JP2009117842A - 移動体装置、パターン形成装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法 - Google Patents

移動体装置、パターン形成装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2009117842A
JP2009117842A JP2008286012A JP2008286012A JP2009117842A JP 2009117842 A JP2009117842 A JP 2009117842A JP 2008286012 A JP2008286012 A JP 2008286012A JP 2008286012 A JP2008286012 A JP 2008286012A JP 2009117842 A JP2009117842 A JP 2009117842A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
measurement
head
moving body
scale
heads
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008286012A
Other languages
English (en)
Inventor
Yuho Kanatani
有歩 金谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Publication of JP2009117842A publication Critical patent/JP2009117842A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70775Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01DMEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01D5/00Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
    • G01D5/26Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light
    • G01D5/32Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light with attenuation or whole or partial obturation of beams of light
    • G01D5/34Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light with attenuation or whole or partial obturation of beams of light the beams of light being detected by photocells
    • G01D5/347Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light with attenuation or whole or partial obturation of beams of light the beams of light being detected by photocells using displacement encoding scales

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

【課題】2次元平面内を移動する移動体の位置を安定かつ高精度に計測する。
【解決手段】投影ユニットPUの+X,−X側にそれぞれ複数のYヘッド65,64を、常時各2つのヘッドが対になってウエハステージ上の一対のYスケールに対向するように、Yスケールの有効幅の半分以下の間隔WDで、X軸と平行に配列する。同様に、投影ユニットPUの+Y,−Y側にそれぞれ複数のXヘッド66を、常時各2つのヘッドが対になってXスケールに対向するように、間隔WDで、Y軸と平行に配列する。同時にスケールに対向する2つのヘッドからなるヘッド対のうち、優先ヘッドの計測値を、優先ヘッドの計測値がスケール表面に付着したゴミなどに起因して異常な場合には他方のヘッドの計測値を、使用する。2つのYヘッド対と1つのXヘッド対とを用いてウエハステージの2次元平面内での位置を、安定かつ高精度に計測する。
【選択図】図5

Description

本発明は、移動体装置、パターン形成装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法に係り、更に詳しくは、実質的に所定平面に沿って移動する移動体を備える移動体装置、移動体に載置される物体上にパターンを形成するパターン形成装置、及びエネルギビームを照射することによって物体にパターンを形成する露光装置、並びに該露光装置を用いるデバイス製造方法に関する。
従来、半導体素子、液晶表示素子等のマイクロデバイス(電子デバイスなど)を製造するリソグラフィ工程では、ステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置(いわゆるステッパ)、あるいはステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置(いわゆるスキャニング・ステッパ(スキャナとも呼ばれる))などが、主として用いられている。
この種の投影露光装置では、被露光基板、例えばウエハを保持するステージの位置は、レーザ干渉計を用いて計測されるのが、一般的であった。しかるに、半導体素子の高集積化に伴う、パターンの微細化により、要求される性能が厳しくなり、例えば重ね合わせ誤差についてみると、総合的な重ね合わせ誤差の許容値が数nmのオーダーとなり、ステージの位置制御誤差の許容値もサブナノオーダー以下となり、今や、レーザ干渉計のビーム路上の雰囲気の温度変化及び/又は温度勾配の影響で発生する空気揺らぎに起因する計測値の短期的な変動が無視できなくなってきた。
そこで、最近では、干渉計に比べて空気揺らぎの影響を受け難い高分解能のエンコーダが注目されるようになっており、該エンコーダをウエハステージ等の位置計測に用いる露光装置に関する発明が、提案されている(例えば特許文献1参照)。
上記国際公開第2007/097379号パンフレットに開示される露光装置などでは、ウエハステージ上面に設けられたスケール(グレーティング)を用いてウエハステージ等の位置計測が行われる。しかし、ウエハステージ上面にスケール(グレーティング)を設ける場合、そのスケールの表面に異物(ゴミ等)が付着し、その異物によってエンコーダヘッドの計測ビームが遮られ、あるいは乱反射されて、無視できない程度の計測精度の低下が発生するおそれがあることが、最近になって判明した。
国際公開第2007/097379号パンフレット
本発明の第1の態様によれば、実質的に所定平面に沿って移動する移動体を含む移動体装置であって、前記移動体と該移動体の外部との一方に配置され、前記所定平面と平行な面内の第1方向を長手方向とし、前記第1方向と直交する第2方向に所定幅を有する格子部を有するスケールと;前記移動体の移動領域に配置される複数の計測点を有し、前記複数の計測点のうちのn点(ただしnは2以上の整数)以上が前記スケール上の前記所定幅内に位置するとともに、前記移動体が所定位置にあるときには前記複数の計測点のうちのn+1点以上が前記スケール上の前記所定幅内に位置するように定められ、前記所定幅のスケール上に配置された計測点に計測光を照射することによって前記格子部の周期方向に関する前記スケールの位置情報を計測する計測装置と;前記スケールの前記所定幅内に位置する前記n点以上の計測点、又は前記移動体が前記所定位置にあるときに前記スケールの所定幅内に位置する前記n+1点以上の計測点、のうちの第1計測点での計測情報を含む第1計測情報を優先的に用いて前記移動体の位置制御を行うとともに、前記スケールの前記所定幅内に位置する計測点での計測情報に前記スケールの異常に起因して異常が生じた場合、前記移動体の位置制御に優先的に用いる計測情報を前記第1計測点とは異なる第2計測点での計測情報を含む第2計測情報に切り換える制御装置と;を備える第1の移動体装置が提供される。
これによれば、計測装置が有する複数の計測点のうちのn点(ただしnは2以上の整数)以上がスケール上の所定幅内に位置するとともに、移動体が所定位置にあるときにはn+1点以上がスケール上の所定幅内に位置する。そのため、少なくとも1つの計測点において、スケールが有する格子部の周期方向に関する移動体の位置情報を計測することが可能になる。また、スケール上の所定幅内に位置するn点以上、移動体が所定位置にあるときにはn+1点以上の計測点の一部での計測情報に、スケールの異常に起因する異常が生じた場合、制御装置により、移動体の位置制御に優先的に用いる計測情報が第1計測点とは異なる第2計測点での計測情報を含む第2計測情報に切り換えられる。これにより、スケールが有する格子部の周期方向に関する移動体の位置情報を確実に計測することが可能となる。
本発明の第2の態様によれば、実質的に所定平面に沿って移動する移動体を含む移動体装置であって、前記移動体と該移動体の外部との一方に配置され、前記所定平面と平行な面内の第1方向を長手方向とし、前記第1方向と直交する第2方向に所定幅を有する格子部を有するスケールと;前記移動体の移動領域に配置される複数の計測点を有し、前記複数の計測点で前記格子部の周期方向に関する前記スケールの位置情報を計測するとともに、第1計測点に対して計測光を照射する第1ヘッドと、前記第1計測点、又はその近傍に計測光を照射する第2ヘッドとを含むヘッドセットを複数有する計測装置と;前記第1ヘッドが生成する計測情報を優先的に使用して前記移動体の位置を制御するとともに、前記第1ヘッドが生成する計測情報に前記スケールの異常より異常が生じた場合、優先的に使用する計測情報を、前記第1ヘッドが生成する計測情報から前記第2ヘッドが生成する計測情報に、切り換える制御装置と;を備える第2の移動体装置が提供される。
これによれば、計測装置は、複数の計測点のうちの第1計測点に対して計測光を照射する第1ヘッドと、第1計測点又はその近傍に計測光を照射する第2ヘッドとを含むヘッドセットを複数有する。また、ヘッドセットに含まれる第1ヘッドと第2ヘッドのうち、一方のヘッドの計測情報に、スケールの異常に起因する異常が生じた場合、制御装置により、優先的に使用する計測情報が、第1ヘッドが生成する計測情報から第2ヘッドが生成する計測情報に、切り換えられる。従って、複数のヘッドセットを有する計測装置を用いることにより、スケールが有する格子部の周期方向に関する移動体の位置情報を確実に計測することが可能となる。
本発明の第3の態様によれば、実質的に所定平面に沿って移動する移動体を含む移動体装置であって、前記移動体と該移動体の外部との一方に配置され、前記所定平面と平行な面内の第1方向を長手方向とし、前記第1方向と直交する第2方向に所定幅を有する格子部を有するスケールと;前記移動体の移動範囲内に配置された複数の計測点で、前記所定平面内の1自由度方向に関する前記移動体の位置情報を計測するとともに、前記移動体が所定位置に位置するときに前記複数の計測点のうちの少なくとも1つに計測光を照射して計測情報を生成する複数のヘッドを備える計測装置と;前記1つの計測点に計測光を照射する複数のヘッドのうちの第1ヘッドが生成する計測情報を優先的に使用して前記移動体の位置を制御するとともに、前記第1ヘッドが生成する計測情報に前記スケールの異常により異常が生じた場合、優先的に使用する計測情報を、前記第1ヘッドが生成する計測情報から、前記複数のヘッドのうちの第2ヘッドが生成する計測情報に切り換える制御装置と;を備える第3の移動体装置が提供される。
これによれば、計測装置は、移動体が所定位置に位置するときに、複数の計測点のうちの少なくとも1つに計測光を照射して計測情報を生成する複数のヘッドを備える。そのため、少なくとも1つの計測点において、所定平面内の1自由度方向に関する移動体の位置情報を計測することが可能になる。また、制御装置により、第1ヘッドが生成する計測情報にスケールの異常に起因して異常が生じた場合、優先的に使用する計測情報が、第1ヘッドが生成する計測情報から、複数のヘッドのうちの第2ヘッドが生成する計測情報に切り換えられる。従って、所定平面内の1自由度方向に関する移動体の位置情報を確実に計測することが可能となる。
本発明の第4の態様によれば、物体にパターンを形成するパターン形成装置であって、前記物体上にパターンを形成するパターニング装置と;前記物体が前記移動体に載置される本発明の移動体装置(正確には、第1、第2、第3の移動体装置のいずれか)と;を備えるパターン形成装置が提供される。
これによれば、本発明の移動体装置の一部を構成する、計測方向に関する位置情報を確実に計測できる移動体上の物体に、パターニング装置によりパターンが生成される。従って、物体上に精度良くパターンを形成することが可能になる。
本発明の第5の態様によれば、エネルギビームを照射することによって物体にパターンを形成する露光装置であって、前記物体に前記エネルギビームを照射するパターニング装置と;前記物体が前記移動体に載置される本発明の移動体装置と;前記エネルギビームに対して前記物体を相対移動させるために、前記移動体を駆動する駆動装置と;を備える露光装置が提供される。
これによれば、パターニング装置から物体に照射されるエネルギビームに対して物体を相対移動させるために、駆動装置により、物体を載置する移動体が精度良く駆動される。従って、走査露光により、物体上に精度良くパターンを形成することが可能になる。
本発明の第6の態様によれば、本発明の露光装置を用いるデバイス製造方法が提供される。
以下、本発明の一実施形態について、図1〜図9(B)に基づいて説明する。
図1には、一実施形態の露光装置100の構成が概略的に示されている。露光装置100は、ステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置、いわゆるスキャナである。後述するように、本実施形態では投影光学系PLが設けられており、以下においては、投影光学系PLの光軸AXと平行な方向をZ軸方向、これに直交する面内でレチクルとウエハとが相対走査される方向をY軸方向、Z軸及びY軸に直交する方向をX軸方向と、X軸、Y軸、及びZ軸回りの回転(傾斜)方向をそれぞれθx、θy、及びθz方向として説明を行う。
露光装置100は、照明系10、レチクルステージRST、投影ユニットPU、ウエハステージWST及び計測ステージMSTを有するステージ装置50、及びこれらの制御系等を備えている。露光装置100は、後述するエンコーダシステムの構成など一部が相違するが、全体的には、前述の国際公開第2007/097379号パンフレット(及びこれに対応する米国特許出願公開第2008/0088843号明細書)に開示される、露光装置と同様に構成されている。従って、以下では、特に必要な場合を除き、構成各部について簡略化して説明を行なうものとする。なお、図1において、ウエハステージWST上には、ウエハWが載置されている。
照明系10は、例えば米国特許出願公開第2003/0025890号明細書などに開示されるように、光源と、オプティカルインテグレータ等を含む照度均一化光学系、レチクルブラインド等(いずれも不図示)を有する照明光学系とを含む。照明系10は、レチクルブラインド(マスキングシステム)で規定されたレチクルR上のスリット状の照明領域IARを照明光(露光光)ILによりほぼ均一な照度で照明する。ここで、照明光ILとしては、一例としてArFエキシマレーザ光(波長193nm)が用いられている。
レチクルステージRST上には、回路パターンなどがそのパターン面(図1における下面)に形成されたレチクルRが、例えば真空吸着により固定されている。レチクルステージRSTは、例えばリニアモータ等を含むレチクルステージ駆動系11(図1では不図示、図7参照)によって、XY平面内で微少駆動可能であるとともに、走査方向(図1における紙面内左右方向であるY軸方向)に所定の走査速度で駆動可能となっている。
レチクルステージRSTのXY平面(移動面)内の位置情報(θz方向の回転情報を含む)は、レチクルレーザ干渉計(以下、「レチクル干渉計」という)116によって、移動鏡15(実際には、Y軸方向に直交する反射面を有するY移動鏡(あるいは、レトロリフレクタ)とX軸方向に直交する反射面を有するX移動鏡とが設けられている)を介して、例えば0.25nm程度の分解能で常時検出される。レチクル干渉計116の計測値は、主制御装置20(図1では不図示、図7参照)に送られる。
投影ユニットPUは、レチクルステージRSTの図1における下方に配置されている。投影ユニットPUは、鏡筒40と、鏡筒40内に所定の位置関係で保持された複数の光学素子を有する投影光学系PLと、を含む。投影光学系PLとしては、例えば、Z軸方向と平行な光軸AXに沿って配列される複数のレンズ(レンズエレメント)から成る屈折光学系が用いられている。投影光学系PLは、例えば両側テレセントリックで所定の投影倍率(例えば1/4倍、1/5倍又は1/8倍など)を有する。このため、照明系10からの照明光ILによって照明領域IARが照明されると、投影光学系PLの第1面(物体面)とパターン面がほぼ一致して配置されるレチクルRを通過した照明光ILにより、投影光学系PL(投影ユニットPU)を介してその照明領域IAR内のレチクルRの回路パターンの縮小像(回路パターンの一部の縮小像)が、投影光学系PLの第2面(像面)側に配置される、表面にレジスト(感応剤)が塗布されたウエハW上の前記照明領域IARに共役な領域(以下、露光領域とも呼ぶ)IAに形成される。そして、レチクルステージRSTとウエハステージWSTとの同期駆動によって、照明領域IAR(照明光IL)に対してレチクルRを走査方向(Y軸方向)に相対移動させるとともに、露光領域(照明光IL)に対してウエハWを走査方向(Y軸方向)に相対移動させることで、ウエハW上の1つのショット領域(区画領域)の走査露光が行われ、そのショット領域にレチクルRのパターンが転写される。すなわち、本実施形態では照明系10、レチクルR及び投影光学系PLによってウエハW上にパターンが生成され、照明光ILによるウエハW上の感応層(レジスト層)の露光によってウエハW上にそのパターンが形成される。
本実施形態の露光装置100には、液浸方式の露光を行うために、局所液浸装置8が設けられている。局所液浸装置8は、液体供給装置5、液体回収装置6(いずれも図1では不図示、図7参照)、液体供給管31A、液体回収管31B、及びノズルユニット32等を含む。ノズルユニット32は、図1に示されるように、投影光学系PLを構成する最も像面側(ウエハW側)の光学素子、ここではレンズ(以下、「先端レンズ」ともいう)191を保持する鏡筒40の下端部周囲を取り囲むように、投影ユニットPUを保持する不図示のメインフレームに吊り下げ支持されている。本実施形態では、ノズルユニット32は、図1に示されるように、その下端面が先端レンズ191の下端面とほぼ同一面となるように設定されている。また、ノズルユニット32は、液体Lqの供給口及び回収口と、ウエハWが対向して配置され、かつ回収口が設けられる下面と、液体供給管31A及び液体回収管31Bとそれぞれ接続される供給流路及び回収流路とを備えている。液体供給管31Aと液体回収管31Bとは、図4に示されるように、平面視(上方から見て)でX軸方向及びY軸方向に対しておよそ45°傾斜し、投影ユニットPUの中心(投影光学系PLの光軸AX、本実施形態では前述の露光領域IAの中心とも一致)を通りかつY軸と平行な直線(基準軸)LVに関して対称な配置となっている。
液体供給管31Aは液体供給装置5(図1では不図示、図7参照)に、液体回収管31Bは液体回収装置6(図1では不図示、図7参照)に接続されている。ここで、液体供給装置5には、液体を貯蔵するタンク、加圧ポンプ、温度制御装置、液体の流量を制御するためのバルブ等が備えられている。液体回収装置6には、回収した液体を貯蔵するタンク、吸引ポンプ、液体の流量を制御するためのバルブ等が備えられている。
主制御装置20は、液体供給装置5(図7参照)を制御して、液体供給管31Aを介して先端レンズ191とウエハWとの間に液体を供給するとともに、液体回収装置6(図7参照)を制御して、液体回収管31Bを介して先端レンズ191とウエハWとの間から液体を回収する。このとき、主制御装置20は、供給される液体の量と回収される水の量とが常に等しくなるように、液体供給装置5と液体回収装置6を制御する。従って、先端レンズ191とウエハWとの間には、一定量の液体Lq(図1参照)が常に入れ替わって保持され、それにより液浸領域14(例えば図8(A)参照)が形成される。なお、投影ユニットPUの下方に後述する計測ステージMSTが位置する場合にも、同様に先端レンズ191と後述する計測テーブルとの間に液浸領域14を形成することができる。
本実施形態では、上記の液体として、ArFエキシマレーザ光(波長193nmの光)が透過する純水(以下、特に必要な場合を除いて、単に「水」と記述する)を用いるものとする。なお、ArFエキシマレーザ光に対する水の屈折率nは、ほぼ1.44である。水の中では、照明光ILの波長は、193nm×1/n=約134nmに短波長化される。
ステージ装置50は、図1に示されるように、ベース盤12の上方に配置されたウエハステージWST及び計測ステージMST、これらのステージWST,MSTの位置情報を計測する計測システム200(図7参照)、及びステージWST,MSTを駆動するステージ駆動系124(図7参照)等を備えている。計測システム200は、図7に示されるように、干渉計システム118、エンコーダシステム150及び面位置計測システム180などを含む。なお、干渉計システム118及びエンコーダシステム150等については、後に詳述する。
ウエハステージWST及び計測ステージMSTは、それぞれの底面に固定された不図示の複数の非接触軸受、例えばエアパッドにより数μm程度のクリアランスを介して、ベース盤12の上方に支持されている。また、ステージWST,MSTは、リニアモータ等を含むステージ駆動系124(図7参照)によって、独立してXY平面内で駆動可能である。
ウエハステージWSTは、ステージ本体91と、該ステージ本体91上に搭載されたウエハテーブルWTBとを含む。ウエハテーブルWTB及びステージ本体91は、リニアモータ及びZ・レベリング機構(ボイスコイルモータなどを含む)を含む駆動系によって、ベース盤12に対し、6自由度方向(X、Y、Z、θx,θy,θz)に駆動可能に構成されている。
ウエハテーブルWTBの上面の中央には、ウエハWを真空吸着等によって保持するウエハホルダ(不図示)が設けられている。ウエハホルダ(ウエハの載置領域)の外側には、図2(A)に示されるように、ウエハホルダよりも一回り大きな円形の開口が中央に形成され、かつ矩形状の外形(輪郭)を有するプレート(撥液板)28が設けられている。プレート28の表面は、液体Lqに対して撥液化処理されている(撥液面が形成されている)。なお、プレート28は、その表面の全部又は一部がウエハWの表面と同一面となるようにウエハテーブルWTB上面に設置されている。
プレート28は、中央に上述の円形の開口が形成された矩形の外形(輪郭)を有する第1撥液領域28aと、その周囲に配置された矩形枠状(環状)の第2撥液領域28bと、を有する。なお、本実施形態では、前述の如く液体Lqとして水が用いられているので、以下では第1及び第2撥液領域28a,28bをそれぞれ第1及び第2撥水板28a,28bとも呼ぶ。
第1撥水板28aの+Y側の端部には、計測プレート30が設けられている。この計測プレート30には、中央に基準マークFMが、それを挟むように一対の空間像計測スリットパターン(スリット状の計測用パターン)SLが、設けられている。そして、各空間像計測スリットパターンSLに対応して、それらを透過する照明光ILを、ウエハステージWST外部(後述する計測ステージMSTに設けられる受光系)に導く送光系(不図示)が設けられている。
第2撥水板28bには、後述のエンコーダシステムのためのスケールが形成されている。詳述すると、第2撥水板28bのX軸方向一側と他側(図2(A)における左右両側)の領域には、それぞれYスケール39Y1,39Y2が形成されている。Yスケール39Y1,39Y2はそれぞれ、例えばX軸方向を長手方向とする格子線38が所定ピッチでY軸に平行な方向(Y軸方向)に沿って形成される、Y軸方向を周期方向とする反射型の格子(例えば回折格子)によって構成されている。同様に、第2撥水板28bのY軸方向一側と他側(図2(A)における上下両側)の領域には、Yスケール39Y1及び39Y2に挟まれた状態でXスケール39X1,39X2がそれぞれ形成されている。Xスケール39X1,39X2はそれぞれ、例えばY軸方向を長手方向とする格子線37が所定ピッチでX軸に平行な方向(X軸方向)に沿って形成される、X軸方向を周期方向とする反射型の格子(例えば回折格子)によって構成されている。格子線37,38のピッチは、例えば1μmと設定される。なお、図2(A)では、図示の便宜のため、格子のピッチは、実際のピッチよりも大きく図示されている。その他の図においても同様である。
なお、回折格子を保護するために、撥水性をそなえた低熱膨張率のガラス板でカバーすることも有効である。ここで、ガラス板としては、厚さがウエハと同程度、例えば厚さ1mmのものを用いることができ、そのガラス板の表面がウエハ面と同じ高さ(面位置)になるよう、ウエハテーブルWST上面に設置される。
また、ウエハテーブルWTBの−Y端面,−X端面には、それぞれ鏡面加工が施され、図2(A)に示されるように、後述する干渉計システム118のための、反射面17a,17bが形成されている。
計測ステージMSTは、図1に示されるように、不図示のリニアモータ等によってXY平面内で駆動されるステージ本体92と、ステージ本体92上に搭載された計測テーブルMTBとを含んでいる。計測ステージMSTは、不図示の駆動系によりベース盤12に対し、少なくとも3自由度方向(X、Y、θz)に駆動可能に構成されている。
なお、図7では、ウエハステージWSTの駆動系と計測ステージMSTの駆動系とを含んで、ステージ駆動系124として示されている。
計測テーブルMTB(及びステージ本体92)には、各種計測用部材が設けられている。この計測用部材としては、例えば、図2(B)に示されるように、投影光学系PLの像面上で照明光ILを受光するピンホール状の受光部を有する照度むらセンサ94、投影光学系PLにより投影されるパターンの空間像(投影像)を計測する空間像計測器96、及び例えば国際公開第2003/065428号パンフレットなどに開示されているシャック−ハルトマン(Shack-Hartman)方式の波面収差計測器98、照度モニタ(不図示)などが設けられている。また、ステージ本体92には、前述の一対の送光系(不図示)に対向する配置で、一対の受光系(不図示)が設けられている。本実施形態では、ウエハステージWSTと計測ステージMSTとがY軸方向に関して所定距離以内に近接した状態(接触状態を含む)において、ウエハステージWST上の計測プレート30の各空間像計測スリットパターンSLを透過した照明光ILを各送光系(不図示)で案内し、計測ステージMST内の各受光系(不図示)の受光素子で受光する、空間像計測装置45(図7参照)が構成される。
計測テーブルMTBの−Y側端面には、図2(B)に示されるように、フィデューシャルバー(以下、「FDバー」と略述する)46がX軸方向に延設されている。FDバー46の長手方向の一側と他側の端部近傍には、センターラインCLに関して対称な配置で、Y軸方向を周期方向とする基準格子(例えば回折格子)52がそれぞれ形成されている。また、FDバー46の上面には、複数の基準マークMが形成されている。各基準マークMとしては、後述するプライマリアライメント系、セカンダリアライメント系によって検出可能な寸法の2次元マークが用いられている。なお、FDバー46の表面及び計測テーブルMTBの表面も撥液膜(撥水膜)で覆われている。
計測テーブルMTBの+Y端面、−X端面には、前述したウエハテーブルWTBと同様の反射面19a、19bが形成されている(図2(B)参照)。
本実施形態の露光装置100では、図4及び図5に示されるように、前述の基準軸LV上で、投影光学系PLの光軸AXから−Y側に所定距離隔てた位置に検出中心を有するプライマリアライメント系AL1が配置されている。プライマリアライメント系AL1は、不図示のメインフレームの下面に固定されている。プライマリアライメント系AL1を挟んで、X軸方向の一側と他側には、直線LVに関してほぼ対称に検出中心が配置されるセカンダリアライメント系AL21,AL22と、AL23,AL24とがそれぞれ設けられている。セカンダリアライメント系AL21〜AL24は、可動式の支持部材を介してメインフレーム(不図示)の下面に固定されており、駆動機構601〜604(図7参照)により、それらの検出領域(又は検出中心)が独立にX軸方向に駆動可能である。従って、プライマリアライメント系AL1及びセカンダリアライメント系AL21,AL22,AL23,AL24はX軸方向に関してその検出領域の相対位置が調整可能となっている。なお、図4等に示されるプライマリアライメント系AL1の検出中心を通るX軸に平行な直線(基準軸)LAは、前述の干渉計127からの測長ビームB6の光軸に一致する。
本実施形態では、アライメント系AL1,AL21〜AL24のそれぞれとして、例えば画像処理方式のFIA(Field Image Alignment)系が用いられている。アライメント系AL1,AL21〜AL24のそれぞれからの撮像信号は、不図示の信号処理系を介して主制御装置20に供給される。
なお、上記各アライメント系としては、FIA系に限らず、例えばコヒーレントな検出光を対象マークに照射し、その対象マークから発生する散乱光又は回折光を検出する、あるいはその対象マークから発生する2つの回折光(例えば同次数の回折光、あるいは同方向に回折する回折光)を干渉させて検出するアライメントセンサを単独であるいは適宜組み合わせて用いることは勿論可能である。
次に、ウエハステージWST及び計測ステージMSTの位置情報を計測する干渉計システム118(図7参照)の構成等について説明する。
干渉計システム118は、図3に示されるように、ウエハステージWSTの位置計測用のY干渉計16、X干渉計126、127、128、及びZ干渉計43A,43B並びに計測ステージMSTの位置計測用のY干渉計18及びX干渉計130等を含む。Y干渉計16及び3つのX干渉計126、127、128は、ウエハテーブルWTBの反射面17a,17bに、それぞれ干渉計ビーム(測長ビーム)B4(B41,B42)、B5(B51,B52)、B6、B7を照射する。そして、Y干渉計16、並びに3つのX干渉計126、127、128は、それぞれの反射光を受光して、ウエハステージWSTのXY平面内の位置情報を計測し、この計測した位置情報を主制御装置20に供給する。
なお、例えば、X干渉計126は、投影光学系PLの光軸AX(本実施形態では前述の露光領域IAの中心とも一致)を通りかつX軸と平行な直線(基準軸LH(図4、図5等参照))に関して対称な一対の測長ビームB51,B52を含む少なくとも3つのX軸に平行な測長ビームを反射面17bに照射する。また、Y干渉計16は、前述の基準軸LVに関して対称な一対の測長ビームB41,B42を含む少なくとも3つのY軸に平行な測長ビームを反射面17a、及び後述する移動鏡41に照射する。このように、本実施形態では、上記各干渉計として、一部(例えば干渉計128)を除いて、測長軸を複数有する多軸干渉計が用いられている。そこで、主制御装置20は、Y干渉計16及びX干渉計126又は127のいずれかの計測結果に基づいて、ウエハテーブルWTB(ウエハステージWST)のX,Y位置に加え、θx方向の回転情報(すなわちピッチング)、θy方向の回転情報(すなわちローリング)、及びθz方向の回転情報(すなわちヨーイング)も算出することができる。
また、図1に示されるように、ステージ本体91の−Y側の側面には、凹形状の反射面を有する移動鏡41が取り付けられている。移動鏡41は、図2(A)からわかるように、X軸方向の長さがウエハテーブルWTBの反射面17aよりも、長く設計されている。
移動鏡41に対向して、一対のZ干渉計43A,43Bが設けられている(図1及び図3参照)。Z干渉計43A,43Bは、移動鏡41を介して、例えば投影ユニットPUを支持するフレーム(不図示)に固定された固定鏡47A,47Bにそれぞれ2つの測長ビームB1,B2を照射する。そして、それぞれの反射光を受光して、測長ビームB1,B2の光路長を計測する。その結果より、主制御装置20は、ウエハステージWSTの4自由度(Y,Z,θy,θz)方向の位置を算出する。
本実施形態では、ウエハステージWST(ウエハテーブルWTB)のXY平面内の位置情報(θz方向の回転情報を含む)は、主として、後述するエンコーダシステムを用いて計測される。干渉計システム118は、ウエハステージWSTがエンコーダシステムの計測領域外(例えば、図4等に示されるアンローディングポジションUP及びローディングポジションLP付近)に位置する際に、使用される。また、エンコーダシステムの計測結果の長期的変動(例えばスケールの経時的な変形などによる)を補正(較正)する場合などに補助的に使用される。勿論、干渉計システム118とエンコーダシステムとを併用して、ウエハステージWST(ウエハテーブルWTB)の全位置情報を計測することとしても良い。
干渉計システム118のY干渉計18、X干渉計130は、図3に示されるように、計測テーブルMTBの反射面19a、19bに、干渉計ビーム(測長ビーム)を照射して、それぞれの反射光を受光することにより、計測ステージMSTの位置情報(例えば、少なくともX軸及びY軸方向の位置情報とθz方向の回転情報とを含む)を計測し、その計測結果を、主制御装置20に供給する。
次に、ウエハステージWSTのXY平面内の位置情報(θz方向の回転情報を含む)を計測するエンコーダシステム150(図7参照)の構成等について説明する。
本実施形態の露光装置100では、図4に示されるように、ノズルユニット32から四方へ延在する状態で、4つのヘッドユニット62A〜62Dが配置されている。これらのヘッドユニット62A〜62Dは、支持部材を介して、投影ユニットPUを保持するメインフレーム(不図示)に吊り下げ状態で固定されている。
ヘッドユニット62A及び62Cは、図5に示されるように、複数(ここでは9個)のYヘッド651〜659及び641〜649をそれぞれ備えている。詳細には、ヘッドユニット62A及び62Cは、それぞれ、前述の基準軸LH上に間隔WDで配置された複数(ここでは7個)のYヘッド653〜659及び641〜647と、基準軸LHから−Y方向に所定距離離れたノズルユニット32の−Y側の位置に基準軸LHと平行に間隔WDで配置された複数(ここでは2個)のYヘッド651,652及び648,649とを備えている。なお、Yヘッド652,653間、及びYヘッド647,648間のX軸方向の間隔もWDに設定されている。以下では、適宜、Yヘッド651〜659、641〜649を、それぞれ、Yヘッド65、64とも記述する。
ヘッドユニット62Aは、前述のYスケール39Y1を用いて、ウエハステージWST(ウエハテーブルWTB)のY軸方向の位置(Y位置)を計測する多眼(ここでは、9眼)のYリニアエンコーダ(以下、適宜「Yエンコーダ」又は「エンコーダ」と略述する)70A(図7参照)を構成する。同様に、ヘッドユニット62Cは、前述のYスケール39Y2を用いて、ウエハステージWST(ウエハテーブルWTB)のY位置を計測する多眼(ここでは、9眼)のYエンコーダ70C(図7参照)を構成する。ここで、ヘッドユニット62A,62Cがそれぞれ備える9個のYヘッド65,64(より正確には、Yヘッド65,64が発する計測ビームのスケール上の照射点)のX軸方向の間隔WDは、Yスケール39Y1,39Y2のX軸方向の幅(より正確には、格子線38の長さ)の半分より僅かに狭く設定されている。従って、それぞれ9個のYヘッド65,64のうち、少なくとも各2つのヘッドが、露光時などには、常に、対応するYスケール39Y1,39Y2に対向する。すなわち、それぞれ9個のYヘッド65,64が発する計測ビームのうち、少なくとも各2つの計測ビームを、対応するYスケール39Y1,39Y2に照射可能である。
ヘッドユニット62Bは、図5に示されるように、ノズルユニット32(投影ユニットPU)の+Y側に配置され、上記基準軸LV上に間隔WDで配置された複数、ここでは7個のXヘッド668〜6614を備えている。また、ヘッドユニット62Dは、ノズルユニット32(投影ユニットPU)を介してヘッドユニット62Bとは反対側のプライマリアライメント系AL1の−Y側に配置され、上記基準軸LV上に間隔WDで配置された複数、ここでは7個のXヘッド661〜667を備えている。以下では、適宜、Xヘッド661〜6614を、Xヘッド66とも記述する。
ヘッドユニット62Bは、前述のXスケール39X1を用いて、ウエハステージWST(ウエハテーブルWTB)のX軸方向の位置(X位置)を計測する、多眼(ここでは、7眼)のXリニアエンコーダ(以下、適宜「Xエンコーダ」又は「エンコーダ」と略述する)70B(図7参照)を構成する。また、ヘッドユニット62Dは、前述のXスケール39X2を用いて、ウエハステージWST(ウエハテーブルWTB)のX位置を計測する多眼(ここでは、7眼)のXリニアエンコーダ70D(図7参照)を構成する。
ここでヘッドユニット62B,62Dがそれぞれ備える隣接するXヘッド66(より正確には、Xヘッド66が発する計測ビームのスケール上の照射点)のY軸方向の間隔WDは、前述のXスケール39X1,39X2のY軸方向の幅(より正確には、格子線37の長さ)の半分よりも狭く設定されている。従って、ヘッドユニット62B,62Dがそれぞれ備えるXヘッド66のうち少なくとも各2つのヘッドが、次に説明する切り換え(つなぎ)時などを除き、露光時などには、対応するXスケール39X1,39X2に対向する。すなわち、それぞれ7個のXヘッド66が発する計測ビームのうち、少なくとも各2つの計測ビームを、対応するXスケール39X1,39X2に照射可能である。なお、ヘッドユニット62Bの最も−Y側のXヘッド668とヘッドユニット62Dの最も+Y側のXヘッド667との間隔は、ウエハステージWSTのY軸方向の移動により、その2つのXヘッド間で切り換え(つなぎ)が可能となるように、ウエハテーブルWTBのY軸方向の幅よりも狭く設定されている。
なお、本実施形態におけるXヘッド66の配置では、上述の切り換え(つなぎ)の際には、ヘッドユニット62Bに属するXヘッド66のうち最も−Y側のXヘッド668のみが対応するXスケール39X1に対向し、ヘッドユニット62Dに属するXヘッド66のうち最も+Y側のXヘッド667のみが対応するXスケール39X2に対向する。すなわちXスケール39X1,39X2にXヘッド66が各1つのみ対向する。そこで、ヘッドユニット62Bと62Dの間隔を距離WD以上狭めて、切り換え(つなぎ)時においても、Xヘッド668とXヘッド667が、同時に対応するXスケールに対向するのに加えて、Xヘッド666及び669の少なくとも一方が、同時に対応するXスケールに対向するようにしても良い。
なお、本実施形態におけるXヘッド66の配置では、上述の切り換え(つなぎ)の際には、ヘッドユニット62Bに属するXヘッド66のうち最も−Y側のXヘッド668のみが対応するXスケール39X1に対向し、ヘッドユニット62Dに属するXヘッド66のうち最も+Y側のXヘッド667のみが対応するXスケール39X2に対向する。すなわちXスケール39X1,39X2にXヘッド66が各1つのみ対向する。そこで、ヘッドユニット62Bと62Dの間隔を距離WD以上狭めて、切り換え(つなぎ)時においても、Xヘッド668とXヘッド667が、同時に対応するXスケールに対向するのに加えて、Xヘッド666及び669の少なくとも一方が、同時に対応するXスケールに対向するようにしても良い。
本実施形態では、さらに、図4に示されるように、ヘッドユニット62C、62Aの−Y側に所定距離隔てて、ヘッドユニット62E、62Fが、それぞれ設けられている。ヘッドユニット62E及び62Fは、支持部材を介して、投影ユニットPUを保持するメインフレーム(不図示)に吊り下げ状態で固定されている。
ヘッドユニット62Eは、図5に示されるように、7つのYヘッド671〜677を備えている。より詳細には、ヘッドユニット62Eは、セカンダリアライメント系AL21の−X側に前述の基準軸LA上に間隔WDとほぼ同一間隔で配置された5つのYヘッド671〜675と、基準軸LAから+Y方向に所定距離離れたセカンダリアライメント系AL21の+Y側に、基準軸LAと平行に間隔WDで配置された2つのYヘッド676,677と、を備えている。なお、Yヘッド675,676間のX軸方向の間隔もWDと設定されている。以下では、Yヘッド671〜677を、適宜、Yヘッド67とも記述する。
アライメント動作の際などには、Yスケール39Y2,39Y1にYヘッド67,68が少なくとも各2つそれぞれ対向する。すなわち、それぞれ7つのYヘッド67,68が発する計測ビームのうち、少なくとも各2つの計測ビームを、アライメント時などには、常に、Yスケール39Y2,39Y1に照射可能である。このYヘッド67,68(すなわち、これらYヘッド67,68によって構成されるYエンコーダ70E、70F)によってウエハステージWSTのY位置(及びθz回転)が計測される。
また、本実施形態では、セカンダリアライメント系のベースライン計測時などに、セカンダリアライメント系AL21、AL24にX軸方向で隣接するYヘッド675,683が、FDバー46の一対の基準格子52とそれぞれ対向し、その一対の基準格子52と対向するYヘッド675,683によって、FDバー46のY位置が、それぞれの基準格子52の位置で計測される。以下では、一対の基準格子52にそれぞれ対向する675,683によって構成されるエンコーダをYリニアエンコーダ(適宜、「Yエンコーダ」又は「エンコーダ」とも略述する)70E2,70F2と呼ぶ。また、識別のため、上述したYスケール39Y2,39Y1にそれぞれ対向するYヘッド67,68によって構成されるYエンコーダ70E、70Fを、Yエンコーダ70E1、70F1と呼ぶ。
上述したリニアエンコーダ70A〜70Fの計測値は、主制御装置20に供給され、主制御装置20は、リニアエンコーダ70A〜70Dのうちの3つ、又は70B,70D,70E1,70F1のうちの3つの計測値に基づいて、ウエハステージWSTのXY平面内の位置を制御するとともに、リニアエンコーダ70E2,70F2の計測値に基づいて、FDバー46のθz方向の回転を制御する。
本実施形態の露光装置100では、図4及び図6に示されるように、照射系90a及び受光系90bから成る、例えば米国特許第5,448,332号明細書等に開示されるものと同様の構成の斜入射方式の多点焦点位置検出系(以下、「多点AF系」と略述する)が設けられている。本実施形態では、一例として、前述のヘッドユニット62Eの−X端部の+Y側に照射系90aが配置され、これに対峙する状態で、前述のヘッドユニット62Fの+X端部の+Y側に受光系90bが配置されている。なお、多点AF系(90a,90b)は、前述した投影ユニットPUを保持するメインフレームの下面に固定されている。
多点AF系(90a,90b)の複数の検出点は、被検面上でX軸方向に沿って所定間隔で配置される。本実施形態では、例えば1行M列(Mは検出点の総数)又は2行N列(N=M/2)のマトリックス状に配置される。図4及び図6では、それぞれ検出ビームが照射される複数の検出点が、個別に図示されず、照射系90a及び受光系90bの間でX軸方向に延びる細長い検出領域(ビーム領域)AFとして示されている。この検出領域AFは、X軸方向の長さがウエハWの直径と同程度に設定されているので、ウエハWをY軸方向に1回スキャンするだけで、ウエハWのほぼ全面でZ軸方向の位置情報(面位置情報)を計測できる。
図6に示されるように、多点AF系(90a,90b)の検出領域AFの両端部近傍に、基準軸LVに関して対称な配置で、各一対のZ位置計測用の面位置センサのヘッド(以下、「Zヘッド」と略述する)72a,72b、及び72c,72dが設けられている。これらのZヘッド72a〜72dは、不図示のメインフレームの下面に固定されている。
Zヘッド72a〜72dとしては、例えば、CDドライブ装置などで用いられる光ピックアップと同様の光学式の変位センサのヘッドが用いられている。Zヘッド72a〜72dは、ウエハテーブルWTBに対し上方から計測ビームを照射し、その反射光を受光して、照射点におけるウエハテーブルWTBの表面のXY平面に直交するZ軸方向の位置情報(面位置情報)を計測する。なお、本実施形態では、Zヘッドの計測ビームが、前述のYスケール39Y1,39Y2を構成する反射型回折格子によって反射される構成が採用されている。
さらに、前述のヘッドユニット62A,62Cは、図6に示されるように、それぞれが備える9つのYヘッド65j,64i(i,j=1〜9)と同じX位置に、ただしY位置をずらして、それぞれ9つのZヘッド76j,74i(i,j=1〜9)を備えている。ここで、ヘッドユニット62A,62Cのそれぞれに属する外側の5つのZヘッド765〜769,741〜745は、基準軸LHから+Y方向に所定距離隔てて、基準軸LHと平行に配置されている。また、ヘッドユニット62Aと62Cのそれぞれに属する最も内側の2つのZヘッド761,762及び748,749は投影ユニットPUの+Y側に、残りのZヘッド763,764及び746,747はそれぞれYヘッド653,654及び646,647の−Y側に、配置されている。そして、ヘッドユニット62A,62Cのそれぞれに属する9つのZヘッド76j,74iは、互いに基準軸LVに関して対称に配置されている。なお、各Zヘッド76j,74iとしては、前述のZヘッド72a〜72dと同様の光学式変位センサのヘッドが用いられている。
ヘッドユニット62A,62Cがそれぞれ備える9つのZヘッド76j,74i(より正確には、Zヘッドが発する計測ビームのスケール上の照射点)のX軸方向の間隔は、Yヘッドの65,64のX軸方向の間隔WDと等しく設定されている。従って、Yヘッド65,64と同様に、それぞれ9個のZヘッド76j,74iのうち、少なくとも各2つのヘッドが、露光時などには、常に、対応するYスケール39Y1,39Y2に対向する。すなわち、それぞれ9個のZヘッド76j,74iが発する計測ビームのうち、少なくとも各2つの計測ビームを、対応するYスケール39Y1,39Y2に照射可能である。
上述したZヘッド72a〜72d,741〜749,761〜769は、図7に示されるように、信号処理・選択装置170を介して主制御装置20に接続されており、主制御装置20は、信号処理・選択装置170を介してZヘッド72a〜72d,741〜749,761〜769の中から任意のZヘッドを選択して作動状態とし、その作動状態としたZヘッドで検出した面位置情報を信号処理・選択装置170を介して受け取る。本実施形態では、Zヘッド72a〜72d,741〜749,761〜769と、信号処理・選択装置170とを含んでウエハステージWSTのZ軸方向及びXY平面に対する傾斜方向の位置情報を計測する面位置計測システム180(計測システム200の一部)が構成されている。
さらに、本実施形態の露光装置100では、レチクルRの上方に、露光波長の光を用いたTTR(Through The Reticle)アライメント系から成る一対のレチクルアライメント検出系13A,13B(図1では不図示、図7参照)が設けられている。レチクルアライメント検出系13A,13Bの検出信号は、不図示のアライメント信号処理系を介して主制御装置20に供給される。
図7には、露光装置100の制御系の主要な構成が示されている。この制御系は、装置全体を統括的に制御するマイクロコンピュータ(又はワークステーション)から成る主制御装置20を中心として構成されている。なお、図7においては、前述した照度むらセンサ94、空間像計測器96及び波面収差計測器98など、計測ステージMSTに設けられた各種センサが、纏めてセンサ群99として示されている。
本実施形態の露光装置100では、前述したようなウエハテーブルWTB上のXスケール、Yスケールの配置及び前述したようなXヘッド、Yヘッドの配置を採用したことから、図8(A)及び図8(B)などに例示されるように、ウエハステージWSTの有効ストローク範囲(すなわち、本実施形態では、アライメント及び露光動作のために移動する範囲)では、必ず、Yスケール39Y1,39Y2と、Yヘッド65,64(ヘッドユニット62A,62C)又はYヘッド68,67(ヘッドユニット62F,62E)とがそれぞれ対向し、かつXスケール39X1,39X2のいずれか一方にXヘッド66(ヘッドユニット62B又は62D)が対向するようになっている。なお、図8(A)及び図8(B)中では、対応するXスケール又はYスケールに対向したヘッドが実線の丸で囲んで示されている。
前述の如く、各ヘッドユニット62A〜62Fは、一部を除いて常に、少なくとも2つのヘッドを対応するスケールに対向させる(より正確には、一部を除いて常に、少なくとも2つの計測ビームを対応するスケールに照射可能である)。そこで、主制御装置20は、各ヘッドユニット62A〜62Fのそれぞれについて、スケールに対向する少なくとも2つのヘッドを対にして使用する。そして、主制御装置20は、その2つのヘッドの計測値を常に監視し、いずれか一方の計測値をそのヘッド対(もしくは2つのヘッドが属するヘッドユニット)の計測値として代表させる。主制御装置20は、例えば、2つのヘッドのうち、先にスケールに対向したヘッドを優先ヘッド、後からスケールに対向したヘッドを補助ヘッド、とする。あるいは、主制御装置20は、スケールの長手方向に直交する方向(Yスケールの場合はX軸方向)の中央に近い方のヘッドを優先ヘッドとし、残りのヘッドを補助ヘッドとしても良い。主制御装置20は、通常時には優先ヘッドの計測値を、そして優先ヘッドの出力(計測値)に異常が発生した場合には補助ヘッドの計測値を、ヘッド対(もしくはヘッドユニット)の計測値として代表させることとすれば良い。主制御装置20は、この取り扱いに従って、6つのヘッドユニットの計測値を監視する。
主制御装置20は、優先ヘッドの計測結果の正当性を検証するため、特にスケールの異常に起因する優先ヘッドの出力異常を検証するため、例えば干渉計システム118の計測結果を用いて個々のエンコーダヘッドの計測値を予測し、その予測値と実測値との差の絶対値が、所定の閾値以下であれば計測結果は正常、所定の閾値を越えると異常と判断する。
このため、主制御装置20は、前述のウエハステージWSTの有効ストローク範囲では、エンコーダ70A〜70Dのうちの3つ、又は70B,70D,70E1,70F1のうちの3つの計測値に基づいて、ステージ駆動系124を構成する各モータを制御することで、ウエハステージWSTのXY平面内の位置情報(θz方向の回転情報を含む)を、高精度に制御することができる。
また、主制御装置20は、図8(A)中に白抜き矢印で示されるようにウエハステージWSTをX軸方向に駆動する際、そのウエハステージWSTのY軸方向の位置を計測するYヘッド65,64のヘッド対を、同図中に矢印e1で示されるように、隣のヘッド対に順次切り換える。詳述すると、Yヘッド65については実線の丸で囲まれるヘッド対653,654から点線の丸で囲まれるヘッド対654,655へ、Yヘッド64については実線の丸で囲まれるヘッド対643,644から点線の丸で囲まれるヘッド対644,645へ、切り換える。ここで、切り換え前のヘッド対と切り換え後のヘッド対では、1つのヘッド(654,644)が共通となる。
本実施形態では、このYヘッド65,64の切り換え(つなぎ)を円滑に行うために、前述の如く、ヘッドユニット62A,62Cが備えるYヘッド65,64のうち、入れ替わる2つのヘッド(例えば、図8(A)の例では、Yヘッド653と655、643と645)の間隔(隣接するヘッドの間隔WDの2倍)が、Yスケール39Y1,39Y2のX軸方向の幅よりも狭く設定されている。換言すれば、隣接するYヘッドの間隔WDがYスケール39Y1,39Y2のX軸方向の幅の半分より狭く設定されているのである。
また、後述するSec-BCHK(ロット先頭)の際に、主制御装置20は、ウエハステージWSTをX軸方向に駆動する際に、ウエハステージWSTのY軸方向の位置を計測するYヘッド67,68内のヘッド対を、上記と同様に、隣のヘッド対に順次切り換える。
また、本実施形態では、前述の如く、ヘッドユニット62B,62Dが備える隣接するXヘッド66の間隔WDが、前述のXスケール39X1,39X2のY軸方向の幅の半分よりも狭く設定されているので、上述と同様に、主制御装置20は、図8(B)中に白抜き矢印で示されるようにウエハステージWSTをY軸方向に駆動する際、そのウエハステージWSTのX軸方向の位置を計測するXヘッド66のヘッド対を、同図中に矢印e2で示されるように、順次隣のヘッド対に切り換える。詳述すると、実線の丸で囲まれるヘッド対669,6610から点線の丸で囲まれるヘッド対668,669へ、切り換える。ここで、切り換え前のヘッド対と切り換え後のヘッド対では、1つのヘッド669が共通となる。
本実施形態では、ウエハステージWSTの移動に伴い、その位置を計測するために使用するエンコーダヘッドを、あるヘッド対(例えば、Eh1,Eh2)から、一方のヘッド(Eh2)を含む別のヘッド対(Eh2,Eh3)に切り換える方式が採用されている。しかし、この方式に限らず、あるヘッド対(例えば、Eh1,Eh2)から、共通ヘッドを含まない別のヘッド対(Eh3,Eh4)へ切り換える変形方式を採用しても良い。この変形方式においても、上述の方式と同様に、通常時には優先ヘッドの計測値を、その異常時には補助ヘッドの計測値をヘッド対(もしくはこれらのヘッドが属するヘッドユニット)の計測値として代表させれば良い。
なお、エンコーダの計測値に異常が発生する原因として、大きく2つの原因、すなわち、エンコーダヘッド(ヘッド)の動作不良に由来する原因と、計測ビームが照射されるスケールの異常に由来する原因がある。前者の例としては、ヘッドの機械的故障が代表的に挙げられる。後者の例としては、スケール表面に液浸領域の液体が残存し、あるいはゴミ等の異物が付着し、その残存した液体又は付着した異物を計測ビームが走査する場合などが挙げられる。
本実施形態における優先ヘッドと補助ヘッドから構成されるヘッド対を、常時少なくとも1つ対応するスケールに対向させる方法は、ヘッドの動作不良に起因する計測値の異常に対し有効であるし、スケールの異常に起因する計測値の異常に対しても有効である。
なお、本実施形態において使用するエンコーダ70A〜70Fは、干渉させる2つのビームの光路長が極短くかつほぼ等しいため、空気揺らぎの影響がほとんど無視できる。各エンコーダの分解能は、例えば0.1nm程度である。
次に、主としてロットのウエハに対する処理を開始する直前(ロット先頭)に行われる、セカンダリアライメント系AL2n(n=1〜4)のベースライン計測(以下、適宜Sec-BCHK(ロット先頭)とも呼ぶ)について説明する。ここで、セカンダリアライメント系AL2nのベースラインとは、プライマリアライメント系AL1(の検出中心)を基準とする各セカンダリアライメント系AL2n(の検出中心)の相対位置を意味する。なお、セカンダリアライメント系AL2n(n=1〜4)は、例えばロット内のウエハのショットマップデータに応じて、X軸方向の位置が設定されているものとする。
a. Sec-BCHK(ロット先頭)に際しては、主制御装置20は、まず、図9(A)に示されるように、ロット先頭のウエハW(プロセスウエハ)上の特定のアライメントマークをプライマリアライメント系AL1で検出し(図9(A)中の星マーク参照)、その検出結果とその検出時のエンコーダ70A、70E1、70F1の計測値とを対応付けてメモリに格納する。この図9(A)の状態では、ウエハステージWSTのXY平面内の位置は、Yスケール39Y1、39Y2にそれぞれ対向する実線の丸で囲まれている2つのYヘッド対683,684及び674,675(エンコーダ70E1、70F1)と、Xスケール39X2に対向する実線の丸で囲まれているXヘッド対663,664(エンコーダ70D)と、に基づいて、主制御装置20によって制御されている。
b. 次に、主制御装置20は、ウエハステージWSTを−X方向に所定距離移動し、図9(B)で示されるように、上記の特定のアライメントマークを、セカンダリアライメント系AL21で検出し(図9(B)中の星マーク参照)、その検出結果とその検出時のエンコーダ70E1、70F1、70Dの計測値とを対応付けてメモリに格納する。この図9(B)の状態では、ウエハステージWSTのXY平面内の位置は、Yスケール39Y1、39Y2にそれぞれ対向する実線の丸で囲まれている2つのYヘッド対681,682及び671,672(エンコーダ70E1、70F1)と、Xスケール39X2に対向する実線の丸で囲まれているXヘッド対663,664(エンコーダ70D)と、に基づいて制御されている。
c.同様にして、主制御装置20は、ウエハステージWSTを+X方向に順次移動して上記の特定のアライメントマークを、残りのセカンダリアライメント系AL22,AL23,AL24で順次検出し、その検出結果と検出時のエンコーダ70E1、70F1、70Dの計測値とを、順次対応付けてメモリに格納する。
d.そして、主制御装置20は、上記a.の処理結果と上記b.又はc.の処理結果とに基づいて、各セカンダリアライメント系AL2nのベースラインをそれぞれ算出する。
このように、ロット先頭のウエハW(プロセスウエハ)を用いて、そのウエハW上の同一のアライメントマークをプライマリアライメント系AL1と各セカンダリアライメント系AL2nとで検出することで、各セカンダリアライメント系AL2nのベースラインを求めることから、この処理により、結果的に、プロセスに起因するアライメント系間の検出オフセットの差も補正される。
本実施形態では、ヘッドユニット62E,62Fが、X軸方向の位置が異なる7つのYヘッド67,68をそれぞれ備えているので、上記の各セカンダリアライメント系AL2nのベースラインを計測する際に、プライマリアライメント系AL1は勿論、セカンダリアライメント系AL2nのいずれを用いて、ウエハ上の特定アライメントマークを検出する場合であっても、その検出時のウエハステージWSTのY位置及びθz回転を、Yスケール39Y1,39Y2に対向するYヘッド対68,67(エンコーダ70F1、70E1)の計測値に基づいて計測、管理することができる。また、このとき、ウエハステージWSTのX位置は、Xスケール39X2に対向するXヘッド対66(エンコーダ70D)の計測値に基づいて計測・管理することができる。
なお、ウエハのアライメントマークの代わりに、例えば、ウエハステージWST上の計測プレート30の基準マークFM、又は計測ステージMST上のFDバー46の基準マークMを用いて、セカンダリアライメント系AL2nのベースライン計測を行っても良い。
本実施形態の露光装置100では、前述の国際公開第2007/097379号パンフレットの実施形態中に開示される露光装置と基本的に同様の手順で、ウエハステージWSTと計測ステージMSTとを用いた並行処理動作が行なわれる。この並行処理動作は、次の2点を除けば、上記国際公開第2007/097379号パンフレットの実施形態中に開示される露光装置と同様であるから、詳細説明は省略する。
第1は、ウエハステージWSTが前述の有効領域にあるとき、ウエハステージWSTの位置情報を計測する、エンコーダシステムの位置計測に用いている、いずれかの優先ヘッド(Xヘッド又はYヘッド)の出力に異常が発生したとき、主制御装置20により、前述のようにしてその優先ヘッドとともにヘッド対を構成する補助ヘッドの計測値が、そのヘッド対(もしくはその2つのヘッドが属するヘッドユニット)の計測値として用いられる点である。
第2は、例えば、ステップ・アンド・スキャン方式の露光動作の際のウエハステージWSTのショット間ステッピング動作時などに、前述した、ウエハステージのWSTの例えばX位置を計測するために使用するエンコーダヘッドを、あるヘッド対(例えば、Eh1,Eh2)から、一方のヘッド(Eh2)を含む別のヘッド対(Eh2,Eh3)に切り換える方式のヘッドの切り換えが行なわれる点である。
以上説明したように、本実施形態の露光装置100によると、ウエハステージWSTが、前述の有効ストローク範囲にあるとき、ウエハステージWSTに設けられたYスケール39Y1、39Y2には、常に、対応するYヘッドが2つ以上対向しているので、主制御装置20は、その2つのYヘッドのうちの少なくとも一方の計測結果を用いて、Yスケール39Y1、39Y2の格子部の周期方向(Y軸方向)に関するウエハステージWSTの位置情報及びθz方向の回転情報を、常に、計測することができる。また、ウエハステージWSTが、前述の有効ストローク範囲にあるとき、一部の例外的な場合(ヘッドユニット62BのXヘッド668とヘッドユニット62DのXヘッド667とが切り換え可能な位置にウエハステージWSTが位置する場合)を除き、ウエハステージWSTに設けられたXスケール39X1、39X2のいずれかに、常に、対応するXヘッドが2つ以上対向している。従って、主制御装置20は、その2つのXヘッドのうちの少なくとも一方の計測結果を用いて、Yスケール39X1、39X2の格子部の周期方向(X軸方向)に関するウエハステージWSTの位置情報を、常に、計測することができる。
また、各スケール上の有効領域(格子部)内に位置する少なくとも2つのヘッドのうちの優先ヘッドの計測情報に、スケールの異常に起因する異常(又はヘッドの異常に起因する異常)が生じた場合、主制御装置20により、ウエハステージWSTの位置制御に優先的に用いる計測情報が優先ヘッドでの計測情報から補助ヘッドでの計測情報に切り換えられる。これにより、各スケールが有する格子部の周期方向に関するウエハステージWSTの位置情報を確実に計測することが可能となる。
また、本実施形態の露光装置によると、計測システム200に含まれる、エンコーダシステム150は、プライマリアライメント系AL1、及びセカンダリアライメント系AL21〜AL24の検出領域の両外側にそれぞれ配置されたヘッドユニット62E,62Fの一部をそれぞれ構成するX軸方向に関して位置が異なる7つのYヘッド67,68を有している。そして、主制御装置20は、アライメントの際などに、一対のYスケール39Y1,39Y2とそれぞれ対向するYヘッド対68,67(Yリニアエンコーダ70F1,70E1)の計測値に基づいて、ウエハステージWSTのY軸方向の位置情報(及びθz方向の位置情報)を計測する。
このため、例えば前述のSec-BCHK(ロット先頭)に際し、主制御装置20は、ウエハステージWSTに保持されたウエハW上の特定のアライメントマーク(又はウエハステージWST上の基準マークFM)を、プライマリアライメント系AL1、及びセカンダリアライメント系AL21〜AL24のそれぞれで検出するために、ウエハステージWSTをX軸方向に移動させる場合などにも、少なくともウエハステージWSTのY軸方向の位置(及びθz方向の回転)を、計測の短期安定性が良好なYリニアエンコーダ70E1,70F1によって計測することが可能となる。従って、主制御装置20は、アライメント系AL1、AL21〜AL24それぞれの検出結果と、その検出時のYリニアエンコーダ70E1,70F1の計測値とに基づいて、そのマーク(特定のアライメントマーク(又はウエハステージWST上の基準マークFM))のY軸方向に関する位置情報を、精度良く求めることが可能になる。また、Sec-BCHK(ロット先頭)の際のウエハステージWSTのX軸方向の位置は、Xスケール39X2に対向するXヘッド対66(エンコーダ70D)によって計測されている。従って、セカンダリアライメント系AL21〜AL24のベースライン(X軸方向及びY軸方向)を、ロット先頭毎に、高精度に求めることができる。
また、本実施形態では、所定のインターバル(ここではウエハ交換毎)に、セカンダリアライメント系AL21〜AL24のベースライン(X軸方向及びY軸方向)が計測される。
そして、このようにして得られた最新のベースラインと、ウエハアライメント(EGA)の結果とに基づいて、ウエハW上の各ショット領域の露光のための走査開始位置(加速開始位置)へウエハステージWSTが移動されるショット間移動動作と、レチクルRに形成されたパターンを走査露光方式で各ショット領域に転写する走査露光動作とを繰り返すことにより、レチクルRのパターンをウエハW上の複数のショット領域に精度(重ね合わせ精度)良く転写することが可能になる。さらに、本実施形態では、液浸露光により高解像度の露光を実現できるので、この点においても微細パターンを精度良くウエハW上に転写することが可能になる。
また、本実施形態の露光装置10によると、ヘッドユニット62E,62Fがそれぞれ備える各7つのYヘッド67、68のうち、最も内側に位置する2つのYヘッド676,677及び681,682が、Y軸方向に関して、他のYヘッドと位置が異なる。これにより、その最も内側に位置する2つのYヘッド676,677と681,682を、アライメント系AL1、AL21〜AL24の周囲の空きスペースに配置する、すなわち、アライメント系AL1、AL21〜AL24の配置に合わせて配置することが可能になる。
また、ヘッドユニット62E、62Fがそれぞれ備える各7つのYヘッド67、68のX軸方向の間隔は、Yスケール39Y1,39Y2のX軸方向の幅(より正確には、格子線38の長さ)の半分より狭いので、ウエハステージWSTがX軸方向に移動する際に、その移動に伴って、ウエハステージWSTのY軸方向位置計測に用いられるYヘッド対が、隣のYヘッド対(ただし、Yヘッド対のうちの一方のヘッドは先のYヘッド対と共通)に支障なく切り換えられ、その切り換わりの前後で、計測値が引き継がれる。これにより、上記Sec-BCHKの際などに、Yスケール39Y2,39Y1にYヘッド67,68が少なくとも各2つそれぞれ対向し、これらのYヘッド対67,68(すなわち、これらのYヘッド対67,68によって構成されるYエンコーダ70E1,70F1)によってウエハステージWSTのY位置(及びθz回転)が計測される。
また、主制御装置20は、アライメント系AL1、AL21〜AL24による、ウエハW上のアライメントマークの検出時に、ヘッドユニット62E、62Fの各7つのYヘッド67、68の中からYスケール39Y2,39Y1にそれぞれ対向するYヘッド67、68を各2つ選択するとともに、ヘッドユニット62B、62Dの複数のXヘッド66の中から対応するXスケール39X1,39X2に対向する2つのXヘッド66を選択し、選択された2つのYヘッド対の計測値と、選択されたXヘッド対の計測値とに基づいて、ウエハステージWSTのXY平面内の位置及び回転(θz回転)を制御する。
《変形例》
なお、上記実施形態では、ウエハステージWSTのXY移動面内での位置情報を、安定かつ高精度に計測するために、常時、2つのエンコーダヘッド(ヘッド)を共通のスケールに対向させた。そして、その2つのヘッドからなるヘッド対のうち、優先ヘッドの計測値を、優先ヘッドの計測値にスケールの異常(又はヘッドの動作不良)に起因する異常が発生した場合には他方の補助ヘッドの計測値を、使用することとした。しかし、これに限らず、常時、優先ヘッドと補助ヘッドとの2つのヘッドを用いる計測方法として、様々な変形例が考えられる。
以下、図10(A)〜図12(B)に基づいて、代表的な変形例のいくつかについて説明する。なお、図10(A)〜図12(B)において、スケールSY(すなわちウエハステージ)は−X方向に移動しているものとする。また、スケールSYはYスケール、ヘッドはYヘッドとする。
第1の変形例として、優先ヘッドと補助ヘッドの2つのヘッドをセット(ヘッドセットと呼ぶ)にし、常時少なくとも1つのヘッドセットをスケールに対向させる場合が挙げられる。この第1の変形例では、図10(A)に示されるように、スケールSYの長手方向(Y軸方向)に近接して配置された2つのヘッドEh1,Eh2から成るヘッドセットHs1と、Y軸方向に近接して配置された別の2つのヘッドEh3,Eh4から成るヘッドセットHs2とが、1つのスケールSYに対向している。この第1の変形例では、Y軸方向に近接する2つのヘッドから構成される複数のヘッドセットが用意されており、それらがX軸方向に平行に、スケールSYの有効幅より狭い間隔で、配置されている。それにより、常時1つのヘッドセットがスケールSYに対向することとなる。
図10(A)の状態から、スケールSY(すなわちウエハステージ)が−X方向に移動すると、ヘッドセットHs1がスケールSYから外れる。より正確に説明すると、ヘッドセットHs1を構成する2つのヘッドEh1,Eh2が射出する計測ビームの照射点、すなわちヘッドEh1,Eh2の計測点が、スケールSYの有効領域から外れる。そこで、ヘッドセットHs1がスケールSYから外れる前に、主制御装置20により、ステージ位置を管理するヘッドセットが、ヘッドセットHs1からヘッドセットHs2に切り換えられる。
この第1の変形例は、前述のスケールの異常に起因する計測値の異常に対して有効であるし、ヘッドの動作不良に起因する計測値の異常に対しても有効である。
上述の第1の変形例に準ずる第2の変形例が、図10(B)に示されている。上記の実施形態及び第1の変形例では、1つのヘッドから1つの計測ビームがスケールに照射され、その照射点(すなわち計測点)におけるヘッドとスケール間の相対変位を計測する構成のヘッドが採用されているのに対し、第2の変形例では、1つのヘッドから2つの計測ビームがスケールに照射され、それぞれの照射点における相対変位を計測する、2点計測可能な構成のヘッドが採用されている。従って、第2の変形例では、図10(B)に示されるヘッドEh1(Eh2)が、図10(A)に示される第1の変形例におけるヘッドEh1,Eh2から構成されるヘッドセットEh1(ヘッドEh3,Eh4から構成されるヘッドセットEh2)と、同じ役割を果たす。
従って、第2の変形例においても、第1の変形例と同様に、複数の2点計測可能なヘッドが、X軸方向に平行に、スケールSYの有効幅より狭い間隔で、配置される。それにより、常時1つのヘッドがスケールSYに対向し、常時そのヘッドから2つの計測ビームがスケールSYに照射されることとなる。従って、第1の変形例における優先ヘッドと補助ヘッドから構成されるヘッドセットの概念が、第2の変形例では優先計測ビームと補助計測ビームから構成される計測ビームセットの概念に置き換えられる以外、切り換え処理の手順も含め、同様となる。
上述の第1、第2の変形例では、ヘッドセットを構成する2つのヘッドが、もしくはセットとなる2つの計測点が、スケールの周期方向(Y軸方向)に並列に配置される。これらの例に対応して、スケールの周期方向と直交する方向(X軸方向)に並列に配置する例も考えられる。
図11(A)には、図10(A)の第1の変形例に対応する、第3の変形例が示されている。第3の変形例では、第1の変形例と同様に、優先ヘッドと補助ヘッドの2つのヘッドをセットにし、常時少なくとも1つのヘッドセットをスケールに対向させる。ただし、図11(A)では、第1の変形例と異なり、スケールSYの有効幅方向(X軸方向)に近接して配置された2つのヘッドEh1,Eh2から成るヘッドセットHs1と、X軸方向に近接して配置された別の2つのヘッドEh3,Eh4から成るヘッドセットHs2とが、1つのスケールSYに対向している。この第3の変形例では、X軸方向に近接する2つのヘッドから構成される複数のヘッドセットが用意されており、それらがX軸方向に平行に、常時1つのヘッドセットがスケールSYに対向するように、配置されている。ただし、隣り合う2つのヘッドセットの間隔は、図11(A)に示されるように、2つのヘッドセット(を構成する全4つのヘッド)から射出される計測ビームの照射点(計測点)が、スケールSYの有効領域内に位置する間隔に設定されている。
図11(A)の状態から、スケールSY(すなわちウエハステージ)が−X方向に移動すると、ヘッドEh1の計測点がスケールSYの有効領域から外れる。ここで、仮に、ヘッドEh1がヘッドセットHs1の優先ヘッドとして選ばれていたとすると、主制御装置20により、スケールSYから外れた時点で、優先ヘッドはヘッドEh2に切り換えられる。さらに、スケールSYが−X方向に移動すると、次いでヘッドEh2の計測点がスケールSYから外れる。そこで、遅くともこの時点までに、すなわち、ヘッドセットHs1を構成する両ヘッドEh1,Eh2の計測点がスケールSYから外れる前に、ステージ位置を管理するヘッドセットが、ヘッドセットHs1からヘッドセットHs2に切り換えられる。
この第3の変形例は、第1の変形例と同様に、前述のスケールの異常に起因する計測値の異常に対して有効であるし、ヘッドの動作不良に起因する計測値の異常に対しても有効である。
上述の第3の変形例に準ずる第4の変形例が、図11(B)に示されている。第3の変形例では、1つのヘッドから1つの計測ビームがスケールに照射され、その照射点(すなわち計測点)におけるヘッドとスケール間の相対変位を計測する構成のヘッドが採用されているのに対し、第4の変形例では、第2の変形例と同様に、1つのヘッドより2つの計測ビームがスケールに照射され、それぞれの照射点における相対変位を計測する、2点計測可能な構成のヘッドが採用されている。従って、図11(B)に示される、第4の変形例におけるヘッドEh1(Eh2)が、図11(A)におけるヘッドEh1,Eh2から構成されるヘッドセットHs1(ヘッドEh3,Eh4から構成されるヘッドセットHs2)と、同じ役割を果たす。
従って、第4の変形例においても、第3の変形例と同様に、X軸方向に近接する2点を計測可能なヘッドが複数用意されており、それらがX軸方向に平行に、常時1つのヘッドがスケールSYに対向するように、すなわち2つの計測ビームがスケールSYに照射されるように、配置されている。ただし、隣り合う2つのヘッドの間隔は、図11(B)に示されるように、2つのヘッドEh1,Eh2の全4つの計測ビームが、スケールSYの有効領域内に照射される間隔に設定されている。従って、第3の変形例における優先ヘッドと補助ヘッドから構成されるヘッドセットの概念が、第4の変形例では優先計測ビームと補助計測ビームから構成される計測ビームセットの概念に置き換えられる以外、切り換え処理の手順も含め、同様となる。
また、図11(A)の第3の変形例では、隣り合う2つのヘッドセットの配置間隔が、2つのヘッドセット(を構成する全4つのヘッド)から射出される計測ビームの照射点(計測点)が、スケールSYの有効領域内に位置する間隔に設定されるものとした。しかし、ヘッドセットの切り換え処理上、図12(A)に示されるように、一方のヘッドセット(Hs2)を構成する2つのヘッド(Eh3,Eh4)と、他方のヘッドセット(Hs1)を構成する2つのヘッド(Eh1,Eh2)のうちの一方のヘッド(Eh2)との、3つのヘッド(Eh2,Eh3,Eh4)がスケールSYに対向する配置間隔に、隣り合う2つのヘッドセットの配置間隔が設定されていても良い。
同様に、図11(B)の第4の変形例においても、2点計測可能なヘッドの配置間隔が、図12(B)に示されるように、一方のヘッド(Eh2)の2つの計測ビームと、他方のヘッド(Eh1)の2つの計測ビームのうちの一方の計測ビームの、3つの計測ビームがスケールSYに照射される配置間隔に設定されていても良い。
なお、第1,第3の変形例では、1つの優先ヘッドと1つの補助ヘッドから構成されるヘッドセットを用いることとしたが、補助ヘッドの数は1つに限らず、複数設けても良い。また、第2,第4の変形例では、1つの優先計測ビームと1つの補助計測ビームの計2つの計測ビームを射出する構成のヘッドが採用されていたが、ヘッドの構成はこれに限らず、1つの優先計測ビームと複数の補助計測ビームの計3つ以上の計測ビームを射出する構成でも良い。このような構成のエンコーダヘッドを採用した場合、より多くの計測データを検出することができるので、計測結果の信頼性が向上する。また、上記4つの変形例のように、ヘッドセット内の複数ヘッドがスケールの横断方向(これらの変形例ではX軸方向)に同じ位置を観測している場合には、「先に有効になった方を優先」、「スケール中心線に近い方を優先」という指針では順位付けができない。従って、予めヘッドセット内で固定の優先順位を決めておくことが望ましい。
なお、上記実施形態で説明したエンコーダシステムなどの各計測装置の構成は一例に過ぎず、本発明がこれに限定されないことは勿論である。例えば、上記実施形態では、ウエハテーブル(ウエハステージ)上に格子部(Yスケール、Xスケール)を設け、これに対向してXヘッド、Yヘッドをウエハステージの外部に配置する構成のエンコーダシステムを採用した場合について例示したが、これに限らず、例えば米国特許出願公開第2006/0227309号明細書などに開示されているように、ウエハステージにエンコーダヘッドを設け、これに対向してウエハステージの外部に2次元格子(又は2次元に配置された1次元の格子部)を配置する構成のエンコーダシステムを採用しても良い。この場合、ウエハステージの複数箇所、例えば4隅にそれぞれ少なくとも2つのエンコーダヘッドを設け、この少なくとも2つのエンコーダヘッドの1つを優先ヘッド、残りの少なくとも1つのエンコーダヘッドを補助ヘッドとして、上記実施形態及び変形例と同様にウエハステージの位置制御を行なうようにしても良い。なお、この少なくとも2つのエンコーダヘッドはウエハステージ上で近接して配置しても良いし、あるいは所定間隔離して配置しても良い。特に後者では、例えはウエハステージの中心から放射方向に沿って配置しても良い。
また、ウエハステージの外部に設けた2次元格子などはその格子面が下方を向くので、液浸領域の液体が残存することは全く考えられず、ゴミ等の異物も殆ど付着しないと考えられる。
また、上記実施形態及び変形例では、エンコーダヘッドとZヘッドとが別々に設けられている場合について説明したが、エンコーダヘッド毎にZヘッドを備えても良いし、各エンコーダヘッドがX軸又はY軸方向とZ軸方向との2方向の位置検出が可能なヘッド(センサ)であっても良い。特に、前者ではエンコーダヘッドとZヘッドとを一体的に設けても良い。
また、上記実施形態及び変形例において、優先ヘッドの計測値にスケールの異常及びヘッドの動作不良の少なくとも一方に起因して異常が発生した場合に、補助ヘッドを使用することとしても良い。この場合において、上記実施形態及び変形例において、エンコーダヘッドの動作不良(異常)は、機械的な故障の他、ヘッドの倒れ又はそのテレセントリシティの崩れなども含む。また、ヘッドをステージに配置し、スケールをその上方に設けるタイプのエンコーダシステムの場合には、ヘッドに異物(例えば液浸用液体などを含む)が付着した場合なども、エンコーダヘッドの異常(動作不良)に含む。また、位置計測が不能となる場合に限らず、計測精度が許容値を超える場合(エンコーダヘッドの出力(強度)が許容範囲外となる)場合も、エンコーダヘッドの異常に含まれる。
また、上記実施形態では、ヘッドユニット62E,62Fが、それぞれ各7つのYヘッドを備える場合について説明したが、これに限らず、複数のマーク検出系(上記実施形態では、アライメント系AL1、AL21〜AL24)の両側に、Yヘッドがそれぞれあれば足り、その数は問わない。要は、複数のマーク検出系のそれぞれで、ウエハW上の特定のアライメントマークを検出する際に、一対のYスケール39Y1、39Y2に、Yヘッド68、67が少なくとも各2つ以上対向できれば良い。また、上記実施形態では、複数のマーク検出系の両外側のそれぞれ複数のYヘッドのうち、最も内側に位置する2つのYヘッドのY位置を、他のYヘッドと異ならせる場合について説明したが、これに限らず、どのYヘッドのY位置を異ならせても良い。要は、空きスペースに応じて、任意のYヘッドのY位置を、他のYヘッドのY位置と異ならせれば良い。あるいは、複数のマーク検出系の両外側に十分な空きスペースがある場合には、全てのYヘッドを同一のY位置に配置しても良い。
また、マーク検出系(アライメント系)の数も5つに限られるものではなく、第2方向(上記実施形態ではX軸方向)に関して検出領域の位置が異なるマーク検出系が2つ以上あることが望ましいが、その数は特に問わない。
なお、上記実施形態ではノズルユニット32の下面と投影光学系PLの先端光学素子の下端面とがほぼ面一であるものとしたが、これに限らず、例えばノズルユニット32の下面を、先端光学素子の射出面よりも投影光学系PLの像面(すなわちウエハ)の近くに配置しても良い。すなわち、局所液浸装置8は上述の構造に限られず、例えば、欧州特許出願公開第1420298号明細書、米国特許出願公開第2006/0231206号明細書、米国特許出願公開第2005/0280791号明細書、米国特許第6,952,253号明細書などに記載されているものを用いることができる。また、例えば米国特許出願公開第2005/0248856号明細書に開示されているように、先端光学素子の像面側の光路に加えて、先端光学素子の物体面側の光路も液体で満たすようにしても良い。さらに、先端光学素子の表面の一部(少なくとも液体との接触面を含む)又は全部に、親液性及び/又は溶解防止機能を有する薄膜を形成しても良い。なお、石英は液体との親和性が高く、かつ溶解防止膜も不要であるが、蛍石は少なくとも溶解防止膜を形成することが好ましい。
なお、上記実施形態では、液体として純水(水)を用いるものとしたが、本発明がこれに限定されないことは勿論である。液体としては、化学的に安定で、照明光ILの透過率が高く安全な液体、例えばフッ素系不活性液体を使用しても良い。このフッ素系不活性液体としては、例えばフロリナート(米国スリーエム社の商品名)が使用できる。このフッ素系不活性液体は冷却効果の点でも優れている。また、液体として、照明光ILに対する屈折率が、純水(屈折率は1.44程度)よりも高い、例えば1.5以上の液体を用いても良い。この液体としては、例えば、屈折率が約1.50のイソプロパノール、屈折率が約1.61のグリセロール(グリセリン)といったC−H結合あるいはO−H結合を持つ所定液体、ヘキサン、ヘプタン、デカン等の所定液体(有機溶剤)、あるいは屈折率が約1.60のデカリン(Decalin: Decahydronaphthalene)などが挙げられる。あるいは、これら液体のうち任意の2種類以上の液体が混合されたものであっても良いし、純水にこれら液体の少なくとも1つが添加(混合)されたものであっても良い。あるいは、液体としては、純水に、H、Cs、K、Cl、SO 2−、PO 2−等の塩基又は酸を添加(混合)したものであっても良い。更には、純水にAl酸化物等の微粒子を添加(混合)したものであっても良い。これら液体は、ArFエキシマレーザ光を透過可能である。また、液体としては、光の吸収係数が小さく、温度依存性が少なく、投影光学系(先端の光学部材)、及び/又はウエハの表面に塗布されている感光材(又は保護膜(トップコート膜)あるいは反射防止膜など)に対して安定なものであることが好ましい。また、F2レーザを光源とする場合は、フォンブリンオイルを選択すれば良い。さらに、液体としては、純水よりも照明光ILに対する屈折率が高い液体、例えば屈折率が1.6〜1.8程度のものを使用しても良い。液体として、超臨界流体を用いることも可能である。また、投影光学系PLの先端光学素子を、例えば石英(シリカ)、あるいは、フッ化カルシウム(蛍石)、フッ化バリウム、フッ化ストロンチウム、フッ化リチウム、及びフッ化ナトリウム等のフッ化化合物の単結晶材料で形成しても良いし、石英や蛍石よりも屈折率が高い(例えば1.6以上)材料で形成しても良い。屈折率が1.6以上の材料としては、例えば、国際公開第2005/059617号パンフレットに開示される、サファイア、二酸化ゲルマニウム等、あるいは、国際公開第2005/059618号パンフレットに開示される、塩化カリウム(屈折率は約1.75)等を用いることができる。
また、上記実施形態で、回収された液体を再利用するようにしても良く、この場合は回収された液体から不純物を除去するフィルタを液体回収装置、又は回収管等に設けておくことが望ましい。
なお、上記実施形態では、露光装置が液浸型の露光装置である場合について説明したが、これに限られるものではなく、液体(水)を介さずにウエハWの露光を行うドライタイプの露光装置にも採用することができる。
また、上記実施形態では、ステップ・アンド・スキャン方式等の走査型露光装置に本発明が適用された場合について説明したが、これに限らず、ステッパなどの静止型露光装置に本発明を適用しても良い。ステッパなどであっても、露光対象の物体が搭載されたステージの位置を上記実施形態と同様に、エンコーダを用いて計測することができるので、同様の効果を得ることができる。また、ショット領域とショット領域とを合成するステップ・アンド・スティッチ方式の縮小投影露光装置、プロキシミティー方式の露光装置、又はミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明は適用することができる。さらに、例えば米国特許第6,590,634号明細書、米国特許第5,969,441号明細書、米国特許第6,208,407号明細書などに開示されているように、複数のウエハステージを備えたマルチステージ型の露光装置にも本発明を適用できる。
また、上記実施形態の露光装置における投影光学系は縮小系のみならず等倍及び拡大系のいずれでも良いし、投影光学系PLは屈折系のみならず、反射系及び反射屈折系のいずれでも良いし、その投影像は倒立像及び正立像のいずれでも良い。また、前述の照明領域及び露光領域はその形状が矩形であるものとしたが、これに限らず、例えば円弧、台形、あるいは平行四辺形などでも良い。
なお、上記実施形態の露光装置の光源は、ArFエキシマレーザに限らず、KrFエキシマレーザ(出力波長248nm)、F2レーザ(出力波長157nm)、Ar2レーザ(出力波長126nm)、Kr2レーザ(出力波長146nm)などのパルスレーザ光源、g線(波長436nm)、i線(波長365nm)などの輝線を発する超高圧水銀ランプなどを用いることも可能である。また、YAGレーザの高調波発生装置などを用いることもできる。この他、例えば米国特許第7,023,610号明細書に開示されているように、真空紫外光としてDFB半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域、又は可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム(又はエルビウムとイッテルビウムの両方)がドープされたファイバーアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を用いても良い。
また、上記実施形態では、露光装置の照明光ILとしては波長100nm以上の光に限らず、波長100nm未満の光を用いても良いことはいうまでもない。例えば、近年、70nm以下のパターンを露光するために、SOR又はプラズマレーザを光源として、軟X線領域(例えば5〜15nmの波長域)のEUV(Extreme Ultraviolet)光を発生させるとともに、その露光波長(例えば13.5nm)の下で設計されたオール反射縮小光学系、及び反射型マスクを用いたEUV露光装置の開発が行われている。この装置においては、円弧照明を用いてマスクとウエハを同期走査してスキャン露光する構成が考えられるので、かかる装置にも本発明を好適に適用することができる。この他、電子線又はイオンビームなどの荷電粒子線を用いる露光装置にも、本発明は適用できる。
また、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン(又は位相パターン・減光パターン)を形成した光透過型マスク(レチクル)を用いたが、このレチクルに代えて、例えば米国特許第6,778,257号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて、透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する電子マスク(可変成形マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれ、例えば非発光型画像表示素子(空間光変調器)の一種であるDMD(Digital Micro-mirror Device)などを含む)を用いても良い。
また、例えば干渉縞をウエハ上に形成することによって、ウエハ上にライン・アンド・スペースパターンを形成する露光装置(リソグラフィシステム)にも本発明を適用することができる。
さらに、例えば米国特許第6,611,316号明細書に開示されているように、2つのレチクルパターンを投影光学系を介してウエハ上で合成し、1回のスキャン露光によってウエハ上の1つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置にも本発明を適用することができる。
また、物体上にパターンを形成する装置は、前述の露光装置(リソグラフィシステム)に限られず、例えばインクジェット方式にて物体上にパターンを形成する装置にも本発明を適用することができる。
なお、上記実施形態でパターンを形成すべき物体(エネルギビームが照射される露光対象の物体)はウエハに限られるものではなく、ガラスプレート、セラミック基板、フィルム部材、あるいはマスクブランクスなど、他の物体でも良い。
露光装置の用途としては半導体製造用の露光装置に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを転写する液晶用の露光装置、有機EL、薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CCD等)、マイクロマシン及びDNAチップなどを製造するための露光装置にも広く適用できる。また、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、EUV露光装置、X線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクル又はマスクを製造するために、ガラス基板又はシリコンウエハなどに回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。
半導体素子などの電子デバイスは、デバイスの機能・性能設計を行うステップ、この設計ステップに基づいたレチクルを製作するステップ、シリコン材料からウエハを製作するステップ、前述した実施形態の露光装置(パターン形成装置)によりレチクルのパターンをウエハに転写するリソグラフィステップ、露光されたウエハを現像する現像ステップ、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト除去ステップ、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む)、検査ステップ等を経て製造される。この場合、リソグラフィステップで、上記実施形態の露光装置を用いて前述の露光方法が実行され、ウエハ上にデバイスパターンが形成されるので、高集積度のデバイスを生産性良く製造することができる。
以上説明したように、本発明の移動体装置は、所定平面に沿って移動する移動体の所定平面内の位置を管理するのに適している。本発明のパターン形成装置は、ウエハ等の物体上にパターンを形成するのに適している。また、本発明の露光装置及びデバイス製造方法は、半導体素子などの電子デバイスを製造するのに適している。
一実施形態に係る露光装置の構成を概略的に示す図である。 図2(A)はウエハステージを示す平面図、図2(B)は計測ステージを示す平面図である。 図1の露光装置の干渉計システムの測長軸の配置を説明するための図であり、ステージ装置を一部省略して示す平面図である。 図1の露光装置が備える各種計測システムの配置を示す図である。 エンコーダヘッド(Xヘッド、Yヘッド)とアライメント系の配置を示す図である。 Zヘッドと多点AF系の配置を示す図である。 図1の露光装置の制御系の主要な構成を示すブロック図である。 図8(A)及び図8(B)は、複数のエンコーダによるウエハテーブルのXY平面内の位置計測、及びヘッドの切り換えについて説明するための図である。 図9(A)及び図9(B)は、ロット先頭に行われる、セカンダリアライメント系のベースライン計測動作を説明するための図である。 図10(A)及び図10(B)は、それぞれ、エンコーダシステムの第1及び第2の変形例を説明するための示す図である。 図11(A)及び図11(B)は、それぞれ、エンコーダシステムの第3及び第4の変形例を説明するための図である。 図12(A)及び図12(B)は、エンコーダシステムのその他の変形例を説明するための図である。
符号の説明
39X1,39X2…Xスケール、39Y1,39Y2…Yスケール、62A〜62F…ヘッドユニット、64,65…Yヘッド、66…Xヘッド、67,68…Yヘッド、70A,70C…Yエンコーダ、70B,70D…Xエンコーダ、100…露光装置、150…エンコーダシステム、PL…投影光学系、W…ウエハ、WST…ウエハステージ。

Claims (20)

  1. 実質的に所定平面に沿って移動する移動体を含む移動体装置であって、
    前記移動体と該移動体の外部との一方に配置され、前記所定平面と平行な面内の第1方向を長手方向とし、前記第1方向と直交する第2方向に所定幅を有する格子部を有するスケールと;
    前記移動体の移動領域に配置される複数の計測点を有し、前記複数の計測点のうちのn点(ただしnは2以上の整数)以上が前記スケール上の前記所定幅内に位置するとともに、前記移動体が所定位置にあるときには前記複数の計測点のうちのn+1点以上が前記スケール上の前記所定幅内に位置するように定められ、前記所定幅のスケール上に配置された計測点に計測光を照射することによって前記格子部の周期方向に関する前記スケールの位置情報を計測する計測装置と;
    前記スケールの前記所定幅内に位置する前記n点以上の計測点、又は前記移動体が前記所定位置にあるときに前記スケールの所定幅内に位置する前記n+1点以上の計測点、のうちの第1計測点での計測情報を含む第1計測情報を優先的に用いて前記移動体の位置制御を行うとともに、前記スケールの前記所定幅内に位置する計測点での計測情報に前記スケールの異常に起因して異常が生じた場合、前記移動体の位置制御に優先的に用いる計測情報を前記第1計測点とは異なる第2計測点での計測情報を含む第2計測情報に切り換える制御装置と;を備える移動体装置。
  2. 請求項1に記載の移動体装置において、
    前記制御装置は、前記第1計測点での計測情報に異常が生じた場合、前記移動体の位置制御に用いる計測情報を前記第2計測情報に切り換える移動体装置。
  3. 請求項1又は2に記載の移動体装置において、
    前記第1計測情報及び前記第2計測情報のそれぞれは、複数計測点での計測情報を含む移動体装置。
  4. 請求項1又は2に記載の移動体装置において、
    前記第1計測情報及び前記第2計測情報のそれぞれは、1つの計測点での計測情報である移動体装置。
  5. 請求項1に記載の移動体装置において、
    前記計測装置は、計測点に計測光を照射するヘッドを有し、前記ヘッドは前記複数の計測点のうちの前記n点以上の計測点に対して前記計測光を照射する移動体装置。
  6. 請求項1〜5のいずれか一項に記載の移動体装置において、
    前記移動体には、前記スケールが、前記第2方向に離れて一対設けられ、
    前記移動体が前記所定平面内の所定範囲にあるとき、前記一対のスケールの少なくとも一方に、常に、n個以上の計測点が位置するように、前記計測点の配置が定められている移動体装置。
  7. 請求項1〜6のいずれか一項に記載の移動体装置において、
    前記移動体には、それぞれの長手方向を前記第2方向に向けて、前記第1方向に離れて、一対の別スケールがさらに設けられ、
    前記移動体が前記所定平面内の所定範囲にあるとき、前記一対の別スケールの少なくとも一方に、常に、n個以上の計測点が位置するように、前記計測点の配置が定められている移動体装置。
  8. 請求項1〜7のいずれか一項に記載の移動体装置において、
    前記計測点が、前記スケールの長手方向に直交する方向に関して、前記スケールの所定幅の半分以下の間隔毎に、実質的に等間隔に配置されている移動体装置。
  9. 請求項1又は2に記載の移動体装置において、
    前記計測装置は、同一の計測点に計測光を照射する第1、第2ヘッドを有し、前記第1ヘッドから照射された計測光の照射領域と前記第2ヘッドから照射された計測光の照射領域とは、重畳することなく近接する移動体装置。
  10. 実質的に所定平面に沿って移動する移動体を含む移動体装置であって、
    前記移動体と該移動体の外部との一方に配置され、前記所定平面と平行な面内の第1方向を長手方向とし、前記第1方向と直交する第2方向に所定幅を有する格子部を有するスケールと;
    前記移動体の移動領域に配置される複数の計測点を有し、前記複数の計測点で前記格子部の周期方向に関する前記スケールの位置情報を計測するとともに、第1計測点に対して計測光を照射する第1ヘッドと、前記第1計測点、又はその近傍に計測光を照射する第2ヘッドとを含むヘッドセットを複数有する計測装置と;
    前記第1ヘッドが生成する計測情報を優先的に使用して前記移動体の位置を制御するとともに、前記第1ヘッドが生成する計測情報に前記スケールの異常に起因して異常が生じた場合、優先的に使用する計測情報を、前記第1ヘッドが生成する計測情報から前記第2ヘッドが生成する計測情報に、切り換える制御装置と;を備える移動体装置。
  11. 請求項10に記載の移動体装置において、
    前記ヘッドセットに含まれる前記第1ヘッドと前記第2ヘッドとによって計測光が照射される計測点が、前記スケールの所定幅の半分以下の間隔毎に、実質的に等間隔に配置されている移動体装置。
  12. 請求項10に記載の移動体装置において、
    前記計測装置において、前記第1ヘッドにより計測光が照射される計測領域と前記第2ヘッドにより計測光が照射される計測領域との少なくとも一部が重畳している移動体装置。
  13. 実質的に所定平面に沿って移動する移動体を含む移動体装置であって、
    前記移動体と該移動体の外部との一方に配置され、前記所定平面と平行な面内の第1方向を長手方向とし、前記第1方向と直交する第2方向に所定幅を有する格子部を有するスケールと;
    前記移動体の移動範囲内に配置された複数の計測点で、前記所定平面内の1自由度方向に関する前記移動体の位置情報を計測するとともに、前記移動体が所定位置に位置するときに前記スケール上に配置された前記複数の計測点のうちの少なくとも1つに計測光を照射して計測情報を生成する複数のヘッドを備える計測装置と;
    前記1つの計測点に計測光を照射する複数のヘッドのうちの第1ヘッドが生成する計測情報を優先的に使用して前記移動体の位置を制御するとともに、前記第1ヘッドが生成する計測情報に前記スケールの異常に起因して異常が生じた場合、優先的に使用する計測情報を、前記第1ヘッドが生成する計測情報から、前記複数のヘッドのうちの第2ヘッドが生成する計測情報に切り換える制御装置と;を備える移動体装置。
  14. 請求項13に記載の移動体装置において、
    前記スケールは、前記移動体に設けられる移動体装置。
  15. 請求項13又は14に記載の移動体装置において、
    前記第1ヘッドと前記第2ヘッドとは、前記移動体が前記所定位置に位置するときに前記複数の計測点のうちの1つの同一の計測点に計測光を照射し、前記計測点では、前記第1ヘッドから照射された計測光の照射領域と前記第2ヘッドから照射された計測光の照射領域との少なくとも一部が重畳する移動体装置。
  16. 請求項13又は14に記載の移動体装置において、
    前記移動体が前記所定位置に位置するときに前記複数の計測点のうちの1つの同一の計測点に計測光を照射し、前記計測点では、前記第1ヘッドから照射された計測光の照射領域と前記第2ヘッドから照射された計測光の照射領域とは、重畳することなく近接する移動体装置。
  17. 物体にパターンを形成するパターン形成装置であって、
    前記物体上にパターンを形成するパターニング装置と;
    前記物体が前記移動体に載置される請求項1〜16のいずれか一項に記載の移動体装置と;を備えるパターン形成装置。
  18. 請求項17に記載のパターン形成装置において、
    前記物体は感応層を有し、前記パターニング装置は、前記感応層を露光することによって前記物体上にパターンを形成するパターン形成装置。
  19. エネルギビームを照射することによって物体にパターンを形成する露光装置であって、
    前記物体に前記エネルギビームを照射するパターニング装置と;
    前記物体が前記移動体に載置される請求項1〜16のいずれか一項に記載の移動体装置と;
    前記エネルギビームに対して前記物体を相対移動させるために、前記移動体を駆動する駆動装置と;を備える露光装置。
  20. 請求項19に記載の露光装置を用いるデバイス製造方法。
JP2008286012A 2007-11-08 2008-11-07 移動体装置、パターン形成装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法 Pending JP2009117842A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US99628307P 2007-11-08 2007-11-08
US12/265,084 US8665455B2 (en) 2007-11-08 2008-11-05 Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009117842A true JP2009117842A (ja) 2009-05-28

Family

ID=40623387

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008286012A Pending JP2009117842A (ja) 2007-11-08 2008-11-07 移動体装置、パターン形成装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8665455B2 (ja)
JP (1) JP2009117842A (ja)
KR (1) KR20100085015A (ja)
CN (1) CN101681116B (ja)
TW (1) TW200925798A (ja)
WO (1) WO2009061001A1 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010143652A1 (ja) * 2009-06-10 2010-12-16 株式会社ニコン 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP2011061199A (ja) * 2009-09-11 2011-03-24 Asml Netherlands Bv シャッター部材、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2014131077A (ja) * 2009-08-25 2014-07-10 Nikon Corp 露光方法
JP2014150264A (ja) * 2009-08-25 2014-08-21 Nikon Corp 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
WO2017057569A1 (ja) * 2015-09-30 2017-04-06 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにフラットパネルディスプレイ製造方法
WO2017057546A1 (ja) * 2015-09-30 2017-04-06 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにフラットパネルディスプレイ製造方法

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9013681B2 (en) * 2007-11-06 2015-04-21 Nikon Corporation Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method
US9256140B2 (en) * 2007-11-07 2016-02-09 Nikon Corporation Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method with measurement device to measure movable body in Z direction
US8422015B2 (en) * 2007-11-09 2013-04-16 Nikon Corporation Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method
US8599359B2 (en) 2008-12-19 2013-12-03 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, and carrier method
US8773635B2 (en) * 2008-12-19 2014-07-08 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8760629B2 (en) 2008-12-19 2014-06-24 Nikon Corporation Exposure apparatus including positional measurement system of movable body, exposure method of exposing object including measuring positional information of movable body, and device manufacturing method that includes exposure method of exposing object, including measuring positional information of movable body
US8902402B2 (en) 2008-12-19 2014-12-02 Nikon Corporation Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8488109B2 (en) 2009-08-25 2013-07-16 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
US20110096306A1 (en) * 2009-09-28 2011-04-28 Nikon Corporation Stage apparatus, exposure apparatus, driving method, exposing method, and device fabricating method
US20110102761A1 (en) * 2009-09-28 2011-05-05 Nikon Corporation Stage apparatus, exposure apparatus, and device fabricating method
US20110096312A1 (en) * 2009-09-28 2011-04-28 Nikon Corporation Exposure apparatus and device fabricating method
US20110096318A1 (en) * 2009-09-28 2011-04-28 Nikon Corporation Exposure apparatus and device fabricating method
US20110123913A1 (en) * 2009-11-19 2011-05-26 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method
US20110128523A1 (en) * 2009-11-19 2011-06-02 Nikon Corporation Stage apparatus, exposure apparatus, driving method, exposing method, and device fabricating method
US8488106B2 (en) * 2009-12-28 2013-07-16 Nikon Corporation Movable body drive method, movable body apparatus, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
US20120064460A1 (en) * 2010-09-07 2012-03-15 Nikon Corporation Movable body apparatus, object processing device, exposure apparatus, flat-panel display manufacturing method, and device manufacturing method
KR101764169B1 (ko) * 2011-08-19 2017-08-02 삼성전자 주식회사 마스크리스 노광 장치와 이를 이용한 빔 위치 계측 방법
US9207549B2 (en) 2011-12-29 2015-12-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method with encoder of higher reliability for position measurement
CN104937696B (zh) * 2012-11-20 2019-03-15 株式会社尼康 曝光装置、移动体装置以及器件制造方法
JP6313571B2 (ja) * 2013-11-12 2018-04-18 キヤノン株式会社 位置検出装置及びそれを有するレンズ装置及び撮影装置
KR20160048301A (ko) * 2014-10-23 2016-05-04 삼성전자주식회사 본딩 장치 및 그를 포함하는 기판 제조 설비
KR102552792B1 (ko) * 2015-02-23 2023-07-06 가부시키가이샤 니콘 계측 장치, 리소그래피 시스템 및 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
TWI696042B (zh) 2015-02-23 2020-06-11 日商尼康股份有限公司 測量裝置、微影系統及曝光裝置、以及管理方法、重疊測量方法及元件製造方法
KR102632657B1 (ko) 2015-02-23 2024-02-01 가부시키가이샤 니콘 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법, 그리고 디바이스 제조 방법
CN107806822B (zh) * 2017-09-21 2020-06-09 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种测量装置
CN107687814B (zh) * 2017-09-21 2020-05-12 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种测量装置
CN113490886A (zh) 2019-02-28 2021-10-08 Asml荷兰有限公司 平台系统和光刻装置
CN114326321A (zh) * 2021-12-13 2022-04-12 复旦大学附属中山医院 一种western blot条带辅助曝光装置

Family Cites Families (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US805472A (en) * 1905-04-13 1905-11-28 Julius Koegel Pencil-box for slates.
US4215938A (en) * 1978-09-28 1980-08-05 Farrand Industries, Inc. Method and apparatus for correcting the error of a position measuring interferometer
JPS6166113A (ja) 1984-09-07 1986-04-04 Mitsutoyo Mfg Co Ltd 変位検出装置の異常検出方法及び回路
JPH03140820A (ja) * 1989-10-25 1991-06-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd エンコーダ
DE4033556A1 (de) 1990-10-22 1992-04-23 Suess Kg Karl Messanordnung fuer x,y,(phi)-koordinatentische
KR100300618B1 (ko) * 1992-12-25 2001-11-22 오노 시게오 노광방법,노광장치,및그장치를사용하는디바이스제조방법
JPH06241720A (ja) 1993-02-18 1994-09-02 Sony Corp 変位量の測定方法及び変位計
JPH07270122A (ja) * 1994-03-30 1995-10-20 Canon Inc 変位検出装置、該変位検出装置を備えた露光装置およびデバイスの製造方法
JPH08282048A (ja) 1995-04-14 1996-10-29 Copyer Co Ltd 画像形成装置
DE19604871A1 (de) * 1996-02-10 1997-08-14 Heidenhain Gmbh Dr Johannes Positionsmeßeinrichtung
CN1244018C (zh) * 1996-11-28 2006-03-01 株式会社尼康 曝光方法和曝光装置
EP1197801B1 (en) * 1996-12-24 2005-12-28 ASML Netherlands B.V. Lithographic device with two object holders
US6208407B1 (en) * 1997-12-22 2001-03-27 Asm Lithography B.V. Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement
KR100819239B1 (ko) * 1998-03-11 2008-04-03 가부시키가이샤 니콘 자외 레이저 장치, 레이저 장치, 노광 장치와 노광 방법, 디바이스 제조 방법, 자외광 조사 장치, 물체 패턴 검출 장치, 자외광 조사 방법 및 물체 패턴 검출 방법
US6771350B2 (en) * 2000-02-25 2004-08-03 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method capable of controlling illumination distribution
TW527526B (en) * 2000-08-24 2003-04-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US6611316B2 (en) * 2001-02-27 2003-08-26 Asml Holding N.V. Method and system for dual reticle image exposure
JP2003028673A (ja) 2001-07-10 2003-01-29 Canon Inc 光学式エンコーダ、半導体製造装置、デバイス製造方法、半導体製造工場および半導体製造装置の保守方法
TW529172B (en) * 2001-07-24 2003-04-21 Asml Netherlands Bv Imaging apparatus
JP4415674B2 (ja) 2002-01-29 2010-02-17 株式会社ニコン 像形成状態調整システム、露光方法及び露光装置、並びにプログラム及び情報記録媒体
KR20050004258A (ko) * 2002-05-31 2005-01-12 가부시키가이샤 니콘 위치 계측 방법, 노광 방법, 노광 장치 및 디바이스 제조방법
WO2004019128A2 (en) * 2002-08-23 2004-03-04 Nikon Corporation Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same
EP2495613B1 (en) 2002-11-12 2013-07-31 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
TWI232357B (en) * 2002-11-12 2005-05-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2004053955A1 (ja) * 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
US7388294B2 (en) * 2003-01-27 2008-06-17 Micron Technology, Inc. Semiconductor components having stacked dice
TWI621923B (zh) * 2003-02-26 2018-04-21 Nikon Corp Exposure apparatus, exposure method, and component manufacturing method
US7025498B2 (en) * 2003-05-30 2006-04-11 Asml Holding N.V. System and method of measuring thermal expansion
JP4444920B2 (ja) * 2003-09-19 2010-03-31 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
TWI295408B (en) * 2003-10-22 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method, and measurement system
EP1697798A2 (en) 2003-12-15 2006-09-06 Carl Zeiss SMT AG Projection objective having a high aperture and a planar end surface
WO2005059645A2 (en) 2003-12-19 2005-06-30 Carl Zeiss Smt Ag Microlithography projection objective with crystal elements
US7102729B2 (en) * 2004-02-03 2006-09-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, measurement system, and device manufacturing method
JP4429037B2 (ja) * 2004-02-27 2010-03-10 キヤノン株式会社 ステージ装置及びその制御方法
US7256871B2 (en) * 2004-07-27 2007-08-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method for calibrating the same
KR100593751B1 (ko) * 2004-11-16 2006-06-28 삼성전자주식회사 오토 포커스 시스템, 오토 포커스 방법 및 이를 이용한노광장치
US20060139595A1 (en) * 2004-12-27 2006-06-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method for determining Z position errors/variations and substrate table flatness
JP4095611B2 (ja) 2004-12-27 2008-06-04 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. レベルセンサ、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
US7515281B2 (en) * 2005-04-08 2009-04-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7161659B2 (en) * 2005-04-08 2007-01-09 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
US7405811B2 (en) 2005-04-20 2008-07-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and positioning apparatus
US7349069B2 (en) * 2005-04-20 2008-03-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and positioning apparatus
US7348574B2 (en) * 2005-09-02 2008-03-25 Asml Netherlands, B.V. Position measurement system and lithographic apparatus
JP2007093546A (ja) 2005-09-30 2007-04-12 Nikon Corp エンコーダシステム、ステージ装置及び露光装置
TWI393171B (zh) * 2006-01-19 2013-04-11 尼康股份有限公司 A moving body driving method and a moving body driving system, a pattern forming method and a pattern forming apparatus, an exposure method and an exposure apparatus, and an element manufacturing method
SG170012A1 (en) * 2006-02-21 2011-04-29 Nikon Corp Pattern forming apparatus and pattern forming method, movable body drive system and movable body drive method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method
SG170010A1 (en) * 2006-02-21 2011-04-29 Nikon Corp Measuring apparatus and method, processing apparatus and method, pattern forming apparatus and method, exposure appararus and method, and device manufacturing method
KR101495471B1 (ko) 2006-02-21 2015-02-23 가부시키가이샤 니콘 패턴 형성 장치, 마크 검출 장치, 노광 장치, 패턴 형성 방법, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
US7602489B2 (en) * 2006-02-22 2009-10-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101634893B1 (ko) * 2006-08-31 2016-06-29 가부시키가이샤 니콘 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
KR101638306B1 (ko) * 2006-08-31 2016-07-08 가부시키가이샤 니콘 이동체 구동 시스템 및 이동체 구동 방법, 패턴 형성 장치 및 방법, 노광 장치 및 방법, 디바이스 제조 방법, 그리고 결정 방법
KR101824374B1 (ko) * 2006-08-31 2018-01-31 가부시키가이샤 니콘 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
KR101511929B1 (ko) * 2006-09-01 2015-04-13 가부시키가이샤 니콘 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 디바이스 제조 방법, 그리고 캘리브레이션 방법
WO2008029758A1 (en) * 2006-09-01 2008-03-13 Nikon Corporation Mobile body driving method, mobile body driving system, pattern forming method and apparatus, exposure method and apparatus and device manufacturing method
US20080079920A1 (en) * 2006-09-29 2008-04-03 Heiko Hommen Wafer exposure device and method
US8023106B2 (en) * 2007-08-24 2011-09-20 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method
US9013681B2 (en) * 2007-11-06 2015-04-21 Nikon Corporation Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method
US9256140B2 (en) * 2007-11-07 2016-02-09 Nikon Corporation Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method with measurement device to measure movable body in Z direction
US8422015B2 (en) * 2007-11-09 2013-04-16 Nikon Corporation Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method

Cited By (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010143652A1 (ja) * 2009-06-10 2010-12-16 株式会社ニコン 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
US9389517B2 (en) 2009-08-25 2016-07-12 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US9244367B2 (en) 2009-08-25 2016-01-26 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP2016128911A (ja) * 2009-08-25 2016-07-14 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2014131077A (ja) * 2009-08-25 2014-07-10 Nikon Corp 露光方法
US9507267B2 (en) 2009-08-25 2016-11-29 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US9019472B2 (en) 2009-08-25 2015-04-28 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP2015109458A (ja) * 2009-08-25 2015-06-11 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US9910361B2 (en) 2009-08-25 2018-03-06 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP2015207013A (ja) * 2009-08-25 2015-11-19 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US10191383B2 (en) 2009-08-25 2019-01-29 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US9291917B2 (en) 2009-08-25 2016-03-22 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US9715176B2 (en) 2009-08-25 2017-07-25 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US10401733B2 (en) 2009-08-25 2019-09-03 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP2014150264A (ja) * 2009-08-25 2014-08-21 Nikon Corp 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US9081305B2 (en) 2009-08-25 2015-07-14 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8599356B2 (en) 2009-09-11 2013-12-03 Asml Netherlands B.V. Shutter member, a lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2011061199A (ja) * 2009-09-11 2011-03-24 Asml Netherlands Bv シャッター部材、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
CN102023490A (zh) * 2009-09-11 2011-04-20 Asml荷兰有限公司 遮蔽构件、光刻设备以及器件制造方法
WO2017057569A1 (ja) * 2015-09-30 2017-04-06 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにフラットパネルディスプレイ製造方法
JPWO2017057569A1 (ja) * 2015-09-30 2018-07-19 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにフラットパネルディスプレイ製造方法
KR20180059816A (ko) * 2015-09-30 2018-06-05 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 플랫 패널 디스플레이 제조 방법
WO2017057546A1 (ja) * 2015-09-30 2017-04-06 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにフラットパネルディスプレイ製造方法
JP2021092784A (ja) * 2015-09-30 2021-06-17 株式会社ニコン 露光装置、及びフラットパネルディスプレイ製造方法
JP7230937B2 (ja) 2015-09-30 2023-03-01 株式会社ニコン 露光装置、及びフラットパネルディスプレイ製造方法
KR102633248B1 (ko) 2015-09-30 2024-02-02 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 플랫 패널 디스플레이 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US8665455B2 (en) 2014-03-04
WO2009061001A1 (en) 2009-05-14
TW200925798A (en) 2009-06-16
KR20100085015A (ko) 2010-07-28
US20090122287A1 (en) 2009-05-14
CN101681116B (zh) 2013-11-27
CN101681116A (zh) 2010-03-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2009117842A (ja) 移動体装置、パターン形成装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2009117838A (ja) 移動体装置、パターン形成装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2009124140A (ja) 移動体装置、パターン形成装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2009117837A (ja) 移動体装置、パターン形成装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP5423863B2 (ja) 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP5494920B2 (ja) 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
TWI525396B (zh) Mobile body driving method and moving body driving system, pattern forming method and apparatus, exposure method and apparatus, component manufacturing method, measuring method, and position measuring system
JP2012248888A (ja) 検出装置、移動体装置、パターン形成装置及びパターン形成方法、露光装置、及びデバイス製造方法
JP5169492B2 (ja) 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP5057235B2 (ja) 較正方法、露光方法及びデバイス製造方法、並びに露光装置
JP5125318B2 (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
JP5126594B2 (ja) 較正方法、露光方法及びデバイス製造方法、並びに露光装置
JP5234308B2 (ja) 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP5077744B2 (ja) 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP5211690B2 (ja) 較正方法、移動体駆動方法及び装置、露光方法及び装置、パターン形成方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP2009252994A (ja) 露光方法及びデバイス製造方法、並びに露光装置
JP5170824B2 (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
JP2012089769A (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
JP5077745B2 (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
JP5057220B2 (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
JP5234486B2 (ja) 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP5158330B2 (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
JP2009252993A (ja) 較正方法、移動体駆動方法及び装置、露光方法及び装置、パターン形成方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP2010067874A (ja) 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法