TWI475317B - 光罩基底用基板套件、光罩基底套件、光罩套件及半導體裝置之製造方法 - Google Patents

光罩基底用基板套件、光罩基底套件、光罩套件及半導體裝置之製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI475317B
TWI475317B TW098133422A TW98133422A TWI475317B TW I475317 B TWI475317 B TW I475317B TW 098133422 A TW098133422 A TW 098133422A TW 98133422 A TW98133422 A TW 98133422A TW I475317 B TWI475317 B TW I475317B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
main surface
reticle
kit
shape
Prior art date
Application number
TW098133422A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201024915A (en
Inventor
Masaru Tanabe
Original Assignee
Hoya Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hoya Corp filed Critical Hoya Corp
Publication of TW201024915A publication Critical patent/TW201024915A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI475317B publication Critical patent/TWI475317B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/20—Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/60—Substrates
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)

Description

光罩基底用基板套件、光罩基底套件、光罩套件及半導體裝置之製造方法
本發明係關於一種光微影製程中使用之光罩用之光罩基底用基板或光罩基底套件。
於半導體製造製程之光微影製程中使用光罩。隨著半導體裝置之微細化發展，該光微影製程中之對微細化之要求高漲。尤其為對應微細化，使用ArF曝光光(193nm)之曝光裝置之高NA(Numerical Aperture，數值孔徑)化發展，進而藉由導入液浸曝光技術而高NA化進一步發展。為對應此種微細化之要求及高NA化，要求提高光罩之平坦度。即，由於圖案線寬之微細化發展，由平坦度引起之轉印圖案之位置偏移的容許量變小，又，隨著高NA化發展，微影步驟中之焦點裕度變少，因此光罩基板之尤其係形成圖案之側之主表面(以下，將該側之主表面簡稱為主表面或基板主表面)的平坦度變得更重要。
另一方面，若該光罩藉由真空固持盤而被固持在曝光裝置之光罩台上，則視與光罩台或真空固持盤之相容性不同，而有固持住時會較大程度地變形的情形。即，先前，以固持住前之光罩之平坦度進行產品管理，因此即使固持住前為合格品，但視與光罩台或真空固持盤之相容性不同，有固持在曝光裝置之光罩台上時光罩之平坦度會較大程度地惡化之情形。尤其，對於主表面之形狀之對稱性比較低而有扭絞形狀之傾向的基板而言，該傾向較為顯著。 因此，產生了要考慮將光罩固持在真空固持盤上時之平坦度的必要性。先前，提出了用以選擇固持在曝光裝置之光罩台上後的平坦度良好之光罩基板的方法。此種方法例如記載於日本專利特開2003-50458號公報中。
於半導體製造製程中，形成具有半導體裝置之電路圖案之積層結構時，於各層中進行光微影步驟。電路圖案中，於下層與上層之間亦必須形成配線，因此各層之圖案之重合精度較為重要。尤其，由於近年來圖案之微細化．高密度化，對形成半導體裝置之積層結構時所使用之光罩的套件要求高重合精度。
於此種光罩之套件中，即便可利用各光罩以較高之位置精度形成圖案，但若各光罩中之兩基板之主表面形狀不同，則真空固持於曝光裝置上時之基板變形之傾向亦不同。進而，由此基板上之圖案之位置偏移亦表現出不同傾向，故會導致2片光罩之重合精度惡化。因此，對於形成具有半導體裝置之電路圖案之積層結構時使用之光罩套件中所用的基板套件，較理想的是形成圖案之側之主表面形狀具有近似的形狀。
另一方面，近年來，圖案之微細化及高密度化飛躍發展，於一個光罩中形成微細且高密度之圖案開始產生極限。作為解決該微影技術之問題之方法，開發出了雙圖案化(DP，double patterning)技術或雙曝光(DE，double exposure)技術。所謂雙圖案化技術與雙曝光技術，於以下 方面係共同的：將一個微細．高密度圖案分割成兩個比較稀疏之圖案(第1圖案、第2圖案)，並製作分別形成有該兩個圖案之光罩(第1光罩、第2光罩)。並且，該等技術於以下方面不同。
雙圖案化技術之情形時，首先，進行使用第1光罩對塗佈於半導體裝置之最表層上之第1光阻膜轉印第1圖案的曝光步驟及顯影步驟，將第1圖案轉印至第1光阻膜上(形成第1光阻圖案)。其次，以第1光阻膜圖案作為蝕刻遮罩而對最表層進行乾式蝕刻，於最表層上轉印第1圖案。接著，將第1光阻圖案剝離，於最表層上塗佈第2光阻膜。其次，進行使用第2光罩將第2圖案轉印至第2光阻膜上之曝光步驟及顯影步驟，將第2圖案轉印至第2光阻膜上(形成第2光阻圖案)。然後，以第2光阻膜圖案作為蝕刻遮罩而對最表層進行乾式蝕刻，於最表層上轉印第2圖案。藉由進行該等步驟，可於半導體裝置之最表層上轉印第1圖案與第2圖案合成所得之微細．高密度圖案。
另一方面，雙曝光技術之情形時，進行利用第1光罩對塗佈於半導體裝置之最表層上之光阻膜轉印第1圖案的曝光步驟，進而進行利用第2光罩轉印第2圖案之曝光步驟。即，對相同之光阻膜進行2次曝光。可藉由對該步驟後之光阻膜進行顯影處理，而於光阻膜上轉印第1圖案與第2圖案合成所得之微細．高密度圖案。此後的對半導體裝置之最表層的微細．高密度圖案之轉印係利用如先前般之步驟進行。
雙圖案化(DP)技術及雙曝光(DE)技術之任一者中，藉由所使用之2片套件光罩而曝光轉印之第1圖案與第2圖案之重合精度均對半導體裝置之圖案轉印精度有較大程度的影響(若重合之精度較低，則會產生半導體裝置中形成之導電線寬較大程度地變動、或成為斷線狀態或短路狀態等半導體裝置的致命問題)。即便能以非常高之位置精度於光罩上形成圖案，但若套件之2片光罩中之各基板的主表面形狀不同，則真空固持於曝光裝置時之基板變形之傾向不同。進而，由此基板上之圖案之位置偏移亦表現出不同之傾向，故導致2片光罩之重合精度大幅度地惡化。因此，對於雙圖案化技術(DP)或雙曝光(DE)技術中使用之2片套件光罩中所用之基板套件，較理想的是形成圖案之側之主表面形狀具有近似的形狀。
本發明係鑒於上述方面而成者，其目的在於提供一種適合於要求較高之光罩重合精度之光罩的基板套件。
本發明之光罩基底用基板套件之特徵在於：其係將複數片用以製作固持在曝光裝置之光罩台上的光罩之光罩基底所使用的基板作為套件者；且複數片的套件中使用之各基板係，設置形成轉印圖案之薄膜之側的主表面之形狀為於中央相對較高，於周邊部相對較低之凸形狀，上述主表面之包括中央部之142mm見方的區域中之平坦度為0.3μm以下，相對於基準基板之基準主表面於包括中央部之132mm見方內的區域中進行擬合時之差為40nm以下。
根據該構成，基板套件中所含之基板係彼此形狀近似 者，因此適合於要求高重合精度之光罩。因此，可藉由使用利用該等基板獲得之光罩，而以高重合精度進行圖案化。
於本發明之光罩基底用基板套件中，上述基準基板宜具有將上述複數片的套件中使用之基板的設置薄膜之側的主表面形狀加以平均之形狀的基準主表面的虛擬基板。
於本發明之光罩基底用基板套件中，上述基準基板宜為特定之實體基板。
於本發明之光罩基底用基板套件中，上述基準基板係上述基準主表面之形狀於上述主表面之包含中央部之132mm見方內的區域中宜為球面形狀的虛擬基板。
本發明之光罩基底套件宜為使用上述光罩基底用基板套件，並將於上述複數片的套件之各基板之上述主表面上成膜用以形成轉印圖案的遮光膜而製造的光罩基底作為套件。
本發明之光罩基底用基板套件係將複數片用以製作固持在曝光裝置之光罩台上的光罩之光罩基底所使用之基板作為套件者；且複數片的套件中使用之基板係，設置形成轉印圖案之薄膜之側的主表面之形狀為於中央相對較高，於周邊部相對較低之凸形狀，上述主表面之包括中央部之142mm見方的區域中之平坦度為0.3μm以下，相對於基準基板之基準主表面於包括中央部之132mm見方內的區域中進行擬合時之差為40nm以下。
藉此，使用本發明之基板套件，製作出形成半導體裝置 之電路圖案之積層結構時各層之光微影步驟中使用的複數片光罩之套件之情形時，或者製作出DP技術或DE技術所使用之2片以上的光罩之套件之情形時，各光罩中固持在曝光裝置上時所產生之基板變形表現出大致相同之傾向，基板上之圖案之位置偏移亦表現出大致相同之傾向，因此具有大幅度地提高各光罩之轉印圖案彼此之重合精度的效果。
對於本發明之光罩基底用基板套件而言，相較於以光罩基底用基板套件為基礎而製作之光罩套件之各光罩未固持在曝光裝置之光罩台上時其主表面具有非常高之平坦度的方面，以下方面更受重視：將各光罩固持在光罩台上時，其基板之變形表現出相同傾向，可獲得光罩之轉印圖案彼此之較高的重合精度。
對將光罩固持在曝光裝置之光罩台上時之基板的形狀變化進行分析，結果判明了如下內容。通常，曝光裝置中，於將光罩固持在光罩台上時，係以光罩之主表面之相對向的兩個端面側之區域為固持區。
利用研磨裝置對主表面進行了研磨之基板就其研磨之性質而言，基本上成中央較高、端面側較低之剖面形狀的傾向較強，大多情況下由此種主表面形狀之基板所製作之光罩亦成為相同之表面形狀。圖1係將此種形狀之光罩10載置於曝光裝置之固持盤台(光罩台之光罩之表面直接接觸而固持住的部分)11上時之平面圖。又，圖2A係將光罩10 固持在固持盤台11上之前之狀態的自圖1所示之A方向(固持盤台11之短邊方向)觀察之側面圖。又，圖2B係同樣將光罩10固持在固持盤台11上之前之狀態的自圖1所示之B方向(固持盤台之長邊方向)觀察的側面圖。由圖2A可知，由於光罩10之表面形狀，於固持盤台11之短邊側，成為光罩10之兩方之端面浮起的狀態。由圖2B可知，由於光罩10之表面形狀，於固持盤台11之長邊側，成為光罩10之兩方之端面側浮起的狀態。
此種載置狀態下，若將光罩10固持在固持盤台11上，則如圖3(A)、(B)所示，由於吸附，浮起之光罩10之4方之端面側被拉伸。其結果，光罩10自四個端面方向受到使中央部向上方變形之作用。即，存在對基板施加以下的力之傾向，即，使主表面變形成自四個端面側之固持區朝中央向上方成凸形狀之2次曲面(球面形狀)之力。
圖4A及4B係分別表示在曝光裝置之光罩台上固持住之前(吸附前)及固持住之後(吸附後)之狀態的應用本發明之基板的形狀之圖。由圖4A可知，基板主表面之四角部分稍許高於固持區之主表面的高度，又，主表面之高度係朝向中央部逐漸變高。即，吸附前之基板顯示大致圓狀之等高線。由圖4B可知，吸附後之基板顯示大致矩形狀之等高線，132mm見方內之等高線數亦較少，間隔亦較寬。即，固持住後之基板主表面之形狀係平坦度較固持住前大幅度地變良好。
考慮到該等傾向，本發明之光罩基底用基板套件中，首 先，作為基準基板，係設定成以下者：其主表面形狀為於中央部相對較高，於周邊部相對較低之凸形狀，且係基準基板之142mm見方內的區域中平坦度為0.3μm以下之形狀。而且，將以下者作為合格品之光罩基底用基板：相對於該基準基板之基準主表面形狀，於實際進行預定研磨而製造之基板之設置薄膜之側的主表面的包括其中央部之132mm見方內的區域中進行擬合，其差為40nm以下，且包括其中央部之142mm見方內區域中之平坦度為0.3μm以下。而且，準備複數片此種合格品作為光罩基底用基板套件。以該光罩基底用基板為基礎而製作之各光罩於固持在曝光裝置上時亦具有較高之平坦度，且各光罩之轉印圖案彼此之重合精度亦可提高。
基準基板亦可設定為使其基準主表面為將光罩基底用基板套件中使用之各基板之設置薄膜之側的主表面形狀加以平均的形狀之虛擬基板。光罩基底用基板套件中使用之各基板滿足其設置薄膜之側之主表面之形狀於包括中央部之142mm見方內的區域中的平坦度為0.3μm之條件，已具有高至某種程度之平坦度，因此將該等基板之主表面形狀加以平均的形狀具有較高之平坦度。
基準基板亦可設定為特定之實體基板。如上所述，光罩基底用基板套件中所用之基板滿足其設置薄膜之側之主表面的形狀於包括中央部之142mm見方內的區域中之平坦度為0.3μm之條件，已具有高至某種程度之平坦度。若收集具有將該特定之實體基板之設置薄膜之側的主表面形狀作 為基準主表面形狀、於包括其中央部之132mm見方內的區域中進行擬合時之差為40nm以下之主表面形狀的基板作為光罩基底用基板套件，則以此為基礎而製成之各光罩於固持在曝光裝置上時具有較高之平坦度，且各光罩之轉印圖案彼此之重合精度亦可提高。
基準基板亦可設定為其基準主表面於包括其中央部之132mm見方內的區域中為球面形狀、且平坦度為0.3μm以下之虛擬基板。對將使用此種基準基板之光罩固持在曝光裝置上後之基準主表面的形狀進行模擬，結果基準主表面之平坦度為0.08μm以下。若收集相對於對該基準主表面形狀於包括其中央部之132mm見方內的區域中進行擬合而其差為40nm以下者作為光罩基底用基板套件，則將以此為基礎而製成之各光罩固持在曝光裝置上時各光罩之轉印圖案彼此之重合精度亦可提高，並且可於形成轉印圖案之區域即132mm見方內之區域中確實地滿足DRAM(Dynamic Random Access Memory，動態隨機存取記憶體)半間距(hp，half pitch)32nm代之光罩所要求之平坦度。
對研磨後之實際基板(實體基板)之主表面中132mm見方內之區域進行基準主表面之擬合時，宜於132mm見方內區域之邊界部分以基準主表面至少高於實體基板之主表面的高度位置關係進行擬合。較佳者為於132mm見方內區域之邊界部分以基準主表面與實體基板之主表面極為一致之高度關係進行。
再者，此處所謂基準主表面之球面形狀，並不限定於完 全球面之部分形狀。視研磨步驟中使用之研磨裝置之特性造成的研磨後實體基板之剖面形狀的傾向、或使用該實體基板之曝光裝置之光罩台的固持盤之吸附力不同，有施加使基板之某一對端面側較正交之另一對端面側更強地變形之力的傾向變強的情形。於此種情形時，基準主表面之形狀可為橢圓球面形狀。
以下，參照隨附圖式，對本發明之實施形態進行詳細說明。
圖5A係用以說明本發明之實施形態之光罩基底用基板套件所使用之光罩基底用基板1的平面圖，圖5B係沿著圖5A中之Y1-Y1線之剖面圖，圖5C係沿著圖5A中之XY1-XY1線之剖面圖。再者，圖5B所示之形狀與沿著圖5A中之X1-X1線之剖面圖之形狀大致相同，圖5C所示之形狀與沿著圖5A中之XY2-XY2線之剖面圖之形狀大致相同。圖5A所示之光罩基底用基板1係，設置形成轉印圖案之薄膜之側的主表面為包括中央部之142mm見方內的區域中之平坦度為0.3μm以下，且於中央部相對較高，於周邊部相對較低之凸形狀。於圖5A中，設光罩基底用基板之一邊之長度為Ls(A=152mm)，設142mm見方內的區域之一邊之長度為Lb(B=142mm)，設132mm見方內的區域之一邊之長度為Lp(C=132mm)。再者，如圖5B或圖5C所示，所謂142mm見方內的區域中之平坦度，係指於該區域內光罩基底用基板1之最高部分與最低部分之差(高低差)H。
又，該光罩基底用基板1係對上述主表面2之形狀進行預 定基準基板之基準主表面3的擬合時之差為40nm以下。對於基準基板，如上所述，可應用各種條件者，此處應用其基準主表面3之形狀係於中央部相對高，於周邊部相對低之凸形狀，且於基準基板之132mm見方內的區域中為球面形狀者。更詳細而言，係指基準主表面3之形狀為包括其中央部之132mm見方內區域之平坦度為0.3μm以下之基板，以132mm見方內之區域之平坦度為0.2μm以下之基板為宜。又，尤其對於用以獲得各種固持住方式之曝光裝置可共通使用之光罩基底用基板的基準基板而言，以基準主表面3係以圓球之球面定義之形狀為佳。
圖6係圖5C所示之光罩基底用基板1之部分放大剖面圖。(虛擬)基準主表面3係基準基板之主表面形狀，為對主表面2進行擬合時之狀態。而且，於主表面2之包括中央部之132mm見方內的區域(圖5中之以Lp所示之區域)中與基準主表面3擬合時之差為D1 、D2 。D1 係基板主表面2位於較基準主表面3更上方之部分中最大之差(絕對值)，D2 係基板主表面2位於較基準主表面3更下方之部分中最大之差(絕對值)。而且，該差D1 、D2 中，較大之差為40nm以下。
即，將相對於特定之基準基板之設置形成轉印圖案之薄膜之側的基準主表面於132mm見方內的區域中進行擬合時之差分別為40nm以下之複數片基板加以組合，組合而成者稱為本發明之基板套件。此種基板套件所含光罩基底用基板形狀近似，因此使用其獲得之光罩套件適合於要求高重合精度之光罩套件。因此，藉由使用利用該等基板而獲 得之光罩套件，能夠以高重合精度進行圖案化。
再者，光罩基底用基板之主表面形狀係藉由利用使用波長調變雷射之波長偏移干涉儀進行測定而求出。該波長偏移干涉儀係根據自光罩基底用基板之被測定面及背面分別反射之反射光與來自測定機基準面(前方基準面)之參照光的干涉條紋，算出被測定面之高度差作為相位差，檢測各干涉條紋之頻率之不同，將自光罩基底用基板之被測定面及背面分別反射之反射光的與來自測定機基準面(前方基準面)之參照光的干涉條紋分別分離，測定被測定面之凹凸形狀。
於本發明中，作為光罩基底用基板，可使用玻璃基板。作為玻璃基板，只要可用作光罩基底則並無特別限定。例如，可列舉：合成石英玻璃、鹼石灰玻璃、鋁矽酸鹽玻璃、硼矽酸鹽玻璃、無鹼玻璃等。又，EUV(extreme ultraviolet，遠紫外線)光罩基底用玻璃基板之情形時，為抑制由曝光時之熱所導致的被轉印圖案之變形，而使用具有約0±1.0×10-7 /℃之範圍內、更好的是約0±0.3×10-7 /℃之範圍內的低熱膨脹係數之玻璃材料。進而，為於玻璃基板上形成多數層膜，EUV用光罩基底係使用可抑制由膜應力引起之變形之剛性較高的玻璃材料。尤其好的是具有65GPa以上之較高之楊氏模量的玻璃材料。例如可使用SiO2 -TiO2 系玻璃、合成石英玻璃等非晶玻璃、或析出有β-石英固溶體之結晶化玻璃。
此種光罩基底用基板例如可經由粗研磨步驟、精密研磨 步驟及超精密研磨步驟而製造。
製造之基板係於以如下程度為最低限度之目標下進行研磨加工：設置形成轉印圖案之薄膜之主表面的形狀係於中央相對較高，於周邊部相對較低之凸形狀，且主表面之包括中央部之142mm見方內的區域中之平坦度為0.3μm以下。進而，於預先設定基準基板之基準主表面之形狀之情形時，以與該基準主表面之包括中央部之132mm見方內的區域中之形狀相符為目標而進行研磨加工。
尤其，於將基準基板之基準主表面之形狀設為球面形狀之情形時，製造之基板之主表面的形狀係以如下方式利用各研磨步驟進行調整：例如為球面時，近似於以x2 +y2 +z2 =r2 (r：曲率半徑)定義之曲面。再者，所謂132mm見方內之區域中平坦度為0.3μm以下之基準主表面之曲面形狀，係指其曲率半徑r大致為14,500,000mm以上者，所謂132mm見方內之區域中平坦度為0.2μm以下之基準主表面的曲面形狀，係指其曲率半徑r大致為21,720,000mm以上者。
可藉由在此種光罩基底用基板之具有上述凸形狀之主表面上至少形成遮光膜而製成光罩基底。作為構成該遮光膜之材料，可列舉鉻或矽化鉬。鉻系遮光膜之情形時，Cr中可添加氮、氧、及/或碳。又，矽化鉬系遮光膜之情形時，MoSi中可添加氮、氧、及/或碳。
又，根據光罩之用途或構成不同，亦可適當形成其他膜、抗反射膜或半透射膜等。作為抗反射膜之材料，宜使 用MoSiON、MoSiO、MoSiN、MoSiOC、MoSiOCN等，作為半透射膜之材料，宜使用CrO、CrON、MoSiN、MoSiON等。
進而，亦可於遮光膜或抗反射膜上對該膜設置具有蝕刻耐性之蝕刻遮罩膜，亦可於基板與遮光膜之間設置蝕刻擋止膜。
遮光膜可藉由濺鍍法而成膜。作為濺鍍裝置，可使用DC(direct-current，直流)磁控濺鍍裝置或RF(radio frequency，射頻)磁控濺鍍裝置等。於光罩基底用基板上濺鍍遮光性膜時，宜使基板旋轉、且於使濺鍍靶材自基板之旋轉軸傾斜預定角度之位置配置靶材而進行成膜。藉由此種成膜法，可減少遮光膜之面內之不均而均一地形成膜。
於使基板旋轉、且將濺鍍靶材配置於自基板之旋轉軸傾斜預定角度之位置而進行成膜之情形時，相位角及透射率之面內之分布亦根據基板與靶材之位置關係而變化。使用圖7對靶材與基板之位置關係進行說明。偏移距離(基板之中心軸與通過靶材之中心且與上述基板之中心軸平行之直線間的距離)係根據應確保相位角及透射率之分布之面積而調整。通常，於應確保分布之面積較大之情形時，必要之偏移距離變大。於本實施形態中，為於142mm見方內之基板內實現相位角分布±2°以內及透射率分布±0.2°%以內，偏移距離必須為200mm至350mm左右，偏移距離宜為240mm至280mm。靶材-基板間垂直距離(T/S)係最佳範 圍根據偏移距離而變化，為於142mm見方內之基板內實現相位角分布±2°以內及透射率分布±0.2°%以內，靶材-基板間垂直距離(T/S)必須為200mm至380mm左右，T/S宜為210mm至300mm。靶材傾斜角會影響成膜速度，為獲得較大之成膜速度，靶材傾斜角較適當的是0°至45°，靶材傾斜角以10°至30°為佳。
利用光微影及蝕刻對上述至少遮光膜進行圖案化而設置轉印圖案，藉此可製造光罩。再者，關於蝕刻之蝕刻劑，係根據被蝕刻膜之材料而適宜變更。
其次，對為明確本發明之效果而進行之實施例加以說明。再者，以下實施例中，對基板套件為光罩基底用基板(玻璃基板)之情形進行說明。
(實施例1)
對於該實施例1中製造之光罩基底用基板之形狀，以如下目標進行研磨加工：使其設置形成轉印圖案之薄膜之側的主表面之形狀成為於包括其中央部之142mm見方內之區域中平坦度為0.3μm之形狀。具體而言，係經由以下各研磨步驟而製造。
對合成石英玻璃基板實施磨削加工及去角加工，對所得之玻璃基板於以下之研磨條件下進行粗研磨步驟。粗研磨步驟後，為去除附著於玻璃基板上之研磨粒而對玻璃基板進行超音波清洗。再者，加工壓力、上下壓盤之各轉速、研磨時間等研磨條件係適宜調整而進行研磨。
研磨液：氧化鈰(平均粒徑為2μm~3μm)+水
研磨墊：硬質拋光墊(胺基甲酸酯墊)
繼而，對粗研磨後之玻璃基板於以下研磨條件下進行精密研磨步驟。精密研磨步驟後，為去除附著於玻璃基板上之研磨粒而對玻璃基板進行超音波清洗。以使該精密研磨步驟後之玻璃基板的形成轉印圖案之側的主表面形狀成為四角凸起之方式調整各條件而進行研磨。其原因在於，其後之超精密研磨步驟具有主表面之四角優先被研磨之特性，藉此可抑制四角之邊緣下垂，可使基板主表面之142mm見方內之平坦度為0.3μm以下。
研磨液：氧化鈰(平均粒徑1μm)+水
研磨墊：軟質拋光墊(絨面革型)
繼而，對精密研磨後之玻璃基板於以下研磨條件下進行超精密研磨步驟。超精密研磨步驟後，為去除附著於玻璃基板上之研磨粒而對玻璃基板進行超音波清洗。再者，加工壓力、上下壓盤之各轉速、研磨時間等研磨條件係適宜調整而進行研磨。於該超精密研磨步驟中，由於基板形狀為方形，因此具有四角容易優先被研磨之特性。以使基板主表面之表面粗度為預定粗度0.4nm以下、且基板主表面之142mm見方內之平坦度不超過0.3μm之方式設定研磨條件。以此種方式而製作本發明之玻璃基板(152.4mm×152.4mm×6.35mm)。
研磨液：膠體氧化矽(平均粒徑為100nm)+水
研磨墊：超軟質拋光墊(絨面革型)
利用使用波長調變雷射之波長偏移干涉儀測定以此種方 式而獲得之複數片玻璃基板之形狀。於複數片玻璃基板之中，選出設置形成轉印圖案之薄膜之側的主表面之平坦度於包括其中央部之142mm見方之區域中為0.3μm以下者。其次，對該所選出之複數片玻璃基板100片計算平均主表面形狀，將其定為基準基板之基準主表面之形狀。進而，選出對該玻璃基板100片與所決定之基準主表面形狀於包括其中央部之132mm見方內之區域中分別進行擬合而差為40nm以下者。進而，自所選出之複數片玻璃基板中選擇10片，作為光罩基底用基板套件(基板套件)。
繼而，於上述基板套件之各玻璃基板上，分別依序形成包括背面抗反射層、遮光層、表面抗反射層之遮光膜(形成轉印圖案之薄膜)。具體而言，使用Cr靶材作為濺鍍靶材，將Ar、CO2 、N2 、He之混合氣體作為濺鍍氣體(氣體流量比Ar：CO2 ：N2 ：He=24：29：12：35)，使氣壓為0.2Pa，DC電源之功率為1.7kW，以39nm之膜厚形成CrOCN膜作為背面抗反射層。其次，使用Cr靶材作為濺鍍靶材，將Ar、NO、He之混合氣體作為濺鍍氣體(氣體流量比Ar：NO：He=27：18：55)，使氣壓為0.1Pa，DC電源之功率為1.7kW，以17nm之膜厚形成CrON膜作為遮光層。然後，使用Cr靶材作為濺鍍靶材，將Ar、CO2 、N2 、He之混合氣體作為濺鍍氣體(氣體流量比Ar：CO2 ：N2 ：He=21：37：11：31)，使氣壓為0.2Pa，DC電源之功率為1.8kW，以14nm之膜厚形成CrOCN膜作為表面抗反射層。以此種方式製作10片光罩基底，利用檢查裝置M1350(Lasertec股 份有限公司製造)進行缺陷檢查，自合格之光罩基底中選擇5片，將其作為光罩基底套件。
自以此種方式獲得之光罩基底套件中抽出2片光罩基底，分別藉由預定之步驟，將分別應用DP技術、將相當於DRAM hp32nm代之一個微細．高密度轉印圖案分成兩個比較稀疏之圖案的兩個轉印圖案形成於各光罩基底之遮光膜上，製作DP用光罩套件。對各DP用光罩利用光罩檢查機進行檢查，結果滿足DRAM hp32nm代之DP用光罩所要求之條件。進而，使用該DP用光罩套件利用曝光裝置對轉印對象物(晶圓等)上之光阻膜進行圖案轉印，結果可驗證，由重合精度不足所引起之轉印對象物之配線短路或斷線不存在，具有高重合精度。
又，自同樣地製造之光罩基底套件中抽出2片光罩基底，分別藉由預定之步驟，將分別應用DE技術、將相當於DRAM hp32nm代之一個微細．高密度轉印圖案分成兩個比較稀疏之圖案的兩個轉印圖案形成於各光罩基底之遮光膜上，製作DE用光罩套件。對各DE用光罩利用光罩檢查機進行檢查，結果充分滿足DRAM hp32nm代之DE用光罩所要求之條件。進而，使用該DE用光罩套件利用曝光裝置對轉印對象物(晶圓等)上之光阻膜進行圖案轉印，結果可驗證，由重合精度不足所引起之轉印對象物之配線短路或斷線不存在，具有高重合精度。
進而，對於同樣地製造之光罩基底套件，分別藉由預定之步驟，將相當於DRAM hp45nm代之半導體裝置之積層 結構的各電路圖案形成於各光罩基底之遮光膜上，製作光罩套件。使用該光罩套件之各光罩，於半導體裝置之各電路圖案形成時，利用曝光裝置於晶圓上之光阻膜上轉印電路圖案，結果可驗證，由各電路圖案之重合精度不足所引起的上下層間之配線短路或斷線不存在，具有高重合精度。
(實施例2)
以與實施例1相同之方式進行精密研磨及超精密研磨步驟，獲得複數片玻璃基板。利用使用波長調變雷射之波長偏移干涉儀測定以此種方式獲得之複數片玻璃基板之形狀。於複數片玻璃基板中，選出設置形成轉印圖案之薄膜之側的主表面之平坦度於包括其中央部之142mm見方之區域中為0.3μm以下者。其次，自該所選出之複數片玻璃基板中，選出與基準基板之主表面形狀(為球面，曲率半徑r=14,508,150mm，於132mm見方內之區域中平坦度為0.3μm之曲面形狀)於包括其中央部之132mm見方內之區域中進行擬合而差為40nm以下者。進而，自所選出之複數片玻璃基板中選擇10片，作為光罩基底用基板套件(基板套件)。
繼而，以與實施例1相同之方式，於上述基板套件之各玻璃基板上分別依序形成包括背面抗反射層、遮光層、表面抗反射層之遮光膜(形成轉印圖案之薄膜)，以此種之方式製作10片光罩基底，利用檢查裝置M1350進行缺陷檢查，自合格之光罩基底之中選擇5片，將其作為光罩基底 套件。
自以此種方式獲得之光罩基底套件中抽出2片光罩基底，以與實施例1相同之方式製作相當於DRAM hp32nm代之DP用光罩套件。對各DP用光罩利用光罩檢查機進行檢查，結果滿足DRAM hp32nm代之DP用光罩所要求之條件。進而，使用該DP用光罩套件利用曝光裝置對轉印對象物(晶圓等)上之光阻膜進行圖案轉印，結果可驗證，由重合精度不足所引起之轉印對象物之配線短路或斷線不存在，具有高重合精度。
又，自同樣地製造之光罩基底套件中抽出2片光罩基底，以與實施例1相同之方式製作相當於DRAM hp32nm代之DE用光罩套件。對各DE用光罩利用光罩檢查機進行檢查，結果滿足DRAM hp32nm代之DE用光罩所要求之條件。進而，使用該DE用光罩套件利用曝光裝置對轉印對象物(晶圓等)上之光阻膜進行圖案轉印，結果可驗證，由重合精度不足所引起之轉印對象物之配線短路或斷線不存在，具有高重合精度。
又，對於同樣地製造之光罩基底套件，分別藉由預定之步驟，將相當於DRAM hp45nm代之半導體裝置之積層結構的各電路圖案形成於各光罩基底之遮光膜上，製作光罩套件。使用該光罩套件之各光罩，於半導體裝置之各電路圖案形成時，利用曝光裝置於晶圓上之光阻膜上轉印電路圖案，結果可驗證，由各電路圖案之重合精度不足所引起的上下層間之配線短路或斷線不存在，具有高重合精度。
(實施例3)
以與實施例1相同之方式進行精密研磨及超精密研磨步驟，獲得複數片玻璃基板。使用利用波長調變雷射之波長偏移干涉儀測定以此種方式獲得之複數片玻璃基板之形狀。於複數片玻璃基板中，選出設置形成轉印圖案之薄膜之側的主表面之形狀於包括其中央部之142mm見方區域中為0.3μm以下者。其次，自該所選出之複數片玻璃基板中，選出與基準基板之主表面形狀(為球面，r=21,762,225mm，於132mm見方之區域中平坦度為0.2μm之曲面形狀)於包括其中央部之132mm見方內的區域中進行擬合而差為40nm以下者。進而，自所選出之複數片玻璃基板中選擇10片，作為光罩基底用基板套件(基板套件)。
圖8係以等高線圖表示對利用波長偏移干涉儀所製造之玻璃基板中之1片測定的基板主表面之形狀。又，圖9表示該玻璃基板之兩對角線(圖8之XYR1-XYR1線及XYR2-XYR2線)之各主表面形狀。測定之結果為，該玻璃基板之142mm見方內之平坦度為0.19μm，132mm見方內之平坦度亦為0.18μm，滿足所要求之平坦度0.2μm以下。圖10係以等高線圖表示於基準基板之132mm見方內進行擬合之基準主表面之形狀。又，圖11表示對圖8所示之玻璃基板於132mm見方內與圖10之基準主表面進行擬合時之一剖面形狀。圖12表示進行該擬合時玻璃基板之主表面與理想基準主表面形狀之差。再者，圖12所示之差中，以正數值表示進行擬合時基準基板之高度高於玻璃基板之主表面之高度 的部分，反之，以負數值表示玻璃基板之主表面之高度更高的部分。
若觀察圖12之結果，則擬合差中正數值為0.0075μm(7.5nm)，負數值為-0.0067μm(6.7nm)，結果良好。又，於132mm見方內，所有擬合差中最大亦為0.011(11nm)，在40nm以下，可知該玻璃基板為高精度之合格品。
繼而，以與實施例1相同之方式，於上述基板套件之各玻璃基板上分別依序形成包括背面抗反射層、遮光層、表面抗反射層之遮光膜(形成轉印圖案之薄膜)，製作10片光罩基底，利用檢查裝置M1350進行缺陷檢查，自合格之光罩基底中選擇5片，將其作為光罩基底套件。
自以此種方式獲得之光罩基底套件中抽出2片光罩基底，以與實施例1相同之方式製作相當於DRAM hp22nm代之DP用光罩套件。對各DP用光罩利用光罩檢查機進行檢查，結果滿足DRAM hp22nm代之DP用光罩所要求之條件。進而，使用該DP用光罩套件利用曝光裝置對轉印對象物(晶圓等)上之光阻膜進行圖案轉印，結果可驗證，由重合精度不足所引起之轉印對象物之配線短路或斷線不存在，具有高重合精度。
又，自同樣地製造之光罩基底套件中抽出2片光罩基底，以與實施例1相同之方式製作相當於DRAM hp22nm代之DE用光罩套件。對各DE用光罩利用光罩檢查機進行檢查，結果滿足DRAM hp22nm代之DE用光罩所要求之條件。進而，使用該DE用光罩套件利用曝光裝置對轉印對 象物(晶圓等)上之光阻膜進行圖案轉印，結果可驗證，由重合精度不足所引起之轉印對象物之配線短路或斷線不存在，具有高重合精度。
又，對於同樣地製造之光罩基底套件，分別藉由預定之步驟，將相當於DRAM hp45nm代之半導體裝置之積層結構的各電路圖案形成於各光罩基底之遮光膜上，製作光罩套件。使用該光罩套件之各光罩，於半導體裝置之各電路圖案形成時，利用曝光裝置於晶圓上之光阻膜上轉印電路圖案，結果可驗證，由各電路圖案之重合精度不足所引起的上下層間之配線短路或斷線不存在，具有高重合精度。
(實施例4)
對於實施例1中所製作之各光罩基底用基板套件，於各玻璃基板上形成移相膜以及包括背面抗反射層、遮光層及表面抗反射層之遮光膜。具體而言，使用Mo與Si之混合靶材(原子%比Mo：Si=10：90)作為濺鍍靶材，將Ar、N2 、He之混合氣體作為濺鍍氣體(氣體流量比Ar：N2 ：He=5：49：46)，使氣壓為0.3Pa，DC電源之功率為2.8kW，以69nm之膜厚形成MoSiN膜作為移相膜。其次，於250℃下對形成有移相膜之基板進行5分鐘加熱處理(退火處理)。
然後，形成包括背面抗反射層、遮光層及表面抗反射層之遮光膜。具體而言，最初使用Cr靶材作為濺鍍靶材，將Ar、CO2 、N2 、He之混合氣體作為濺鍍氣體(氣體流量比Ar：CO2 ：N2 ：He=22：39：6：33)，使氣壓為0.2Pa，DC電源之功率為1.7kW，以30nm之膜厚形成CrOCN膜作為 背面抗反射層。其次，使用Cr靶材作為濺鍍靶材，將Ar、N2 之混合氣體作為濺鍍氣體(氣體流量比Ar：N2 =83：17)，使氣壓為0.1Pa，DC電源之功率為1.7kW，以4nm之膜厚形成CrN膜作為遮光層。其次，使用Cr靶材作為濺鍍靶材，將Ar、CO2 、N2 、He之混合氣體作為濺鍍氣體(氣體流量比Ar：CO2 ：N2 ：He=21：37：11：31)，使氣壓為0.2Pa，DC電源之功率為1.8kW，以14nm之膜厚形成CrOCN膜作為表面抗反射層。包括於上述條件下成膜之背面抗反射層、遮光層及表面抗反射層之遮光膜係遮光膜整體為低應力，且移相膜亦為低應力，因而可將基板之形狀變化抑制成最小限度。
繼而，對於以與實施例1相同之方式製作之光罩基底，分別利用檢查裝置M1350進行缺陷檢查，自合格之光罩基底中選擇5片，將其作為光罩基底套件。
自以此種方式獲得之光罩基底套件中抽出2片光罩基底，以與實施例1相同之方式製作相當於DRAM hp32nm代之DP用光罩套件。對各DP用光罩利用光罩檢查機進行檢查，結果滿足DRAM hp32nm代之DP用光罩所要求之條件。進而，使用該DP用光罩套件利用曝光裝置對轉印對象物(晶圓等)上之光阻膜進行圖案轉印，結果可驗證，由重合精度不足所引起之轉印對象物之配線短路或斷線不存在，具有高重合精度。
又，自同樣地製造之光罩基底套件中抽出2片光罩基底，以與實施例1相同之方式製作相當於DRAM hp32nm代 之DE用光罩套件。對各DE用光罩利用光罩檢查機進行檢查，結果滿足DRAM hp32nm代之DE用光罩所要求之條件。進而，使用該DE用光罩套件利用曝光裝置對轉印對象物(晶圓等)上之光阻膜進行圖案轉印，結果可驗證，由重合精度不足所引起之轉印對象物之配線短路或斷線不存在，具有高重合精度。
又，對於同樣地製造之光罩基底套件，分別藉由預定之步驟，將相當於DRAM hp45nm代之半導體裝置之積層結構的各電路圖案形成於各光罩基底之遮光膜上，製作光罩套件。使用該光罩套件之各光罩，於半導體裝置之各電路圖案形成時，利用曝光裝置於晶圓上之光阻膜上轉印電路圖案，結果可驗證，由各電路圖案之重合精度不足所引起的上下層間之配線短路或斷線不存在，具有高重合精度。
(實施例5)
對於實施例2中所製作之各光罩基底用基板套件，於各玻璃基板上形成與實施例4相同構造之移相膜以及包括背面抗反射層、遮光層及表面抗反射層之遮光膜。繼而，對於以與實施例1相同之方式製作之光罩基底，分別利用檢查裝置M1350進行缺陷檢查，自合格之光罩基底中選擇5片，將其作為光罩基底套件。
自以此種方式獲得之光罩基底套件中抽出2片光罩基底，以與實施例2相同之方式製作相當於DRAM hp32nm代之DP用光罩套件。對各DP用光罩利用光罩檢查機進行檢查，結果滿足DRAM hp32nm代之DP用光罩所要求之條 件。進而，使用該DP用光罩套件利用曝光裝置對轉印對象物(晶圓等)上之光阻膜進行圖案轉印，結果可驗證，由重合精度不足所引起之轉印對象物之配線短路或斷線不存在，具有高重合精度。
又，自同樣地製造之光罩基底套件中抽出2片光罩基底，以與實施例2相同之方式製作相當於DRAM hp32nm代之DE用光罩套件。對各DE用光罩利用光罩檢查機進行檢查，結果滿足DRAM hp32nm代之DE用光罩所要求之條件。進而，使用該DE用光罩套件利用曝光裝置對轉印對象物(晶圓等)上之光阻膜進行圖案轉印，結果可驗證，由重合精度不足所引起之轉印對象物之配線短路或斷線不存在，具有高重合精度。
又，對於同樣地製造之光罩基底套件，分別藉由預定之步驟，將相當於DRAM hp45nm代之半導體裝置之積層結構的各電路圖案形成於各光罩基底之遮光膜上，製作光罩套件。使用該光罩套件之各光罩，於半導體裝置之各電路圖案形成時，利用曝光裝置於晶圓上之光阻膜上轉印電路圖案，結果可驗證，由各電路圖案之重合精度不足所引起的上下層間之配線短路或斷線不存在，具有高重合精度。
(實施例6)
對於實施例3中所製作之各光罩基底用基板套件，於各玻璃基板上形成與實施例4相同構造之移相膜以及包括背面抗反射層、遮光層及表面抗反射層之遮光膜。繼而，對於以與實施例1相同之方式製作之光罩基底，分別利用檢 查裝置M1350進行缺陷檢查，自合格之光罩基底中選擇5片，將其作為光罩基底套件。
自以此種方式獲得之光罩基底套件中抽出2片光罩基底，以與實施例3相同之方式製作相當於DRAM hp22nm代之DP用光罩套件。對各DP用光罩利用光罩檢查機進行檢查，結果滿足DRAM hp22nm代之DP用光罩所要求之條件。進而，使用該DP用光罩套件利用曝光裝置對轉印對象物(晶圓等)上之光阻膜進行圖案轉印，結果可驗證，由重合精度不足所引起之轉印對象物之配線短路或斷線不存在，具有高重合精度。
又，自同樣地製造之光罩基底套件中抽出2片光罩基底，以與實施例3相同之方式製作相當於DRAM hp22nm代之DE用光罩套件。對各DE用光罩利用光罩檢查機進行檢查，結果滿足DRAM hp22nm代之DE用光罩所要求之條件。進而，使用該DE用光罩套件利用曝光裝置對轉印對象物(晶圓等)上之光阻膜進行圖案轉印，結果可驗證，由重合精度不足所引起之轉印對象物之配線短路或斷線不存在，具有高重合精度。
又，對於同樣地製造之光罩基底套件，分別藉由預定之步驟，將相當於DRAM hp45nm代之半導體裝置之積層結構的各電路圖案形成於各光罩基底之遮光膜上，製作光罩套件。使用該光罩套件之各光罩，於半導體裝置之各電路圖案形成時，利用曝光裝置於晶圓上之光阻膜上轉印電路圖案，結果可驗證，由各電路圖案之重合精度不足所引起 的上下層間之配線短路或斷線不存在，具有高重合精度。
(實施例7)
對於實施例1中所製作之各光罩基底用基板套件，於各玻璃基板上形成作為遮光膜之MoSiON膜(背面抗反射層)、MoSi(遮光層)、MoSiON膜(抗反射層)。具體而言，使用Mo：Si=21：79(原子%比)之靶材，將Ar、O2 、N2 及He作為濺鍍氣體且使氣壓為0.2Pa(氣體流量比Ar：O2 ：N2 ：He=5：4：49：42)，使DC電源之功率為3.0kW，以7nm之膜厚形成包含鉬、矽、氧及氮之膜(MoSiON膜：膜中之Mo與Si之原子%比約為21：79)，繼而，使用相同之靶材，將Ar作為濺鍍氣體且使氣壓為0.1Pa，使DC電源之功率為2.0kW，以35nm之膜厚形成包含鉬及矽之膜(MoSi膜：膜中之Mo與Si之原子%比約為21：79)，接著，使用Mo：Si=4：96(原子%比)之靶材，將Ar、O2 、N2 及He作為濺鍍氣體且使氣壓為0.2Pa(氣體流量比Ar：O2 ：N2 ：He=5：4：49：42)，使DC電源之功率為3.0kW，以10nm之膜厚形成包含鉬、矽、氧及氮之膜(MoSiON膜：膜中之Mo與Si之原子%比約為4：96)。遮光膜之合計膜厚為52nm。包括於上述條件下成膜之背面抗反射層、遮光層及表面抗反射層之遮光膜係遮光膜整體為低應力，因而可將基板之形狀變化抑制成最小限度。
然後，對於以與實施例1相同之方式製作之光罩基底，分別利用檢查裝置M1350進行缺陷檢查，自合格之光罩基底中選擇5片，將其作為光罩基底套件。
自以此種方式獲得之光罩基底套件中抽出2片光罩基底，以與實施例1相同之方式製作相當於DRAM hp32nm代之DP用光罩套件。對各DP用光罩利用光罩檢查機進行檢查，結果滿足DRAM hp32nm世代之DP用光罩所要求之條件。進而，使用該DP用光罩套件利用曝光裝置對轉印對象物(晶圓等)上之光阻膜進行圖案轉印，結果可驗證，由重合精度不足所引起之轉印對象物之配線短路或斷線不存在，具有高重合精度。
又，自同樣地製造之光罩基底套件中抽出2片光罩基底，以與實施例1相同之方式製作相當於DRAM hp32nm代之DE用光罩套件。對各DE用光罩利用光罩檢查機進行檢查，結果滿足DRAM hp32nm代之DE用光罩所要求之條件。進而，使用該DE用光罩套件利用曝光裝置對轉印對象物(晶圓等)上之光阻膜進行圖案轉印，結果可驗證，由重合精度不足所引起之轉印對象物之配線短路或斷線不存在，具有高重合精度。
又，對於同樣地製造之光罩基底套件，分別藉由預定之步驟，將相當於DRAM hp45nm代之半導體裝置之積層結構的各電路圖案形成於各光罩基底之遮光膜上，製作光罩套件。使用該光罩套件之各光罩，於半導體裝置之各電路圖案形成時，利用曝光裝置於晶圓上之光阻膜上轉印電路圖案，結果可驗證，由各電路圖案之重合精度不足所引起的上下層間之配線短路或斷線不存在，具有高重合精度。
(實施例8)
對於實施例2中所製作之各光罩基底用基板套件，於各玻璃基板上形成與實施例7相同構造之包括背面抗反射層、遮光層及表面抗反射層之遮光膜。繼而，對於以與實施例1相同之方式製作之光罩基底，分別利用檢查裝置M1350進行缺陷檢查，自合格之光罩基底之中選擇5片，將其作為光罩基底套件。
自以此種方式獲得之光罩基底套件中抽出2片光罩基底，以與實施例2相同之方式製作相當於DRAM hp32nm代之DP用光罩套件。對各DP用光罩利用光罩檢查機進行檢查，結果滿足DRAM hp32nm世代之DP用光罩所要求之條件。進而，使用該DP用光罩套件利用曝光裝置對轉印對象物(晶圓等)上之光阻膜進行圖案轉印，結果可驗證，由重合精度不足所引起之轉印對象物之配線短路或斷線不存在，具有高重合精度。
又，自同樣地製造之光罩基底套件中抽出2片光罩基底，以與實施例2相同之方式製作相當於DRAM hp32nm代之DE用光罩套件。對於各DE用光罩，利用光罩檢查機進行檢查，結果滿足DRAM hp32nm代之DE用光罩所要求之條件。進而，使用該DE用光罩套件利用曝光裝置對轉印對象物(晶圓等)上之光阻膜進行圖案轉印，結果可驗證，由重合精度不足所引起之轉印對象物之配線短路或斷線不存在，具有高重合精度。
又，對於同樣地製造之光罩基底套件，分別藉由預定之步驟，將相當於DRAM hp45nm代之半導體裝置之積層結 構的各電路圖案形成於各光罩基底之遮光膜上，製作光罩套件。使用該光罩套件之各光罩，於半導體裝置之各電路圖案形成時，利用曝光裝置於晶圓上之光阻膜上轉印電路圖案，結果可驗證，由各電路圖案之重合精度不足所引起的上下層間的配線短路或斷線不存在，具有高重合精度。
(實施例9)
對於實施例3中所製作之各光罩基底用基板套件，於各玻璃基板上形成與實施例7相同構造之包括背面抗反射層、遮光層及表面抗反射層之遮光膜。繼而，對於以與實施例1相同之方式製作之光罩基底，分別利用檢查裝置M1350進行缺陷檢查，自合格之光罩基底中選擇5片，將其作為光罩基底套件。
自以此種方式獲得之光罩基底套件中抽出2片光罩基底，以與實施例3相同之方式製作相當於DRAM hp22nm代之DP用光罩套件。對各DP用光罩利用光罩檢查機進行檢查，結果滿足DRAM hp22nm代之DP用光罩所要求之條件。進而，使用該DP用光罩套件利用曝光裝置對轉印對象物(晶圓等)上之光阻膜進行圖案轉印，結果可驗證，由重合精度不足所引起之轉印對象物之配線短路或斷線不存在，具有高重合精度。
又，自同樣地製造之光罩基底套件中抽出2片光罩基底，以與實施例3相同之方式製作相當於DRAM hp22nm代之DE用光罩套件。對各DE用光罩利用光罩檢查機進行檢查，結果滿足DRAM hp22nm世代之DE用光罩所要求之條 件。進而，使用該DE用光罩套件，利用曝光裝置對轉印對象物(晶圓等)上之光阻膜進行圖案轉印，結果可驗證，由重合精度不足所引起之轉印對象物之配線短路或斷線不存在，具有高重合精度。
又，對於同樣地製造之光罩基底套件，分別藉由預定之步驟，將相當於DRAM hp45nm代之半導體裝置之積層結構的各電路圖案形成於各光罩基底之遮光膜上，製作光罩套件。使用該光罩套件之各光罩，於半導體裝置之各電路圖案形成時，利用曝光裝置於晶圓上之光阻膜上轉印電路圖案，結果可驗證，由各電路圖案之重合精度不足所引起的上下層間之配線短路或斷線不存在，具有高重合精度。
(實施例10)
於實施例2中，對於進行至超精密研磨步驟及超音波清洗為止之玻璃基板，對其主表面進行利用MRF(Magneto Rheological Finishing，磁流變拋光)加工法之局部加工。最初，利用使用波長調變雷射之波長偏移干涉儀測定該玻璃基板之主表面的平坦度(測定區域：與基板中心同心之142mm見方內之區域)。其次，根據該測定之實測值，首先驗證基板主表面之142mm見方內之區域中平坦度是否為0.3μm以下之範圍。當平坦度超過0.3μm時，將自最低處觀察時超過0.3μm之高度之區域指定為必需局部加工之區域，算出必需加工量。其次，根據基板主表面之實測值，對基板主表面之132mm見方內之區域進行相對於基準基板之基準曲面的擬合。該情形時，以基準曲面相對於132mm 見方內之區域之基板主表面不位於較預定的容許最大擬合差(40nm)更上方之高度的方式進行擬合。並且，將基板主表面相對於擬合之基準曲面位於較特定之容許最大擬合差(40nm)更上方的部位指定為必需局部加工之區域，算出必需加工量。該階段中被判斷為無需局部加工之基板成為可用作本發明之光罩基底用基板之合格品。
其次，對於必需局部加工且指定了其區域之玻璃基板進行利用MRF加工法之局部加工。所謂MRF加工法，係指使磁性流體中含有之研磨粒藉由磁場輔助而與基板接觸，並控制接觸部分之滯留時間，藉此進行局部研磨加工之方法。該研磨加工中，凸部位之凸度越大，越延長研磨粒之接觸部分之滯留時間。又，凸部位之凸度越小，則將研磨粒之接觸部分之滯留時間控制得越短。
圖13A及13B係說明MRF加工法之加工狀態之概略圖，分別表示正面方向剖面圖及側面方向剖面圖。根據MRF加工法，使包含鐵(未圖示)之磁性流體41中所含有之研磨粒(未圖示)藉由磁場輔助而高速接觸於作為被加工物之光罩基底用基板1，並且控制接觸部分之滯留時間，藉此進行局部研磨加工。即，於旋轉自如地受到支持之圓盤狀電磁石6中投入磁性流體41與研磨漿料42之混合液(磁性研磨漿料4)，將其前端作為局部加工之研磨點5，使應去除之凸部分13接觸於研磨點5。如此，則磁性研磨漿料4沿著圓盤上之磁場而成為於基板1側分布較多之研磨漿料42、於電磁石3側分布較多之磁性流體41的大致雙層狀態。將該狀 態之一部分作為局部研磨加工之研磨點5，與基板1之表面接觸，藉此對凸部分13進行局部研磨而控制為數十nm之平坦度。
該MRF加工法與先前之研磨方法不同，研磨點5一直流動，因此由加工工具之磨耗或形狀變化所引起的加工精度之劣化不存在，進而，無需以高荷重按壓基板1，因此具有表面移位層之刮痕或損傷較少之優點。又，MRF加工法中，一面使研磨點5接觸一面使基板1移動時，根據對每個預定區域設定之加工餘量(必需加工量)而控制基板1之移動速度，藉此可容易地調節去除量。
磁性流體41中混合之研磨漿料42係使用使微細之研磨粒子分散於液體中者。研磨粒子例如為碳化矽、氧化鋁、金剛石、氧化鈰、氧化鋯、氧化錳、膠體氧化矽等，根據被加工物之材質或加工表面粗度等而適宜選擇。將該等研磨粒子分散於水、酸性溶液、鹼性溶液等液體中而製成研磨漿料42，混合至磁性流體41中。
針對進行了光罩基底用基板1之主表面與虛擬基準主表面之擬合結果被判斷為必需MRF加工法之局部研磨加工的部位，以所算出之必需加工量進行局部研磨加工。其次，由於進行了局部研磨加工之主表面產生了表面粗糙，因此以短時間使用雙面研磨裝置進行雙面研磨。雙面研磨係於以下研磨條件下進行。再者，加工壓力、上下壓盤之各轉速、研磨時間等研磨條件係適當調整而進行研磨。
研磨液：膠體氧化矽(平均粒徑為70nm)
+鹼性水溶液(NaOH，pH值為11)
研磨墊：超軟質拋光墊(絨面革型)
其結果，所獲得之玻璃基板之形狀係，設置形成轉印圖案之薄膜之主表面的形狀為於中央相對較高，於周邊部相對較低之凸形狀。進而，與虛擬基準主表面擬合時之差為40nm以下者、即能夠用作本發明之光罩基底用基板之合格品係於100片中為100片，能夠以極高之良率製造。
又，對於所獲得之玻璃基板，以與實施例2、實施例5、實施例8相同之順序獲得光罩基底用基板套件、光罩基底套件、光罩套件，並進行驗證，可確認，其結果與各實施例中分別驗證之結果相同，良率高且可獲得與各實施例相同之效果。
(實施例11)
於實施例3中，對於進行至超精密研磨步驟及超音波清洗為止之玻璃基板，以與實施例10相同之方式對其主表面進行利用MRF加工法之局部加工。此處，當然要以基板主表面之142mm見方內區域中平坦度為0.3μm以下之範圍的方式進行局部加工，亦以132mm見方內之區域中平坦度為0.2μm以下之範圍的方式進行上述局部加工。其結果，所獲得之玻璃基板之形狀係，設置形成轉印圖案之薄膜之主表面的形狀為於中央相對較高，於周邊部相對較低之凸形狀。進而，與虛擬基準主表面進行擬合時之差為40nm以下者、即能夠用作本發明之光罩基底用基板之合格品係於100片中為100片，能夠以極高之良率製造。
又，對於所獲得之玻璃基板，以與實施例3、實施例6、實施例9相同之順序獲得光罩基底用基板套件、光罩基底套件、光罩套件，並進行驗證，可確認，其結果與各實施例中分別驗證之結果相同，良率高且可獲得與各實施例相同之效果。
如此，本發明之基板套件係將複數片用以製作固持在曝光裝置之光罩台上之光罩的光罩基底所使用之基板作為套件的光罩基底用基板套件；且複數片的套件中使用之基板係，設置形成轉印圖案之薄膜之側的主表面之形狀為於中央相對較高，於周邊部相對較低之凸形狀，上述主表面之包括中央部之142mm見方的區域中之平坦度為0.3μm以下，相對於基準基板之基準主表面進行擬合時之差為40nm以下。藉此，使用本發明之基板套件，製作形成半導體裝置之電路圖案之積層結構時各層之光微影步驟中使用之複數片光罩的套件之情形時，或者製作DP或DE技術所使用之2片以上光罩的套件之情形時，各光罩中固持在曝光裝置上時所產生之基板變形表現出大致相同之傾向，基板上之圖案之位置偏移亦表現出大致相同之傾向，因此可大幅度地提高各光罩之轉印圖案彼此之重合精度。
本發明並不限定於上述實施形態，可適宜變更而實施。例如，上述實施形態中之材料、尺寸、處理順序等為一例，可於發揮本發明之效果之範圍內進行各種變更而實施。此外，只要不脫離本發明之目的之範圍，則可適宜變更而實施。
1‧‧‧光罩基底用基板
2‧‧‧主表面
3‧‧‧基準主表面
4‧‧‧磁性研磨漿料
5‧‧‧研磨點
6‧‧‧電磁石
10‧‧‧光罩
11‧‧‧固持盤台
13‧‧‧凸部分
41‧‧‧磁性流體
42‧‧‧研磨漿料
A、B‧‧‧方向
D1 、D2 、H‧‧‧差
Lb、Lp、Ls‧‧‧長度
P‧‧‧XYR2-XYR2剖面
Q‧‧‧XYR1-XYR1剖面
R‧‧‧研磨後之實體基板之主表面
S‧‧‧基準主表面
T/S‧‧‧靶材-基板間垂直距離
X1、XY1、XY2、XYR1、XYR2、Y1‧‧‧線
圖1係將光罩載置於曝光裝置之固持盤台上時之基板主表面方向的平面圖。
圖2A係表示將光罩固持在固持盤台上之前的光罩之形狀的圖，係自圖1之A方向觀察之側面圖。
圖2B係表示將光罩固持在固持盤台上之前的光罩之形狀的圖，係自圖1之B方向觀察之側面圖。
圖3A係表示將光罩固持在固持盤台上之後的光罩之形狀的圖，係自圖1之A方向觀察之側面圖。
圖3B係表示將光罩固持在固持盤台上之後的光罩之形狀的圖，係自圖1之B方向觀察之側面圖。
圖4A係表示應用本發明之基板之主表面形狀的等高線圖，係表示固持在曝光裝置之固持盤台上之前的基板之主表面形狀的等高線圖。
圖4B係表示應用本發明之基板之主表面形狀的等高線圖，係表示固持在曝光裝置之固持盤台上之後的基板之主表面形狀的等高線圖。
圖5A係本發明之實施形態之光罩基底用基板之主表面方向的平面圖。
圖5B係沿著圖5A中之Y1-Y1之剖面圖。
圖5C係沿著圖5A中之XY1-XY1之剖面圖。
圖6係表示圖5C所示之光罩基底用基板之部分放大剖面的圖。
圖7係表示製造本發明之實施形態之光罩基底時所使用 之濺鍍裝置的概略構成之圖。
圖8係表示實施例3中製造之玻璃基板之主表面形狀的等高線圖。
圖9係表示圖8所示之玻璃基板的沿著XYR1-XYR1線之剖面的主表面形狀、及沿著XYR2-XYR2線之剖面的主表面形狀。
圖10係基準主表面之形狀之等高線圖。
圖11係對圖8所示之玻璃基板進行圖10所示之基準主表面的擬合之圖。
圖12係與圖11中進行擬合時之擬合差有關之圖。
圖13A係說明實施例10之MRF加工法之加工狀態的概略圖，係正面方向剖面圖。
圖13B係說明實施例10之MRF加工法之加工狀態的概略圖，係側面方向剖面圖。
10‧‧‧光罩
11‧‧‧固持盤台
A、B‧‧‧方向

Claims (18)

  1. 一種光罩基底用基板套件，其特徵在於：其係將複數片用以製作固持在曝光裝置之光罩台上的光罩之光罩基底所使用的基板作為套件者；且上述複數片的套件中使用之各基板係，設置形成轉印圖案之薄膜之側的主表面之形狀為於中央相對較高，於周邊部相對較低之凸形狀；上述各基板之主表面相對於基準基板之基準主表面於包括中央部之132mm見方內的區域中進行擬合時之差為40nm以下；上述基準基板係上述基準主表面之形狀於上述主表面之包括中央部之132mm見方內的區域中為球面形狀之虛擬基板。
  2. 如請求項1之光罩基底用基板套件，其中上述基準基板係上述基準主表面形狀於上述主表面之包括中央部之132mm見方內的區域中的平坦度為0.3μm以下之虛擬基板。
  3. 如請求項1之光罩基底用基板套件，其中上述虛擬基板之上述基準主表面之球面形狀係具有14,500,000mm以上之曲率半徑。
  4. 如請求項1之光罩基底用基板套件，其中上述各基板之主表面之包括中央部之142mm見方內的區域中之平坦度為0.3μm以下。
  5. 一種光罩基底套件，其特徵在於：其係將複數片用以製 作固持在曝光裝置之光罩台上的光罩之光罩基底作為套件者；且上述複數片套件中所使用之各光罩基底係於基板之主表面上具備用以形成轉印圖案的薄膜；且上述各光罩基底之各基板係，設置形成轉印圖案之薄膜之側的主表面之形狀為於中央相對較高，於周邊部相對較低之凸形狀；上述各基板之主表面相對於基準基板之基準主表面於包括中央部之132mm見方內之區域中進行擬合時之差為40nm以下；上述基準基板係上述基準主表面之形狀於上述主表面之包括中央部之132mm見方內的區域中為球面形狀之虛擬基板。
  6. 如請求項5之光罩基底套件，其中上述基準基板係上述基準主表面形狀於上述主表面之包括中央部之132mm見方內的區域中的平坦度為0.3μm以下之虛擬基板。
  7. 如請求項5之光罩基底套件，其中上述虛擬基板之上述基準主表面之球面形狀係具有14,500,000mm以上之曲率半徑。
  8. 如請求項5之光罩基底套件，其中上述各基板之主表面之包括中央部之142mm見方內的區域中之平坦度為0.3μm以下。
  9. 一種光罩套件，其特徵在於：其係將複數片固持在曝光裝置之光罩台上的光罩作為套件者； 且上述複數片套件中所使用之各光罩係於各基板之主表面上具備具有轉印圖案的薄膜；各光罩之各基板係，設置具有轉印圖案之薄膜之側的主表面之形狀為於中央相對較高，於周邊部相對較低之凸形狀；上述各基板之主表面相對於基準基板之基準主表面於包括中央部之132mm見方內之區域中進行擬合時之差為40nm以下；上述基準基板係上述基準主表面之形狀於上述主表面之包括中央部之132mm見方內的區域中為球面形狀之虛擬基板。
  10. 如請求項9之光罩套件，其中上述基準基板係上述基準主表面形狀於上述主表面之包括中央部之132mm見方內的區域中的平坦度為0.3μm以下之虛擬基板。
  11. 如請求項9之光罩套件，其中上述虛擬基板之上述基準主表面之球面形狀係具有14,500,000mm以上之曲率半徑。
  12. 如請求項9之光罩套件，其中上述各基板之主表面之包括中央部之142mm見方內的區域中之平坦度為0.3μm以下。
  13. 如請求項9之光罩套件，其中上述各光罩之薄膜具有利用雙圖案化技術或雙曝光技術中之任一者所產生的轉印圖案。
  14. 一種半導體裝置之製造方法，其係使用光罩套件，藉由 微影法將各光罩之轉印圖案於半導體基板上進行圖案轉印者，其中該光罩套件係將複數片固持在曝光裝置之光罩台上的光罩作為套件者；且上述複數片套件中所使用之各光罩係於各基板之主表面上具備具有轉印圖案的薄膜；且上述各光罩之各基板係，設置具有轉印圖案之薄膜之側的主表面之形狀為於中央相對較高，於周邊部相對較低之凸形狀；上述各基板之主表面相對於基準基板之基準主表面於包括中央部之132mm見方內之區域中進行擬合時之差為40nm以下；上述基準基板係上述基準主表面之形狀於上述主表面之包括中央部之132mm見方內的區域中為球面形狀之虛擬基板。
  15. 如請求項14之半導體裝置之製造方法，其中上述虛擬基板之上述基準主表面之球面形狀係具有14,500,000mm以上之曲率半徑。
  16. 如請求項14之半導體裝置之製造方法，其中上述各基板之主表面之包括中央部之142mm見方內的區域中之平坦度為0.3μm以下。
  17. 如請求項14之半導體裝置之製造方法，其中上述各光罩之薄膜具有利用雙圖案化技術或雙曝光技術中之任一者所產生的轉印圖案。
  18. 如請求項14之半導體裝置之製造方法，其中上述各光罩 之薄膜具有利用雙圖案化技術或雙曝光技術中之任一者所產生的轉印圖案。
TW098133422A 2008-10-01 2009-10-01 光罩基底用基板套件、光罩基底套件、光罩套件及半導體裝置之製造方法 TWI475317B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008256800A JP5335351B2 (ja) 2008-10-01 2008-10-01 マスクブランク用基板セット、マスクブランクセット、フォトマスクセット、及び半導体デバイスの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201024915A TW201024915A (en) 2010-07-01
TWI475317B true TWI475317B (zh) 2015-03-01

Family

ID=41821498

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104102161A TWI522727B (zh) 2008-10-01 2009-10-01 光罩基底用基板套件之製造方法、光罩基底套件之製造方法、光罩套件之製造方法及半導體裝置之製造方法
TW098133422A TWI475317B (zh) 2008-10-01 2009-10-01 光罩基底用基板套件、光罩基底套件、光罩套件及半導體裝置之製造方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104102161A TWI522727B (zh) 2008-10-01 2009-10-01 光罩基底用基板套件之製造方法、光罩基底套件之製造方法、光罩套件之製造方法及半導體裝置之製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (2) US8007961B2 (zh)
JP (1) JP5335351B2 (zh)
KR (2) KR101161349B1 (zh)
DE (1) DE102009043442B4 (zh)
TW (2) TWI522727B (zh)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5993834A (ja) * 1982-11-17 1984-05-30 Kawasaki Steel Corp プレス成形性にすぐれた冷延鋼板の製造方法
JP5222660B2 (ja) * 2008-08-07 2013-06-26 Ｈｏｙａ株式会社 マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、フォトマスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法
JP5637062B2 (ja) * 2010-05-24 2014-12-10 信越化学工業株式会社 合成石英ガラス基板及びその製造方法
WO2012102313A1 (ja) * 2011-01-26 2012-08-02 旭硝子株式会社 フォトマスクの製造方法
JP5937873B2 (ja) * 2011-04-13 2016-06-22 Hoya株式会社 フォトマスク用基板セット、フォトマスクセット、及びパターン転写方法
JP2014134771A (ja) * 2012-12-12 2014-07-24 Dainippon Printing Co Ltd 光学フィルム、画像表示装置、露光用部材、露光マスクの保持部材
CN103019028B (zh) * 2012-12-14 2014-01-15 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜板及其制作方法
WO2014203961A1 (ja) * 2013-06-21 2014-12-24 Hoya株式会社 マスクブランク用基板、マスクブランク、転写用マスク及びこれらの製造方法並びに半導体デバイスの製造方法
JP6055732B2 (ja) * 2013-07-26 2016-12-27 Hoya株式会社 マスクブランク用基板、マスクブランク、およびそれらの製造方法、並びにインプリントモールドの製造方法
JP5658331B2 (ja) * 2013-07-31 2015-01-21 Hoya株式会社 マスクブランク用基板セットの製造方法、マスクブランクセットの製造方法、フォトマスクセットの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法
KR102294187B1 (ko) * 2013-09-27 2021-08-26 호야 가부시키가이샤 마스크 블랭크용 기판, 다층 반사막 부착 기판, 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 및 반도체 장치의 제조방법
CN104062842B (zh) 2014-06-30 2019-02-15 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种掩模板及其制造方法、工艺装置
JP6256422B2 (ja) * 2014-08-07 2018-01-10 旭硝子株式会社 マスクブランク用ガラス基板
US9709884B2 (en) 2014-11-26 2017-07-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. EUV mask and manufacturing method by using the same
US10031411B2 (en) 2014-11-26 2018-07-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Pellicle for EUV mask and fabrication thereof
KR102625449B1 (ko) * 2015-05-15 2024-01-16 호야 가부시키가이샤 마스크 블랭크, 마스크 블랭크의 제조 방법, 전사용 마스크, 전사용 마스크의 제조 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법
DE102017202945A1 (de) * 2017-02-23 2018-08-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Transformieren von Messdaten einer photolithographischen Maske für den EUV-Bereich von einer ersten Umgebung in eine zweite Umgebung

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0683032A (ja) * 1992-08-31 1994-03-25 Sony Corp 位相シフト露光方法及び位相シフトマスクの作製方法
JP2003050458A (ja) * 2001-05-31 2003-02-21 Toshiba Corp 露光マスクの製造方法、マスク基板情報生成方法、半導体装置の製造方法、マスク基板、露光マスクおよびサーバー
US20030186624A1 (en) * 2002-03-29 2003-10-02 Hoya Corporation Method of determining a flatness of an electronic device substrate, method of producing the substrate, method of producing a mask blank, method of producing a transfer mask, polishing method, electronic device substrate, mask blank, transfer mask, and polishing apparatus
JP2004062095A (ja) * 2002-07-31 2004-02-26 Fujitsu Ltd フォトマスク、そのパターン欠陥検出方法及びそれを用いたパターン形成方法
WO2004077155A1 (ja) * 2003-02-27 2004-09-10 Fujitsu Limited フォトマスク及び半導体装置の製造方法
US20050019677A1 (en) * 2003-07-25 2005-01-27 Masayuki Nakatsu Photomask blank substrate, photomask blank and photomask
US20060068300A1 (en) * 2004-09-29 2006-03-30 Hoya Corporation Mask blank substrate, mask blank, exposure mask, mask blank substrate manufacturing method, and semiconductor manufacturing method
US20070298353A1 (en) * 2006-05-24 2007-12-27 Fujitsu Limited Pattern forming method and method for manufacturing semiconductor device
JP2008172249A (ja) * 2008-01-15 2008-07-24 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置の製造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3377006B2 (ja) * 1992-02-28 2003-02-17 Ｈｏｙａ株式会社 フォトマスクブランクの検査方法、フォトマスクの製造方法、フォトマスクブランク及びフォトマスクブランク用ガラス基板
AU4291099A (en) * 1998-09-30 2000-04-17 Nikon Corporation Photomask and exposure method
JP3880303B2 (ja) * 2000-10-20 2007-02-14 Ｈｏｙａ株式会社 マスクブランクス用ガラス基板の製造方法
JP2004029735A (ja) * 2002-03-29 2004-01-29 Hoya Corp 電子デバイス用基板、該基板を用いたマスクブランクおよび転写用マスク、並びにこれらの製造方法、研磨装置および研磨方法
JP4340859B2 (ja) * 2003-07-25 2009-10-07 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク用基板の選定方法
JP4314462B2 (ja) * 2003-07-25 2009-08-19 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク用基板の製造方法
JP2006047571A (ja) * 2004-08-03 2006-02-16 Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd 位相シフトマスク及びそれを用いた露光方法
JP4508779B2 (ja) * 2004-08-23 2010-07-21 Ｈｏｙａ株式会社 マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、及び露光用マスクの製造方法
JP4761901B2 (ja) * 2004-09-22 2011-08-31 Ｈｏｙａ株式会社 マスクブランクス用基板の製造方法、マスクブランクスの製造方法、露光用マスクの製造方法、反射型マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法
JP2008256800A (ja) 2007-04-02 2008-10-23 Sharp Corp カメラモジュール
JP5222660B2 (ja) * 2008-08-07 2013-06-26 Ｈｏｙａ株式会社 マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、フォトマスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0683032A (ja) * 1992-08-31 1994-03-25 Sony Corp 位相シフト露光方法及び位相シフトマスクの作製方法
JP2003050458A (ja) * 2001-05-31 2003-02-21 Toshiba Corp 露光マスクの製造方法、マスク基板情報生成方法、半導体装置の製造方法、マスク基板、露光マスクおよびサーバー
US20030186624A1 (en) * 2002-03-29 2003-10-02 Hoya Corporation Method of determining a flatness of an electronic device substrate, method of producing the substrate, method of producing a mask blank, method of producing a transfer mask, polishing method, electronic device substrate, mask blank, transfer mask, and polishing apparatus
JP2004062095A (ja) * 2002-07-31 2004-02-26 Fujitsu Ltd フォトマスク、そのパターン欠陥検出方法及びそれを用いたパターン形成方法
WO2004077155A1 (ja) * 2003-02-27 2004-09-10 Fujitsu Limited フォトマスク及び半導体装置の製造方法
US20050019677A1 (en) * 2003-07-25 2005-01-27 Masayuki Nakatsu Photomask blank substrate, photomask blank and photomask
US20060068300A1 (en) * 2004-09-29 2006-03-30 Hoya Corporation Mask blank substrate, mask blank, exposure mask, mask blank substrate manufacturing method, and semiconductor manufacturing method
US20070298353A1 (en) * 2006-05-24 2007-12-27 Fujitsu Limited Pattern forming method and method for manufacturing semiconductor device
JP2008172249A (ja) * 2008-01-15 2008-07-24 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE102009043442A1 (de) 2010-04-15
US20100081067A1 (en) 2010-04-01
KR101522295B1 (ko) 2015-05-21
KR20100037550A (ko) 2010-04-09
JP5335351B2 (ja) 2013-11-06
TW201516559A (zh) 2015-05-01
US8007961B2 (en) 2011-08-30
US20110256473A1 (en) 2011-10-20
KR101161349B1 (ko) 2012-07-02
KR20120055522A (ko) 2012-05-31
JP2010085867A (ja) 2010-04-15
TWI522727B (zh) 2016-02-21
TW201024915A (en) 2010-07-01
US8318387B2 (en) 2012-11-27
DE102009043442B4 (de) 2020-12-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI475317B (zh) 光罩基底用基板套件、光罩基底套件、光罩套件及半導體裝置之製造方法
KR101680866B1 (ko) 마스크블랭크용 기판
KR101240279B1 (ko) 마스크블랭크용 기판, 마스크블랭크 및 포토마스크 그리고 그것들의 제조방법
JP4728414B2 (ja) マスクブランク用基板、マスクブランク、フォトマスクおよび半導体デバイスの製造方法
JP4819191B2 (ja) マスクブランク用基板、マスクブランク、フォトマスクおよび半導体デバイスの製造方法
JP5658331B2 (ja) マスクブランク用基板セットの製造方法、マスクブランクセットの製造方法、フォトマスクセットの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法
JP5323966B2 (ja) マスクブランク用基板、マスクブランク、フォトマスク及び半導体デバイスの製造方法