JP2000042876A - マイクロデバイスの研磨方法 - Google Patents

マイクロデバイスの研磨方法

Info

Publication number
JP2000042876A
JP2000042876A JP10227540A JP22754098A JP2000042876A JP 2000042876 A JP2000042876 A JP 2000042876A JP 10227540 A JP10227540 A JP 10227540A JP 22754098 A JP22754098 A JP 22754098A JP 2000042876 A JP2000042876 A JP 2000042876A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
polishing
compacting
polishing body
solid phase
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP10227540A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3915261B2 (ja
Inventor
Satoshi Uejima
聡史 上島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Priority to JP22754098A priority Critical patent/JP3915261B2/ja
Priority to US09/361,615 priority patent/US6168501B1/en
Publication of JP2000042876A publication Critical patent/JP2000042876A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3915261B2 publication Critical patent/JP3915261B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/048—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces of sliders and magnetic heads of hard disc drives or the like
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Magnetic Heads (AREA)
  • Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
  • Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 マイクロデバイス作成時に発生するバリ等の
不要な突出物を効率よく除去可能なマイクロデバイスの
研磨方法を提供する。 【解決手段】 固相をなす液体を塊状に粉砕して押し固
めた研磨体、固相をなす気体を押し固めた研磨体、又は
固相をなす液体を塊状に粉砕したもの及び固相をなす気
体を混合して押し固めた研磨体にマイクロデバイスを押
し当てて研磨する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、薄膜磁気
ヘッド等のマイクロデバイスの研磨方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】薄膜磁
気ヘッド等のマイクロデバイス作成時において、スパッ
タ等によって成膜した膜を例えばリフトオフ法若しくは
ミリング法等を用いて又はそれらを併用してパターニン
グした際に発生するバリ等の不要な突出物について、こ
れを有効に除去する方法は、現在までほとんど存在しな
い。
【０００３】砥粒を吹き付けて研磨を行うサンドブラス
ト法を用いることも考えられるが、吹き付けられた砥粒
によって、パターニング面にキズが発生する恐れがあ
り、採用できない。
【０００４】従って本発明の目的は、マイクロデバイス
作成時に発生するバリ等の不要な突出物を効率よく除去
可能なマイクロデバイスの研磨方法を提供することにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、固相を
なす液体を塊状に粉砕して押し固めた研磨体、固相をな
す気体を押し固めた研磨体、又は固相をなす液体を塊状
に粉砕したもの及び固相をなす気体を混合して押し固め
た研磨体にマイクロデバイスを押し当てて研磨するマイ
クロデバイスの研磨方法が提供される。
【０００６】固相をなす液体を塊状に粉砕して押し固め
た研磨体、固相をなす気体を押し固めた研磨体、又はこ
れらの混合物である研磨体でマイクロデバイスを研磨す
れば、その研磨面にキズを与えることなくバリ等の不要
な突出物を効率よく除去できる。
【０００７】固相をなす液体が氷であることが好まし
い。
【０００８】また、固相をなす気体がドライアイスであ
ることが好ましい。ドライアイスを用いて研磨すること
によって、研磨対象物の研磨面が無湿に維持できるの
で、製品管理上、非常に有利である。また、ドライアイ
スが気化したガスが薄い気相となって、研磨面を覆うた
め、研磨対象物にキズがよりつきにくくなるという利点
もある。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１は本発明の研磨方法の一実施
形態を概略的に示す斜視図である。
【００１０】同図において、１０は研磨装置、１１は研
磨すべきマイクロデバイスであり、本実施形態の場合、
このマイクロデバイスは多数の薄膜ヘッド素子をマトリ
クス状に形成するための薄膜磁気ヘッドウエハである。
【００１１】研磨装置１０は、円筒状の筐体１２を備え
ており、この筐体１２は矢印１３の方向に回転駆動され
るように構成されている。筐体１２の内部には、氷を例
えば粒径が０．５μｍ〜１０ｍｍの小さな塊状に（例え
ばシャーベット状に）粉砕して押し固めて形成するか、
ドライアイスを押し固めて形成するか、又はこれらを混
合して押し固めて形成した研磨体１４が収容されてい
る。研磨体１４は、その空隙率（全体の容積に対する内
部空間の容積の体積比）が１〜５０％となるように押し
固められている。
【００１２】なお、同図において、１５は研磨体１４の
回転防止用の突起であり、１６は気体又は液体の抜き穴
をそれぞれ示している。
【００１３】研磨すべき薄膜磁気ヘッドウエハ１１のパ
ターニング面を、研磨体１４の表面に例えば１０〜５０
０ｇ／ｃｍ2 程度の圧力１７をかけながら押し当て、ま
たこのウエハ１１自体も矢印１８に示すように回転させ
ることにより、ウエハ１１の表面がこすれるように研磨
される。これにより、ウエハ１１のパターニング面にキ
ズを与えることなく、パターニング時に生じたバリ等の
不要な突出物を効率よく除去できる。特に、研磨体１４
としてドライアイスを用いることによって、ウエハ１１
の研磨面が無湿に維持できるので、製品管理上、非常に
有利である。また、ドライアイスが気化したガスが薄い
気相となって、研磨面を覆うため、ウエハ１１にキズが
つきにくい。その結果、ウエハ１１の歩留を高水準に維
持することが可能となる。
【００１４】以上述べた実施形態では、研磨対象物であ
るマイクロデバイスとして薄膜磁気ヘッドウエハを用い
ているが、薄膜磁気ヘッドウエハの他にいかなるマイク
ロデバイスについても本発明が適用できることは、いう
までもない。また、固相をなす液体及び固相をなす気体
は、上述した氷及びドライアイスに限定されるものでは
ない。
【００１５】以上述べた実施形態は全て本発明を例示的
に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明
は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することがで
きる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均
等範囲によってのみ規定されるものである。
【００１６】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、固相をなす液体を塊状に粉砕して押し固めた研磨
体、固相をなす気体を押し固めた研磨体、又はこれらの
混合物である研磨体でマイクロデバイスを研磨すれば、
その研磨面にキズを与えることなくバリ等の不要な突出
物を効率よく除去できる。その結果、マイクロデバイス
の歩留を高水準に維持することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の研磨方法の一実施形態を概略的に示す
斜視図である。
【符号の説明】
１０ 研磨装置 １１ ウエハ １２ 筐体 １４ 研磨体 １５ 回転防止用の突起 １６ 気体又は液体の抜き穴

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 固相をなす液体を塊状に粉砕して押し固
    めた研磨体、固相をなす気体を押し固めた研磨体、又は
    該固相をなす液体を塊状に粉砕したもの及び該固相をな
    す気体を混合して押し固めた研磨体にマイクロデバイス
    を押し当てて研磨することを特徴とするマイクロデバイ
    スの研磨方法。
  2. 【請求項２】 前記固相をなす液体が氷であることを特
    徴とする請求項１に記載の方法。
  3. 【請求項３】 前記固相をなす気体がドライアイスであ
    ることを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
JP22754098A 1998-07-29 1998-07-29 マイクロデバイスの研磨方法 Expired - Fee Related JP3915261B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22754098A JP3915261B2 (ja) 1998-07-29 1998-07-29 マイクロデバイスの研磨方法
US09/361,615 US6168501B1 (en) 1998-07-29 1999-07-27 Grinding method of microelectronic device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22754098A JP3915261B2 (ja) 1998-07-29 1998-07-29 マイクロデバイスの研磨方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000042876A true JP2000042876A (ja) 2000-02-15
JP3915261B2 JP3915261B2 (ja) 2007-05-16

Family

ID=16862512

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP22754098A Expired - Fee Related JP3915261B2 (ja) 1998-07-29 1998-07-29 マイクロデバイスの研磨方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6168501B1 (ja)
JP (1) JP3915261B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006058777A (ja) * 2004-08-23 2006-03-02 Hoya Corp マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、及び露光用マスクの製造方法
JP2011171487A (ja) * 2010-02-18 2011-09-01 Tokyo Electron Ltd 基板裏面平坦化方法
CN110039409A (zh) * 2019-04-03 2019-07-23 莱芜职业技术学院 一种工件批量化机械加工设备

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3676963A (en) * 1971-03-08 1972-07-18 Chemotronics International Inc Method for the removal of unwanted portions of an article
US4256535A (en) * 1979-12-05 1981-03-17 Western Electric Company, Inc. Method of polishing a semiconductor wafer
US5149338A (en) * 1991-07-22 1992-09-22 Fulton Kenneth W Superpolishing agent, process for polishing hard ceramic materials, and polished hard ceramics
US5562529A (en) * 1992-10-08 1996-10-08 Fujitsu Limited Apparatus and method for uniformly polishing a wafer
US5435772A (en) * 1993-04-30 1995-07-25 Motorola, Inc. Method of polishing a semiconductor substrate
US5422316A (en) * 1994-03-18 1995-06-06 Memc Electronic Materials, Inc. Semiconductor wafer polisher and method
US5695384A (en) * 1994-12-07 1997-12-09 Texas Instruments Incorporated Chemical-mechanical polishing salt slurry
US5972124A (en) * 1998-08-31 1999-10-26 Advanced Micro Devices, Inc. Method for cleaning a surface of a dielectric material

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006058777A (ja) * 2004-08-23 2006-03-02 Hoya Corp マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、及び露光用マスクの製造方法
JP4508779B2 (ja) * 2004-08-23 2010-07-21 Ｈｏｙａ株式会社 マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、及び露光用マスクの製造方法
JP2011171487A (ja) * 2010-02-18 2011-09-01 Tokyo Electron Ltd 基板裏面平坦化方法
CN110039409A (zh) * 2019-04-03 2019-07-23 莱芜职业技术学院 一种工件批量化机械加工设备

Also Published As

Publication number Publication date
US6168501B1 (en) 2001-01-02
JP3915261B2 (ja) 2007-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR0154610B1 (ko) 반도체기판의 연마방법 및 연마장치
US7063599B2 (en) Apparatus, systems, and methods for conditioning chemical-mechanical polishing pads
US5128281A (en) Method for polishing semiconductor wafer edges
JP2981079B2 (ja) 平面状物品の研磨装置
US5895583A (en) Method of preparing silicon carbide wafers for epitaxial growth
JP2006261681A5 (ja)
JP2005277050A (ja) 基板処理方法
AU2003263399A1 (en) Rising after chemical-mechanical planarization process applied on a wafer
JP2000042876A (ja) マイクロデバイスの研磨方法
JPH09155732A (ja) ウェハー研磨方法
US6361402B1 (en) Method for planarizing photoresist
JP2001047360A5 (ja)
JP2001232558A (ja) 研磨方法
JP2835628B2 (ja) セラミックスの真球研磨法と、それに用いる真球研磨用案内具
JP2004074375A (ja) バレル研磨用研磨材
JPH11204467A (ja) 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JPH06320041A (ja) 自動擂潰機
TW531466B (en) Mechanical polishing apparatus and method of cleaning a lower electrode of a plasma etcher
TW426558B (en) Method of cleaning wafer after chemical mechanical polishing
JP4737689B2 (ja) 表面研磨方法と表面研磨装置と表面研磨板
JP3829321B2 (ja) ボス付きローターのダコン処理具及びダコン処理方法
JPS58137549A (ja) 電気かみそりの回転刃研磨方法
JPH06262529A (ja) 石材研磨用ダイヤモンド砥石
JP2001121417A (ja) コンディショニングディスク
KR100481553B1 (ko) 평탄화 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040727

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060615

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060627

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060725

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070116

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070129

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110216

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110216

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120216

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120216

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130216

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140216

Year of fee payment: 7

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees