JP2010085867A - マスクブランク用基板セットおよびマスクブランクセット - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の基板セットは、露光装置のマスクステージにチャックされるフォトマスクを作製するためのマスクブランクで使用される基板を複数枚セットとしたマスクブランク用基板セットであって、複数枚セットで用いられる基板は、転写パターンを形成する薄膜を設ける側の主表面の形状が中央で相対的に高く、周縁部で相対的に低くなるような凸形状であり、前記主表面の中央部を含む142mm角の領域における平坦度が0.3μm以下であり、基準基板の基準主表面に対してフィティングを行ったときの差が40nm以下であることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
図5は、本発明の実施の形態に係るマスクブランク用基板セットに用いられるマスクブランク用基板を説明するための図であり、(a)は平面図であり、(b)は(a)におけるY1−Y1線に沿う断面図であり,(c)は(a)におけるXY1−XY1線に沿う断面図である。なお、図5(b)に示す形状は、(a)におけるX1−X1線に沿う断面図における形状とほぼ同じであり、図5(c)に示す形状は、(a)におけるXY2−XY2線に沿う断面図における形状とほぼ同じである。図5(a)に示すマスクブランク用基板は、転写パターンを形成する薄膜を設ける側の主表面が、中央部を含む142mm角内の領域における平坦度が0.3μm以下、かつ、中央部で相対的に高く、周縁部で相対的に低くなる凸形状である。図5(a)において、マスクブランク用基板の一辺の長さをLs(A=152mm)とし、142mm角内の領域の一辺の長さをLb(B=142mm)とし、132mm角内の領域の一辺の長さをLp(C=132mm)としている。なお、142mm角内の領域における平坦度とは、図5(b)や図5(c)に示すように、その領域内でマスクブランク用基板1の最も高い部分と、最も低い部分の領域の差Hが最大の部分のことをいう。
この実施例1で製造するマスクブランク用基板の形状については、その転写パターンを形成する薄膜を設ける側の主表面の形状を、その中央部を含む142mm角内の領域において、平坦度が0.3μmとなる形状とすることを目指して研磨加工される。具体的には、以下の各研磨工程を経て、製造される。
研磨液:酸化セリウム(平均粒径2μm〜3μm)+水
研磨パッド:硬質ポリシャ(ウレタンパッド)
研磨液:酸化セリウム(平均粒径1μm)+水
研磨パッド:軟質ポリシャ(スウェードタイプ)
研磨液:コロイダルシリカ(平均粒径100nm)+水
研磨パッド:超軟質ポリシャ(スウェードタイプ)
実施例1と同様に、精密研磨および超精密研磨工程を行って複数のガラス基板を得た。このようにして得られた複数のガラス基板の形状について、波長変調レーザーを用いた波長シフト干渉計で求めた。複数のガラス基板のうち、転写パターンを形成する薄膜を設ける側の主表面の形状が、その中央部を含む142mm角の領域において0.3μm以下であるものを選定した。次に、その選定された複数のガラス基板の中から、基準基板の主表面形状(球面であり、曲率半径r=14,508,150mm、132mm角内の領域において、平坦度が0.3μmとなる曲面形状。)とその中央部を含む132mm角内の領域でフィッティングを行い、差が40nm以下であるものを選定した。さらに選定された複数のガラス基板の中から10枚選択して、マスクブランク用基板セット(基板セット)とした。
実施例1と同様に、精密研磨および超精密研磨工程を行って複数のガラス基板を得た。このようにして得られた複数のガラス基板の形状について、波長変調レーザーを用いた波長シフト干渉計で求めた。複数のガラス基板のうち、転写パターンを形成する薄膜を設ける側の主表面の形状が、その中央部を含む142mm角の領域において0.3μm以下であるものを選定した。次に、その選定された複数のガラス基板の中から、基準基板の主表面形状(球面であり、r=21,762,225mm,132mm角の領域において、平坦度が0.2μmとなる曲面形状。)とその中央部を含む132mm角内の領域でフィッティングを行い、差が40nm以下であるものを選定した。さらに選定された複数のガラス基板の中から10枚選択して、マスクブランク用基板セット(基板セット)とした。
実施例1において作製された各マスクブランク用基板セットについて、各ガラス基板上に、位相シフト膜と、裏面反射防止層、遮光層、および表面反射防止層からなる遮光膜を形成した。具体的には、スパッタターゲットとしてMoとSiの混合ターゲット(原子%比Mo:Si=10:90)を用い、Ar,N2,Heの混合ガスをスパッタリングガス(ガス流量比Ar:N2:He=5:49:46)とし、ガス圧0.3Pa、DC電源の電力を2.8kWで、位相シフト膜としてMoSiN膜を69nmの膜厚に成膜した。次に、位相シフト膜が成膜された基板を250℃で5分間加熱処理(アニール処理)した。
実施例2において作製された各マスクブランク用基板セットについて、各ガラス基板上に、実施例4と同一構造の位相シフト膜と、裏面反射防止層、遮光層、および表面反射防止層からなる遮光膜を形成した。次いで実施例1と同様、作製されたマスクブランクについて、それぞれ検査装置M1350によって欠陥検査を行い、合格となったマスクブランクの中から5枚を選択し、これをマスクブランクセットとした。
実施例3において作製された各マスクブランク用基板セットについて、各ガラス基板上に、実施例4と同一構造の位相シフト膜と、裏面反射防止層、遮光層、および表面反射防止層からなる遮光膜を形成した。次いで実施例1と同様、作製されたマスクブランクについて、それぞれ検査装置M1350によって欠陥検査を行い、合格となったマスクブランクの中から5枚を選択し、これをマスクブランクセットとした。
実施例1において作製された各マスクブランク用基板セットについて、各ガラス基板上に、遮光膜として、MoSiON膜(裏面反射防止層)、MoSi(遮光層)、MoSiON膜(反射防止層)を形成した。具体的には、Mo:Si=21:79(原子%比)のターゲットを用い、ArとO2とN2とHeをスパッタリングガス圧0.2Pa(ガス流量比Ar:NO:N2:He=5:4:49:42)とし、DC電源の電力を3.0kWで、モリブデン、シリコン、酸素、窒素からなる膜(MoSiON膜:膜中のMoとSiの原子%比は約21:79)を7nmの膜厚で形成し、次いで、同じターゲットを用い、Arをスパッタリングガス圧0.1Paとし、DC電源の電力を2.0kWで、モリブデンおよびシリコンからなる膜(MoSi膜:膜中のMoとSiの原子%比は約21:79)を35nmの膜厚で形成し、次いで、Mo:Si=4:96(原子%比)のターゲットを用い、ArとO2とN2とHeをスパッタリングガス圧0.2Pa(ガス流量比Ar:NO:N2:He=5:4:49:42)とし、DC電源の電力を3.0kWで、モリブデン、シリコン、酸素、窒素からなる膜(MoSiON膜:膜中のMoとSiの原子%比は約4:96)を10nmの膜厚で形成した。遮光性膜10の合計膜厚は52nmとした。この条件で成膜された裏面反射防止層、遮光層および表面反射防止層は、遮光膜全体で低応力であり、基板の形状変化を最小限に抑制できた。
実施例2において作製された各マスクブランク用基板セットについて、各ガラス基板上に、実施例7と同一構造の裏面反射防止層、遮光層、および表面反射防止層からなる遮光膜を形成した。次いで実施例1と同様、作製されたマスクブランクについて、それぞれ検査装置M1350によって欠陥検査を行い、合格となったマスクブランクの中から5枚を選択し、これをマスクブランクセットとした。
実施例3において作製された各マスクブランク用基板セットについて、各ガラス基板上に、実施例7と同一構造の裏面反射防止層、遮光層、および表面反射防止層からなる遮光膜を形成した。次いで実施例1と同様、作製されたマスクブランクについて、それぞれ検査装置M1350によって欠陥検査を行い、合格となったマスクブランクの中から5枚を選択し、これをマスクブランクセットとした。
実施例2において、超精密研磨工程および超音波洗浄まで行ったガラス基板に対し、その主表面にMRF(Magneto Rheological Finishing)加工法による局所加工を行った。最初に、このガラス基板の主表面の平坦度を、波長変調レーザーを用いた波長シフト干渉計で測定した(測定領域:基板中心と同心の142mm角内の領域)。次に、その実測値を基に、まず、基板主表面の142mm角内の領域で平坦度が0.3μm以下の範囲になっているかを検証する。平坦度が0.3μmを超えている場合には、最も低い箇所から見て、0.3μmを超える高さの領域を局所加工が必要な領域として特定し、必要加工量を算出する。次に、基板主表面の実測値を基に、基板主表面の132mm角内の領域に対して、基準基板の基準曲面に対してフィッティングを行う。この場合では、132mm角内の領域の基板主表面に対して、基準曲面が所定の許容される最大のフィティング差(40nm)よりも上方の高さに位置しないようにフィッティングさせる。そして、フィッティングさせた基準曲面に対し、基板主表面が所定の許容される最大のフィティング差(40nm)よりも上方に位置する箇所を局所加工が必要な領域として特定し、必要加工量を算出する。この段階で、局所加工の必要がないと判断された基板については、本発明のマスクブランク用基板として使用可能な合格品となる。
研磨液:コロイダルシリカ(平均粒径70nm)
+アルカリ水溶液(NaOH、pH11)
研磨パッド:超軟質ポリシャ(スウェードタイプ)
実施例3において、超精密研磨工程および超音波洗浄まで行ったガラス基板に対し、実施例10と同様に、その主表面にMRF(Magneto Rheological Finishing)加工法による局所加工を行った。ここでは、基板主表面の142mm角内の領域で平坦度が0.3μm以下の範囲となるようにするのはもちろん、132mm角内の領域で平坦度が0.2μm以下の範囲になるように局所加工を行った。その結果、得られたガラス基板の形状は、転写パターンを形成する薄膜を設ける主表面の形状が中央で相対的に高く、周縁部で相対的に低くなるような凸形状であった。さらに、仮想基準主表面とフィッティングしたときの差が40nm以下のもの、すなわち本発明のマスクブランク用基板として使用可能な合格品は、100枚中100枚であり、極めて高い歩留まりで製造することができた。
2 主表面
3 基準主表面
4 磁性研磨スラリー
5 研磨スポット
6 電磁石
13 凸部分
41 磁性流体
42 研磨スラリー
Claims (6)
- 露光装置のマスクステージにチャックされるフォトマスクを作製するためのマスクブランクで使用される基板を複数枚セットとしたマスクブランク用基板セットであって、前記複数枚セットで用いられる各基板は、転写パターンを形成する薄膜を設ける側の主表面の形状が中央で相対的に高く、周縁部で相対的に低くなるような凸形状であり、前記主表面の中央部を含む142mm角内の領域における平坦度が0.3μm以下であり、基準基板の基準主表面に対して中央部を含む132mm角内の領域でフィッティングを行ったときの差が40nm以下であることを特徴とするマスクブランク用基板セット。
- 前記基準基板は、前記複数枚セットで用いられる基板の薄膜を設ける側の主表面形状を平均した形状である基準主表面を有する仮想基板であることを特徴とする請求項1記載のマスクブランク用基板セット。
- 前記基準基板は、特定の実在基板であることを特徴とする請求項1記載のマスクブランク用基板セット。
- 前記基準基板は、前記基準主表面の形状が、前記主表面の中央部を含む132mm角内の領域で球面形状である仮想基板であることを特徴とする請求項1記載のマスクブランク用基板セット。
- 前記基準基板は、前記基準主表面形状が、前記主表面の中央部を含む132mm角内の領域における平坦度が0.2μm以下となる仮想基板であることを特徴とする請求項4記載のマスクブランク用基板セット。
- 請求項1から請求項5のいずれかに記載のマスクブランク用基板セットを用い、前記複数枚セットの各基板の前記主表面上に転写パターンを形成するための薄膜を成膜して製造したマスクブランクをセットにしたことを特徴とするマスクブランクセット。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008256800A JP5335351B2 (ja) | 2008-10-01 | 2008-10-01 | マスクブランク用基板セット、マスクブランクセット、フォトマスクセット、及び半導体デバイスの製造方法 |
DE102009043442.9A DE102009043442B4 (de) | 2008-10-01 | 2009-09-29 | Maskenrohlingssubstratsatz und Verfahren zum Herstellen eines Maskenrohlingssatzes, eines Photomaskensatzes und eines Halbleiterbauelements |
KR1020090092310A KR101161349B1 (ko) | 2008-10-01 | 2009-09-29 | 포토마스크 세트 및 반도체 디바이스의 제조방법 |
US12/570,190 US8007961B2 (en) | 2008-10-01 | 2009-09-30 | Mask blank substrate set and mask blank set |
TW098133422A TWI475317B (zh) | 2008-10-01 | 2009-10-01 | 光罩基底用基板套件、光罩基底套件、光罩套件及半導體裝置之製造方法 |
TW104102161A TWI522727B (zh) | 2008-10-01 | 2009-10-01 | 光罩基底用基板套件之製造方法、光罩基底套件之製造方法、光罩套件之製造方法及半導體裝置之製造方法 |
US13/167,433 US8318387B2 (en) | 2008-10-01 | 2011-06-23 | Mask blank substrate set and mask blank set |
KR1020120049683A KR101522295B1 (ko) | 2008-10-01 | 2012-05-10 | 마스크블랭크용 기판 세트의 제조방법, 마스크블랭크 세트의 제조방법, 포토마스크 세트의 제조방법, 및 반도체 디바이스의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008256800A JP5335351B2 (ja) | 2008-10-01 | 2008-10-01 | マスクブランク用基板セット、マスクブランクセット、フォトマスクセット、及び半導体デバイスの製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013159006A Division JP5658331B2 (ja) | 2013-07-31 | 2013-07-31 | マスクブランク用基板セットの製造方法、マスクブランクセットの製造方法、フォトマスクセットの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010085867A true JP2010085867A (ja) | 2010-04-15 |
JP2010085867A5 JP2010085867A5 (ja) | 2011-10-06 |
JP5335351B2 JP5335351B2 (ja) | 2013-11-06 |
Family
ID=41821498
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008256800A Active JP5335351B2 (ja) | 2008-10-01 | 2008-10-01 | マスクブランク用基板セット、マスクブランクセット、フォトマスクセット、及び半導体デバイスの製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8007961B2 (ja) |
JP (1) | JP5335351B2 (ja) |
KR (2) | KR101161349B1 (ja) |
DE (1) | DE102009043442B4 (ja) |
TW (2) | TWI522727B (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5993834A (ja) * | 1982-11-17 | 1984-05-30 | Kawasaki Steel Corp | プレス成形性にすぐれた冷延鋼板の製造方法 |
JP2010039352A (ja) * | 2008-08-07 | 2010-02-18 | Hoya Corp | マスクブランク用基板、マスクブランク及びフォトマスク並びにそれらの製造方法 |
JP2012230368A (ja) * | 2011-04-13 | 2012-11-22 | Hoya Corp | フォトマスク用基板、フォトマスク、フォトマスク用基板セット、フォトマスクセット、フォトマスクの製造方法、及びパターン転写方法 |
JP2014002395A (ja) * | 2013-07-31 | 2014-01-09 | Hoya Corp | マスクブランク用基板セットの製造方法、マスクブランクセットの製造方法、フォトマスクセットの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 |
JPWO2012102313A1 (ja) * | 2011-01-26 | 2014-06-30 | 旭硝子株式会社 | フォトマスクの製造方法 |
JP2014134771A (ja) * | 2012-12-12 | 2014-07-24 | Dainippon Printing Co Ltd | 光学フィルム、画像表示装置、露光用部材、露光マスクの保持部材 |
JP2015026712A (ja) * | 2013-07-26 | 2015-02-05 | Hoya株式会社 | マスクブランク用基板、マスクブランク、およびそれらの製造方法、並びにインプリントモールドの製造方法 |
JP2015111283A (ja) * | 2013-06-21 | 2015-06-18 | Hoya株式会社 | マスクブランク用基板、マスクブランク、転写用マスク及びこれらの製造方法並びに半導体デバイスの製造方法 |
KR20160018437A (ko) * | 2014-08-07 | 2016-02-17 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크용 유리 기판 및 그의 제조 방법 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5637062B2 (ja) * | 2010-05-24 | 2014-12-10 | 信越化学工業株式会社 | 合成石英ガラス基板及びその製造方法 |
CN103019028B (zh) * | 2012-12-14 | 2014-01-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜板及其制作方法 |
KR102294187B1 (ko) * | 2013-09-27 | 2021-08-26 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크용 기판, 다층 반사막 부착 기판, 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 및 반도체 장치의 제조방법 |
CN104062842B (zh) | 2014-06-30 | 2019-02-15 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种掩模板及其制造方法、工艺装置 |
US9709884B2 (en) | 2014-11-26 | 2017-07-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | EUV mask and manufacturing method by using the same |
US10031411B2 (en) | 2014-11-26 | 2018-07-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Pellicle for EUV mask and fabrication thereof |
KR102625449B1 (ko) * | 2015-05-15 | 2024-01-16 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크, 마스크 블랭크의 제조 방법, 전사용 마스크, 전사용 마스크의 제조 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법 |
DE102017202945A1 (de) * | 2017-02-23 | 2018-08-23 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Transformieren von Messdaten einer photolithographischen Maske für den EUV-Bereich von einer ersten Umgebung in eine zweite Umgebung |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05241322A (ja) * | 1992-02-28 | 1993-09-21 | Hoya Corp | フォトマスクブランクの検査方法、フォトマスクの製造方法、フォトマスクブランク及びフォトマスクブランク用ガラス基板 |
WO2000019271A1 (fr) * | 1998-09-30 | 2000-04-06 | Nikon Corporation | Photomasque et procede d'exposition |
JP2003050458A (ja) * | 2001-05-31 | 2003-02-21 | Toshiba Corp | 露光マスクの製造方法、マスク基板情報生成方法、半導体装置の製造方法、マスク基板、露光マスクおよびサーバー |
JP2005043830A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクブランク用基板、フォトマスクブランク及びフォトマスク |
JP2006047571A (ja) * | 2004-08-03 | 2006-02-16 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd | 位相シフトマスク及びそれを用いた露光方法 |
JP2006119624A (ja) * | 2004-09-22 | 2006-05-11 | Hoya Corp | マスクブランクス用基板,マスクブランクス,露光用マスク及び半導体装置,並びにそれらの製造方法 |
JP2008004917A (ja) * | 2006-05-24 | 2008-01-10 | Fujitsu Ltd | パターン形成方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2008172249A (ja) * | 2008-01-15 | 2008-07-24 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JP2010039352A (ja) * | 2008-08-07 | 2010-02-18 | Hoya Corp | マスクブランク用基板、マスクブランク及びフォトマスク並びにそれらの製造方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0683032A (ja) * | 1992-08-31 | 1994-03-25 | Sony Corp | 位相シフト露光方法及び位相シフトマスクの作製方法 |
JP3880303B2 (ja) * | 2000-10-20 | 2007-02-14 | Hoya株式会社 | マスクブランクス用ガラス基板の製造方法 |
DE10314212B4 (de) * | 2002-03-29 | 2010-06-02 | Hoya Corp. | Verfahren zur Herstellung eines Maskenrohlings, Verfahren zur Herstellung einer Transfermaske |
JP2004029735A (ja) * | 2002-03-29 | 2004-01-29 | Hoya Corp | 電子デバイス用基板、該基板を用いたマスクブランクおよび転写用マスク、並びにこれらの製造方法、研磨装置および研磨方法 |
JP4361248B2 (ja) * | 2002-07-31 | 2009-11-11 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | フォトマスク、そのパターン欠陥検出方法及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP4641799B2 (ja) * | 2003-02-27 | 2011-03-02 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP4314462B2 (ja) * | 2003-07-25 | 2009-08-19 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク用基板の製造方法 |
TWI329779B (en) * | 2003-07-25 | 2010-09-01 | Shinetsu Chemical Co | Photomask blank substrate, photomask blank and photomask |
JP4508779B2 (ja) * | 2004-08-23 | 2010-07-21 | Hoya株式会社 | マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、及び露光用マスクの製造方法 |
DE102005046135B4 (de) * | 2004-09-29 | 2017-04-13 | Hoya Corp. | Substrat für Maskenrohling, Maskenrohling, Belichtungsmaske und Herstellungsverfahren für Maskenrohlingssubstrat |
JP2008256800A (ja) | 2007-04-02 | 2008-10-23 | Sharp Corp | カメラモジュール |
-
2008
- 2008-10-01 JP JP2008256800A patent/JP5335351B2/ja active Active
-
2009
- 2009-09-29 KR KR1020090092310A patent/KR101161349B1/ko active IP Right Grant
- 2009-09-29 DE DE102009043442.9A patent/DE102009043442B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2009-09-30 US US12/570,190 patent/US8007961B2/en active Active
- 2009-10-01 TW TW104102161A patent/TWI522727B/zh active
- 2009-10-01 TW TW098133422A patent/TWI475317B/zh active
-
2011
- 2011-06-23 US US13/167,433 patent/US8318387B2/en active Active
-
2012
- 2012-05-10 KR KR1020120049683A patent/KR101522295B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05241322A (ja) * | 1992-02-28 | 1993-09-21 | Hoya Corp | フォトマスクブランクの検査方法、フォトマスクの製造方法、フォトマスクブランク及びフォトマスクブランク用ガラス基板 |
WO2000019271A1 (fr) * | 1998-09-30 | 2000-04-06 | Nikon Corporation | Photomasque et procede d'exposition |
JP2003050458A (ja) * | 2001-05-31 | 2003-02-21 | Toshiba Corp | 露光マスクの製造方法、マスク基板情報生成方法、半導体装置の製造方法、マスク基板、露光マスクおよびサーバー |
JP2005043830A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクブランク用基板、フォトマスクブランク及びフォトマスク |
JP2006047571A (ja) * | 2004-08-03 | 2006-02-16 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd | 位相シフトマスク及びそれを用いた露光方法 |
JP2006119624A (ja) * | 2004-09-22 | 2006-05-11 | Hoya Corp | マスクブランクス用基板,マスクブランクス,露光用マスク及び半導体装置,並びにそれらの製造方法 |
JP2008004917A (ja) * | 2006-05-24 | 2008-01-10 | Fujitsu Ltd | パターン形成方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2008172249A (ja) * | 2008-01-15 | 2008-07-24 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JP2010039352A (ja) * | 2008-08-07 | 2010-02-18 | Hoya Corp | マスクブランク用基板、マスクブランク及びフォトマスク並びにそれらの製造方法 |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5993834A (ja) * | 1982-11-17 | 1984-05-30 | Kawasaki Steel Corp | プレス成形性にすぐれた冷延鋼板の製造方法 |
JP2010039352A (ja) * | 2008-08-07 | 2010-02-18 | Hoya Corp | マスクブランク用基板、マスクブランク及びフォトマスク並びにそれらの製造方法 |
JPWO2012102313A1 (ja) * | 2011-01-26 | 2014-06-30 | 旭硝子株式会社 | フォトマスクの製造方法 |
JP5880449B2 (ja) * | 2011-01-26 | 2016-03-09 | 旭硝子株式会社 | フォトマスクの製造方法 |
JP2012230368A (ja) * | 2011-04-13 | 2012-11-22 | Hoya Corp | フォトマスク用基板、フォトマスク、フォトマスク用基板セット、フォトマスクセット、フォトマスクの製造方法、及びパターン転写方法 |
JP2014134771A (ja) * | 2012-12-12 | 2014-07-24 | Dainippon Printing Co Ltd | 光学フィルム、画像表示装置、露光用部材、露光マスクの保持部材 |
JP2015111283A (ja) * | 2013-06-21 | 2015-06-18 | Hoya株式会社 | マスクブランク用基板、マスクブランク、転写用マスク及びこれらの製造方法並びに半導体デバイスの製造方法 |
JP2015026712A (ja) * | 2013-07-26 | 2015-02-05 | Hoya株式会社 | マスクブランク用基板、マスクブランク、およびそれらの製造方法、並びにインプリントモールドの製造方法 |
JP2014002395A (ja) * | 2013-07-31 | 2014-01-09 | Hoya Corp | マスクブランク用基板セットの製造方法、マスクブランクセットの製造方法、フォトマスクセットの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 |
KR20160018437A (ko) * | 2014-08-07 | 2016-02-17 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크용 유리 기판 및 그의 제조 방법 |
JP2016038573A (ja) * | 2014-08-07 | 2016-03-22 | 旭硝子株式会社 | マスクブランク用ガラス基板、および、その製造方法 |
KR102341558B1 (ko) | 2014-08-07 | 2021-12-22 | 에이지씨 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크용 유리 기판 및 그의 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102009043442A1 (de) | 2010-04-15 |
US20100081067A1 (en) | 2010-04-01 |
KR101522295B1 (ko) | 2015-05-21 |
KR20100037550A (ko) | 2010-04-09 |
JP5335351B2 (ja) | 2013-11-06 |
TWI475317B (zh) | 2015-03-01 |
TW201516559A (zh) | 2015-05-01 |
US8007961B2 (en) | 2011-08-30 |
US20110256473A1 (en) | 2011-10-20 |
KR101161349B1 (ko) | 2012-07-02 |
KR20120055522A (ko) | 2012-05-31 |
TWI522727B (zh) | 2016-02-21 |
TW201024915A (en) | 2010-07-01 |
US8318387B2 (en) | 2012-11-27 |
DE102009043442B4 (de) | 2020-12-24 |
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Legal Events
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