JP2006058777A - マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、及び露光用マスクの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 マスクブランク用基板10の主表面19に、研磨剤を含む研磨液を凍結させた第1凍結体11を接触させて摺動させ、上記主表面を研磨してマスクブランク用基板を製造する。上記主表面の研磨加工は、当該主表面を精密加工した後欠陥検査を行って当該主表面上の欠陥を特定し、この特定された欠陥に対して実施するものである。
【選択図】 図1
Description
本発明の他の目的は、位相欠陥となる微小な凸欠陥や、透過光量の低下を引き起こす微小な凹欠陥を低減できるマスクブランクの製造方法を提供することにある。
本発明の更に他の目的は、位相欠陥となる微小な凸欠陥や、透過光量の低下を引き起こす微小な凹欠陥を低減して、転写パターン欠陥の発生を防止できる露光用マスクの製造方法を提供することにある。
[A]第1の実施の形態(図1、図2)
図1は、本発明に係るマスクブランク用基板の製造方法の第1の実施の形態における研磨加工工程を示す概略側面図である。図2は、図1の第1凍結体を示す縦断面図である。
(1)マスクブランク用基板10の主表面19に、研磨剤を含む研磨液を凍結させた第1凍結体11を接触させて摺動させ上記主表面19を研磨することから、研磨剤を含む研磨液が凍結された第1凍結体11のみがマスクブランク用基板10の主表面19に直接接触するので、研磨布要因や研磨液供給システム要因による異物が発生しない。また、研磨剤を含む研磨液が凍結されているので、研磨剤の凝集や研磨剤の供給むらも発生しない。よって、上述の各要因による微小な凸欠陥(高さが1〜60nm程度の凸欠陥)や、凹欠陥(深さが3〜60nm程度の凹欠陥)のないマスクブランク用基板を作製できる。
図3は、本発明に係るマスクブランク用基板の製造方法の第2を実施の形態における研磨加工工程を示す概略側面図である。この第2の実施の形態において、前記第1の実施の形態と同様な部分は、同一の符号を付すことにより説明を省略する。
図5は、本発明に係るマスクブランク用基板の製造方法の第3の実施の形態における研磨加工工程を示す概略側面図である。この第3の実施の形態において、前記第1の実施の形態と同様な部分は、同一の符号を付すことにより説明を省略する。
図6は、本発明に係るマスクブランク用基板の製造方法の第4の実施の形態における研磨加工工程を示す概略側面図である。この第4の実施の形態において、前記第1及び第3の実施の形態と同様な部分は、同一の符号を付すことにより説明を省略する。
合成石英ガラス基板の端面加工と面取り加工、両面ラッピング装置による研削加工を終えたガラス基板を両面研磨装置にセットし、その表面に粗研磨工程、精密研磨工程、洗浄工程を実施して、高い平滑性を有するマスクブランク用ガラス基板を得た。
合成石英ガラス基板の端面加工と面取り加工、両面ラッピング装置によって研削加工を終えたガラス基板を両面研磨装置にセットし、その表面に粗研磨工程、精密研磨工程、洗浄工程に実施して、高い平滑性を有するマスクブランク用ガラス基板を得た。
合成石英ガラス基板の端面加工と面取り加工、両面ラッピング装置によって研削加工を終えたガラス基板を両面研磨装置にセットし、その表面に粗研磨工程、精密研磨工程、洗浄工程を実施して、表面粗さが自乗平均平方根粗さ(RMS)で0.15nm、平坦度が0.5μmのマスクブランク用ガラス基板を得た。
合成石英ガラス基板の端面加工と面取り加工、両面ラッピング装置による研削加工を終えたガラス基板を両面研磨装置にセットし、その表面に、従来技術と同様に酸化セリウムによる研磨工程、コロイダルシリカによる研磨工程、及び洗浄工程を実施して、高い平滑性を有するマスクブランク用ガラス基板を得た。
こうして得られたフォトマスクについて、その転写測定をマイクロリソグラフィー・シミュレーションスコープ(Microlithography Simulation MicroscopsAIMS193(カールツァイス社製)を用いて評価したところ、6%以上の透過光量の低下を示す欠陥部分が3個存在していることが確認された。また、位相欠陥についても、上記AIMS193(カールツァイス社製)を用いて評価したところ、転写パターンに影響する位相欠陥が1個存在していることが確認された。
以上、本発明を上記実施の形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。
11 第1凍結体
12 第2凍結体
13 第3凍結体
16 超純水凍結層
17 研磨液凍結層
19 主表面
40 清浄な液体
Claims (11)
- マスクブランク用基板の主表面に、研磨剤を含む研磨液を凍結させた凍結体を接触させて相対移動させ、上記主表面を研磨することを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法。
- マスクブランク用基板の主表面に、超純水を凍結させた凍結体を接触させて相対移動させ、上記主表面を加工することを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法。
- マスクブランク用基板の主表面を精密研磨した後、上記主表面の欠陥検査を行って当該主表面上の欠陥を特定し、この特定された欠陥に凍結体を接触して相対移動させ、上記欠陥を修正することを特徴とする請求項1または2に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
- 上記マスクブランク用基板の主表面の全面を凍結体に接触して相対移動させ、上記主表面の全面を研磨加工することを特徴とする請求項1または2に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
- 上記研磨液の溶媒として超純水を用いることを特徴とする請求項1、3または4に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
- 上記研磨剤がコロイダルシリカであることを特徴とする請求項1、3、4または5に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
- 上記凍結体は、超純水が凍結した層と、研磨剤を含む研磨液が凍結した層とが積層して構成されたこと特徴とする請求項1、3、4、5または6に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
- 上記凍結体の形状は、横断面が一定の柱形状、または全体もしくは先端形状が円錐もしくは角錐形状であることを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
- 上記マスクブランク用基板に対する凍結体の接触は、清浄な空気が循環された雰囲気で行うか、または清浄な液体が循環された雰囲気で行うことを特徴とする請求項1乃至8のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
- 請求項1乃至9のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法によって得られたマスクブランク用基板の主表面上に、マスクパターンとなる薄膜を形成することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
- 請求項10に記載のマスクブランクの製造方法によって得られたマスクブランクを使用して、マスクブランク用基板の主表面上にマスクパターンを形成することを特徴とする露光用マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004242628A JP4508779B2 (ja) | 2004-08-23 | 2004-08-23 | マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、及び露光用マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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---|---|---|---|
JP2004242628A JP4508779B2 (ja) | 2004-08-23 | 2004-08-23 | マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、及び露光用マスクの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006058777A true JP2006058777A (ja) | 2006-03-02 |
JP4508779B2 JP4508779B2 (ja) | 2010-07-21 |
Family
ID=36106266
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004242628A Expired - Fee Related JP4508779B2 (ja) | 2004-08-23 | 2004-08-23 | マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、及び露光用マスクの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4508779B2 (ja) |
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- 2004-08-23 JP JP2004242628A patent/JP4508779B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JP4508779B2 (ja) | 2010-07-21 |
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