JP2013238778A - フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】透明基板1上に遮光膜2が形成されており、この遮光膜2の上にハードマスク膜3が設けられている。ハードマスク膜3は、その全体がスズを含有するクロム系材料から成る。スズを含有するクロム系材料からなる膜は、塩素系ドライエッチング時のエッチング速度を有意に向上させることができる。加えて、クロムの一部を軽元素に置換したクロム系材料からなる膜に比較して、フッ素系ドライエッチングに対して同等以上のエッチング耐性を有する。このため、ハードマスク膜を加工するためのフォトレジストに対するエッチング負荷が軽減され、レジスト膜を薄くした場合でも、高精度のパターン転写が可能となる。
【選択図】図1
Description
なお、この例では、ハードマスク膜3の全体がスズを含有するクロム系材料から成る。このようなブランクを用いてバイナリーマスクを製造する工程は、概ね下記のとおりである。
ドライエッチング特性を評価する実験例として、一辺が152mmで厚みが6mmの矩形の石英基板上に、クロムターゲットとスズターゲットを別個に設けたコ・スパッタリングによるDCスパッタ法にて、スズ濃度の異なる2種類のCrON膜を、厚み44nmで成膜した。
直流スパッタ装置を用い、石英基板の上に、遮光層と反射防止層からなる遮光膜を形成した。遮光層としては石英基板上にモリブデンとケイ素と窒素からなる膜(膜厚41nm)を成膜した。
直流スパッタ装置を用い、石英基板の上に、モリブデンとケイ素と酸素と窒素から成るハーフトーン位相シフト膜(膜厚75nm)を成膜した。
2 遮光膜
3 ハードマスク膜
4 ハーフトーン位相シフト膜
5 エッチングストッパ膜
6 レジスト膜
7 レジストパターン
11 チャンバ
12 対向電極
13 ICP発生用高周波発信器
14 アンテナコイル
15 試料
16 平面電極
17 RIE用高周波発信器
18 排気口
19 ガス導入口
Claims (6)
- モリブデン、タンタル、ハフニウム、ニオブ、タングステン、シリコンの群から選択される1種以上の元素を含有し、フッ素系ドライエッチングでエッチング可能な無機材料膜上に、スズを含有するクロム系材料からなるハードマスク膜を備えている、
ことを特徴とするフォトマスクブランク。 - 前記スズを含有するクロム系材料は、スズの含有量がクロムの含有量に対し、原子比で0.01倍以上2倍以下である、
請求項1に記載のフォトマスクブランク。 - 前記スズを含有するクロム系材料は、スズ−クロム金属、スズ−クロム酸化物、スズ−クロム窒化物、スズ−クロム炭化物、スズ−クロム酸化窒化物、スズ−クロム酸化炭化物、スズ−クロム窒化炭化物、スズ−クロム酸化窒化炭化物の何れかである、
請求項1又は2に記載のフォトマスクブランク。 - 前記フッ素系ドライエッチングによりエッチング加工可能な無機材料膜は、モリブデンとシリコンを含有する膜である、
請求項1乃至3の何れか1項に記載のフォトマスクブランク。 - 前記モリブデンとシリコンを含有する膜は遮光膜である、
請求項4に記載のフォトマスクブランク。 - 請求項1乃至5の何れか1項に記載のブランクを用いたフォトマスクの製造方法であって、
前記ハードマスク膜を塩素系ドライエッチングでエッチングしてハードマスクパターンを形成する工程と、
前記ハードマスクパターンをエッチングマスクとしてフッ素系ドライエッチングにより前記無機材料膜にパターンを転写する工程を備えている、
フォトマスクの製造方法。
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