JP2006261681A5 - - Google Patents

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JP2006261681A5
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Claims (10)

  1. ポリシリコン結晶粒が形成された基板をローディングする段階と、
    前記ポリシリコン結晶粒の間の結晶粒界から突出している結晶粒を化学的機械的研磨に
    よって除去して研磨された基板を形成する段階と、
    前記研磨された基板を洗浄して洗浄された基板を形成する段階と、
    前記洗浄された基板をアンローディングする段階とを有することを特徴とするポリシリ
    コン薄膜トランジスタ基板の製造方法。
  2. 前記ポリシリコン結晶粒を除去して研磨された基板を形成する段階は、前記基板を研磨
    パッドの表面に密着させた状態で前記研磨パッドを回転させる同時に前記基板と前記研磨
    パッドとの間にスラリーを供給する段階を含み、
    前記スラリーの研磨材は、アルミナ、シリカ、又はセリア（ＣｅＯ ２ ）である、
    ことを特徴とする請求項１に記載のポリシリコン薄膜トランジスタ基板の製造方法。
  3. 前記研磨材の粒度範囲は、５０ｎｍ〜２００ｎｍであることを特徴とする請求項２に記
    載のポリシリコン薄膜トランジスタ基板の製造方法。
  4. 前記洗浄された基板を形成する段階は、ブラシ洗浄、超音波洗浄、イソプロピルアルコ
    ール洗浄又は超純水洗浄の少なくともいずれか一つで実施されることを特徴とする請求項
    １に記載のポリシリコン薄膜トランジスタ基板の製造方法。
  5. 前記ポリシリコン結晶粒は、前記基板上にポリシリコン層で形成され、
    前記洗浄された基板をアンローディングする段階後に、前記ポリシリコン層をパターニ
    ングして前記ポリシリコン薄膜トランジスタ基板の半導体層を形成する段階をさらに有す
    ることを特徴とする請求項１に記載のポリシリコン薄膜トランジスタ基板の製造方法。
  6. ポリシリコン結晶粒が形成された基板をローディングする段階と、
    前記ポリシリコン結晶粒の間の結晶粒界から突出している結晶粒を化学的機械的研磨に
    よって除去して研磨された基板を形成する段階と、
    前記研磨された基板を洗浄して洗浄された基板を形成する段階と、
    前記洗浄された基板をアンローディングする段階とを有する方法によって製造されたポ
    リシリコン薄膜トランジスタ基板より成ることを特徴とする液晶表示装置。
  7. 前記ポリシリコン結晶粒を除去して研磨された基板を形成する段階は、前記基板を研磨
    パッドの表面に密着させた状態で前記研磨パッドを回転させる同時に前記基板と前記研磨
    パッドとの間にスラリーを供給する段階を含むことを特徴とする請求項６に記載の液晶
    表示装置。
  8. 前記ポリシリコン結晶粒は、前記基板上にポリシリコン層で形成され、
    前記洗浄された基板をアンローディングする段階後に、前記ポリシリコン層をパターニ
    ングして前記ポリシリコン薄膜トランジスタ基板の半導体層を形成する段階をさらに有す
    ることを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
  9. 前記ポリシリコン結晶粒は、前記基板上にポリシリコン層で形成され、前記ポリシリコ
    ン層は、前記突出している結晶粒を除去する間に実質的に平坦化されることを特徴とする
    請求項６に記載の液晶表示装置。
  10. 基板と、
    前記基板上に形成されるポリシリコン層よりパターニングされて前記基板上に形成され
    る半導体層とを有し、
    前記ポリシリコン層は、突出しているポリシリコン結晶粒が除去されるように化学的機
    械的研磨によって平坦化されることを特徴とする液晶表示装置。
JP2006075342A 2005-03-17 2006-03-17 ポリシリコン薄膜トランジスタ基板の製造方法及び液晶表示装置 Pending JP2006261681A (ja)

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