KR102625449B1 - 마스크 블랭크, 마스크 블랭크의 제조 방법, 전사용 마스크, 전사용 마스크의 제조 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 패턴 형성용 박막에 패턴을 형성할 때에 행해지는 불소계 가스에 의한 드라이 에칭에 대한 내성이 투광성 기판에 비해 높고, 약액(藥液) 세정에 대한 내성도 높으며, 노광광에 대한 투과율도 높다는 3가지의 특성을 동시에 만족시키는 에칭 스토퍼막을 구비하는 마스크 블랭크를 제공한다.
또, 투광성 기판의 주표면 상에 패턴 형성용 박막을 구비한 마스크 블랭크로서, 패턴 형성용 박막은, 규소를 함유하고, 투광성 기판과 패턴 형성용 박막의 사이에 에칭 스토퍼막을 가지며, 에칭 스토퍼막은, 규소, 알루미늄 및 산소를 함유하는 것을 특징으로 한다.
또, 투광성 기판의 주표면 상에 패턴 형성용 박막을 구비한 마스크 블랭크로서, 패턴 형성용 박막은, 규소를 함유하고, 투광성 기판과 패턴 형성용 박막의 사이에 에칭 스토퍼막을 가지며, 에칭 스토퍼막은, 규소, 알루미늄 및 산소를 함유하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은, 마스크 블랭크, 그 마스크 블랭크를 이용하여 제조된 전사용 마스크 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 또, 본 발명은, 상기의 전사용 마스크를 이용한 반도체 디바이스의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 디바이스의 제조 공정에서는 포토리소그래피법을 이용하여 미세 패턴의 형성이 행해지고 있다. 또, 이 미세 패턴의 형성에는, 통상 몇 장의 전사용 마스크가 사용된다. 반도체 디바이스의 패턴을 미세화함에 있어서는, 전사용 마스크에 형성되는 마스크 패턴의 미세화에 더하여, 포토리소그래피에서 사용되는 노광 광원의 파장의 단파장화가 필요해진다. 반도체 디바이스의 제조 시에 이용되는 노광 광원은, 근래에는 KrF 엑시머 레이저(파장 248nm)로부터 ArF 엑시머 레이저(파장 193nm)로 단파장화가 진행되고 있다.
전사용 마스크의 종류에는, 종래의 투광성 기판 상에 크롬계 재료로 이루어지는 차광막 패턴을 구비한 바이너리형 마스크 외에, 하프톤형 위상 시프트 마스크가 있다. 하프톤형 위상 시프트 마스크의 위상 시프트막에는, 특허문헌 1에 개시되어 있는 바와 같이 몰리브덴 실리사이드(MoSi)계의 재료가 널리 이용된다. 또, 특허문헌 2에 개시되어 있는 바와 같이, 몰리브덴 실리사이드 재료이면서, 노광광에 대한 투과율이 9％ 이상으로 비교적 높은 투과율을 갖는 위상 시프트막을 구비하는 위상 시프트 마스크도 알려져 있다.
특허문헌 3에는, 차광막의 흑(黑)결함 부분에 대해, 이불화크세논(XeF2) 가스를 공급하면서, 그 부분에 전자선을 조사함으로써 흑결함부를 에칭하여 제거하는 결함 수정 기술(이하, 이와 같은 전자선 등의 하전(荷電) 입자를 조사하여 행하는 결함 수정을 단지 EB 결함 수정이라고 한다.)이 개시되어 있다. 이 EB 결함 수정은, 당초, EUV 리소그래피(Extreme Ultraviolet Lithography)용 반사형 마스크의 흡수체막에 있어서의 흑결함 수정에 이용되고 있었지만, 근래에는 MoSi 하프톤 마스크의 흑결함 수정에서도 사용되고 있다.
몰리브덴 실리사이드계 재료 및 규소계 재료로 이루어지는 위상 시프트막은, 불소계 가스를 에칭 가스로 하는 드라이 에칭에 의해 위상 시프트 패턴을 형성하는 것이 일반적이다. 그러나, 이들 재료의 위상 시프트막은, 유리 재료로 이루어지는 기판과의 사이에서, 불소계 가스에 의한 드라이 에칭의 에칭 선택성이 그다지 높지 않다. 특허문헌 4에서는, 불소계 가스의 드라이 에칭에 대한 내성이 높은 재료인 Al2O3 등으로 이루어지는 에칭 스토퍼막을 기판과 위상 시프트막의 사이에 개재시키고 있다. 이와 같은 구성으로 함으로써, 불소계 가스에 의한 드라이 에칭으로 위상 시프트막에 위상 시프트 패턴을 형성할 때에, 기판의 표면을 파고 들어가는(掘入) 것을 억지하는 것이 가능하게 되어 있다.
Al2O3로 이루어지는 에칭 스토퍼막은, 불소계 가스에 의한 드라이 에칭에 대한 내성이 뛰어나서, 위상 시프트막을 드라이 에칭하고 있을 때에 기판을 파고 들어가 버리는 것을 억제할 수 있는 이점이 있다. 또, Al2O3로 이루어지는 에칭 스토퍼막은, EB 결함 수정에 대한 내성도 높아, 위상 시프트막의 흑결함 부분에 대해 EB 결함 수정을 행할 때에 발생하기 쉬운 기판의 데미지를 억제하는 것도 가능하다. 그러나, Al2O3로 이루어지는 에칭 스토퍼막은, 약액(藥液) 세정에 대한 내성이 낮은 경향이 있다. 마스크 블랭크로부터 위상 시프트 마스크(전사용 마스크)를 제조하는 프로세스 도중에 약액을 이용한 세정이 몇 번이나 행해진다. 또, 완성 후의 위상 시프트 마스크에 대해서도 정기적으로 약액에 의한 세정이 행해진다. 이러한 세정에서는, 암모니아 과수(過水)나 TMAH(수산화테트라메틸암모늄) 수용액이 세정액으로서 이용되는 일이 많고, Al2O3로 이루어지는 에칭 스토퍼막은 이들 세정액에 대한 내성이 낮다.
예를 들면, 유리로 이루어지는 투광성 기판 상에, Al2O3로 이루어지는 에칭 스토퍼막과 위상 시프트 패턴이 형성된 위상 시프트막을 구비하는 위상 시프트 마스크에 대해, 암모니아 과수에 의한 세정을 행하면, 위상 시프트 마스크에 있어서의 위상 시프트막이 존재하지 않는 영역이며 에칭 스토퍼막의 표면이 노출되어 있는 투광부에서, 그 에칭 스토퍼막이 표면부터 서서히 용해되어 가서, 그 투광부에서 기판의 주(主)표면이 노출되는 상태까지 진행한다. 그리고, 더욱 세정을 행하면, 위상 시프트막이 존재하는 패턴 부분의 바로 아래(直下)의 에칭 스토퍼막도 위상 시프트막의 측벽측으로부터 내부측을 향하여 용해되어 간다. 이 에칭 스토퍼막이 용해되는 현상은, 위상 시프트막의 패턴 양쪽의 측벽측으로부터 각각 진행하기 때문에, 위상 시프트막의 패턴 폭보다도 용해되지 않고 잔존해 있는 에칭 스토퍼막의 폭 쪽이 작아져 버린다. 이와 같은 상태가 되면, 위상 시프트막의 패턴이 탈락하는 현상이 발생하기 쉬워진다.
또, 위상 시프트 마스크를 노광 장치에 세트하여, 전사 대상물(반도체 웨이퍼 상의 레지스트막 등)에 노광 전사할 때, 노광광은 위상 시프트 마스크의 투광성 기판의 위상 시프트 패턴이 설치되어 있는 주표면과는 반대측의 주표면측으로부터 입사하고, 에칭 스토퍼막을 경유하여 위상 시프트 패턴에 입사한다. 위상 시프트 마스크의 위상 시프트막에 형성되어 있는 패턴은, 투광성 기판과 위상 시프트막과의 사이에 에칭 스토퍼막이 존재함을 전제로 설계되어 있다. 이 때문에, 위상 시프트 마스크의 에칭 스토퍼막이 용해된 상태에서는, 위상 시프트 패턴 설계 시에 예상되고 있던 광학 특성을 충분히 얻을 수 없게 될 우려가 있다.
위상 시프트 효과가 필요해지는 위상 시프트 패턴의 측벽 근방에서 에칭 스토퍼막이 용해되어 버리고 있으면, 기대하고 있던 위상 시프트 효과가 충분히 얻어지기 어려워진다. 보다 높은 위상 시프트 효과를 얻기 위해, 위상 시프트막의 노광광에 대한 투과율을 높인, 특허문헌 2에 개시되어 있는 바와 같은 고투과율 타입의 위상 시프트 마스크의 경우, 위상 시프트 효과의 저하는 보다 현저해지기 쉽다.
Al2O3로 이루어지는 에칭 스토퍼막은, 위상 시프트 마스크의 투광성 기판의 재료에 이용되는 합성 석영 유리보다도 노광광에 대한 투과율이 낮다는 문제가 있다. ArF 엑시머 레이저를 노광광에 적용하는 위상 시프트 마스크의 경우, 보다 현저하게 그 경향이 나타난다. Al2O3로 이루어지는 에칭 스토퍼막은, 위상 시프트 마스크가 완성된 단계에서 투광부에도 남겨지는 것이다. 위상 시프트 마스크의 투광부에 있어서의 노광광의 투과율이 저하하는 것은 위상 시프트 마스크에 있어서의 위상 시프트 효과의 저하로 연결된다.
한편, 투광성 기판 상에 높은 광학 농도를 갖는 차광막의 패턴을 구비하는 바이너리형의 전사용 마스크를 제조하기 위한 마스크 블랭크에 있어서도, 차광막의 재료로 전이금속 실리사이드계 재료가 이용되고 있다. 이 전이금속 실리사이드계 재료의 차광막에 패턴을 형성할 때에 있어서도, 불소 가스에 의한 드라이 에칭이 이용된다. 이 차광막의 전이금속 실리사이드계 재료는, 높은 광학 농도가 요구되는 일도 있어, 위상 시프트막의 전이금속 실리사이드계 재료에 비해 질화도나 산화도는 높지 않은 경향이 있다. 이 때문에, 차광막과 투광성 기판과의 사이의 불소계 가스에 의한 드라이 에칭에 대한 에칭 선택성은, 위상 시프트막과 투광성 기판과의 사이의 선택성보다도 커지는 경향이 있다. 그러나, 그 정도의 에칭 선택성으로는 투광성 기판의 에칭을 억제하는데 충분하지 않은 경우도 있어, 투광성 기판과 차광막과의 사이에 에칭 스토퍼막을 설치하는 것이 요망되고 있다.
또, 이 전이금속 실리사이드계 재료의 차광막을 갖는 마스크 블랭크로부터 전사용 마스크를 제조할 때, 차광막의 패턴에 흑결함 부분이 발견된 경우에 있어서도, EB 결함 수정이 행해지고 있다. EB 결함 수정 시의 기판의 데미지를 억제하는 데는 에칭 스토퍼막을 설치하는 것은 유효하다. 그리고, 이 바이너리형의 전사용 마스크에 있어서의 에칭 스토퍼막의 경우도 위상 시프트 마스크의 경우와 마찬가지로, 약액 세정에 대한 내성이 높은 재료인 것이 필요하며, 노광광에 대한 높은 투과율을 갖는 재료인 것도 요망되고 있다.
본 발명은, 상기 종래의 과제를 해결하기 위해 이루어진 것이며, 투광성 기판 상에 위상 시프트막이나 차광막과 같은 패턴 형성용 박막을 구비한 마스크 블랭크로 투광성 기판과 패턴 형성용 박막의 사이에 에칭 스토퍼막을 개재시키는 구성으로 하는 경우에 있어서, 패턴 형성용 박막을 패터닝할 때에 이용되는 불소계 가스에 의한 드라이 에칭에 대한 내성이 높고, 약액 세정에 대한 내성이 높으며, 또한 노광광에 대한 투과율이 높은 에칭 스토퍼막을 구비한 마스크 블랭크를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다. 또, 이 마스크 블랭크를 이용하여 제조되는 전사용 마스크를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다. 또한, 이와 같은 전사용 마스크를 제조하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 하고 있다. 그리고, 본 발명은, 이와 같은 전사용 마스크를 이용한 반도체 디바이스의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
상기의 과제를 달성하기 위해, 본 발명은 이하의 구성을 갖는다.
(구성 1)
투광성 기판의 주표면 상에 패턴 형성용 박막을 구비한 마스크 블랭크로서,
상기 패턴 형성용 박막은, 규소를 함유하고,
상기 투광성 기판과 상기 패턴 형성용 박막의 사이에 에칭 스토퍼막을 가지며,
상기 에칭 스토퍼막은, 규소, 알루미늄 및 산소를 함유하는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
(구성 2)
상기 에칭 스토퍼막은, 산소 함유량이 60 원자％ 이상인 것을 특징으로 하는 구성 1에 기재한 마스크 블랭크.
(구성 3)
상기 에칭 스토퍼막은, 상기 규소 및 상기 알루미늄의 합계 함유량에 대한 상기 규소의 함유량의 원자％에 의한 비율이, 4/5 이하인 것을 특징으로 하는 구성 1 또는 2에 기재한 마스크 블랭크.
(구성 4)
상기 에칭 스토퍼막은, 규소, 알루미늄 및 산소로 이루어지는 것을 특징으로 하는 구성 1 내지 3 중 어느 하나에 기재한 마스크 블랭크.
(구성 5)
상기 에칭 스토퍼막은, 상기 투광성 기판의 주표면에 접하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 구성 1 내지 4 중 어느 하나에 기재한 마스크 블랭크.
(구성 6)
상기 에칭 스토퍼막은, 두께가 3nm 이상인 것을 특징으로 하는 구성 1 내지 5 중 어느 하나에 기재한 마스크 블랭크.
(구성 7)
상기 패턴 형성용 박막은, 규소 및 질소를 함유하는 것을 특징으로 하는 구성 1 내지 6 중 어느 하나에 기재한 마스크 블랭크.
(구성 8)
상기 패턴 형성용 박막은, 전이금속, 규소 및 질소를 함유하는 것을 특징으로 하는 구성 1 내지 6 중 어느 하나에 기재한 마스크 블랭크.
(구성 9)
상기 패턴 형성용 박막은, 위상 시프트막인 것을 특징으로 하는 구성 1 내지 8 중 어느 하나에 기재한 마스크 블랭크.
(구성 10)
상기 위상 시프트막은, 노광광을 1％ 이상의 투과율로 투과시키는 기능과, 상기 위상 시프트막을 투과한 상기 노광광에 대해 상기 위상 시프트막의 두께와 같은 거리만큼 공기 중을 통과한 상기 노광광과의 사이에서 150도 이상 180도 이하의 위상차를 발생시키는 기능을 갖는 것을 특징으로 하는 구성 9에 기재한 마스크 블랭크.
(구성 11)
상기 위상 시프트막 상에, 차광막을 구비하는 것을 특징으로 하는 구성 9 또는 10에 기재한 마스크 블랭크.
(구성 12)
구성 1 내지 8 중 어느 하나에 기재한 마스크 블랭크의 상기 패턴 형성용 박막에 전사 패턴을 갖는 것을 특징으로 하는 전사용 마스크.
(구성 13)
구성 11에 기재한 마스크 블랭크의 상기 위상 시프트막에 전사 패턴을 갖고, 상기 차광막에 차광대(帶)를 포함하는 패턴을 갖는 것을 특징으로 하는 전사용 마스크.
(구성 14)
구성 1 내지 8 중 어느 하나에 기재한 마스크 블랭크를 이용한 전사용 마스크의 제조 방법으로서,
드라이 에칭에 의해 상기 패턴 형성용 박막에 전사 패턴을 형성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 전사용 마스크의 제조 방법.
(구성 15)
구성 11에 기재한 마스크 블랭크를 이용한 전사용 마스크의 제조 방법으로서,
드라이 에칭에 의해 상기 차광막에 전사 패턴을 형성하는 공정과,
상기 전사 패턴을 갖는 차광막을 마스크로 하여, 불소계 가스를 이용하는 드라이 에칭에 의해 상기 위상 시프트막에 전사 패턴을 형성하는 공정과,
드라이 에칭에 의해 상기 차광막에 차광대를 포함하는 패턴을 형성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 전사용 마스크의 제조 방법.
(구성 16)
구성 12 또는 13에 기재한 전사용 마스크를 이용하여, 반도체 기판 상의 레지스트막에 전사 패턴을 노광 전사하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조 방법.
(구성 17)
구성 14 또는 15에 기재한 전사용 마스크의 제조 방법에 의해 제조된 전사용 마스크를 이용하여, 반도체 기판 상의 레지스트막에 전사 패턴을 노광 전사하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조 방법.
본 발명의 마스크 블랭크는, 투광성 기판의 주표면 상에 패턴 형성용 박막을 구비한 마스크 블랭크로서, 패턴 형성용 박막은, 규소를 함유하고, 투광성 기판과 패턴 형성용 박막의 사이에 에칭 스토퍼막을 가지며, 그 에칭 스토퍼막은, 규소, 알루미늄 및 산소를 함유하는 것을 특징으로 하고 있다. 이와 같은 구조의 마스크 블랭크로 함으로써, 에칭 스토퍼막은, 패턴 형성용 박막에 패턴을 형성할 때에 행해지는 불소계 가스에 의한 드라이 에칭에 대한 내성이 투광성 기판에 비해 높고, 약액 세정에 대한 내성도 높으며, 노광광에 대한 투과율도 높다는 3가지의 특성을 동시에 만족시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 있어서의 마스크 블랭크의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시형태에 있어서의 위상 시프트 마스크의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시형태에 있어서의 위상 시프트 마스크의 제조 공정을 나타내는 단면 모식도이다.
도 4는 본 발명의 제 2 실시형태에 있어서의 마스크 블랭크의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제 2 실시형태에 있어서의 전사용 마스크의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제 2 실시형태에 있어서의 전사용 마스크의 제조 공정을 나타내는 단면 모식도이다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시형태에 있어서의 위상 시프트 마스크의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시형태에 있어서의 위상 시프트 마스크의 제조 공정을 나타내는 단면 모식도이다.
도 4는 본 발명의 제 2 실시형태에 있어서의 마스크 블랭크의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제 2 실시형태에 있어서의 전사용 마스크의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제 2 실시형태에 있어서의 전사용 마스크의 제조 공정을 나타내는 단면 모식도이다.
우선, 본 발명의 완성에 이른 경위를 서술한다. 본 발명자들은, Al2O3로 이루어지는 에칭 스토퍼막이 갖고 있는 기술적 과제를 해결하기 위해 예의 연구를 행했다. 에칭 스토퍼막의 재료인 Al2O3는, 불소계 가스에 의한 드라이 에칭에 대한 내성이 높지만, ArF 엑시머 레이저(파장: 약 193nm)의 노광광에 대한 투과율이 그다지 높지는 않고, 전사용 마스크의 세정에 이용되는 세정액에 대한 내성도 낮다. 한편, 투광성 기판의 주재료인 SiO2는, ArF 엑시머 레이저(파장: 약 193nm)의 노광광에 대한 투과율이 높고, 전사용 마스크의 세정에 이용되는 세정액에 대한 내성도 높은 재료이지만, 불소계 가스에 의한 드라이 에칭에 대하여 에칭되기 쉬운 재료이기도 하다. 본 발명자들은, 예의 검토한 결과, 에칭 스토퍼막을 Al2O3와 SiO2를 혼합시킨 재료로 형성함으로써, 불소계 가스에 의한 드라이 에칭에 대한 내성, ArF 엑시머 레이저(파장: 약 193nm)의 노광광에 대한 높은 투과율, 전사용 마스크의 세정에 이용되는 세정액에 대한 내성의 3가지의 조건을 모두 만족시킬 수 있는 가능성을 발견했다.
Al2O3와 SiO2를 혼합시킨 재료로 에칭 스토퍼막을 제조하여 검증해 본바, 불소계 가스에 의한 드라이 에칭에 대한 내성에 대해서는, Al2O3만으로 이루어지는 에칭 스토퍼막보다는 뒤떨어지지만 충분히 높아, 에칭 스토퍼막으로서 충분히 기능하는 것이 판명되었다. ArF 엑시머 레이저의 노광광에 대한 투과율에 대해서는, SiO2만으로 이루어지는 재료보다는 뒤떨어지지만 Al2O3만으로 이루어지는 에칭 스토퍼막에 비하면 투과율이 현격히 높은 것이 판명되었다. 또한, 세정액(암모니아 과수, TMAH 등)에 대한 내성도, SiO2만으로 이루어지는 재료보다는 뒤떨어지지만 Al2O3만으로 이루어지는 에칭 스토퍼막에 비하면 내성이 현격하게 높은 것이 판명되었다. 또, EB 결함 수정에서 행해지는 이불화크세논(XeF2) 가스를 공급하면서, 그 부분에 전자선을 조사하는 처리를 Al2O3와 SiO2를 혼합시킨 재료로 에칭 스토퍼막에 대하여 행한바, Al2O3만으로 이루어지는 에칭 스토퍼막보다는 뒤떨어지지만, SiO2만으로 이루어지는 재료에 비하면 충분히 내성이 높은 것도 판명되었다.
이상의 예의 검토의 결과, Al2O3로 이루어지는 에칭 스토퍼막이 갖고 있는 기술적 과제를 해결하는 데는, 에칭 스토퍼막을 규소, 알루미늄 및 산소를 함유하는 재료로 형성할 필요가 있다는 결론에 이르렀다. 즉, 본 발명의 마스크 블랭크는, 투광성 기판의 주표면 상에 패턴 형성용 박막을 구비한 마스크 블랭크로서, 패턴 형성용 박막은 규소를 함유하고, 투광성 기판과 패턴 형성용 박막의 사이에 에칭 스토퍼막을 가지며, 그 에칭 스토퍼막은, 규소, 알루미늄 및 산소를 함유하는 것을 특징으로 하고 있다. 다음으로, 본 발명의 각 실시형태에 대해 설명한다.
＜제 1 실시형태＞
[마스크 블랭크와 그 제조]
본 발명의 제 1 실시형태에 관한 마스크 블랭크는, 패턴 형성용 박막을 노광광에 대해 소정의 투과율과 위상차를 부여하는 막인 위상 시프트막으로 한 것이며, 위상 시프트 마스크(전사용 마스크)를 제조하기 위해 이용되는 것이다. 도 1에, 이 제 1 실시형태의 마스크 블랭크의 구성을 나타낸다. 이 제 1 실시형태에 관한 마스크 블랭크(100)는, 투광성 기판(1)의 주표면 상에, 에칭 스토퍼막(2), 위상 시프트막(패턴 형성용 박막)(3), 차광막(4), 하드 마스크막(5)을 구비하고 있다.
투광성 기판(1)은, 노광광에 대해 높은 투과율을 갖는 것이면, 특별히 제한되지 않는다. 본 발명에서는, 합성 석영 유리 기판, 그 외의 각종 유리 기판(예를 들면, 소다 라임 유리, 알루미노 실리케이트 유리 등)을 이용할 수 있다. 이들 기판 중에서도 특히 합성 석영 유리 기판은, ArF 엑시머 레이저 또는 그것보다도 단파장의 영역에서 투과율이 높으므로, 고정세(高精細)의 전사 패턴 형성에 이용되는 본 발명의 마스크 블랭크의 기판으로서 적합하다. 단, 이들 유리 기판은, 모두 불소계 가스에 의한 드라이 에칭에 대하여 에칭되기 쉬운 재료이다. 이 때문에, 투광성 기판(1) 상에 에칭 스토퍼막(2)을 설치하는 의의는 크다.
에칭 스토퍼막(2)은 규소, 알루미늄 및 산소를 함유하는 재료로 형성된다. 이 에칭 스토퍼막(2)은 위상 시프트 마스크(200)가 완성된 단계에서, 적어도 전사 패턴 형성영역의 전면(全面)에서 제거되지 않고 남겨지는 것이다(도 2 참조). 즉, 위상 시프트 패턴의 위상 시프트막(3)이 없는 영역인 투광부에도 에칭 스토퍼막(2)이 잔존한 형태를 취한다. 이 때문에, 에칭 스토퍼막(2)은 투광성 기판(1)과의 사이에 다른 막을 개재하지 않고, 투광성 기판(1)에 접하여 형성되어 있는 것이 바람직하다.
에칭 스토퍼막(2)은, 노광광에 대한 투과율이 높을수록 바람직하지만, 에칭 스토퍼막(2)은, 투광성 기판(1)과의 사이에서 불소계 가스에 대한 충분한 에칭 선택성도 동시에 요구되기 때문에, 노광광에 대한 투과율을 투광성 기판(1)과 같은 투과율로 하는 것은 어렵다(즉, 노광광에 대한 투광성 기판(1)(합성 석영 유리)의 투과율을 100％로 했을 때의 에칭 스토퍼막(2)의 투과율은, 100％ 미만이 된다.). 노광광에 대한 투광성 기판(1)의 투과율을 100％로 했을 때의 에칭 스토퍼막(2)의 투과율은, 95％ 이상인 것이 바람직하고, 96％ 이상이면 보다 바람직하며, 97％ 이상이면 더욱 바람직하다.
에칭 스토퍼막(2)은 산소 함유량이 60 원자％ 이상인 것이 바람직하다. 노광광에 대한 투과율을 상기의 수치 이상으로 하는 데는, 에칭 스토퍼막(2) 중에 산소를 많이 함유시키는 것이 요구되기 때문이다. 또, 산소와 미결합의 규소보다도 산소와 결합한 상태의 규소가, 약액 세정(특히, 암모니아 과수나 TMAH 등의 알칼리 세정)에 대한 내성이 높아지는 경향이 있어, 에칭 스토퍼막(2) 중에 존재하는 모든 규소 중 산소와 결합 상태로 되어 있는 것의 비율을 높게 하는 것이 바람직하다. 한편, 에칭 스토퍼막(2)은, 산소 함유량이 66 원자％ 이하인 것이 바람직하다.
에칭 스토퍼막(2)은, 규소(Si) 및 알루미늄(Al)의 합계 함유량[원자％]에 대한 규소(Si)의 함유량[원자％]의 비율(이하, 「Si/[Si+Al] 비율」이라고 한다.)이 4/5 이하인 것이 바람직하다. 에칭 스토퍼막(2)의 Si/[Si+Al] 비율을 4/5 이하로 함으로써, 불소계 가스에 의한 드라이 에칭에 대한 에칭 스토퍼막(2)의 에칭 레이트를 투광성 기판(1)의 에칭 레이트의 1/3 이하로 할 수 있다(투광성 기판(1)과 에칭 스토퍼막(2)과의 사이에서 3배 이상의 에칭 선택비가 얻어진다.). 또, 에칭 스토퍼막(2)에 있어서의 Si/[Si+Al] 비율은 3/4 이하이면 보다 바람직하고, 2/3 이하이면 더욱 바람직하다. Si/[Si+Al] 비율이 2/3 이하인 경우, 불소계 가스에 의한 드라이 에칭에 대한 에칭 스토퍼막(2)의 에칭 레이트를 투광성 기판(1)의 에칭 레이트의 1/5 이하로 할 수 있다(투광성 기판(1)과 에칭 스토퍼막(2)과의 사이에서 5배 이상의 에칭 선택비가 얻어진다.).
에칭 스토퍼막(2)은, 규소(Si) 및 알루미늄(Al)의 Si/[Si+Al] 비율이 1/5 이상인 것이 바람직하다. 에칭 스토퍼막(2)의 Si/[Si+Al] 비율을 1/5 이상으로 함으로써, 노광광에 대한 투광성 기판(1)(합성 석영 유리)의 투과율을 100％로 했을 때의 에칭 스토퍼막(2)의 투과율을 95％ 이상으로 할 수 있다. 또, 동시에, 약액 세정에 대한 내성도 높게 할 수 있다. 또, 에칭 스토퍼막(2)에 있어서의 Si/[Si+Al] 비율은 1/3 이상이면 보다 바람직하다. Si/[Si+Al] 비율이 1/3 이상인 경우, 노광광에 대한 투광성 기판(합성 석영 유리)(1)의 투과율을 100％로 했을 때의 에칭 스토퍼막(2)의 투과율을 97％ 이상으로 할 수 있다.
에칭 스토퍼막(2)은, 알루미늄 이외의 금속의 함유량을 2 원자％ 이하로 하는 것이 바람직하고, 1 원자％ 이하로 하면 보다 바람직하며, X선 광전자 분광법에 의한 조성 분석을 행했 때에 검출 하한치 이하이면 더욱 바람직하다. 에칭 스토퍼막(2)이 알루미늄 이외의 금속을 함유하고 있으면, 노광광에 대한 투과율이 저하하는 요인이 되기 때문이다. 또, 에칭 스토퍼막(2)은, 규소, 알루미늄 및 산소 이외의 원소의 합계 함유량이 5 원자％ 이하인 것이 바람직하고, 3 원자％ 이하이면 보다 바람직하다.
에칭 스토퍼막(2)은 규소, 알루미늄 및 산소로 이루어지는 재료로 형성하면 된다. 규소, 알루미늄 및 산소로 이루어지는 재료란, 이들 구성 원소 외에, 스퍼터법으로 성막할 때, 에칭 스토퍼막(2)에 함유되는 것이 불가피한 원소(헬륨(He), 네온(Ne), 아르곤(Ar), 크립톤(Kr) 및 크세논(Xe) 등의 희가스, 수소(H), 탄소(C) 등)만을 함유하는 재료인 것을 말한다. 에칭 스토퍼막(2) 중에 규소나 알루미늄과 결합하는 다른 원소의 존재를 극소로 함으로써, 에칭 스토퍼막(2) 중에서의 규소 및 산소의 결합과 알루미늄 및 산소의 결합의 비율을 대폭 높일 수 있다. 이것에 의해, 불소계 가스에 의한 드라이 에칭의 에칭 내성을 보다 높게 하고, 약액 세정에 대한 내성을 보다 높이며, 노광광에 대한 투과율을 보다 높일 수 있다. 에칭 스토퍼막(2)은 아몰퍼스 구조로 하는 것이 바람직하다. 보다 구체적으로는, 에칭 스토퍼막(2)은 규소 및 산소의 결합과 알루미늄 및 산소의 결합을 포함하는 상태의 아몰퍼스 구조인 것이 바람직하다. 에칭 스토퍼막(2)의 표면 거칠기를 양호한 것으로 할 수 있으면서, 노광광에 대한 투과율을 높일 수 있다.
에칭 스토퍼막(2)은 두께가 3nm 이상인 것이 바람직하다. 에칭 스토퍼막(2)을 규소, 알루미늄 및 산소를 함유하는 재료로 형성함으로써, 불소계 가스에 대한 에칭 레이트가 대폭 작게는 되어도, 전혀 에칭되지 않는 것은 아니다. 또, 에칭 스토퍼막(2)을 약액 세정한 경우에 있어서도, 전혀 막이 감소되지 않는다는 것은 아니다. 마스크 블랭크로부터 전사용 마스크를 제조하기까지 행해지는 불소계 가스에 의한 드라이 에칭에 의한 영향, 약액 세정에 의한 영향을 고려하면, 에칭 스토퍼막(2)의 두께는 3nm 이상 있는 것이 요망된다. 에칭 스토퍼막(2)의 두께는 4nm 이상이면 바람직하고, 5nm 이상이면 보다 바람직하다.
에칭 스토퍼막(2)은, 노광광에 대한 투과율이 높은 재료를 적용하고는 있지만, 두께가 두꺼워짐에 따라 투과율은 저하한다. 또, 에칭 스토퍼막(2)은, 투광성 기판(1)을 형성하는 재료보다도 굴절률이 높고, 에칭 스토퍼막(2)의 두께가 두꺼워질수록, 위상 시프트막(3)에 실제로 형성하는 마스크 패턴(Bias 보정이나 OPC나 SRAF 등을 부여한 패턴)을 설계할 때에 주는 영향이 커진다. 이러한 점을 고려하면, 한편, 에칭 스토퍼막(2)은, 20nm 이하인 것이 요망되고, 15nm 이하이면 바람직하며, 10nm 이하이면 보다 바람직하다.
에칭 스토퍼막(2)은, ArF 엑시머 레이저의 노광광에 대한 굴절률(n)(이하, 단지 굴절률(n)이라고 한다.)이 1.73 이하이면 바람직하고, 1.72 이하이면 보다 바람직하다. 위상 시프트막(3)에 실제로 형성하는 마스크 패턴을 설계할 때에 주는 영향을 작게 하기 때문이다. 에칭 스토퍼막(2)은, 알루미늄을 함유하는 재료로 형성되기 때문에, 투광성 기판(1)과 같은 굴절률(n)로 할 수 없다. 에칭 스토퍼막(2)은, 굴절률(n)이 1.57 이상으로 형성된다. 한편, 에칭 스토퍼막(2)은, ArF 엑시머 레이저의 노광광에 대한 소쇠계수(消衰係數)(k)(이하, 단지 소쇠계수(k)라고 한다.)가 0.04 이하이면 바람직하다. 에칭 스토퍼막(2)의 노광광에 대한 투과율을 높게 하기 때문이다. 에칭 스토퍼막(2)은, 소쇠계수(k)가 0.000 이상의 재료로 형성된다.
에칭 스토퍼막(2)은, 두께 방향에서 조성의 균일성이 높은(두께 방향에 있어서의 각 구성 원소의 함유량의 차가 5 원자％ 이내의 변동 폭에 들어가 있다.) 것이 바람직하다. 한편, 에칭 스토퍼막(2)을, 두께 방향에서 조성 경사진 막 구조로 해도 된다. 이 경우, 에칭 스토퍼막(2)의 투광성 기판(1)측의 Si/[Si+Al] 비율을 위상 시프트막(3)측의 Si/[Si+Al] 비율보다도 높아지는 조성 경사로 하는 것이 바람직하다. 에칭 스토퍼막(2)은, 위상 시프트막(3)측이 불소계 가스에 의한 드라이 에칭의 내성이 높고, 또한 약액 내성이 높은 것이 우선적으로 요망되는 반면, 투광성 기판(1)측의 쪽은, 노광광에 대한 투과율이 높은 것이 요망되기 때문이다.
투광성 기판(1)과 에칭 스토퍼막(2)의 사이에 다른 막을 개재시켜도 된다. 이 경우, 그 외의 막은, 에칭 스토퍼막(2)보다도 노광광에 대한 투과율이 높고, 굴절률(n)이 작은 재료를 적용하는 것이 요구된다. 마스크 블랭크로부터 위상 시프트 마스크가 제조되었을 때, 그 위상 시프트 마스크에 있어서의 위상 시프트막(3)의 패턴이 없는 영역인 투광부에는, 이 외의 막과 에칭 스토퍼막(2)과의 적층 구조가 존재하게 된다. 투광부는 노광광에 대한 높은 투과율이 요구되며, 이 적층 구조의 전체에서의 노광광에 대한 투과율을 높게 할 필요가 있기 때문이다. 다른 막의 재료는, 예를 들면, 규소와 산소로 이루어지는 재료, 또는 이들에 하프늄, 지르코늄, 티탄, 바나듐 및 붕소로부터 선택되는 하나 이상의 원소를 함유시킨 재료 등을 들 수 있다. 상기의 다른 막을, 규소와 알루미늄 및 산소를 함유하는 재료이며 에칭 스토퍼막(2)보다도 Si/[Si+Al] 비율이 높은 재료로 형성해도 된다. 이 경우에 있어서도, 다른 막 쪽이 노광광에 대한 투과율이 높아지고, 굴절률(n)은 작아진다(투광성 기판(1)의 재료에 보다 가까워진다.).
위상 시프트막(3)은, 규소를 함유하는 재료로 이루어지고, 실질적으로 노광에 기여하지 않는 강도의 광을 투과시키는 것으로서, 소정의 위상차를 갖는 것이다. 구체적으로는, 이 위상 시프트막(3)을 패터닝함으로써, 위상 시프트막(3)이 남는 부분과 남지 않는 부분을 형성하고, 위상 시프트막(3)이 없는 부분을 투과한 광(ArF 엑시머 레이저 노광광)에 대해, 위상 시프트막(3)을 투과한 광(실질적으로 노광에 기여하지 않는 강도의 광)의 위상이 실질적으로 반전한 관계(소정의 위상차)가 되도록 한다. 이렇게 함으로써, 회절 현상에 의해 서로 상대의 영역으로 돌아 들어간 광을 서로 없애도록 해, 경계부에 있어서의 광 강도를 거의 제로로 하여 경계부의 콘트라스트, 즉 해상도를 향상시키는 것이다.
위상 시프트막(3)은, 노광광을 1％ 이상의 투과율로 투과시키는 기능(투과율)과, 위상 시프트막을 투과한 상기 노광광에 대해 상기 위상 시프트막의 두께와 같은 거리만큼 공기 중을 통과한 상기 노광광과의 사이에서 150도 이상 180도 이하의 위상차를 발생시키는 기능을 갖는 것이 바람직하다. 또, 위상 시프트막(3)의 투과율은 2％ 이상이면 보다 바람직하다. 위상 시프트막(3)의 투과율은 30％ 이하인 것이 바람직하고, 20％ 이하이면 보다 바람직하다.
근래, 하프톤형의 위상 시프트 마스크를 노광 장치의 마스크 스테이지에 세트하고, 전사 대상물(반도체 웨이퍼 상의 레지스트막 등)에 노광 전사할 때, 위상 시프트 패턴의 패턴 선 폭(특히 라인·앤드·스페이스 패턴의 패턴 피치)에 의한 노광 전사의 베스트 포커스의 차가 큰 것이 문제로 되어지고 있다. 위상 시프트 패턴의 패턴 선 폭에 의한 베스트 포커스의 변동 폭을 작게 하는 데는, 위상 시프트막(3)에 있어서의 소정의 위상차를 170도 이하로 하면 된다.
위상 시프트막(3)의 두께는 80nm 이하인 것이 바람직하고, 70nm 이하이면 보다 바람직하다. 또, 상기의 위상 시프트 패턴의 패턴 선 폭에 의한 베스트 포커스의 변동 폭을 작게 하는 데는, 위상 시프트막(3)의 두께는 65nm 이하로 하는 것이 특히 바람직하다. 위상 시프트막(3)의 두께는 50nm 이상으로 하는 것이 바람직하다. 아몰퍼스의 재료로 위상 시프트막(3)을 형성하면서, 위상 시프트막(3)의 위상차를 150도 이상으로 하기 위해서는 50nm 이상은 필요하기 때문이다.
위상 시프트막(3)에 있어서, 상기의 광학 특성과 막의 두께에 관한 제(諸)조건을 만족시키기 위해, 위상 시프트막의 노광광(ArF 노광광)에 대한 굴절률(n)은 1.9 이상이면 바람직하고, 2.0 이상이면 보다 바람직하다. 또, 위상 시프트막(3)의 굴절률(n)은 3.1 이하이면 바람직하고, 2.7 이하이면 보다 바람직하다. 위상 시프트막(3)의 ArF 노광광에 대한 소쇠계수(k)는 0.26 이상이면 바람직하고, 0.29 이상이면 보다 바람직하다. 또, 위상 시프트막(3)의 소쇠계수(k)는 0.62 이하이면 바람직하고, 0.54 이하이면 보다 바람직하다.
한편, 후술과 같이, 위상 시프트막(3)을 노광광에 대한 투과율이 상대적으로 낮은 재료로 형성한 저투과층과 노광광에 대한 투과율이 상대적으로 높은 재료로 형성한 고투과층을 1세트(組) 이상 적층한 구조로 하는 경우도 있다. 이 경우, 저투과층은, ArF 노광광에 대한 굴절률(n)이 2.5 미만(바람직하게는 2.4 이하, 보다 바람직하게는 2.2 이하, 더욱 바람직하게는 2.0 이하)이며, 또한 소쇠계수(k)가 1.0 이상(바람직하게는 1.1 이상, 보다 바람직하게는 1.4 이상, 더욱 바람직하게는 1.6 이상)인 재료로 형성되어 있는 것이 바람직하다. 또, 고투과층은, ArF 노광광에 대한 굴절률(n)이 2.5 이상(바람직하게는 2.6 이상)이며, 소쇠계수(k)가 1.0 미만(바람직하게는 0.9 이하, 보다 바람직하게는 0.7 이하, 더욱 바람직하게는 0.4 이하)인 재료로 형성되어 있는 것이 바람직하다.
또한, 위상 시프트막(3)을 포함하는 박막의 굴절률(n)과 소쇠계수(k)는 그 박막의 조성만으로 결정되는 것은 아니다. 그 박막의 막 밀도나 결정 상태 등도 굴절률(n)이나 소쇠계수(k)를 좌우하는 요소이다. 이 때문에, 반응성 스퍼터링으로 박막을 성막할 때의 제조건을 조정하여, 그 박막이 원하는 굴절률(n) 및 소쇠계수(k)가 되도록 성막한다. 위상 시프트막(3)을, 상기의 굴절률(n)과 소쇠계수(k)의 범위로 하는 데는, 반응성 스퍼터링으로 성막할 때에, 희가스와 반응성 가스(산소 가스, 질소 가스 등)의 혼합 가스의 비율을 조정하는 것이 유효하지만, 그것에만 한정되는 것은 아니다. 반응성 스퍼터링으로 성막할 때에 있어서의 성막실 내의 압력, 스퍼터 타겟에 인가하는 전력, 타겟과 투광성 기판(1)과의 사이의 거리 등의 위치 관계 등 다방면에 걸친다. 또, 이들 성막 조건은 성막 장치에 고유한 것이며, 형성되는 위상 시프트막(3)이 원하는 굴절률(n) 및 소쇠계수(k)가 되도록 적절히 조정되는 것이다.
일반적으로, 규소를 함유하는 재료로 이루어지는 위상 시프트막(3)은, 불소계 가스에 의한 드라이 에칭으로 패터닝된다. 유리 재료로 이루어지는 투광성 기판(1)은, 불소계 가스에 의한 드라이 에칭으로 에칭되기 쉽고, 특히 탄소를 함유하는 불소계 가스에 대해서는 내성이 낮다. 이 때문에, 위상 시프트막(3)을 패터닝할 때에는, 탄소를 함유하지 않는 불소계 가스(SF6 등)를 에칭 가스로 하는 드라이 에칭이 적용되는 일이 많다. 불소계 가스에 의한 드라이 에칭의 경우, 비교적 에칭의 이방성을 높이기 쉽다. 그러나, 레지스트 패턴 등의 에칭 마스크 패턴을 마스크로 하여, 위상 시프트막(3)을 불소계 가스에 의한 드라이 에칭으로 패터닝할 때, 드라이 에칭을 위상 시프트막(3)의 하단에 최초로 도달한 단계(이것을 저스트 에칭이라고 하고, 에칭 개시부터 저스트 에칭의 단계까지 요한 시간을 저스트 에칭 타임이라고 한다.)에서 중지해 버리면, 위상 시프트 패턴의 측벽의 수직성은 낮고, 위상 시프트 마스크로서의 노광 전사 성능에 영향이 있다. 또, 위상 시프트막(3)에 형성하는 패턴은, 마스크 블랭크의 면 내에서 소밀(疏密) 차가 있어, 패턴이 비교적 조밀한 부분은 드라이 에칭의 진행이 늦어진다.
이러한 사정으로부터, 위상 시프트막(3)의 드라이 에칭 시, 저스트 에칭의 단계까지 도달해도, 더욱 추가의 에칭을 계속(오버 에칭)하여, 위상 시프트 패턴의 측벽의 수직성을 높이고, 면 내에서의 위상 시프트 패턴의 CD 균일성을 높이는 것이 행해진다(저스트 에칭 종료부터 오버 에칭 종료까지의 시간을 오버 에칭 타임이라고 한다.). 투광성 기판(1)과 위상 시프트막(3)의 사이에 에칭 스토퍼막(2)이 없는 경우, 위상 시프트막(3)에 대해 오버 에칭을 행하면, 위상 시프트막(3)의 패턴 측벽으로 에칭이 진행되는 것과 동시에 투광성 기판(1)의 표면의 에칭이 진행되어 버리기 때문에, 그다지 긴 시간의 오버 에칭을 할 수는 없어(투광성 기판이 표면으로부터 4nm 정도 파고 들어가지는 정도까지에서 중지해 있었다.), 위상 시프트 패턴의 수직성을 높이는 데는 한계가 있었다.
위상 시프트 패턴의 측벽의 수직성을 보다 높이는 것을 목적으로, 위상 시프트막(3)의 드라이 에칭 시에 가하는 바이어스 전압을 종래보다도 높게 하는(이하, 「고바이어스 에칭」이라고 한다.) 것이 행해지고 있다. 이 고바이어스 에칭에 있어서, 위상 시프트 패턴의 측벽 근방의 투광성 기판(1)이 국소적으로 에칭으로 파고 들어가지는 현상, 소위 마이크로 트렌치가 발생하는 것이 문제로 되어 있다. 이 마이크로 트렌치의 발생은, 투광성 기판(1)에 바이어스 전압을 가함으로써 발생하는 챠지 업에 의해, 이온화한 에칭 가스가 투광성 기판(1)보다도 저항치가 낮은 위상 시프트 패턴의 측벽측으로 돌아 들어가는 것에 기인하고 있다고 생각되고 있다.
한편, 투광성 기판(1)과 위상 시프트막(3)의 사이에 Al2O3로 이루어지는 에칭 스토퍼막을 설치한 경우, 위상 시프트막(3)에 대해 오버 에칭을 행해도, 에칭 스토퍼막이 에칭되는 양은 미소(微小)하기 때문에, 위상 시프트 패턴을 정밀도 좋게 형성할 수 있고, 고바이어스 에칭에서 발생하기 쉬운 마이크로 트렌치도 억제할 수 있다. 그러나, 그 후에 약액 세정을 행함으로써, 에칭 스토퍼막이 용해되어 버려, 위상 시프트 패턴이 탈락하는 현상이 발생하기 쉽다. 이 제 1 실시형태의 에칭 스토퍼막(2)은, 규소, 알루미늄 및 산소를 함유하는 재료로 형성되어 있기 때문에, 위상 시프트막(3)에 대해 오버 에칭을 행해도, 에칭 스토퍼막(2)이 소실하는 바와 같은 일은 없고, 고바이어스 에칭에서 발생하기 쉬운 마이크로 트렌치도 억제할 수 있으며, 또한 그 후에 행해지는 약액 세정에 대한 내성도 충분히 높아, 위상 시프트 패턴이 탈락하는 현상도 억제된다.
위상 시프트막(3)은, 규소 및 질소를 함유하는 재료로 형성할 수 있다. 규소에 질소를 함유시킴으로써, 규소만으로 이루어지는 재료보다도 굴절률(n)을 크게(보다 얇은 두께로 큰 위상차가 얻어진다.) 할 수 있고, 또한 소쇠계수(k)를 작게(투과율을 높게 할 수 있다.) 할 수 있어, 위상 시프트막으로서 바람직한 광학 특성을 얻을 수 있다.
위상 시프트막(3)은, 규소와 질소로 이루어지는 재료, 또는 규소와 질소로 이루어지는 재료에 반(半)금속 원소, 비금속 원소 및 희가스로부터 선택되는 하나 이상의 원소를 함유하는 재료(이하, 이들 재료를 총칭하여 「규소계 재료」라고 한다.)로 형성할 수 있다. 이 규소계 재료의 위상 시프트막(3)은, ArF 노광광에 대한 내광성이 저하하는 요인이 될 수 있는 전이금속은 함유하지 않는다. 또, 전이금속을 제외한 금속 원소에 대해서도, ArF 노광광에 대한 내광성이 저하하는 요인이 될 수 있는 가능성은 부정할 수 없기 때문에, 함유시키지 않는다. 규소계 재료의 위상 시프트막(3)에는, 어떤 반금속 원소를 함유해도 된다. 이 반금속 원소 중에서도, 붕소, 게르마늄, 안티몬 및 텔루르로부터 선택되는 하나 이상의 원소를 함유시키면, 위상 시프트막(3)을 스퍼터링법으로 성막할 때에 타겟으로서 이용하는 규소의 전도성을 높이는 것을 기대할 수 있기 때문에 바람직하다.
규소계 재료의 위상 시프트막(3)에는, 헬륨(He), 네온(Ne), 아르곤(Ar), 크립톤(Kr) 및 크세논(Xe) 등의 희가스를 함유시켜도 된다. 규소계 재료의 위상 시프트막(3)은, 산소의 함유량을 10 원자％ 이하로 억제하는 것이 바람직하고, 5 원자％ 이하로 하는 것이 보다 바람직하며, 적극적으로 산소를 함유시키는 것을 하지 않는(X선 광전자 분광법의 조성 분석의 결과가 검출 하한치 이하) 것이 더욱 바람직하다. 규소계 재료에 산소를 함유시키면, 소쇠계수(k)가 크게 저하하는 경향이 있어, 위상 시프트막(3)의 전체의 두께가 두꺼워지기 때문이다.
규소계 재료의 위상 시프트막(3)은, 산화를 피할 수 없는 표층(산화층)을 제외하고, 단층으로 구성해도 되고, 또 복수층의 적층으로 구성해도 된다. 규소계 재료의 단층막(표층의 산화층을 포함함)으로, ArF 노광광에 대해, 소정의 투과율로 투과하고, 또한 소정의 위상차를 발생시키는 바와 같은 광학 특성을 갖는 위상 시프트막(3)을 형성하는 것이 가능하다. 그러나, 그와 같은 광학 특성을 갖는 재료의 위상 시프트막(3)을 스퍼터링법으로 성막하는 경우, 그 방식에 따라서는 광학 특성의 균일성이 높은 막이나 저결함의 막을 안정적으로 형성하는 것이 어려운 성막 조건이 되는 일이 있다. 이러한 것을 고려하여, 규소계 재료의 위상 시프트막(3)을, 질소 함유량이 비교적 적은 저투과층과 질소 함유량이 비교적 많은 고투과층이 적층된 구조로 해도 된다. 이 경우, 저투과층은 메탈 모드의 스퍼터링으로 성막된 규소계 재료의 질화막으로 하고, 고투과층은 반응 모드(포이즌 모드)의 스퍼터링으로 성막된 규소계 재료의 질화막으로 하면 된다. 이렇게 함으로써, 성막 조건을 판정하기 어려운 전이 모드에서의 스퍼터링을 사용하는 일 없이, 원하는 투과율과 원하는 위상차의 조건을 만족시키는 위상 시프트막(3)을 형성할 수 있다.
규소계 재료의 위상 시프트막(3)에 있어서의 저투과층 및 고투과층은, 다른 막을 개재하지 않고, 직접 서로 접하여 적층하는 구조인 것이 바람직하다. 또, 저투과층 및 고투과층 중 어느 쪽에도 금속 원소를 함유하는 재료로 이루어지는 막이 접하지 않는 막 구조인 것이 바람직하다. 규소를 함유하는 막에 금속 원소를 함유하는 막이 접한 상태에서 가열 처리나 ArF 노광광의 조사가 행해지면, 금속 원소가 규소를 함유하는 막 중으로 확산하기 쉬운 경향이 있기 때문이다.
규소계 재료의 위상 시프트막(3)에 있어서의 저투과층 및 고투과층은, 같은 구성 원소로 이루어지는 것이 바람직하다. 저투과층 및 고투과층 중 어느 쪽이 다른 구성 원소를 포함하고 있고, 이들이 접하여 적층하고 있는 상태에서 가열 처리나 ArF 노광광의 조사가 행해진 경우, 그 다른 구성 원소가, 그 구성 원소를 포함하고 있지 않은 측의 층으로 이동하여 확산할 우려가 있다. 그리고, 저투과층 및 고투과층의 광학 특성이, 성막 당초부터 크게 바뀌어 버릴 우려가 있다. 위상 시프트막(3)에 있어서의 저투과층 및 고투과층의 에칭 스토퍼막(2)측으로부터의 적층 순서는 어떤 순서여도 된다.
규소계 재료의 위상 시프트막(3)은, 1층의 저투과층과 1층의 고투과층으로 이루어지는 1세트의 적층 구조를 2세트 이상 갖는 것이 바람직하다. 또, 저투과층 및 고투과층은, 어느 1층의 두께가 20nm 이하인 것이 바람직하다. 저투과층 및 고투과층은, 요구되는 광학 특성이 크게 다르기 때문에, 양자간에 있어서의 막 중의 질소 함유량의 차가 크다. 이 때문에, 저투과층 및 고투과층과의 사이에서, 불소계 가스에 의한 드라이 에칭에서의 에칭 레이트 차가 커져 있다. 위상 시프트막이, 1층의 저투과층과 1층의 고투과층으로 이루어지는 2층 구조로 한 경우, 불소계 가스에 의한 드라이 에칭으로 패턴을 형성할 때, 에칭 후에 있어서의 위상 시프트막의 패턴의 단면에서 단차가 생기기 쉬워진다. 위상 시프트막(3)을, 1층의 저투과층과 1층의 고투과층으로 이루어지는 1세트의 적층 구조를 2세트 이상 갖는 구조로 함으로써, 저투과층 및 고투과층의 각 층(1층)의 두께가 상기의 2층 구조(1세트의 적층 구조)의 경우에 비하여 얇아지기 때문에, 에칭 후에 있어서의 위상 시프트막의 패턴의 단면에서 발생하는 단차를 작게 할 수 있다. 또, 저투과층 및 고투과층에 있어서의 각 층(1층)의 두께를 20nm 이하로 제한함으로써, 에칭 후에 있어서의 위상 시프트막의 패턴의 단면에서 발생하는 단차를 보다 억제할 수 있다. 또, 저투과층 및 고투과층에 있어서의 각 층의 두께를 20nm 이하로 제한함으로써, EB 결함 수정 시에, 저투과층이 XeF2 등의 비여기(非勵起) 상태의 불소계 가스에 의해 에칭되는 것을 보다 억제할 수 있다.
규소계 재료의 위상 시프트막(3)은, 투광성 기판(1)으로부터 가장 떨어진 위치에, 규소, 질소 및 산소로 이루어지는 재료, 또는 당해 재료에 반금속 원소, 비금속 원소 및 희가스로부터 선택되는 하나 이상의 원소를 함유하는 재료로 형성된 최상층을 갖는다. 규소, 질소 및 산소로 이루어지는 재료, 또는 당해 재료에 반금속 원소, 비금속 원소 및 희가스로부터 선택되는 하나 이상의 원소를 함유하는 재료로 형성된 최상층은, 층의 두께 방향에서 거의 같은 조성인 구성 외, 층의 두께 방향에서 조성 경사진 구성(최상층이 투광성 기판(1)으로부터 멀어져 감에 따라 층 중의 산소 함유량이 증가해 가는 조성 경사를 갖는 구성)도 포함된다. 층의 두께 방향에서 거의 같은 조성인 구성의 최상층에 적합한 재료로는, SiO2나 SiON을 들 수 있다. 층의 두께 방향에서 조성 경사진 구성의 최상층으로는, 투광성 기판(1)측이 SiN이며, 투광성 기판(1)으로부터 멀어져 감에 따라 산소 함유량이 증가하여 표층이 SiO2 또는 SiON인 구성인 것이 바람직하다.
규소계 재료의 위상 시프트막(3)에 있어서의 저투과층, 고투과층 및 최상층은, 스퍼터링에 의해 형성되지만, DC 스퍼터링, RF 스퍼터링 및 이온 빔 스퍼터링 등 중 어느 스퍼터링도 적용 가능하다. 전도성이 낮은 타겟(규소 타겟, 반금속 원소를 함유하지 않는 또는 함유량이 적은 규소 화합물 타겟 등)을 이용하는 경우에 있어서는, RF 스퍼터링이나 이온 빔 스퍼터링을 적용하는 것이 바람직하지만, 성막 레이트를 고려하면, RF 스퍼터링을 적용하는 것이 보다 바람직하다.
EB 결함 수정의 에칭 종점 검출은, 흑결함에 대해 전자선을 조사했을 때에, 조사를 받은 부분으로부터 방출되는 오제 전자, 2차 전자, 특성 X선, 후방 산란 전자 중 적어도 어느 하나를 검출함으로써 행해지고 있다. 예를 들면, 전자선의 조사를 받은 부분으로부터 방출되는 오제 전자를 검출하는 경우에는, 오제 전자 분광 법(AES)에 의해, 주로 재료 조성의 변화를 보고 있다. 또, 2차 전자를 검출하는 경우에는, SEM 상(像)으로부터 주로 표면 형상의 변화를 보고 있다. 또한, 특성 X선을 검출하는 경우에는, 에너지 분산형 X선 분광법(EDX)이나 파장 분산 X선 분광법(WDX)에 의해, 주로 재료 조성의 변화를 보고 있다. 후방 산란 전자를 검출하는 경우에는, 전자선 후방 산란 회절법(EBSD)에 의해, 주로 재료의 조성이나 결정 상태의 변화를 보고 있다.
유리 재료로 이루어지는 투광성 기판(1)의 주표면에 접하여 규소계 재료의 위상 시프트막(단층막, 다층막 모두)(3)이 설치된 구성의 마스크 블랭크는, 위상 시프트막(3)이 규소와 질소가 대부분의 성분인 것에 비해, 투광성 기판(1)이 규소와 산소가 대부분의 성분이며, 양자의 차는 실질적으로 산소와 질소밖에 없다. 이 때문에, EB 결함 수정의 에칭 수정의 검출이 어려운 조합이었다. 이에 비해, 에칭 스토퍼막(2)의 표면에 접하여 위상 시프트막(3)이 설치된 구성의 경우, 위상 시프트막(3)이 규소와 질소가 대부분의 성분인 것에 비해, 에칭 스토퍼막(2)이 규소와 산소 외에 알루미늄을 포함하고 있다. 이 때문에, EB 결함 수정의 에칭 수정에서는, 알루미늄의 검출을 기준으로 하면 되고, 종점 검출이 비교적 용이해진다.
한편, 위상 시프트막(3)은, 전이금속, 규소 및 질소를 함유하는 재료로 형성할 수 있다. 이 경우의 전이금속으로는, 몰리브덴(Mo), 탄탈(Ta), 텅스텐(W), 티탄(Ti), 크롬(Cr), 하프늄(Hf), 니켈(Ni), 바나듐(V), 지르코늄(Zr), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 아연(Zn), 니오브(Nb) 및 팔라듐(Pd) 등 중 어느 하나 이상의 금속 또는 이들 금속의 합금을 들 수 있다. 위상 시프트막(3)의 재료로는, 상기의 원소에 더하여, 질소(N), 산소(O), 탄소(C), 수소(H) 및 붕소(B) 등의 원소가 포함되어도 된다. 또, 위상 시프트막(3)의 재료로는, 헬륨(He), 아르곤(Ar), 크립톤(Kr) 및 크세논(Xe) 등의 불활성 가스가 포함되어도 된다. EB 결함 수정의 에칭 종점의 검출을 고려하면, 이 위상 시프트막(3)에는 알루미늄을 함유시키지 않는 것이 바람직하다.
위상 시프트막(3)은, 막 중의 전이금속(M)의 함유량[원자％]을, 전이금속(M)과 규소(Si)와의 합계 함유량[원자％]으로 나눠 산출한 비율(이하, M/[M+Si] 비율이라고 한다.)이 0.15 이하인 것이 요구된다. 이 위상 시프트막(3)은, 전이금속의 함유량이 많아짐에 따라, 탄소를 함유하지 않는 불소계 가스(SF6 등)에 의한 드라이 에칭의 에칭 레이트가 빨라져, 투광성 기판(1)과의 사이에서의 에칭 선택성이 얻어지기 쉬워지지만, 그래도 충분하다고는 하기 어렵다. 또, 위상 시프트막(3)의 M/[M+Si] 비율이 이것보다도 많아지면, 원하는 투과율을 얻기 위해 산소를 많이 함유시킬 필요가 생겨, 위상 시프트막(3)의 두께가 두꺼워질 우려가 있어 바람직하지 않다.
위상 시프트막(3) 중의 전이금속의 함유량이 많으면, ArF 노광광의 조사에 대한 내성(ArF 내광성)이 저하되는 기술적 과제도 있다. 이 과제는, 위상 시프트 마스크를 노광 장치의 마스크 스테이지에 세트하여 노광 전사할 때에, 위상 시프트 마스크의 주위를 수분이 극력 적은 기체(예를 들면, 드라이 에어의 분위기)로 함으로써 어느 정도 해결 가능하다. 그러나, 그와 같은 환경이 아니어도 ArF 노광광의 조사에 대한 내성이 높은 위상 시프트 마스크에 대한 요구도 아직 존재한다. 이러한 점을 고려한 경우, 위상 시프트막(3)의 M/[M+Si] 비율이, 0.04 미만인 것이 바람직하다. 위상 시프트막(3) 중에 있어서의 M/[M+Si] 비율은, 0.03 이하이면 보다 바람직하고, 0.02 이하이면 더욱 바람직하다.
한편, 위상 시프트막(3)에 있어서의 M/(M+Si) 비율은, 0.01 이상으로 하는 것이 바람직하다. 마스크 블랭크로부터 위상 시프트 마스크를 제작할 때, 위상 시프트막(3)의 패턴에 존재하는 흑결함에 대해 전자선 조사와 XeF2 등의 비여기 가스에 의한 결함 수정을 적용할 때에, 위상 시프트막(3)의 시트 저항이 낮은 쪽이 바람직하기 때문이다.
차광막(4)은 단층 구조 및 2층 이상의 적층 구조 중 어느 쪽도 적용 가능하다. 또, 단층 구조의 차광막 및 2층 이상의 적층 구조의 차광막의 각 층은, 막 또는 층의 두께 방향에서 거의 같은 조성인 구성이어도, 층의 두께 방향에서 조성 경사진 구성이어도 된다.
도 1에 기재한 마스크 블랭크(100)는 위상 시프트막(3)의 위에, 다른 막을 개재하지 않고 차광막(4)을 적층한 구성으로 되어 있다. 이 구성의 경우의 차광막(4)에서는 위상 시프트막(3)에 패턴을 형성할 때에 이용되는 에칭 가스에 대해 충분한 에칭 선택성을 갖는 재료를 적용할 필요가 있다.
이 경우의 차광막(4)은, 크롬을 함유하는 재료로 형성하는 것이 바람직하다. 차광막(4)을 형성하는 크롬을 함유하는 재료로는, 크롬 금속 외, 크롬(Cr)에 산소(O), 질소(N), 탄소(C), 붕소(B) 및 불소(F)로부터 선택되는 하나 이상의 원소를 함유하는 재료를 들 수 있다. 일반적으로, 크롬계 재료는, 염소계 가스와 산소 가스의 혼합 가스로 에칭되지만, 크롬 금속은 이 에칭 가스에 대한 에칭 레이트가 그다지 높지 않다. 염소계 가스와 산소 가스의 혼합 가스의 에칭 가스에 대한 에칭 레이트를 높이는 점을 고려하면, 차광막(4)을 형성하는 재료로는, 크롬에 산소, 질소, 탄소, 붕소 및 불소로부터 선택되는 하나 이상의 원소를 함유하는 재료가 바람직하다. 또, 차광막(4)을 형성하는 크롬을 함유하는 재료에 몰리브덴(Mo), 인듐(In) 및 주석(Sn) 중 하나 이상의 원소를 함유시켜도 된다. 몰리브덴, 인듐 및 주석 중 하나 이상의 원소를 함유시킴으로써, 염소계 가스와 산소 가스의 혼합 가스에 대한 에칭 레이트를 보다 빠르게 할 수 있다.
또한, 본 발명의 마스크 블랭크는, 도 1에 나타낸 것에 한정되는 것은 아니고, 위상 시프트막(3)과 차광막(4)의 사이에 다른 막(에칭 마스크 겸 스토퍼막)을 개재하도록 구성해도 된다. 이 경우에서는, 상기의 크롬을 함유하는 재료로 에칭 마스크 겸 스토퍼막을 형성하고, 규소를 함유하는 재료로 차광막(4)을 형성하는 구성으로 하는 것이 바람직하다.
차광막(4)을 형성하는 규소를 함유하는 재료에는, 전이금속을 함유시켜도 되고, 전이금속 이외의 금속 원소를 함유시켜도 된다. 차광막(4)에 형성되는 패턴은, 기본적으로 외주 영역의 차광대 패턴이며, 전사용 패턴 영역에 비해 ArF 노광광의 적산 조사량이 적은 것이나, 이 외주 영역에 미세 패턴이 배치되어 있는 것은 드물어, ArF 내광성이 낮아도 실질적인 문제가 생기기 어렵기 때문이다. 또, 차광막(4)에 전이금속을 함유시키면, 함유시키지 않는 경우에 비해 차광 성능이 크게 향상하여, 차광막(4)의 두께를 얇게 하는 것이 가능하게 되기 때문이다. 차광막(4)에 함유시키는 전이금속으로는, 몰리브덴(Mo), 탄탈(Ta), 텅스텐(W), 티탄(Ti), 크롬(Cr), 하프늄(Hf), 니켈(Ni), 바나듐(V), 지르코늄(Zr), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 니오브(Nb), 팔라듐(Pd) 등 중 어느 하나의 금속 또는 이들 금속의 합금을 들 수 있다.
차광막(4)은, 위상 시프트 마스크의 완성 후에 있어서, 위상 시프트막(3)과의 적층 구조로 차광대 등을 형성한다. 이 때문에, 차광막(4)은 위상 시프트막(3)과의 적층 구조에서, 2.0보다도 큰 광학 농도(OD)를 확보하는 것이 요구되고, 2.8 이상의 OD이면 바람직하며, 3.0 이상의 OD가 있으면 보다 바람직하다.
본 실시형태에서는, 차광막(4) 상에 적층한 하드 마스크막(5)을, 차광막(4)을 에칭할 때에 이용되는 에칭 가스에 대해 에칭 선택성을 갖는 재료로 형성하고 있다. 이것에 의해, 이하에 서술하는 바와 같이, 레지스트막을 차광막(4)의 마스크로서 직접 이용하는 경우보다도 레지스트막의 두께를 대폭 얇게 할 수 있다.
차광막(4)은, 상기와 같이, 소정의 광학 농도를 확보하여 충분한 차광 기능을 가질 필요가 있기 때문에, 그 두께의 저감에는 한계가 있다. 한편, 하드 마스크막(5)은, 그 바로 아래의 차광막(4)에 패턴을 형성하는 드라이 에칭이 끝날 때까지의 동안, 에칭 마스크로서 기능할 수 있을 만큼의 막 두께가 있으면 충분하며, 기본적으로 광학면에서의 제한을 받지 않는다. 이 때문에, 하드 마스크막(5)의 두께는, 차광막(4)의 두께에 비하여 대폭 얇게 할 수 있다. 그리고, 유기계 재료의 레지스트막은, 이 하드 마스크막(5)에 패턴을 형성하는 드라이 에칭이 끝날 때까지의 동안, 에칭 마스크로서 기능할 만큼의 막 두께가 있으면 충분하므로, 레지스트막을 차광막(4)의 마스크로서 직접 이용하는 경우보다도 레지스트막의 막 두께를 대폭 얇게 할 수 있다. 이와 같이 레지스트막을 박막화할 수 있기 때문에, 레지스트 해상도를 향상할 수 있는 동시에, 형성되는 패턴의 도괴(倒壞)를 방지할 수 있다.
이와 같이, 차광막(4) 상에 적층한 하드 마스크막(5)을 상술한 재료로 형성하는 것이 바람직하지만, 본 발명은, 이 실시형태에 한정되는 것은 아니고, 마스크 블랭크(100)에 있어서, 하드 마스크막(5)을 형성하지 않고, 차광막(4) 상에 레지스트 패턴을 직접 형성하고, 그 레지스트 패턴을 마스크로 하여 차광막(4)의 에칭을 직접 행하도록 해도 된다.
이 하드 마스크막(5)은, 차광막(4)이 크롬을 함유하는 재료로 형성되어 있는 경우는 상기의 규소를 함유하는 재료로 형성되는 것이 바람직하다. 여기에서, 이 경우의 하드 마스크막(5)은, 유기계 재료의 레지스트막과의 밀착성이 낮은 경향이 있기 때문에, 하드 마스크막(5)의 표면을 HMDS(Hexamethyldisilazane) 처리를 시행하여 표면의 밀착성을 향상시키는 것이 바람직하다. 또한, 이 경우의 하드 마스크막(5)은, SiO2, SiN, SiON 등으로 형성되면 보다 바람직하다.
또, 차광막(4)이 크롬을 함유하는 재료로 형성되어 있는 경우에 있어서의 하드 마스크막(5)의 재료로서, 탄탈을 함유하는 재료도 적용 가능하다. 이 경우에 있어서의 탄탈을 함유하는 재료로는, 탄탈 금속 외, 탄탈에 질소, 산소, 붕소 및 탄소로부터 선택되는 하나 이상의 원소를 함유시킨 재료 등을 들 수 있다. 예를 들면, Ta, TaN, TaO, TaON, TaBN, TaBO, TaBON, TaCN, TaCO, TaCON, TaBCN, TaBOCN 등을 들 수 있다. 또한, 이 경우에 있어서의 하드 마스크막(5)의 규소의 함유량은, 5 원자％ 이하인 것이 바람직하고, 3 원자％ 이하이면 보다 바람직하며, 실질적으로 함유하고 있지 않으면 더욱 바람직하다. 또, 하드 마스크막(5)은, 차광막(4)이 규소를 함유하는 재료로 형성되어 있는 경우, 상기의 크롬을 함유하는 재료로 형성되는 것이 바람직하다.
마스크 블랭크(100)에 있어서, 하드 마스크막(5)의 표면에 접하고, 유기계 재료의 레지스트막이 100nm 이하의 막 두께로 형성되어 있는 것이 바람직하다. DRAM hp32nm 세대에 대응하는 미세 패턴의 경우, 하드 마스크막(5)에 형성해야 할 전사용 패턴(위상 시프트 패턴)에, 선 폭이 40nm의 SRAF(Sub-Resolution Assist Feature)가 설치되는 일이 있다. 이와 같은 경우라도, 레지스트 패턴의 단면 애스팩트비는 1:2.5로 낮아지므로, 레지스트막의 현상 시, 린스 시 등에 레지스트 패턴이 도괴하는 것이나 이탈하는 것이 억제된다. 또한, 레지스트막의 막 두께는, 80nm 이하이면, 레지스트 패턴의 도괴나 이탈이 더욱 억제되기 때문에, 보다 바람직하다.
에칭 스토퍼막(2), 위상 시프트막(3), 차광막(4), 하드 마스크막(5)은, 스퍼터링에 의해 형성되는데, DC 스퍼터링, RF 스퍼터링 및 이온 빔 스퍼터링 등 중 어떤 스퍼터링도 적용 가능하다. 전도성이 낮은 타겟을 이용하는 경우에 있어서는, RF 스퍼터링이나 이온 빔 스퍼터링을 적용하는 것이 바람직하지만, 성막 레이트를 고려하면, RF 스퍼터링을 적용하면 보다 바람직하다.
에칭 스토퍼막(2)의 성막 방법에 관해서는, 성막실 내에 규소 및 산소의 혼합 타겟과 알루미늄 및 산소의 혼합 타겟인 2개의 타겟을 배치하고, 투광성 기판(1) 상에 에칭 스토퍼막(2)을 형성하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 그 성막실 내의 기판 스테이지에 투광성 기판(1)을 배치하고, 아르곤 가스 등의 희가스 분위기하(또는, 산소 가스 또는 산소를 함유하는 가스와의 혼합 가스 분위기)에서, 2개의 타겟의 각각에 소정의 전압을 인가한다(이 경우, RF 전원이 바람직하다.). 이것에 의해, 플라즈마화한 희가스 입자가 2개의 타겟에 충돌하여 각각 스퍼터 현상이 일어나고, 투광성 기판(1)의 표면에 규소, 알루미늄 및 산소를 함유하는 에칭 스토퍼막(2)이 형성된다. 또한, 이 경우의 2개의 타겟에 SiO2 타겟과 Al2O3 타겟을 적용하면 보다 바람직하다.
이 외에, 규소, 알루미늄 및 산소의 혼합 타겟(바람직하게는, SiO2와 Al2O3의 혼합 타겟, 이하 동일.)만으로 에칭 스토퍼막(2)을 형성해도 되고, 규소, 알루미늄 및 산소의 혼합 타겟과 규소 타겟, 또는 알루미늄 및 산소의 혼합 타겟과 알루미늄 타겟인 2개의 타겟을 동시 방전시켜 에칭 스토퍼막(2)을 형성해도 된다.
이상과 같이, 이 실시형태 1의 마스크 블랭크(100)는, 투광성 기판(1)과 패턴 형성용 박막인 위상 시프트막(3)의 사이에, 규소, 알루미늄 및 산소를 함유하는 에칭 스토퍼막(2)을 구비하고 있다. 그리고, 이 에칭 스토퍼막(2)은, 위상 시프트막(3)에 패턴을 형성할 때에 행해지는 불소계 가스에 의한 드라이 에칭에 대한 내성이 투광성 기판(1)에 비해 높고, 약액 세정에 대한 내성도 높으며, 노광광에 대한 투과율도 높다는 3가지의 특성을 동시에 만족시킨다. 이것에 의해, 불소계 가스에 의한 드라이 에칭으로 위상 시프트막(3)에 전사 패턴을 형성할 때, 투광성 기판(1)의 주표면을 파고 들어가는 일 없이 오버 에칭을 행할 수 있기 때문에, 패턴 측벽의 수직성을 높일 수 있고, 또 패턴의 면 내의 CD 균일성을 높일 수 있다. 또, 위상 시프트 마스크의 제조 도중에 발견된 위상 시프트 패턴의 흑결함을 EB 결함 수정으로 수정할 때, 에칭 종점을 검출하기 쉽기 때문에, 정밀도 좋게 흑결함을 수정할 수 있다.
[위상 시프트 마스크와 그 제조]
이 제 1 실시형태에 관한 위상 시프트 마스크(200)(도 2 참조)는, 마스크 블랭크(100)의 에칭 스토퍼막(2)은 투광성 기판(1)의 주표면 상의 전면(全面)에서 남겨지고, 위상 시프트막(3)에 전사용 패턴(위상 시프트 패턴(3a))이 형성되며, 차광막(4)에 차광대를 포함하는 패턴(차광 패턴(4b): 차광대, 차광 패치 등)이 형성되어 있는 것을 특징으로 하고 있다. 마스크 블랭크(100)에 하드 마스크막(5)이 설치되어 있는 구성의 경우, 이 위상 시프트 마스크(200)의 제작 도중에 하드 마스크막(5)은 제거된다.
즉, 이 제 1 실시형태에 관한 위상 시프트 마스크(200)는, 투광성 기판(1)의 주표면 상에 전사 패턴을 갖는 위상 시프트막인 위상 시프트 패턴(3a)을 구비하고, 위상 시프트 패턴(3a) 상에 차광대를 포함하는 패턴을 갖는 차광막인 차광 패턴(4b)을 구비하며, 투광성 기판(1)과 위상 시프트 패턴(3a)의 사이에 에칭 스토퍼막(2)을 구비하고, 위상 시프트 패턴(3a)은 규소를 함유하며, 에칭 스토퍼막(2)은 규소, 알루미늄 및 산소를 함유하는 것을 특징으로 하는 것이다.
이 제 1 실시형태에 관한 위상 시프트 마스크의 제조 방법은, 상기의 마스크 블랭크(100)를 이용하는 것이며, 드라이 에칭에 의해 차광막(4)에 전사용 패턴을 형성하는 공정과, 전사용 패턴을 갖는 차광막(4)을 마스크로 하여, 불소계 가스를 이용하는 드라이 에칭에 의해 위상 시프트막(3)에 전사용 패턴을 형성하는 공정과, 드라이 에칭에 의해 차광막(4)에 차광대를 포함하는 패턴(차광대, 차광 패치 등)을 형성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하고 있다. 이하, 도 3에 나타내는 제조 공정에 따라, 이 제 1 실시형태에 관한 위상 시프트 마스크(200)의 제조 방법을 설명한다. 또한, 여기에서는, 차광막(4)의 위에 하드 마스크막(5)이 적층된 마스크 블랭크(100)를 이용한 위상 시프트 마스크(200)의 제조 방법에 대해 설명한다. 또, 차광막(4)에는 크롬을 함유하는 재료를 적용하고, 하드 마스크막(5)에는 규소를 함유하는 재료를 적용하고 있는 경우에 대해 설명한다.
우선, 마스크 블랭크(100)에 있어서의 하드 마스크막(5)에 접하고, 레지스트막을 스핀 도포법에 의해 형성한다. 다음으로, 레지스트막에 대해, 위상 시프트막(3)에 형성해야 할 전사용 패턴(위상 시프트 패턴)인 제 1 패턴을 전자선으로 묘화하고, 추가로 현상 처리 등의 소정의 처리를 행하여, 위상 시프트 패턴을 갖는 제 1 레지스트 패턴(6a)을 형성한다(도 3(A) 참조). 계속해서, 제 1 레지스트 패턴(6a)을 마스크로 하여, 불소계 가스를 이용한 드라이 에칭을 행해 하드 마스크막(5)에 제 1 패턴(하드 마스크 패턴(5a))을 형성한다(도 3(B) 참조).
다음으로, 레지스트 패턴(6a)을 제거하고 나서, 하드 마스크 패턴(5a)을 마스크로 하여, 염소계 가스와 산소 가스의 혼합 가스를 이용한 드라이 에칭을 행해 차광막(4)에 제 1 패턴(차광 패턴(4a))을 형성한다(도 3(C) 참조). 계속해서, 차광 패턴(4a)을 마스크로 하여, 불소계 가스를 이용한 드라이 에칭을 행해 위상 시프트막(3)에 제 1 패턴(위상 시프트 패턴(3a))을 형성하고, 또한 동시에 하드 마스크 패턴(5a)도 제거한다(도 3(D) 참조).
이 위상 시프트막(3)의 불소계 가스에 의한 드라이 에칭 시에, 위상 시프트 패턴(3a)의 패턴 측벽의 수직성을 높이기 위해, 또 위상 시프트 패턴(3a)의 면 내의 CD 균일성을 높이기 위해 추가의 에칭(오버 에칭)을 행하고 있다. 그 오버 에칭 후에 있어서도, 에칭 스토퍼막(2)의 표면은 미소하게 에칭된 정도이며, 위상 시프트 패턴(3a)의 투광부에 있어서 투광성 기판(1)의 표면은 노출되어 있지 않다.
다음으로, 마스크 블랭크(100) 상에 레지스트막을 스핀 도포법에 의해 형성한다. 그 후, 레지스트막에 대해, 차광막(4)에 형성해야 할 패턴(차광 패턴)인 제 2 패턴을 전자선으로 묘화하고, 추가로 현상 처리 등의 소정의 처리를 행하여, 차광 패턴을 갖는 제 2 레지스트 패턴(7b)을 형성한다(도 3(E) 참조). 여기에서, 제 2 패턴은 비교적 큰 패턴이므로, 전자선을 이용한 묘화로 바꾸어, 스루풋이 높은 레이저 묘화 장치에 의한 레이저 광을 이용한 노광 묘화로 하는 것도 가능하다.
계속해서, 제 2 레지스트 패턴(7b)을 마스크로 하여, 염소계 가스와 산소 가스의 혼합 가스를 이용한 드라이 에칭을 행해 차광막(4)에 제 2 패턴(차광 패턴(4b))을 형성한다. 또한, 제 2 레지스트 패턴(7b)을 제거하여 세정 등의 소정의 처리를 거쳐 위상 시프트 마스크(200)를 얻는다(도 3(F) 참조). 세정 공정에 있어서, 암모니아 과수를 이용했지만, 에칭 스토퍼막(2)의 표면은 거의 용해되어 있지 않아, 위상 시프트 패턴(3a)의 투광부에 있어서 투광성 기판(1)의 표면은 노출되어 있지 않다.
상기의 드라이 에칭에서 사용되는 염소계 가스로는, 염소(Cl)가 포함되어 있으면 특별히 제한은 없다. 예를 들면, Cl2, SiCl2, CHCl3, CH2Cl2, BCl3 등을 들 수 있다. 또, 마스크 블랭크(100)는, 투광성 기판(1) 상에 에칭 스토퍼막(2)을 구비하고 있기 때문에, 상기의 드라이 에칭에서 사용되는 불소계 가스는, 불소(F)가 포함되어 있으면 특별히 제한은 없다. 예를 들면, CHF3, CF4, C2F6, C4F8, SF6 등을 들 수 있다.
이 실시형태 1의 위상 시프트 마스크(200)는, 상기의 마스크 블랭크(100)를 이용하여 제작된 것이다. 에칭 스토퍼막(2)은, 위상 시프트막(3)에 패턴을 형성할 때에 행해지는 불소계 가스에 의한 드라이 에칭에 대한 내성이 투광성 기판에 비해 높고, 약액 세정에 대한 내성도 높으며, 노광광에 대한 투과율도 높다는 3가지의 특성을 동시에 만족시키고 있다. 이것에 의해, 불소계 가스에 의한 드라이 에칭으로 위상 시프트막(3)에 위상 시프트 패턴(전사 패턴)(3a)을 형성할 때, 투광성 기판(1)의 주표면을 파고 들어가는 일 없이 오버 에칭을 행할 수 있다. 이 때문에, 이 실시형태 1의 위상 시프트 마스크(200)는, 위상 시프트 패턴(3a)의 측벽의 수직성이 높고, 위상 시프트 패턴(3a)의 면 내의 CD 균일성도 높다. 또, 위상 시프트 마스크(200)의 제조 도중에, 위상 시프트 패턴(3a)에 흑결함이 발견되어, 그 흑결함에 대해 EB 결함 수정으로 수정할 때, 에칭 종점을 검출하기 쉽기 때문에, 정밀도 좋게 흑결함을 수정할 수 있다.
[반도체 디바이스의 제조]
실시형태 1의 반도체 디바이스의 제조 방법은, 실시형태 1의 위상 시프트 마스크(200) 또는 실시형태 1의 마스크 블랭크(100)를 이용해 제조된 위상 시프트 마스크(200)를 이용하여, 반도체 기판 상의 레지스트막에 전사용 패턴을 노광 전사하는 것을 특징으로 하고 있다. 실시형태 1의 위상 시프트 마스크(200)는 위상 시프트 패턴(3a)의 측벽의 수직성이 높고, 위상 시프트 패턴(3a)의 면 내의 CD 균일성도 높다. 이 때문에, 실시형태 1의 위상 시프트 마스크(200)를 이용하여 반도체 디바이스 상의 레지스트막에 노광 전사하면, 반도체 디바이스 상의 레지스트막에 설계 사양을 충분히 만족시키는 정밀도로 패턴을 형성할 수 있다.
또, 그 제조 도중에 흑결함 부분을 EB 결함 수정으로 수정한 위상 시프트 마스크를 이용하여 반도체 디바이스 상의 레지스트막에 노광 전사한 경우에 있어서도, 정밀도 좋게 흑결함이 수정되어 있어, 그 위상 시프트 마스크의 흑결함이 존재하고 있던 패턴 부분에 대응하는 반도체 디바이스 상의 레지스트막에 전사 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 이 때문에, 이 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 피가공막을 드라이 에칭하여 회로 패턴을 형성한 경우, 정밀도 부족이나 전사 불량에 기인하는 배선 단락(短絡)이나 단선(斷線)이 없는 고정밀도이고 제품 수율이 높은 회로 패턴을 형성할 수 있다.
＜제 2 실시형태＞
[마스크 블랭크와 그 제조]
본 발명의 제 2 실시형태에 관한 마스크 블랭크는, 패턴 형성용 박막을 소정의 광학 농도를 갖는 차광막으로 한 것이며, 바이너리형 마스크(전사용 마스크), 굴입(堀入) 레벤손형 위상 시프트 마스크(전사용 마스크), 또는 CPL(Chromeless Phase Lithography) 마스크(전사용 마스크)를 제조하기 위해 이용되는 것이다. 도 4에, 이 제 2 실시형태의 마스크 블랭크의 구성을 나타낸다. 이 제 2 실시형태의 마스크 블랭크(110)는, 투광성 기판(1) 상에, 에칭 스토퍼막(2), 차광막(패턴 형성용 박막)(8), 하드 마스크막(9)이 차례로 적층된 구조로 이루어지는 것이다. 또한, 제 1 실시형태의 마스크 블랭크와 같은 구성에 대해서는 동일한 부호를 사용하고, 여기에서의 설명을 생략한다.
차광막(8)은, 마스크 블랭크로부터 바이너리형 마스크가 제조되었을 때에, 전사 패턴이 형성되는 패턴 형성용 박막이다. 바이너리형 마스크는 차광막(8)의 패턴에 높은 차광 성능이 요구된다. 차광막(8)만으로 노광광에 대한 OD가 2.8 이상인 것이 요구되고, 3.0 이상의 OD가 있으면 보다 바람직하다. 차광막(8)은, 단층 구조 및 2층 이상의 적층 구조 중 어느 쪽도 적용 가능하다. 또, 단층 구조의 차광막 및 2층 이상의 적층 구조의 차광막의 각 층은, 막 또는 층의 두께 방향에서 거의 같은 조성인 구성이어도 되고, 층의 두께 방향에서 조성 경사진 구성이어도 된다.
차광막(8)은, 불소계 가스에 의한 드라이 에칭으로 전사 패턴을 패터닝 가능한 재료로 형성된다. 이와 같은 특성을 갖는 재료로는, 규소를 함유하는 재료 외, 전이금속 및 규소를 함유하는 재료를 들 수 있다. 전이금속 및 규소를 함유하는 재료는, 전이금속을 함유하지 않는 규소를 함유하는 재료에 비해 차광 성능이 높아, 차광막(8)의 두께를 얇게 하는 것이 가능해진다. 차광막(8)에 함유시키는 전이금속으로는, 몰리브덴(Mo), 탄탈(Ta), 텅스텐(W), 티탄(Ti), 크롬(Cr), 하프늄(Hf), 니켈(Ni), 바나듐(V), 지르코늄(Zr), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 니오브(Nb), 팔라듐(Pd) 등 중 어느 하나의 금속 또는 이들 금속의 합금을 들 수 있다. EB 결함 수정의 에칭 종점의 검출을 고려하면, 이 차광막(8)에는 알루미늄을 함유시키지 않는 것이 바람직하다.
규소를 함유하는 재료로 차광막(8)을 형성하는 경우, 전이금속 이외의 금속(주석(Sn), 인듐(In), 갈륨(Ga) 등)을 함유시켜도 된다. 단, 규소를 함유하는 재료에 알루미늄을 함유시키면, 에칭 스토퍼막(2)과의 사이에 있어서의 불소계 가스에 의한 드라이 에칭의 에칭 선택성이 저하하는 경우가 있고, 차광막(8)에 대해 EB 결함 수정을 행했을 때에 에칭 종점을 검출하기 어려워지는 일이 있다.
차광막(8)은, 규소와 질소로 이루어지는 재료, 또는 규소와 질소로 이루어지는 재료에 반금속 원소, 비금속 원소 및 희가스로부터 선택되는 하나 이상의 원소를 함유하는 재료로 형성할 수 있다. 이 경우의 차광막(8)에는 어느 반금속 원소를 함유해도 된다. 이 반금속 원소 중에서도, 붕소, 게르마늄, 안티몬 및 텔루르로부터 선택되는 하나 이상의 원소를 함유시키면, 차광막(8)을 스퍼터링법으로 성막할 때에 타겟으로서 이용하는 규소의 전도성을 높이는 것을 기대할 수 있기 때문에 바람직하다.
차광막(8)은, 하층과 상층을 포함하는 적층 구조인 경우, 하층을 규소로 이루어지는 재료 또는 규소에 탄소, 붕소, 게르마늄, 안티몬 및 텔루르로부터 선택되는 하나 이상의 원소를 함유하는 재료로 형성하고, 상층을 규소와 질소로 이루어지는 재료 또는 규소와 질소로 이루어지는 재료에 반금속 원소, 비금속 원소 및 희가스로부터 선택되는 하나 이상의 원소를 함유하는 재료로 형성할 수 있다.
차광막(8)은, 탄탈을 함유하는 재료로 형성해도 된다. 이 경우에, 차광막(8)의 규소의 함유량은, 5 원자％ 이하인 것이 바람직하고, 3 원자％ 이하이면 보다 바람직하며, 실질적으로 함유하지 않으면 더욱 바람직하다. 이들 탄탈을 함유하는 재료는, 불소계 가스에 의한 드라이 에칭으로 전사 패턴을 패터닝 가능한 재료이다. 이 경우에 있어서의 탄탈을 함유하는 재료로는, 탄탈 금속 외, 탄탈에 질소, 산소, 붕소 및 탄소로부터 선택되는 하나 이상의 원소를 함유시킨 재료 등을 들 수 있다. 예를 들면, Ta, TaN, TaO, TaON, TaBN, TaBO, TaBON, TaCN, TaCO, TaCON, TaBCN, TaBOCN 등을 들 수 있다.
차광막(8)을 형성하는 재료에는, 광학 농도가 크게 저하하지 않는 범위이면, 산소, 질소, 탄소, 붕소, 수소로부터 선택되는 하나 이상의 원소를 함유시켜도 된다. 차광막(8)의 투광성 기판(1)과는 반대측의 표면에 있어서의 노광광에 대한 반사율을 저감시키기 위해, 그 투광성 기판(1)과는 반대측의 표층(하층과 상층의 2층 구조의 경우에는 상층.)에 산소나 질소를 많이 함유시켜도 된다.
이 실시형태 2의 마스크 블랭크에 있어서도, 차광막(8) 상에 하드 마스크막(9)을 구비하고 있다. 이 하드 마스크막(9)은, 차광막(8)을 에칭할 때에 이용되는 에칭 가스에 대해 에칭 선택성을 갖는 재료로 형성할 필요가 있다. 이것에 의해, 레지스트막을 차광막(8)의 마스크로서 직접 이용하는 경우보다도 레지스트막의 두께를 대폭 얇게 할 수 있다.
차광막(8)은, 상기와 같이, 소정의 광학 농도를 확보하여 충분한 차광 기능을 가질 필요가 있기 때문에, 그 두께의 저감에는 한계가 있다. 한편, 하드 마스크막(9)은, 그 바로 아래의 차광막(8)에 패턴을 형성하는 드라이 에칭이 끝날 때까지의 동안, 에칭 마스크로서 기능할 수 있을 만큼의 막 두께가 있으면 충분하며, 기본적으로 광학면에서의 제한을 받지 않는다. 이 때문에, 하드 마스크막(9)의 두께는, 차광막(8)의 두께에 비하여 대폭 얇게 할 수 있다. 그리고, 유기계 재료의 레지스트막은, 이 하드 마스크막(9)에 패턴을 형성하는 드라이 에칭이 끝날 때까지의 동안, 에칭 마스크로서 기능할 만큼의 막 두께가 있으면 충분하므로, 레지스트막을 차광막(8)의 마스크로서 직접 이용하는 경우보다도 레지스트막의 막 두께를 대폭 얇게 할 수 있다. 이와 같이 레지스트막을 박막화할 수 있기 때문에, 레지스트 해상도를 향상할 수 있는 동시에, 형성되는 패턴의 도괴를 방지할 수 있다.
이 하드 마스크막(9)은, 크롬을 함유하는 재료로 형성하는 것이 바람직하다. 또, 하드 마스크막(9)은, 크롬 외에, 질소, 산소, 탄소, 수소 및 붕소로부터 선택되는 하나 이상의 원소를 함유시킨 재료로 형성하면 보다 바람직하다. 하드 마스크막(9)은, 이들 크롬을 함유하는 재료에, 인듐(In), 주석(Sn) 및 몰리브덴(Mo)으로부터 선택되는 적어도 하나 이상의 금속 원소(이하, 이들 금속 원소를 「인듐 등 금속 원소」라고 한다.)를 함유시킨 재료로 형성해도 된다.
이 마스크 블랭크(110)에 있어서, 하드 마스크막(9)의 표면에 접하고, 유기계 재료의 레지스트막이 100nm 이하의 막 두께로 형성되어 있는 것이 바람직하다. DRAM hp32nm 세대에 대응하는 미세 패턴의 경우, 하드 마스크막(9)에 형성해야 할 전사용 패턴(위상 시프트 패턴)에, 선 폭이 40nm의 SRAF(Sub-Resolution Assist Feature)가 설치되는 일이 있다. 이와 같은 경우라도, 레지스트 패턴의 단면 애스팩트비는 1:2.5로 낮아지므로, 레지스트막의 현상 시, 린스 시 등에 레지스트 패턴이 도괴하는 것이나 이탈하는 것이 억제된다. 또한, 레지스트막의 막 두께는, 80nm 이하이면, 레지스트 패턴의 도괴나 이탈이 더욱 억제되기 때문에, 보다 바람직하다.
이상과 같이, 이 실시형태 2의 마스크 블랭크(110)는, 투광성 기판(1)과 패턴 형성용 박막인 차광막(8)의 사이에, 규소, 알루미늄 및 산소를 함유하는 에칭 스토퍼막(2)을 구비하고 있다. 그리고, 이 에칭 스토퍼막(2)은, 차광막(8)에 패턴을 형성할 때에 행해지는 불소계 가스에 의한 드라이 에칭에 대한 내성이 투광성 기판(1)에 비해 높고, 약액 세정에 대한 내성도 높으며, 노광광에 대한 투과율도 높다는 3가지의 특성을 동시에 만족시킨다. 이것에 의해, 불소계 가스에 의한 드라이 에칭으로 차광막(8)에 전사 패턴을 형성할 때, 투광성 기판(1)의 주표면을 파고 들어가는 일 없이, 오버 에칭을 행할 수 있기 때문에, 패턴 측벽의 수직성을 높일 수 있고, 또 패턴의 면 내의 CD 균일성을 높일 수 있다. 또, 전사용 마스크(바이너리형 마스크)의 제조 도중에 발견된 차광 패턴의 흑결함을 EB 결함 수정으로 수정할 때, 에칭 종점을 검출하기 쉽기 때문에, 정밀도 좋게 흑결함을 수정할 수 있다.
[전사용 마스크와 그 제조]
이 제 2 실시형태에 관한 전사용 마스크(210)(도 5 참조)는, 마스크 블랭크(110)의 에칭 스토퍼막(2)은 투광성 기판(1)의 주표면 상의 전면에서 남겨지고, 차광막(8)에 전사 패턴(차광 패턴(8a))이 형성되어 있는 것을 특징으로 하고 있다. 마스크 블랭크(110)에 하드 마스크막(9)이 설치되어 있는 구성의 경우, 이 전사용 마스크(210)의 제작 도중에 하드 마스크막(9)은 제거된다.
즉, 이 제 2 실시형태에 관한 전사용 마스크(210)는, 투광성 기판(1)의 주표면 상에 전사 패턴을 갖는 차광막인 차광 패턴(8a)을 구비하고, 투광성 기판(1)과 차광 패턴(8a)의 사이에 에칭 스토퍼막(2)을 구비하며, 차광 패턴(8a)은 규소를 함유하고, 에칭 스토퍼막(2)은 규소, 알루미늄 및 산소를 함유하는 것을 특징으로 하는 것이다.
이 제 2 실시형태에 관한 전사용 마스크(바이너리형 마스크)의 제조 방법은, 상기의 마스크 블랭크(110)를 이용하는 것이며, 불소계 가스를 이용하는 드라이 에칭에 의해 차광막(8)에 전사용 패턴을 형성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하고 있다. 이하, 도 6에 나타내는 제조 공정에 따라, 이 제 2 실시형태에 관한 전사용 마스크(210)의 제조 방법을 설명한다. 또한, 여기에서는, 차광막(8)의 위에 하드 마스크막(9)이 적층된 마스크 블랭크(110)를 이용한 전사용 마스크(210)의 제조 방법에 대해 설명한다. 또, 차광막(8)에는 전이금속 및 규소를 함유하는 재료를 적용하고, 하드 마스크막(9)에는 크롬을 함유하는 재료를 적용하고 있는 경우에 대해 설명한다.
우선, 마스크 블랭크(110)에 있어서의 하드 마스크막(9)에 접하고, 레지스트막을 스핀 도포법에 의해 형성한다. 다음으로, 레지스트막에 대해, 차광막(8)에 형성해야 할 전사 패턴(차광 패턴)을 전자선으로 묘화하고, 추가로 현상 처리 등의 소정의 처리를 행하여, 차광 패턴을 갖는 레지스트 패턴(10a)을 형성한다(도 6(A) 참조). 계속해서, 레지스트 패턴(10a)을 마스크로 하여, 염소계 가스와 산소 가스의 혼합 가스를 이용한 드라이 에칭을 행해, 하드 마스크막(9)에 전사 패턴(하드 마스크 패턴(9a))을 형성한다(도 6(B) 참조).
다음으로, 레지스트 패턴(10a)을 제거하고 나서, 하드 마스크 패턴(9a)을 마스크로 하여, 불소 가스를 이용한 드라이 에칭을 행해, 차광막(8)에 전사 패턴(차광 패턴(8a))을 형성한다(도 6(C) 참조). 이 차광막(8)의 불소계 가스에 의한 드라이 에칭 시에, 차광 패턴(8a)의 패턴 측벽의 수직성을 높이기 위해, 또 차광 패턴(8a)의 면 내의 CD 균일성을 높이기 위해 추가의 에칭(오버 에칭)을 행하고 있다. 그 오버 에칭 후에 있어서도, 에칭 스토퍼막(2)의 표면은 미소하게 에칭된 정도이며, 차광 패턴(8a)의 투광부에 있어서도 투광성 기판(1)의 표면은 노출되어 있지 않다.
또한, 잔존하는 하드 마스크 패턴(9a)을 염소계 가스와 산소 가스의 혼합 가스를 이용한 드라이 에칭으로 제거하고, 세정 등의 소정의 처리를 거쳐, 전사용 마스크(210)를 얻는다(도 6(D) 참조). 세정 공정에 있어서, 암모니아 과수를 이용했지만, 에칭 스토퍼막(2)의 표면은 거의 용해되어 있지 않아, 차광 패턴(8a)의 투광부에 있어서 투광성 기판(1)의 표면은 노출되어 있지 않다. 또한, 상기의 드라이 에칭에 사용되고 있는 염소계 가스 및 불소계 가스는, 실시형태 1에서 사용되고 있는 것과 같다.
이 실시형태 2의 전사용 마스크(210)는, 상기의 마스크 블랭크(110)를 이용하여 제작된 것이다. 에칭 스토퍼막(2)은, 차광막(8)에 패턴을 형성할 때에 행해지는 불소계 가스에 의한 드라이 에칭에 대한 내성이 투광성 기판에 비해 높고, 약액 세정에 대한 내성도 높으며, 노광광에 대한 투과율도 높다는 3가지의 특성을 동시에 만족시키고 있다. 이것에 의해, 불소계 가스에 의한 드라이 에칭으로 차광막(8)에 차광 패턴(전사 패턴)(8a)을 형성할 때에, 투광성 기판(1)의 주표면을 파고 들어가는 일 없이 오버 에칭을 행할 수 있다. 이 때문에, 이 실시형태 2의 전사용 마스크(210)는, 차광 패턴(8a)의 측벽의 수직성이 높고, 차광 패턴(8a)의 면 내의 CD 균일성도 높다. 또, 전사용 마스크(210)의 제조 도중에, 차광 패턴(8a)에 흑결함이 발견되어, 그 흑결함에 대해 EB 결함 수정으로 수정할 때, 에칭 종점을 검출하기 쉽기 때문에, 정밀도 좋게 흑결함을 수정할 수 있다.
[반도체 디바이스의 제조]
실시형태 2의 반도체 디바이스의 제조 방법은, 실시형태 2의 전사용 마스크(210) 또는 실시형태 2의 마스크 블랭크(110)를 이용해 제조된 전사용 마스크(210)를 이용하여, 반도체 기판 상의 레지스트막에 전사용 패턴을 노광 전사하는 것을 특징으로 하고 있다. 실시형태 2의 전사용 마스크(210)는, 차광 패턴(8a)의 측벽의 수직성이 높고, 차광 패턴(8a)의 면 내의 CD 균일성도 높다. 이 때문에, 실시형태 2의 전사용 마스크(210)를 이용하여 반도체 디바이스 상의 레지스트막에 노광 전사하면, 반도체 디바이스 상의 레지스트막에 설계 사양을 충분히 만족시키는 정밀도로 패턴을 형성할 수 있다.
실시예
이하, 실시예에 의해, 본 발명의 실시형태를 더욱 구체적으로 설명한다.
(실시예 1)
[마스크 블랭크의 제조]
주표면의 치수가 약 152mm × 약 152mm이고, 두께가 약 6.35mm의 합성 석영 유리로 이루어지는 투광성 기판(1)을 준비했다. 이 투광성 기판(1)은, 단면(端面) 및 주표면을 소정의 표면 거칠기 이하(제곱 평균 평방근 거칠기(Rq)로 0.2nm 이하)로 연마되고, 그 후, 소정의 세정 처리 및 건조 처리가 시행된 것이다.
다음으로, 투광성 기판(1)의 표면에 접하고, 알루미늄, 규소 및 산소로 이루어지는 에칭 스토퍼막(2)(AlSiO 막)을 10nm의 두께로 형성했다. 구체적으로는, 매엽식 RF 스퍼터링 장치 내에 투광성 기판(1)을 설치하고, Al2O3 타겟과 SiO2 타겟을 동시 방전시키며, 아르곤(Ar) 가스를 스퍼터링 가스로 하는 스퍼터링(RF 스퍼터링)에 의해, 에칭 스토퍼막(2)을 형성했다. 다른 투광성 기판 상에 동일 조건으로 형성한 에칭 스토퍼막에 대해 X선 광전자 분광법에 의한 분석을 행한 결과, Al:Si:O ＝ 21:19:60(원자％비)였다. 즉, 이 에칭 스토퍼막(2)의 Si/[Si+Al]는 0.475이다. 또한, X선 광전자 분광 분석법에 의한 분석으로는, RBS 분석(러더포드 후방 산란법에 의한 분석)의 결과를 기초로 수치 보정을 행하고 있다(이하의 분석에 있어서도 마찬가지.). 또, 분광 엘립소미터(J.A.Woollam사 제조 M-2000D)를 이용하여 이 에칭 스토퍼막의 각 광학 특성을 측정한바, 파장 193nm의 광에 있어서 굴절률(n)이 1.625, 소쇠계수(k)가 0.000(측정 하한)이었다.
다음으로, 에칭 스토퍼막(2)의 표면에 접하고, 몰리브덴, 규소 및 질소로 이루어지는 위상 시프트막(MoSiN 막)(3)을 64nm의 두께로 형성했다. 구체적으로는, 매엽식 DC 스퍼터링 장치 내에 에칭 스토퍼막(2)이 형성된 후의 투광성 기판(1)을 설치하고, 몰리브덴(Mo)과 규소(Si)의 혼합 소결 타겟(Mo:Si ＝ 12:88(원자％비))을 이용하여, 아르곤(Ar), 질소(N2) 및 헬륨(He)의 혼합 가스(유량(流量)비 Ar:N2:He ＝ 8:72:100, 압력 ＝ 0.2Pa)를 스퍼터링 가스로 하는 반응성 스퍼터링(DC 스퍼터링)에 의해, 위상 시프트막(3)을 형성했다. 다른 투광성 기판 상에 동일 조건으로 형성한 위상 시프트막에 대해 X선 광전자 분광법에 의한 분석을 실시한 결과, Mo:Si:N ＝ 4.1:35.6:60.3(원자％비)이었다.
위상 시프트막(3)이 형성된 후의 투광성 기판(1)에 대해, 대기 중에서의 가열 처리를 행했다. 이 가열 처리는 450℃에서 30분간 행했다. 이 가열 처리 후의 위상 시프트막(3)에 대해, 위상 시프트량 측정 장치 MPM193(레이저 테크사 제조)으로, ArF 엑시머 레이저의 파장(193nm)에 있어서의 투과율과 위상 시프트량을 측정한바, 투과율은 7.35％, 위상 시프트량은 162도였다.
또, 다른 투광성 기판 상에 동일 조건으로 형성하여, 가열 처리를 시행한 후의 위상 시프트막에 대해, 분광 엘립소미터(J.A.Woollam사 제조 M-2000D)를 이용하여 위상 시프트막의 각 광학 특성을 측정한바, 파장 193nm의 광에 있어서 굴절률(n)이 2.415, 소쇠계수(k)가 0.596이었다.
다음으로, 위상 시프트막(3)의 표면에 접하고, 크롬, 산소, 탄소 및 질소로 이루어지는 차광막(CrOCN 막)(4)을 46nm의 두께로 형성했다. 구체적으로는, 매엽식 DC 스퍼터링 장치 내에 가열 처리 후의 투광성 기판(1)을 설치하고, 크롬(Cr) 타겟을 이용하여, 아르곤(Ar)과 이산화탄소(CO2)와 질소(N2)와 헬륨(He)을 스퍼터링 가스로 하는 반응성 스퍼터링(DC 스퍼터링)에 의해, 차광막(4)을 형성했다. 다른 투광성 기판 상에 동일 조건으로 형성한 차광막에 대해 X선 광전자 분광법에 의한 분석을 행한 결과, Cr:O:C:N ＝ 55.2:22.1:11.6:11.1(원자％비)이었다. 또한, 위상 시프트막(3)과 차광막(4)의 적층 구조에 있어서, ArF 엑시머 레이저의 파장(193nm)의 광학 농도는 2.8 이상이었다.
다음으로, 차광막(4)의 표면에 접하고, 규소, 산소 및 질소로 이루어지는 하드 마스크막(SiON 막)(5)을 5nm의 두께로 형성했다. 구체적으로는, 매엽식 DC 스퍼터링 장치 내에 차광막(4)이 형성된 후의 투광성 기판(1)을 설치하고, 규소(Si) 타겟을 이용하여, 아르곤(Ar)과 일산화질소(NO)와 헬륨(He)의 혼합 가스(유량비 Ar:NO:He ＝ 8:29:32, 압력 0.3Pa)를 스퍼터링 가스로 하는 반응성 스퍼터링을 행함으로써, 하드 마스크막(5)을 형성했다. 다른 투광성 기판 상에 동일 조건으로 형성한 하드 마스크막에 대해 X선 광전자 분광법에 의한 분석을 행한 결과, Si:O:N ＝ 37:44:19(원자％비)였다. 이상의 순서로, 실시예 1의 마스크 블랭크를 제조했다.
또한, 다른 투광성 기판에 형성된 에칭 스토퍼막의 ArF 엑시머 레이저의 파장(193nm)에 있어서의 투과율을 상기의 위상 시프트량 측정 장치로 측정한바, 투광성 기판의 투과율을 100％로 했을 때의 투과율이 98.3％이며, 이 실시예 1의 에칭 스토퍼막을 설치함으로써 발생하는 투과율의 저하의 영향은 작은 것을 알 수 있었다. 또, 그 에칭 스토퍼막이 형성된 투광성 기판을, 농도 0.5％의 암모니아수에 침지시켜 에칭 레이트를 측정한바, 0.1nm/min였다. 이 결과로부터, 이 실시예 1의 에칭 스토퍼막(2)은, 마스크 블랭크로부터 위상 시프트 마스크를 제조하는 과정에서 행해지는 약액 세정에 대해 충분한 내성을 갖는 것을 확인할 수 있었다.
다른 투광성 기판, 다른 투광성 기판에 형성된 에칭 스토퍼막, 및 다른 투광성 기판에 형성된 위상 시프트막의 각각에 대해, SF6와 He의 혼합 가스를 에칭 가스로 이용한 드라이 에칭을 동일 조건으로 행했다. 그리고, 각각의 에칭 레이트를 산출하여, 3자간의 에칭 선택비를 산출했다. 투광성 기판의 에칭 레이트에 대한 실시예 1의 에칭 스토퍼막의 에칭 선택비는 0.1이었다. 투광성 기판의 에칭 레이트에 대한 실시예 1의 위상 시프트막의 에칭 선택비는 2.38이었다. 실시예 1의 에칭 스토퍼막의 에칭 레이트에 대한 실시예 1의 위상 시프트막의 에칭 선택비는 23.8이었다.
[위상 시프트 마스크의 제조]
다음으로, 이 실시예 1의 마스크 블랭크(100)를 이용하여 이하의 순서로 실시예 1의 위상 시프트 마스크(200)를 제작했다. 처음에, 하드 마스크막(5)의 표면에 HMDS 처리를 시행했다. 계속해서, 스핀 도포법에 의해, 하드 마스크막(5)의 표면에 접하고, 전자선 묘화용 화학 증폭형 레지스트로 이루어지는 레지스트막을 막 두께 80nm로 형성했다. 다음으로, 이 레지스트막에 대해, 위상 시프트막(3)에 형성해야 할 위상 시프트 패턴인 제 1 패턴을 전자선 묘화하고, 소정의 현상 처리를 행하여, 제 1 패턴을 갖는 제 1 레지스트 패턴(6a)을 형성했다(도 3(A) 참조). 또한, 이때 전자선 묘화한 제 1 패턴에는, 위상 시프트막에 흑결함이 형성되도록, 본래 형성되어야 하는 위상 시프트 패턴 외에 프로그램 결함을 더해 두었다.
다음으로, 제 1 레지스트 패턴(6a)을 마스크로 하여, CF4 가스를 이용한 드라이 에칭을 행하여, 하드 마스크막(5)에 제 1 패턴(하드 마스크 패턴(5a))을 형성했다(도 3(B) 참조).
다음으로, 제 1 레지스트 패턴(6a)을 TMAH에 의해 제거했다. 계속해서, 하드 마스크 패턴(5a)을 마스크로 하여, 염소와 산소의 혼합 가스(가스 유량비 Cl2:O2 ＝ 4:1)를 이용한 드라이 에칭을 행하여, 차광막(4)에 제 1 패턴(차광 패턴(4a))을 형성했다(도 3(C) 참조).
다음으로, 차광 패턴(4a)를 마스크로 하여, 불소계 가스(SF6+He)를 이용한 드라이 에칭을 행하여, 위상 시프트막(3)에 제 1 패턴(위상 시프트 패턴(3a))을 형성하고, 또한 동시에 하드 마스크 패턴(5a)을 제거했다(도 3(D) 참조). 이 불소계 가스에 의한 드라이 에칭에서는, 위상 시프트막(3)의 에칭의 개시부터 에칭이 위상 시프트막(3)의 두께 방향으로 진행하여 에칭 스토퍼막(2)의 표면이 노출되기 시작할 때까지의 에칭 시간(저스트 에칭 타임)에 더하여, 그 저스트 에칭 타임의 20％의 시간(오버 에칭 타임)만큼 추가의 에칭(오버 에칭)을 행했다. 또한, 이 불소계 가스에 의한 드라이 에칭은 10W의 전력으로 바이어스를 가하고 있어, 소위 고바이어스 에칭의 조건에서 행해졌다.
다음으로, 차광 패턴(4a) 상에, 스핀 도포법에 의해, 전자선 묘화용 화학 증폭형 레지스트로 이루어지는 레지스트막을 막 두께 150nm로 형성했다. 다음으로, 레지스트막에 대해, 차광막(4)에 형성해야 할 패턴(차광 패턴)인 제 2 패턴을 묘화하고, 추가로 현상 처리 등의 소정의 처리를 행하여, 차광 패턴을 갖는 제 2 레지스트 패턴(7b)을 형성했다(도 3(E) 참조). 계속해서, 제 2 레지스트 패턴(7b)을 마스크로 하여, 염소와 산소의 혼합 가스(가스 유량비 Cl2:O2 ＝ 4:1)를 이용한 드라이 에칭을 행하여, 차광막(4)에 제 2 패턴(차광 패턴(4b))을 형성했다. 또한 제 2 레지스트 패턴(7b)을 TMAH에 의해 제거하고, 암모니아 과수에 의한 세정 등의 소정의 처리를 거쳐 위상 시프트 마스크(200)를 얻었다(도 3(F) 참조).
제작한 실시예 1의 하프톤형의 위상 시프트 마스크(200)에 대해 마스크 검사 장치에 의해 마스크 패턴의 검사를 행한바, 프로그램 결함을 배치하고 있던 개소의 위상 시프트 패턴(3a)에 흑결함이 확인되었다. 그 흑결함 부분에 대해, 전자선과 XeF2 가스를 이용하는 EB 결함 수정을 행한바, 에칭 종점을 용이하게 검출할 수 있어, 에칭 스토퍼막(2)의 표면에의 에칭을 최소한으로 그칠 수 있었다.
다른 마스크 블랭크를 이용하여, 마찬가지의 순서로 위상 시프트 마스크를 제조하고, 위상 시프트 패턴의 면 내의 CD 균일성을 검사한바, 양호한 결과였다. 또, 위상 시프트 패턴의 단면을 STEM으로 관찰한바, 위상 시프트 패턴의 측벽의 수직성은 높고, 에칭 스토퍼막에의 굴입(堀入)은 1nm 미만으로 미소하며, 마이크로 트렌치도 발생하지 않았다.
EB 결함 수정을 행한 후의 실시예 1의 하프톤형 위상 시프트 마스크(200)에 대해, AIMS193(Carl Zeiss사 제조)을 이용하여, 파장 193nm의 노광광으로 반도체 디바이스 상의 레지스트막에 노광 전사했을 때에 있어서의 전사상(轉寫像)의 시뮬레이션을 행했다. 이 시뮬레이션의 노광 전사상을 검증한바, 설계 사양을 충분히 만족시키고 있었다. 에칭 스토퍼막(2)을 설치함에 따른 투광부의 투과율의 저하가 노광 전사에 주는 영향은 미소했다. 또, EB 결함 수정을 행한 부분의 전사상은, 그 이외의 영역의 전사상에 비해 손색이 없는 것이었다. 이 결과로부터, EB 결함 수정을 행한 후의 실시예 1의 위상 시프트 마스크를 노광 장치의 마스크 스테이지에 세트하고, 반도체 디바이스 상의 레지스트막에 노광 전사했다고 하더라도, 최종적으로 반도체 디바이스 상에 형성되는 회로 패턴을 고정밀도로 형성할 수 있다고 할 수 있다.
(실시예 2)
[마스크 블랭크의 제조]
이 실시예 2의 마스크 블랭크는, 에칭 스토퍼막(2), 위상 시프트막(3), 하드 마스크막(5)을 제외하고, 실시예 1의 마스크 블랭크와 마찬가지로 하여 제조되는 것이다. 이하, 실시예 1의 마스크 블랭크와 서로 다른 개소에 대해 설명한다.
이 실시예 2의 에칭 스토퍼막(2)에는, 알루미늄, 규소 및 산소로 이루어지는 AlSiO 막(Al:Si:O ＝ 13:26:61(원자％비))을 적용하고, 투광성 기판(1)의 표면에 접하여, 10nm의 두께로 형성했다. 즉, 이 에칭 스토퍼막(2)의 Si/[Si+Al]는 0.67이다. 또, 이 에칭 스토퍼막(2)의 파장 193nm의 광에 있어서의 굴절률(n)은 1.600, 소쇠계수(k)는 0.000(측정 하한)이다.
이 실시예 2의 위상 시프트막(3)은, 에칭 스토퍼막(2)의 표면에 접하고, 저투과층, 고투과층 및 최상층이 적층된 구조를 구비하는 것이다. 구체적인 성막 공정은 이하와 같다. 매엽식 RF 스퍼터링 장치 내에 에칭 스토퍼막(2)이 형성된 투광성 기판(1)을 설치하고, 규소(Si) 타겟을 이용하여, 아르곤(Ar) 및 질소(N2)의 혼합 가스(유량비 Ar:N2 ＝ 2:3, 압력 ＝ 0.035Pa)를 스퍼터링 가스로 하며, RF 전원의 전력을 2.8kW로 하고, 메탈 모드의 영역에서의 반응성 스퍼터링(RF 스퍼터링)에 의해, 에칭 스토퍼막(2)의 표면에 접하며, 규소 및 질소로 이루어지는 저투과층(Si:N ＝ 59:41(원자％비))을 12nm의 두께로 형성했다. 다른 투광성 기판의 주표면에 대해, 동일 조건으로 저투과층만을 형성하고, 상기의 분광 엘립소미터를 이용하여 이 저투과층의 광학 특성을 측정한바, 파장 193nm에 있어서의 굴절률(n)이 1.85, 소쇠계수(k)가 1.70이었다.
다음으로, 매엽식 RF 스퍼터링 장치 내에, 저투과층이 적층된 투광성 기판(1)을 설치하고, 규소(Si) 타겟을 이용하여, 아르곤(Ar) 및 질소(N2)의 혼합 가스(유량비 Ar:N2 ＝ 1:3, 압력 ＝ 0.09Pa)를 스퍼터링 가스로 하며, RF 전원의 전력을 2.8kW로 하고, 반응 모드(포이즌 모드)의 영역에서의 반응성 스퍼터링(RF 스퍼터링)에 의해, 저투과층 상에, 규소 및 질소로 이루어지는 고투과층(Si:N ＝ 46:54(원자％비))을 55nm의 두께로 형성했다. 다른 투광성 기판의 주표면에 대해, 동일 조건으로 고투과층만을 형성하고, 상기의 분광 엘립소미터를 이용하여 이 고투과층의 광학 특성을 측정한바, 파장 193nm에 있어서의 굴절률(n)이 2.52, 소쇠계수(k)가 0.39였다.
다음으로, 매엽식 RF 스퍼터링 장치 내에, 저투과층 및 고투과층이 적층된 투광성 기판(1)을 설치하고, 이산화 규소(SiO2) 타겟을 이용하여, 아르곤(Ar) 가스(압력 ＝ 0.03Pa)를 스퍼터링 가스로 하며, RF 전원의 전력을 1.5kW로 하고, RF 스퍼터링에 의해, 고투과층 상에, 규소 및 산소로 이루어지는 최상층을 4nm의 두께로 형성했다. 또한, 다른 투광성 기판의 주표면에 대해, 동일 조건으로 최상층만을 형성하고, 상기의 분광 엘립소미터를 이용하여 이 최상층의 광학 특성을 측정한바, 파장 193nm에 있어서의 굴절률(n)이 1.56, 소쇠계수(k)가 0.00이었다.
이 저투과층, 고투과층 및 최상층으로 이루어지는 위상 시프트막(3)에 대해, 상기의 위상 시프트량 측정 장치로 ArF 엑시머 레이저의 광의 파장(약 193nm)에 있어서의 투과율 및 위상차를 측정한바, 투과율은 5.97％, 위상차가 177.7도였다.
이 실시예 2의 하드 마스크막은, 차광막(4)의 표면에 접하고, 규소 및 산소로 이루어지는 하드 마스크막(SiO2 막 Si:O ＝ 33:67(원자％비))(5)을 5nm의 두께로 형성했다.
다른 투광성 기판에 형성된 에칭 스토퍼막의 ArF 엑시머 레이저의 파장(193nm)에 있어서의 투과율을 상기의 위상 시프트량 측정 장치로 측정한바, 투광성 기판의 투과율을 100％로 했을 때의 투과율이 99.4％이며, 이 실시예 2의 에칭 스토퍼막을 설치함으로써 발생하는 투과율의 저하의 영향은 작은 것을 알 수 있었다. 그 에칭 스토퍼막이 형성된 투광성 기판을, 농도 0.5％의 암모니아수에 침지시켜 에칭 레이트를 측정한바, 0.1nm/min였다. 이 결과로부터, 이 실시예 2의 에칭 스토퍼막(2)은, 마스크 블랭크로부터 위상 시프트 마스크를 제조하는 과정에서 행해지는 약액 세정에 대해 충분한 내성을 갖는 것을 확인할 수 있었다.
다른 투광성 기판, 다른 투광성 기판에 형성된 에칭 스토퍼막, 및 다른 투광성 기판에 형성된 위상 시프트막의 각각에 대해, SF6와 He의 혼합 가스를 에칭 가스로 이용한 드라이 에칭을 동일 조건으로 행했다. 그리고, 각각의 에칭 레이트를 산출하여, 3자간의 에칭 선택비를 산출했다. 투광성 기판의 에칭 레이트에 대한 실시예 2의 에칭 스토퍼막의 에칭 선택비는 0.2였다. 투광성 기판의 에칭 레이트에 대한 실시예 2의 위상 시프트막의 에칭 선택비는 2.03이었다. 실시예 2의 에칭 스토퍼막의 에칭 레이트에 대한 실시예 2의 위상 시프트막의 에칭 선택비는 10.15였다.
[위상 시프트 마스크의 제조]
다음으로, 이 실시예 2의 마스크 블랭크(100)를 이용하여, 실시예 1과 마찬가지의 순서로 실시예 2의 위상 시프트 마스크(200)를 제작했다. 제작한 실시예 2의 하프톤형의 위상 시프트 마스크(200)에 대해 마스크 검사 장치에 의해 마스크 패턴의 검사를 행한바, 프로그램 결함을 배치하고 있던 개소의 위상 시프트 패턴(3a)에 흑결함이 확인되었다. 그 흑결함 부분에 대해, 전자선과 XeF2 가스를 이용하는 EB 결함 수정을 행한바, 에칭 종점을 용이하게 검출할 수 있어, 에칭 스토퍼막(2)의 표면에의 에칭을 최소한으로 그칠 수 있었다.
다른 마스크 블랭크를 이용하여, 마찬가지의 순서로 위상 시프트 마스크를 제조하고, 위상 시프트 패턴의 면 내의 CD 균일성을 검사한바, 양호한 결과였다. 또, 위상 시프트 패턴의 단면을 STEM으로 관찰한바, 위상 시프트 패턴의 측벽의 수직성은 높고, 에칭 스토퍼막에의 굴입은 1nm 미만으로 미소하며, 마이크로 트렌치도 발생하고 있지 않았다.
EB 결함 수정을 행한 후의 실시예 2의 하프톤형 위상 시프트 마스크(200)에 대해, AIMS193(Carl Zeiss사 제조)을 이용하여, 파장 193nm의 노광광으로 반도체 디바이스 상의 레지스트막에 노광 전사했을 때에 있어서의 전사상의 시뮬레이션을 행했다. 이 시뮬레이션의 노광 전사상을 검증한바, 설계 사양을 충분히 만족시키고 있었다. 에칭 스토퍼막(2)을 설치함에 따른 투광부의 투과율의 저하가 노광 전사에 주는 영향은 미소했다. 또, EB 결함 수정을 행한 부분의 전사상은, 그 이외의 영역의 전사상에 비해 손색이 없는 것이었다. 이 결과로부터, EB 결함 수정을 행한 후의 실시예 2의 위상 시프트 마스크를 노광 장치의 마스크 스테이지에 세트하고, 반도체 디바이스 상의 레지스트막에 노광 전사했다고 하더라도, 최종적으로 반도체 디바이스 상에 형성되는 회로 패턴을 고정밀도로 형성할 수 있다고 할 수 있다.
(실시예 3)
[마스크 블랭크의 제조]
이 실시예 3의 마스크 블랭크는, 에칭 스토퍼막(2)을 제외하고, 실시예 2의 마스크 블랭크와 마찬가지로 하여 제조되는 것이다. 이 실시예 3의 에칭 스토퍼막(2)에는, 알루미늄, 규소 및 산소로 이루어지는 AlSiO 막(Al:Si:O ＝ 7:28:65(원자％비))을 적용하고, 투광성 기판(1)의 표면에 접하여 10nm의 두께로 형성했다. 즉, 이 에칭 스토퍼막(2)의 Si/[Si+Al]는 0.8이다. 또, 이 에칭 스토퍼막(2)의 파장 193nm의 광에 있어서의 굴절률(n)은 1.589, 소쇠계수(k)는 0.000(측정 하한)이다.
다른 투광성 기판에 형성된 에칭 스토퍼막의 ArF 엑시머 레이저의 파장(193nm)에 있어서의 투과율을 상기의 위상 시프트량 측정 장치로 측정한바, 투광성 기판의 투과율을 100％로 했을 때의 투과율이 99.8％이며, 이 실시예 3의 에칭 스토퍼막을 설치함으로써 발생하는 투과율의 저하의 영향은 작은 것을 알 수 있었다. 그 에칭 스토퍼막이 형성된 투광성 기판을, 농도 0.5％의 암모니아수에 침지시켜 에칭 레이트를 측정한바, 0.1nm/min였다. 이 결과로부터, 이 실시예 3의 에칭 스토퍼막(2)은, 마스크 블랭크로부터 위상 시프트 마스크를 제조하는 과정에서 행해지는 약액 세정에 대해 충분한 내성을 갖는 것을 확인할 수 있었다.
다른 투광성 기판, 다른 투광성 기판에 형성된 에칭 스토퍼막, 및 다른 투광성 기판에 형성된 위상 시프트막의 각각에 대해, SF6와 He의 혼합 가스를 에칭 가스로 이용한 드라이 에칭을 동일 조건으로 행했다. 그리고, 각각의 에칭 레이트를 산출하여, 3자간의 에칭 선택비를 산출했다. 투광성 기판의 에칭 레이트에 대한 실시예 3의 에칭 스토퍼막의 에칭 선택비는 0.34였다. 투광성 기판의 에칭 레이트에 대한 실시예 3의 위상 시프트막의 에칭 선택비는 2.03이었다. 실시예 3의 에칭 스토퍼막의 에칭 레이트에 대한 실시예 3의 위상 시프트막의 에칭 선택비는 5.97이었다.
[위상 시프트 마스크의 제조]
다음으로, 이 실시예 3의 마스크 블랭크(100)를 이용하여, 실시예 1과 마찬가지의 순서로 실시예 3의 위상 시프트 마스크(200)를 제작했다. 제작한 실시예 3의 하프톤형의 위상 시프트 마스크(200)에 대해 마스크 검사 장치에 의해 마스크 패턴의 검사를 행한바, 프로그램 결함을 배치하고 있던 개소의 위상 시프트 패턴(3a)에 흑결함이 확인되었다. 그 흑결함 부분에 대해, 전자선과 XeF2 가스를 이용하는 EB 결함 수정을 행한바, 에칭 종점을 용이하게 검출할 수 있어, 에칭 스토퍼막(2)의 표면에의 에칭을 최소한으로 그칠 수 있었다.
다른 마스크 블랭크를 이용하여, 마찬가지의 순서로 위상 시프트 마스크를 제조하고, 위상 시프트 패턴의 면 내의 CD 균일성을 검사한바, 양호한 결과였다. 또, 위상 시프트 패턴의 단면을 STEM으로 관찰한바, 위상 시프트 패턴의 측벽의 수직성은 높고, 에칭 스토퍼막에의 굴입은 1nm 정도로 미소하며, 마이크로 트렌치도 발생하고 있지 않았다.
EB 결함 수정을 행한 후의 실시예 3의 하프톤형 위상 시프트 마스크(200)에 대해, AIMS193(Carl Zeiss사 제조)을 이용하여, 파장 193nm의 노광광으로 반도체 디바이스 상의 레지스트막에 노광 전사했을 때에 있어서의 전사상의 시뮬레이션을 행했다. 이 시뮬레이션의 노광 전사상을 검증한바, 설계 사양을 충분히 만족시키고 있었다. 에칭 스토퍼막(2)을 설치함에 따른 투광부의 투과율의 저하가 노광 전사에 주는 영향은 미소했다. 또, EB 결함 수정을 행한 부분의 전사상은, 그 이외의 영역의 전사상에 비해 손색이 없는 것이었다. 이 결과로부터, EB 결함 수정을 행한 후의 실시예 3의 위상 시프트 마스크를 노광 장치의 마스크 스테이지에 세트하고, 반도체 디바이스 상의 레지스트막에 노광 전사했다고 하더라도, 최종적으로 반도체 디바이스 상에 형성되는 회로 패턴을 고정밀도로 형성할 수 있다고 할 수 있다.
(실시예 4)
[마스크 블랭크의 제조]
이 실시예 4의 마스크 블랭크는, 에칭 스토퍼막(2)을 제외하고, 실시예 2의 마스크 블랭크와 마찬가지로 하여 제조되는 것이다. 이 실시예 4의 에칭 스토퍼막(2)에는, 알루미늄, 규소 및 산소로 이루어지는 AlSiO 막(Al:Si:O ＝ 31:8:61(원자％비))을 적용하고, 투광성 기판(1)의 표면에 접하여 10nm의 두께로 형성했다. 즉, 이 에칭 스토퍼막(2)의 Si/[Si+Al]는 0.205이다. 또, 이 에칭 스토퍼막(2)의 파장 193nm의 광에 있어서의 굴절률(n)은 1.720, 소쇠계수(k)는 0.032이다.
다른 투광성 기판에 형성된 에칭 스토퍼막의 ArF 엑시머 레이저의 파장(193nm)에 있어서의 투과율을 상기의 위상 시프트량 측정 장치로 측정한바, 투광성 기판의 투과율을 100％로 했을 때의 투과율이 95.2％이며, 이 실시예 4의 에칭 스토퍼막을 설치함으로써 발생하는 투과율의 저하의 영향은 작은 것을 알 수 있었다. 그 에칭 스토퍼막이 형성된 투광성 기판을, 농도 0.5％의 암모니아수에 침지시켜 에칭 레이트를 측정한바, 0.2nm/min였다. 이 결과로부터, 이 실시예 4의 에칭 스토퍼막(2)은, 마스크 블랭크로부터 위상 시프트 마스크를 제조하는 과정에서 행해지는 약액 세정에 대해 충분한 내성을 갖는 것을 확인할 수 있었다.
다른 투광성 기판, 다른 투광성 기판에 형성된 에칭 스토퍼막, 및 다른 투광성 기판에 형성된 위상 시프트막의 각각에 대해, SF6와 He의 혼합 가스를 에칭 가스로 이용한 드라이 에칭을 동일 조건으로 행했다. 그리고, 각각의 에칭 레이트를 산출하여, 3자간의 에칭 선택비를 산출했다. 투광성 기판의 에칭 레이트에 대한 실시예 4의 에칭 스토퍼막의 에칭 선택비는 0.042였다. 투광성 기판의 에칭 레이트에 대한 실시예 4의 위상 시프트막의 에칭 선택비는 2.03이었다. 실시예 4의 에칭 스토퍼막의 에칭 레이트에 대한 실시예 4의 위상 시프트막의 에칭 선택비는 48.3이었다.
[위상 시프트 마스크의 제조]
다음으로, 이 실시예 4의 마스크 블랭크(100)를 이용하여, 실시예 1과 마찬가지의 순서로 실시예 4의 위상 시프트 마스크(200)를 제작했다. 제작한 실시예 4의 하프톤형의 위상 시프트 마스크(200)에 대해 마스크 검사 장치에 의해 마스크 패턴의 검사를 행한바, 프로그램 결함을 배치하고 있던 개소의 위상 시프트 패턴(3a)에 흑결함이 확인되었다. 그 흑결함 부분에 대해, 전자선과 XeF2 가스를 이용하는 EB 결함 수정을 행한바, 에칭 종점을 용이하게 검출할 수 있어, 에칭 스토퍼막(2)의 표면에의 에칭을 최소한으로 그칠 수 있었다.
다른 마스크 블랭크를 이용하여, 마찬가지의 순서로 위상 시프트 마스크를 제조하고, 위상 시프트 패턴의 면 내의 CD 균일성을 검사한바, 양호한 결과였다. 또, 위상 시프트 패턴의 단면을 STEM으로 관찰한바, 위상 시프트 패턴의 측벽의 수직성은 높고, 에칭 스토퍼막에의 굴입은 1nm 미만으로 미소하며, 마이크로 트렌치도 발생하고 있지 않았다.
EB 결함 수정을 행한 후의 실시예 4의 하프톤형 위상 시프트 마스크(200)에 대해, AIMS193(Carl Zeiss사 제조)을 이용하여, 파장 193nm의 노광광으로 반도체 디바이스 상의 레지스트막에 노광 전사했을 때에 있어서의 전사상의 시뮬레이션을 행했다. 이 시뮬레이션의 노광 전사상을 검증한바, 설계 사양을 충분히 만족시키고 있었다. 에칭 스토퍼막(2)을 설치함에 따른 투광부의 투과율의 저하가 노광 전사에 주는 영향은 미소했다. 또, EB 결함 수정을 행한 부분의 전사상은, 그 이외의 영역의 전사상에 비해 손색이 없는 것이었다. 이 결과로부터, EB 결함 수정을 행한 후의 실시예 4의 위상 시프트 마스크를 노광 장치의 마스크 스테이지에 세트하고, 반도체 디바이스 상의 레지스트막에 노광 전사했다고 하더라도, 최종적으로 반도체 디바이스 상에 형성되는 회로 패턴을 고정밀도로 형성할 수 있다고 할 수 있다.
(실시예 5)
[마스크 블랭크의 제조]
이 실시예 5의 마스크 블랭크는, 바이너리형 마스크(전사용 마스크)를 제조하기 위한 것이며, 도 4에 나타내는 바와 같이, 투광성 기판(1) 상에, 에칭 스토퍼막(2), 하층 및 상층의 적층 구조로 이루어지는 차광막(8), 하드 마스크막(9)이 적층된 구조를 구비한다. 이하, 실시예 1의 마스크 블랭크와 서로 다른 개소에 대해 설명한다.
실시예 1과 마찬가지의 순서로 투광성 기판(1)을 준비하고, 그 투광성 기판(1)의 표면에 접하여 알루미늄, 규소 및 산소로 이루어지는 에칭 스토퍼막(2)(AlSiO 막 Al:Si:O ＝ 21:19:60(원자％비))을 10nm의 두께로 형성했다. 즉, 이 에칭 스토퍼막(2)의 Si/[Si+Al]는 0.475이다. 이 실시예 5의 에칭 스토퍼막(2)은, 실시예 1의 에칭 스토퍼막과 마찬가지의 순서로 형성된 것이고, 그 제특성은 실시예 1의 에칭 스토퍼막과 동등하다.
다음으로, 에칭 스토퍼막(2)의 표면에 접하여, 몰리브덴, 규소 및 질소로 이루어지는 차광막(8)의 하층(MoSiN 막)을 47nm의 두께로 형성하고, 또한 상층(MoSiN 막)을 13nm의 두께로 형성했다. 구체적으로는, 매엽식 DC 스퍼터링 장치 내에 에칭 스토퍼막(2)이 형성된 후의 투광성 기판(1)을 설치하고, 몰리브덴(Mo)과 규소(Si)의 혼합 소결 타겟(Mo:Si ＝ 13:87(원자％비))을 이용하여, 아르곤(Ar) 및 질소(N2)의 혼합 가스를 스퍼터링 가스로 하는 반응성 스퍼터링(DC 스퍼터링)에 의해, 차광막(8)의 하층과 상층을 형성했다.
다음으로, 차광막(8)을 구비한 투광성 기판(1)에 대해, 450℃에서 30분간의 가열 처리를 행하여, 차광막(8)의 막 응력을 저감시키는 처리를 행했다. 또한, 다른 투광성 기판에 마찬가지의 순서로 형성하고, 어닐 처리까지 행한 차광막에 대해, X선 광전자 분광법에 의한 분석을 행했다. 그 결과, 차광막의 하층이, Mo:Si:N ＝ 9.2:68.3:22.5(원자％비)이고, 하층측 근방의 상층이, Mo:Si:N:O ＝ 5.8:64.4:27.7:2.1(원자％비)인 것이 확인되었다. 또, 차광막의 상층의 표층에 대해서는, 질소가 14.4 원자％, 산소가 38.3 원자％였다. 또, 상기의 분광 엘립소미터를 이용하여, 차광막의 광학 농도를 측정한바, 3.0이었다.
다음으로, 차광막(8)의 상층의 표면에 접하고, 크롬 및 질소로 이루어지는 하드 마스크막(9)(CrN 막)을 5nm의 두께로 형성했다. 구체적으로는, 매엽식 DC 스퍼터링 장치 내에 가열 처리 후의 차광막(8)을 구비하는 투광성 기판(1)을 설치하고, 크롬(Cr) 타겟을 이용하여, 아르곤(Ar) 및 질소(N2)의 혼합 가스를 스퍼터링 가스로 하는 반응성 스퍼터링(DC 스퍼터링)에 의해, 하드 마스크막(9)을 형성했다. 다른 투광성 기판 상에 동일 조건으로 형성한 하드 마스크막에 대해 X선 광전자 분광법에 의한 분석을 행한 결과, Cr:N ＝ 72:28(원자％비)이었다. 이상의 순서로, 실시예 5의 마스크 블랭크를 제조했다.
또한, 다른 투광성 기판에 형성된 에칭 스토퍼막의 ArF 엑시머 레이저의 파장(193nm)에 있어서의 투과율을 상기의 위상 시프트량 측정 장치로 측정한바, 투광성 기판의 투과율을 100％로 했을 때의 투과율이 98.3％이며, 이 실시예 5의 에칭 스토퍼막을 설치함으로써 발생하는 투과율의 저하의 영향은 작은 것을 알 수 있었다. 또, 그 에칭 스토퍼막이 형성된 투광성 기판을, 농도 0.5％의 암모니아수에 침지시켜 에칭 레이트를 측정한바, 0.1nm/min였다. 이 결과로부터, 이 실시예 5의 에칭 스토퍼막(2)은, 마스크 블랭크로부터 전사용 마스크를 제조하는 과정에서 행해지는 약액 세정에 대해 충분한 내성을 갖는 것을 확인할 수 있었다.
다른 투광성 기판, 다른 투광성 기판에 형성된 에칭 스토퍼막, 및 다른 투광성 기판에 형성된 차광막의 각각에 대해, SF6와 He의 혼합 가스를 에칭 가스로 이용한 드라이 에칭을 동일 조건으로 행했다. 그리고, 각각의 에칭 레이트를 산출하여, 3자간의 에칭 선택비를 산출했다. 투광성 기판의 에칭 레이트에 대한 실시예 5의 에칭 스토퍼막의 에칭 선택비는 0.1이었다. 투광성 기판의 에칭 레이트에 대한 실시예 5의 차광막의 에칭 선택비는 1.9였다. 실시예 5의 에칭 스토퍼막의 에칭 레이트에 대한 실시예 5의 차광막의 에칭 선택비는 19.0이었다.
[전사용 마스크의 제조]
다음으로, 이 실시예 5의 마스크 블랭크(110)를 이용하여, 이하의 순서로 실시예 5의 전사용 마스크(210)를 제작했다. 처음에, 스핀 도포법에 의해 하드 마스크막(9)의 표면에 접하고, 전자선 묘화용 화학 증폭형 레지스트로 이루어지는 레지스트막을 막 두께 80nm로 형성했다. 다음으로, 이 레지스트막에 대해, 차광막(8)에 형성해야 할 전사 패턴을 전자선 묘화하고, 소정의 현상 처리를 행하여, 레지스트 패턴(10a)을 형성했다(도 6(A) 참조). 또한, 이때 전자선 묘화한 패턴에는, 차광막(8)에 흑결함이 형성되도록, 본래 형성되어야 하는 전사 패턴 외에 프로그램 결함을 더해 두었다.
다음으로, 레지스트 패턴(10a)을 마스크로 하여, 염소와 산소의 혼합 가스(가스 유량비 Cl2:O2 ＝ 4:1)를 이용한 드라이 에칭을 행하여, 하드 마스크막(9)에 차광 패턴(하드 마스크 패턴(9a))을 형성했다(도 6(B) 참조).
다음으로, 레지스트 패턴(10a)을 TMAH에 의해 제거했다. 계속해서, 하드 마스크 패턴(9a)을 마스크로 하여, 불소계 가스(SF6+He)를 이용한 드라이 에칭을 행하여, 차광막(8)에 전사 패턴(차광 패턴(8a))을 형성했다(도 6(C) 참조). 이 불소계 가스에 의한 드라이 에칭에서는, 차광막(8)의 에칭의 개시부터 에칭이 차광막(8)의 두께 방향으로 진행하여 에칭 스토퍼막(2)의 표면이 노출되기 시작할 때까지의 에칭 시간(저스트 에칭 타임)에 더하여, 그 저스트 에칭 타임의 20％의 시간(오버 에칭 타임)만큼 추가의 에칭(오버 에칭)을 행했다. 또한, 이 불소계 가스에 의한 드라이 에칭은 10W의 전력으로 바이어스를 가하고 있어, 소위 고바이어스 에칭의 조건에서 행해졌다.
또한, 잔존하는 하드 마스크 패턴(9a)을 염소계 가스와 산소 가스의 혼합 가스(가스 유량비 Cl2:O2 ＝ 4:1)를 이용한 드라이 에칭으로 제거하고, 암모니아 과수에 의한 세정 등의 소정의 처리를 거쳐, 전사용 마스크(210)를 얻었다(도 6(D) 참조).
제작한 실시예 5의 전사용 마스크(210)에 대해 마스크 검사 장치에 의해 마스크 패턴의 검사를 행한바, 프로그램 결함을 배치하고 있던 개소의 차광 패턴(8a)에 흑결함이 확인되었다. 그 흑결함 부분에 대해, 전자선과 XeF2 가스를 이용하는 EB 결함 수정을 행한바, 에칭 종점을 용이하게 검출할 수 있어, 에칭 스토퍼막(2)의 표면에의 에칭을 최소한으로 그칠 수 있었다.
다른 마스크 블랭크를 이용하여, 마찬가지의 순서로 전사용 마스크를 제조하고, 차광 패턴의 면 내의 CD 균일성을 검사한바, 양호한 결과였다. 또, 차광 패턴의 단면을 STEM으로 관찰한바, 차광 패턴의 측벽의 수직성은 높고, 또 에칭 스토퍼막에의 굴입은 1nm 미만으로 미소하며, 마이크로 트렌치도 발생하고 있지 않았다.
EB 결함 수정을 행한 후의 실시예 5의 전사용 마스크(210)에 대해, AIMS193(Carl Zeiss사 제조)을 이용하여, 파장 193nm의 노광광으로 반도체 디바이스 상의 레지스트막에 노광 전사했을 때에 있어서의 전사상의 시뮬레이션을 행했다. 이 시뮬레이션의 노광 전사상을 검증한바, 설계 사양을 충분히 만족시키고 있었다. 에칭 스토퍼막(2)을 설치함에 따른 투광부의 투과율의 저하가 노광 전사에 주는 영향은 미소했다. 또, EB 결함 수정을 행한 부분의 전사상은, 그 이외의 영역의 전사상에 비해 손색이 없는 것이었다. 이 결과로부터, EB 결함 수정을 행한 후의 실시예 5의 전사용 마스크를 노광 장치의 마스크 스테이지에 세트하고, 반도체 디바이스 상의 레지스트막에 노광 전사했다고 하더라도, 최종적으로 반도체 디바이스 상에 형성되는 회로 패턴을 고정밀도로 형성할 수 있다고 할 수 있다.
(비교예 1)
[마스크 블랭크의 제조]
비교예 1의 마스크 블랭크는, 에칭 스토퍼막(2)을 알루미늄과 산소로 이루어지는 재료로 형성한 것을 제외하고, 실시예 1의 마스크 블랭크와 마찬가지의 구성을 구비한다. 이 비교예 1의 에칭 스토퍼막(2)은, 투광성 기판(1)의 표면에 접하여, 알루미늄 및 산소로 이루어지는 에칭 스토퍼막(2)(AlO 막)을 10nm의 두께로 형성했다. 구체적으로는, 매엽식 RF 스퍼터링 장치 내에 투광성 기판(1)을 설치하고, Al2O3 타겟을 이용하여, 아르곤(Ar) 가스를 스퍼터링 가스로 하는 스퍼터링(RF 스퍼터링)에 의해, 에칭 스토퍼막(2)을 형성했다. 다른 투광성 기판 상에 동일 조건으로 형성한 에칭 스토퍼막에 대해 X선 광전자 분광법에 의한 분석을 행한 결과, Al:O ＝ 42:58(원자％비)이었다. 즉, 이 에칭 스토퍼막(2)의 Si/[Si+Al]는 0이다. 또, 이 에칭 스토퍼막의 파장 193nm의 광에 있어서의 굴절률(n)은 1.864, 소쇠계수(k)는 0.069이다.
다른 투광성 기판에 형성된 에칭 스토퍼막의 ArF 엑시머 레이저의 파장(193nm)에 있어서의 투과율을 상기의 위상 시프트량 측정 장치로 측정한바, 투광성 기판의 투과율을 100％로 했을 때의 투과율이 91.7％이고, 이 비교예 1의 에칭 스토퍼막을 설치함으로써 발생하는 투과율의 저하의 영향은 비교적 큰 것을 알 수 있었다. 그 에칭 스토퍼막이 형성된 투광성 기판을, 농도 0.5％의 암모니아수에 침지시켜 에칭 레이트를 측정한바, 4.0nm/min였다. 이 결과로부터, 이 비교예 1의 에칭 스토퍼막(2)은, 마스크 블랭크로부터 위상 시프트 마스크를 제조하는 과정에서 행해지는 약액 세정에 대해 충분한 내성을 갖고 있지 않은 것을 알 수 있다.
다른 투광성 기판, 다른 투광성 기판에 형성된 에칭 스토퍼막, 및 다른 투광성 기판에 형성된 위상 시프트막의 각각에 대해, SF6와 He의 혼합 가스를 에칭 가스로 이용한 드라이 에칭을 동일 조건으로 행했다. 그리고, 각각의 에칭 레이트를 산출하여, 3자간의 에칭 선택비를 산출했다. 투광성 기판의 에칭 레이트에 대한 비교예 1의 에칭 스토퍼막의 에칭 선택비는 0.025였다. 투광성 기판의 에칭 레이트에 대한 비교예 1의 위상 시프트막의 에칭 선택비는 2.38이었다. 비교예 1의 에칭 스토퍼막의 에칭 레이트에 대한 비교예 1의 위상 시프트막의 에칭 선택비는 95.2였다.
[위상 시프트 마스크의 제조]
다음으로, 이 비교예 1의 마스크 블랭크(100)를 이용하여, 실시예 1과 마찬가지의 순서로 비교예 1의 위상 시프트 마스크(200)를 제작했다. 제작한 비교예 1의 하프톤형의 위상 시프트 마스크(200)에 대해 마스크 검사 장치에 의해 마스크 패턴의 검사를 행한바, 프로그램 결함 이외의 결함이 다수 검출되었다. 각 결함 개소를 조사한바, 위상 시프트 패턴(3a)이 탈락하고 있는 것에 기인하는 결함이 대부분이었다. 또한, 프로그램 결함을 배치하고 있었던 개소의 흑결함 부분에 대해, 전자선과 XeF2 가스를 이용하는 EB 결함 수정을 행한바, 에칭 종점을 용이하게 검출할 수 있어, 에칭 스토퍼막(2)의 표면에의 에칭을 최소한으로 그칠 수 있었다.
다른 마스크 블랭크를 이용하여, 마찬가지의 순서로 위상 시프트 마스크를 제조하고, 위상 시프트 패턴이 탈락하고 있지 않은 개소에 대해, 위상 시프트 패턴의 단면을 STEM으로 관찰한바, 투광부의 에칭 스토퍼막이 소실(약액 세정에 의한 용해)되어 있어, 위상 시프트 패턴이 존재하고 있는 영역의 바로 아래의 에칭 스토퍼막도, 위상 시프트 패턴의 측벽측으로부터 내측을 향하여 용해가 진행되어 있는 것을 확인할 수 있었다. 이 결과로부터, 에칭 스토퍼막이 약액 세정에 의해 용해된 것이, 위상 시프트 패턴의 탈락이 다발한 요인이라고 추찰할 수 있다.
EB 결함 수정을 행한 후의 비교예 1의 하프톤형 위상 시프트 마스크(200)에 대해, AIMS193(Carl Zeiss사 제조)를 이용하여, 파장 193nm의 노광광으로 반도체 디바이스 상의 레지스트막에 노광 전사했을 때에 있어서의 전사상의 시뮬레이션을 행했다. 이 시뮬레이션의 노광 전사상을 검증한바, 설계 사양을 만족시키지 못하고 있었다. 위상 시프트 패턴(3a)의 탈락에 의해 정상적인 노광 전사가 되어 있지 않은 개소가 다수 발견되었다. 또, 위상 시프트 패턴(3a) 자체는 정밀도 좋제 형성되어 있는 개소에서도, 에칭 스토퍼막(2)의 ArF 노광광에 대한 투과율이 낮은 것에 기인하는 것으로 생각되는 전사상의 정밀도 저하가 보였다. 이 결과로부터, EB 결함 수정의 유무에 관계없이, 비교예 1의 위상 시프트 마스크를 노광 장치의 마스크 스테이지에 세트하고, 반도체 디바이스 상의 레지스트막에 노광 전사한 경우, 최종적으로 반도체 디바이스 상에 형성되는 회로 패턴에는, 회로 패턴의 단선이나 단락이 다발하는 것이 예상된다.
1: 투광성 기판 2: 에칭 스토퍼막
3: 위상 시프트막(패턴 형성용 박막)
3a: 위상 시프트 패턴(전사 패턴)
4: 차광막 4a, 4b: 차광 패턴
5, 9: 하드 마스크막 5a, 9a: 하드 마스크 패턴
6a: 제 1 레지스트 패턴 7b: 제 2 레지스트 패턴
8: 차광막(패턴 형성용 박막) 8a: 차광 패턴(전사 패턴)
10a: 레지스트 패턴 100, 110: 마스크 블랭크
200: 위상 시프트 마스크(전사용 마스크)
210: 전사용 마스크
3: 위상 시프트막(패턴 형성용 박막)
3a: 위상 시프트 패턴(전사 패턴)
4: 차광막 4a, 4b: 차광 패턴
5, 9: 하드 마스크막 5a, 9a: 하드 마스크 패턴
6a: 제 1 레지스트 패턴 7b: 제 2 레지스트 패턴
8: 차광막(패턴 형성용 박막) 8a: 차광 패턴(전사 패턴)
10a: 레지스트 패턴 100, 110: 마스크 블랭크
200: 위상 시프트 마스크(전사용 마스크)
210: 전사용 마스크
Claims (18)
- 투광성 기판의 주표면 상에 패턴 형성용 박막을 구비한 마스크 블랭크로서,
상기 패턴 형성용 박막은, 규소를 함유하고,
상기 투광성 기판과 상기 패턴 형성용 박막의 사이에 에칭 스토퍼막을 가지며,
상기 에칭 스토퍼막은, 규소, 알루미늄 및 산소를 함유하되, 규소, 알루미늄 및 산소 이외의 원소의 합계 함유량이 5 원자% 이하이고,
상기 에칭 스토퍼막은, 상기 규소 및 상기 알루미늄의 합계 함유량에 대한 상기 규소의 함유량의 원자％에 의한 비율이, 1/5 이상 4/5 이하이며,
노광광에 대한 상기 투광성 기판의 투과율을 100%로 했을 때의 상기 에칭 스토퍼막의 투과율은 95% 이상 100% 미만인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크. - 제 1 항에 있어서,
상기 에칭 스토퍼막은, 산소 함유량이 60 원자％ 이상 100 원자% 미만인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크. - 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 에칭 스토퍼막은, 규소, 알루미늄 및 산소로 이루어지는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크. - 제 1 항에 있어서,
상기 에칭 스토퍼막은, 상기 투광성 기판의 주표면에 접하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크. - 제 1 항에 있어서,
상기 에칭 스토퍼막은, 두께가 3nm 이상 20nm 이하인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크. - 제 1 항에 있어서,
상기 패턴 형성용 박막은, 규소 및 질소를 함유하는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크. - 제 1 항에 있어서,
상기 패턴 형성용 박막은, 전이금속, 규소 및 질소를 함유하는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크. - 제 1 항에 있어서,
상기 패턴 형성용 박막은, 위상 시프트막인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크. - 제 9 항에 있어서,
상기 위상 시프트막은, 노광광을 1％ 이상의 투과율로 투과시키는 기능과, 상기 위상 시프트막을 투과한 상기 노광광에 대해 상기 위상 시프트막의 두께와 같은 거리만큼 공기 중을 통과한 상기 노광광과의 사이에서 150도 이상 180도 이하의 위상차를 발생시키는 기능을 갖는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크. - 제 9 항에 있어서,
상기 위상 시프트막 상에, 차광막을 구비하는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크. - 제 1 항에 기재한 마스크 블랭크의 상기 패턴 형성용 박막에 전사 패턴을 갖는 것을 특징으로 하는 전사용 마스크.
- 제 11 항에 기재한 마스크 블랭크의 상기 위상 시프트막에 전사 패턴을 갖고, 상기 차광막에 차광대(帶)를 포함하는 패턴을 갖는 것을 특징으로 하는 전사용 마스크.
- 투광성 기판 상에, 에칭 스토퍼막 및 패턴 형성용 박막이 이 순서로 적층된 구조를 구비하는 마스크 블랭크의 제조 방법으로서,
성막실 내에, 규소를 함유하는 타겟과 알루미늄을 함유하는 타겟을 배치하고, 기판 스테이지에 상기 투광성 기판을 배치하며, 상기 규소를 함유하는 타겟과 상기 알루미늄을 함유하는 타겟의 모두에 대해 전압을 인가하는 스퍼터링을 행함으로써, 규소, 알루미늄 및 산소를 함유하는 재료로 이루어지되, 규소, 알루미늄 및 산소 이외의 원소의 합계 함유량이 5 원자% 이하인 상기 에칭 스토퍼막을 형성하되,
여기서, 형성되는 상기 에칭 스토퍼막은, 상기 규소 및 상기 알루미늄의 합계 함유량에 대한 상기 규소의 함유량의 원자％에 의한 비율이, 1/5 이상 4/5 이하이며,
노광광에 대한 상기 투광성 기판의 투과율을 100%로 했을 때의 상기 에칭 스토퍼막의 투과율은 95% 이상 100% 미만인 공정과,
상기 에칭 스토퍼막의 위에, 규소를 함유하는 재료로 이루어지는 상기 패턴 형성용 박막을 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크의 제조 방법. - 제 1 항에 기재한 마스크 블랭크를 이용한 전사용 마스크의 제조 방법으로서,
드라이 에칭에 의해 상기 패턴 형성용 박막에 전사 패턴을 형성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 전사용 마스크의 제조 방법. - 제 11 항에 기재한 마스크 블랭크를 이용한 전사용 마스크의 제조 방법으로서,
드라이 에칭에 의해 상기 차광막에 전사 패턴을 형성하는 공정과,
상기 전사 패턴을 갖는 차광막을 마스크로 하여, 불소계 가스를 이용하는 드라이 에칭에 의해 상기 위상 시프트막에 전사 패턴을 형성하는 공정과,
드라이 에칭에 의해 상기 차광막에 차광대를 포함하는 패턴을 형성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 전사용 마스크의 제조 방법. - 제 12 항 또는 제 13 항에 기재한 전사용 마스크를 이용하여, 반도체 기판 상의 레지스트막에 상기 전사 패턴을 노광 전사하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조 방법.
- 제 15 항 또는 제 16 항에 기재한 전사용 마스크의 제조 방법에 의해 제조된 전사용 마스크를 이용하여, 반도체 기판 상의 레지스트막에 상기 전사 패턴을 노광 전사하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조 방법.
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| JP6808566B2 (ja) * | 2017-04-08 | 2021-01-06 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 |
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| KR20200088543A (ko) | 2019-01-14 | 2020-07-23 | 삼성전자주식회사 | 포토 마스크, 이의 제조방법, 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
| US20220390827A1 (en) * | 2021-06-07 | 2022-12-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Lithography mask and methods |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003322948A (ja) | 2002-04-26 | 2003-11-14 | Hoya Corp | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク |
| JP2008203374A (ja) * | 2007-02-16 | 2008-09-04 | Clean Surface Gijutsu:Kk | ハーフトーンブランクス |
| JP2013238778A (ja) * | 2012-05-16 | 2013-11-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法 |
| JP2015038564A (ja) | 2013-08-19 | 2015-02-26 | Hoya株式会社 | 転写用マスクの製造方法 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3036085B2 (ja) * | 1990-12-28 | 2000-04-24 | 富士通株式会社 | 光学マスクとその欠陥修正方法 |
| JPH06167802A (ja) * | 1992-11-30 | 1994-06-14 | Mitsubishi Electric Corp | 位相シフトマスクの製造方法 |
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| CN100440038C (zh) * | 2001-11-27 | 2008-12-03 | Hoya株式会社 | 半色调型相移掩膜坯料、半色调型相移掩膜及其制造方法 |
| US7011910B2 (en) * | 2002-04-26 | 2006-03-14 | Hoya Corporation | Halftone-type phase-shift mask blank, and halftone-type phase-shift mask |
| KR20060120613A (ko) | 2003-09-05 | 2006-11-27 | 쇼오트 아게 | 감쇄 위상 편이 마스크 블랭크 및 포토 마스크 |
| US7029803B2 (en) | 2003-09-05 | 2006-04-18 | Schott Ag | Attenuating phase shift mask blank and photomask |
| JP2005208660A (ja) * | 2004-01-22 | 2005-08-04 | Schott Ag | 超高透過率の位相シフト型のマスクブランク |
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| JP5335351B2 (ja) * | 2008-10-01 | 2013-11-06 | Ｈｏｙａ株式会社 | マスクブランク用基板セット、マスクブランクセット、フォトマスクセット、及び半導体デバイスの製造方法 |
| JP5177567B2 (ja) * | 2009-05-15 | 2013-04-03 | Ｈｏｙａ株式会社 | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク |
| JP5743718B2 (ja) * | 2011-05-31 | 2015-07-01 | キヤノン株式会社 | 成形型の製造方法及び光学素子 |
| JP5997530B2 (ja) * | 2011-09-07 | 2016-09-28 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスク、および半導体デバイスの製造方法 |
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003322948A (ja) | 2002-04-26 | 2003-11-14 | Hoya Corp | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク |
| JP2008203374A (ja) * | 2007-02-16 | 2008-09-04 | Clean Surface Gijutsu:Kk | ハーフトーンブランクス |
| JP2013238778A (ja) * | 2012-05-16 | 2013-11-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法 |
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