JPH09167736A - 走査型露光装置及びそれを用いたデバイス製造方法 - Google Patents
走査型露光装置及びそれを用いたデバイス製造方法Info
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- JPH09167736A JPH09167736A JP7347937A JP34793795A JPH09167736A JP H09167736 A JPH09167736 A JP H09167736A JP 7347937 A JP7347937 A JP 7347937A JP 34793795 A JP34793795 A JP 34793795A JP H09167736 A JPH09167736 A JP H09167736A
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- projection optical
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ステップアンドスキャン方式を用いた露光装
置でレチクル又は／及びウエハの形状を変形させること
により高解像力化を図った走査型露光装置及びそれを用
いたデバイスの製造方法を得ること。 【解決手段】 スリット形状の照明光束で第１物体面上
のパターンを照明し、該第１物体面上のパターンを投影
光学系により可動ステージに載置した第２物体面上に該
第１物体と該可動ステージを該スリット形状の短手方向
に該投影光学系の投影倍率に対応させた速度比で同期さ
せてスキャンさせながら投影露光する際、該投影光学系
の光学特性に対応させて該第１物体又は／及び該第２物
体のスキャン方向と直交する方向の形状を変形させてい
ること。
置でレチクル又は／及びウエハの形状を変形させること
により高解像力化を図った走査型露光装置及びそれを用
いたデバイスの製造方法を得ること。 【解決手段】 スリット形状の照明光束で第１物体面上
のパターンを照明し、該第１物体面上のパターンを投影
光学系により可動ステージに載置した第２物体面上に該
第１物体と該可動ステージを該スリット形状の短手方向
に該投影光学系の投影倍率に対応させた速度比で同期さ
せてスキャンさせながら投影露光する際、該投影光学系
の光学特性に対応させて該第１物体又は／及び該第２物
体のスキャン方向と直交する方向の形状を変形させてい
ること。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は走査型露光装置及び
それを用いたデバイス製造方法に関し、ＩＣ，ＬＳＩ，
ＣＣＤ，磁気ヘッド，液晶パネル等のデバイスを製造す
る工程のうち、リソグラフィー工程に使用される際に好
適なものである。
それを用いたデバイス製造方法に関し、ＩＣ，ＬＳＩ，
ＣＣＤ，磁気ヘッド，液晶パネル等のデバイスを製造す
る工程のうち、リソグラフィー工程に使用される際に好
適なものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体デバイス
の高集積化がますます加速度を増しており、これに伴う
半導体ウエハの微細加工技術の進展も著しい。この微細
加工技術の中心をなす投影露光装置として、円弧状の露
光域を持つ等倍のミラー光学系に対してマスクと感光基
板を走査しながら露光する等倍投影露光装置（ミラープ
ロジェクションアライナー）や、マスクのパターン像を
屈折光学系により感光基板上に形成し、感光基板をステ
ップアンドリピート方式で露光する縮小投影露光装置
（ステッパー）等がある。
の高集積化がますます加速度を増しており、これに伴う
半導体ウエハの微細加工技術の進展も著しい。この微細
加工技術の中心をなす投影露光装置として、円弧状の露
光域を持つ等倍のミラー光学系に対してマスクと感光基
板を走査しながら露光する等倍投影露光装置（ミラープ
ロジェクションアライナー）や、マスクのパターン像を
屈折光学系により感光基板上に形成し、感光基板をステ
ップアンドリピート方式で露光する縮小投影露光装置
（ステッパー）等がある。
【０００３】又最近では、高解像力が得られ、且つ画面
サイズを拡大できるステップアンドスキャン方式の走査
型投影露光装置（露光装置）が種々と提案されている。
この走査型露光装置ではレチクル面上のパターンをスリ
ット状光束により照明し、該スリット状光束により照明
されたパターンを投影系（投影光学系）を介し、スキャ
ン動作によりウエハ上に露光転写している。
サイズを拡大できるステップアンドスキャン方式の走査
型投影露光装置（露光装置）が種々と提案されている。
この走査型露光装置ではレチクル面上のパターンをスリ
ット状光束により照明し、該スリット状光束により照明
されたパターンを投影系（投影光学系）を介し、スキャ
ン動作によりウエハ上に露光転写している。
【０００４】図１４は従来の一般的な走査型露光装置の
要部概略図である。図中、１０１は第１物体としてのレ
クチル（マスク）、１０２は投影レンズ（投影光学
系）、１０４は可動ステージであり、第２物体としての
ウエハ１０３を載置している。ウエハ１０３面上には紫
外光に反応するレジストが塗布されている。１０６は照
明系１０５からのスリット状の照明光束である。
要部概略図である。図中、１０１は第１物体としてのレ
クチル（マスク）、１０２は投影レンズ（投影光学
系）、１０４は可動ステージであり、第２物体としての
ウエハ１０３を載置している。ウエハ１０３面上には紫
外光に反応するレジストが塗布されている。１０６は照
明系１０５からのスリット状の照明光束である。
【０００５】同図において、スリット状の照明光束１０
６は、レチクル１０１の直前にスリット状のアパーチャ
ー（スリット開口）を設けるか、又は照明系１０５中で
レチクル１０１と光学的に共役な位置に同様のアパーチ
ャー（スリット開口）を設けることにより得ている。更
には、シリンドリカルレンズ等の光学素子を用いて、同
様のスリット状照明光束を得ている。
６は、レチクル１０１の直前にスリット状のアパーチャ
ー（スリット開口）を設けるか、又は照明系１０５中で
レチクル１０１と光学的に共役な位置に同様のアパーチ
ャー（スリット開口）を設けることにより得ている。更
には、シリンドリカルレンズ等の光学素子を用いて、同
様のスリット状照明光束を得ている。
【０００６】１１１はｘ，ｙ，ｚ軸を示す座標系を示し
ている。同図の走査型露光装置では投影レンズ１０２の
光軸１０９をｚ方向に、スリット状の照明光束１０６の
長手方向をｙ軸方向に、又短手方向（レチクル１０１と
ステージ１０４（ウエハ１０３）のスキャン方向）をｘ
軸方向に一致するようにとっている。
ている。同図の走査型露光装置では投影レンズ１０２の
光軸１０９をｚ方向に、スリット状の照明光束１０６の
長手方向をｙ軸方向に、又短手方向（レチクル１０１と
ステージ１０４（ウエハ１０３）のスキャン方向）をｘ
軸方向に一致するようにとっている。
【０００７】動作原理を簡単に説明すると、レチクル１
０１上のパターンは、スリット状の照明光束１０６の当
たった部分のみしか投影転写されない。従って、レチク
ル１０１を矢印１０７の方向に所定の速度でスキャンす
ると同時に、この速度に投影レンズ１０２の結像倍率を
乗じた速度でステージ１０４を矢印１０８の方向にスキ
ャンすることによって、レチクル１０１上の回路パター
ン全体をウエハ１０３上に投影転写している。
０１上のパターンは、スリット状の照明光束１０６の当
たった部分のみしか投影転写されない。従って、レチク
ル１０１を矢印１０７の方向に所定の速度でスキャンす
ると同時に、この速度に投影レンズ１０２の結像倍率を
乗じた速度でステージ１０４を矢印１０８の方向にスキ
ャンすることによって、レチクル１０１上の回路パター
ン全体をウエハ１０３上に投影転写している。
【０００８】又、スキャンコントローラ１１２によって
レチクル１０１とウエハ１０３を同期させてスキャンを
制御している。そして回路パターン全体の転写終了後、
ステージ１０４を所定の量だけ移動、即ちステップして
ウエハ１０３上の異なる多数の位置で上記と同様の方法
でパターンの転写を繰り返している。
レチクル１０１とウエハ１０３を同期させてスキャンを
制御している。そして回路パターン全体の転写終了後、
ステージ１０４を所定の量だけ移動、即ちステップして
ウエハ１０３上の異なる多数の位置で上記と同様の方法
でパターンの転写を繰り返している。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】図１４に示す走査型露
光装置において、スキャン方向に垂直な方向（ｙ軸方
向）に対して、光学設計上の画面寸法が制限されている
重要な要因の一つに、投影光学系の諸収差、例えば像面
湾曲収差がある。一般に、投影光学系の像面湾曲収差を
少なくし、像面の平坦化を図り投影解像力を向上させよ
うとするとハローと呼ばれる高次の軸外球面収差が増大
し、このハローにより投影解像力が低下してくる。又諸
収差のバランスをとり良好な収差補正を行う為に、投影
光学系におけるレンズ枚数を増やす方法は、レンズによ
る透過率の低下や組立が複雑化し、又コストアップ等の
影響を受ける。この像面湾曲収差を良好に補正しつつ投
影光学系の画面寸法の拡大を図ることは設計上及び製作
上大変難しくなっている。
光装置において、スキャン方向に垂直な方向（ｙ軸方
向）に対して、光学設計上の画面寸法が制限されている
重要な要因の一つに、投影光学系の諸収差、例えば像面
湾曲収差がある。一般に、投影光学系の像面湾曲収差を
少なくし、像面の平坦化を図り投影解像力を向上させよ
うとするとハローと呼ばれる高次の軸外球面収差が増大
し、このハローにより投影解像力が低下してくる。又諸
収差のバランスをとり良好な収差補正を行う為に、投影
光学系におけるレンズ枚数を増やす方法は、レンズによ
る透過率の低下や組立が複雑化し、又コストアップ等の
影響を受ける。この像面湾曲収差を良好に補正しつつ投
影光学系の画面寸法の拡大を図ることは設計上及び製作
上大変難しくなっている。
【００１０】本発明は、スリット形状の照明光束でレチ
クル面（第１物体）を照明し、該レチクル面のパターン
を投影光学系によりウエハ（第２物体）上に走査露光方
式を利用して投影露光する際、投影光学系の光学特性に
対応させてレチクル面又は／及びウエハを適切なる形状
に変形させることにより、高解像力でしかも大画面への
投影露光を容易にした走査型露光装置及びそれを用いた
デバイスの製造方法の提供を目的とする。
クル面（第１物体）を照明し、該レチクル面のパターン
を投影光学系によりウエハ（第２物体）上に走査露光方
式を利用して投影露光する際、投影光学系の光学特性に
対応させてレチクル面又は／及びウエハを適切なる形状
に変形させることにより、高解像力でしかも大画面への
投影露光を容易にした走査型露光装置及びそれを用いた
デバイスの製造方法の提供を目的とする。
【００１１】
【課題を解決する為の手段】本発明の走査型露光装置
は、 （１−１）スリット形状の照明光束で第１物体面上のパ
ターンを照明し、該第１物体面上のパターンを投影光学
系により可動ステージに載置した第２物体面上に該第１
物体と該可動ステージを該スリット形状の短手方向に該
投影光学系の投影倍率に対応させた速度比で同期させて
スキャンさせながら投影露光する際、該投影光学系の光
学特性に対応させて該第１物体又は／及び該第２物体の
スキャン方向と直交する方向の形状を変形させているこ
とを特徴としている。
は、 （１−１）スリット形状の照明光束で第１物体面上のパ
ターンを照明し、該第１物体面上のパターンを投影光学
系により可動ステージに載置した第２物体面上に該第１
物体と該可動ステージを該スリット形状の短手方向に該
投影光学系の投影倍率に対応させた速度比で同期させて
スキャンさせながら投影露光する際、該投影光学系の光
学特性に対応させて該第１物体又は／及び該第２物体の
スキャン方向と直交する方向の形状を変形させているこ
とを特徴としている。
【００１２】特に、 （１−１−１）前記第１物体又は／及び第２物体の形状
を変形手段で変形させていること。
を変形手段で変形させていること。
【００１３】（１−１−２）前記変形手段は力学的な力
を利用していること。
を利用していること。
【００１４】（１−１−３）前記投影光学系の光学特性
を記憶させた記憶手段と、該記憶手段からのデータに基
づいて前記変形手段による前記第１物体又は／及び第２
物体の変形を制御する変形制御手段とを設けたこと。
を記憶させた記憶手段と、該記憶手段からのデータに基
づいて前記変形手段による前記第１物体又は／及び第２
物体の変形を制御する変形制御手段とを設けたこと。
【００１５】（１−１−４）前記変形制御手段は露光中
における前記投影光学系の光学特性の変化に対応させて
前記変形手段により前記第１物体又は／及び第２物体の
変形量を制御していること。
における前記投影光学系の光学特性の変化に対応させて
前記変形手段により前記第１物体又は／及び第２物体の
変形量を制御していること。
【００１６】（１−１−５）前記投影光学系の光学特性
は像面湾曲収差を含んでいること。
は像面湾曲収差を含んでいること。
【００１７】（１−１−６）前記投影光学系の前記第２
物体面に対する像面湾曲収差がアンダーのときは該像面
湾曲収差に対応させて該第１物体を該投影光学系に対し
て凹形状に変形させていること。
物体面に対する像面湾曲収差がアンダーのときは該像面
湾曲収差に対応させて該第１物体を該投影光学系に対し
て凹形状に変形させていること。
【００１８】（１−１−７）前記投影光学系の前記第２
物体面に対する像面湾曲収差がオーバーのときは該像面
湾曲収差に対応させて該第１物体を該投影光学系に対し
て凸形状に変形させていること。
物体面に対する像面湾曲収差がオーバーのときは該像面
湾曲収差に対応させて該第１物体を該投影光学系に対し
て凸形状に変形させていること。
【００１９】（１−１−８）前記投影光学系の前記第２
物体面に対する像面湾曲収差がアンダーのときは該像面
湾曲収差に対応させて該第２物体を該投影光学系に対し
て凹形状に変形させていること。
物体面に対する像面湾曲収差がアンダーのときは該像面
湾曲収差に対応させて該第２物体を該投影光学系に対し
て凹形状に変形させていること。
【００２０】（１−１−９）前記投影光学系の前記第２
物体面に対する像面湾曲収差がオーバーのときは該像面
湾曲収差に対応させて該第２物体を該投影光学系に対し
て凸形状に変形させていること。
物体面に対する像面湾曲収差がオーバーのときは該像面
湾曲収差に対応させて該第２物体を該投影光学系に対し
て凸形状に変形させていること。
【００２１】（１−１−１０）前記第１物体と第２物体
の形状を同時に変形させていること。
の形状を同時に変形させていること。
【００２２】（１−１−１１）前記投影光学系の前記第
２物体面に対する像面湾曲収差がアンダーのときは該像
面湾曲収差に対応させて該第１物体と第２物体を投影光
学系に対して凹形状に変形させていること。
２物体面に対する像面湾曲収差がアンダーのときは該像
面湾曲収差に対応させて該第１物体と第２物体を投影光
学系に対して凹形状に変形させていること。
【００２３】（１−１−１４）前記投影光学系の前記第
２物体面に対する像面湾曲収差がオーバーのときは該像
面湾曲収差に対応させて該第１物体と第２物体を投影光
学系に対して凸形状に変形させていること。
２物体面に対する像面湾曲収差がオーバーのときは該像
面湾曲収差に対応させて該第１物体と第２物体を投影光
学系に対して凸形状に変形させていること。
【００２４】（１−１−１５）前記投影光学系の前記第
２物体面に対する像面湾曲収差がアンダーのときは該像
面湾曲収差に対応させて該第１物体を該投影光学系に対
して凹形状に、該第２物体を該投影光学系に対して凸形
状に変形させていること。
２物体面に対する像面湾曲収差がアンダーのときは該像
面湾曲収差に対応させて該第１物体を該投影光学系に対
して凹形状に、該第２物体を該投影光学系に対して凸形
状に変形させていること。
【００２５】（１−１−１６）前記投影光学系の前記第
２物体面に対する像面湾曲収差がオーバーのときは該像
面湾曲収差に対応させて該第１物体を該投影光学系に対
して凸形状に該第２物体を該投影光学系に対して凹形状
に変形させていること。
２物体面に対する像面湾曲収差がオーバーのときは該像
面湾曲収差に対応させて該第１物体を該投影光学系に対
して凸形状に該第２物体を該投影光学系に対して凹形状
に変形させていること。
【００２６】（１−２）スリット形状の照明光束で第１
物体面上のパターンを照明し、該第１物体面上のパター
ンを投影光学系により可動ステージに載置した第２物体
面上に該第１物体と該可動ステージを該スリット形状の
短手方向に該投影光学系の投影倍率に対応させた速度比
で同期させてスキャンさせながら投影露光する際、該第
１物体のスキャン方向と直交する方向の形状は該投影光
学系の光学特性に対応して平面形状より変形した湾曲形
状より成っていることを特徴としている。
物体面上のパターンを照明し、該第１物体面上のパター
ンを投影光学系により可動ステージに載置した第２物体
面上に該第１物体と該可動ステージを該スリット形状の
短手方向に該投影光学系の投影倍率に対応させた速度比
で同期させてスキャンさせながら投影露光する際、該第
１物体のスキャン方向と直交する方向の形状は該投影光
学系の光学特性に対応して平面形状より変形した湾曲形
状より成っていることを特徴としている。
【００２７】本発明のデバイスの製造方法は、 （２−１）構成要件（１−１）又は構成要件（１−１）
と構成要件（１−１−１）〜（１−１−１６）の何れか
１項記載との組み合わせ、又は構成要件（１−２）の走
査型露光装置を用いて製造していることを特徴としてい
る。
と構成要件（１−１−１）〜（１−１−１６）の何れか
１項記載との組み合わせ、又は構成要件（１−２）の走
査型露光装置を用いて製造していることを特徴としてい
る。
【００２８】
【発明の実施の形態】図１は本発明の実施形態１の要部
概略図である。図中、１０１は第１物体としてのレチク
ル（マスク）であり、スキャン方向（走査方向）１０７
に対して垂直方向（即ちｙ軸方向）に後述するように変
形手段で投影光学系１０２の光学特性に対応させて撓ま
せて（変形させて）いる。これによりレチクル上のパタ
ーンをウエハ１０３に投影露光している。１０２は投影
レンズ（投影光学系）、１０４は可動ステージであり、
第２物体としてのウエハ１０３を載置している。ウエハ
１０３面上には紫外光に反応するレジストが塗布されて
いる。
概略図である。図中、１０１は第１物体としてのレチク
ル（マスク）であり、スキャン方向（走査方向）１０７
に対して垂直方向（即ちｙ軸方向）に後述するように変
形手段で投影光学系１０２の光学特性に対応させて撓ま
せて（変形させて）いる。これによりレチクル上のパタ
ーンをウエハ１０３に投影露光している。１０２は投影
レンズ（投影光学系）、１０４は可動ステージであり、
第２物体としてのウエハ１０３を載置している。ウエハ
１０３面上には紫外光に反応するレジストが塗布されて
いる。
【００２９】尚本実施形態においてウエハ１０３は後述
するようにレチクル１０１と同様にスキャン方向１０７
に対して垂直方向（ｙ軸方向）に変形させて用いる場合
もある。
するようにレチクル１０１と同様にスキャン方向１０７
に対して垂直方向（ｙ軸方向）に変形させて用いる場合
もある。
【００３０】１１３は照明系１０５からのスリット状の
照明光束である。同図において、スリット状の照明光束
１１３はレチクル１０１の直前にスリット状のアパーチ
ャー（スリット開口）を設けるか、又は照明系１０５中
でレチクル１０１と光学的に共役な位置に同様のアパー
チャー（スリット開口）を設けることにより得ている。
又はシリンドリカルレンズ等の光学素子を用いて、同様
のスリット状照明光束を得ている。
照明光束である。同図において、スリット状の照明光束
１１３はレチクル１０１の直前にスリット状のアパーチ
ャー（スリット開口）を設けるか、又は照明系１０５中
でレチクル１０１と光学的に共役な位置に同様のアパー
チャー（スリット開口）を設けることにより得ている。
又はシリンドリカルレンズ等の光学素子を用いて、同様
のスリット状照明光束を得ている。
【００３１】尚、同図ではスリット状の照明光束１１３
はレチクル１０１の湾曲形状に対応して湾曲した形状と
なるようにしている。１１１はｘ，ｙ，ｚ軸を示す座標
系を示している。同図の走査型露光装置では投影レンズ
１０２の光軸１０９をｚ方向に、スリット状の照明光束
１１３の長手方向をｙ軸方向に、又短手方向（レチクル
１０１とステージ１０４（ウエハ１０３）のスキャン方
向）をｘ軸方向に一致するようにとっている。
はレチクル１０１の湾曲形状に対応して湾曲した形状と
なるようにしている。１１１はｘ，ｙ，ｚ軸を示す座標
系を示している。同図の走査型露光装置では投影レンズ
１０２の光軸１０９をｚ方向に、スリット状の照明光束
１１３の長手方向をｙ軸方向に、又短手方向（レチクル
１０１とステージ１０４（ウエハ１０３）のスキャン方
向）をｘ軸方向に一致するようにとっている。
【００３２】本実施形態においてレクチル１０１上のパ
ターンは、スリット状の照明光束１１３の当たった部分
のみしか投影転写されない。従って、レチクル１０１を
矢印１０７の方向に所定の速度でスキャンすると同時
に、この速度に投影レンズ１０２の結像倍率を乗じた速
度でステージ１０４を矢印１０８の方向にスキャンする
ことによって、レチクル１０１上の回路パターン全体を
ウエハ１０３上に投影転写している。
ターンは、スリット状の照明光束１１３の当たった部分
のみしか投影転写されない。従って、レチクル１０１を
矢印１０７の方向に所定の速度でスキャンすると同時
に、この速度に投影レンズ１０２の結像倍率を乗じた速
度でステージ１０４を矢印１０８の方向にスキャンする
ことによって、レチクル１０１上の回路パターン全体を
ウエハ１０３上に投影転写している。
【００３３】又、スキャンコントローラ１１２によって
レチクル１０１とウエハ１０３を同期させてスキャンを
制御している。そして回路パターン全体の転写終了後、
ステージ１０４を所定の量だけ移動、即ちステップして
ウエハ１０３上の異なる多数の位置で上記と同様の方法
でパターンの転写を繰り返している。
レチクル１０１とウエハ１０３を同期させてスキャンを
制御している。そして回路パターン全体の転写終了後、
ステージ１０４を所定の量だけ移動、即ちステップして
ウエハ１０３上の異なる多数の位置で上記と同様の方法
でパターンの転写を繰り返している。
【００３４】このとき本実施形態では次のようにして投
影光学系１０２の光学特性（像面湾曲）に応じてレチク
ル１０１又は／及びウエハ１０３のｙ方向の形状を変形
させて高解像力を図っている。
影光学系１０２の光学特性（像面湾曲）に応じてレチク
ル１０１又は／及びウエハ１０３のｙ方向の形状を変形
させて高解像力を図っている。
【００３５】まず、あらかじめ投影光学系１０２の像面
湾曲に関するデータをメモリ１１４に格納しておく。そ
して露光が行なわれる前にメモリ１１４に格納されてい
たデータにより、スキャン方向１０７に対して垂直方向
（即ちｙ軸方向）に前記像面湾曲を補正するのに必要な
所定の撓み量を変形コントローラ１１５により読み出
し、レチクル変形手段１１６によりレチクル１０１に変
形を与える。尚、図１ではレチクル変形手段１１６とし
てのレチクル変形部材及びレチクル１０１に対して変形
を与える為のアクチュエータ等は省略している。
湾曲に関するデータをメモリ１１４に格納しておく。そ
して露光が行なわれる前にメモリ１１４に格納されてい
たデータにより、スキャン方向１０７に対して垂直方向
（即ちｙ軸方向）に前記像面湾曲を補正するのに必要な
所定の撓み量を変形コントローラ１１５により読み出
し、レチクル変形手段１１６によりレチクル１０１に変
形を与える。尚、図１ではレチクル変形手段１１６とし
てのレチクル変形部材及びレチクル１０１に対して変形
を与える為のアクチュエータ等は省略している。
【００３６】図２（Ａ）は投影光学系１０２が理想像平
面（第２物体面）１１８に対してアンダーの像面湾曲特
性を有する場合の開口像の様子を示しており、図１にお
けるｙ−ｚ平面の断面に相当する概略図である。図２
（Ａ）において、投影光学系１０２の像面湾曲が曲線Ａ
１（アンダーの像面湾曲）のように形成されており、図
１にて図示されている開口像１１０が図２（Ａ）のウエ
ハ面１０３上の範囲Ｒに渡って投影されているとする。
面（第２物体面）１１８に対してアンダーの像面湾曲特
性を有する場合の開口像の様子を示しており、図１にお
けるｙ−ｚ平面の断面に相当する概略図である。図２
（Ａ）において、投影光学系１０２の像面湾曲が曲線Ａ
１（アンダーの像面湾曲）のように形成されており、図
１にて図示されている開口像１１０が図２（Ａ）のウエ
ハ面１０３上の範囲Ｒに渡って投影されているとする。
【００３７】このとき、光軸１０９から距離Ｐの位置で
の像面湾曲量をＣ１とする。このとき、本実施形態では
投影光学系１０２の投影倍率がＹ倍（例えばＹ＝１／４
倍等）であったとすると光軸１０９から距離Ｐの位置で
の像面湾曲量Ｃ１に対して、図３（Ａ）に示す様にその
像点Ｐに対応するレチクル１０１（第１物体面）上の物
点Ｓの位置においてＤ１＝Ｃ１／（Ｙ**２）だけレチク
ル１０１をスキャン方向１０７に垂直方向（即ちｙ軸方
向）に撓ませる。この場合、投影光学系１０２に対して
凹形状にレチクル１０１を撓ませることになる。尚、本
実施形態では便宜上、ウエハ１０３面（第２物体面）と
理想像平面１１８は一致している場合を示している。
の像面湾曲量をＣ１とする。このとき、本実施形態では
投影光学系１０２の投影倍率がＹ倍（例えばＹ＝１／４
倍等）であったとすると光軸１０９から距離Ｐの位置で
の像面湾曲量Ｃ１に対して、図３（Ａ）に示す様にその
像点Ｐに対応するレチクル１０１（第１物体面）上の物
点Ｓの位置においてＤ１＝Ｃ１／（Ｙ**２）だけレチク
ル１０１をスキャン方向１０７に垂直方向（即ちｙ軸方
向）に撓ませる。この場合、投影光学系１０２に対して
凹形状にレチクル１０１を撓ませることになる。尚、本
実施形態では便宜上、ウエハ１０３面（第２物体面）と
理想像平面１１８は一致している場合を示している。
【００３８】次に、投影光学系１０２が図２（Ｂ）に示
すように曲線Ａ１とは逆符号の像面湾曲特性Ａ２（オー
バーの像面湾曲）を有する場合について説明する。この
とき、光軸１０９から距離Ｐの位置での像面湾曲量をＣ
２とする。このとき、投影光学系１０２の投影倍率がＹ
倍（例えばＹ＝１／４倍等）であったとすると、図３
（Ｂ）に示すように光軸１０９から距離Ｐの位置での像
面湾曲量Ｃ２に対して、像点Ｐに対応するレチクル１０
１上の物点Ｓの位置においてＤ２＝Ｃ２／（Ｙ**２）だ
けレチクル１０１を投影光学系１０２に対して凸形状に
撓ませることにより像面湾曲を補正するようにしてい
る。
すように曲線Ａ１とは逆符号の像面湾曲特性Ａ２（オー
バーの像面湾曲）を有する場合について説明する。この
とき、光軸１０９から距離Ｐの位置での像面湾曲量をＣ
２とする。このとき、投影光学系１０２の投影倍率がＹ
倍（例えばＹ＝１／４倍等）であったとすると、図３
（Ｂ）に示すように光軸１０９から距離Ｐの位置での像
面湾曲量Ｃ２に対して、像点Ｐに対応するレチクル１０
１上の物点Ｓの位置においてＤ２＝Ｃ２／（Ｙ**２）だ
けレチクル１０１を投影光学系１０２に対して凸形状に
撓ませることにより像面湾曲を補正するようにしてい
る。
【００３９】以上により、本実施形態では従来の光学性
能上、焦点深度から外れて使用することのできない領
域、即ち光軸１０９からの距離Ｐ（即ちＲ全体）の領域
までも高解像力のパターン像を得ている。又、像面湾曲
の補正を上述のように行なうことを前提として設計時に
像面湾曲をある程度許容して設計することによっても投
影光学系においてレンズ設計への負担が低減すると共に
他の収差を補正する自由度が増し、高解像化を容易に達
成することができる。更に像面湾曲を補正する為に必要
としたレンズ枚数を削減することを容易とし、コスト削
減、又透過率のアップ等を達成している。
能上、焦点深度から外れて使用することのできない領
域、即ち光軸１０９からの距離Ｐ（即ちＲ全体）の領域
までも高解像力のパターン像を得ている。又、像面湾曲
の補正を上述のように行なうことを前提として設計時に
像面湾曲をある程度許容して設計することによっても投
影光学系においてレンズ設計への負担が低減すると共に
他の収差を補正する自由度が増し、高解像化を容易に達
成することができる。更に像面湾曲を補正する為に必要
としたレンズ枚数を削減することを容易とし、コスト削
減、又透過率のアップ等を達成している。
【００４０】尚、像面湾曲のデータは、メモリ１１４に
データ値（像面湾曲量Ｃ１又は補正量Ｄ１の値、あるい
は光軸からの距離と像面湾曲量のテーブル又は光軸から
の距離と変形量のテーブル、等々）として或は関数の
形、或はそれに類するデータ形式にて格納しても良い。
又変形量の計算方法については、本実施形態による算出
方法に限るものではない。
データ値（像面湾曲量Ｃ１又は補正量Ｄ１の値、あるい
は光軸からの距離と像面湾曲量のテーブル又は光軸から
の距離と変形量のテーブル、等々）として或は関数の
形、或はそれに類するデータ形式にて格納しても良い。
又変形量の計算方法については、本実施形態による算出
方法に限るものではない。
【００４１】更に、本実施形態には図示していないが、
像面湾曲を測定する手段を同時に備え、投影光学系の像
面湾曲を測定した結果をレチクル変形コントローラ１１
５を介してレチクル変形手段１１６によりレチクル１０
１に変形を与えるようにしても良い。
像面湾曲を測定する手段を同時に備え、投影光学系の像
面湾曲を測定した結果をレチクル変形コントローラ１１
５を介してレチクル変形手段１１６によりレチクル１０
１に変形を与えるようにしても良い。
【００４２】又本実施形態において、露光経過時間とと
もに補正量Ｄ１（又はＤ２）を変形させるようにしても
良い。
もに補正量Ｄ１（又はＤ２）を変形させるようにしても
良い。
【００４３】図４は露光経過時間と共に補正量を変化さ
せる場合の本実施形態のフローチャートを示している。
まず、ステップ１２２において露光前にレチクル１０１
に対し補正量Ｄ＝Ｄ１（又はＤ２）をあたえる。このデ
ータ値はメモリ１１４に保存されており、変形コントロ
ーラ１１５によって読み出され、補正量Ｄ１（又はＤ
２）を与えるようにレチクル変形手段１１６に指示を送
る。次にステップ１２３により露光をスタートさせる。
このときの時間をｔ＝０とする。メモリ１１４には、露
光経過時間に対応した補正量のデータが保存されてお
り、ある露光経過時間になると変形コントローラ１１５
によって補正量を変更するようになっている。
せる場合の本実施形態のフローチャートを示している。
まず、ステップ１２２において露光前にレチクル１０１
に対し補正量Ｄ＝Ｄ１（又はＤ２）をあたえる。このデ
ータ値はメモリ１１４に保存されており、変形コントロ
ーラ１１５によって読み出され、補正量Ｄ１（又はＤ
２）を与えるようにレチクル変形手段１１６に指示を送
る。次にステップ１２３により露光をスタートさせる。
このときの時間をｔ＝０とする。メモリ１１４には、露
光経過時間に対応した補正量のデータが保存されてお
り、ある露光経過時間になると変形コントローラ１１５
によって補正量を変更するようになっている。
【００４４】今、ステップ１２４においてｔ＝ｔｘにな
ったとき、ウエハに対する全ての露光を終了しないなら
ば、ステップ１２５へと進み、補正量を経過時間ｔｘの
場合に対応した補正量Ｄ＝Ｄｔｘを与えると共に、レチ
クル１０１に再度変形を与える時間をｔｘ＝ｔｘ＋１と
する。
ったとき、ウエハに対する全ての露光を終了しないなら
ば、ステップ１２５へと進み、補正量を経過時間ｔｘの
場合に対応した補正量Ｄ＝Ｄｔｘを与えると共に、レチ
クル１０１に再度変形を与える時間をｔｘ＝ｔｘ＋１と
する。
【００４５】次に時間ｔがｔｘになったとき、同様な手
順を繰り返す。尚、この補正データは、露光経過時間と
補正量のデータテーブルであっても、又関数式の形式で
あっても構わない。このように露光経過時間に対して変
形量を変化させることにより、投影光学系の経過変化等
（例えば投影光学系の露光熱による変化等）による像面
湾曲の変化に対しても十分に補正するようにしている。
順を繰り返す。尚、この補正データは、露光経過時間と
補正量のデータテーブルであっても、又関数式の形式で
あっても構わない。このように露光経過時間に対して変
形量を変化させることにより、投影光学系の経過変化等
（例えば投影光学系の露光熱による変化等）による像面
湾曲の変化に対しても十分に補正するようにしている。
【００４６】尚、本実施形態において第１物体（レチク
ル１０１）は、レチクル１０１を変形する手段を用いる
ことなく予めスキャン方向に略垂直な方向に変形した形
状を有する物体面であっても良い。例えば、レチクルを
作成する際のガラス基板を、図１に図示されたレチクル
１０１の形状のように円筒形の一部のような形状に加工
しておくといった方法によるものでも像面湾曲の補正を
同様に行なうことができる。
ル１０１）は、レチクル１０１を変形する手段を用いる
ことなく予めスキャン方向に略垂直な方向に変形した形
状を有する物体面であっても良い。例えば、レチクルを
作成する際のガラス基板を、図１に図示されたレチクル
１０１の形状のように円筒形の一部のような形状に加工
しておくといった方法によるものでも像面湾曲の補正を
同様に行なうことができる。
【００４７】図５は本発明の実施形態２の要部概略図で
ある。本実施形態は図１の実施形態１に比べてレチクル
１０１を変形させる代わりにウエハ１０３をスキャン方
向１０７（或は１０８）に対して垂直方向（即ちｙ軸方
向）に撓ませてレチクル１０１上のパターンをウエハ１
０３に投影露光していることが異なっており、その他の
構成は略同じである。
ある。本実施形態は図１の実施形態１に比べてレチクル
１０１を変形させる代わりにウエハ１０３をスキャン方
向１０７（或は１０８）に対して垂直方向（即ちｙ軸方
向）に撓ませてレチクル１０１上のパターンをウエハ１
０３に投影露光していることが異なっており、その他の
構成は略同じである。
【００４８】本実施形態ではまず予め投影光学系の像面
湾曲に関するデータをメモリ１１４に格納しておく。そ
して露光が行なわれる前にメモリ１１４に格納されてい
たデータにより、スキャン方向１０７に対して垂直方向
（即ちｙ軸方向）に前記像面湾曲を補正するのに必要な
所定の撓み量を変形コントローラ１１５により読み出
し、ウエハ変形手段１１９によりウエハ１０３に変形を
与える（図５ではウエハの変形状態は不図示）。尚、図
５ではウエハ変形手段１１９としてのウエハ変形部材及
びウエハ１０３に対して変形を与える為のアクチュエー
タ等は省略している。
湾曲に関するデータをメモリ１１４に格納しておく。そ
して露光が行なわれる前にメモリ１１４に格納されてい
たデータにより、スキャン方向１０７に対して垂直方向
（即ちｙ軸方向）に前記像面湾曲を補正するのに必要な
所定の撓み量を変形コントローラ１１５により読み出
し、ウエハ変形手段１１９によりウエハ１０３に変形を
与える（図５ではウエハの変形状態は不図示）。尚、図
５ではウエハ変形手段１１９としてのウエハ変形部材及
びウエハ１０３に対して変形を与える為のアクチュエー
タ等は省略している。
【００４９】本実施形態において、例えば図２（Ａ）に
示すように投影光学系１０２がアンダーの像面湾曲を有
する場合について説明する。この場合、図６（Ａ）に示
すように光軸１０９から距離Ｐの位置での像面湾曲量Ｃ
１に対して略像面湾曲量Ｃ１分だけウエハ１０３をスキ
ャン方向１０８に垂直な方向（即ちｙ軸方向）に撓ませ
る。即ち投影光学系１０２に対して凹形状に撓ませるこ
とにより、像面湾曲面Ａ１とウエハ面１０３（第２物体
面）とを略一致させている。
示すように投影光学系１０２がアンダーの像面湾曲を有
する場合について説明する。この場合、図６（Ａ）に示
すように光軸１０９から距離Ｐの位置での像面湾曲量Ｃ
１に対して略像面湾曲量Ｃ１分だけウエハ１０３をスキ
ャン方向１０８に垂直な方向（即ちｙ軸方向）に撓ませ
る。即ち投影光学系１０２に対して凹形状に撓ませるこ
とにより、像面湾曲面Ａ１とウエハ面１０３（第２物体
面）とを略一致させている。
【００５０】次に投影光学系１０２が図２（Ｂ）に示す
ように、曲線Ａ１とは逆符号の像面湾曲特性Ａ２（オー
バーの像面湾曲）を有する場合について説明する。この
とき、光軸１０９から距離Ｐの位置での像面湾曲量をＣ
２とする。この場合、図６（Ｂ）に示すように、光軸１
０９から距離Ｐの位置での像面湾曲量Ｃ２に対して略像
面湾曲量Ｃ２分だけウエハ１０３をスキャン方向１０８
に垂直な方向（即ちｙ軸方向）に撓ませる。即ち投影光
学系に対して凸形状に撓ませることにより、像面湾曲面
Ａ２とウエハ面１０３（第２物体面）とを一致させてい
る。
ように、曲線Ａ１とは逆符号の像面湾曲特性Ａ２（オー
バーの像面湾曲）を有する場合について説明する。この
とき、光軸１０９から距離Ｐの位置での像面湾曲量をＣ
２とする。この場合、図６（Ｂ）に示すように、光軸１
０９から距離Ｐの位置での像面湾曲量Ｃ２に対して略像
面湾曲量Ｃ２分だけウエハ１０３をスキャン方向１０８
に垂直な方向（即ちｙ軸方向）に撓ませる。即ち投影光
学系に対して凸形状に撓ませることにより、像面湾曲面
Ａ２とウエハ面１０３（第２物体面）とを一致させてい
る。
【００５１】以上により、本実施形態では従来の光学性
能上使用することのできない領域、即ち光軸１０９から
の距離Ｐの領域までも高解像力のパターン像を得てい
る。
能上使用することのできない領域、即ち光軸１０９から
の距離Ｐの領域までも高解像力のパターン像を得てい
る。
【００５２】尚、像面湾曲のデータはメモリ１１４にデ
ータ値（像面湾曲量Ｃ１（又はＣ２）、或は光軸からの
距離と像面湾曲量のテーブル、等々）として、或は関数
の形、或はそれに類するデータ形式にて格納しても良
い。
ータ値（像面湾曲量Ｃ１（又はＣ２）、或は光軸からの
距離と像面湾曲量のテーブル、等々）として、或は関数
の形、或はそれに類するデータ形式にて格納しても良
い。
【００５３】更に本実施形態には図示していないが、像
面湾曲を測定する手段を同時に備え、投影光学系の像面
湾曲を測定した結果を変形コントローラ１１５を介して
ウエハ変形手段１１９によりマスク１０３に変形を与え
るようにしても良い。
面湾曲を測定する手段を同時に備え、投影光学系の像面
湾曲を測定した結果を変形コントローラ１１５を介して
ウエハ変形手段１１９によりマスク１０３に変形を与え
るようにしても良い。
【００５４】又本実施形態において実施形態１と同様に
露光経過時間と共に、像面湾曲量Ｃ１（又はＣ２）の変
化に合わせてウエハ１０３を変化させるようにしても良
い。
露光経過時間と共に、像面湾曲量Ｃ１（又はＣ２）の変
化に合わせてウエハ１０３を変化させるようにしても良
い。
【００５５】図７は本発明の実施形態３の要部概略図で
ある。本実施形態は図１の実施形態１に比べてレチクル
１０１とウエハ１０３を同時にスキャン方向１０７或は
１０８に対して垂直方向（即ちｙ軸方向）に撓ませてレ
チクル１０１上のパターンをウエハに投影露光している
点が異なっており、その他の構成は略同じである。
ある。本実施形態は図１の実施形態１に比べてレチクル
１０１とウエハ１０３を同時にスキャン方向１０７或は
１０８に対して垂直方向（即ちｙ軸方向）に撓ませてレ
チクル１０１上のパターンをウエハに投影露光している
点が異なっており、その他の構成は略同じである。
【００５６】本実施形態ではまず、予め投影光学系の像
面湾曲、或は像面湾曲補正等に関するデータをメモリ１
１４に格納しておく。そして露光が行なわれる前にメモ
リ１１４に格納されていたデータにより、スキャン方向
１０７に対して垂直方向（即ちｙ軸方向）に、前記像面
湾曲を補正するのに必要な所定の撓み量を変形コントロ
ーラ１１５により読み出し、レチクル変形手段１１６に
よりレチクル１０１を変形させ、又ウエハ変形手段１１
９によりウエハ１０３を変形させている。但し図７では
便宜上、ウエハ１０３は変形していない状態を図示して
いる。尚レチクル変形手段１１６としてのレチクル変形
部材、ウエハ変形手段１１９としてのウエハ変形部材及
びレチクル１０１，ウエハ１０３に対して変形を与える
為のアクチュエータ等は省略している。
面湾曲、或は像面湾曲補正等に関するデータをメモリ１
１４に格納しておく。そして露光が行なわれる前にメモ
リ１１４に格納されていたデータにより、スキャン方向
１０７に対して垂直方向（即ちｙ軸方向）に、前記像面
湾曲を補正するのに必要な所定の撓み量を変形コントロ
ーラ１１５により読み出し、レチクル変形手段１１６に
よりレチクル１０１を変形させ、又ウエハ変形手段１１
９によりウエハ１０３を変形させている。但し図７では
便宜上、ウエハ１０３は変形していない状態を図示して
いる。尚レチクル変形手段１１６としてのレチクル変形
部材、ウエハ変形手段１１９としてのウエハ変形部材及
びレチクル１０１，ウエハ１０３に対して変形を与える
為のアクチュエータ等は省略している。
【００５７】本実施形態において、例えば図２（Ａ）の
ように投影光学系１０２の像面湾曲が曲線Ａ１（アンダ
ーの像面湾曲）の様に形成されている場合について説明
する。この場合、図２（Ａ）における光軸１０９から距
離Ｐの位置での像面湾曲量Ｃ１に対して図８（Ａ）に示
す様にその像面湾曲を補正する為にレチクル１０１とウ
エハ１０３を同時にスキャン方向１０７（１０８）に垂
直な方向（即ちｙ軸方向）に撓ませる。その際、投影光
学系に対して、像面上の点Ｐに対応したレチクル１０１
上の点Ｓを補正量Ｄ３だけ凹形状に、ウエハ１０３上の
点Ｐを像面湾曲量Ｃ３だけ凹形状に撓ませているのであ
る。
ように投影光学系１０２の像面湾曲が曲線Ａ１（アンダ
ーの像面湾曲）の様に形成されている場合について説明
する。この場合、図２（Ａ）における光軸１０９から距
離Ｐの位置での像面湾曲量Ｃ１に対して図８（Ａ）に示
す様にその像面湾曲を補正する為にレチクル１０１とウ
エハ１０３を同時にスキャン方向１０７（１０８）に垂
直な方向（即ちｙ軸方向）に撓ませる。その際、投影光
学系に対して、像面上の点Ｐに対応したレチクル１０１
上の点Ｓを補正量Ｄ３だけ凹形状に、ウエハ１０３上の
点Ｐを像面湾曲量Ｃ３だけ凹形状に撓ませているのであ
る。
【００５８】従って、実施形態１で説明したようにレチ
クル１０１のみを撓ませる、或いは実施形態２で説明し
たようにウエハ１０３のみを撓ませるのではなく、レチ
クル１０１とマスク１０３を同時に撓ませている。
クル１０１のみを撓ませる、或いは実施形態２で説明し
たようにウエハ１０３のみを撓ませるのではなく、レチ
クル１０１とマスク１０３を同時に撓ませている。
【００５９】又、図２（Ｂ）のように投影光学系１０２
の像面湾曲が曲線Ａ２（オーバーの像面湾曲）の様に形
成されている場合について説明する。この場合、図２
（Ｂ）における光軸１０９から距離Ｐの位置での像面湾
曲量Ｃ２に対して、図８（Ｂ）に示す様にその像面湾曲
を補正する為にレクチル１０１とウエハ１０３を同時に
スキャン方向１０７（１０８）に垂直な方向（即ちｙ軸
方向）に撓ませる。その際、投影光学系１０２に対し
て、像面上の点Ｐに対応したレチクル１上の点Ｓを補正
量Ｄ４だけ凸形状に、ウエハ３上の点ＰをＣ４だけ凸形
状に撓ませている。
の像面湾曲が曲線Ａ２（オーバーの像面湾曲）の様に形
成されている場合について説明する。この場合、図２
（Ｂ）における光軸１０９から距離Ｐの位置での像面湾
曲量Ｃ２に対して、図８（Ｂ）に示す様にその像面湾曲
を補正する為にレクチル１０１とウエハ１０３を同時に
スキャン方向１０７（１０８）に垂直な方向（即ちｙ軸
方向）に撓ませる。その際、投影光学系１０２に対し
て、像面上の点Ｐに対応したレチクル１上の点Ｓを補正
量Ｄ４だけ凸形状に、ウエハ３上の点ＰをＣ４だけ凸形
状に撓ませている。
【００６０】尚、像面湾曲補正の為のデータは、メモリ
１１４に、例えば像面湾曲補正量（Ｃ３，Ｄ３）或いは
（Ｃ４，Ｄ４）のデータテーブルとして持っている。即
ち投影光学系の像面湾曲が図２（Ａ）で示す曲線Ａ１で
表される場合には、レチクル１０１或いはウエハ１０３
の変形量は、像面湾曲補正量（Ｃ３，Ｄ３）の組として
複数与えている。又、メモリ１１４に記憶するデータ形
式としては、（Ｃ３，Ｄ３）（或いは（Ｃ４，Ｄ４））
の複数組のデータを関数として持つようにしても良い。
１１４に、例えば像面湾曲補正量（Ｃ３，Ｄ３）或いは
（Ｃ４，Ｄ４）のデータテーブルとして持っている。即
ち投影光学系の像面湾曲が図２（Ａ）で示す曲線Ａ１で
表される場合には、レチクル１０１或いはウエハ１０３
の変形量は、像面湾曲補正量（Ｃ３，Ｄ３）の組として
複数与えている。又、メモリ１１４に記憶するデータ形
式としては、（Ｃ３，Ｄ３）（或いは（Ｃ４，Ｄ４））
の複数組のデータを関数として持つようにしても良い。
【００６１】更に、本実施形態には図示していないが、
像面湾曲を測定する手段を同時に備え、投影光学系の像
面湾曲を測定した結果を変形コントローラ１１５を介し
てレチクル変形手段１１６とウエハ変形手段１１９によ
りレチクル１０１とウエハ１０３に変形を与えるように
しても良い。
像面湾曲を測定する手段を同時に備え、投影光学系の像
面湾曲を測定した結果を変形コントローラ１１５を介し
てレチクル変形手段１１６とウエハ変形手段１１９によ
りレチクル１０１とウエハ１０３に変形を与えるように
しても良い。
【００６２】本実施形態ではレチクル１０１とウエハ３
を同時に撓ませる為、各々を単独で撓ませたときよりも
像面湾曲を補正する為の撓み量を小さくすることができ
る。又本実施形態において、露光経過時間と共に補正量
Ｃ３，Ｄ３（或いはＣ４，Ｄ４）を変化させるようにし
ても良い。
を同時に撓ませる為、各々を単独で撓ませたときよりも
像面湾曲を補正する為の撓み量を小さくすることができ
る。又本実施形態において、露光経過時間と共に補正量
Ｃ３，Ｄ３（或いはＣ４，Ｄ４）を変化させるようにし
ても良い。
【００６３】図９は露光経過時間と共に補正量を変化さ
せた場合のフローチャートを示している。まず、ステッ
プ１３１において露光前にレチクル１０１に対し補正量
Ｃ＝Ｃ３，Ｄ＝Ｄ３を与える。このデータ値はメモリ１
１４に保存されており、変形コントローラ１１５によっ
て読み出され、補正量としてＤ３を与えるようにレチク
ル変形手段１１６に、そして補正量Ｃ３を与えるように
ウエハ変形手段１１９に指示を送る。
せた場合のフローチャートを示している。まず、ステッ
プ１３１において露光前にレチクル１０１に対し補正量
Ｃ＝Ｃ３，Ｄ＝Ｄ３を与える。このデータ値はメモリ１
１４に保存されており、変形コントローラ１１５によっ
て読み出され、補正量としてＤ３を与えるようにレチク
ル変形手段１１６に、そして補正量Ｃ３を与えるように
ウエハ変形手段１１９に指示を送る。
【００６４】次に、ステップ１３２により露光をスター
トさせる。このときの時間をｔ＝０とする。メモリ１１
４には、露光経過時間に対応した補正量のデータが保存
されており、ある露光経過時間になると変形コントロー
ラ１１５によって補正量を変更するようになっている。
トさせる。このときの時間をｔ＝０とする。メモリ１１
４には、露光経過時間に対応した補正量のデータが保存
されており、ある露光経過時間になると変形コントロー
ラ１１５によって補正量を変更するようになっている。
【００６５】今、ステップ１３３においてｔ＝ｔｘにな
ったとき、ウエハ１０３に対する全ての露光を終了しな
いならば、ステップ１３４へと進む。ここでレチクル１
０１だけ補正量Ｄ３から変形させる場合にはステップ１
３５へ進み、レチクル１０１とウエハ１０３の両方を補
正量Ｄ３，Ｃ３から変化する場合には、ステップ１３６
に進む。
ったとき、ウエハ１０３に対する全ての露光を終了しな
いならば、ステップ１３４へと進む。ここでレチクル１
０１だけ補正量Ｄ３から変形させる場合にはステップ１
３５へ進み、レチクル１０１とウエハ１０３の両方を補
正量Ｄ３，Ｃ３から変化する場合には、ステップ１３６
に進む。
【００６６】ステップ１３５の場合、補正量を経過時間
のｔｘの場合に対応した補正量Ｄ＝Ｄｔｘを与えると共
に、レチクル１０１に再度変形を与える時間をｔｘ＝ｔ
ｘ＋１とする。このとき、ウエハの変形量はそのまま保
持する。ステップ１３６の場合には、補正量を経過時間
ｔｘの場合に対応した補正量Ｄ＝Ｄｔｘ，Ｃ＝Ｃｔｘを
同時に与えると共に、レチクル１０１に再度変形を与え
る時間をｔｘ＝ｔｘ＋１とする。
のｔｘの場合に対応した補正量Ｄ＝Ｄｔｘを与えると共
に、レチクル１０１に再度変形を与える時間をｔｘ＝ｔ
ｘ＋１とする。このとき、ウエハの変形量はそのまま保
持する。ステップ１３６の場合には、補正量を経過時間
ｔｘの場合に対応した補正量Ｄ＝Ｄｔｘ，Ｃ＝Ｃｔｘを
同時に与えると共に、レチクル１０１に再度変形を与え
る時間をｔｘ＝ｔｘ＋１とする。
【００６７】このようにして全て露光が終了するまで、
メモリ１１４及び変形コントローラ１１５の制御により
継続される。尚、この補正データは、露光経過時間と補
正量のデータテーブルであっても、又関数式の形式であ
っても構わない。このように、露光経過時間に対して変
形量を変化させることにより、投影光学系の経時変化等
（例えば投影光学系の露光熱による変化等）による像面
湾曲の変化に対しても十分に補正するようにしている。
メモリ１１４及び変形コントローラ１１５の制御により
継続される。尚、この補正データは、露光経過時間と補
正量のデータテーブルであっても、又関数式の形式であ
っても構わない。このように、露光経過時間に対して変
形量を変化させることにより、投影光学系の経時変化等
（例えば投影光学系の露光熱による変化等）による像面
湾曲の変化に対しても十分に補正するようにしている。
【００６８】尚、実施形態１と同様に本実施形態におい
ても第１物体（レチクル１）は、レチクル１を変形する
手段を用いることなく予めスキャン方向に略垂直な方向
に変形した形状を有する物体面であっても良い。
ても第１物体（レチクル１）は、レチクル１を変形する
手段を用いることなく予めスキャン方向に略垂直な方向
に変形した形状を有する物体面であっても良い。
【００６９】次に本発明の実施形態４について説明す
る。実施形態４は図７の実施形態３に比べてレチクル１
０１とウエハ１０３を同時にスキャン方向１０７或いは
１０８に対して垂直方向（即ちｙ軸方向）に撓ませる際
に、投影光学系１０２に対してレチクル１０１の変形量
とウエハ１０３の変形量を逆向きに与えている点が異な
っており、その他の構成は略同じである。
る。実施形態４は図７の実施形態３に比べてレチクル１
０１とウエハ１０３を同時にスキャン方向１０７或いは
１０８に対して垂直方向（即ちｙ軸方向）に撓ませる際
に、投影光学系１０２に対してレチクル１０１の変形量
とウエハ１０３の変形量を逆向きに与えている点が異な
っており、その他の構成は略同じである。
【００７０】まず、図２（Ａ）のように投影光学系１０
２の像面湾曲が曲線Ａ１（アンダーの像面湾曲）の様に
形成されている場合について説明する。この場合、図２
（Ａ）における光軸１０９から距離Ｐの位置での像面湾
曲量Ｃ１に対して図１０（Ａ）に示す様にその像面湾曲
を補正する為にレチクル１０１とウエハ１０３を同時に
スキャン方向１０７（１０８）に垂直な方向（即ちｙ軸
方向）に撓ませる。その際、図１０（Ａ）に示すように
投影光学系１０２に対して、像面上の点Ｐに対応したレ
チクル１０１上の点Ｓを補正量Ｄ５だけ凹形状に撓ませ
る。
２の像面湾曲が曲線Ａ１（アンダーの像面湾曲）の様に
形成されている場合について説明する。この場合、図２
（Ａ）における光軸１０９から距離Ｐの位置での像面湾
曲量Ｃ１に対して図１０（Ａ）に示す様にその像面湾曲
を補正する為にレチクル１０１とウエハ１０３を同時に
スキャン方向１０７（１０８）に垂直な方向（即ちｙ軸
方向）に撓ませる。その際、図１０（Ａ）に示すように
投影光学系１０２に対して、像面上の点Ｐに対応したレ
チクル１０１上の点Ｓを補正量Ｄ５だけ凹形状に撓ませ
る。
【００７１】この変形量Ｄ５は曲線Ａ１（アンダーの像
面湾曲）を理想像面１１８より過剰に補正する（オーバ
ーな像面にする）ものとする。この過剰補正した像面湾
曲を補正する為に、ウエハ１０３自体を撓ませる。即
ち、ウエハ１０３上の点Ｐを補正量Ｃ５だけ凸形状に撓
ませるのである。従って、実施形態３で説明したよう
に、レチクル１０１とマスク１０３を投影光学系１０２
に対して同時に凸形状（或いは同時に凹形状）に撓ませ
るのではなく、図１０（Ａ）に示すように投影光学系１
０２に対してレチクル１０１を凹形状に、ウエハ３を凸
形状に撓ませている。
面湾曲）を理想像面１１８より過剰に補正する（オーバ
ーな像面にする）ものとする。この過剰補正した像面湾
曲を補正する為に、ウエハ１０３自体を撓ませる。即
ち、ウエハ１０３上の点Ｐを補正量Ｃ５だけ凸形状に撓
ませるのである。従って、実施形態３で説明したよう
に、レチクル１０１とマスク１０３を投影光学系１０２
に対して同時に凸形状（或いは同時に凹形状）に撓ませ
るのではなく、図１０（Ａ）に示すように投影光学系１
０２に対してレチクル１０１を凹形状に、ウエハ３を凸
形状に撓ませている。
【００７２】又図２（Ｂ）のように投影光学系１０２の
像面湾曲が曲線Ａ２（オーバーの像面湾曲）のように形
成されている場合について説明する。この場合、図２
（Ｂ）における光軸１０９から距離Ｐの位置での像面湾
曲量Ｃ２に対して図１０（Ｂ）に示すようにその像面湾
曲を補正する為にレチクル１０１とウエハ１０３を同時
にスキャン方向１０７（１０８）に垂直な方向（即ちｙ
軸方向）に撓ませる。
像面湾曲が曲線Ａ２（オーバーの像面湾曲）のように形
成されている場合について説明する。この場合、図２
（Ｂ）における光軸１０９から距離Ｐの位置での像面湾
曲量Ｃ２に対して図１０（Ｂ）に示すようにその像面湾
曲を補正する為にレチクル１０１とウエハ１０３を同時
にスキャン方向１０７（１０８）に垂直な方向（即ちｙ
軸方向）に撓ませる。
【００７３】その際、図１０（Ｂ）に示すように投影光
学系１０２に対して像面上の点Ｐに対応したレチクル１
０１上の点Ｓを補正量Ｄ６だけ凸形状に撓ませる。この
変形量Ｄ６は曲線Ａ２（オーバーの像面湾曲）を理想像
面１１８より過剰に補正する（アンダーな像面にする）
ものとする。この過剰補正した像面湾曲を補正する為
に、ウエハ１０３自体を撓ませる。即ち、ウエハ１０３
上の点Ｐを補正量Ｃ６だけ凹形状に撓ませるのである。
学系１０２に対して像面上の点Ｐに対応したレチクル１
０１上の点Ｓを補正量Ｄ６だけ凸形状に撓ませる。この
変形量Ｄ６は曲線Ａ２（オーバーの像面湾曲）を理想像
面１１８より過剰に補正する（アンダーな像面にする）
ものとする。この過剰補正した像面湾曲を補正する為
に、ウエハ１０３自体を撓ませる。即ち、ウエハ１０３
上の点Ｐを補正量Ｃ６だけ凹形状に撓ませるのである。
【００７４】従って、実施形態３で説明したようにレチ
クル１０１とマスク１０３を投影光学系１０２に対して
同時に凸形状（或いは同時に凹形状）に撓ませるのでは
なく、図１０（Ｂ）に示すように投影光学系１０２に対
してレクチル１０１を凸形状に、ウエハ１０３を凹形状
に撓ませている。
クル１０１とマスク１０３を投影光学系１０２に対して
同時に凸形状（或いは同時に凹形状）に撓ませるのでは
なく、図１０（Ｂ）に示すように投影光学系１０２に対
してレクチル１０１を凸形状に、ウエハ１０３を凹形状
に撓ませている。
【００７５】尚、像面湾曲補正の為のデータは、メモリ
１１４に、例えば像面湾曲補正量（Ｃ５，Ｄ５）或いは
（Ｃ６，Ｄ６）のデータテーブルとして持っている。即
ち、投影光学系の像面湾曲が図２（Ａ）で示す曲線Ａ１
で表される場合には、レチクル１０１或いはウエハ１０
３の変形量は、像面湾曲補正量（Ｃ５，Ｄ５）の組とし
て複数与えている。又、メモリ１１４に記憶するデータ
形式としては、（Ｃ５，Ｄ５）（或いは（Ｃ６，Ｄ
６））の複数組のデータを関数として持つようにしても
良い。
１１４に、例えば像面湾曲補正量（Ｃ５，Ｄ５）或いは
（Ｃ６，Ｄ６）のデータテーブルとして持っている。即
ち、投影光学系の像面湾曲が図２（Ａ）で示す曲線Ａ１
で表される場合には、レチクル１０１或いはウエハ１０
３の変形量は、像面湾曲補正量（Ｃ５，Ｄ５）の組とし
て複数与えている。又、メモリ１１４に記憶するデータ
形式としては、（Ｃ５，Ｄ５）（或いは（Ｃ６，Ｄ
６））の複数組のデータを関数として持つようにしても
良い。
【００７６】更に本実施形態には図示していないが、像
面湾曲を測定する手段を同時に備え、投影光学系の像面
湾曲を測定した結果を変形コントローラ１１５を介して
レチクル変形手段１１６とウエハ変形手段１１９により
レチクル１０１とウエハ１０３に変形を与えるようにし
ても良い。本実施形態では、投影光学系１０２に対して
レチクル１０１とウエハ１０３に対する変形量を逆向き
に与えることにより、像面湾曲に対する補正の自由度を
大きくするようにしている。
面湾曲を測定する手段を同時に備え、投影光学系の像面
湾曲を測定した結果を変形コントローラ１１５を介して
レチクル変形手段１１６とウエハ変形手段１１９により
レチクル１０１とウエハ１０３に変形を与えるようにし
ても良い。本実施形態では、投影光学系１０２に対して
レチクル１０１とウエハ１０３に対する変形量を逆向き
に与えることにより、像面湾曲に対する補正の自由度を
大きくするようにしている。
【００７７】又本実施形態において実施形態３と同様に
露光経過時間と共に変化する像面湾曲補正量Ｄ５、Ｃ５
（或いはＤ６，Ｃ６）に合わせてウエハ１０３を変形さ
せるようにしても良い。
露光経過時間と共に変化する像面湾曲補正量Ｄ５、Ｃ５
（或いはＤ６，Ｃ６）に合わせてウエハ１０３を変形さ
せるようにしても良い。
【００７８】尚、実施形態１と同様に本実施形態におい
ても第１物体（レチクル１０１）は、レチクル１０１を
変形する手段を用いることなく予めスキャン方向にほぼ
垂直な方向に変形した形状を有する物体面であっても良
い。
ても第１物体（レチクル１０１）は、レチクル１０１を
変形する手段を用いることなく予めスキャン方向にほぼ
垂直な方向に変形した形状を有する物体面であっても良
い。
【００７９】図１１は本発明に係る変形手段の要部概略
図である。同図は、第１物体（レチクル）１０１を変形
させる場合を示しているが、第２物体（ウエハ）１０３
についても同様である。図１１（Ａ）において１４１は
レチクル１０１に隣接して設置されるレチクルを変形さ
せる為の変形手段の概念図である。本実施形態では上面
に配置されているレチクル１０１に対して真空吸着する
ことにより、一定量レチクル１０１を変形させている。
そしてその吸着の度合いによって変形量を制御するよう
にしている。
図である。同図は、第１物体（レチクル）１０１を変形
させる場合を示しているが、第２物体（ウエハ）１０３
についても同様である。図１１（Ａ）において１４１は
レチクル１０１に隣接して設置されるレチクルを変形さ
せる為の変形手段の概念図である。本実施形態では上面
に配置されているレチクル１０１に対して真空吸着する
ことにより、一定量レチクル１０１を変形させている。
そしてその吸着の度合いによって変形量を制御するよう
にしている。
【００８０】１４２はレチクル１０１を変形手段１４１
に吸着させる為の気孔である。１４３は変形手段１４１
が金属等で加工されている場合、照明系１０５からの光
束を透過させる為の窓（開口部）である。尚変形手段１
４１はガラスにて構成するようにしても良い。その場
合、窓１４３はなくても良い。更に、レチクル１０１の
上下に本機構を設けることにより、レチクル１０１の撓
む方向について制御しても良い。
に吸着させる為の気孔である。１４３は変形手段１４１
が金属等で加工されている場合、照明系１０５からの光
束を透過させる為の窓（開口部）である。尚変形手段１
４１はガラスにて構成するようにしても良い。その場
合、窓１４３はなくても良い。更に、レチクル１０１の
上下に本機構を設けることにより、レチクル１０１の撓
む方向について制御しても良い。
【００８１】図１１（Ｂ）は別の変形手段を示してい
る。同図の変形手段はプレス加工機等でみられるダイ
（１４４），パンチ（１４６）にて構成したものであ
る。１４５はレチクル１０１を補強する為の金属板等の
補強部材であり、１４７はガイドバーである。ここでレ
チクル１０１を変形させる際、パンチ１４６をガイドバ
ー１４７により下方に駆動し補強部材１４５に押し付け
ることによりレチクル１０１を変形させている。
る。同図の変形手段はプレス加工機等でみられるダイ
（１４４），パンチ（１４６）にて構成したものであ
る。１４５はレチクル１０１を補強する為の金属板等の
補強部材であり、１４７はガイドバーである。ここでレ
チクル１０１を変形させる際、パンチ１４６をガイドバ
ー１４７により下方に駆動し補強部材１４５に押し付け
ることによりレチクル１０１を変形させている。
【００８２】図１１（Ｃ）はカムによるレチクルの変形
を行う変形手段を示している。同図の変形手段はカム１
４８の駆動量によりレチクル１０１の変形量を制御して
いる。カム１４８はレチクル１０１の下方に配置するこ
とも、或いは１つのカムにてレチクル１０１を上下どち
らでも変形させることが可能なカムであっても良い。
尚、レチクル１０１を変形する変形手段としては以上に
述べた手段に類する手段、或いは別の手段であっても良
い。
を行う変形手段を示している。同図の変形手段はカム１
４８の駆動量によりレチクル１０１の変形量を制御して
いる。カム１４８はレチクル１０１の下方に配置するこ
とも、或いは１つのカムにてレチクル１０１を上下どち
らでも変形させることが可能なカムであっても良い。
尚、レチクル１０１を変形する変形手段としては以上に
述べた手段に類する手段、或いは別の手段であっても良
い。
【００８３】又、ウエハ１０３を変形する変形手段の例
としては、ウエハステージ１０４を図１１（Ａ）で示し
た構成（但し窓１４３は必要ない）とすると、レチクル
の変形と同様にウエハ１０３を変形することができる。
又その他の手段を用いても良い。
としては、ウエハステージ１０４を図１１（Ａ）で示し
た構成（但し窓１４３は必要ない）とすると、レチクル
の変形と同様にウエハ１０３を変形することができる。
又その他の手段を用いても良い。
【００８４】次に上記説明した投影露光装置を利用した
半導体デバイスの製造方法の実施例を説明する。
半導体デバイスの製造方法の実施例を説明する。
【００８５】図１２は半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等
の半導体チップ、或は液晶パネルやＣＣＤ等）の製造の
フローチャートである。本実施形態においてステップ１
（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行なう。
ステップ２（マスク製作）では設計した回路パターンを
形成したマスクを製作する。
の半導体チップ、或は液晶パネルやＣＣＤ等）の製造の
フローチャートである。本実施形態においてステップ１
（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行なう。
ステップ２（マスク製作）では設計した回路パターンを
形成したマスクを製作する。
【００８６】一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリ
コン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４
（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、前記用意したマ
スクとウエハを用いてリソグラフィ技術によってウエハ
上に実際の回路を形成する。
コン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４
（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、前記用意したマ
スクとウエハを用いてリソグラフィ技術によってウエハ
上に実際の回路を形成する。
【００８７】次のステップ５（組立）は後工程と呼ば
れ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導
体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシ
ング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ
５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久
性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体
デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。
れ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導
体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシ
ング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ
５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久
性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体
デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００８８】図１３は上記ステップ４のウエハプロセス
の詳細なフローチャートである。まずステップ１１（酸
化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（Ｃ
ＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ１
３（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成
する。ステップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオ
ンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエ
ハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では前記
説明した露光装置によってマスクの回路パターンをウエ
ハに焼付露光する。
の詳細なフローチャートである。まずステップ１１（酸
化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（Ｃ
ＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ１
３（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成
する。ステップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオ
ンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエ
ハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では前記
説明した露光装置によってマスクの回路パターンをウエ
ハに焼付露光する。
【００８９】ステップ１７（現像）では露光したウエハ
を現像する。ステップ１８（エッチング）では現像した
レジスト以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジス
ト剥離）ではエッチングがすんで不要となったレジスト
を取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことに
よってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
を現像する。ステップ１８（エッチング）では現像した
レジスト以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジス
ト剥離）ではエッチングがすんで不要となったレジスト
を取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことに
よってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【００９０】尚本実施例の製造方法を用いれば高集積度
の半導体デバイスを容易に製造することができる。
の半導体デバイスを容易に製造することができる。
【００９１】
【発明の効果】本発明によれば以上のように、スリット
形状の照明光束でレチクル面（第１物体）を照明し、該
レチクル面のパターンを投影光学系によりウエハ（第２
物体）上に走査露光方式を利用して投影露光する際、投
影光学系の光学特性に対応させてレチクル面又は／及び
ウエハを適切なる形状に変形させることにより、高解像
力でしかも大画面への投影露光を容易にした走査型露光
装置及びそれを用いたデバイスの製造方法を達成するこ
とができる。
形状の照明光束でレチクル面（第１物体）を照明し、該
レチクル面のパターンを投影光学系によりウエハ（第２
物体）上に走査露光方式を利用して投影露光する際、投
影光学系の光学特性に対応させてレチクル面又は／及び
ウエハを適切なる形状に変形させることにより、高解像
力でしかも大画面への投影露光を容易にした走査型露光
装置及びそれを用いたデバイスの製造方法を達成するこ
とができる。
【００９２】この他本発明によれば、ステップアンドス
キャン方式の露光装置において、スキャン方向に垂直な
方向にレチクル面のみ或いはウエハ面のみを撓ませる、
或いはレチクルとウエハ面を同時に撓ませることによ
り、投影光学系のレンズの欠陥、特に像面湾曲収差を補
正することが可能になる。
キャン方式の露光装置において、スキャン方向に垂直な
方向にレチクル面のみ或いはウエハ面のみを撓ませる、
或いはレチクルとウエハ面を同時に撓ませることによ
り、投影光学系のレンズの欠陥、特に像面湾曲収差を補
正することが可能になる。
【００９３】本発明により、レンズ製造時の製造誤差に
起因するレンズの欠陥等を効果的に補正することが可能
である。更には、像面湾曲の補正を上述のように行なう
ことを前提として設計時に像面湾曲をある程度許容して
設計することにより、投影光学系においてレンズ設計へ
の負担が低減すると共に他の収差を補正する自由度が増
し、高解像化が達成できる。
起因するレンズの欠陥等を効果的に補正することが可能
である。更には、像面湾曲の補正を上述のように行なう
ことを前提として設計時に像面湾曲をある程度許容して
設計することにより、投影光学系においてレンズ設計へ
の負担が低減すると共に他の収差を補正する自由度が増
し、高解像化が達成できる。
【００９４】更に、像面湾曲を補正する為に必要とした
レンズ枚数を削減することが可能となり、コスト削減、
又透過率のアップ等を達成することができる。
レンズ枚数を削減することが可能となり、コスト削減、
又透過率のアップ等を達成することができる。
【００９５】又、露光経過時間に対して変形量を変化さ
せることにより、投影光学系の経時変化等（例えば投影
光学系の露光熱による変化等）による像面湾曲の変化に
対しても十分に補正することが可能になる。
せることにより、投影光学系の経時変化等（例えば投影
光学系の露光熱による変化等）による像面湾曲の変化に
対しても十分に補正することが可能になる。
【００９６】又、レチクルやウエハを各々の変形手段を
用いて変形する場合には、他の投影露光装置との間で従
来通りのレチクルの共有化を図ることが可能であり、投
影露光装置ごとの像面湾曲特性に合わせて撓み量を調整
することができる。
用いて変形する場合には、他の投影露光装置との間で従
来通りのレチクルの共有化を図ることが可能であり、投
影露光装置ごとの像面湾曲特性に合わせて撓み量を調整
することができる。
【００９７】又、あらかじめスキャン方向に垂直な方向
に対して変形した形状を有する物体面を使用することに
より、レチクル変形手段等の複雑な機構を必要とせず像
面湾曲を補正することができる。
に対して変形した形状を有する物体面を使用することに
より、レチクル変形手段等の複雑な機構を必要とせず像
面湾曲を補正することができる。
【図１】本発明の実施形態１の要部概略図
【図２】本発明における投影光学系と像面湾曲特性との
関係を示す説明図
関係を示す説明図
【図３】本発明における投影光学系とレチクルとの関係
を示す説明図
を示す説明図
【図４】本発明における像面湾曲補正のフローチャート
【図５】本発明の実施形態２の要部概略図
【図６】本発明の実施形態２における像面湾曲補正の説
明図
明図
【図７】本発明の実施形態３の要部概略図
【図８】本発明の実施形態３における像面湾曲補正の説
明図
明図
【図９】本発明の実施形態３における像面湾曲収差のフ
ローチャート
ローチャート
【図１０】本発明の実施形態４における像面湾曲補正の
説明図
説明図
【図１１】本発明に係る変形手段の要部概略図
【図１２】本発明のデバイスの製造方法のフローチャー
ト
ト
【図１３】本発明のデバイスの製造方法のフローチャー
ト
ト
【図１４】従来の走査型露光装置の要部概略図
１０１ 第１物体（レチクル） １０２ 投影光学系 １０３ 第２物体（ウエハ） １０４ 可動ステージ １０５ 照明系 １１２ スキャンコントローラ １１３ スリット状照明光束 １１４ 記憶手段 １１５ 変形コントローラ １１６ レチクル変形手段 １１９ ウエハ変形手段
Claims (17)
- 【請求項１】 スリット形状の照明光束で第１物体面上
のパターンを照明し、該第１物体面上のパターンを投影
光学系により可動ステージに載置した第２物体面上に該
第１物体と該可動ステージを該スリット形状の短手方向
に該投影光学系の投影倍率に対応させた速度比で同期さ
せてスキャンさせながら投影露光する際、該投影光学系
の光学特性に対応させて該第１物体又は／及び該第２物
体のスキャン方向と直交する方向の形状を変形させてい
ることを特徴とする走査型露光装置。 - 【請求項２】 前記第１物体又は／及び第２物体の形状
を変形手段で変形させていることを特徴とする請求項１
の走査型露光装置。 - 【請求項３】 前記変形手段は力学的な力を利用してい
ることを特徴とする請求項２の走査型露光装置。 - 【請求項４】 前記投影光学系の光学特性を記憶させた
記憶手段と、該記憶手段からのデータに基づいて前記変
形手段による前記第１物体又は／及び第２物体の変形を
制御する変形制御手段とを設けたことを特徴とする請求
項２の走査型露光装置。 - 【請求項５】 前記変形制御手段は露光中における前記
投影光学系の光学特性の変化に対応させて前記変形手段
により前記第１物体又は／及び第２物体の変形量を制御
していることを特徴とする請求項２，３又は４の走査型
露光装置。 - 【請求項６】 前記投影光学系の光学特性は像面湾曲収
差を含んでいることを特徴とする請求項１〜５の何れか
１項記載の走査型露光装置。 - 【請求項７】 前記投影光学系の前記第２物体面に対す
る像面湾曲収差がアンダーのときは該像面湾曲収差に対
応させて該第１物体を該投影光学系に対して凹形状に変
形させていることを特徴とする請求項６の走査型露光装
置。 - 【請求項８】 前記投影光学系の前記第２物体面に対す
る像面湾曲収差がオーバーのときは該像面湾曲収差に対
応させて該第１物体を該投影光学系に対して凸形状に変
形させていることを特徴とする請求項６の走査型露光装
置。 - 【請求項９】 前記投影光学系の前記第２物体面に対す
る像面湾曲収差がアンダーのときは該像面湾曲収差に対
応させて該第２物体を該投影光学系に対して凹形状に変
形させていることを特徴とする請求項６の走査型露光装
置。 - 【請求項１０】 前記投影光学系の前記第２物体面に対
する像面湾曲収差がオーバーのときは該像面湾曲収差に
対応させて該第２物体を該投影光学系に対して凸形状に
変形させていることを特徴とする請求項６の走査型露光
装置。 - 【請求項１１】 前記第１物体と第２物体の形状を同時
に変形させていることを特徴とする請求項１又は２の走
査型露光装置。 - 【請求項１２】 前記投影光学系の前記第２物体面に対
する像面湾曲収差がアンダーのときは該像面湾曲収差に
対応させて該第１物体と第２物体を投影光学系に対して
凹形状に変形させていることを特徴とする請求項１１の
走査型露光装置。 - 【請求項１３】 前記投影光学系の前記第２物体面に対
する像面湾曲収差がオーバーのときは該像面湾曲収差に
対応させて該第１物体と第２物体を投影光学系に対して
凸形状に変形させていることを特徴とする請求項１１の
走査型露光装置。 - 【請求項１４】 前記投影光学系の前記第２物体面に対
する像面湾曲収差がアンダーのときは該像面湾曲収差に
対応させて該第１物体を該投影光学系に対して凹形状
に、該第２物体を該投影光学系に対して凸形状に変形さ
せていることを特徴とする請求項１１の走査型露光装
置。 - 【請求項１５】 前記投影光学系の前記第２物体面に対
する像面湾曲収差がオーバーのときは該像面湾曲収差に
対応させて該第１物体を該投影光学系に対して凸形状に
該第２物体を該投影光学系に対して凹形状に変形させて
いることを特徴とする請求項１１の走査型露光装置。 - 【請求項１６】 スリット形状の照明光束で第１物体面
上のパターンを照明し、該第１物体面上のパターンを投
影光学系により可動ステージに載置した第２物体面上に
該第１物体と該可動ステージを該スリット形状の短手方
向に該投影光学系の投影倍率に対応させた速度比で同期
させてスキャンさせながら投影露光する際、該第１物体
のスキャン方向と直交する方向の形状は該投影光学系の
光学特性に対応して平面形状より変形した湾曲形状より
成っていることを特徴とする走査型露光装置。 - 【請求項１７】 請求項１から１６の何れか１項記載の
投影露光装置を用いてデバイスを製造することを特徴と
するデバイスの製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP34793795A JP3261960B2 (ja) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | 走査型露光装置及びそれを用いたデバイス製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP34793795A JP3261960B2 (ja) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | 走査型露光装置及びそれを用いたデバイス製造方法 |
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|---|---|
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| JP34793795A Expired - Fee Related JP3261960B2 (ja) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | 走査型露光装置及びそれを用いたデバイス製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1995
- 1995-12-15 JP JP34793795A patent/JP3261960B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPWO2013133321A1 (ja) * | 2012-03-07 | 2015-07-30 | 株式会社ニコン | マスク、マスクユニット、露光装置、基板処理装置、及びデバイス製造方法 |
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