KR101086237B1 - 마스크블랭크용 기판, 마스크블랭크, 포토마스크 및 반도체 디바이스의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
도 2는 본 발명의 실시형태에 따른 마스크 블랭크용 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 3은 스캔 방향에 있어서의 주표면 형상 보정을 설명하기 위한 도면이며, (a)는 기판의 단면 형상을 취득하는 위치를 나타내는 도면이고, (b)는 기판의 단면 형상을 나타내는 도면이다.
도 4는 슬릿 방향에 있어서의 주표면 형상 보정을 설명하기 위한 도면이며, (a)는 기판의 단면 형상을 취득하는 위치를 나타내는 도면이고, (b)는 기판의 단면 형상을 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시형태에 따른 마스크 블랭크를 제조할 때에 이용되는 스퍼터링 장치의 개략 구성을 나타내는 도면이다.
도 6은 노광장치에 기판을 척하기 전과 척한 후의 포토마스크의 기판 형상을 나타내는 도면이며, (a)는 척 전 주표면 형상을 나타내는 도면이고, (b)는 척 후 주표면 형상을 나타내는 도면이다.
도 7은 실시예 1에 있어서의 주표면 형상 보정을 설명하기 위한 도면이며, (a)는 기판의 단면 형상을 취득하는 위치를 나타내는 도면이고, (b)는 기판의 단면 형상을 나타내는 도면이며, (c)는 근사 곡면을 나타내는 도면이고, (d)는 보정 후 주표면 형상을 나타내는 도면이다.
도 8은 실시예 2에 있어서의 주표면 형상 보정을 설명하기 위한 도면이며, (a)는 기판의 단면 형상을 취득하는 위치를 나타내는 도면이고, (b)는 기판의 단면 형상을 나타내는 도면이며, (c)는 근사 곡면을 나타내는 도면이고, (d)는 보정 후 주표면 형상을 나타내는 도면이다.
도 9는 실시예 3에 있어서의 주표면 형상 보정을 설명하기 위한 도면이며, (a)는 근사 곡면을 나타내는 도면이고, (b)는 보정 후 주표면 형상을 나타내는 도면이다.
2: 포토마스크 3: 슬릿 부재
3a: 슬릿 4: 광원
5: 조명 광학계 6: 축소 광학계
7: 웨이퍼 스테이지 W: 반도체 웨이퍼
Claims (17)
- 노광장치의 마스크 스테이지에 척 되는 포토마스크에 이용되는 마스크 블랭크용 기판의 제조 방법에 있어서, 주표면이 정밀 연마된 기판을 준비하는 공정과, 상기 주표면에 있어서의 실측 영역 내의 척 전 주표면 형상을 측정하는 공정과, 상기 기판의 척 전 주표면 형상 및 상기 마스크 스테이지의 형상에 의거하여 상기 기판으로부터 제작된 포토마스크를 상기 노광장치에 세트 했을 때에 있어서의 상기 기판의 척 후 주표면 형상을 시뮬레이션에 의해 얻는 공정과, 상기 시뮬레이션에 의해 얻어진 척 후 주표면 형상의 가상 산출 영역 내에서의 평탄도가 제 1 한계값 이하인 기판을 선정하는 공정과, 상기 선정된 기판에 대해서, 척 후 주표면 형상의 보정 영역 내에서 제 1 방향을 따르는 단면 형상에 근사하는 제 1 근사 곡선을 산출하고, 상기 제 1 근사 곡선으로부터 근사 곡면을 산출하여 상기 척 후 주표면 형상으로부터 빼는 보정을 실시하여 보정 후 주표면 형상을 산출하는 공정과, 상기 보정 후 주표면 형상의 보정 영역 내에서의 평탄도가 제 2 한계값 이하인 것을 선정하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크용 기판의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,
상기 보정 후 주표면 형상을 산출하는 공정은 제 1 방향에 직교하는 제 2 방향을 따르는 단면 형상에 근사하는 제 2 근사 곡선을 산출하고, 상기 제 2 근사 곡선으로부터 근사 곡면을 산출하며, 제 1 근사 곡선으로부터 산출된 근사 곡면을 빼는 보정을 실시한 후의 척 후 주표면 형상으로부터 추가로 상기 제 2 근사 곡면으로부터 산출된 근사 곡면을 빼는 보정을 실시하는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크용 기판의 제조 방법. - 노광장치의 마스크 스테이지에 척 되는 포토마스크에 이용되는 마스크 블랭크용 기판의 제조 방법에 있어서, 주표면이 정밀 연마된 기판을 준비하는 공정과, 상기 주표면에 있어서의 실측 영역 내의 척 전 주표면 형상을 측정하는 공정과, 상기 기판의 척 전 주표면 형상 및 상기 마스크 스테이지의 형상에 의거하여 상기 기판으로부터 제작된 포토마스크를 상기 노광장치에 세트 했을 때에 있어서의 상기 기판의 척 후 주표면 형상을 시뮬레이션에 의해 얻는 공정과, 상기 시뮬레이션에 의해 얻어진 척 후 주표면 형상의 가상 산출 영역 내에서의 평탄도가 제 1 한계값 이하인 기판을 선정하는 공정과, 상기 선정된 기판에 대해서, 척 후 주표면 형상의 보정 영역 내에서 제 1 방향을 따르는 단면 형상에 근사하는 제 1 근사 곡선을 산출하고, 제 1 방향에 직교하는 제 2 방향을 따르는 단면 형상에 근사하는 제 2 근사 곡선을 산출하고, 상기 제 1 근사 곡선 및 제 2 근사 곡선으로부터 근사 곡면을 산출하여 상기 척 후 주표면 형상으로부터 빼는 보정을 실시하여 보정 후 주표면 형상을 산출하는 공정과, 상기 보정 후 주표면 형상의 보정 영역 내에서의 평탄도가, 제 2 한계값 이하인 것을 선정하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크용 기판의 제조 방법.
- 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 제 1 근사 곡선은 2차 곡선 또는 4차 곡선인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크용 기판의 제조 방법. - 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 제 2 근사 곡선은 2차 곡선 또는 4차 곡선인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크용 기판의 제조 방법. - 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 제 1 한계값이 0.32㎛이며, 상기 제 2 한계값이 0.16㎛인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크용 기판의 제조 방법. - 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 제 1 한계값이 0.24㎛이며, 상기 제 2 한계값이 0.08㎛인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크용 기판의 제조 방법. - 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 실측 영역은 상기 가상 산출 영역 및 보정 영역을 포함하는 영역이며, 상기 가상 산출 영역은 보정 영역을 포함하는 영역인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크용 기판의 제조 방법. - 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 가상 산출 영역은 142mm 사각 내의 영역인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크용 기판의 제조 방법. - 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 보정 영역은 132mm 사각 내의 영역인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크용 기판의 제조 방법. - 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 척 전 주표면 형상의 실산출 영역 내에서의 평탄도가 0.4㎛ 이하인 기판을 선정하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크용 기판의 제조 방법. - 제 11 항에 있어서,
상기 실산출 영역은 상기 가상 산출 영역 및 보정 영역을 포함하는 영역인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크용 기판의 제조 방법. - 제 11 항에 있어서,
상기 실산출 영역은 142mm 사각 내의 영역인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크용 기판의 제조 방법. - 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 노광장치는 제 1 방향으로 이동 가능하고 제 2 방향으로 연장되는 슬릿을 통해서 포토마스크에 노광광을 조사하는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크용 기판의 제조 방법. - 제 1 항 또는 제 3 항에 기재한 방법으로 얻어진 마스크 블랭크용 기판의 척 전 주표면 형상을 측정한 측의 주표면에 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크의 제조 방법.
- 제 15 항에 기재한 방법으로 얻어진 마스크 블랭크의 박막에 전사 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조 방법.
- 제 16 항에 기재한 방법으로 얻어진 포토마스크를 주표면 형상 보정을 실시하는 것이 가능한 노광장치의 마스크 스테이지에 척하고, 포토마스크의 패턴을 웨이퍼의 레지스트막에 노광 전사하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조 방법.
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