TW202140393A - 玻璃板及其製造方法 - Google Patents

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左高雅和
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日商Ａｇｃ股份有限公司
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Abstract

本發明係關於一種玻璃板，其具有第1主表面及與上述第1主表面對向之第2主表面，且上述第2主表面係供電子構件形成之側，使用特定計算方法推導出之上述第1主表面中之表面Si-OH基密度為8.7×1014 (個/cm2 )以下0(個/cm2 )以上，且玻璃組成以氧化物基準之質量%表示，包含SiO2 ：35～73%、Al2 O3 ：5～35%、B2 O3 ：0～30%、MgO：0～20%、CaO：0～30%、SrO：0～30%、BaO：0～40%、以及MgO、CaO、SrO、及BaO之合計：1～55%，且實質上不含有鹼金屬氧化物。

Description

玻璃板及其製造方法
本發明係關於一種玻璃板及其製造方法，尤其是關於一種適合用作電子器件用基板之玻璃板及其製造方法。
關於電子器件或半導體封裝，存在於玻璃板上形成金屬配線、透明電極、半導體元件、發光元件等電子構件、或聚醯亞胺等之軟性樹脂基板/RDL(Redistribution Layer，再分配層)等之情況。作為此種電子器件，例如可列舉：FPD(Flat Panel Display，平板顯示器)、或應用液晶技術之平板天線等。FPD例如係指液晶顯示器、有機EL(Electro-Luminescence，電致發光)顯示器、或微LED(Light Emitting Diode，發光二極體)顯示器。又，作為半導體封裝，可列舉扇出型半導體封裝。  作為具體例，於液晶顯示器中，於玻璃板上形成透明電極、TFT(Thin Film Transistor，薄膜電晶體)、彩色濾光片(Color Filter)等。
關於電子構件在玻璃板上之形成，例如如圖1所示，係於將玻璃板1之第1主表面1a藉由真空吸附而固定於吸附台2之狀態下，對第2主表面1b進行。但是，於將玻璃板從吸附台剝離時，玻璃板帶電，會有因靜電放電(ESD：Electro-Static Discharge)而導致配線靜電破壞之虞。於近年來之電子器件中，由於積體度明顯提高，因此配線之寬度與間隔均微細化，由ESD導致產生故障之可能性變得更高。尤其是FPD中，隨著TFT之高積體化，該問題有可能更加明顯，如會產生TFT之破壞，顯示品質受損等。又，於玻璃板之第2主表面上直接形成TFT或配線等之情形、以及於第2主表面上塗佈聚醯亞胺樹脂等之後形成TFT或配線等之情形皆同樣有上述由ESD導致之配線靜電破壞之虞。
對此，採用對貼附於吸附台之玻璃板之第1主表面實施表面粗糙化處理之方法。藉由表面粗糙化處理，使玻璃板與吸附台之接觸面積變小，防止玻璃板產生剝離帶電。
例如，於專利文獻1中，揭示有一種顯示器用玻璃基板，其藉由進行玻璃蝕刻處理之步驟，使得第1面具有複數個開口之孔，上述孔之平均開口面積為1.70×104 (nm2 )以下，上述孔之合計開口面積為6.00×106 (nm2 /25 μm2 )以上。又，作為玻璃蝕刻處理，揭示有利用包含氟化氫之氣體之蝕刻方法。  又，於專利文獻2中，揭示有一種玻璃板，其藉由使用作為研磨材之氧化鈰進行研磨，使得第1面中之最大谷深度Rv(JIS B 0601：2013)為3.0 nm＜Rv＜5.0 nm。  [先前技術文獻]  [專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2017/065138號  [專利文獻2]日本專利特開2015-131751號公報
[發明所欲解決之問題]
但是，若對第1主表面進行表面粗糙化處理，則會有對向之第2主表面亦同樣地經表面粗糙化處理之虞。具體而言，其原因在於，用於表面粗糙化處理之氣體或研磨粒繞至第2主表面之至少周緣部，使得該周緣部亦被表面粗糙化。
上述第2主表面係供電子構件形成之側之表面。因此，有由於第2主表面之至少一部分之區域經表面粗糙化處理而對諸如電子構件等器件之形成或動作產生不良影響之虞。
因此，本發明之目的在於提供一種不對第1主表面進行表面粗糙化處理而抑制了剝離帶電產生之玻璃板、尤其是適合用作電子器件用基板之玻璃基板、以及上述玻璃板之製造方法。  [解決問題之技術手段]
即，本發明關於下述[1]～[12]。  [1]一種玻璃板，其具有第1主表面及與上述第1主表面對向之第2主表面，且上述第2主表面係供電子構件形成之側，  使用下述計算方法推導出之上述第1主表面中之表面Si-OH基密度為8.7×1014 (個/cm2 )以下0(個/cm2 )以上，  玻璃組成以氧化物基準之質量%表示，包含：SiO2 ：35～73%、Al2 O3 ：5～35%、B2 O3 ：0～30%、MgO：0～20%、CaO：0～30%、SrO：0～30%、BaO：0～40%、以及MgO、CaO、SrO、及BaO之合計：1～55%，且實質上不含有鹼金屬氧化物。  ＜計算方法＞  (i)對於作為試樣之玻璃板之上述第1主表面，使用將試樣與檢測器形成之檢測角度設為15°之X射線光電子光譜法，測定Si、Mg、Ca、Sr、Ba、Al、及B之各原子濃度(at%)，藉由下述式(1)，算出以Si之原子濃度標準化之表面Si-O-R鍵結數(SiORsurf )。R係指Mg、Ca、Sr、Ba、Al、及B。  SiORsurf ＝2×(SMg ＋SCa ＋SSr ＋SBa )＋3×(SAl ＋SB )             (1)  式中，SMg 、SCa 、SSr 、SBa 、SAl 及SB 分別係指以Si之原子濃度對Mg、Ca、Sr、Ba、Al、及B之各原子濃度進行標準化而獲得之值。  (ii)其次，對於上述第1主表面，使用C60 離子濺射，於深度方向研削上述玻璃板，使玻璃板內部露出，對於上述玻璃板內部，使用將檢測角度設為75°之X射線光電子光譜法，測定Si、Mg、Ca、Sr、Ba、Al、及B之各原子濃度(at%)，藉由下述式(2)，算出以Si之原子濃度標準化之內部Si-O-R鍵結數(SiORbulk )。  SiORbulk ＝2×(BMg ＋BCa ＋BSr ＋BBa )＋3×(BAl ＋BB )           (2)  式中，BMg 、BCa 、BSr 、BBa 、BAl 、及BB 分別係指以Si之原子濃度對Mg、Ca、Sr、Ba、Al、及B之各原子濃度進行標準化而獲得之值。  (iii)使用玻璃密度、玻璃板中之Si濃度、由上述(i)算出之上述表面Si-O-R鍵結數(SiORsurf )、及由上述(ii)算出之上述內部Si-O-R鍵結數(SiORbulk )，藉由下述式(3)～(5)，算出上述第1主表面中之表面Si-OH基密度(SiOHsurf )(個/cm2 )。  DSi ＝(D×Simass% ×6.02×1023 )/(100×28.09)             (3)  DSi-surf ＝(DSi )2/3 (4)  SiOHsurf ＝(SiORbulk －SiORsurf )×DSi-surf (5)  式中，DSi 係指玻璃板中之Si原子密度(個/cm3 )，D係指玻璃密度(g/cm3 )，Simass% 係指玻璃板中之Si濃度(質量%)，DSi-surf 係指表面Si原子密度(個/cm2 )。
[2]如上述[1]之玻璃板，其中上述表面Si-OH基密度為7.6×1014 (個/cm2 )以下。  [3]如上述[1]或[2]之玻璃板，其中上述表面Si-OH基密度為6.1×1014 (個/cm2 )以下。  [4]如上述[1]至[3]中任一項之玻璃板，其中上述第1主表面之最大谷深度Rv之絕對值為3.0 nm以下。  [5]如上述[1]至[4]中任一項之玻璃板，其板厚為0.1 mm～1.0 mm。  [6]如上述[1]至[5]中任一項之玻璃板，其係至少一邊之長度為2500 mm以上之矩形。  [7]如上述[1]至[6]中任一項之玻璃板，其用作電子器件用基板。  [8]如上述[1]至[7]中任一項之玻璃板，其用作顯示器用基板。  [9]如上述[1]至[7]中任一項之玻璃板，其用作可撓式顯示器製造用載體基板。  [10]如上述[1]至[7]中任一項之玻璃板，其用作半導體封裝用載體基板。
[11]一種玻璃板之製造方法，其係製造如上述[1]至[10]中任一項之玻璃板之方法，包括如下步驟：  使用包含碳酸鈣之漿料，對與供電子構件形成之側即第2主表面對向之第1主表面研磨1 nm以上。  [12]如上述[11]之玻璃板之製造方法，其中於對於上述第1主表面之上述研磨之步驟之後，使用鹼性溶液對上述第1主表面進行洗淨。  [發明之效果]
根據本發明，獲得不進行表面粗糙化處理而從吸附台剝離時難以產生剝離帶電之玻璃板。因此，於將該玻璃板用於電子器件用基板之情形時，可抑制靜電破壞。又，期望亦防止對諸如電子構件等器件之形成或動作產生不良影響。
以下，對本發明進行詳細說明，但本發明並不限定於以下實施方式，於不脫離本發明之主旨之範圍內，可進行任意變化來實施。又，表示數值範圍之「～」係以包含其前後記載之數值作為下限值及上限值之含義使用。  除非另有說明，否則表示玻璃組成之各成分之含量以氧化物基準之質量%表示。
[玻璃板]  本實施方式之玻璃板具有第1主表面及與上述第1主表面對向之第2主表面，第1主表面中之表面Si-OH基密度為8.7×1014 (個/cm2 )以下0(個/cm2 )以上。  當玻璃板為電子器件用基板時，於使玻璃板之第1主表面側接觸並吸附於吸附台之狀態下，於第2主表面上形成配線等電子構件。然後，將玻璃板從吸附台剝離，供於電子器件之下一製造步驟。即，於將玻璃板用於電子器件用基板之情形時，第1主表面係與吸附台接觸之側，第2主表面係供電子構件形成之側。於電子器件為液晶顯示器之情形時，第1主表面係偏光板側，第2主表面係TFT側。
本發明針對抑制將玻璃板從吸附台剝離時之剝離帶電進行了銳意研究，結果發現，玻璃板之第1主表面中之表面Si-OH基(矽烷醇基)密度與第2主表面中之帶電電位相關。若第1主表面中之表面Si-OH基密度較低，則第2主表面中之帶電電位之絕對值亦變小，可抑制由ESD導致之配線之靜電破壞。其詳細情況雖然尚不明確，但是推測如下。再者，帶電電位係帶電難度之指標，越接近0越難帶電。
就測定器之構造而言，無法對將玻璃板從吸附台剝離時第1主表面中之帶電電位實施測定。但是，於本發明中，由於玻璃板之第2主表面帶負(minus)電，因此推測第1主表面帶正(plus)電。此係依據介質極化。又，從相同觀點來看，第1主表面之帶電電位與第2主表面之帶電電位聯動，若第1主表面中之正(plus)之帶電電位較大，則推測第2主表面中之負(minus)之帶電電位亦變大。  進而，根據摩擦帶電系，玻璃板係極易帶正(plus)電之材料。因此，考慮摩擦帶電系亦推測第1主表面帶正(plus)電，不鏽鋼(SUS，Steel Use Stainless，日本不鏽鋼標準)製之吸附台帶負(minus)電。
於考慮到不同種金屬彼此之剝離帶電之情形時，推測帶電原因在於，於使金屬彼此接觸時，電子從功函數較小之金屬向功函數較大之金屬遷移。即，認為功函數較小之金屬帶正(plus)電，功函數較大之金屬帶負(minus)電，該等功函數之差越大，兩者之各帶電電位亦越大。若基於上述內容對玻璃板進行研究，則難以定義絕緣物之功函數。但是，至少可推測若玻璃板之第1主表面之功函數變大，則電子從玻璃板向吸附台之遷移會被抑制，或者與此類似之力作用，使得玻璃板之第1主表面不易帶正(plus)電。
為了增大玻璃板之第1主表面之功函數，本發明人等著眼於吸附水量。其原因在於，曾有報告有關於TiO2 或Cu(In，Ga)Se2 ，因吸附水量之增加，功函數變小。玻璃板之第1主表面中之表面Si-OH基密度越高，則越與空氣中之水分子結合，其結果，吸附水量增加。若假設玻璃板亦有與TiO2 等相同之傾向，則因該吸附水量之增加，功函數變小。
即，越降低玻璃板之第1主表面中之表面Si-OH基密度，則吸附水量越減少，功函數變大。其結果，於將玻璃板從吸附台剝離時，玻璃板之第1主表面不易帶正(plus)電。並且，依據介質極化，第1主表面之帶電電位與第2主表面之帶電電位聯動，推測第2主表面不易帶負(minus)電。
若玻璃板之第1主表面之表面Si-OH基密度為8.7×1014 (個/cm2 )以下，則於從吸附台剝離時剝離帶電被充分抑制，可抑制於第2主表面上形成之電子構件之靜電破壞。表面Si-OH基密度較佳為7.6×1014 (個/cm2 )以下，更佳為7.1×1014 (個/cm2 )以下，進而較佳為6.6×1014 (個/cm2 )以下，進而更佳為6.1×1014 (個/cm2 )以下，尤佳為5.6×1014 (個/cm2 )以下。又，表面Si-OH基密度為0(個/cm2 )以上，雖然其值越低越佳，但是考慮到使用包含碳酸鈣之漿料進行研磨之步驟之負荷，下限值例如為4.0×1014 (個/cm2 )以上。
於本說明書中，玻璃板之主表面中之表面Si-OH基密度係使用利用X射線光電子光譜法(XPS)得出之分析結果，藉由下述所示之計算方法(i)～(iii)推導出之值。  ＜計算方法＞  (i)對於作為試樣之玻璃板之第1主表面，使用將試樣與檢測器形成之檢測角度設為15°之X射線光電子光譜法，測定Si、Mg、Ca、Sr、Ba、Al、及B之各原子濃度(at%)，藉由下述式(1)，算出以Si之原子濃度標準化之表面Si-O-R鍵結數(SiORsurf )。R係指Mg、Ca、Sr、Ba、Al、及B。  SiORsurf ＝2×(SMg ＋SCa ＋SSr ＋SBa )＋3×(SAl ＋SB )             (1)  式中，SMg 、SCa 、SSr 、SBa 、SAl 、及SB 分別係指以Si之原子濃度對Mg、Ca、Sr、Ba、Al、及B之各原子濃度進行標準化而獲得之值。
於X射線光電子光譜法中，可藉由改變檢測角度來調整資訊深度。檢測角度越小，則資訊深度越淺。即，於上述(i)中，藉由將檢測角度設為15°，對玻璃板之第1主表面測定極淺之表層中之各原子濃度。
對Si、Mg、Ca、Sr、Ba、Al、及B之各原子濃度進行測定之後，將Mg、Ca、Sr、Ba、Al、及B之各原子濃度除以Si之原子濃度，藉此獲得依序由SMg 、SCa 、SSr 、SBa 、SAl 、及SB 表示之各原子濃度之以Si之原子濃度標準化之值。
關於式(1)，將各原子濃度之以Si之原子濃度標準化之值乘以係數2或3所獲得之值之總和設為表面Si-O-R鍵結數(SiORsurf )。該係數2或3係相當於各元素之價數之值。該係數將在以下進行說明。  作為上述元素之中例如2價之Mg於玻璃中之一個存在狀態，可列舉-Si-O-Mg-O-Si-之類的經由兩個O而與Si鍵結之狀態。同樣，Ca、Sr、及Ba亦為2價，可列舉經由兩個O而與Si鍵結之狀態。又，Al及B為3價，為了方便起見，可視作經由三個O而與Si鍵結之狀態。將該等價數與各個標準化之各原子濃度相乘，該等之值之總和為由式(1)算出之表面Si-O-R鍵結數(SiORsurf )。
(ii)其次，對於第1主表面，使用C60 離子濺射，於深度方向研削玻璃板，使玻璃板內部露出，對於玻璃板內部，使用將檢測角度設為75°之X射線光電子光譜法，測定Si、Mg、Ca、Sr、Ba、Al、及B之各原子濃度(at%)，藉由下述式(2)，算出以Si之原子濃度標準化之內部Si-O-R鍵結數(SiORbulk )。  SiORbulk ＝2×(BMg ＋BCa ＋BSr ＋BBa )＋3×(BAl ＋BB )           (2)  式中，BMg 、BCa 、BSr 、BBa 、BAl 、及BB 分別係指以Si之原子濃度對Mg、Ca、Sr、Ba、Al、及B之各原子濃度進行標準化而獲得之值。
於C60 離子濺射中，藉由向玻璃板之主表面照射C60 離子，而產生稱為濺射蒸發之表面之原子被去除之現象。其結果，玻璃板於深度方向被研削，玻璃板內部露出，從而可對玻璃板內部之各原子濃度進行測定。  具體而言，一面進行C60 離子濺射，一面對Si、Mg、Ca、Sr、Ba、Al、及B之各原子濃度進行複數次測定。並且，確認測得之各原子濃度之值於深度方向固定。
通常，若為實質上不含有鹼金屬氧化物之鋁矽酸鹽玻璃之組成，則於300 nm以下(SiO2 換算深度)之深度範圍內各原子濃度之值於深度方向固定。假設當深度超過300 nm而各原子濃度之值於深度方向不固定時，可將玻璃板研磨數μm，再次實施C60 離子濺射。再者，SiO2 換算深度係指基於使用矽晶圓上形成之膜厚已知之熱氧化膜(SiO2 膜)算出的C60 離子濺射之SiO2 膜之濺射速率(nm/min)而計算出之深度。
藉由C60 離子濺射研削玻璃板之主表面，測定玻璃板內部之Si、Mg、Ca、Sr、Ba、Al、及B之各原子濃度。上述(ii)中，藉由將檢測角度設為75°使資訊深度變深，從而將在極淺之表層發生之由C60 離子濺射引起之組成變化之影響抑制到最小限度，高精度地求出玻璃板內部之各原子濃度。
對Si、Mg、Ca、Sr、Ba、Al、及B之各原子濃度進行測定之後，將Mg、Ca、Sr、Ba、Al、及B之各原子濃度除以Si之原子濃度，藉此獲得依序由BMg 、BCa 、BSr 、BBa 、BAl 、及BB 表示之各原子濃度之以Si之原子濃度標準化之值。
然後，與上述(i)同樣地，乘以各元素之價數，該等值之總和為由式(2)算出之內部Si-O-R鍵結數(SiORbulk )。
(iii)使用玻璃密度、玻璃板中之Si濃度、由上述(i)算出之上述表面Si-O-R鍵結數(SiORsurf )、及由上述(ii)算出之上述內部Si-O-R鍵結數(SiORbulk )，藉由下述式(3)～(5)，算出第1主表面中之表面Si-OH基密度(SiOHsurf )(個/cm2 )。  DSi ＝(D×Simass% ×6.02×1023 )/(100×28.09)             (3)  DSi-surf ＝(DSi )2/3 (4)  SiOHsurf ＝(SiORbulk －SiORsurf )×DSi-surf (5)  式中，DSi 係指玻璃板中之Si原子密度(個/cm3 )，D係指玻璃密度(g/cm3 )，Simass% 係指玻璃板中之Si濃度(質量%)，DSi-surf 係指表面Si原子密度(個/cm2 )。再者，玻璃板中之Si濃度係指以原子基準之質量%表示之值。
玻璃密度(D)(g/cm3 )係依據JIS Z 8807：2012而求出之值。又，玻璃板中之Si濃度(Simass% )(質量%)係依據JIS R 3105：1995而求出之值。  於上述式(3)中，將玻璃密度(D)乘以玻璃板中之Si濃度/100(Simass% /100)及亞佛加厥數，再除以Si之原子量28.09(g/mol)，藉此算出玻璃板中之Si原子密度(DSi )(個/cm3 )。
於上述式(4)中，藉由算出由式(3)所算出之玻璃板中之Si原子密度(DSi )(個/cm3 )之值之2/3次方，從而將維度從三維降至二維，轉換為玻璃板之表面Si原子密度(DSi-surf )(個/cm2 )。
然後，於式(5)中，取由上述式(2)及式(1)算出之內部Si-O-R鍵結數(SiORbulk )與表面Si-O-R鍵結數(SiORsurf )之差。以Mg、Ca、Sr、Ba、Al、及B之元素中之Mg為例對此進行如下說明。  相當於：於玻璃板之主表面，藉由一個Mg2 ＋ 與兩個H＋ 發生離子交換反應，而從-Si-O-Mg-O-Si-之狀態變成-Si-OH＋Mg2 ＋ ＋HO-Si-，求出此時所生成之表面Si-OH基之個數。又，該表面Si-OH基之個數作為相對於Si原子之個數之值而給出。  藉由將各元素之上述個數之總和乘以表面Si原子密度(DSi-surf )(個/cm2 )，而算出玻璃板之主表面中之每單位面積之Si-OH基之個數，即表面Si-OH基密度(個/cm2 )。
本實施方式之玻璃板可藉由低表面Si-OH基密度來抑制剝離帶電之產生。因此，不需要表面粗糙化處理，第1主表面為無凹凸之平滑表面。  第1主表面之最大谷深度Rv之絕對值較佳為3.0 nm以下，更佳為未達2.0 nm。又，絕對值之下限並無特別限定，通常為0.5 nm以上。再者，本說明書中之最大谷深度Rv係指依據JIS B 0601：2013所測定之值。
於第1主表面不存在開口之細小之孔，或者即使存在其數量亦較少。具體而言，若不進行藉由使用氣體之玻璃蝕刻而實施之表面粗糙化處理，則孔之平均開口面積至少超過1.70×104 (nm2 )，通常為2.00×104 (nm2 )以上。又，同樣地，若不進行藉由使用氣體之玻璃蝕刻而實施之表面粗糙化處理，則合計開口面積至少未達6.00×106 (nm2 /25 μm2 )，通常為4.00×106 (nm2 /25 μm2 )以下。  孔之平均開口面積之上限及合計開口面積之下限並無特別限定，通常分別為1.00×103 (nm2 )以下1.00×106 (nm2 /25 μm2 )以上。再者，本說明書中之孔之平均開口面積及合計開口面積係指藉由如下方式算出之值：使用原子力顯微鏡來獲得第1主表面之形狀影像，然後使用奈米尺度三維圖像處理軟體(Image Metrology公司製造之SPIP)實施傾斜修正處理、過濾處理、及粒子/孔解析，藉此來算出。
對於玻璃板之第2主表面之形狀或性狀並無特別限定，可為與先前之電子器件用基板之形成電子構件之側相同之形狀或性狀。
本實施方式之玻璃板之玻璃組成鑒於其較佳為用作電子器件用基板，較佳為因鹼離子之遷移而導致短路之可能性極低的無鹼玻璃。無鹼玻璃係指實質上不含有鹼金屬氧化物(Li2 O、Na2 O、及K2 O)之玻璃。實質上不含有鹼金屬氧化物係指Li2 O、Na2 O、及K2 O之合計之含量為0.1質量%以下之玻璃。  又，於玻璃板為以鈉鈣玻璃為代表之含有鹼金屬氧化物之玻璃板情形時，容易發生H＋ 與存在於第1主表面之鹼金屬元素之離子之離子交換反應。因此，於製造含有鹼金屬氧化物之玻璃板之過程中，即使包括使用包含碳酸鈣之漿料研磨1 nm以上之步驟，亦難以降低表面Si-OH基密度。
本實施方式之玻璃組成以氧化物基準之質量%表示，包含SiO2 ：35～73%、Al2 O3 ：5～35%、B2 O3 ：0～30%、MgO：0～20%、CaO：0～30%、SrO：0～30%、BaO：0～40%、以及MgO、CaO、SrO、及BaO之合計：1～55%，且實質上不含有鹼金屬氧化物。
於應變點較高且考慮到溶解性之情形時，玻璃組成更佳為以氧化物基準之質量%表示，包含SiO2 ：58～66%、Al2 O3 ：15～22%、B2 O3 ：5～12%、MgO：0～8%、CaO：0～9%、SrO：3～12.5%、BaO：0～2%、以及MgO、CaO、SrO、及BaO之合計：9～18%，且實質上不含有鹼金屬氧化物。
於此種目的之情形時，更佳為以氧化物基準之質量%表示，包含SiO2 ：56～62%、Al2 O3 ：15～20%、B2 O3 ：6～10%、MgO：2～5%、CaO：3～7%、SrO：4～10%、BaO：0～1%、以及MgO、CaO、SrO、及BaO之合計：12～17%，且實質上不含鹼金屬氧化物。進而較佳為實質上不含BaO。
於考慮到高應變點之情形時，玻璃組成更佳為以氧化物基準之質量%表示，包含SiO2 ：54～73%、Al2 O3 ：10.5～22.5%、B2 O3 ：0～7%、MgO：0～10%、CaO：0～10%、SrO：0～16%、BaO：0～10%、以及MgO、CaO、SrO、及BaO之合計：8～26%，且實質上不含有鹼金屬氧化物。
於考慮到進一步高之應變點之情形時，玻璃組成進而較佳為以氧化物基準之質量%表示，包含SiO2 ：54～73%、Al2 O3 ：10.5～22.5%、B2 O3 ：0～5.5%、MgO：0～10%、CaO：0～10%、SrO：0～10%、BaO：0～10%、以及MgO、CaO、SrO、及BaO之合計：8～20%，且實質上不含有鹼金屬氧化物。
於考慮到低介電常數、低介電損耗正切性等電特性之情形時，玻璃組成更佳為以氧化物基準之質量%表示，包含SiO2 ：54～73%、Al2 O3 ：5～22.5%、B2 O3 ：15～30%、MgO：0～10%、CaO：0～9%、SrO：0～16%、BaO：0～20%、以及MgO、CaO、SrO、及BaO之合計：1～26%，且實質上不含有鹼金屬氧化物。
就欲提高膨脹率之控制性、尤其是獲得具有高膨脹率之基板之情形時，玻璃組成更佳為以氧化物基準之質量%表示，包含SiO2 ：40～73%、Al2 O3 ：5～23%、B2 O3 ：0～15%、MgO：0～20%、CaO：0～20%、SrO：0～20%、BaO：0～40%、以及MgO、CaO、SrO、及BaO之合計：10～55%，且實質上不含有鹼金屬氧化物。
玻璃板之板厚較佳為0.1 mm以上，更佳為0.2 mm以上，進而較佳為0.3 mm以上。另一方面，板厚較佳為2.0 mm以下，更佳為1.5 mm以下，進而較佳為1.0 mm以下，進而更佳為0.7 mm以下，尤佳為0.5 mm以下。
玻璃板之形狀並無特別限定，於用作顯示器用基板之情形時較佳為矩形。  玻璃板之尺寸亦無特別限定，於玻璃板為矩形之情形時，至少一邊之長度較佳為1000 mm以上，更佳為1400 mm以上，進而較佳為2500 mm以上。上限亦無特別限定，通常一邊之長度為5000 mm以下。
又，於用作載體基板之情形時，玻璃板之形狀較佳為矩形或圓形。  於玻璃板為圓形之情形時，玻璃板較佳為具有凹口等定位部之形狀。直徑較佳為200 mm以上，更佳為300 mm以上。上限亦無特別限定，通常直徑為450 mm以下。  於玻璃板為矩形之情形時，至少一邊之長度較佳為500 mm以上，更佳為1200 mm以上，進而較佳為1400 mm以上。上限亦無特別限定，通常一邊之長度為3300 mm以下，較佳為2800 mm以下，更佳為2000 mm以下。
本實施方式之玻璃板亦可於面積較大之狀態下於第2主表面上形成配線等電子構件，然後根據製品之大小切割成所需尺寸。原來，由於帶電量根據面積而變大，因此面積越大，則剝離時之帶電量亦越大，靜電破壞之虞越高。但是，由於本實施方式之玻璃板之表面Si-OH基密度較低，因此從吸附台剝離時之帶電量亦被抑制得較小。因此，即使於玻璃板之面積較大之情形時，亦能夠抑制電子構件之靜電破壞。
[玻璃板之製造方法]  以下，示出本實施方式之玻璃板之製造方法之一例，但是只要第1主表面之表面Si-OH基密度低，則並無特別限定。  玻璃板之製造方法包括如下步驟：使用包含碳酸鈣之漿料，對玻璃板之與供電子構件形成之側即第2主表面對向之第1主表面研磨1 nm以上。
又，較佳為在對第1主表面進行上述研磨之步驟之後，使用鹼性溶液對第1主表面進行洗淨。其原因在於，若使用酸性溶液，則酸性溶液之H＋ 與第1主表面之Mg2 ＋ 、Ca2 ＋ 、Sr2 ＋ 、Ba2 ＋ 、Al3 ＋ 、及B3 ＋ 會發生離子交換反應，有增加表面Si-OH基密度之虞。
以下，對各步驟進行詳細描述。  (研磨步驟)  於研磨步驟中，對於玻璃板之第1主表面，一面供給包含碳酸鈣之漿料(以下有時會稱為碳酸鈣漿料)，一面將第1主表面研磨1 nm以上。研磨藉由滿足上述條件之方法適當地進行即可，並無特別限定，從容易地藉由研磨去除足夠厚度之玻璃板表層之觀點來看，較佳為使用研磨墊之研磨。  與一般用於玻璃研磨之氧化鈰相比，碳酸鈣之硬度非常低。因此，與先前之研磨不同，於玻璃板之主表面上不會產生較深之研磨劃痕。因此，例如，第1主表面之最大谷深度Rv之絕對值為3.0 nm以下。第1主表面之最大谷深度Rv之絕對值較佳為3.0 nm以下，更佳為未達2.0 mm。
先前之使用包含氧化鈰之漿料之研磨除了上述硬度之不同以外，存在由於化學作用而使表面Si-OH基密度增加之虞。因此，從表面Si-OH基密度之觀點來看，亦較佳為使用碳酸鈣。  又，若不使用研磨粒而僅供給純水來進行研磨，則研磨速度極慢，純水之H＋ 與玻璃表面之Mg2 ＋ 、Ca2 ＋ 、Sr2 ＋ 、Ba2 ＋ 、Al3 ＋ 、及B3 ＋ 會發生離子交換反應，有增加表面Si-OH基密度之虞。  推測與此相對，若進行使用了包含碳酸鈣之漿料之研磨，則僅存在機械作用，與由純水之H＋ 與玻璃表面之Mg2 ＋ 、Ca2 ＋ 、Sr2 ＋ 、Ba2 ＋ 、Al3 ＋ 、及B3 ＋ 發生之離子交換反應之速度相比，研磨速度快，因此可降低表面Si-OH基密度。
使碳酸鈣分散而成為漿料之分散介質例如可使用純水或工業用水等。
漿料中之碳酸鈣濃度較佳為1質量%以上，更佳為3質量%以上。又，碳酸鈣濃度較佳為40質量%以下，更佳為20質量%以下。
於漿料中，除了碳酸鈣與分散介質以外，於不損害本發明之效果之範圍內亦可含有其他任何成分。作為其他任何成分，例如可列舉分散劑等。
第1主表面中之表面Si-OH基密度除了可藉由上述碳酸鈣之濃度等以外，亦可藉由研磨條件進行控制。研磨條件適當地調整即可，並無特別限定，例如於使用研磨墊進行研磨之情形時，研磨壓力較佳為0.05 MPa～0.5 MPa，玻璃搬送速度較佳為0.1～20(m/分鐘)，研磨墊轉數(公轉數)較佳為30～1000 rpm。又，後述之實施例中之研磨次數並無特別限定，當考慮到研磨步驟之負荷時，較佳為1～20次，更佳為1～10次，最佳為1～7次。
(洗淨步驟)  使用上述包含碳酸鈣之漿料對第1主表面進行研磨之後，對第1主表面進行洗淨。關於洗淨，使用選自由高壓噴淋、碳酸鈣漿料、洗劑、及純水所組成之群中之至少一種來進行。於使用碳酸鈣漿料、洗劑、或純水進行洗淨之情形時，較佳為使用圓盤刷或滾筒刷來刷第1主表面。
為了不增加藉由研磨步驟控制之表面Si-OH基密度，較佳為使用鹼性溶液作為洗劑進行洗淨。鹼性溶液之pH值超過7即可，較佳為pH值為9以上。又，上限並無特別限定，較佳為pH值為13.5以下。  為了防止附著物再次附著，用於洗淨之鹼性溶液較佳為含有界面活性劑。又，為了防止金屬成分溶出，較佳為不含螯合材。
再者，雖然可如上所述藉由包含碳酸鈣之漿料進行洗淨，但僅進行藉由圓盤刷或滾筒刷之漿料洗淨則無法如上述研磨步驟般有效地降低第1主表面之表面Si-OH基密度。
(乾燥步驟)  較佳為於洗淨步驟之後，經過藉由純水之洗滌，然後進行乾燥步驟。乾燥步驟可應用先前公知之方法。例如，吹送通過了過濾器之壓縮空氣即使用氣刀之方法就作業性/設備之簡單程度之方面而言較佳。  又，除了藉由壓縮空氣進行乾燥以外，亦可進行使用IPA(異丙醇)之洗淨、乾燥、或旋轉乾燥、馬蘭葛尼乾燥。
除了上述之各步驟以外，於不損害本發明之效果之範圍內，亦可進一步經過倒角加工等任意步驟。
藉由本實施方式之玻璃板之製造方法所獲得之玻璃板於用作電子器件用基板之情形時，如圖1所示，以玻璃板1之第1主表面1a接觸吸附台2之方式載置，於第2主表面1b上形成電子構件。然後，將玻璃板1從吸附台2剝離，由於此時之剝離帶電被抑制，因此可防止所形成之電子構件被靜電破壞。
又，於使用包含碳酸鈣之漿料及研磨墊之研磨中，主表面未被表面粗糙化。因此，即使研磨第1主表面時第2主表面之周緣部亦一同被研磨，第2主表面之周緣部亦不會被表面粗糙化。因此，不必擔心伴隨第2主表面被表面粗糙化而對器件形成或動作產生之不良影響。
[電子器件]  本實施方式之玻璃板較佳為用作電子器件用基板，其中更佳為用作顯示器用基板，進而較佳為用作液晶顯示器之基板，最佳為用作a-Si(Amorphous Silicon，非晶矽)TFT之基板。  又，亦更佳為用作可撓式顯示器製造用載體基板或半導體封裝用載體基板。其中，進而較佳為用作可撓式顯示器製造用載體基板。
又，本實施方式之電子器件具備上述玻璃板，例如，可將該玻璃板亦適宜地作為基板應用於至少一邊為2500 mm以上之矩形之大型電子器件。又，可將該玻璃板亦適宜地應用於至少一邊為1400 mm以上之矩形或直徑為500 mm以上之圓形之載體基板。於載體基板用途之情形時，可特別適合地用於可撓式顯示器之製造或半導體封裝。  再者，電子器件中之玻璃板之較佳之形態與上述[玻璃板]中記載之較佳之形態相同。又，關於除了玻璃板以外之構成，可使用先前公知者。  [實施例]
以下，將列舉試驗例，對本發明進行具體說明，但本發明並不限定於該等。再者，例1～例5為實施例，例6及例7為比較例。
[例1]  使用520 mm×410 mm且厚度為0.5 mm之電子器件用無鹼玻璃板(玻璃A)，對於作為第1主表面之一個主表面，一面供給使碳酸鈣分散於純水而成之漿料，一面使用發泡聚胺基甲酸酯製之研磨墊進行研磨。漿料中之碳酸鈣濃度為8質量%。將以130(cm/分鐘)之玻璃搬送速度、386 rpm之轉數、及0.204 MPa之研磨壓力研磨約30秒之步驟記為一次研磨，進行一次研磨。  其次，使用pH值調整為12之鹼性溶液(Parker Corporation公司製造之PK-LCG213(製品名稱))，於處理速度為330(cm/分鐘)、轉數為300 rpm之條件下藉由作為單片式洗淨裝置之圓盤刷進行藥液洗淨。藥液洗淨之後，藉由氣刀進行乾燥，獲得玻璃板。對在研磨步驟前及藉由氣刀進行乾燥後之重量進行測定，藉此估計之玻璃板表層之去除厚度為約2 nm。  再者，玻璃A之以氧化物基準之質量%表示之組成如表1所示。
[例2]  除了將研磨次數設為2次以外，與例1同樣地獲得玻璃板。玻璃板表層之去除厚度為約4 nm。
[例3]  除了將研磨次數設為5次以外，與例1同樣地獲得玻璃板。玻璃板表層之去除厚度為約10 nm。
[例4]  除了將電子器件用無鹼玻璃板變更為玻璃B以外，與例3同樣地獲得玻璃板。玻璃板表層之去除厚度為約10 nm。  再者，玻璃B之以氧化物基準之質量%表示之組成如表1所示。
[例5]  將電子器件用無鹼玻璃板變更為玻璃C，且將研磨次數設為7次，除此以外與例1同樣地獲得玻璃板。玻璃板表層之去除厚度為約14 nm。  再者，玻璃C之以氧化物基準之質量%表示之組成如表1所示。
[例6]  除了不進行研磨而僅進行使用鹼性溶液之藥液洗淨與藉由氣刀之乾燥以外，與例1同樣地獲得玻璃板。於使用鹼性溶液之藥液洗淨前及藉由氣刀之乾燥後實施重量測定，但無法確認到有意義之重量減少。即，僅藉由使用鹼性溶液進行藥液洗淨而去除之玻璃板表層之厚度被視為0 nm。
[例7]  除了進行使用與例1相同之漿料之漿料洗淨代替研磨以外，與例1同樣地獲得玻璃板。漿料洗淨係噴出使碳酸鈣分散於純水而成之漿料，於轉數為300 rpm且玻璃搬送速度為330(cm/分鐘)之條件下，藉由作為單片式洗淨裝置之圓盤刷進行。對在漿料洗淨前及藉由氣刀之乾燥後之重量進行測定，藉此估計之藉由漿料洗淨之玻璃板表層之去除厚度為約0.2 nm。
由於根據例6，藉由使用鹼性溶液進行藥液洗淨而去除之厚度被視為0 nm，因此確認例1～例5中之玻璃板表層之去除厚度均係藉由研磨步驟產生，且均為1 nm以上。又，例7之去除厚度係藉由使用碳酸鈣之漿料洗淨產生，且未達1 nm。如例7之結果所示，使用圓盤刷難以去除玻璃板表層1 nm以上。為了使玻璃板表層之去除厚度為1 nm以上，例如較佳為使用研磨墊等。
再者，製作例1之玻璃板計2塊、例7之玻璃板計計3塊、及例2～6之玻璃板各1塊，用於隨後之各評價。
[表1]
表1                                                                                                                     (質量%)
   玻璃A 玻璃B 玻璃C
SiO2 60 62 62
Al2 O3 17 20 20
B2 O3 8 1 2
MgO 3 5 6
CaO 4 5 6
SrO 8 7 4
BaO 0 0 0
其他 ＜0.1 ＜0.1 ＜0.1
合計 100 100 100
[評價方法]  (表面Si-OH基密度)  針對玻璃板之第1主表面，藉由下述方法，進行表面Si-OH基密度之計算。  (i)對於玻璃板之第1主表面，使用下述測定條件之X射線光電子光譜法，對Si、Mg、Ca、Sr、Ba、Al、及B之各原子濃度進行測定。藉由將所獲得之Mg、Ca、Sr、Ba、Al、及B之各原子濃度除以Si之原子濃度，算出由SMg 、SCa 、SSr 、SBa 、SAl 、及SB 表示之以Si之原子濃度標準化之各原子濃度。使用該等，藉由下述式(1)，算出以Si之原子濃度標準化之表面Si-O-R鍵結數(SiORsurf )。  再者，即使Ba包含於玻璃板之母組成中，由於其係X射線光電子光譜法之檢測極限以下之微量，因此未進行監視。又，關於用於算出各原子濃度之各峰之相對感度係數(RSF)，使用解析軟體給出之預設之修正相對感度係數(Corrected RSF)。各峰之修正相對感度係數分別為19.327(B1s)、30.796(Mg2s)、23.675(Al2p)、34.619(Si2p)、62.711(Ca2s)、123.306(Sr3p3/2 )。  SiORsurf ＝2×(SMg ＋SCa ＋SSr ＋SBa )＋3×(SAl ＋SB )             (1)
(測定條件)  裝置：ULVAC-PHI公司製造之ESCA5500  X射線：單色化之AlKα射線  通過能量：117.4(eV)  能階：0.5(eV/step)  監視峰：B1s、Mg2s、Al2p、Si2p、Ca2s、Sr3p3/2 檢測角度(試樣表面與檢測器形成之角度)：15°  解析軟體：MultiPak 9.3.0.3版本  峰之本底去除方法：Shirley法
(ii)其次，對於第1主表面，使用C60 離子濺射，於深度方向研削玻璃板，使玻璃板內部露出。對於玻璃板內部，除了將檢測角度設為75°以外，與上述(i)同樣地對以Si之原子濃度標準化之Mg、Ca、Sr、Ba、Al、及B之各原子濃度進行測定。使用該等，藉由下述式(2)，算出以Si之原子濃度標準化之內部Si-O-R鍵結數(SiORbulk )。再者，所測定之玻璃板內部係指距玻璃板表面以SiO2 換算深度計為約200 nm之深度。再者，SiO2 換算深度係指基於使用矽晶圓上形成之膜厚已知之熱氧化膜(SiO2 膜)算出的C60 離子濺射之SiO2 膜之濺射速率(nm/min)而計算出之深度。  SiORbulk ＝2×(BMg ＋BCa ＋BSr ＋BBa )＋3×(BAl ＋BB )           (2)  式中，BMg 、BCa 、BSr 、BBa 、BAl 、及BB 分別係指以Si之原子濃度對Mg、Ca、Sr、Ba、Al、及B之各原子濃度進行標準化而獲得之值。
(iii)使用玻璃密度、玻璃板中之Si濃度、由上述(i)算出之上述表面Si-O-R鍵結數(SiORsurf )、及由上述(ii)算出之上述內部Si-O-R鍵結數(SiORbulk )，藉由下述式(3)～(5)，算出第1主表面中之表面Si-OH基密度(SiOHsurf )(個/cm2 )。  玻璃密度係依據JIS Z 8807：2012(於液中稱量之測定方法)進行測定。玻璃板中之Si濃度(Simass% )(質量%)係依據JIS R 3105：1995(凝集/重量分光光度併用法)進行測定。  DSi ＝(D×Simass% ×6.02×1023 )/(100×28.09)             (3)  DSi-surf ＝(DSi )2/3 (4)  SiOHsurf ＝(SiORbulk －SiORsurf )×DSi-surf (5)  式中，DSi 係指玻璃板中之Si原子密度(個/cm3 )，D係指玻璃密度(g/cm3 )，Simass% 係指玻璃板中之Si濃度(質量%)，DSi-surf 係指表面Si原子密度(個/cm2 )。
(帶電電位、Δ帶電電位)  以第1主表面接觸吸附台之方式將玻璃板載置於不鏽鋼(SUS)304製造之吸附台上，並藉由真空吸附進行固定。於玻璃板之第2主表面之上方設置有表面電位計(Trek Japan製造之型號542A(製品名稱))。  解除真空狀態，使用設置於吸附台之升降銷，將玻璃板從吸附台剝離。用表面電位計測定玻璃板離開吸附台上升80 mm為止之表面電位之變化。測定結果中，將絕對值最大之表面電位設為剝離時第2主表面之帶電電位(V)。  帶電電位測定係針對所有製作之玻璃板分三日實施。於第一日測定例1、2、6、及7之玻璃板，於第二日測定例4、5、及7之玻璃板，於第三日測定例1、3、及7之玻璃板。針對每一測定日，求出作為比較例之例7之玻璃板之帶電電位與各玻璃板之帶電電位之差，將其設為Δ帶電電位(V)。算出Δ帶電電位(V)之目的在於，儘可能地排除由測定時之溫度或濕度等環境差異引起之帶電電位變動之影響。於例1～例7之任一玻璃板中，表面電位計之表面電位均顯示為負(minus)值，第2主表面帶負(minus)電。因此，若例1～例6之各玻璃板之帶電電位較作為比較例之例7接近0，則Δ帶電電位顯示為負(minus)值。另一方面，若帶電電位較作為比較例之例7遠離0，則Δ帶電電位顯示為正(plus)值。因此，Δ帶電電位(V)之負值越大，可判斷係越可抑制剝離帶電產生之玻璃板。
(最大谷深度Rv)  使用應用了光干涉之非接觸表面形狀測量裝置(Mitsubishi Chemical Systems公司製造之VertScan R5500HML-A150(製品名稱))，依據JIS B 0601：2013對玻璃板之第1主表面之最大谷深度Rv之絕對值進行測定。其係使用低相干性干涉原理以非接觸之方式精密地測定玻璃板之表面粗糙度之裝置。具體而言，將從低相干性光源發射之具有寬光譜波長之白色光分割成測定光與參考光，將測定光照射於玻璃板之表面，使反射之測定光與參考光干涉，藉此測定玻璃板之表面中之粗糙度。  針對距第1主表面至少10 mm以上之任意五個部位測定最大谷深度Rv，將去除其中之最大值與最小值之三個部位之最大谷深度Rv之平均值設為玻璃板之第1主表面之最大谷深度Rv。
(孔之平均開口面積及合計開口面積)  藉由原子力顯微鏡(AFM)，獲得玻璃板之第1主表面之形狀影像。然後，藉由使用奈米尺度三維圖像處理軟體(Image Metrology公司製造之SPIP6.7.8)之紋理分析，算出孔之平均開口面積及合計開口面積。  由AFM獲得之形狀影像之測定條件如下。  原子力顯微鏡：Digital Instruments公司製造之奈秒示波器III  測定模式：輕敲模式  探針：NCH10  樣品/行：256  掃描速度：1.0 Hz  觀察視野：5 μm×5 μm
又，藉由以下步序1～步序4進行藉由紋理分析之孔之平均開口面積及合計開口面積之計算。  步序1：進行下述操作作為傾斜修正處理。  進行「逐行調平」及「整面調平」。然後，將圖像旋轉90°，再次進行「逐行調平」及「整面調平」。  步序2：進行下述操作作為過濾處理1。  從過濾工具中，從中央值(median)窗口中選擇或輸入全向雜訊、高低值、替換比率：2、及窗口尺寸：5，啟用「包含邊界」，並應用。  步序3：進行下述操作作為過濾處理2。  從過濾工具中，從卷積窗口中選擇或輸入平滑化、高斯分佈、及標準偏差：1，啟用「X＝Y」及「自動尺寸」，並應用。  步序4：進行下述操作作為粒子/孔解析。  首先，從檢測窗口中選擇或輸入分支線-分散之形狀、孔檢測、分類之平線區範圍：±0.50、及最小形狀寬度：2.00像素。其次，從後處理之窗口中，啟用「保存形狀孔」、「抑制像素雜訊」、及「包含圖像邊緣之形狀」。最後，點選檢測，求出孔之平均表面積及合計表面積。
將孔之平均表面積(nm2 )作為孔之平均開口面積(nm2 )。又，將孔之合計表面積(nm2 )以AFM之每個觀察視野即25(μm2 )之值之形式作為孔之合計開口面積(nm2 /25 μm2 )。
將所獲得之玻璃板之種類、研磨次數、洗淨步驟、及各評價結果示於表2。表中，NCW表示未進行測定。  又，將例1～例7之玻璃板之表面Si-OH基密度與Δ帶電電位之關係示於圖2之曲線圖。再者，於圖2中，例1-1表示例1之第一日之結果，例1-2表示例1之第三日之結果。又，例7-1至例7-3分別表示例7之第一日至第三日之結果。
[表2]
表2
例 玻璃板 研磨次數 (次) 包含碳酸鈣之漿料洗淨 藉由鹼性洗劑之藥液洗淨 去除厚度 (nm) 帶電電位(V) Δ帶電電位(V) [與例7之差] 表面Si-OH基密度 (×1014 個/cm2 ) Rv (nm) 平均開口面積 (×104 nm2 ) 合計開口面積 (×106 nm2 /25 μm2 )
第一日 第二日 第三日
例1 玻璃A 1 無 有 2 -15550       -510 8.6 NCW NCW NCW
      -15150 -750 8.2 NCW NCW NCW
例2 玻璃A 2 無 有 4 -14520       -1540 7.4 NCW 2.72 2.58
例3 玻璃A 5 無 有 10       -12250 -3650 5.5 2.8 4.46 3.75
例4 玻璃B 5 無 有 10    -15060    -3630 5.5 2.8 NCW NCW
例5 玻璃C 7 無 有 14    -12690    -6000 4.4 NCW NCW NCW
例6 玻璃A 0 無 有 0 -16250       190 9.7 2.0 NCW NCW
例7 玻璃A 0 有 有 0.2 -16060       0 9.0 2.0 3.98 3.23
   -18690    0 9.4 NCW NCW NCW
      -15900 0 9.0 NCW NCW NCW
根據表2及圖2之結果確認：藉由於第1主表面中控制表面Si-OH基密度，亦能夠控制帶電電位。即，表面Si-OH基密度越低，則Δ帶電電位之負(minus)值越大，帶電電位越接近0。  根據例1～例6之結果可知：可藉由使用包含碳酸鈣之漿料之研磨來降低表面Si-OH基密度。另一方面，根據例6及例7之結果可知：若不進行研磨而僅進行使用包含碳酸鈣之漿料之藉由圓盤刷之漿料洗淨，則降低表面Si-OH基密度之效果極低。
根據圖2之結果，雖然認可表面Si-OH基密度與Δ帶電電位存在相關關係之理由尚未明確，但是認為如上所述，隨著玻璃板之第1主表面中之功函數變大，帶電受到抑制。即，推測如下：藉由將玻璃板之第1主表面中之表面Si-OH基密度控制得較低，從而吸附水量亦減少，功函數變大。其結果，於與吸附台剝離時，電子從玻璃板之第1主表面向吸附台之遷移被抑制，或與此類似之力發揮作用，使得玻璃板之第1主表面不易帶正(plus)電。第2主表面之帶電電位與此聯動，從而第2主表面不易帶負(minus)電。
根據例1、例6、及例7之結果，即使研磨次數為1次，藉由使用包含碳酸鈣之漿料及研磨墊之研磨來抑制帶電之效果亦明顯。於例1中，使用包含碳酸鈣之漿料藉由研磨墊進行研磨之次數為一次，其與僅進行使用包含碳酸鈣之漿料藉由圓盤刷進行漿料洗淨之例7相比，表面Si-OH基密度較低，帶電抑制效果為500 V以上。由此可知：與先前之使用碳酸鈣之漿料洗淨相比，使用包含碳酸鈣之漿料之研磨對於降低表面Si-OH基密度、抑制帶電非常有用。
於將表面Si-OH基密度較低之玻璃板用作電子器件用基板之情形時，從吸附片材剝離時剝離帶電受到抑制。因此，提示可防止電子構件之靜電破壞。  又，由於第1主表面中之最大谷深度Rv較淺，因此即使假設用於研磨之漿料繞至第2主表面之至少周緣部，亦不會有失去第2主表面之平滑性之虞。因此，提示可防止由對第1主表面進行研磨而對形成於第2主表面上之諸如電子構件等器件之形成或動作產生不良影響。
本申請係基於2020年3月27日申請之日本專利申請2020-058106及2020年12月16日申請之日本專利申請2020-208670，其內容係作為參考而引入於此。
1:玻璃板 1a:第1主表面 1b:第2主表面 2:吸附台
圖1係表示於玻璃板上形成電子構件時玻璃板與吸附台之位置關係之示意剖視圖。  圖2係表示例1～例7之玻璃板之表面Si-OH基密度與Δ帶電電位之關係之曲線圖。

Claims (12)

  1. 一種玻璃板，其具有第1主表面及與上述第1主表面對向之第2主表面，且上述第2主表面係供電子構件形成之側，  使用下述計算方法推導出之上述第1主表面中之表面Si-OH基密度為8.7×1014 (個/cm2 )以下0(個/cm2 )以上，  玻璃組成以氧化物基準之質量%表示，包含  SiO2 ：35～73%、  Al2 O3 ：5～35%、  B2 O3 ：0～30%、  MgO：0～20%、  CaO：0～30%、  SrO：0～30%、  BaO：0～40%、以及  MgO、CaO、SrO、及BaO之合計：1～55%，且  實質上不含有鹼金屬氧化物；  ＜計算方法＞  (i)對於作為試樣之玻璃板之上述第1主表面，使用將試樣與檢測器形成之檢測角度設為15°之X射線光電子光譜法，測定Si、Mg、Ca、Sr、Ba、Al、及B之各原子濃度(at%)，藉由下述式(1)，算出以Si之原子濃度標準化之表面Si-O-R鍵結數(SiORsurf )；R係指Mg、Ca、Sr、Ba、Al、及B；  SiORsurf ＝2×(SMg ＋SCa ＋SSr ＋SBa )＋3×(SAl ＋SB )            (1)  式中，SMg 、SCa 、SSr 、SBa 、SAl 及SB 分別係指以Si之原子濃度對Mg、Ca、Sr、Ba、Al、及B之各原子濃度進行標準化而獲得之值；  (ii)其次，對於上述第1主表面，使用C60 離子濺射，於深度方向研削上述玻璃板，使玻璃板內部露出，對於上述玻璃板內部，使用將檢測角度設為75°之X射線光電子光譜法，測定Si、Mg、Ca、Sr、Ba、Al、及B之各原子濃度(at%)，藉由下述式(2)，算出以Si之原子濃度標準化之內部Si-O-R鍵結數(SiORbulk )；  SiORbulk ＝2×(BMg ＋BCa ＋BSr ＋BBa )＋3×(BAl ＋BB )         (2)  式中，BMg 、BCa 、BSr 、BBa 、BAl 、及BB 分別係指以Si之原子濃度對Mg、Ca、Sr、Ba、Al、及B之各原子濃度進行標準化而獲得之值；  (iii)使用玻璃密度、玻璃板中之Si濃度、由上述(i)算出之上述表面Si-O-R鍵結數(SiORsurf )、及由上述(ii)算出之上述內部Si-O-R鍵結數(SiORbulk )，藉由下述式(3)～(5)，算出上述第1主表面中之表面Si-OH基密度(SiOHsurf )(個/cm2 )；  DSi ＝(D×Simass% ×6.02×1023 )/(100×28.09)       (3)  DSi-surf ＝(DSi )2/3 (4)  SiOHsurf ＝(SiORbulk －SiORsurf )×DSi-surf (5)  式中，DSi 係指玻璃板中之Si原子密度(個/cm3 )，D係指玻璃密度(g/cm3 )，Simass% 係指玻璃板中之Si濃度(質量%)，DSi-surf 係指表面Si原子密度(個/cm2 )。
  2. 如請求項1之玻璃板，其中上述表面Si-OH基密度為7.6×1014 (個/cm2 )以下。
  3. 如請求項1或2之玻璃板，其中上述表面Si-OH基密度為6.1×1014 (個/cm2 )以下。
  4. 如請求項1至3中任一項之玻璃板，其中上述第1主表面之最大谷深度Rv之絕對值為3.0 nm以下。
  5. 如請求項1至4中任一項之玻璃板，其板厚為0.1 mm～1.0 mm。
  6. 如請求項1至5中任一項之玻璃板，其係至少一邊之長度為2500 mm以上之矩形。
  7. 如請求項1至6中任一項之玻璃板，其用作電子器件用基板。
  8. 如請求項1至7中任一項之玻璃板，其用作顯示器用基板。
  9. 如請求項1至7中任一項之玻璃板，其用作可撓式顯示器製造用載體基板。
  10. 如請求項1至7中任一項之玻璃板，其用作半導體封裝用載體基板。
  11. 一種玻璃板之製造方法，其係製造如請求項1至10中任一項之玻璃板之方法，包括如下步驟：  使用包含碳酸鈣之漿料，對與供電子構件形成之側即第2主表面對向之第1主表面研磨1 nm以上。
  12. 如請求項11之玻璃板之製造方法，其中於上述研磨之步驟之後，使用鹼性溶液對上述第1主表面進行洗淨。
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