en) * 2009-11-19 2011-05-26 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method
US8488106B2 (en) * 2009-12-28 2013-07-16 Nikon Corporation Movable body drive method, movable body apparatus, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
NL2006127A (en) * 2010-02-17 2011-08-18 Asml Netherlands Bv A substrate table, a lithographic apparatus and a method for manufacturing a device using a lithographic apparatus.
US9207549B2 (en) 2011-12-29 2015-12-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method with encoder of higher reliability for position measurement
RU2495372C1 (ru) * 2012-03-21 2013-10-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технологический университет "СТАНКИН" (ФГБОУ ВПО МГТУ "СТАНКИН") Устройство для получения изображения микрорельефа объекта
JP6562707B2 (ja) * 2015-05-13 2019-08-21 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法
TWI582428B (zh) * 2015-10-05 2017-05-11 Pre - scan based track correction focusing leveling device and method
CN105891215B (zh) * 2016-03-31 2019-01-29 浙江工业大学 基于卷积神经网络的焊接视觉检测方法及装置
KR102556130B1 (ko) * 2016-09-27 2023-07-14 가부시키가이샤 니콘 결정 방법 및 장치, 프로그램, 정보 기록 매체, 노광 장치, 레이아웃 정보 제공 방법, 레이아웃 방법, 마크 검출 방법, 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법
JP6517309B1 (ja) * 2017-11-24 2019-05-22 浜松ホトニクス株式会社 異物除去方法、及び光検出装置の製造方法
WO2020090075A1 (ja) * 2018-10-31 2020-05-07 株式会社ニコン 加工システム、及び、加工方法
KR102221447B1 (ko) * 2019-09-24 2021-03-02 주식회사 커미조아 판재결함 검출방법 및 장치
CN113109349B (zh) * 2021-03-23 2023-12-26 深圳中科飞测科技股份有限公司 检测方法、系统、设备及计算机可读存储介质

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0545297A (ja) * 1990-10-02 1993-02-23 Hitachi Electron Eng Co Ltd 面板異物検査装置
JPH06317534A (ja) * 1992-04-27 1994-11-15 Canon Inc 検査装置と検査方法、並びにこれを用いたシステム
JPH07270122A (ja) * 1994-03-30 1995-10-20 Canon Inc 変位検出装置、該変位検出装置を備えた露光装置およびデバイスの製造方法
JPH11344361A (ja) * 1998-06-03 1999-12-14 Olympus Optical Co Ltd 光学式エンコーダ
JP2003028673A (ja) * 2001-07-10 2003-01-29 Canon Inc 光学式エンコーダ、半導体製造装置、デバイス製造方法、半導体製造工場および半導体製造装置の保守方法
WO2007007746A1 (ja) * 2005-07-11 2007-01-18 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法

Family Cites Families (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57117238A (en) 1981-01-14 1982-07-21 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer
JPS6144429A (ja) 1984-08-09 1986-03-04 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 位置合わせ方法、及び位置合せ装置
US4780617A (en) 1984-08-09 1988-10-25 Nippon Kogaku K.K. Method for successive alignment of chip patterns on a substrate
JP3339856B2 (ja) * 1990-04-02 2002-10-28 株式会社日立製作所 異物検出方法及びそれを用いた半導体装置製造方法
US5463459A (en) * 1991-04-02 1995-10-31 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for analyzing the state of generation of foreign particles in semiconductor fabrication process
KR100300618B1 (ko) 1992-12-25 2001-11-22 오노 시게오 노광방법,노광장치,및그장치를사용하는디바이스제조방법
JP3316833B2 (ja) 1993-03-26 2002-08-19 株式会社ニコン 走査露光方法、面位置設定装置、走査型露光装置、及び前記方法を使用するデバイス製造方法
US5877897A (en) * 1993-02-26 1999-03-02 Donnelly Corporation Automatic rearview mirror, vehicle lighting control and vehicle interior monitoring system using a photosensor array
AU5067898A (en) 1996-11-28 1998-06-22 Nikon Corporation Aligner and method for exposure
JP4029182B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 露光方法
JP4029183B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
EP0890136B9 (en) 1996-12-24 2003-12-10 ASML Netherlands B.V. Two-dimensionally balanced positioning device with two object holders, and lithographic device provided with such a positioning device
JPH1116816A (ja) 1997-06-25 1999-01-22 Nikon Corp 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法
US6208407B1 (en) 1997-12-22 2001-03-27 Asm Lithography B.V. Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement
IL138374A (en) 1998-03-11 2004-07-25 Nikon Corp An ultraviolet laser device and an exposure device that includes such a device
WO1999060361A1 (fr) 1998-05-19 1999-11-25 Nikon Corporation Instrument et procede de mesure d'aberrations, appareil et procede de sensibilisation par projection incorporant cet instrument, et procede de fabrication de dispositifs associe
WO2001035168A1 (en) 1999-11-10 2001-05-17 Massachusetts Institute Of Technology Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams
KR20010085493A (ko) 2000-02-25 2001-09-07 시마무라 기로 노광장치, 그 조정방법, 및 상기 노광장치를 이용한디바이스 제조방법
JP2001313250A (ja) 2000-02-25 2001-11-09 Nikon Corp 露光装置、その調整方法、及び前記露光装置を用いるデバイス製造方法
US6639686B1 (en) 2000-04-13 2003-10-28 Nanowave, Inc. Method of and apparatus for real-time continual nanometer scale position measurement by beam probing as by laser beams and the like of atomic and other undulating surfaces such as gratings or the like relatively moving with respect to the probing beams
US20020041377A1 (en) 2000-04-25 2002-04-11 Nikon Corporation Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2002014005A (ja) 2000-04-25 2002-01-18 Nikon Corp 空間像計測方法、結像特性計測方法、空間像計測装置及び露光装置
US6611316B2 (en) 2001-02-27 2003-08-26 Asml Holding N.V. Method and system for dual reticle image exposure
TW529172B (en) 2001-07-24 2003-04-21 Asml Netherlands Bv Imaging apparatus
EP1478010A4 (en) 2002-01-29 2007-12-12 Nikon Corp PICTURE CONTROL STATE SETUP SYSTEM, EXPOSURE METHOD, EXPOSURE DEVICE, PROGRAM AND INFORMATION RECORDING MEDIUM
WO2004019128A2 (en) 2002-08-23 2004-03-04 Nikon Corporation Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same
JP3977324B2 (ja) 2002-11-12 2007-09-19 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置
EP1420298B1 (en) 2002-11-12 2013-02-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
JP2006134365A (ja) 2002-12-17 2006-05-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光記録媒体および光記録方法
EP1732075A3 (en) 2002-12-19 2007-02-21 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for irradiating spots on a layer
TW200500813A (en) 2003-02-26 2005-01-01 Nikon Corp Exposure apparatus and method, and method of producing device
KR101516142B1 (ko) 2003-05-06 2015-05-04 가부시키가이샤 니콘 투영 광학계, 노광 장치 및 노광 방법
US7317504B2 (en) * 2004-04-08 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005029559A1 (ja) 2003-09-19 2005-03-31 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
JP2005114406A (ja) 2003-10-03 2005-04-28 Sendai Nikon:Kk 光学式エンコーダ
US7102729B2 (en) 2004-02-03 2006-09-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, measurement system, and device manufacturing method
EP3462241A1 (en) 2004-06-21 2019-04-03 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and method for producing a device
JP4677833B2 (ja) * 2004-06-21 2011-04-27 株式会社ニコン 露光装置、及びその部材の洗浄方法、露光装置のメンテナンス方法、メンテナンス機器、並びにデバイス製造方法
US7463330B2 (en) * 2004-07-07 2008-12-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1794650A4 (en) 2004-09-30 2008-09-10 Nikon Corp OPTICAL PROJECTION DEVICE AND EXPOSURE DEVICE
US7515281B2 (en) 2005-04-08 2009-04-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7348574B2 (en) 2005-09-02 2008-03-25 Asml Netherlands, B.V. Position measurement system and lithographic apparatus
EP2801864B8 (en) 2006-01-19 2015-11-04 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
CN101980085B (zh) 2006-02-21 2012-11-07 株式会社尼康 曝光装置、曝光方法及组件制造方法
US8908145B2 (en) 2006-02-21 2014-12-09 Nikon Corporation Pattern forming apparatus and pattern forming method, movable body drive system and movable body drive method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method
JP5177674B2 (ja) 2006-02-21 2013-04-03 株式会社ニコン 測定装置及び方法、パターン形成装置及び方法、並びにデバイス製造方法
US20080044638A1 (en) 2006-03-02 2008-02-21 Fred Ratel Nanostructured Metal Oxides
US7483120B2 (en) 2006-05-09 2009-01-27 Asml Netherlands B.V. Displacement measurement system, lithographic apparatus, displacement measurement method and device manufacturing method
US7969548B2 (en) * 2006-05-22 2011-06-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and lithographic apparatus cleaning method

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0545297A (ja) * 1990-10-02 1993-02-23 Hitachi Electron Eng Co Ltd 面板異物検査装置
JPH06317534A (ja) * 1992-04-27 1994-11-15 Canon Inc 検査装置と検査方法、並びにこれを用いたシステム
JPH07270122A (ja) * 1994-03-30 1995-10-20 Canon Inc 変位検出装置、該変位検出装置を備えた露光装置およびデバイスの製造方法
JPH11344361A (ja) * 1998-06-03 1999-12-14 Olympus Optical Co Ltd 光学式エンコーダ
JP2003028673A (ja) * 2001-07-10 2003-01-29 Canon Inc 光学式エンコーダ、半導体製造装置、デバイス製造方法、半導体製造工場および半導体製造装置の保守方法
WO2007007746A1 (ja) * 2005-07-11 2007-01-18 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI746669B (zh) * 2016-11-04 2021-11-21 日商濱松赫德尼古斯股份有限公司 半導體元件檢查裝置及半導體元件檢查方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20090004580A1 (en) 2009-01-01
KR20100028015A (ko) 2010-03-11
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TW200915010A (en) 2009-04-01
WO2008149913A1 (en) 2008-12-11
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US8098362B2 (en) 2012-01-17

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