JPS59134650A - 目詰除去装置 - Google Patents
目詰除去装置Info
- Publication number
- JPS59134650A JPS59134650A JP58007403A JP740383A JPS59134650A JP S59134650 A JPS59134650 A JP S59134650A JP 58007403 A JP58007403 A JP 58007403A JP 740383 A JP740383 A JP 740383A JP S59134650 A JPS59134650 A JP S59134650A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ultrasonic
- polishing pad
- clogging
- pad
- polishing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
- B24B53/017—Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、例えば半導体ウェハなどのポリシン、グ装置
の目詰まシを除去する目詰除去装置に関する。
の目詰まシを除去する目詰除去装置に関する。
半導体ウェハの仕上げ加工においては、ポリシング装置
が用いられている。このボリシング装置には、第１図及
び第２図に示すように、回転駆動される定盤（１）の一
方の端面にポリシングパソド（２）が貼着されている。
が用いられている。このボリシング装置には、第１図及
び第２図に示すように、回転駆動される定盤（１）の一
方の端面にポリシングパソド（２）が貼着されている。
このポリシングパッ）”（２）、！：しては、通常、ポ
リウレタン発泡体を裏打ちしたスウェードタイプの合成
皮革が用いられている。ところで、半導体ウェハのポリ
シング加工を長時間行うと、ポリシングパッド（２）の
繊毛間に砥粒、切屑、ごみ等が堆積し、いわゆる目詰ま
シ状態と々シ、高能率仕上げ加工の障害となる。そこで
、この目詰まり状態を打開するために、従来においては
、第１図に示すように、ナイフ状又はブラシ状の治具（
３）によシ、堆積物を除去している。あるいは、第２図
に示すように、治具（４）の端面に取着された砥石（５
）・・・を回転中の定盤（１）に描接させることによシ
、堆積物を除去している。しかるに、前者の治具（３）
による方法では、堆積物をむらなく均一に除去すること
が困難であるとともに、・ポリシングパッド（２）を損
傷する虞がお）、ポリシングバッド（２）の耐用寿命が
短くなる欠点を有している。−方、後者の治具（４）に
よる方法では、繊毛基部の深い部分に存在する堆積物の
除去をほとんど行う７ことができず、目詰まり除去が不
完全となる不具合があった。
リウレタン発泡体を裏打ちしたスウェードタイプの合成
皮革が用いられている。ところで、半導体ウェハのポリ
シング加工を長時間行うと、ポリシングパッド（２）の
繊毛間に砥粒、切屑、ごみ等が堆積し、いわゆる目詰ま
シ状態と々シ、高能率仕上げ加工の障害となる。そこで
、この目詰まり状態を打開するために、従来においては
、第１図に示すように、ナイフ状又はブラシ状の治具（
３）によシ、堆積物を除去している。あるいは、第２図
に示すように、治具（４）の端面に取着された砥石（５
）・・・を回転中の定盤（１）に描接させることによシ
、堆積物を除去している。しかるに、前者の治具（３）
による方法では、堆積物をむらなく均一に除去すること
が困難であるとともに、・ポリシングパッド（２）を損
傷する虞がお）、ポリシングバッド（２）の耐用寿命が
短くなる欠点を有している。−方、後者の治具（４）に
よる方法では、繊毛基部の深い部分に存在する堆積物の
除去をほとんど行う７ことができず、目詰まり除去が不
完全となる不具合があった。
本発明は、上記事情を参酌してなされたもので、ボリシ
ング装置のポリシングパッドに生じている堆積物を効果
的に除去することのできる目詰除去装置を提供すること
を目的とする。
ング装置のポリシングパッドに生じている堆積物を効果
的に除去することのできる目詰除去装置を提供すること
を目的とする。
目詰まシを生じたポリシング・パッドに超音波振動を印
加してポリシング・パッドの繊毛間に堆積した砥粒、ご
み等の堆積物を粉末状に破砕し、破砕した堆積物を真空
源によシ吸引して、目詰まシを除去するようにしたもの
である。
加してポリシング・パッドの繊毛間に堆積した砥粒、ご
み等の堆積物を粉末状に破砕し、破砕した堆積物を真空
源によシ吸引して、目詰まシを除去するようにしたもの
である。
〔発明の実施例〕
以下、本発明を図面を参照して、実施例に基づいて群述
する。
する。
第３図及び第４図は、それぞれ本実施例の目詰除去装置
の平面図及び正面図を示している。この目詰除去装置は
く周波数が２０〜９０ＫＨｚの交流電流を発生させる超
音波振動源（６）と、この振動源（６７とともに超音波
振動付加機構を構成する例えばフェライト、ニッケル等
の磁歪による投゛げ込み式の振動子（６りが内蔵されて
いるとともに、吸引孔（力が穿設された当接体（８）と
、４官（９）を介して吸引孔（力に接続され吸入された
例えば愼粒などの堆積物を貯蔵する容器状の分離器（１
０）と、この分離器００）に接続されこの分離器００）
、導管（９）及び吸引孔（力とともに堆積物、吸引機構
を構成する真空源である真空ポンプＵυとから構成され
ている。上記吸引孔（力は、同心円をなす２本の円環状
部分（７ａ）、 （７ａ）と、こ、れら円環状部分（７
ａ）、 （７ａ）を互に連通させる放射状部分（７ｂ）
・・・と、各円環状部分（７ａ）、 （７ａ）に沿って
等配して設けられこれら円環状部分（７ａ）、 （７ａ
）に連通ずるとともに当接体（８）の下端面に開口する
開口部分（７Ｃ）・・・とからなっている。そして、真
空ポンプＱυにより堆積物を開口部分（７Ｃ）・・・か
ら吸引゛して、吸気孔（力、導管（９）を介して分離器
（１０１まで案内するようになっている。また、上記撮
動子（６ａ）は、超音波振動源（６）に接続されたコイ
ルが巻回され、１０〜８０μｍの振幅で当接体（８）を
軸方向に振動させるように設定されている。
の平面図及び正面図を示している。この目詰除去装置は
く周波数が２０〜９０ＫＨｚの交流電流を発生させる超
音波振動源（６）と、この振動源（６７とともに超音波
振動付加機構を構成する例えばフェライト、ニッケル等
の磁歪による投゛げ込み式の振動子（６りが内蔵されて
いるとともに、吸引孔（力が穿設された当接体（８）と
、４官（９）を介して吸引孔（力に接続され吸入された
例えば愼粒などの堆積物を貯蔵する容器状の分離器（１
０）と、この分離器００）に接続されこの分離器００）
、導管（９）及び吸引孔（力とともに堆積物、吸引機構
を構成する真空源である真空ポンプＵυとから構成され
ている。上記吸引孔（力は、同心円をなす２本の円環状
部分（７ａ）、 （７ａ）と、こ、れら円環状部分（７
ａ）、 （７ａ）を互に連通させる放射状部分（７ｂ）
・・・と、各円環状部分（７ａ）、 （７ａ）に沿って
等配して設けられこれら円環状部分（７ａ）、 （７ａ
）に連通ずるとともに当接体（８）の下端面に開口する
開口部分（７Ｃ）・・・とからなっている。そして、真
空ポンプＱυにより堆積物を開口部分（７Ｃ）・・・か
ら吸引゛して、吸気孔（力、導管（９）を介して分離器
（１０１まで案内するようになっている。また、上記撮
動子（６ａ）は、超音波振動源（６）に接続されたコイ
ルが巻回され、１０〜８０μｍの振幅で当接体（８）を
軸方向に振動させるように設定されている。
つぎに、上記構成の目詰除去装置を用いての回転駆動さ
れる定盤０渇の上面に貼着されている半導（１エハノホ
リシング加工用のポリシング・パッドＵの繊毛間に堆積
した砥粒、切屑、ごみ等の除去について述べる。まず、
当接体（８）をポリシング・パッド（１３の上面に載置
する。しかして、超音波振動源体（８）は軸方向に１０
〜８０μｍ程度の振幅で振動し、ボリシング・パッド（
１３１を連打する。しかして、超音波振動源（６）とと
もに、真空ポンプＵυを作動させると、当接体（８）の
振動にょシボリジング・パッド（１３を構成する例えば
ポリウ、レタン発泡体などの合成皮革の繊毛間に堆積し
た堆積物が衝撃により破砕され、破砕された粉体状の堆
積物が、吸引孔（力の開口部分（７Ｃ）・・・から吸引
され、導管（９）を経由して分離器ＯＧに蓄積される。
れる定盤０渇の上面に貼着されている半導（１エハノホ
リシング加工用のポリシング・パッドＵの繊毛間に堆積
した砥粒、切屑、ごみ等の除去について述べる。まず、
当接体（８）をポリシング・パッド（１３の上面に載置
する。しかして、超音波振動源体（８）は軸方向に１０
〜８０μｍ程度の振幅で振動し、ボリシング・パッド（
１３１を連打する。しかして、超音波振動源（６）とと
もに、真空ポンプＵυを作動させると、当接体（８）の
振動にょシボリジング・パッド（１３を構成する例えば
ポリウ、レタン発泡体などの合成皮革の繊毛間に堆積し
た堆積物が衝撃により破砕され、破砕された粉体状の堆
積物が、吸引孔（力の開口部分（７Ｃ）・・・から吸引
され、導管（９）を経由して分離器ＯＧに蓄積される。
そうして、定盤（１りを手動によシ第３図矢印圓方向に
回転させるとともに、当接体（８）を定盤Ｑ２１の半径
方向（第３図矢印αω方向）に往復動させる。かくて、
ポリシング・バッド０３全面にわたって、繊毛間に堆積
した堆積物が吸引され、ボリシング・パッド０（８）の
目詰シが除去される。このように、本実施例の目詰除去
装置は、超音波振動を利用して、ポリシング・パッド０
３）の繊毛間に堆積した堆積物を粉体状に破砕し、破砕
された堆積物を真空源により吸引・除去するようにして
いるので、ポリシング・パッドα９の繊毛を損傷したり
することがない。したがって、ボリシング・パッド（３
）の寿命が大幅にのびる。しかも、超音波撮動は、ボリ
シング・パッドα９の細毛間深奥部に堆積している堆積
物をも余すことなく破砕するので、目詰ｔ、ｂ除去をむ
らなく完全に行うことができる。
回転させるとともに、当接体（８）を定盤Ｑ２１の半径
方向（第３図矢印αω方向）に往復動させる。かくて、
ポリシング・バッド０３全面にわたって、繊毛間に堆積
した堆積物が吸引され、ボリシング・パッド０（８）の
目詰シが除去される。このように、本実施例の目詰除去
装置は、超音波振動を利用して、ポリシング・パッド０
３）の繊毛間に堆積した堆積物を粉体状に破砕し、破砕
された堆積物を真空源により吸引・除去するようにして
いるので、ポリシング・パッドα９の繊毛を損傷したり
することがない。したがって、ボリシング・パッド（３
）の寿命が大幅にのびる。しかも、超音波撮動は、ボリ
シング・パッドα９の細毛間深奥部に堆積している堆積
物をも余すことなく破砕するので、目詰ｔ、ｂ除去をむ
らなく完全に行うことができる。
なお、上記実施例においては、投は込み式の超音波振動
子を用いているが、当接体（８）上端面にステップ形、
カテノイダル形、エクスポネンシャル形、コニカル形等
のホーンを連結し、このホーン上端部に超音波振動子を
取着してもよい。また、当接体（８）を矢印０つ方向に
自動的往復動させる駆動機構を付設してもよい。さらに
、本発明の目詰除去装置は、半導体ウェハのボリシング
加工用のボリシング・パッドの目詰まり除去に限ること
なく、金属のポリシング加工用の布製のポリシング・パ
ッドの目詰除去にも適用できる。
子を用いているが、当接体（８）上端面にステップ形、
カテノイダル形、エクスポネンシャル形、コニカル形等
のホーンを連結し、このホーン上端部に超音波振動子を
取着してもよい。また、当接体（８）を矢印０つ方向に
自動的往復動させる駆動機構を付設してもよい。さらに
、本発明の目詰除去装置は、半導体ウェハのボリシング
加工用のボリシング・パッドの目詰まり除去に限ること
なく、金属のポリシング加工用の布製のポリシング・パ
ッドの目詰除去にも適用できる。
本発明の目詰除去装置は、超音波振動を印加することに
より堆積物を粉体状に破砕し、破砕した堆積物を吸引・
除去するようにしているので、目詰除去を高能率で行う
ことができるとともに、ポリシングーパッド自体を損傷
することがなくボリシング・パッドの耐用寿命が長くな
る。しかも、超音波振動は、ボリシング・パッドの繊毛
間深奥部の堆積物も余すところなく粉砕することができ
るので、目詰まシ除去をむらなく完全に行うことができ
る。その結果、半導体ウェハのポリシング加工の信頼性
向上に寄与する。
より堆積物を粉体状に破砕し、破砕した堆積物を吸引・
除去するようにしているので、目詰除去を高能率で行う
ことができるとともに、ポリシングーパッド自体を損傷
することがなくボリシング・パッドの耐用寿命が長くな
る。しかも、超音波振動は、ボリシング・パッドの繊毛
間深奥部の堆積物も余すところなく粉砕することができ
るので、目詰まシ除去をむらなく完全に行うことができ
る。その結果、半導体ウェハのポリシング加工の信頼性
向上に寄与する。
第１図及び第２図は従来の目詰まり除去方法を示す説明
図、第３図及び第４図はそれぞれ本発明の目詰除去装置
の平面図及び正面図である。 （６）：超音波撮動源（超音波振動付加機構）。 （７）：吸 引 孔。 ０υ：真空ポンプ（真空源）。 （１邊：定 盤。 （ｌ■：ポリシングーパッド。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （１１か１名）
図、第３図及び第４図はそれぞれ本発明の目詰除去装置
の平面図及び正面図である。 （６）：超音波撮動源（超音波振動付加機構）。 （７）：吸 引 孔。 ０υ：真空ポンプ（真空源）。 （１邊：定 盤。 （ｌ■：ポリシングーパッド。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （１１か１名）
Claims (1)
- ボリシング加工用の定盤に取付けられたポリシング・パ
ッド上に載置される当接体と、との当接体に超音波振動
を付加し上記ポリシング・パッドに堆積している堆積物
を破砕する超音波付加機構と、上記当接体に穿設され一
端部が上記当接体の上記ボリシング・パッドへの接触面
側に開口する吸引孔及びこの吸引孔の他端部が接続され
た真空源を有し上記超音波振動付加機構にょシ破砕され
た堆積物を上記吸引孔から排出する堆積物吸引機構とを
具備することを特徴とする目詰除去装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58007403A JPS59134650A (ja) | 1983-01-21 | 1983-01-21 | 目詰除去装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58007403A JPS59134650A (ja) | 1983-01-21 | 1983-01-21 | 目詰除去装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59134650A true JPS59134650A (ja) | 1984-08-02 |
Family
ID=11664908
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58007403A Pending JPS59134650A (ja) | 1983-01-21 | 1983-01-21 | 目詰除去装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59134650A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0770454A1 (en) * | 1995-10-23 | 1997-05-02 | Texas Instruments Incorporated | Improvements in or relating to semiconductor wafer fabrication |
| EP0812656A2 (en) * | 1992-09-24 | 1997-12-17 | Ebara Corporation | Dressing device for dressing a polishing pad in a lapping machine |
| EP0887151A2 (en) * | 1997-06-27 | 1998-12-30 | Siemens Aktiengesellschaft | Improved chemical mechanical polishing pad conditioner |
| US7210988B2 (en) * | 2004-08-24 | 2007-05-01 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for reduced wear polishing pad conditioning |
-
1983
- 1983-01-21 JP JP58007403A patent/JPS59134650A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0812656A2 (en) * | 1992-09-24 | 1997-12-17 | Ebara Corporation | Dressing device for dressing a polishing pad in a lapping machine |
| EP0812656A3 (en) * | 1992-09-24 | 1998-07-15 | Ebara Corporation | Dressing device for dressing a polishing pad in a polishing machine |
| USRE38228E1 (en) | 1992-09-24 | 2003-08-19 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
| EP0770454A1 (en) * | 1995-10-23 | 1997-05-02 | Texas Instruments Incorporated | Improvements in or relating to semiconductor wafer fabrication |
| US5906754A (en) * | 1995-10-23 | 1999-05-25 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus integrating pad conditioner with a wafer carrier for chemical-mechanical polishing applications |
| EP0887151A2 (en) * | 1997-06-27 | 1998-12-30 | Siemens Aktiengesellschaft | Improved chemical mechanical polishing pad conditioner |
| EP0887151A3 (en) * | 1997-06-27 | 2002-02-13 | Siemens Aktiengesellschaft | Improved chemical mechanical polishing pad conditioner |
| US7210988B2 (en) * | 2004-08-24 | 2007-05-01 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for reduced wear polishing pad conditioning |
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