JP3915261B2 - マイクロデバイスの研磨方法 - Google Patents

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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、薄膜磁気ヘッド等のマイクロデバイスの研磨方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
薄膜磁気ヘッド等のマイクロデバイス作成時において、スパッタ等によって成膜した膜を例えばリフトオフ法若しくはミリング法等を用いて又はそれらを併用してパターニングした際に発生するバリ等の不要な突出物について、これを有効に除去する方法は、現在までほとんど存在しない。
【０００３】
砥粒を吹き付けて研磨を行うサンドブラスト法を用いることも考えられるが、吹き付けられた砥粒によって、パターニング面にキズが発生する恐れがあり、採用できない。
【０００４】
従って本発明の目的は、マイクロデバイス作成時に発生するバリ等の不要な突出物を効率よく除去可能なマイクロデバイスの研磨方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、氷を塊状に粉砕して空隙率が１〜５０％となるように押し固めた研磨体、ドライアイスを空隙率が１〜５０％となるように押し固めた研磨体、又は氷を塊状に粉砕したものとドライアイスとを混合して空隙率が１〜５０％となるように押し固めた研磨体にマイクロデバイスを押し当てて研磨するマイクロデバイスの研磨方法が提供される。
【０００６】
氷を塊状に粉砕して空隙率が１〜５０％となるように押し固めた研磨体、ドライアイスを空隙率が１〜５０％となるように押し固めた研磨体、又は氷を塊状に粉砕したものとドライアイスとを混合して空隙率が１〜５０％となるように押し固めた研磨体でマイクロデバイスを研磨すれば、その研磨面にキズを与えることなくバリ等の不要な突出物を効率よく除去できる。また、ドライアイスを用いて研磨することによって、研磨対象物の研磨面が無湿に維持できるので、製品管理上、非常に有利である。また、ドライアイスが気化したガスが薄い気相となって、研磨面を覆うため、研磨対象物にキズがよりつきにくくなるという利点もある。
【０００９】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の研磨方法の一実施形態を概略的に示す斜視図である。
【００１０】
同図において、１０は研磨装置、１１は研磨すべきマイクロデバイスであり、本実施形態の場合、このマイクロデバイスは多数の薄膜ヘッド素子をマトリクス状に形成するための薄膜磁気ヘッドウエハである。
【００１１】
研磨装置１０は、円筒状の筐体１２を備えており、この筐体１２は矢印１３の方向に回転駆動されるように構成されている。筐体１２の内部には、氷を例えば粒径が０．５μｍ〜１０ｍｍの小さな塊状に（例えばシャーベット状に）粉砕して押し固めて形成するか、ドライアイスを押し固めて形成するか、又はこれらを混合して押し固めて形成した研磨体１４が収容されている。研磨体１４は、その空隙率（全体の容積に対する内部空間の容積の体積比）が１〜５０％となるように押し固められている。
【００１２】
なお、同図において、１５は研磨体１４の回転防止用の突起であり、１６は気体又は液体の抜き穴をそれぞれ示している。
【００１３】
研磨すべき薄膜磁気ヘッドウエハ１１のパターニング面を、研磨体１４の表面に例えば１０〜５００ｇ／ｃｍ2 程度の圧力１７をかけながら押し当て、またこのウエハ１１自体も矢印１８に示すように回転させることにより、ウエハ１１の表面がこすれるように研磨される。これにより、ウエハ１１のパターニング面にキズを与えることなく、パターニング時に生じたバリ等の不要な突出物を効率よく除去できる。特に、研磨体１４としてドライアイスを用いることによって、ウエハ１１の研磨面が無湿に維持できるので、製品管理上、非常に有利である。また、ドライアイスが気化したガスが薄い気相となって、研磨面を覆うため、ウエハ１１にキズがつきにくい。その結果、ウエハ１１の歩留を高水準に維持することが可能となる。
【００１４】
以上述べた実施形態では、研磨対象物であるマイクロデバイスとして薄膜磁気ヘッドウエハを用いているが、薄膜磁気ヘッドウエハの他にいかなるマイクロデバイスについても本発明が適用できることは、いうまでもない。
【００１５】
以上述べた実施形態は全て本発明を例示的に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。
【００１６】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように本発明によれば、氷を塊状に粉砕して空隙率が１〜５０％となるように押し固めた研磨体、ドライアイスを空隙率が１〜５０％となるように押し固めた研磨体、又は氷を塊状に粉砕したものとドライアイスとを混合して空隙率が１〜５０％となるように押し固めた研磨体でマイクロデバイスを研磨すれば、その研磨面にキズを与えることなくバリ等の不要な突出物を効率よく除去できる。その結果、マイクロデバイスの歩留を高水準に維持することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の研磨方法の一実施形態を概略的に示す斜視図である。
【符号の説明】
１０ 研磨装置
１１ ウエハ
１２ 筐体
１４ 研磨体
１５ 回転防止用の突起
１６ 気体又は液体の抜き穴

Claims (1)

  1. 氷を塊状に粉砕して空隙率が１〜５０％となるように押し固めた研磨体、ドライアイスを空隙率が１〜５０％となるように押し固めた研磨体、又は氷を塊状に粉砕したものとドライアイスとを混合して空隙率が１〜５０％となるように押し固めた研磨体にマイクロデバイスを押し当てて研磨することを特徴とするマイクロデバイスの研磨方法。
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