TWI746809B - 顯示器用玻璃基板 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種抑制摩擦不均之產生之顯示器用玻璃基板。液晶裝置1係使2個包含矽酸鹽玻璃之玻璃基板2相對,於相對之面間密封液晶30而成之結構。玻璃基板2經由一面供給氧化鈰之漿料一面利用研磨墊研磨玻璃基板2之表面之研磨步驟S1、一面供給漿料一面利用圓盤刷刷洗玻璃基板2之表面之洗淨1步驟S2及使用洗劑進行清洗之洗淨2步驟S3而製造。藉由上述步驟,於玻璃基板2之第1主面11、21,Ce之量可抑制於0.1at.%以下,可實現摩擦不均之抑制及亮點不良之抑制。
Description
本發明係關於一種顯示器用玻璃基板。
液晶裝置係將2片玻璃基板重疊,於玻璃基板間封入液晶而製作。於一玻璃基板上呈矩陣狀配置例如薄膜電晶體,於另一玻璃基板上配置彩色濾光片,根據圖像信號改變密封於兩玻璃基板間之液晶層之光學特性,藉此可實現圖像顯示。於各步驟中各自製造之玻璃基板彼此之相對面,一面旋轉摩擦輥一面於與液晶層相接之面上貼合配向膜,但可知此時產生摩擦不均(參照專利文獻1)。
專利文獻1揭示一種摩擦裝置,該摩擦裝置係具備摩擦布、纏繞有摩擦布之摩擦輥、驅動摩擦輥之驅動機構、及與摩擦布之接觸面粗糙而擦拭附著於摩擦布之異物並且使摩擦布之毛方向一致之包含陶瓷等多孔質材料之再生輥者,其去除附著於摩擦布之異物,清掃頻度低,且壽命長。
[專利文獻1]日本專利特開2007-86669號公報
專利文獻1著眼於附著於摩擦布之異物,藉由去除異物而去除摩擦不均。於摩擦步驟中,由於某些原因,會產生摩擦不均,該摩擦不均導致於
實際用作液晶顯示器進行顯示時,由於僅某個部分或明或暗等,而可見數mm條紋狀等之不均。專利文獻1認為其原因主要在於摩擦時之毛之接觸、強度之不均或異物。然而,根據本發明者之研究,發現藉由改良玻璃基板之表面性狀,可抑制摩擦不均。
本發明提供一種抑制摩擦不均之產生之顯示器用玻璃基板。
本發明之顯示器用玻璃基板係包含矽酸鹽玻璃者,其具備第1主面及位於上述第1主面相反側之第2主面,於上述第1主面,Ce之量為0.1at.%以下。
根據本發明,可實現顯示器用玻璃基板之第1主面之摩擦不均之抑制及亮點不良之抑制。
1:液晶裝置
2:玻璃基板
10:第1玻璃基板
11:第1主面
12:第2主面
20:第2玻璃基板
21:第1主面
22:第2主面
30:液晶
31:薄膜電晶體
32:彩色濾光片
33:配向膜
34:偏光板
圖1係表示使用本發明之顯示器用玻璃基板之液晶裝置之一例之剖視圖。
圖2係表示本發明之顯示器用玻璃基板之製造步驟之流程圖。
圖3表示本發明之顯示器用玻璃基板之XPS分析結果,圖3(a)係針對Ce之量之摩擦不均評價之表,圖3(b)係C/Si之值與ET-AT不良產生率之相關圖表。
圖4表示本發明之顯示器用玻璃基板之TXRF分析之結果,圖4(a)係針對(Ce+La)/Si之值之摩擦不均評價之表,圖4(b)係(Ce+La)/Si之值與亮點不良產生率之相關圖表。
圖5係本發明之顯示器用玻璃基板之O/Si之值與奈米壓痕儀壓痕硬度
之相關圖表。
圖6係本發明之顯示器用玻璃基板之O/Si之值及奈米壓痕儀壓痕硬度之值、與摩擦不均評價及亮點不良率評價之表。
以下使用圖式對本發明之顯示器用玻璃基板之具體實施形態加以詳述。
圖1係表示使用本實施形態之顯示器用玻璃基板(以下僅稱為玻璃基板)之液晶裝置之一例之剖視圖。再者,紙面下側係顯示器之正面側。
液晶裝置1係使2個包含矽酸鹽玻璃之玻璃基板2相對,於相對之面間密封液晶30而成之結構。將2個玻璃基板2分別定義為第1玻璃基板10及第2玻璃基板20,將相對之面定義為第1主面11、21,將位於第1主面11、21相反側之面定義為第2主面12、22。
於第1玻璃基板10之第1主面11呈矩陣狀配置例如薄膜電晶體(Thin Film Transistor,以下稱為TFT)31,於第2玻璃基板20之第1主面21配置彩色濾光片32。即,各自之第1主面11、21亦為形成配線層之裝置形成面。
其次,於各自之第1主面11、21側形成配向膜33,實施決定不施加電壓時之液晶分子之排列之摩擦處理。摩擦處理係於配向膜33表面形成細槽而將其製成配向各向異性之膜者,藉由對配向膜33實施一定方向之摩擦處理,可規定液晶分子之排列。
然後,使用密封部使各自之第1主面11、21彼此貼合,一面實施對準一面壓接硬化,並自密封部之缺口部分封入液晶30。又,對各自之第2主
面12、22施加偏光板34,製造液晶裝置1。
本實施形態之玻璃基板2係矽酸鹽玻璃。由於本實施形態之玻璃基板2係TFT用,故而較佳為以氧化物基準之質量百分率表示時鹼氧化物為0.1%以下,且以二氧化矽(SiO2)、氧化鋁(Al2O3)、氧化硼(BaO)、氧化鈣(CaO)、氧化鋇(B2O3)等鹼土類金屬氧化物為主成分之無鹼玻璃。又,作為玻璃組成之一例,無鹼玻璃以氧化物基準之質量百分率表示時含有SiO2:55~70%、Al2O3:10~20%、B2O3:0~5%、MgO:0~5%、CaO:3~15%、SrO:0.5~7%、BaO:5~15%。
又,於本實施形態之玻璃基板2之第1主面Ce之量為0.1at.%以下。藉此,可抑制摩擦不均之產生。認為其理由在於,可成為摩擦不均之產生原因之含Ce凝膠狀氧化矽層、及/或研磨或洗淨時之漿料殘留(Ce)於第1主面較少。於第1主面之Ce之量係藉由XPS分析求出。
此處,「含Ce凝膠狀氧化矽層」係於作為玻璃基板2之製造過程之研磨步驟(下述S1)或洗淨步驟(下述S2或S3)中使用氧化鈰之情形時產生者。其係指以下之層:Ce與玻璃基板2中之氧化矽(Si)進行置換,氧化矽自玻璃基板2溶出,溶出之氧化矽於玻璃基板2之表面形成Si-O,且於該Si-O骨架中留有H2O。
又,「漿料殘留」係於作為玻璃基板2之製造過程之研磨步驟或洗淨步驟中使用氧化鈰時所產生者。其係指氧化鈰有時與玻璃成分反應,以微粒形式直接殘留於主面上者。
於本說明書中,以下有時將含Ce凝膠狀氧化矽層、研磨或洗淨時之漿料殘留概括稱為無機殘渣。若玻璃表面存在無機殘渣,則於該無機殘渣之周圍容易聚集空氣中之水分,由此配向膜表面性狀產生混亂,容易發生
摩擦不均等。
又,本實施形態之玻璃基板2較佳為於第1主面(Ce+La)/Si之值為0.10以下。藉此,可進一步抑制摩擦不均之產生。認為其理由在於,可成為摩擦不均之產生原因之含Ce凝膠狀氧化矽層、及/或研磨或洗淨時之漿料殘留(CeO2及/或LaOF)於玻璃第1主面較少。於第1主面之(Ce+La)/Si之值係藉由TXRF分析而求出。
又,本實施形態之玻璃基板2之(Ce+La)/Si之值較佳為0.04以下。藉此,除抑制摩擦不均以外,亦可抑制亮點不良。
此處,「亮點不良」係指以下不良:易出現於玻璃基板2之周邊區域,實際用作液晶裝置1進行顯示時,無法控制液晶而形成白色之始終發出亮光之點。
再者,如(Ce+La)/Si般除以Si之理由如下。即,TXRF由於感度非常高,故而難以進行成為定量基準之標準試樣之製作及濃度規定。因此,於玻璃表面分析中一般採用以作為玻璃之主成分之Si標準化之半定量值,本案亦遵循此。
又,本實施形態之玻璃基板2較佳為於第1主面O/Si之值為2.5以下。由於玻璃表面之富氧化矽脆弱層之形成受到抑制,故而可減少摩擦不均及/或亮點不良。
此處,「富氧化矽脆弱層」係因於作為玻璃基板2之製造過程之研磨步驟(下述S1)或洗淨步驟(下述S2或S3)中使用氧化鈰或酸洗劑而形成者。該層係玻璃板之表層發生變質而成者,由於存在容易散落崩壞之傾向,故而會因一部分脫離而無法適當地形成配向膜或配線等,容易引起摩擦不均及/或亮點不良。若O/Si之值為2.5以下,則Ce等與玻璃基板2中之氧化矽
(Si)之置換之程度適度,意味著富氧化矽脆弱層之形成受到抑制。
又,本實施形態之玻璃基板2較佳為於第1主面奈米壓痕儀壓痕硬度為4300N/mm2以上。由於含Ce凝膠狀氧化矽層、及/或富氧化矽脆弱層之形成受到抑制,故而可減少摩擦不均及/或亮點不良。若奈米壓痕儀壓痕硬度為4300N/mm2以上,則即便形成例如富氧化矽脆弱層,其一部分亦難以脫離,故較佳。
又,本實施形態之玻璃基板2較佳為於第1主面C/Si之值為1.0以下。可進一步減少由有機殘渣所導致之不良(ET-AT不良)。
此處,「由有機殘渣所導致之不良(ET-AT不良)」係指除摩擦不均或亮點不良以外之其他不良。作為具體例,指火花、短路、層間洩漏等性能上之不良。
又,本實施形態之玻璃基板2於第1主面具有Ce。所謂具有Ce,係指於XPS等表面分析中檢測到Ce成分。其表示玻璃基板2於研磨步驟(下述S1)或洗淨步驟(下述S2或S3)中進行過使用氧化鈰之處理。即便第1主面具有Ce,只要上述Ce之值為0.1at.%以下,則仍可抑制摩擦不均之產生。
以下表示用於製造本實施形態之玻璃基板2之製造方法之一例。於本實施形態中,步驟大致分為研磨步驟S1、洗淨1步驟S2、洗淨2步驟S3之3步驟。步驟流程圖參照圖2。
研磨步驟S1:一面供給漿料,一面利用研磨墊研磨玻璃基板2之表面。
研磨步驟S1中所用之漿料係以氧化鈰(CeO2)為主體之稀土類酸化合物,亦包含La(LaOF)、Pr、Nd等。於研磨材之中,氧化鈰具有可使作為
玻璃成分之O與作為氧化鈰之成分之Ce進行化學反應之性質,藉由除進行物理研磨以外,亦同時進行化學研磨(化學機械研磨),而將玻璃基板2之表面有效率地平滑化。再者,氧化鈰於所有研磨粒之中研磨效率最高,從而廣泛用於電子/光學領域。
此處,於研磨步驟S1中,較佳為於進行使用氧化鈰作為漿料之研磨之後,進行使用碳酸鈣作為漿料之研磨。藉由氧化鈰,可削除形成於玻璃基板表面之含Ce凝膠狀氧化矽層、或漿料殘留、富氧化矽脆弱層。又,亦可進行不使用漿料而將研磨墊與玻璃直接接觸之水研磨等。
洗淨1步驟S2:一面供給漿料,一面使用圓盤刷(disk brush)刷洗玻璃基板2之表面。
洗淨1步驟(亦稱為漿料洗淨步驟)S2中所用之漿料係碳酸鈣。可削除形成於玻璃基板表面之含Ce凝膠狀氧化矽層、或漿料殘留、富氧化矽脆弱層。藉由適當調整碳酸鈣漿料之濃度、漿料粒度、圓盤刷之按壓力、圓盤刷之根數等,可適當去除含Ce凝膠狀氧化矽層、或漿料殘留、富氧化矽脆弱層。
再者,研磨步驟S1中之使用碳酸鈣漿料之研磨與洗淨1步驟S2只要進行至少任一者即可。可抑制玻璃基板2之摩擦不均之產生。又,根據其程度,亦可進一步消除亮點不良。再者,於本實施形態中,作為形成於玻璃基板表面之含Ce凝膠狀氧化矽層、或漿料殘留、富氧化矽脆弱層之產生原因,假定為將氧化鈰作為漿料之研磨,但並未限定於此。例如,亦包括玻璃基板表面之洗淨等中使用氧化鈰之情況。
洗淨2步驟S3:使用酸等洗劑進行清洗。
洗淨2步驟S3中或洗淨2步驟S3結束後,對所用之洗劑之脫液使用氣
刀(空氣之吹送)。較之使用旋轉之橡膠或樹脂等之輥(海綿)作為脫液之構件,可抑制由有機物殘渣所導致之不良(ET-AT不良)之產生。認為其原因在於,不會有輥之成分發生脫離而附著於玻璃之情況。又,藉由改變洗劑濃度,亦可抑制由有機殘渣所導致之不良之產生。
本實施形態之玻璃基板2藉由上述方法可抑制作為先前之問題之無機殘渣、富氧化矽脆弱層、由有機物殘渣所導致之不良。
為了證明本實施形態之效果,使用XPS(X-ray Photoelectron Spectrometer;X射線光電子分光裝置)、TXRF(Total reflectionX-Ray Fluorescence Spectrometer;全反射螢光X射線分析)及奈米壓痕儀(Nanoindentation Tester;超微小壓痕硬度試驗機)進行利用樣品之試驗。根據試驗結果,針對本實施形態之玻璃基板2,基於圖3~圖5對適當之數值範圍說明如下。
關於實施例,進行研磨步驟S1之中使用氧化鈰作為漿料之研磨之後,經過使用碳酸鈣作為漿料之研磨及/或洗淨1步驟S2,再進行洗淨2步驟S3。藉由適當調整漿料之濃度、粒度、圓盤刷之按壓力、圓盤刷之根數等,製作藉由XPS或TXRF而得之各數值不同之複數個樣品。
關於比較例,進行研磨步驟S1之中使用氧化鈰作為漿料之研磨之後,不經過使用碳酸鈣作為漿料之研磨及/或洗淨1步驟S2,亦不進行洗淨2步驟S3。
<XPS(X-ray Photoelectron Spectrometer;X射線光電子分光裝置)>
藉由XPS對所得之實施例及比較例之玻璃基板之表面組成進行分
析,求出C/Si、O/Si比、Ce定量值(at.%)(以下稱為「Ce之量」)。C/Si、O/Si比之分母與分子之單位分別為質量%。
XPS分析使用日本電子公司製之光電子分光裝置JPS-9010MC。分析條件如下。
X射線源:Mg-Kα,加速電壓12kV-發射電流25mA
中和槍(FLG(Flood Gun)):加速電壓4.0V-發射電流8.0mA
檢測角(試樣表面與檢測器所成之角度):15°
檢測區域:6mmΦ
試樣尺寸:10×10mm
解析軟體:SpecSurf
<Ce之量>
圖3(a)之表中表示根據實施例及比較例藉由XPS分析所得之針對Ce之量為0.02at.%、0.07at.%、0.11at.%時之摩擦不均評價。Ce之量之各值係各自之樣品中玻璃基板2之對角之角部附近與中央部之3點之測定值之平均值。再者,至圖5所示之表及圖表之值亦同樣為玻璃基板2之對角之角部附近與中央部之3點之測定值之平均值。
摩擦不均評價於Ce之量為0.02at.%之情形時為「未見不均(評價◎)」,於Ce之量為0.07at.%之情形時為「略微可見不均(評價○)」,於Ce之量為0.11at.%之情形時為「可見不均(評價×)」。
根據表之結果,可導出如下結論:若於玻璃基板2之第1主面11、21,Ce之量為0.1at.%以下,則可抑制摩擦不均。又,Ce之量較佳為0.08at.%以下,更佳為0.06at.%以下,進而較佳為0.04at.%以下,進而較佳為0.02at.%以下。並且,若Ce之量為0.06at.%以下,則除抑制摩擦不均
以外,亦可抑制亮點不良。
雖將Ce之量設為0.1at.%以下,但下限並非為0,有於玻璃基板2之第1主面11、21殘留微量Ce之情況。其表示玻璃基板2於研磨步驟(下述S1)或洗淨步驟(下述S2或S3)中進行過使用氧化鈰之處理。
<C/Si值>
圖3(b)係求出C/Si之值與ET-AT不良產生率之相關性之圖表。自該圖表可理解:若於第1主面11、21,C/Si之值為1.0以下,則可減少由有機物殘渣所導致之不良。
<TXRF(Total reflection X-Ray Fluorescence Spectrometer;全反射螢光X射線分析)>
藉由TXRF對所得之實施例及比較例之玻璃基板之表面組成進行分析,求出(Ce+La)/Si之值。該式之分母與分子之單位分別為質量%。
TXRF使用NANOHUNTER(理學電機工業公司製,桌上型)。分析條件如下。
X射線管:靶Cu-Kα,管電壓/管電流:50kV/0.8mA
激發X射線分光元件:人工累積膜
激發X射線照射角:0.1°,分析環境:大氣(He氣流)
檢測區域:10mmΦ
試樣尺寸:30×50mm
<(Ce+La)/Si之值>
圖4(a)之表中表示根據實施例及比較例藉由TXRF分析所得之針對(Ce+La)/Si之值為0.03、0.04、0.11時之摩擦不均評價。
摩擦不均評價於(Ce+La)/Si之值為0.03之情形時為「未見不均(評價
◎)」,於(Ce+La)/Si之值為0.04之情形時為「略微可見不均(評價○)」,於(Ce+La)/Si之值為0.11之情形時為「可見不均(評價×)」。
圖4(b)係表示(Ce+La)/Si值與亮點不良率之相關性之圖表。
自圖4(a)之摩擦不均評價及圖4(b)之圖表可理解:若於玻璃基板2之第1主面11、21,(Ce+La)/Si之值為0.10以下,則可抑制摩擦不均,並且可抑制無機殘渣及/或富氧化矽脆弱層。
由於作為研磨劑之氧化鈰(CeO2)存在含有LaOF之情況,故而上述值亦將La之值考慮在內,藉此可更準確地理解含Ce凝膠狀氧化矽層、及/或研磨或洗淨時之漿料殘留(Ce及/或LaOF)之程度。
又,(Ce+La)/Si值較佳為0.08以下,更佳為0.06以下,進而較佳為0.04以下,進而較佳為0.03以下。並且,根據圖4(b),若(Ce+La)/Si值為0.04以下,則除抑制摩擦不均以外,亦可大幅抑制亮點不良。
<奈米壓痕儀(Nanoindentation Tester;超微小壓痕硬度試驗機)>
藉由奈米壓痕儀評價所得之實施例及比較例之玻璃基板之表面脆弱性,求出壓痕硬度HIT值(N/mm2)。圖5之中,左八個係實施例,右一個係比較例。
奈米壓痕儀評價中使用ELIONIX公司製之ESF-5000Plus。
試驗條件如下。
環境:真空(50~300Pa),壓頭:三角錐壓頭
設定荷重:10μN,負載/卸載時間:10sec.,荷重保持時間:1sec.
測定點數:5點×5點,測定間隔:X10μm、Y10μm
試樣固定方法:Aron Alpha接著
試樣尺寸:10×10mm
圖5係表示奈米壓痕儀壓痕硬度HIT值與O/Si之相關性之圖表。其為奈米壓痕儀壓痕硬度越大,則含Ce凝膠狀氧化矽層或富氧化矽脆弱層越不存在(或越少)之證據。即,由於O/Si與奈米壓痕儀壓痕硬度存在相關性,故而成為間接表示凝膠狀氧化矽層或富氧化矽脆弱層不存在(或較少)之指標。
根據圖6,奈米壓痕儀壓痕硬度未達4300N/mm2之比較例中,摩擦不均等不良率較高,奈米壓痕儀壓痕硬度為4300N/mm2以上之情形時,不良率可降低。
進而,若奈米壓痕儀壓痕硬度為4700N/mm2以上,則亮點不良率亦可降低。為了改善亮點不良率,特佳為5500N/mm2以上。
自圖5及6可理解:若於玻璃基板2之第1主面11、21,奈米壓痕儀壓痕硬度為4300N/mm2以上,則無機殘渣(包含凝膠狀氧化矽層)及/或富氧化矽脆弱層受到抑制。又,奈米壓痕儀壓痕硬度較佳為4500N/mm2以上,更佳為4700N/mm2以上,進而較佳為5000N/mm2以上,進而較佳為5200N/mm2以上,進而較佳為5500N/mm2以上。由於凝膠狀氧化矽層及/或富氧化矽脆弱層之形成受到抑制,故而可減少摩擦不均及亮點不良。
<O/Si值>
又,自圖5及圖6亦可理解:若於第1主面11、21,O/Si之值為2.5以下,則無機殘渣(包含凝膠狀氧化矽層)及/或富氧化矽脆弱層之形成受到抑制,可減少摩擦不均及亮點不良。
進而,若O/Si之值未達2.47,則亦可降低亮點不良率。為了改善亮點不良率,特佳為2.25以下。
O/Si之值只要為2.5以下即可,較佳為未達2.47,更佳為2.4以下,進
而較佳為2.3以下,進而較佳為2.25以下。
再者,本發明並未限定於上述實施形態,可適當變化、改良等。另外,上述實施形態中之各構成要素之材質、形狀、尺寸、數值、形態、數量、配置部位等只要可達成本發明,則可任意設定,不受限定。
本發明之顯示器用玻璃基板可較佳地用於要求抑制摩擦不均及亮點不良之液晶裝置等領域。
以上參照特定之實施態樣詳細地對本發明進行了說明,但業者瞭解可不脫離本發明之精神與範圍而加以各種變更或修正。
本申請案係基於2017年3月1日申請之日本專利申請案2017-038388者,其內容作為參照被引入此處。
1:液晶裝置
2:玻璃基板
10:第1玻璃基板
11:第1主面
12:第2主面
20:第2玻璃基板
21:第1主面
22:第2主面
30:液晶
31:薄膜電晶體
32:彩色濾光片
33:配向膜
34:偏光板
Claims (6)
- 一種顯示器用玻璃基板,其係包含矽酸鹽玻璃者,其具備第1主面及位於上述第1主面相反側之第2主面,於上述第1主面,Ce之量為0.1at.%以下,且於上述第1主面,奈米壓痕儀壓痕硬度為4300N/mm2以上。
- 如請求項1之顯示器用玻璃基板,其中於上述第1主面,(Ce+La)/Si之值為0.10以下。
- 如請求項1或2之顯示器用玻璃基板,其中於上述第1主面,O/Si之值為2.5以下。
- 如請求項1或2之顯示器用玻璃基板,其中於上述第1主面,C/Si之值為1.0以下。
- 如請求項1或2之顯示器用玻璃基板,其中上述第1主面係裝置形成面。
- 如請求項1或2之顯示器用玻璃基板,其中上述顯示器用玻璃基板於上述第1主面具有Ce。
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