JP2014222330A - ガラス基板の表面処理方法およびフォトマスクの再生方法 - Google Patents
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Abstract
Description
[発明の実施の形態1]
図1は、本発明の実施の形態1に係る図である。
[発明のその他の実施の形態]
なお、上述した実施の形態1では、アルカリ性液に界面活性剤およびキレート剤が添加された溶液を用いて、ガラス基板2の表面処理を行う場合について説明した。しかし、ガラス基板2の表面2aの表面粗さの許容限度によっては、キレート剤の添加を省くことも可能である。
<実施例1>
アルカリ性液として水酸化カリウム水溶液を用い、この水酸化カリウム水溶液に、界面活性剤としてドデシル硫酸ナトリウム(SDS)を濃度16.4mMで添加するとともに、キレート剤としてクエン酸を濃度49.2mMで添加して、実施例1の溶液を調製した。水酸化カリウム水溶液は、pH13に調整した。表1中の溶液Aが、この実施例1の溶液に相当する。
<実施例2>
キレート剤(クエン酸)を省いたことを除き、実施例1と同様にして、実施例2の溶液を調製した。水酸化カリウム水溶液は、実施例1と同様、pH13に調整した。表1中の溶液Bが、この実施例2の溶液に相当する。
<比較例1>
界面活性剤(ドデシル硫酸ナトリウム)を省いたことを除き、実施例1と同様にして、比較例1の溶液を調製した。水酸化カリウム水溶液は、実施例1と同様、pH13に調整した。表1中の溶液Cが、この比較例1の溶液に相当する。
<比較例2>
界面活性剤(ドデシル硫酸ナトリウム)およびキレート剤(クエン酸)を省いたことを除き、実施例1と同様にして、比較例2の溶液を調製した。水酸化カリウム水溶液は、実施例1と同様、pH13に調整した。表1中の溶液Dが、この比較例2の溶液に相当する。
上述した本発明の効果のうち、ガラス基板の表面の凹凸を減少させる効果(凹凸減少効果)を確認するため、実施例1および比較例2の2種類の溶液を用いて、それぞれ、使用済みのフォトマスクのガラス基板の表面処理を4時間(240分)行った。そして、処理直前、5分経過後、1時間経過後、2時間経過後、4時間経過後において、ガラス基板のパターン跡の深さをそれぞれ測定した。その結果を図2に折れ線グラフで示す。図2において、横軸は経過時間(単位:分)を表し、縦軸は段差高さ、つまりガラス基板のパターン跡の深さ(単位:nm)を表す。また、「◇」は、実施例1の6つのデータの平均値であり、「△」は、比較例2の6つのデータの平均値である。
<表面粗さ悪化抑制効果の比較>
上述した本発明の効果のうち、ガラス基板の表面の表面粗さの悪化を抑制する効果(表面粗さ悪化抑制効果)を確認するため、実施例1、2および比較例1、2の4種類の溶液を用いて、それぞれ、使用済みのフォトマスクのガラス基板について、エッチング10nmを達成したときの表面粗さの変化量を測定した。その結果を図3に棒グラフで示す。図3において、縦軸はラフネス変化量、つまりガラス基板の表面粗さの変化量(単位:nm)を表す。また、各棒グラフは、それぞれ5つのデータの平均値である。
<ドデシル硫酸ナトリウムの濃度がラフネス変化量等に及ぼす影響>
水酸化カリウム水溶液に添加するドデシル硫酸ナトリウムの濃度を変えたときに、ガラス基板のラフネス変化量およびエッチングレートがどのように変化するかを調べた。その結果を図4(a)に示す。図4(a)において、横軸はSDS濃度、つまりドデシル硫酸ナトリウムの濃度(単位:mM)を表し、縦軸(左側)はラフネス変化量、つまりガラス基板の表面粗さの変化量(単位:nm)を表し、縦軸(右側)はエッチングレート(単位:nm/hr)を表す。
<クエン酸の濃度がラフネス変化量等に及ぼす影響>
水酸化カリウム水溶液に添加するクエン酸の濃度を変えたときに、ガラス基板のラフネス変化量およびエッチングレートがどのように変化するかを調べた。その結果を図4(b)に示す。図4(b)において、横軸はクエン酸の濃度(単位:M)を表し、縦軸(左側)はラフネス変化量、つまりガラス基板の表面粗さの変化量(単位:nm)を表し、縦軸(右側)はエッチングレート(単位:nm/hr)を表す。
2……ガラス基板
2a……表面
3……遮光膜
4……パターン跡
Claims (7)
- アルカリ性液に界面活性剤が添加された溶液にガラス基板の表面を接触させることにより、このガラス基板の表面の凹凸を減少させることを特徴とするガラス基板の表面処理方法。
- 前記アルカリ性液には、キレート剤が添加されていることを特徴とする請求項1に記載のガラス基板の表面処理方法。
- 前記ガラス基板は、フォトマスク用のガラス基板であることを特徴とする請求項1または2に記載のガラス基板の表面処理方法。
- 前記アルカリ性液は、pHが12以上であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載のガラス基板の表面処理方法。
- 前記界面活性剤は、HLB値10以上のアニオン系界面活性剤であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載のガラス基板の表面処理方法。
- 前記界面活性剤の濃度は、臨界ミセル濃度以上であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載のガラス基板の表面処理方法。
- ガラス基板の表面に遮光膜が成膜されたフォトマスクの再生方法であって、
前記ガラス基板から前記遮光膜を除去する除膜工程と、
その後、請求項1乃至6のいずれかに記載のガラス基板の表面処理方法により、このガラス基板の表面処理を行う表面処理工程と、
次いで、このガラス基板の表面を洗浄する洗浄工程と
を有することを特徴とするフォトマスクの再生方法。
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