JP2011061199A - シャッター部材、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】液浸液の位置決めシステムとの干渉のリスクを低減する
【解決手段】基板テーブル、流体ハンドリング構造及びスワップテーブルを含む液浸リソグラフィ装置が開示される。基板テーブルは、基板を支持するように構成されている。流体ハンドリング構造は、投影システムと基板テーブル、基板、又はその両方との間に画定された空間に液浸液を供給し閉じ込めるように構成されている。スワップテーブルは、例えば、基板テーブル上の基板のスワップ中に流体ハンドリング構造の下にあるように構成されたシャッター表面を含む。使用時に、基板テーブルの表面とスワップテーブルの表面との間の移送表面が流体ハンドリング構造の下で移動して液浸液の漏出を阻止するのを助ける。シャッター部材と方法も開示される。
【選択図】図１５

Description

[0001] 本発明は、シャッター部材、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法に関する。

[0002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）、デバイス又はＩＣデバイスの製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣ、デバイス又はＩＣデバイスの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが与えられる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所与の方向（「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所与の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。

[0003] 投影システムの最終要素と基板の間の空間を充填するように、リソグラフィ投影装置内の基板を水などの比較的高い屈折率を有する液体に液浸することが提案されている。ある実施形態では、液体は蒸留水であるが、別の液体を使用することもできる。本発明の実施形態は、液体について説明されている。しかし別の流体、特にウェッティング流体、非圧縮性流体及び／又は屈折率が空気より高い、望ましくは屈折率が水より高い流体が適切なこともある。気体を除く流体が特に望ましい。そのポイントは、露光放射は液体中の方が波長が短いので、結像するフィーチャの小型化を可能にすることである。（液体の効果は、システムの有効開口数（ＮＡ）を大きくでき、焦点深さも大きくすることと見なすこともできる。）固体粒子（例えば石英）が懸濁している水、又はナノ粒子の懸濁（例えば最大１０ｎｍの最大寸法の粒子）がある液体などの、他の液浸液も提案されている。懸濁粒子は、これが懸濁している液体と同様の屈折率又は同じ屈折率を有しても、有していなくてもよい。適切になり得る他の液体は、芳香族などの炭化水素、フルオロハイドロカーボン、及び／又は水溶液である。

[0004] 基板又は基板と基板テーブルを液体の浴槽に浸漬することは（例えば、米国特許第４，５０９，８５２号を参照）、液浸システム構成の一形式である。この構成では、大きな液体の塊がスキャン露光中に加速する必要がある。これには、追加のモータ又はさらに強力なモータが必要であり、液体中の乱流が望ましくない予測不能な効果を引き起こすことがある。

[0005] 提案されている他の構成は、液体供給システムが液体閉じ込めシステムを使用して、基板の局所区域、及び投影システムの最終要素と基板の間にのみ液体を提供する（基板は通常、投影システムの最終要素より大きい表面積を有する）。これを配置するために提案されている１つの方法が、ＰＣＴ特許出願公開ＷＯ９９／４９５０４号に開示されている。このタイプの構成を局所液浸システム構成と呼ぶことができる。

[0006] 別の構成は、ＰＣＴ特許出願公開ＷＯ２００５／０６４４０５号に開示された液浸液が閉じ込められないオールウェット構成である。このようなシステムでは、液浸液は閉じ込められない。基板の上面全体は液体で覆われる。これは、基板の上面全体が実質的に同じ状態にさらされているので有利である。これは、基板の温度制御及び処理にとって利点を有する。ＷＯ２００５／０６４４０５号では、液体供給システムが投影システムの最終要素と基板の間のギャップに液体を供給する。その液体は、基板の残りの部分の上に漏れることができる。基板テーブルの縁部にあるバリアは、液体が逃げるのを防止し、したがって制御された方法で基板テーブルの上面からこれを除去することができる。このようなシステムは、基板の温度制御及び処理を改良するが、それでも液浸液の蒸発が生じることがある。その問題の軽減に役立つ１つの方法が、米国特許出願公開ＵＳ２００６／０１１９８０９号に記載されている。すべての位置で基板Ｗを覆い、液浸液を自身と基板及び／又は基板を保持する基板テーブルの上面との間に延在させるように配置された部材が提供される。

[0007] 参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする欧州特許出願公開ＥＰ１４２０３００号及び米国特許出願公開ＵＳ２００４−０１３６４９４号に、ツイン又はデュアルステージ液浸リソグラフィ装置の考え方が開示されている。このような装置は、基板を支持する２つのテーブルを備えている。第１の位置の１つのテーブルで液浸液を使用せずにレベリング測定が実行され、第２の位置の液浸液がある状態で１つのテーブルで露光が実行される。あるいは、装置は１つのテーブルだけを有する。

[0008] 液浸リソグラフィ装置内で基板を露光した後、基板テーブルはその露光位置から離れ、基板を取り外して異なる基板と交換することができる位置へと移動する。これは、基板スワップとして周知である。２ステージのリソグラフィ装置では、テーブルのスワップは、例えば投影システムの下で実行されることがある。

[0009] 液浸装置では、液浸液は、流体ハンドリングシステム又は装置によって取り扱われる。流体ハンドリングシステムは、液浸流体を供給することができ、したがって流体供給システムである。流体ハンドリングシステムは、少なくとも部分的に流体を閉じ込めることができ、それにより流体閉じ込めシステムである。流体ハンドリングシステムは、流体へのバリアを提供することができ、それによりバリア部材である。そのようなバリア部材は、流体閉じ込め構造であってもよい。流体ハンドリングシステムは、例えば、フロー及び／又は液浸流体の位置を制御する際に液体を取り扱うのを助けるために流体（ガスなど）のフローを生成又は使用することができる。ガスのフローは、液浸流体を閉じ込める封止を形成することができ、したがって、流体ハンドリング構造を封止部材と呼ぶこともできる。このような封止部材は、流体閉じ込め構造であってもよい。液浸液は、液浸流体として使用してもよい。この場合、流体ハンドリングシステムは、液体ハンドリングシステムであってもよい。投影システムと基板テーブルとの間に流体ハンドリングシステムが配置されてもよい。上記説明に関して、本節で流体に関して定義されたフィーチャへの言及は、液体に関して定義されたフィーチャを含むと考えてもよい。

[0010] リソグラフィ装置での基板の露光後に、基板は支持されている基板テーブルから取り外され、基板テーブル上には露光する新しい基板が配置される。この工程は、しばしば基板スワップと呼ばれる。露光時の液浸液は、流体ハンドリング構造、投影システムと基板テーブル、基板、又はその両方の対向面との間の空間に閉じ込められている。例えば、基板スワップ中に空間内に液浸液を保持することが望ましい。これは、例えば、流体ハンドリング構造をシャッター部材の上方に配置する（例えば、シャッター部材を流体ハンドリング構造の下へ移動させる）ことで達成することができる。液浸リソグラフィシステムの幾つかの設計では、シャッター部材は基板テーブルの外縁部より先に位置していてもよく、例えば、シャッター部材は、別のテーブル（又はスワップテーブル）あるいは基板テーブルと他方のテーブルとの間の格納式ブリッジであってもよい。他方のテーブルは、デュアルステージリソグラフィ装置などで露光する次の基板を支持する別の基板テーブル、又は基板を支持しないように設計された測定テーブルであってもよい。

[0011] 例えば、基板スワップ中に流体ハンドリング構造の下から脱する基板テーブルの縁部に、位置決めシステムのコンポーネントがあってもよい。例えば、基板テーブルの表面内又は表面上の縁部付近にエンコーダ格子などの位置決め板があってもよい。位置決め板は、基板テーブルの位置、したがって、投影システムなどのリソグラフィツールの１つ又は複数の他のコンポーネントに対する基板上に配置された基板の位置を決定するために使用される。

[0012] 基板テーブルとシャッター部材は流体ハンドリング構造に対して移動するので、液浸空間から位置決め板の表面へ液浸液が失われるリスクがある。位置決め板上の液浸液は、位置決めシステムに干渉してその精度に影響することがある。

[0013] 本明細書に記載するか否かを問わず、液浸液の位置決めシステムとの干渉のリスクを防止はできなくとも低減することで、上記の問題又はその他の１つ又は複数の問題を緩和することが望ましい。

[0014] 一態様によれば、出願時に提示した特許請求の範囲に記載の発明が提供される。

[0015] 対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。
[0016]本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置を示す図である。 [0017]リソグラフィ投影装置で使用する液体供給システムを示す図である。 [0017]リソグラフィ投影装置で使用する液体供給システムを示す図である。 [0018]リソグラフィ投影装置で使用する別の液体供給システムを示す図である。 [0019]リソグラフィ投影装置で使用する別の液体供給システムを示す図である。 [0020]本発明のある実施形態による液体閉じ込め構造と投影システムの最終要素との断面図である。 [0021]本発明のある実施形態による２つの基板テーブルを備えたデュアルステージ構成の概略平面図である。 [0022]本発明のある実施形態による２つの基板テーブルを備えたデュアルステージ構成の概略平面図である。 [0023]本発明のある実施形態による基板テーブルと測定テーブルとを備えたデュアルステージ構成の概略平面図である。 [0024]本発明のある実施形態による２つの基板テーブルを備えたデュアルステージ構成の概略平面図である。 [0025]本発明のある実施形態による２つの基板テーブルを備えたデュアルステージ構成の概略平面図である。 [0026]本発明のある実施形態による基板テーブルと測定テーブルとを備えたデュアルステージ構成の概略平面図である。 [0027]図７乃至図１２に示すタイプの移送レーンの詳細の概略斜視図である。 [0027]図７乃至図１２に示すタイプの移送レーンの詳細の概略斜視図である。 [0027] 図７乃至図１２に示すタイプの移送レーンの詳細の概略斜視図である。 [0028]本発明のある実施形態による移送レーンの概略平面図である。 [0029]本発明のある実施形態による移送レーンの概略平面図である。 [0030]本発明のある実施形態による移送レーンの概略平面図である。 [0031]本発明のある実施形態による移送レーンの概略平面図である。 [0032]図８、図９、図１１及び図１２に示す本発明のある実施形態による基板テーブルの概略平面図である。 [0033]図２０に示す基板テーブルのある実施形態の線Ｘ−Ｘに沿った概略断面図である。 [0034]図２０に示す基板テーブルのある実施形態の線Ｙ−Ｙに沿った概略断面図である。 [0035]センサエンコーダの構成を備えた基板テーブルの概略平面図である。 [0036]エンコーダセンサの構成を備えた基板テーブルを有する本発明のある実施形態の概略平面図である。 [0037]図２０に示す基板テーブルのある実施形態の線Ｙ−Ｙに沿った概略断面図である。 [0038]図２０に示す基板テーブルのある実施形態の線Ｘ−Ｘに沿った概略断面図である。 [0039]図２０に示す基板テーブルのある実施形態の線Ｘ−Ｘに沿った概略断面図である。 [0040]図２０に示す基板テーブルのある実施形態の線Ｙ−Ｙに沿った概略断面図である。 [0041]図２５及び図２６に示す実施形態の概略斜視図である。 [0042]図２９に示す実施形態の変形形態の概略斜視図である。 [0043]格子の内縁部の周囲にバリアを備えた基板テーブルのある実施形態の概略平面図である。 [0044]格子の外縁部の周囲にバリアを備えた基板テーブルのある実施形態の概略平面図である。 [0045]両方のテーブルの表面を覆う洗浄経路を示す測定テーブルを備えた基板テーブルのある実施形態の概略平面図である。 [0046]２つのテーブルの間のギャップを掛け渡す延在表面を有する基板テーブルと測定テーブルとを備えたデュアルテーブル構成のある実施形態の概略平面図である。 [0047]２つのテーブルの間のギャップを掛け渡す延在表面を各々が有する２つの基板テーブルを備えたデュアルテーブル構成のある実施形態の概略平面図である。 [0048]図３４に示す基板テーブルと測定テーブルとを備えたデュアルテーブル構成のある実施形態の概略断面図である。 [0049]基板テーブルのある実施形態の概略斜視図である。 [0050]図３７の基板テーブルと測定テーブルとを備えたデュアルテーブル構成のある実施形態の概略断面図である。 [0051]図３８に示すデュアルテーブル構成の一部の詳細の概略断面図である。

[0052] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、
− 放射ビームＢ（例えばＵＶ放射又はＤＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
− パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
− 基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板Ｗを正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、
− パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ又は複数のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳとを備える。

[0053] 照明システムは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組合せなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。

[0054] 支持構造ＭＴはパターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。この支持構造ＭＴは、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造ＭＴは、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。

[0055] 本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。

[0056] パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型(alternating)位相シフトマスク、ハーフトーン型(attenuated)位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。

[0057] 本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なすことができる。

[0058] 本明細書で示すように、本装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する）。

[0059] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のパターニングデバイステーブル）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、１つ又は複数の他のテーブルを露光に使用している間に１つ又は複数のテーブルで予備工程を実行することができる。

[0060] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。

[0061] イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するアジャスタＡＤを備えていてもよい。通常、イルミネータＩＬの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータを用いて放射ビームを調節し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。

[0062] 放射ビームＢは、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスＭＡによってパターン形成される。パターニングデバイスＭＡを横断した放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦させる。第２のポジショナＰＷと位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）の助けを借りて、基板テーブルＷＴは、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路に位置決めできるように正確に移動できる。同様に、第１のポジショナＰＭと別の位置センサ（図１には明示されていない）を用いて、マスクライブラリからの機械的な取り出し後又はスキャン中などに放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めできる。一般に、支持構造ＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現できる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、支持構造ＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分Ｃの間の空間に位置してもよい（スクライブレーンアライメントマークとして周知である）。同様に、パターニングデバイスＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、パターニングデバイスアライメントマークをダイ間に配置してもよい。

[0063] 図示のリソグラフィ装置は、以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
１．ステップモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で結像されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
２．スキャンモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられるパターンがターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一動的露光）。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分Ｃの（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分Ｃの（スキャン方向における）高さが決まる。
３．別のモードでは、支持構造ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。

[0064] 上述した使用モードの組合せ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。

[0065] 投影システムＰＳの最終要素と基板との間に液体を提供する構成は、３つの一般的なカテゴリに分類できる。これらは、浴槽タイプの構成と、いわゆる局所液浸システムと、オールウェット液浸システムである。浴槽タイプの構成では、実質的に基板Ｗの全体と、任意選択で基板テーブルＷＴの一部が液体の浴槽に浸される。

[0066] 局所液浸システムは、液体が基板の局所区域にのみ提供される液体供給システムを使用する。液体によって充填された空間は、基板の上面より平面視で小さく、液体によって充填される区域は、その区域の下を基板Ｗが移動している間、投影システムＰＳに対して静止している。図２〜図５は、そのようなシステムで使用することができる異なった供給デバイスを示す。液体を局所区域に封止する封止特徴部が存在する。提案されているこれを配置する方法の１つが、ＰＣＴ特許出願公開第ＷＯ９９／４９５０４号に開示されている。

[0067] オールウェット構成では、液体は閉じ込められない。基板上面の全体と基板テーブルの全部又は一部が液浸液に覆われる。少なくとも基板を覆う液体の深さは小さい。液体は、ウェーハ上の液体の薄膜などの膜であってもよい。液浸液は、投影システムと投影システムに対向する対向面（そのような対向面は基板及び／又は基板テーブルの表面であってもよい）の領域に、又はその領域内に供給することができる。また、図２〜図５の液体供給デバイスのいずれもそのようなシステムで使用することができる。しかし、封止特徴部は存在せず、活性化されず、通常より有効でなく、又はその他の点で液体を局所区域にのみ封止する効果がない。

[0068] 図２及び図３に図示されているように、液体は、少なくとも１つの入口によって基板上に、好ましくは最終要素に対する基板の動作方向に沿って供給される。液体は、投影システムＰＳの下を通過した後に少なくとも１つの出口によって除去される。すなわち、基板が−Ｘ方向にて要素の下でスキャンされると、液体が要素の＋Ｘ側にて供給され、−Ｘ側にて取り上げられる。図２は、液体が入口を介して供給され、低圧源に接続された出口によって要素の他方側で取り上げられる構成を概略的に示したものである。図２の図では、液体が最終要素に対する基板Ｗの動作方向に沿って供給されるが、こうである必要はない。最終要素の周囲に配置された入口及び出口の様々な方向及び数が可能であり、一例が図３に図示され、ここでは両側に出口を持つ４組の入口が最終要素の周囲に規則的パターンで設けられる。液体のフローの方向は、図２及び図３に矢印で示されていることに留意されたい。

[0069] 局所液体供給システムを備える液浸リソグラフィのさらなる解決法が、図４に図示されている。液体が、投影システムＰＳのいずれかの側にある２つの溝入口によって供給され、入口の半径方向外側に配置された複数の別個の出口によって除去される。入口は、投影される投影ビームが通る穴が中心にあるプレートに配置することができる。液体は、投影システムＰＳの一方側にある１つの溝入口によって供給され、投影システムＰＳの他方側にある複数の別個の出口によって除去されて、投影システムＰＳと基板Ｗの間に液体の薄膜の流れを引き起こす。どの組合せの入口と出口を使用するかの選択は、基板Ｗの動作方向によって決定することができる（他の組合せの入口及び出口は動作しない）。流体のフローの方向と基板Ｗの方向は図４に矢印で示されていることに留意されたい。

[0070] 提案されている別の構成は、液体供給システムに液体閉じ込め構造を提供する構成である。液体閉じ込め構造は、投影システムの最終要素と基板テーブルとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する。そのような構成を図５に示す。

[0071] 図５は、投影システムＰＳの最終要素と対向面（例えば、基板テーブルＷＴ又は基板Ｗ）との間の空間１１の境界の少なくとも一部に沿って延在する液体閉じ込め構造１２を備えた局所液体供給システム又は流体ハンドリング構造を概略的に示す。（以下の説明で、基板Ｗの表面という表現は、明示的に断りのない限り、追加的に又は代替的に、基板テーブルＷＴの表面も意味することに留意されたい。）液体閉じ込め構造１２は、投影システムＰＳに対してＸＹ平面で実質的に静止しているが、Ｚ方向（光軸方向）には相対的に多少動くことができる。ある実施形態では、液体閉じ込め部材１２と基板Ｗの表面との間には封止が形成され、封止は、ガスシール（そのようなガスシールを備えるシステムが、米国特許出願公開ＵＳ２００４−０２０７８２４号に開示されている）又は流体シールなどの非接触封止でよい。

[0072] 液体閉じ込め構造１２は、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗとの間の空間１１内に少なくとも部分的に液体を封じ込める。液体が基板Ｗの表面と投影システムＰＳの最終要素との間の空間１１内に閉じ込められるように、基板Ｗへのガスシール１６などの非接触封止を投影システムＰＳのイメージフィールドの周囲に形成することができる。空間１１は、投影システムＰＳの最終要素の下に位置しそれを取り囲む液体閉じ込め構造１２によって少なくとも部分的に形成される。液体は、投影システムＰＳの下の空間１１、及び液体入口１３によって液体閉じ込め構造１２内に流し込まれる。液体は、液体出口１３によって除去することができる。液体閉じ込め構造１２は、投影システムＰＳの最終要素から上に少し延在することができる。液体のバッファが提供されるように、液面は最終要素より上に上昇する。ある実施形態では、液体閉じ込め構造１２は、上端で、投影システムＰＳ又はその最終要素の形状にぴったりと一致する、例えば円形の内周を有する。底部で、内周は、イメージフィールドの形状、例えば矩形にぴったりと一致するが、これはそうでなくてもよい。

[0073] 液体は、使用時に、液体閉じ込め構造１２の底部と基板Ｗの表面との間に形成されるガスシール１６によって空間１１内に封じ込められる。ガスシール１６は、ガス、例えば、空気又は合成空気によって形成されるが、ある実施形態では、Ｎ_２又はその他の不活性ガスによって形成される。ガスシール１６内のガスは、入口１５を介して液体閉じ込め構造１２と基板Ｗとの間のギャップに加圧下で提供される。ガスは、出口１４を介して抽出される。内側に液体を閉じ込める高速のガスのフローが存在するように、ガス入口１５上の過圧、出口１４上の真空レベル及びギャップの幾何構造が配置されている。液体閉じ込め構造１２と基板Ｗとの間の液体上のガスの力で、液体は空間１１内に封じ込められる。入口／出口は、空間１１を取り囲む環状の溝であってもよい。環状の溝は、連続的であっても又は不連続的であってもよい。ガスのフローは、液体を空間１１内に封じ込める効果がある。そのようなシステムは、参照により全体を本明細書に組み込むものとする米国特許出願公開ＵＳ２００４−０２０７８２４号に開示されている。別の実施形態では、液体閉じ込め構造１２はガスシールを有さない。

[0074] 図６は、液体供給システムの一部である液体閉じ込め構造１２を示す。液体閉じ込め構造１２は、投影システムＰＳの最終要素の周囲（例えば、円周）を囲んで延在する。

[0075] 空間１１を画定する表面の複数の開口２０は、液体を空間１１へ提供する。液体は、それぞれ側壁２８、２１の開口２９、２０を通過してから空間１１に流入する。

[0076] 液体閉じ込め構造１２底部と基板Ｗとの間には封止が提供されている。図６で、封止デバイスは、無接触封止を提供するように構成され、幾つかのコンポーネントから構成される。投影システムＰＳの光軸から半径方向外側に、空間１１内に延在する（任意選択の）フロー制御板５０が提供される。基板Ｗ又は基板テーブルＷＴに対向する液体閉じ込め構造１２の底面上のフロー制御板５０から半径方向外側に開口１８０を設けてもよい。開口１８０は、基板Ｗへ向かう方向に液体を提供することができる。結像中、これは、基板Ｗと基板テーブルＷＴとの間のギャップを液体で充填することで液浸液内の泡の形成を防止する際に有用である。

[0077] 開口１８０から半径方向外側に、液体閉じ込め構造１２と基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴとの間から液体を抽出する抽出器アセンブリ７０を設けてもよい。抽出器アセンブリ７０は、単相又は２相抽出器として動作可能である。

[0078] 抽出器アセンブリ７０の半径方向外側に凹部８０を設けてもよい。凹部８０は、入口８２を通して大気に接続している。凹部８０は、出口８４を通して低圧源に接続していてもよい。凹部８０の半径方向外側にガスナイフ９０を設けてもよい。抽出器アセンブリ、凹部及びガスナイフの構成は、参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする米国特許出願公開ＵＳ２００６／０１５８６２７号に詳細に開示されている。

[0079] 抽出器アセンブリ７０は、参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする米国特許出願公開ＵＳ２００６−００３８９６８号に開示されたような液体除去デバイス又は抽出器又は入口を含む。ある実施形態では、液体除去デバイス７０は、ガスから液体を分離して単相液体抽出を可能にするための多孔質材料１１０で覆われた入口を含む。チャンバ１２０内の圧力は、多孔質材料１１０の孔の内部に形成されたメニスカスによって周囲ガスが液体除去デバイス７０のチャンバ１２０内に引き込まれるのが防止されるように選択される。しかし、多孔質材料１１０の表面が液体に接触すると、フローを制限するメニスカスは存在せず、液体は液体除去デバイス７０のチャンバ１２０内に自由に流入できる。

[0080] 多孔質材料１１０は、各々が例えば５〜５０μｍの範囲の直径などの幅を有する多数の微小な孔を有する。多孔質材料１１０は、液体が除去される表面、例えば、基板Ｗの表面から５０〜３００μｍの範囲の高さに維持されていてもよい。ある実施形態では、多孔質材料１１０は少なくともわずかに親液性である、すなわち、水などの液浸液に対して９０°未満、望ましくは８５°未満、又は望ましくは８０°未満の動的接触角を有する。

[0081] 図６には具体的に示してはいないが、液体供給システムは、液面の変動に対処する構成を有する。これは、投影システムＰＳと液体閉じ込め構造１２との間に蓄積する液体を処理し液体がこぼれないようにするためである。この液体を処理する１つの方法は、疎液性（例えば、疎水性）のコーティングを施すことである。コーティングは、開口を取り囲む液体閉じ込め構造１２の頂部の周囲及び／又は投影システムＰＳの最終光学要素の周囲に帯を形成することができる。コーティングは、投影システムＰＳの光軸の半径方向外側であってもよい。疎液性の（例えば、疎水性の）コーティングによって液浸液は空間１１内に保持される。

[0082] 図５及び図６の例は、液体が任意の１つの時間に基板Ｗの上面の局所区域にのみ提供される、いわゆる局所区域構成である。気体抵抗原理を利用する流体ハンドリングシステムを含むその他の構成も可能である。いわゆる気体抵抗原理は、例えば、２００８年５月８日出願の米国特許出願公開ＵＳ２００８−０２１２０４６号及び米国特許出願公開ＵＳ６１／０７１，６２１号に記載されている。そのシステムでは、抽出孔が、望ましくは、角を有する形状に配置されている。角は、ステップ及びスキャン方向に整列することができる。これによって、２つの出口がスキャン方向に垂直に整列していた場合と比較して、ステップ又はスキャン方向の所与の速度について流体ハンドリング構造の表面の２つの開口の間のメニスカスにかかる力が低減する。本発明のある実施形態は、オールウェット液浸装置で使用される流体ハンドリング構造に適用することができる。オールウェット実施形態では、例えば、投影システムの最終要素と基板との間に液体を閉じ込める閉じ込め構造から液体を漏出させることで、流体が基板テーブルの上面全体を覆うことができる。オールウェット実施形態の流体ハンドリング構造の一例は、２００８年９月２日出願の米国特許出願ＵＳ６１／１３６，３８０号に記載されている。

[0083] 上記任意のフィーチャを任意の他のフィーチャと一緒に使用することができ、本出願が対象とするのは明示された組合せに限定されないことを理解されたい。

[0084] 流体ハンドリング構造と基板の対向面との間のメニスカスが不安定になるリスクがある。例えば、局所液浸システム内の液浸液が液浸空間１１から漏出することがある。漏出した液体は、液滴又は液膜の形態であってもよい。本明細書で液滴という場合、特に断りのない限り、膜を含む。多くの状況で、液滴が蒸発又は移動する際に膜は１つ又は複数の液滴に分解することに留意されたい。

[0085] 液浸空間外の液滴は、液浸システムの動作にリスクを与えることがある。液滴は、液浸システムの欠陥を増大させることがある。液体が液滴から蒸発して液滴がある表面に熱負荷を加えることがある。熱負荷がセンサのコンポーネントを変形させ、正確な測定を阻害するこのような表面はセンサを含んでいてもよい。このようなセンサは位置決めシステムの一部であってもよく、したがって、センサの変形は、システムの位置決めとオーバレイに影響することがある。表面が基板の表面の場合、熱負荷によって基板は変形し、例えば、表面を収縮させて正確な露光、したがって、オーバレイに影響することがある。液滴は、基板コーティングの汚染物質などの及び汚染物質を液浸システムの周囲に運ぶことがある。液滴は蒸発すると基板表面に汚染物質を残し、結像の欠陥又は乾燥汚れを引き起こすことがある。液滴は、後に流体ハンドリング構造の下を通過する位置にあってもよい。メニスカスと接触、例えば衝突すると、液滴によって液浸空間内に泡が形成されることがある。このような泡は、露光に干渉して露光中の基板上のパターンの結像の成功に影響することがある。

[0086] 液滴は、マルチステージ（又はマルチテーブル）液浸リソグラフィツールに特にリスクを与えることがある。例えば、液浸液が投影システムＰＳと接触しているときであって基板スワップ（すなわち、露光後に基板を交換する工程）している間に液滴が液浸空間１１から失われることがある。例えば、基板スワップの最初に、基板Ｗを支持する基板テーブルＷＴは流体ハンドリング構造１２の下にある。基板テーブルの表面は、空間１１を形成するのを助ける。基板テーブルＷＴは、基板Ｗを取り外して、露光のために新しい基板を基板テーブル上に配置することができる位置まで移動する。基板テーブルが移動するにつれて、基板テーブルは流体ハンドリング構造１２の下から投影システムＰＳから遠ざかる。液浸液を空間１１内に保持するため、基板テーブルの表面はシャッター部材のシャッター面と交換される。シャッター面と基板テーブルは、１回の動作で共に移動することができる。液浸空間１１の観点からは、シャッター面と基板テーブルの表面は実質的に連続的な表面を提供する役割を果たす。シャッター面は、空間１１を形成するのを助ける。

[0087] シャッター面は、スワップテーブルなどの第２のテーブルの表面の形態であってもよい。第２のテーブルは、図７、図８、図１０及び図１１に示す別の基板テーブルＷＴ２、又は図９及び図１２に示す測定テーブルＭＴであってもよい。測定テーブルＭＴは、基板Ｗを支持しないように設計されている。したがって、測定テーブルは基板Ｗを支持できないと考えてもよい。測定テーブルは、投影システムの特性を検出する１つ又は複数の光センサ２１を有していてもよい。測定テーブルは、液浸液、又は流体ハンドリング構造１２のフィーチャ、あるいはその両方と接触する投影システムの表面を洗浄する洗浄ステーション２２を有していてもよい。

[0088] ある実施形態では、テーブルＷＴ、ＷＴ２、ＭＴは、図７、図８及び図１２に示すように、接していなくてもよい。テーブルが可能な限り近くに配置されている場合、その間にギャップがあってもよい。これは、テーブル相互の衝突を防止する点で望ましい。基板の正確な位置決めを達成するために基板テーブルは測定テーブルよりもより正確に位置決めしなければならないため、両者が図７及び図８に示す基板テーブルの場合、テーブルが接する可能性はさらに低い。テーブルの正確な位置決めには、大規模な位置決めシステムをテーブルに関連付けて、テーブルを別の基板テーブルの隣にぴったりと位置決めすることを困難にする必要がある。正確な位置決め装置はさらに高感度であり、衝突時に損傷のリスクを負う確率が高まる。

[0089] ある実施形態では、シャッター面は、基板テーブルＷＴの固定延長部又は可動延長部（例えば、伸縮式のアーム）の形態をとってもよい。ある実施形態では、シャッター面は、テーブルＷＴ、ＷＴ２、ＭＴとは別の、テーブルＷＴ、ＷＴ２、ＭＴがそれに対して移動する際に流体ハンドリング構造に接続可能な閉鎖板又はディスクの形態をとってもよい。

[0090] シャッター面は、テーブルの表面間のギャップを掛け渡す着脱式ブリッジ２４を含んでいてもよい（参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする２００９年５月２６日出願の米国特許出願ＵＳ１２／４７２，０９９号に記載されているように）。着脱式ブリッジ２４は、例えば、基板スワップ中にテーブルＷＴ、ＷＴ２、ＭＴの間に配置することができる。図７及び図８に示す液体フットプリント２６で表されるように、ブリッジ２４の表面は流体抽出面の下を移動する。

[0091] 液体フットプリント２６は、ある瞬間に空間１１の液浸液に接触している基板、基板テーブルＷＴ又はシャッター部材の区域を表す。テーブルＷＴ、ＷＴ２、ＭＴ及び着脱式ブリッジ２４の表面に対して、液体フットプリントは、矢印２７で示すように、着脱式ブリッジ２４の上部をテーブルからテーブルへ移動する。（投影システムＰＳと流体ハンドリング構造の基準フレームでは、移動しているのはテーブルＷＴ、ＷＴ２、ＭＴと着脱式ブリッジ２４である。）液体フットプリントは、相対運動２７の方向に実質的に垂直な寸法、すなわち、幅３０を有する。

[0092] ある実施形態では、基板テーブルＷＴの縁部、例えば基板テーブルＷＴの全周が投影システムＰＳに対して基板テーブルＷＴ、すなわち、基板Ｗを位置決めするように構成された位置決めシステムの一部であってもよい。位置決めシステムの一部は、基板テーブルＷＴの縁部に沿ったエンコーダ格子３２などの１つ又は複数の位置決めマーカを備えた位置決め板であってもよい。

[0093] 図８、図９、図１１及び図１２はすべて、基板テーブルがその縁部の一部又は全部に沿ってエンコーダ格子３２を有する異なる構成を示す。図８は、両方の基板テーブルがその縁部に沿ってエンコーダ格子を有する着脱式ブリッジ２４を備えたデュアル基板構成を示す。図１２には、中間に着脱式ブリッジを備えたエンコーダ格子を有する基板テーブルと測定テーブルＭＴとが示されている。測定テーブルＭＴは、エンコーダ格子を備えていてもよい。測定テーブルの正確な位置決めが必要でない場合、エンコーダ格子を備えた測定テーブルを有することが望ましいことに留意されたい。基板上の画像の露光に正確な位置決めが必要なため、基板テーブルＷＴ、ＷＴ２にとって正確な位置決めが望ましい。図９及び図１１はそれぞれ、着脱式ブリッジがない点を除いて図８及び図１２と同じである。

[0094] 図８に示すように、流体ハンドリング構造１２の下でテーブルを交換する際に、液体フットプリント２６はエンコーダ格子３２を横断する。エンコーダ格子３２は、投影システムと同じ基準フレームなどの別の基準フレーム内に位置するエンコーダセンサと協働する。基板テーブルが移動する際に、エンコーダセンサは基板テーブルの相対運動を感知することができる。センサは、エンコーダ格子に放射ビームを誘導し、エンコーダ格子３２によって再誘導された（例えば、反射された）放射を検出することができる。

[0095] 効率を重視すると、エンコーダ格子３２の表面は清浄であることが望ましい。したがって、液滴が液浸空間１１から格子上に漏出することは望ましくない。例えば、液滴として又は液滴の後に残る可能性がある汚染物粒子の形態で格子の寸法を歪ませ、及び／又はエンコーダセンサの放射ビームを阻害する点で液滴は欠陥源になることがある。液体フットプリント２６は格子３２の表面上を通過するので、例えば基板スワップ中などに液体が格子に接触するのはやむをえない。液滴は、液浸空間１１から液体フットプリント２６を取り囲む表面の任意の方向に漏出できる。

[0096] 液滴が格子表面上に、特に方向３４に漏出することを防止するのを助けることが望ましい。方向３４は、相対運動２７の方向に垂直な成分を有する。着脱式ブリッジ２４を用いて２つのテーブル間のギャップを掛け渡す場合、方向３４に漏出する液滴が着脱式ブリッジ２４の縁部３６を横断するリスクがある。縁部３６を横断する液滴は、液浸システムから漏出し、液浸液に接触するのに適さないコンポーネントに乗り上げることがある。液体はコンポーネントを損傷することがある。したがって、液浸空間から漏出して、方向３４に移動する液滴の運動を制限する移送レーン３８を提供することが望ましい。

[0097] 図１３、図１４、図１５は、図７〜図１２に示す実施形態が含むことができる移送レーン３８の３つの異なる実施形態を示す。図１３では、着脱式ブリッジ２４が２つのテーブルＷＴ、ＭＴ、ＷＴ２の間に位置する。テーブルＷＴ、ＭＴ、ＷＴ２のいずれも縁部に沿って格子３２を有していない。この実施形態は図７にあってもよい。図１０の実施形態は、着脱式ブリッジ２４がない点を除いてここで説明する実施形態と同じである。着脱式ブリッジ２４の表面は、移送レーン３８の表面（又は移送面）の少なくとも一部を提供する。着脱式ブリッジ２４の表面に整列した各テーブルＷＴ、ＭＴ、ＷＴ２の部分４４、４６は各々、移送レーン３８の表面の一部を提供することができる。部分４４、４６は、移送レーン３８の残り、すなわち、着脱式ブリッジの表面と同じ表面フィーチャを有することができる。１つ又は両方のテーブルＷＴ、ＭＴ、ＷＴ２と着脱式ブリッジ２４との間にギャップ４０を設けてもよい。ギャップ４０は、液体がギャップ内に侵入することを防止するために相対運動２７中封止されるか、又はギャップ内に流入する液体をすべて除去する流体抽出デバイスを有する。

[0098] 図１４は、図８に示す実施形態の移送レーン３８を示す。図１４は、特に断りのない限り、図１３と同じフィーチャを有する。この実施形態では、基板テーブルＷＴの縁部に沿って、エンコーダ格子３２が存在し、任意選択で、他方のテーブルＷＴ２、ＭＴの縁部上に存在する。図１４は、図９及び図１１に示す実施形態に対応する。着脱式ブリッジ２４は存在しないので、移送レーン３８の表面は２つのテーブルＷＴ、ＷＴ２、ＭＴの縁部４４、４６によって提供される。テーブルＷＴ、ＭＴ、ＷＴ２の間に、ギャップ４０を設けてもよい。ギャップ４０は、液体がギャップ内に侵入することを防止するために、相対運動２７中封止されるか、又はギャップ内に流入する液体をすべて除去する流体抽出デバイスを有する。

[0099] 図１５は、図１３及び図１４に示す実施形態の組合せである。図１５は、着脱式ブリッジ２４を有し、テーブルＭＴ、ＷＴ、ＷＴ２の少なくとも１つが使用時に流体ハンドリング構造１２の下を移動するエンコーダ格子３２を縁部に沿って有する図８及び図１２に示す実施形態の一部に対応していてもよい。移送レーン３８は、少なくとも３つの要素、すなわち、着脱式ブリッジ２４の表面と、着脱式ブリッジ２４と整列した各テーブルＷＴ、ＷＴ２、ＭＴの部分４４、４６の表面とを有する。

[00100] 各実施形態で、移送レーン３８の各々の部分（着脱式ブリッジ２４の表面、部分４４及び／又は部分４６から選択した少なくとも１つの表面を含んでいてもよい）は、基板スワップ中に液体フットプリント２６の経路の下に位置していてもよい。移送レーン３８は、少なくとも液体フットプリント２６と同じ幅４８を有する。図示のように、移送レーン３８は着脱式ブリッジと同じ幅があってもよいが、液滴が着脱式ブリッジの縁部より先に移動するのを防止するため、着脱式ブリッジの幅は移送レーン３８の幅４８より大きくてもよい。

[00101] 移送レーン３８は、液浸液に対して疎液性表面を有していてもよく、例えば、移送レーン３８は、液浸液が水の場合、疎水性であってもよい。移送レーン３８の表面は、比較的大きい接触角、例えば、静的接触角として９０度より大きい角度、又は後退接触角として７５度より大きい角度を有していてもよく、これによって液滴が移送レーン３８の表面に残ることを防止するのを助ける。このような表面は、流体ハンドリング構造と移送レーン３８の表面との間のメニスカスの制御をより容易にすることができる。表面は、露光放射、液浸液による腐食、又はその両方に耐性があってもよい。したがって、表面接触角は、接触角を露光放射と液浸液の腐食の別々の又は組合せの影響下に保持することができる。表面は、参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする２００９年２月６日出願の米国特許出願ＵＳ１２／３６７，０００号に記載されたコーティングであってもよい。

[00102] 液滴が方向３４に移動するのを防止するため、移送レーン３８はバリアを有していてもよい。バリアは、方向３４の運動を防止することができる。本明細書に記載のように、バリアは、表面コーティングのフィーチャ、又はトポグラフィカルフィーチャ、又は流体抽出デバイス、又はそれらの任意の組合せを含んでいてもよい。移送レーン３８は、２つのバリアを含んでいてもよい。各バリアは移送レーンに実質的に平行であってもよく、相対運動２７の方向に平行であってもよく、又はその両方であってもよい。ある実施形態では、各バリアは、移送レーン３８の縁部に関連付けられ、例えば、実質的に整列している。バリアは、移送レーンの幅４８を画定してもよい。

[00103] 図１６〜図１９は、バリアを備えた移送レーンの様々な実施形態を示す。各図は、バリアを備えた移送レーン３８の可能な実施形態を示すように意図されている。すべての可能な実施形態がこれらの図に示す実施形態に限定されるということは意図されていない。図１６〜図１９では、「Ａ」は、図１４に示す実施形態の２つの部分４４と４６との間のギャップ４０の部分を表す。「Ｂ」は、着脱式ブリッジ２４と部分４４及び４６の各々との間のギャップ４０の位置を表す。

[00104] 図１６は、バリア５０を備えた移送レーン３８の平面図を示す。移送レーン３８の各縁部５２に関連付けられたバリアがある。ある実施形態では、各バリア５０は隆起又は突起である。ある実施形態では、バリア５０は縁部５２にあってもよい。ある実施形態では、バリア５０は縁部５２の内側にある。移送レーン３８の両側にある２つのバリア間の距離は、少なくとも液体フットプリント２６の幅と同じである。フットプリント２６の液体メニスカスとのバリア５０の接触がメニスカスをピン止めして液滴の損失のリスクを低減するため、これは望ましい。液浸液のフローが縁部５２へ向かうか又はそれを超えることを防止するのを助けるように、バリア５０の表面は移送レーン３８の表面から突き出していてもよい。突起状のバリア５０は、相対運動２７の方向に垂直の方向に鋭角の角の輪郭を有していてもよい。角は液浸液の液滴のメニスカスをピン止めするのに役立ち、メニスカスが縁部５２より先へ流れることを防止するのを助ける。縁部５２は、部分的に着脱式ブリッジ２４の縁部３６に対応していてもよい。ある実施形態では、バリア５０は、液体が縁部２を越えて流れるのを防止する鋭角の角を備えた縁部５２であってもよい。

[00105] ある実施形態では、バリア部材５０は、移送レーン３８の表面に対してくぼんだ凹部５６（又は溝）を有していてもよい。凹部は、例えば、液滴の液浸液メニスカスをピン止めする鋭角の角の輪郭を有していてもよい。凹部の角は、液浸液のフローがフットプリント２７から縁部５２へ向かうか又はこれを超えることを防止するのを助ける点で隆起と同じ機能を果たす。

[00106] ある実施形態では、図１７に示すように、バリア５０は、各々が図１６の実施形態に関連して説明したフィーチャを有することができる複数の隆起５４を有していてもよい。隣接する隆起の間には少なくとも１つの凹部５６がある。ある実施形態では、バリア５０は複数の凹部５６及び少なくとも１つの隆起５４を有していてもよい。複数の平行のフィーチャ（例えば、凹部５６及び／又は隆起５４）は、液滴が移送レーン３８の縁部５２に達することを防止するのを助ける。液滴が方向３４にバリア５０内の第１のフィーチャを超えると、縁部５２により近いフィーチャによって液滴は縁部５２に近づくことが防止される。液体メニスカスは凹部又は隆起の角によってピン止めされるので、複数の凹部又は隆起を有することが望ましい。移送レーン３８の縁部５２により近い凹部と隆起の角は、縁部５２からより遠い凹部又は隆起の角を通過する液体が縁部５２に達することを防止するのを助ける。

[00107] ある実施形態では、凹部又は隆起の表面は、移送レーン３８の表面の上２ｍｍ以内に突き出す。凹部及び／又は隆起の縁部のピン止めが達成されるように、凹部又は隆起の表面は、移送レーン３８の表面の少なくとも１０μｍ上に突き出している。局所液浸システムなどのある実施形態では、バリアの表面は、１０μｍ〜１５０μｍの範囲内、望ましくは２０μｍ〜１００μｍの範囲内にある。この実施形態で最大値が小さい理由は、閉じ込め構造１２と移送レーン３８の表面との衝突によって引き起こされる機械の損傷を回避するのを助けるためである。ある実施形態では、閉じ込め構造１２が移送レーン３８の表面を回避し、したがって確実にこれと衝突しないように動作する機械損傷制御システムを設けてもよい。

[00108] 説明のこの部分はトポグラフィカルフィーチャに言及しているが、バリア５０は、追加的又は代替的に、表面接触角の変動によって形成されるフィーチャを有していてもよい。例えば、液浸液をピン止めする疎液性（例えば、疎水性）５０’が増大して液体が縁部５２に達するか又はこれを超えることを防止するのを助ける領域があってもよい。液浸液を保持する疎液性（例えば、疎水性）５０’が低減する（すなわち、親液性（例えば、親水性）が増大する）区域があってもよい。親液性が増大した領域は、共に参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする２００８年１２月８日出願の米国特許ＵＳ７，４５０，２１７号及び米国特許出願ＵＳ６１／１９３，５７５号に記載された酸化チタンなどの光触媒材料によって提供することができる。トポグラフィカルフィーチャのために、疎液性が異なる１つ又は複数の領域を図１７に示し、それに関連して説明する平行な細長い領域に配置することができる。

[00109] ある実施形態では、バリア５０の使用がオールウェット液浸システムでの使用に好適である。オールウェットシステムでは、液体閉じ込め構造１２によって液体は液体閉じ込め構造１２の下面の下の空間から漏出することができる。バリア５０は、移送レーン３８が液体閉じ込め構造１２の下を移動するにつれて液浸液が移送レーン３８の縁部を越えて漏出するのを防止する助けになる。このような構成の動作で、移送レーンが液体閉じ込め構造１２の下を通過する際の液体の供給を低減し又は停止することも可能である。移送レーンが閉じ込め構造１２の下を通過すると、移送レーンは液浸液の供給が増大する、例えば、以前の供給流量に戻るテーブルＷＴ２、ＭＴの表面によって置き換えられる。オールウェット液浸システムの液体閉じ込め構造１２からは局所液浸システムの液体閉じ込め構造１２よりも大量の液体が流出できるので、バリア５０の寸法は局所液浸システムの場合よりも大きくてもよい。例えば、隆起又は凹部の間の距離は０．０１〜１ｍｍの間でよく、その高さは１０μｍ〜１ｍｍの範囲内、例えば、０．５ｍｍであってもよい。

[00110] 図１８及び図１９は、流体抽出フィーチャを有する実施形態を示す。図１８は、着脱式ブリッジ２４がない２つのテーブルを示す。移送レーン３８は、各テーブルＷＴ、ＭＴ、ＷＴ２の２つの部分４４、４６によって画定される。移送レーンの縁部には、液浸液を含む流体を抽出する流体抽出開口５６がある。各流体抽出開口５６は、移送レーン３８から方向３４に移動することができる液体を抽出するように構成されている。したがって方向３４に移動するこの液体は、移送レーンを離れて、例えば格子３２の表面上に移動する前に除去される。ある実施形態では、流体抽出開口５６は、隆起５４の頂部内又は頂部上に形成される。

[00111] 各抽出開口５６は、それぞれのテーブルＷＴ、ＷＴ２、ＭＴの表面に形成され、負圧源（図示せず）に接続することができる。負圧源は、流体抽出開口５６に隣接する部分４４、４６が流体ハンドリング構造１２の下を通過するとともに、動作可能になる。このように流体抽出開口５６の動作を制限することは、抽出フローが必要な時にだけ発生するということを意味する。特に流体フローが２相流内に液体とガスとを含む時に抽出フローは開口とテーブルＷＴ、ＷＴ２、ＭＴの周囲部分に熱負荷を加えることがあるため、これは望ましい。液体は、２相流体内のガス内に蒸発し、例えば、周囲から熱を吸収することで熱負荷を加える。熱を供給することで、リソグラフィ装置の一部を形成する周辺部が歪むことがある。熱負荷に対抗するために、抽出開口５６を負圧源へ接続する導管を周辺部から絶縁してもよい。これを達成するために隣接する部分４４、４６を絶縁してもよい。

[00112] 追加的又は代替的に、熱パイプ又は加熱要素などの熱源を流体抽出開口５６の周囲のテーブル内に配置して熱負荷に対抗することができる。熱源に温度センサを含むコントローラを備えると、確実に、加えられる熱が調整されること、安定した温度が達成されること、又はその両方を行うことができる。熱源は、少なくとも部分４４，４６の下にあってもよい。部分４４、４６は、制御された熱源を有するか又は絶縁することが望ましい。これは、このようなフィーチャを用いて液体フットプリントの下を通過した後に移送レーン３８上に残される液滴によって加えられる熱負荷に対抗できるからである。

[00113] 図１９は、着脱式ブリッジ２４がある点を除いて図７と同じフィーチャを示す。ある実施形態では、着脱式ブリッジの表面はブリッジの残りの部分から絶縁されておらず、制御された熱源を有さない。別の実施形態では、表面は、ブリッジ２４の残りの部分から絶縁されるか、又はブリッジは制御された熱源を有するか、あるいはその両方である

[00114] 図１３〜図１９に示す実施形態の各々で、移送レーン３８の表面又は移送レーンの少なくとも一部分２６、４４、４６は、一次元の超疎水性表面などの一次元の疎液性表面を有していてもよい。このような表面は、隆起のピッチが１００〜１０００ｎｍの隆起構造を有していてもよい。粗さ係数（Ｒｆ）は、表面上に残った液滴に接触する表面の区域と液滴が覆う表面の区域との比率として定義することができる。この表面の場合、粗さ係数は１以上、望ましくは１．５未満で単位量（すなわち、１）に近い。隆起の幅は、実質的に同じではないとしても、およそ隣接する２つの隆起の間の凹部又は溝の幅である。ある実施形態では、隆起の幅よりも隣接する２つの隆起の間の凹部又は溝の幅の方が大きい。隆起の幅は、隆起の高さ又は奥行きより小さくてもよい。ある実施形態では、隆起の幅は、隆起の高さ又は奥行きの０．４〜０．６倍の範囲内である。ある実施形態では、隆起の高さは、隆起の幅の２倍であってもよい。隆起の頂部又はその付近（表面に残っている液体又は液滴に接触する）の隆起の幅は、５０ｎｍ〜１０μｍの範囲内、望ましくは２０μｍ未満、１０μｍ未満、５μｍ未満、及び１０００ｎｍ未満（すなわち、サブミクロン）である。このような隆起状又は溝状の表面は、表面の平面の一方向の疎液性は平面の垂直方向と比較してより大きい疎液性を示すことがある。

[00115] 望ましくは、最大の疎液性の向きは、矢印２７で示す液体閉じ込め構造１２とテーブルＭＴ、ＷＴ、ＷＴ２との間の相対運動に、垂直の方向に対応する。矢印の方向は、表面の隆起の構造の方向に対応していてもよい。移送レーン３８の運動の基準フレームでは、フットプリント２６が移送レーン３８の上を移動する間、フットプリントのメニスカスは、移送レーンの表面のテクスチャ構造の隆起及び溝に沿って移動する。空間１１の下の移送レーン３８の運動は矢印２７の方向であるため、表面が空間１１内の液体に対して示す最大の疎液性は、このような相対運動時に発生する。このような一次元表面を有することで、表面の所望の粗液性がその使用が最も望ましい方向に示される。望ましくは、投影システムと対向面との間のより大きい相対運動は、特定の液体の損失があって達成される。相対運動の特定の速度でメニスカスの安定性が改善され、液浸空間１１の液体内への泡の混入のリスクを低減することができる。

[00116] 一次元の疎液性表面の表面は隆起状である。格子３２も、隆起が望ましくは一定の規則的な間隔を備えて周期的である隆起状の表面を有する。したがって、格子３２の固有の表面の幾何学的配置によって表面に疎液性と測定可能な幾何学的配置を与えることができる。液浸液が水の場合の所望の結果を達成するために隆起は望ましくは奥行きが幅の２倍でなければならないため、１０μｍの隆起の幅は奥行きが２０μｍである。より狭い幅の隆起の幾何学的配置は表面により疎液性が低い表面を提供することができる。格子３２を製造するために使用する材料、例えば、Ｚｅｒｏｄｕｒ（登録商標）は普通、親液性の接触角を有する。格子の表面を確実に疎液性にするために、格子３２に１００ｎｍ未満、望ましくは４０ｎｍ未満、例えば、１〜２０ｎｍの範囲内の疎液性コーティングを施してもよい。コーティングを通過する光伝送の損失を最小限にするためにコーティングの厚さは小さいことが望ましい。コーティングは相似性があり、コーティングを施すか又は配置する表面のトポグラフィに適合することができる。

[00117] ある実施形態では、液浸液と相互作用する表面は、格子３２を覆う光を透過する板である。この板は、望ましくはエンコーダセンサの動作波長を透過する。ガラス又は石英などの材料を用いて板を製造することができる。板の表面は、コーティングから形成されたサブミクロン単位の（例えば、ピッチが１０〜１００ｎｍの）表面模様から形成することができる。このような構造は、エンコーダ放射に干渉するリスクがある。しかし、構造は、エンコーダ放射の波長を基準とした寸法のフィーチャを有していてもよいため、エンコーダ放射に干渉しない。上記のピッチ範囲を備えた構造は汚染を引き起こすか、又は汚染されるリスクがあり、エンコーダ測定の有効な作用が阻害されることがあるため注意を要する。これらの構造は、サブミクロンスケールであってもよい。基板のコーティングからの汚染粒子はサイズが拡大してミクロンレベルになる傾向がある。したがって、溝（又はその他の凹部構造）などのサブミクロン構造の幅よりも大きい粒子は、構造を含む表面のミクロンスケールのフィーチャよりもこのようなサブミクロンフィーチャを汚染する可能性が低い。

[00118] 図２０は、格子３２を備えた基板テーブルＷＴ、ＷＴ２の平面図である。ある実施形態では、基板テーブルの各縁部に沿って格子が存在する。移送レーン３８の部分４４、４６は、基板テーブルの縁部に沿って格子の一部を横断する。液滴、その結果として起こる汚染、又はその両方が流体ハンドリング構造の下を通過した後に部分４４、４６上に残留するリスクがあるため、部分４４、４６に対応する格子３２の部分の性能が悪影響を受ける可能性がある。これによって、格子３２のその部分から実行される測定から達成される正確な位置決めが阻害されることがある。

[00119] 図２３は、格子３２が周辺部を囲む基板テーブルＷＴ、ＷＴ２の一構成を示す。基板テーブルＷＴ、ＷＴ２は、４つの縁部７２を有する。各縁部７２には、格子３２の一部が関連付けられている。各縁部７２には、エンコーダセンサ７４が関連付けられている。エンコーダセンサ７４は各々、列に並んだ複数の検出器７６を有していてもよい。列は、関連付けられた基板テーブルの縁部７２に垂直に配置されてもよい。基板テーブルＷＴ、ＷＴ２が移動すると、エンコーダセンサ７４内の１つ又は複数の別の検出器７６を用いて、関連付けられる格子３２の位置、したがって、基板テーブルの位置を検出することができる。エンコーダセンサ７４をテーブルの対向する縁部７２（例えば、投影システムに対してＸ軸に沿った最大変位を達成することができるテーブルの部分を示す縁部Ｘ’及びＸ”）に関連付けることで、一方又は両方の縁部Ｘ’及びＸ”に関連付けられたエンコーダセンサ７４の１つが基板テーブルＷＴ、ＷＴ２の位置にかかわらず格子３２の一部の上に位置付けられる。同じことが、投影システムに対して移動した時に、基板テーブルＷＴ、ＷＴ２の平面内の直交する軸に整列した縁部７２、例えば、基板テーブルの縁部Ｙ’及びＹ”に関連付けられたエンコーダセンサ７４に適用される。Ｘ軸のエンコーダセンサ７４とＹ軸のエンコーダセンサ７４で実行した測定によって、基板テーブルＷＴ、ＷＴ２の表面の平面の投影システムに対する基板テーブルＷＴ、ＷＴ２の位置を決定することができる。

[00120] 図２３に示すように、基板テーブルＷＴ、ＷＴ２のＸ’縁部上の格子３２の一部は、関連付けられたエンコーダセンサ７４の検出器７６の下にはない。したがって、Ｘ軸での測定は、基板テーブルＷＴ、ＷＴ２のＸ”縁部上の格子を用いて実行すべきである。しかし、移送レーン３８の部分４４、４６が格子３２を横断する時には、格子３２の一部が液滴によって覆われたり、汚染粒子が格子３２の一部を不鮮明にすることがあるため、格子３２の測定はＸ”縁部上のエンコーダセンサ７６によって実行できず、又は実行してはならない。

[00121] 不正確な位置決めを防止するのを助けるため、移送レーン３８から離れた格子３２の位置から測定を行ってもよい。正確な位置決めを確実に達成するために、別のエンコーダセンサ７５又は予備センサを使用してもよい。Ｘ”縁部に沿った移送レーン３８の幅を少なくとも超える距離だけＸ”エンコーダセンサ７４から離れているという点を除いて、予備センサ７５はＸ”縁部のエンコーダセンサ７４と同じフィーチャを有していてもよい。Ｘ”エンコーダセンサ７４が部分４４、４６の上に位置する時に予備センサ７５は動作可能である（逆に、予備センサ７５が部分４４、４６の上に位置する時にＸ”エンコーダセンサ７４は動作可能である）。このような構成は、例えば、Ｘ”エンコーダセンサ７４と予備センサ７５がＹ軸でＸ”縁部７２に沿って同様の距離だけ投影システムから離間している図２４に示されている。予備センサ７５を使用することで、移送レーン３８内にある格子３２の部分から、及び／又はＸ’縁部上に位置するエンコーダセンサ７４によって測定を行う必要がなくなる。

[00122] ある実施形態では、部分４４，４６は、検出器が格子３２を検出するために位置決めシステムが使用する放射を透過しなくてもよい。ある実施形態では、格子３２は移送レーン３８にない。Ｘ’縁部上にある予備センサ７５及び／又はエンコーダセンサ７４の使用によって移送レーン３８内の格子板３２の部分から測定を行う必要がなくなるので、移送レーン３８に対応するギャップ４３が格子３２内にあってもよい。このような実施形態を基板テーブルＷＴ、ＷＴ２の線Ｘ−Ｘに沿った断面に対応する図２１に示す。基板テーブルＷＴ、ＷＴ２の表面６０（以下、周囲の面６０と呼ぶ）は、移送レーン３８と実質的に同じ高さである。図２２は、基板テーブルＷＴ、ＷＴ２の線Ｙ−Ｙに沿った断面を示す。基板テーブルＷＴ、ＷＴ２の表面６０は、図２２に示すように、格子板３２の表面と実質的に同一平面である。この構成では、空間１１から漏出する液滴は移送レーン３８の表面上にあってもよく、格子３２の位置決め測定に干渉しない。

[00123] 図２５及び図２６は、特に断りのない限り、図２１及び図２２と同じフィーチャを指す。ある実施形態では、格子３２の表面は、図２５に示すように、基板テーブルＷＴ、ＷＴ２の線Ｙ−Ｙに沿った断面に対応する基板テーブルＷＴ、ＷＴ２の表面に対して高くなっている。基板テーブルＷＴ、ＷＴ２の表面６０は、格子板３２の表面よりも低い。図２６に示すように、移送レーン３８の位置に対応する格子３２内のギャップ４３で、格子は移送レーン３８の表面より高くなっている。図２６は、基板テーブルＷＴ、ＷＴ２の線Ｘ−Ｘに沿った断面を示す。基板テーブルＷＴ、ＷＴ２の表面６０は、移送レーン３８と実質的に同じ高さである。この構成では、空間１１から漏出する液滴は、移送レーン３８の表面上又は基板テーブルＷＴ、ＷＴ２の表面６０上にあってもよい。格子３２の表面は高くなっているので、液滴は格子板３２の表面に容易には接触できない。図２９は、図２５及び図２６の実施形態の斜視図であり、格子３２が基板テーブルＷＴ、ＷＴ２の表面６０に対して高くなっていることを示す。

[00124] 図３０は、図２９の構成と同様であるが、移送レーン３８のための高くなった格子３２内にギャップ４３がない変形形態を示す。移送レーン３８は、基板テーブルＷＴ、ＷＴ２の表面６０に対して高くなった格子３２の上を通る。格子３２の表面と基板テーブルＷＴ、ＷＴ２の下面６０との間に滑らかな表面がランプ９１によって提供される。基板テーブルＷＴ、ＷＴ２と格子３２との間の表面には段がないので、液浸空間１１からの液体の損失のリスクは防止できずとも低減することができる。ある実施形態では、流体抽出開口は、高くなった格子の表面と基板テーブルＷＴ、ＷＴ２の表面６０との間に位置していてもよい。流体抽出開口５６は、２つの表面３２、６０の間の凹部又は溝の内部に位置していてもよい。高くなった格子を有することに加えて、流体抽出開口は、液滴の形状の液体が例えば格子３２内のテーブル内の表面から格子３２の表面に達することを防止はできずとも低減するのを助ける。流体抽出開口は、そうでなければそこを通過する液体のバリアとしての役割を果たすことができる。

[00125] 図２７及び図２８は、特に断りのない限り、図２１及び図２２と同じフィーチャを指す。ある実施形態では、格子３２及び基板テーブルＷＴ、ＷＴ２の表面６０は、保護表面を備えた覆い、例えば、透明な板６２で覆われている。透明な板６２は、例えば、参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする２００９年６月１９日出願の米国特許出願ＵＳ６１／２１８，７１２号に記載された溶融石英であってもよい。位置決めシステムは、透明な板を通して実行される測定と協働することができる。液滴は格子３２の表面に接触しないので、格子が汚染されることを防止するのを助ける。格子の上の透明な板６２が汚染されると、板６２はその場で洗浄されるか、又は交換され、任意選択で、後の再使用のために洗浄される。

[00126] 透明な板６２の表面は、図２７（図２０の線Ｙ−Ｙに沿った断面に対応する）に示すように、実質的に平面であってもよく、したがって、その表面のどの部分も制限されずに流体ハンドリング構造の下を通過することができる。透明な板６２は、基板テーブルＷＴ、ＷＴ２の部分４４、４６を覆っていてもよい。任意選択で、格子３２内に移送レーン３８の位置に対応するギャップ４３がある。ある実施形態では、透明な板は、移送レーン３８の縁部に隆起６４を有する。隆起は、図２０のＸ−Ｘの間の断面に対応する図２７に示すように、透明な板６２の突起であってもよい。隆起６４は、移送レーン３８の外側の液滴の運動を制限するのを助ける。隆起は、移送レーン３８のバリア５０の一部であってもよい。図２３及び／又は図２４に示すようなエンコーダセンサ構成を使用することができる。しかし、板６２は可視放射を透過するため、位置決めシステム内の検出器が使用する放射を透過することがある。板６２は、例えば、液浸液をはね返す疎液性の（例えば、疎水性の）コーティングで処理できるため、液滴又は汚染粒子のリスクは十分に低く、予備エンコーダ７５がない構成を使用することができる。ある実施形態では、疎液性、例えば、疎水性のコーティングから突起を形成してもよい。突起６２は、透明な板の表面と実質的に同一平面にある。コーティングは、突起がその上を流れる液体フローを阻止するバリアの役割を果たすのと同じ機能を果たす。

[00127] ある実施形態では、図２０と同じフィーチャを有する図３１に示すように、基板Ｗの周囲の基板テーブルＷＴ、ＷＴ２の周囲の面６０と格子３２の表面との間には疎液性表面の形態のバリアがある。疎液性バリア５８は、空間１１から漏出する液体が格子３２の表面に達するのを阻止するバリアとしての役割を果たす。疎液性バリア５８は、図２６、図２９及び図３０に示す実施形態にある周囲の面６０と格子３２の表面との間の段と実質的に同じ目的を果たす。望ましくは、疎液性表面は、表面の運動の２つの垂直方向に液浸液に対して実質的に同じ接触角を有する２次元の疎液性表面である。バリアは、周囲の面６０の周辺部の周囲に延在し、基板スワップ中に液浸空間１１の下を通過するためのギャップを備える。ギャップは、移送レーン３８の位置に対応していてもよい。周囲の面の周辺部は、格子３２の内縁部に対応していてもよい。

[00128] 疎液性バリア５８によって達成されるのと同じ利点が少なくとも１つの流体抽出開口又は突起６４によって形成される同じ位置のバリアによって得られる。ある実施形態では、流体抽出開口がバリア５８の位置の凹部又は溝の内部に存在する。ある実施形態では、バリア５８は、表面の高さの段、突起、疎液性表面などの接触角表面特性、又は凹部の内部にあってもよい流体抽出開口のうちの少なくとも１つを含む。

[00129] 移送レーン３８の一部上に液滴が残留することがあるため、移送レーンを間欠的に洗浄してもよい。洗浄動作は周期的洗浄サイクルの一部であってもよく、汚染レベルの閾値を検出すると開始してもよく、又はその両方であってもよい。洗浄は現場で実行してもよい。洗浄は自動式であってもよい。このような洗浄は、テーブル、着脱式ブリッジ、移送レーン３８の一部、及び／又は透明な板６２の一部の表面などの流体ハンドリング構造の下の表面を洗浄するために、液浸液を供給及び除去することができる改造型流体ハンドリング構造１２を用いて達成することができる。少なくとも一部、例えば、テーブル又は着脱式ブリッジの洗浄はオフライン（例えば、通常の動作手順の一部ではない）で行ってもよい。この部分は、除去して別の清浄なコンポーネントと交換し、停止時間を低減することができる。汚染部分は、再使用のために洗浄することができる。

[00130] 図３２は、バリアが格子３２の周辺部又は外縁部の周りにある縁部バリア６１である点を除いて、図３１と同じ構成である。縁部バリアは、液体が格子から流出して格子３２の外縁部を超えて流れることを防止するのを助ける。このような構成は、例えば、液体閉じ込め構造１２から流出した液体を用いて格子の表面を洗浄する時などに望ましい。外縁部を越える液体損失は防止できなくとも低減することができる。外縁部バリア６１を用いて、格子３２に縁部に対する洗浄液を制御するために必要な制御はそれほど正確でなくてもよい。正確さの要求が低減するため、格子３２の洗浄速度を増大することができ、洗浄時間と洗浄動作のための停止時間を低減し、スループットを向上することができる。

[00131] 洗浄中、液体は、周囲の面６０へ向かって流れることができる。格子３２の内縁部に関連付けられたバリア５８を用いて洗浄中の内部への液体のフローの阻止はできなくとも低減することができる。このような構成を図３３に示す。外側のバリアは、基板スワップ中に隣接するテーブルと隣り合うテーブルＷＴの辺の全長にわたっては延在しない。テーブルＷＴ、ＷＴ２、ＭＴ及び投影システムの相対運動があると、外側のバリアはテーブルの間の液体フットプリント２６が外側のバリア６１を横断することなく通過する経路９３を提供するように延在する。液体フットプリントの下で移動する表面は実質的に連続的で、望ましくは不変の接触角を備える。格子３２の表面を洗浄するため、移送レーン３８は液体フットプリント２６の下を移動することができ、第２のテーブルＭＴ、ＷＴ２は液体フットプリントの下にある。次に、テーブルＭＴ、ＷＴ、ＷＴ２は移動し、格子は液体フットプリント２６の下を移動する。この運動は、基板テーブルが液体フットプリント２６の下で第２のテーブルＭＴ、ＷＴ２と交換されるまで、一般に格子の外縁部、内縁部、又は両方の縁部によって画定される軌跡を描く。

[00132] 移送レーン３８の表面の一部は、例えば、接着剤によって所定位置に固定された平面コンポーネントなどの交換可能なコンポーネントを含んでいてもよい。このような交換可能なコンポーネントはステッカーであってもよい。ステッカーは、着脱式ブリッジ２４及び／又は移送レーン３８の部分４４、４６などの特定のコンポーネントを覆う形状をしていてもよい。ステッカーの汚染が閾値レベルに達すると、他のあらゆる表面と同様にステッカーを洗浄することができる。ステッカーを除去し、除去したステッカーと同じフィーチャと形状を有する新しいステッカーと交換してもよい。ステッカーは、例えば、超純水、露光放射及び基板のコーティングに由来する汚染粒子の少なくとも１つとの相互作用によって使用中に劣化する可能性がある指定された表面特性を有していてもよい。このような表面特性は、例えば、一次元疎液性表面などの特定の接触角又は好ましい方向の疎液性の、例えば、水の場合には疎水性の特性であってもよい。

[00133] 図３４及び図３５に示すように、移送レーン３８のある実施形態は、延在して第２のテーブルＷＴ２、ＭＴの側面に接触して第２のテーブルの一部を覆うか又はその上部に突き出るテーブルＷＴの延在表面６３である。本明細書に記載する移送レーンの全表面は、１つの基板テーブルの連続する表面であることに注目すると、延在表面はこのような移送レーンのフィーチャのいずれを有していてもよい。図３４は、測定テーブルＭＴを備えた基板テーブルＷＴの構成を示す。テーブルＷＴ、ＭＴの少なくとも１つは延在表面６３を有する。基板テーブル上にこのようなフィーチャを有することでテーブルの重心が歪み、十分に正確な測定とテーブルの位置決め、ひいてはテーブルＷＴ上の基板の結像が阻害されることがあるため、測定テーブルＭＴは延在表面を有することが望ましい。

[00134] 測定テーブルＭＴに最も近いテーブルの側面に沿った格子３２の部分はくぼんだ部分を有していてもよい。くぼんだ部分は、基板スワップ中に延在表面６３の位置に対応してもよい。くぼんだ部分は、基板スワップ中に測定テーブルに隣接する格子の全長であってもよい。使用時に液体フットプリント２６の下を通過するテーブルの表面は延在表面６３である。したがって、格子３２の表面は、フットプリント２６が液浸空間１１から流出したフットプリント３６又は液体と接触することなく、フットプリント２６の下を通過する。格子３２の汚染及び劣化のリスクは低減される。

[00135] 図３５は、２つの基板テーブルを備えたシステム内の一構成を示す。各テーブルＷＴ、ＷＴ２は、同様の側面に延在表面を有する。このような構成によって、各々の以下の基板スワップで２つのテーブルへの位置が交互する。連続する基板スワップの間の例えば図示のフットプリント２６とテーブルＷＴ、ＷＴ２との一般的な相対運動は左から右へ実行される。右端のテーブルＷＴ、ＷＴ２は以下の基板スワップのために左端のテーブルの左へ移動する。以下の図３６〜図３９は測定テーブルを使用する構成を示すが、記載の構成は、各々が延在表面６３を有する２つの基板テーブルＷＴ、ＷＴ２と併用するために修正してもよい。

[00136] 図３６は、図３４の構成のある実施形態の断面図である。延在表面は、ガスベアリングなどの非接触支持体によって支持される。ガスベアリングは、延在表面６３の下面と格子３２の一部であってもよい基板テーブルＷＴの対向面との間に形成される。ガスベアリングのガスフロー９５は、延在表面６３の下面又は対向面に位置する出口によって供給することができる。ガスフローは、使用時に延在表面６３の下面及び対向面の他方へ誘導される。延在表面は、液浸システムの動作力を受けて弾性になり得る薄い板から構成される。ガスべアリングを延在表面と併用することで、測定及び基板テーブルＭＴ、ＷＴが接触することなく、延在表面６３の剛性が向上する。（テーブル相互の接触によって１つ又は複数のテーブルの損傷のリスクとテーブルの測定及び位置決めシステムへの干渉のリスクが増大することがある）。

[00137] 図３７は、バリア６８が周囲の面６０と格子３２との間の下向きの段９７として形成されたある実施形態を示す。ある実施形態では、基板テーブルＷＴ、ＷＴ２の周辺部の周囲で格子３２は周囲の面６０よりも低い。同じフィーチャを備えたある実施形態では、格子３２は別の位置、例えば、テーブルの下面上にあってもよい。下向きの段９７の周辺部の周囲の表面は、表面上を流れる液浸液を回収することができる。このような液体は、基板スワップ中に延在表面から流出することがある。液体は、下向きの段から流れ落ちる液滴であってもよい。液体は、基板テーブルＷＴ、ＷＴ２と液体閉じ込め構造１２との間の相対運動中に空間１１内の液浸液から漏出する可能性がある。下向きの段９７の周辺部の全部又は一部の周囲の表面に、表面からの液体を回収し、除去し又は抽出する１つ又は複数の開口を設けてもよい。

[00138] 図３８は、測定テーブルＭＴを備えた図３７の基板テーブルの断面図を示す。ある実施形態では、液体が格子３２に達するのを防止するため、バリア６８は周囲の面６０と格子３２の内縁部との間に疎液性表面、突起、少なくとも１つの流体抽出開口を含む。ある実施形態では、延在表面６３を支持するのを助けるガスベアリングの代わりに、基板テーブルは、基板テーブルＷＴ、ＷＴ２に切欠きなどの係合デバイス９９を有する。基板スワップ中に、延在表面６３の表面は図３９に示す切欠き９９に接触し、望ましくは係合又は着座する。このような構成は、望ましくない熱の影響を有する可能性のあるガスフローの使用を回避する。

[00139] 本文では例えばＩＣデバイスなどのＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。

[00140] 本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ若しくは１２６ｎｍ、又はこれら辺りの波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折及び反射光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか一つ、又はその組み合わせを指す。

[00141] 以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明の実施形態は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の１つ又は複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はこのようなコンピュータプログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスク）の形態をとることができる。さらに機械読み取り式命令は、２つ以上のコンピュータプログラムで実現することができる。２つ以上のコンピュータプログラムを、１つ又は複数の異なるメモリ及び／又はデータ記憶媒体に記憶することができる。

[00142] １つ又は複数のコンピュータプログラムがリソグラフィ装置の少なくとも１つのコンポーネント内にある１つ又は複数のコンピュータプロセッサによって読み出される時に、本明細書に記載するコントローラは各々、又は組み合わせて動作可能になる。コントローラは各々、又は組み合わせて、信号を受信、処理、送信するのに適した任意の構成を有する。１つ又は複数のプロセッサは、コントローラの少なくとも１つと通信するように構成されている。例えば、各コントローラは、上記方法のための機械読み取り式命令を含むコンピュータプログラムを実行する１つ又は複数のプロセッサを含むことができる。コントローラは、そのようなコンピュータプログラムを記憶するデータ記憶媒体及び／又はそのような媒体を収容するハードウェアを含むことができる。したがって、コントローラは、１つ又は複数のコンピュータプログラムの機械読み取り式命令に従って動作することができる。

[00143] 本発明の１つ又は複数の実施形態は、任意の液浸リソグラフィ装置に、特に液浸液が槽の形態で提供されるか、基板の局所的な表面区域のみに提供されるか、基板及び／又は基板テーブル上に閉じ込められないかにかかわらず、上述したタイプに適用することができるが、それに限定されない。閉じ込められない構成では、液浸液は基板及び／又は基板テーブルの表面上に流れることができ、したがって実質的に基板テーブル及び／又は基板の覆われていない表面全体が濡れる。このように閉じ込められていない液浸システムでは、液体供給システムが液浸液を閉じ込めることができない、又はある割合の液浸液閉じ込めを提供することができるが、実質的に液浸液の閉じ込めを完成しない。

[00144] 本明細書で想定するような液体供給システムは広義に解釈されたい。特定の実施形態では、これは液体を投影システムと基板及び／又は基板テーブルの間の空間に提供する機構又は構造の組合せでよい。これは、１つ又は複数の構造、１つ又は複数の液体開口を含む１つ又は複数の流体開口、１つ又は複数の気体開口あるいは１つ又は複数の２相流用の開口の組合せを含んでよい。これらの開口は、各々、液浸空間への入口（又は流体ハンドリング構造からの出口）あるいは液浸空間からの出口（又は流体ハンドリング構造への入口）であってもよい。実施形態では、空間の表面が基板及び／又は基板テーブルの一部でよいか、空間の表面が基板及び／又は基板テーブルの表面を完全に覆ってよいか、空間が基板及び／又は基板テーブルを囲んでよい。液体供給システムは任意選択で、液体の位置、量、品質、形状、流量又は任意の他の特徴を制御する１つ又は複数の要素をさらに含むことができる。

[00145] 本発明の１つ又は複数の実施形態は、以下の特徴のうち１つ以上を含んでいてもよい。
[00146]（特徴１） 基板を支持するように構成された基板テーブルと、
投影システムと前記基板テーブル、前記基板、又はその両方との間に画定された空間に液浸液を供給し閉じ込めるように構成された流体ハンドリング構造と、
前記流体ハンドリング構造の下に位置して、前記空間内の液体を保持するように構成されたスワップテーブルと、
前記流体ハンドリング構造の下の、前記基板テーブルの表面と前記スワップテーブルの表面との間に配置されるように構成された移送表面であって、前記流体ハンドリング構造と前記移送表面との間の相対運動の方向に垂直な成分を有する方向に、液浸液が前記移送表面の少なくとも一部を越えて移動することを防止するように構成された移送表面と、
を備える液浸リソグラフィ装置。
[00147]（特徴２） 前記移送表面が、前記基板テーブルの前記表面と前記スワップテーブルの前記表面をつなぐように構成され、前記基板テーブルと前記スワップテーブルの前記表面が、前記流体ハンドリング構造の下で可動である、特徴１に記載の液浸リソグラフィ装置。
[00148]（特徴３） 前記基板テーブルの前記表面と前記スワップテーブルの前記表面の間に位置決め表面があり、位置決めシステムが前記位置決め表面を有する、特徴１又は２に記載の液浸リソグラフィ装置。
[00149]（特徴４） 前記位置決め表面が、エンコーダ格子である、特徴３に記載の液浸リソグラフィ装置。
[00150]（特徴５） 前記基板テーブルが、前記位置決め表面の上に、望ましくは前記移送表面と同一平面の透明な板を備える、特徴３又は特徴４に記載の液浸リソグラフィ装置。
[00151]（特徴６） 前記位置決め表面が、前記移送表面に隣接する、特徴３又は特徴４に記載の液浸リソグラフィ装置。
[00152]（特徴７） 位置決め表面が、前記移送表面よりも高い、特徴６に記載の液浸リソグラフィ装置。
[00153]（特徴８） 保護表面が、前記移送表面に対する前記位置決め表面の位置に対応し、前記保護表面が、前記位置決め表面より高い、特徴３から７のいずれか１項に記載の液浸リソグラフィ装置。
[00154]（特徴９） 前記位置決めシステムが、前記位置決め表面を横断する前記移送表面を補償するセンサを含む複数のセンサを備える、特徴３から８のいずれか１項に記載の液浸リソグラフィ装置。
[00155]（特徴１０） 前記移送表面の前記表面の少なくとも一部が、前記スワップテーブル、前記基板テーブル、又は両方の表面の少なくとも一部である、特徴１から９のいずれか１項に記載の液浸リソグラフィ装置。
[00156]（特徴１１） 前記スワップテーブルと前記基板テーブルの対向縁部が、前記縁部間にギャップがあるように離間している、特徴１から１０のいずれか１項に記載の液浸リソグラフィ装置。
[00157]（特徴１２） 前記移送表面の少なくとも一部が、前記スワップテーブルと前記基板テーブルの間に配置可能なように構成された着脱式ブリッジの一部である、特徴１１に記載の液浸リソグラフィ装置。
[00158]（特徴１３） 前記スワップテーブルが、基板を支持しないように構成された測定テーブル又は基板を支持するように構成された基板テーブルである、前記特徴のいずれか１項に記載の液浸リソグラフィ装置。
[00159]（特徴１４） 前記移送表面が、前記移送表面の前記表面に平行で、前記流体ハンドリング構造と前記移送表面との間の相対運動の方向に垂直な平面で前記流体ハンドリング構造の液体フットプリントの寸法を少なくとも超える寸法である、前記特徴のいずれか１項に記載の液浸リソグラフィ装置。
[00160]（特徴１５） 前記移送表面が、前記基板テーブルと望ましくは前記スワップテーブルとからその表面を断熱するように構成される、前記特徴のいずれか１項に記載の液浸リソグラフィ装置。
[00161]（特徴１６） 前記移送表面が、前記移送表面に加えられた熱負荷を補償する働きをするように構成された熱パイプを備える、特徴１５に記載の液浸リソグラフィ装置。
[00162]（特徴１７） 前記移送表面の前記表面が、疎液性である、前記特徴のいずれか１項に記載の液浸リソグラフィ装置。
[00163]（特徴１８） 移送表面の少なくとも一部が、コーティングによって提供される、前記特徴のいずれか１項に記載の液浸リソグラフィ装置。
[00164]（特徴１９） 前記移送表面が、前記流体ハンドリング構造と前記移送表面との間の相対運動の方向に垂直な成分を有する方向に液浸液が移動することを防止するように構成された細長いバリアを備え、前記バリアが相対運動の方向にほぼ平行な方向に整列した、前記特徴のいずれか１項に記載の液浸リソグラフィ装置。
[00165]（特徴２０） 前記細長いバリアが、隣接する表面と比べて増大した接触角を有する表面を有する、特徴１９に記載の液浸リソグラフィ装置。
[00166]（特徴２１） 前記細長いバリアが、隆起を有する、特徴１９又は特徴２０に記載の液浸リソグラフィ装置。
[00167]（特徴２２） 前記細長いバリアが、細長い流路と、前記移送表面が前記流体ハンドリング構造の下を移動する際に流路から流体を除去するように構成された流路の開口とを有する、特徴１９から２１のいずれか１項に記載の液浸リソグラフィ装置。
[00168]（特徴２３） 前記細長いバリアが、鋭角の縁部に関連付けられた、特徴１９から２２のいずれか１項に記載の液浸リソグラフィ装置。
[00169]（特徴２４） 前記鋭角の縁部が、相対運動の方向に実質的に平行な前記移送表面の一辺に関連付けられた、特徴２３に記載の液浸リソグラフィ装置。
[00170]（特徴２５） 前記移送表面が、前記移送表面を提供するように構成された少なくとも１枚の交換可能なステッカーを含む、前記特徴のいずれか１項に記載の液浸リソグラフィ装置。
[00171]（特徴２６） 基板のターゲット部分へパターン付放射ビームを誘導するように構成された投影システムをさらに備える、前記特徴のいずれか１項に記載の液浸リソグラフィ装置。
[00172]（特徴２７） 前記スワップテーブルが、前記基板テーブル上の前記基板のスワップ中に前記流体ハンドリング構造の下に位置して液体を前記空間内に保持するように構成された、前記特徴のいずれか１項に記載の液浸リソグラフィ装置。
[00173]（特徴２８） リソグラフィ装置用のシャッター部材であって、閉じ込め空間と前記シャッター部材との間の相対運動の方向に垂直な要素を有する方向に、閉じ込め空間内の液浸液が移送表面の少なくとも一部を越えて移動することを防止するように構成された前記移送表面の少なくとも一部を有するシャッター部材。
[00174]（特徴２９） 前記閉じ込め空間内の液体が、流体ハンドリング構造によって空間内に閉じ込められる、特徴２８に記載のシャッター部材。
[00175]（特徴３０） 前記流体ハンドリング構造が、投影システムと対向面との間の空間内に液浸液を供給し閉じ込めるように構成され、前記対向面が、基板を支持するように構成された基板テーブルの表面であり、基板が、前記基板テーブル又は前記シャッター部材の表面によって支持される、特徴２８に記載のシャッター部材。
[00176]（特徴３１） 前記シャッター部材が、基板スワップ中に前記閉じ込め空間の下を移動するように構成される、特徴２８から３０のいずれか１項に記載のシャッター部材。
[00177]（特徴３２） 基板テーブルの表面に接触する空間内に液浸液を閉じ込めるステップと、
前記基板テーブルが流体ハンドリング構造の下から離れ、前記流体ハンドリング構造の下でシャッター表面が前記基板テーブルの表面に置き換わるように前記基板テーブルと前記シャッター表面とを１回の動作で移動させることで前記基板テーブルの表面を前記シャッター表面と交換するステップと、を備え、
前記基板テーブルと前記シャッターとの表面との交換中に移送表面を前記流体ハンドリング構造の下で移動させ、前記移送表面は、液浸液が、移動方向に垂直な成分を備える方向に前記移送表面の少なくとも一部を越えて移動することを防止する、
デバイス製造方法。
[00178]（特徴３３） 液浸液が、前記空間に供給され、前記空間内の液体が、前記基板テーブルの局所区域に接触している、特徴３２に記載の方法。
[00179]（特徴３４） 前記シャッター部材が、別のテーブルの表面を含む、特徴３２又は特徴３３に記載の方法。
[00180]（特徴３５） 液浸リソグラフィ装置の操作方法であって、
基板テーブル上に基板を支持するステップと、
投影システムと前記基板テーブル、前記基板、又はその両方との間に流体ハンドリング構造によって画定された空間に液浸液を供給し閉じ込めるステップと、
前記流体ハンドリング構造の下の前記基板テーブルの表面をスワップテーブルの表面を有するシャッター表面と交換するステップと、
前記スワップテーブルの表面が、前記基板テーブルの表面に置き換わる間に前記流体ハンドリング構造の下の移送表面を移動させるステップと、
前記移送表面の移動中に、液浸液が、前記流体ハンドリング構造と前記移送表面との間の相対運動の方向に垂直な成分を有する方向に、前記移送表面の少なくとも一部を越えて移動することを防止するステップと、
を含む方法。
[00181]（特徴３６） 基板を支持するように構成された基板テーブルと、
投影システムと前記基板テーブル、前記基板、又はその両方との間に画定された空間に液浸液を供給し閉じ込めるように構成された流体ハンドリング構造と、
前記基板テーブル上の前記基板のスワップ中に前記流体ハンドリング構造の下に位置するように構成されたシャッター部材であって、スワップテーブルであるシャッター部材と、
を含み、
前記移送基板テーブルと前記スワップテーブルの表面の間に配置され、前記移送表面が前記流体ハンドリング構造の下を移動するように構成され、前記流体ハンドリング構造と前記移送表面との間の相対運動の方向に垂直な成分を有する方向に、液浸液が前記移送表面の少なくとも一部を越えて移動することを防止するように構成された液浸リソグラフィ装置。
[00182]（特徴３７） 前記移送表面が、前記基板テーブルの表面の一部、前記スワップテーブルの表面の一部、又はその両方を含む、特徴３６に記載の液浸リソグラフィ装置。
[00183]（特徴３８） 基板スワップ中に前記基板テーブルと前記スワップテーブルの間に配置可能なブリッジをさらに含み、前記移送表面が前記ブリッジの上面を含む、特徴３６又は特徴３７に記載の液浸リソグラフィ装置。
[00184]（特徴３９） 基板を支持するように構成された基板テーブルと、
投影システムと前記基板テーブル、前記基板、又はその両方との間に画定された空間に液浸液を供給し閉じ込めるように構成された流体ハンドリング構造と、
前記流体ハンドリング構造の下の前記基板テーブルの表面とシャッター表面との間に配置されるように構成された移送表面とを備え、
前記シャッター表面は、前記流体ハンドリング構造の下で前記基板テーブルの表面に置き換わるように構成され、かつ、前記流体ハンドリング構造と前記移送表面との間の相対運動の方向に垂直な成分を有する方向に液浸液が移送表面の少なくとも一部を越えて移動することを防止する移送表面と、
を備える液浸リソグラフィ装置。

[00185] 上記の説明は例示的であり、限定的ではない。それ故、下記に示す特許請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。

Claims (15)

1. 基板を支持する基板テーブルと、
   投影システムと前記基板テーブル、前記基板、又はその両方との間に画定された空間に液浸液を供給し閉じ込める流体ハンドリング構造と、
   前記流体ハンドリング構造の下に位置して、前記空間内の液体を保持するスワップテーブルと、
   前記流体ハンドリング構造の下でかつ前記基板テーブルの表面と前記スワップテーブルの表面との間に配置される移送表面であって、液浸液が前記流体ハンドリング構造と前記移送表面との間の相対運動の方向に垂直な成分を有する方向に前記移送表面の少なくとも一部を越えて移動することを防止する移送表面と、
   を備える液浸リソグラフィ装置。
2. 前記移送表面が、前記基板テーブルの前記表面と前記スワップテーブルの前記表面をつなぐように構成され、前記基板テーブル及び前記スワップテーブルの表面が、前記流体ハンドリング構造の下で可動である、請求項１に記載の液浸リソグラフィ装置。
3. 前記基板テーブルの前記表面と前記スワップテーブルの前記表面の間に位置決め表面があり、位置決めシステムが前記位置決め表面を有する、請求項１又は２に記載の液浸リソグラフィ装置。
4. 前記位置決め表面が、エンコーダ格子である、請求項３に記載の液浸リソグラフィ装置。
5. 前記基板テーブルが、前記位置決め表面の上に、望ましくは前記移送表面と同一平面の、透明な板を備える、請求項３又は請求項４に記載の液浸リソグラフィ装置。
6. 前記位置決め表面が、前記移送表面に隣接する、請求項３又は請求項４に記載の液浸リソグラフィ装置。
7. 少なくとも前記移送表面の前記表面の一部が、少なくとも前記スワップテーブル、前記基板テーブル、又は両方の表面の少なくとも一部である、請求項１から６のいずれか１項に記載の液浸リソグラフィ装置。
8. 前記スワップテーブルが、基板を支持しないように構成された測定テーブル又は基板を支持するように構成された基板テーブルである、前記請求項のいずれか１項に記載の液浸リソグラフィ装置。
9. 前記移送表面が、前記移送表面の前記表面に平行でかつ前記流体ハンドリング構造と前記移送表面との間の相対運動の方向に垂直な平面において、前記流体ハンドリング構造の液体フットプリントの寸法を少なくとも超える寸法である、前記請求項のいずれか１項に記載の液浸リソグラフィ装置。
10. 前記移送表面が、前記基板テーブルと望ましくは前記スワップテーブルとからその表面を断熱するように構成される、前記請求項のいずれか１項に記載の液浸リソグラフィ装置。
11. 前記移送表面の前記表面が、疎液性である、前記請求項のいずれか１項に記載の液浸リソグラフィ装置。
12. 前記移送表面が、前記流体ハンドリング構造と前記移送表面との間の相対運動の方向に垂直な成分を有する方向に液浸液が移動することを防止する細長いバリアを備え、前記バリアが相対運動の方向にほぼ平行な方向に整列した、前記請求項のいずれか１項に記載の液浸リソグラフィ装置。
13. リソグラフィ装置用のシャッター部材であって、閉じ込め空間と前記シャッター部材との間の相対運動の方向に垂直な成分を有する方向に、前記閉じ込め空間の液浸液が、移送表面の少なくとも一部を越えて移動することを防止する移送表面の少なくとも一部を有するシャッター部材。
14. 基板テーブルの表面に接触する空間内に液浸液を閉じ込めるステップと、
    前記基板テーブルが流体ハンドリング構造の下から離れ、前記流体ハンドリング構造の下でシャッター表面が前記基板テーブルの表面に置き換わるように前記基板テーブルと前記シャッター表面とを１回の動作で移動させることで前記基板テーブルの表面を前記シャッター表面と交換するステップと、を備え、
    前記基板テーブルと前記シャッターとの表面との交換中に移送表面を前記流体ハンドリング構造の下で移動させ、前記移送表面は、液浸液が移動方向に垂直な成分を備える方向に前記移送表面の少なくとも一部を越えて移動することを防止する、デバイス製造方法。
15. 基板を支持するように構成された基板テーブルと、
    投影システムと前記基板テーブル、前記基板、又はその両方との間に画定された空間に液浸液を供給し閉じ込めるように構成された流体ハンドリング構造と、
    前記流体ハンドリング構造の下の前記基板テーブルの表面とシャッター表面との間に配置される移送表面とを備え、
    前記シャッター表面は、前記流体ハンドリング構造の下で前記基板テーブルの表面に置き換わるように構成され、かつ、前記流体ハンドリング構造と前記移送表面との間の相対運動の方向に垂直な成分を有する方向に液浸液が前記移送表面の少なくとも一部を越えて移動することを防止する、
    液浸リソグラフィ装置。

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