JP2001206737A - ガラス基板及びその洗浄方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 磁気ディスク用ガラス基板等に用いられるガ
ラス基板表面のランタノイド酸化物残留量が極めて少な
い高い清浄度のガラス基板と、その洗浄方法を提供する
ことを目的とする。 【解決手段】 基板表面に残留するランタノイド酸化物
量が５０×１０^１０原子／ｃｍ^２以下であるガラス基
板。ランタノイド酸化物を含む研磨剤を用いて研磨した
後、酸及び還元剤を含む洗浄液を用いて洗浄するガラス
基板の洗浄方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高い清浄度を必要
とする磁気ディスク用ガラス基板などの記録媒体用ガラ
ス基板や液晶用ガラス基板とその洗浄方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】磁気ディスク用ガラス基板、液晶用ガラ
ス基板等に用いられる多成分系ガラス基板の応用分野で
は、ガラス基板は、通常高い平坦性を確保するため、ガ
ラス基板成形後に酸化セリウム等の研磨剤で研磨され
る。

【０００３】しかし、前記ガラス基板を研磨剤で研磨す
ると、その表面に研磨剤が強固に付着した状態で残留
し、後工程でピンホールの形成等の問題が発生すること
があった。このように付着残留する研磨剤は、多くの場
合、水や中性洗剤では容易に除去することができないた
め、フッ化水素酸のようなエッチング作用のある薬液を
用いて基板の洗浄が行われてきた（特開昭５０−４５４
６５号公報）。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開昭
５０−４５４６５号公報に記載されたフッ化水素酸を洗
浄に用いた場合、フッ化水素酸中では、ガラス基板は負
に帯電する性質を持つのに対し、研磨剤をはじめとする
多くの汚れ粒子は、正に帯電する性質を持つため、両者
に静電気的引力が働く。そのため、一旦除去した研磨剤
等の汚れがガラス基板に再付着して高い清浄度が得られ
ないという問題があった。

【０００５】また、「光学ガラス（泉谷徹郎 著、共立
出版）Ｐ．１６５」に記載されているように、市販のア
ルカリ洗剤のみで汚れを取り除いた場合には、研磨剤等
の汚れが基板表面に残る、或いは汚れを完全に除去しよ
うとするとガラスの侵食を伴い基板表面が荒れるという
問題が生じる。

【０００６】表面が荒れたり、研磨剤が残留したガラス
基板に磁性膜や導電膜を積層した場合は、ディスクの読
み書きができず、エラーが発生したり、電圧がかから
ず、文字エラー等が発生するという問題が生じた。

【０００７】磁気ディスク基板に於いては、記録密度の
向上を目指し、基板とヘッドとの距離がさらに近づく傾
向にあり、基板表面に異物が付着したり、あるいは基板
表面の平滑性が悪くなったりすると、読み書き時にヘッ
ドが異物及び／又は基板の凸部と衝突し、ヘッドクラッ
シュの原因となる。このため基板表面の清浄度や平滑さ
がさらに要求されるようになった。

【０００８】本発明は、上記従来技術の課題を解決する
ためになされたものであり、磁気ディスク用ガラス基板
および液晶用ガラス基板等に用いられるガラス基板表面
に潜傷の発生がなく、かつ残留異物のない高い清浄度が
得られるガラス基板と、その洗浄方法を提供することを
目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明のガラス基板は、
基板表面に残留するランタノイド酸化物量が５０×１０
^１０原子／ｃｍ^２以下であること特徴とするものであ
る。

【００１０】このランタノイド酸化物としては、酸化セ
リウム、酸化ランタン、酸化ネオジウム及び酸化プラセ
オジウムが挙げられる。この基板表面に残留するランタ
ノイド酸化物量はとくに０．５×１０^１０原子／ｃｍ^２
以下が好ましい。

【００１１】かかるガラス基板は、ランタノイド酸化物
の残留量が極めて少なく、情報記録媒体に用いられるの
にきわめて好適である。また、本発明の基板は、表面が
過度に粗くなく、この点においても情報記録媒体として
好適である。

【００１２】本発明のガラス基板の洗浄方法は、ランタ
ノイド酸化物を含む研磨剤を用いて研磨した後、酸及び
還元剤を含む洗浄液を用いて洗浄することを特徴とする
ものである。

【００１３】この酸の種類は、特に限定されないが、ラ
ンタノイド酸化物を溶解し易いという点で、硝酸、硫
酸、塩酸、スルファミン酸及びリン酸の少なくとも１種
が好ましい。

【００１４】ランタノイド酸化物は、硝酸、硫酸、塩
酸、スルファミン酸及びリン酸を単独で用いても、ある
程度溶解させることができるが、還元剤を加えると、ラ
ンタノイド酸化物が還元され、より溶解し易くなる。特
に硝酸は、通常は酸化剤であるが、還元剤によっては亜
硝酸になり、ランタノイド酸化物の還元作用との相乗効
果で十分な溶解力を発揮でき、また洗浄槽によく用いら
れるステンレスを腐食させ難く好適である。

【００１５】洗浄液中の酸の濃度は、０．００１〜１０
モル／Ｌ、特に０．００１〜０．５モル／Ｌが好適であ
る。

【００１６】還元剤としては、水素、過酸化水素水、水
素化ホウ素ナトリウム、硫酸ヒドロキシルアミン、塩酸
ヒドロキシルアミン、亜硝酸ナトリウム、亜硫酸ナトリ
ウム、亜硫酸水素ナトリウム、硫酸水素ナトリウム、硫
化ナトリウム、硫化アンモニウム、ギ酸、アスコルビン
酸、シュウ酸、アセトアルデヒド、ヨウ化水素、リン酸
水素ナトリウム、リン酸水素二ナトリウム、亜リン酸ナ
トリウム、硫酸第一鉄及び塩化第二スズの少なくとも１
種が好適であり、中でもアスコルビン酸が最適である。
この還元剤の洗浄液中の濃度は、過酸化水素水の場合は
１〜５モル／Ｌが好ましく、その他の場合は溶解度の問
題があり０．０００１〜０．１モル／Ｌが好適である。
還元剤としては、還元作用を有するキレート剤であって
もよい。この還元作用を有するキレート剤としては、カ
テコール類の酸化物、例えば上記のアスコルビン酸やム
コン酸が例示される。このキレート剤は研磨剤粒子に配
位して効果的な還元作用を発揮する。

【００１７】過酸化水素水を添加した系では、１モル／
Ｌより小さいと溶解度が低下し、５モル／Ｌより大きい
と超音波印加時に過酸化水素水分解による気泡発生が激
しくなり、洗浄度がかえって低下する。過酸化水素水以
外の系では、０．０００１モル／Ｌより小さいと溶解度
が低下し、０．１モル／Ｌより大きいと溶解せずに沈殿
物が生じたり、洗浄液の寿命が短くなる。

【００１８】本発明では、酸と還元剤の洗浄液による洗
浄の後、さらにアルカリ洗剤の水溶液による洗浄を施し
ても良い。多成分系ガラス基板を酸と還元剤の洗浄液で
処理した場合、「光学ガラス（泉谷徹郎 著、共立出
版）Ｐ．５６」に記載されているような「青ヤケ」と呼
ばれる表面変質層が生じ、表面硬度が低下したり、表面
が斑になるという問題が生じる。そこで、アルカリ洗剤
でこれをエッチング除去することが好ましい。ちなみ
に、半導体ウエハーを同様に洗浄した場合は、その表面
に変質層は形成されないので、アルカリ洗剤による処理
は不要である。また、ガラス基板の表面には研磨時に微
小な研磨痕が発生し、その痕に研磨剤が深く入り込んで
しまうと考えられる。このような研磨剤を完全に除去
し、かつ青やけを防止するためにも、このアルカリ洗剤
によるエッチングを行ったほうが良い。このアルカリ洗
剤の水溶液の濃度は、０．０００１〜５ｗｔ％が好まし
い。

【００１９】また、このアルカリ洗剤による洗浄後に、
更にｐＨ１〜４のフッ化水素酸又は珪フッ化水素酸、或
いはｐＨ１〜７のバッファードフッ酸による洗浄を施す
ようにしても良い。このようにアルカリ洗浄後にフッ化
水素酸、珪フッ化水素酸、あるいはバッファードフッ酸
による洗浄を施すことにより、基板に埋まり込んだ研磨
剤もさらに容易に除去される。

【００２０】なお、基板上の酸化セリウムに起因した汚
染物質を除去することを目的とした技術については、特
開平９−２２８８５号公報に、硫酸−過酸化水素水、塩
酸−過酸化水素水または硝酸を用いて、半導体基板上の
酸化セリウムによる汚染を除去する旨の記載がある。こ
れは、硫酸−過酸化水素水、塩酸−過酸化水素水または
硝酸などの洗浄液により、酸化セリウム砥粒のゼータ電
位を変化させることにより、残存した研磨粒子を凝集さ
せ、大きな粒子とし、次工程のスクラブ洗浄で酸化セリ
ウム粒子を除去し易くするというものである。

【００２１】この特開平９−２２８８５号公報に記載の
方法は、ゼータ電位の制御により、酸化セリウム粒子を
成長させ、ブラシスクラブ洗浄により除去し易くするこ
とを主旨としており、酸化セリウム等を還元剤と酸との
作用により、溶解させて除去する本発明とは主旨が異な
る。また、本発明では酸化セリウム等の粒子を溶解させ
るため、スクラブ洗浄工程が不要であるのに対して、特
開平９−２２８８５号公報に記載の方法では、酸化セリ
ウム除去にスクラブ洗浄工程が必須である。

【００２２】さらに、本発明では、ガラス基板の洗浄を
目的とするのに対して、特開平９−２２８８５号公報に
記載の方法では、半導体基板の洗浄を目的とし、ガラス
基板に関する示唆はない。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい形態につ
いて説明する。

【００２４】本発明の基板を構成するガラスとしては、
ソーダ石灰ガラス、アルミノシリケートガラス、ホウ珪
酸ガラス、アルミノホウ珪酸ガラス及びこれらの結晶化
ガラス等が挙げられる。磁気ディスク用ガラス基板とし
ては耐候性の面およびコストの面からはアルミノシリケ
−ト系ガラスであることが好ましい。アルミノシリケー
トガラスの組成としてはモル分率で示して、 ＳｉＯ_２ ６３〜７０モル％ Ａｌ_２Ｏ_３ ６〜１２．５モル％ Ｌｉ_２Ｏ ５〜１１モル％ Ｎａ_２Ｏ ６〜１４モル％ Ｋ_２Ｏ ０〜２モル％ ＴｉＯ_２ ０〜５モル％ ＺｒＯ_２ ０〜２．５モル％ ＭｇＯ ０〜４．５モル％ ＣａＯ ２〜７．５モル％ ＳｒＯ ０〜３モル％ ＢａＯ ０〜２モル％ （ただし、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯの合計は２
〜１２モル％）であることが好ましい。

【００２５】また、ガラス基板表面層の改質について
は、化学強化によって基板表面に圧縮応力層が形成され
ている場合等も挙げられるが、特に限定はされない。

【００２６】後述の研磨及び洗浄処理によりこの基板
は、表面粗さＲａが０．５ｎｍ以下とくに０．２５ｎｍ
以下に仕上げられ、且つ表面に残留するランタノイド酸
化物量が５０×１０^１０原子／ｃｍ^２特に０．５×１０
^１０原子／ｃｍ^２以下となるように処理される。Ｒａが
０．５ｎｍよりも大きいと、基板表面にアスペリティー
と呼ばれる突出した突起が生じるからである。このよう
に基板表面が平坦であり、且つ残留するランタノイド酸
化物量が少ない基板は情報記録媒体としてきわめて好適
である。

【００２７】この基板を研磨するには、ランタノイド酸
化物を含む研磨剤を用いる。この研磨剤としては、酸化
セリウムを主成分とする研磨剤や、ランタノイド酸化物
（酸化セリウム、酸化ランタン、酸化ネオジウム、酸化
プラセオジウム等）を主成分とする天然鉱石バストネサ
イトの焼成粉砕物等が挙げられる。

【００２８】研磨方法それ自体に特に制限はなく、各種
の研磨装置を用いることができる。

【００２９】この研磨の後、酸及び還元剤を含む洗浄液
で洗浄する。この酸は、強酸特に硫酸、塩酸及び硝酸の
１種又は２種以上が好適であり、洗浄液中の酸濃度は
０．００１〜１０モル／Ｌ特に０．００１〜０．５モル
／Ｌが好ましい。酸濃度が０．００１モル／Ｌよりも低
いと洗浄が不十分となり易く、１０モル／Ｌよりも高い
とき基板表面がエッチングされ易くなる。酸としては、
硝酸が特に好適であり、その濃度は０．００１〜０．５
モル／Ｌとりわけ０．１〜０．５モル／Ｌが好ましい。
この濃度が０．１モル／Ｌより小さいと、洗浄液の寿命
が短くなるからである。硝酸は、還元剤と共に用いた場
合に、研磨剤主成分であるランタノイド酸化物（酸化セ
リウム、酸化ランタン、酸化ネオジウム、酸化プラセオ
ジウム等）を短時間で溶解できるという点においてより
好ましい。また、硝酸を０．１Ｎ程度の低濃度域で用い
ても、十分な洗浄力が維持できることから、洗浄液の取
り扱い、廃液処理の点で優れる。

【００３０】還元剤としては、水素、過酸化水素水、水
素化ホウ素ナトリウム、硫酸ヒドロキシルアミン、塩酸
ヒドロキシルアミン、亜硝酸ナトリウム、亜硫酸ナトリ
ウム、亜硫酸水素ナトリウム、硫酸水素ナトリウム、硫
化ナトリウム、硫化アンモニウム、ギ酸、アスコルビン
酸、シュウ酸、アセトアルデヒド、ヨウ化水素、リン酸
水素ナトリウム、リン酸水素二ナトリウム、亜リン酸ナ
トリウム、硫酸第一鉄及び塩化第二スズ並びに還元作用
を有するキレート剤（例えばカテコール類の酸化物）の
少なくとも１種が好適であり、中でもアスコルビン酸が
最適である。このアルコルビン酸は、キレート剤でもあ
る。

【００３１】なお、アスコルビン酸に次いで、亜硫酸ナ
トリウム、亜硫酸水素ナトリウム、シュウ酸が好適であ
る。アルコルビン酸以外の好適なキレート剤としてはム
コン酸などが例示される。

【００３２】この還元剤の洗浄液中の濃度は、過酸化水
素水の場合は１〜５モル／Ｌが好ましく、その他の場合
は溶解度の問題があり０．０００１〜０．１モル／Ｌが
好ましい。

【００３３】過酸化水素水を添加した系では、１モル／
Ｌより小さいと溶解度が低下し、５モル／Ｌより大きい
と超音波印加時に過酸化水素水分解による気泡発生が激
しくなり、洗浄度がかえって低下する。過酸化水素水以
外の系では、０．０００１モル／Ｌより小さいと溶解度
が低下し、０．１モル／Ｌより大きいと溶解せずに沈殿
物が生じたり、洗浄液の寿命が短くなる。

【００３４】この洗浄液を用いて基板を洗浄するには、
研磨後の基板を純水のシャワーで洗って付着物を洗い落
した後、基板を洗浄液中に浸漬して超音波を加える方法
を採用することができる。この洗浄時の洗浄液の温度
は、特に限定されないが、研磨剤の溶解反応を促進する
観点からは２０℃以上が好ましく、洗浄液の蒸発等の影
響を考慮すると２０〜８０℃が好適である。

【００３５】この洗浄液による洗浄後、アルカリ洗剤の
水溶液により基板を洗浄しても良い。このアルカリ洗剤
としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナ
トリウム、炭酸カリウム、アンモニア、テトラメチルア
ンモニウムハイドロオキサイドなどが好ましい。このア
ルカリ洗剤水溶液は、さらに界面活性剤、キレート剤な
どを含んでいても良い。

【００３６】酸と還元剤の洗浄液だけでもガラス基板の
表面は十分に平坦になるが、研磨時に研磨剤がガラス基
板表面層に埋まることがあり、この研磨剤が洗浄液で溶
解されると、その部分が微小凹部となって残る。そこ
で、アルカリ洗剤による洗浄を施すことにより、基板の
穏やかなエッチングによって前記微小凹部を均す効果
（より平坦化できる）が発揮される。また、ガラス基板
とそれに付着する汚れ粒子等との間に静電気的反発力が
働き、ガラス基板の洗浄度がさらに高くなる効果、なら
びに、上記青ヤケと呼ばれる表面変質層を除去する効果
も発揮される。

【００３７】アルカリ洗剤、界面活性剤及びキレート剤
の濃度は、特に限定されないが、アルカリ洗剤濃度は
０．０００１〜５ｗｔ％が好ましい。アルカリ洗剤濃度
が０．０００１ｗｔ％よりも低いと、水溶液のｐＨが空
気中の炭酸ガスの影響により７に近づいてしまう。５ｗ
ｔ％以上の高濃度のアルカリ洗剤水溶液は、コスト高で
あると共に、廃液処理コストも高くなる。界面活性剤の
濃度は０．００１〜１ｗｔ％が好ましく、キレート剤の
濃度は０．００１〜１ｗｔ％が好ましい。

【００３８】このアルカリ洗剤による洗浄後に、更にｐ
Ｈ１〜４のフッ化水素酸又は珪フッ化水素酸、或いはｐ
Ｈ１〜７に調整したフッ化物を含む水溶液による洗浄を
行っても良い。これにより研磨痕に深く埋まり込んだ研
磨剤でさえも完全に除去できるようになる。フッ化水素
酸又は珪フッ化水素酸の場合は、ｐＨ１〜４でガラスに
対して十分なエッチング作用があるが、ｐＨ４以上では
ガラスのエッチングが十分にできない。ｐＨ１〜７に調
整したフッ化物を含む水溶液は、フッ化水素酸溶液、フ
ッ化水素アンモニウム溶液又は珪フッ化水素酸溶液にｐ
Ｈ調整剤を添加してｐＨを２以上７以下に調整したもの
が好ましい。このｐＨ調整剤はアルカリ成分またはフッ
化物であって、具体的にはアルカリ成分としてはテトラ
メチルアンモニウムハイドロオキサイト、苛性ソーダ、
水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムまたは
アンモニアのうち少なくとも１種が、一方フッ化物とし
ては、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化アン
モニウム、ホウフッ化アンモニウム又は珪フッ化アンモ
ニウムのうちの少なくとも１種が好ましい。ｐＨ調整剤
を添加するため、ｐＨ２〜７の領域でもガラスに対して
十分なエッチング作用があるが、ｐＨ７以上ではガラス
のエッチングが十分でなくなる。

【００３９】

【実施例】以下に、本発明について実施例及び比較例を
挙げて説明する。

【００４０】（実施例１〜６４） 基板組成がＳｉＯ_２ ６６．０ｍｏｌ％，Ａｌ_２Ｏ
_３ １１．０ｍｏｌ％，Ｌｉ_２Ｏ ８．０ｍｏｌ％，Ｎ
ａ_２Ｏ ９．１ｍｏｌ％，ＭｇＯ ２．４ｍｏｌ％，Ｃ
ａＯ ３．６ｍｏｌ％であるガラス基板を、酸化セリウ
ムを主成分とする研磨剤（三井金属鉱業(株)製ミレーク
ＳＯＳ）とスエードパッドを用いて研磨した後、純水の
シャワーで洗って、基板表面に弱く付着した研磨剤を除
去した。 引き続き表１〜４に示す温度に保持した表１〜４に
示す種類及び濃度の酸及び還元剤を含む洗浄液中に基板
を３分間浸漬し、約４８ｋＨｚ、１Ｗ／ｃｍ^２の超音波
を３分間照射した後、引き上げて純水浴中でリンスして
洗浄液を除去した。 次いで、５０℃に保持した市販のｐＨ１１のアルカ
リ洗剤（ｐＨ１１、株式会社ケミカルプロダクツ製ＲＢ
２５）を純水で５０倍に希釈した浴中に基板を３分間浸
漬し、約４８ｋＨｚ、１Ｗ／ｃｍ^２の超音波を３分間照
射した後、引き上げて純水浴中でリンスしてアルカリ洗
剤を除去した。ただし、実施例５９では、この工程の
アルカリ洗浄は行わなかった。 なお、実施例６０，６１，６２では、こののアル
カリ洗浄工程の後、５０℃の０．００１％フッ酸水溶液
（実施例６０）、０．０１％フッ酸及び０．５％フッ化
アンモニウム水溶液（実施例６１）又は０．０１％珪フ
ッ化水素酸（実施例６２）に３分間浸漬し、４８ｋＨ
ｚ、１Ｗ／ｃｍ^２の超音波を３分間照射した後引き上げ
て純水浴中でリンスした。その他の実施例１〜５９，６
３，６４ではこの工程の酸洗浄は行わなかった。 その後、基板を純水浴に浸漬してリンスする操作を
３回繰り返し、最後にイソプロピルアルコールの浴に基
板を浸漬して約４８ｋＨｚの超音波を２分間照射した
後、イソプロピルアルコール蒸気中で１分間乾燥させ、
実施例１〜６４の試料とした。

【００４１】この試料について、以下の条件で全反射Ｘ
F測定を行い、残留Ｃｅ，Ｌａ，Ｎｄ量（原子／ｃ
ｍ^２）を定量した。

【００４２】 装置 ：(株)テクノス製全反射蛍光Ｘ線分析装置ＴＲＥＸ６０１Ｔ 分析エリア ：１ｃｍΦ Ｘ線侵入深さ：約５０〜１００ 分析条件 ：ターゲット（タングステン）、検出器（Ｓｉ（Ｌｉ）ＳＳＤ） 、電圧（３０ｋＶ）、電流（１００ｍＡ）、入射角度（０．０５ｄｅｇ）、測定 時間（５００ｓｅｃ） Ｄｉｇｉｔａｌ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ社製Ｎａｎｏ
Ｓｃｏｐｅ IIIａを用いてタッピングモード（共振周
波数で短針を振動させるモード）で洗浄後の基板表面を
観察した。 測定項目 ：表面粗さ（Ｒａ） スキャンエリア：１０μｍ×１０μｍ 走査線数 ：２５６本／Ｙ方向スキャン 補正 ：Ｘ，Ｙ方向のＰｌａｎｅ Ｆｉｔ Ａｕｔｏ補正 Ｘ，Ｙ方向のＰｌａｎｅ Ｆｉｔ Ａｕｔｏ補正は、
Ｘ，Ｙ方向の画像の歪を除去するために用いた。全ての
データポイントを用いてＸ軸、Ｙ軸方向のZの平均値を
求め、これをもとにＸ軸、Ｙ軸方向の最適な２次曲線を
計算し、全てのＸライン、Ｙラインから差し引く。ま
た、ノイズなどを除去するスムージング処理のために、
イメージ画素の強度を、その画素とそれを囲む８画素の
重み平均で置き換えて表示するＬｏｗｐａｓｓ補正を行
った。また、ガラス基板を目視で観察し、青やけが生じ
ていないか確認した。

【００４３】結果を表１〜４に示す。

【００４４】（比較例１）実施例１と同様にして、上記
の研磨剤の除去を行い、その後の洗浄処理を全く施し
ていない基板について同様の測定を行った。

【００４５】（比較例２）還元剤を洗浄液に含有させな
かったこと、及びフッ酸処理を行わなかったこと以外は
実施例６０と同一の処理を行った。

【００４６】（比較例３）還元剤を洗浄液に含有させな
かったこと以外は実施例６０と同一の処理を行った。

【００４７】（比較例４）還元剤を洗浄液に含有させな
かったこと、及びフッ酸処理時のフッ酸の濃度を０．１
％としたこと以外は実施例６０と同一の処理を行った。

【００４８】（比較例５）還元剤を洗浄液に含有させな
かったこと以外は実施例５９と同一の処理を行った。こ
れは比較例２においてアルカリ溶液処理を省略した処理
に相当する。

【００４９】（比較例６）還元剤を洗浄液に含有させな
かったこと、及びアルカリ溶液処理を行わなかったこと
以外は実施例６０と同一の処理を行った。これは比較例
３においてアルカリ溶液処理を省略した処理に相当す
る。

【００５０】（比較例７）還元剤を洗浄液に含有させな
かったこと、アルカリ溶液処理を行わなかったこと、及
びフッ酸処理時のフッ酸の濃度を０．１％としたこと以
外は実施例６０と同一の処理を行った。これは比較例４
においてアルカリ溶液処理を省略した処理に相当する。

【００５１】これらの比較例１〜７の評価結果を表４に
示す。

【００５２】表１〜４から明らかな通り、実施例１〜６
４のものは、いずれもランタノイド酸化物残留量がきわ
めて少なく高清浄であると共に、表面粗さも小さい。特
に、還元剤としてアスコルビンを用いた場合、少量の使
用量で優れたランタノイド酸化物除去硬化が得られ、ま
た、表面粗さも小さなものとなる。

【００５３】なお、実施例５９〜６２と比較例２〜４と
の対比より、洗浄液に還元剤を添加することによりラン
タノイド酸化物残留量が著しく低下することが分る。、
また、実施例５９〜６２の対比より、アルカリ洗浄及び
フッ素系溶液でのエッチング処理によりランタノイド酸
化物残留量が著しく低下することが分る。

【００５４】また、実施例５９〜６２と、比較例２〜４
と、比較例５〜７との対比より、酸洗浄の後にアルカリ
洗浄を行わなければ確実に青やけが生じることが判る。

【００５５】

【表１】

【００５６】

【表２】

【００５７】

【表３】

【００５８】

【表４】

【００５９】なお、実験の結果、硝酸とアスコルビン酸
とを含む洗浄液はランタノイド酸化物溶解速度が他の組
み合わせに比べ大きいことが分った。

【００６０】また、実験の結果より以下の知見が得られ
た。 （１） ランタノイド酸化物は、硫酸よりも硝酸により
溶けやすい。 （２） ランタノイド酸化物は、酸に還元剤を添加する
とより溶けやすくなるが、この場合も硫酸系溶液よりも
硝酸系溶液により溶けやすい。 （３） 還元剤のランタノイド酸化物溶解を促進する能
力の序列は、アスコルビン酸＞＞過酸化水素水である。 （４） アスコルビン酸添加系の場合は、過酸化水素水
添加系の約１／１０の酸濃度で同程度の溶解能力があ
る。 （５） 酸洗浄後にアルカリ洗浄を行わなければ青やけ
が生じる。

【００６１】

【発明の効果】以上から明らかなように、本発明によれ
ば、ランタノイド酸化物残留量が極めて少ない良好な清
浄度の基板が提供される。また、酸洗浄後にアルカリ洗
浄を行うことにより、青やけが防止された基板が得られ
る。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 5/84 Ｇ１１Ｂ 5/84 Ｚ Ｆターム(参考） 3B116 AA02 AB01 BA01 BA11 BB02 BB11 BB21 BB82 BB83 CC01 CC03 CC05 3B201 AA02 AB01 BA01 BA11 BB02 BB11 BB21 BB82 BB83 BB92 BB96 CC01 CC11 CC21 4G059 AA08 AA09 AB03 AB09 AB11 AC03 AC30 5D006 CB04 CB07 5D112 AA02 BA03 GA08 GA14 GA30

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板表面に残留するランタノイド酸化物
   量が５０×１０^１０原子／ｃｍ^２以下であること特徴と
   するガラス基板。
2. 【請求項２】 請求項１において、基板表面に残留する
   ランタノイド酸化物量が０．５×１０^１０原子/ｃｍ^２
   以下であること特徴とするガラス基板。
3. 【請求項３】 ランタノイド酸化物を含む研磨剤を用い
   て研磨した後、酸及び還元剤を含む洗浄液を用いて洗浄
   するガラス基板の洗浄方法。
4. 【請求項４】 請求項３において、還元剤は還元作用を
   有するキレート剤であることを特徴とするガラス基板の
   洗浄方法。
5. 【請求項５】 請求項３又は４において、該洗浄液によ
   る洗浄の後、さらにアルカリ洗剤の水溶液による洗浄を
   施すことを特徴とするガラス基板の洗浄方法。
6. 【請求項６】 請求項５において、アルカリ洗剤の濃度
   が０．０００１〜５ｗｔ％であることを特徴とするガラ
   ス基板の洗浄方法。
7. 【請求項７】 請求項５又は６において、該アルカリ洗
   剤の水溶液による洗浄後に、更にｐＨ１〜４のフッ化水
   素酸又は珪フッ化水素酸、もしくはｐＨ１〜７に調整し
   たフッ化物を含む水溶液による洗浄を施すことを特徴と
   するガラス基板の洗浄方法。
8. 【請求項８】 請求項３ないし７のいずれか１項におい
   て、前記酸及び還元剤を含む洗浄液中の酸が、硫酸、塩
   酸、硝酸、スルファミン酸及びリン酸の少なくとも１種
   であり、該洗浄液の酸濃度が０．００１〜１０モル／Ｌ
   であることを特徴とするガラス基板の洗浄方法。
9. 【請求項９】 請求項８において、酸が硝酸であり、そ
   の濃度が０．００１〜０．５モル／Ｌであることを特徴
   とするガラス基板の洗浄方法。
10. 【請求項１０】 請求項３ないし９のいずれか１項にお
    いて、該洗浄液中の還元剤が過酸化水素である場合、そ
    の濃度が１〜５モル／Ｌであり、その他の場合は０．０
    ００１〜０．１モル／Ｌであることを特徴とするガラス
    基板の洗浄方法。