JPH068134A - 平面状物品の研磨装置 - Google Patents

平面状物品の研磨装置

Info

Publication number
JPH068134A
JPH068134A JP9844393A JP9844393A JPH068134A JP H068134 A JPH068134 A JP H068134A JP 9844393 A JP9844393 A JP 9844393A JP 9844393 A JP9844393 A JP 9844393A JP H068134 A JPH068134 A JP H068134A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing
wafer
slurry
pad
polished
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP9844393A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2981079B2 (ja
Inventor
Gabriel L Miller
エル ミラー ガブリエル
Eric R Wagner
リチャード ワグナー エリック
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AT&T Corp
Original Assignee
American Telephone and Telegraph Co Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by American Telephone and Telegraph Co Inc filed Critical American Telephone and Telegraph Co Inc
Publication of JPH068134A publication Critical patent/JPH068134A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2981079B2 publication Critical patent/JP2981079B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/07Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
    • B24B37/10Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping
    • B24B37/105Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping the workpieces or work carriers being actively moved by a drive, e.g. in a combined rotary and translatory movement
    • B24B37/107Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping the workpieces or work carriers being actively moved by a drive, e.g. in a combined rotary and translatory movement in a rotary movement only, about an axis being stationary during lapping
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B1/00Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes
    • B24B1/04Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes subjecting the grinding or polishing tools, the abrading or polishing medium or work to vibration, e.g. grinding with ultrasonic frequency

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
  • Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 研磨用スラリを寿命を伸ばして、できるだけ
その交換回数を少なくすることの出来る研磨機を提供す
ること。 【構成】 本発明の平面状物品の研磨装置は、研磨用ス
ラリ15に覆われている回転可能な研磨パッド11の第
1位置に被研磨平面状物品(ウェーハ)12を搭載し、
ウェーハ12を回転させて、ウェーハ12を研磨する
際、研磨用スラリ15を超音波でもって前記ウェーハ1
2に隣接した第2位置で攪拌する攪拌器20を有し、研
磨パッド11面からグリット(廃棄されるべき使用済み
研磨剤)を取り除くことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は平面状物品をスラリによ
って研磨する装置に関し、特に半導体ウェーハの上の堆
積層をスラリによって研磨して平面化する装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】スラリを用いた研磨機は公知で、その一
例が米国特許第5055158号に開示されている。こ
の種の研磨機は、研磨用スラリの層によりカバーされた
水平なパッドを有する。ワークピース(一般的には半導
体ウェーハ)がこの回転中のパッドの上に搭載され研磨
される。このウェーハそのものも、通常パッドの回転速
度よりも遅い回転速度で回転している。こうすることに
より、ウェーハの表面を研磨して、均一平面を形成して
いる。この研磨用パッドの素材は、スラリを搭載でき、
研磨作業により生じたグリット(研磨済みで廃棄される
べき粒子等)を除去できる。このような材料は米国特許
第4927432号に開示されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】半導体ウェーハは、様
々な処理を、例えば、マスキング、ドーピング、エッチ
ング等が行われるが、それらの処理の後のウェーハの表
面は平坦ではない。このような研磨作業においては、半
導体等の被研磨物質の表面に傷や他の欠陥が存在しない
ようにする必要がある。ところが長い使用期間の間、研
磨機の研磨用スラリは品質が劣化し、取り替える必要が
ある。品質の劣化したスラリでもって研磨すると、より
一層半導体の表面に傷がつき、不均一となる。従って、
本発明の目的は、研磨用スラリを寿命を伸ばして、でき
るだけその交換回数を少なくすることの出来る研磨機を
提供することである。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明の平面状物品の研
磨装置は、研磨用スラリ15に覆われている回転可能な
研磨パッド11の第1位置に被研磨平面状物品(ウェー
ハ)12を搭載し、ウェーハ12を回転させて、ウェー
ハ12を研磨する際、研磨用スラリ15を超音波でもっ
て前記ウェーハ12に隣接した第2位置で攪拌する攪拌
器20を有し、研磨パッド11面からグリット(廃棄さ
れるべき使用済み研磨剤)を取り除くことを特徴とす
る。
【0005】
【実施例】図1において、市販のスラリ研磨機の研磨装
置板10の上に被研磨材であるウェーハ12と攪拌器2
0が搭載されている。攪拌器20が、付属していない一
般的なスラリ研磨機としては、米国アリゾーナ州フェニ
ックス、アトランタアベニュE3502にあるウェステ
ックシステムス社(Westech Systems Inc.)により製
造、販売されているモデル372号がある。
【0006】図1と2において、研磨装置板10は、駆
動モータ(図示せず)により回転されるよう搭載され
る。研磨パッド11は、研磨装置板10の上面に搭載さ
れて、研磨装置板10により回転している。これらの研
磨パッド11は、一般的に50から100ミルの厚さ
で、弾力性があり、自己接着能力を有する。このような
パッドは、米国デラウア州ニューアーク、ダイヤモンド
ステート工業団地、ベレビューロード451にあるロー
デル社(Rodel Inc.)から市販されている。ウェーハ1
2は、ホルダ13により保持され、このホルダ13は、
ウェーハ12を研磨パッド11に3〜10ポンド/イン
2の圧力でもって押し付けている。モータ14が、ホ
ルダ13とウェーハ12とを回転させている。実際はモ
ータ14は、ホルダ13を様々な位置に動かすのが可能
な装置に搭載され、ウェーハをピックアップし、洗浄
し、研磨したウェーハを次の作業地点に持ち出すことが
できるようにしている。
【0007】研磨用スラリ15の層、またはその一部が
研磨パッド11を覆い、その厚さは1/2〜1インチの
範囲である。半導体ウェーハ上の堆積層を研磨するのに
使用される一般的な研磨用スラリ15は、水とKOHの
pH8.3〜8.7の溶液でもってシリカ粒子をコロイ
ダル状に懸濁したものである。このような研磨用スラリ
は米国イリノイ州シカゴのナルコケミカルカンパニ(Na
lco Chemical Company)から市販されている。研磨用ス
ラリ15は、研磨装置板10の上の周囲壁16内に配置
されている。必要ならば、研磨用スラリ15は、別個の
貯蔵器(図示せず)から連続的に最循環されてもよい。
【0008】攪拌器20の動作表面は、研磨用スラリ1
5の中に埋没している。攪拌器20は、一般的にトラン
ジューサ21に接続され、このトランジューサ21は、
研磨機のフレームに固定されている。このトランジュー
サ21は、鉛ジルコネートチタネート(PZT)のよう
なピエゾ電子材料で、40KHzの超音波生成機22に
より駆動されている。超音波エネルギーがトランジュー
サ21に加えられると、音響パワーが攪拌器20の近傍
のスラリを介して、液体スラリ溶液に加えられている。
このエネルギーは、トランジューサ21の下の流体層を
介して、研磨パッド11に伝わり、この研磨パッド11
の上に堆積したグリット(廃棄されるべき使用済み研磨
剤)を放出し、研磨パッド11の界面をより均一にす
る。さらに液体層(攪拌器20と研磨パッド11の表面
との間)の厚さが、1/4の波長の整数倍の厚さに設定
されると、パッド表面の作業動作は最大に改良される。
40KHzの音響攪拌器では、これは約1/2インチの
厚さとなる。
【0009】半導体ウェーハの上に堆積された二酸化シ
リコンの層を平面化する場合には、研磨装置板10と研
磨パッド11は、約15rpmで回転し、ウェーハ12
は、約40rpmで回転している。この研磨用スラリ1
5は、約60℃に加熱される。このような平面化作業は
約5〜8分行われ、ウェーハ12の表面から1μmの層
が除去される。
【0010】
【発明の効果】研磨用スラリ15を超音波で攪拌するこ
との利点は、研磨パッド11に埋設されてしまうグリッ
ト、または使用済みスラリを除去し、長期間研磨作業を
均一に行うことができる点にある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一部を表した斜視図である
【図2】スラリを攪拌するのに使用される超音波装置の
場所を示したスラリ研磨機の部分断面側面図である。
【符号の説明】
10 研磨装置板 11 研磨パッド 12 ウェーハ 13 ホルダ 14 モータ 15 研磨用スラリ 16 周囲壁 20 攪拌器 21 トランジューサ 22 超音波生成機
フロントページの続き (72)発明者 ガブリエル エル ミラー アメリカ合衆国 07090 ニュージャージ ー ウエストフィールド、ブルヴァード 614 (72)発明者 エリック リチャード ワグナー アメリカ合衆国 07080 ニュージャージ ー サウスプレーンフィールド、ラーウェ イ アヴェニュー 400

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 研磨用スラリ(15)に覆われている回
    転可能な研磨パッド(11)の第1位置に被研磨平面状
    物品(12 以下、ウェーハと称する)を搭載し、ウェ
    ーハ(12)を回転させて、ウェーハ(12)を研磨す
    る装置において、 研磨用スラリ(15)を超音波でもって前記ウェーハ
    (12)に隣接した第2位置で攪拌する攪拌器(20)
    を有し、 研磨パッド(11)面からグリット(廃棄されるべき使
    用済み研磨剤)を取り除くことを特徴とする平面状物品
    の研磨装置。
  2. 【請求項2】 前記攪拌器(20)は、超音波エネルギ
    ーを前記トランジューサ(21)を介して、超音波生成
    機(22)により供給されることを特徴とする請求項1
    の装置。
JP9844393A 1992-04-02 1993-04-02 平面状物品の研磨装置 Expired - Lifetime JP2981079B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US862044 1992-04-02
US07/862,044 US5245796A (en) 1992-04-02 1992-04-02 Slurry polisher using ultrasonic agitation

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH068134A true JPH068134A (ja) 1994-01-18
JP2981079B2 JP2981079B2 (ja) 1999-11-22

Family

ID=25337489

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9844393A Expired - Lifetime JP2981079B2 (ja) 1992-04-02 1993-04-02 平面状物品の研磨装置

Country Status (8)

Country Link
US (1) US5245796A (ja)
EP (1) EP0566258B1 (ja)
JP (1) JP2981079B2 (ja)
KR (1) KR930022483A (ja)
DE (1) DE69303109T2 (ja)
ES (1) ES2088228T3 (ja)
HK (1) HK180296A (ja)
TW (1) TW197531B (ja)

Families Citing this family (97)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5384986A (en) * 1992-09-24 1995-01-31 Ebara Corporation Polishing apparatus
US5340036A (en) * 1993-05-19 1994-08-23 Emerson Electric Co. Dry waste grinder
US5531861A (en) * 1993-09-29 1996-07-02 Motorola, Inc. Chemical-mechanical-polishing pad cleaning process for use during the fabrication of semiconductor devices
US5456627A (en) * 1993-12-20 1995-10-10 Westech Systems, Inc. Conditioner for a polishing pad and method therefor
US5551907A (en) * 1994-03-14 1996-09-03 Hughes Aircraft Company System for ultrasonic lap grinding and polishing
US5783497A (en) * 1994-08-02 1998-07-21 Sematech, Inc. Forced-flow wafer polisher
US5562530A (en) * 1994-08-02 1996-10-08 Sematech, Inc. Pulsed-force chemical mechanical polishing
US5607341A (en) 1994-08-08 1997-03-04 Leach; Michael A. Method and structure for polishing a wafer during manufacture of integrated circuits
US5522965A (en) * 1994-12-12 1996-06-04 Texas Instruments Incorporated Compact system and method for chemical-mechanical polishing utilizing energy coupled to the polishing pad/water interface
US5688364A (en) * 1994-12-22 1997-11-18 Sony Corporation Chemical-mechanical polishing method and apparatus using ultrasound applied to the carrier and platen
US5591068A (en) * 1995-03-13 1997-01-07 Regents Of The University Of California Precision non-contact polishing tool
JP2647050B2 (ja) * 1995-03-31 1997-08-27 日本電気株式会社 ウェハ研磨装置
US5672095A (en) * 1995-09-29 1997-09-30 Intel Corporation Elimination of pad conditioning in a chemical mechanical polishing process
US5709593A (en) 1995-10-27 1998-01-20 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for distribution of slurry in a chemical mechanical polishing system
KR100445139B1 (ko) * 1996-01-23 2004-11-17 가부시키 가이샤 에바라 세이사꾸쇼 폴리싱장치
US5915915A (en) * 1996-03-07 1999-06-29 Komag, Incorporated End effector and method for loading and unloading disks at a processing station
US5954570A (en) * 1996-05-31 1999-09-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Conditioner for a polishing tool
US5868608A (en) * 1996-08-13 1999-02-09 Lsi Logic Corporation Subsonic to supersonic and ultrasonic conditioning of a polishing pad in a chemical mechanical polishing apparatus
US6210525B1 (en) 1996-08-16 2001-04-03 Rodel Holdings, Inc. Apparatus and methods for chemical-mechanical polishing of semiconductor wafers
US6537137B2 (en) 1996-08-16 2003-03-25 Rodel Holdings, Inc Methods for chemical-mechanical polishing of semiconductor wafers
US5932486A (en) * 1996-08-16 1999-08-03 Rodel, Inc. Apparatus and methods for recirculating chemical-mechanical polishing of semiconductor wafers
US6245679B1 (en) 1996-08-16 2001-06-12 Rodel Holdings, Inc Apparatus and methods for chemical-mechanical polishing of semiconductor wafers
US5782675A (en) * 1996-10-21 1998-07-21 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for refurbishing fixed-abrasive polishing pads used in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers
US6769967B1 (en) 1996-10-21 2004-08-03 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for refurbishing polishing pads used in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers
KR19980064179A (ko) * 1996-12-19 1998-10-07 윌리엄비.켐플러 웨이퍼 연마 공정시 실리콘 제거율을 안정화하는 방법
JPH10217149A (ja) * 1997-02-05 1998-08-18 Ebara Corp ターンテーブル用クロスの剥離治具
JP3130000B2 (ja) 1997-09-04 2001-01-31 松下電子工業株式会社 半導体ウェハ研磨装置及び研磨方法
US5968841A (en) * 1997-05-06 1999-10-19 International Business Machines Corporation Device and method for preventing settlement of particles on a chemical-mechanical polishing pad
US5967881A (en) * 1997-05-29 1999-10-19 Tucker; Thomas N. Chemical mechanical planarization tool having a linear polishing roller
US6036583A (en) * 1997-07-11 2000-03-14 Applied Materials, Inc. Conditioner head in a substrate polisher and method
US5904615A (en) * 1997-07-18 1999-05-18 Hankook Machine Tools Co., Ltd. Pad conditioner for chemical mechanical polishing apparatus
US5957754A (en) * 1997-08-29 1999-09-28 Applied Materials, Inc. Cavitational polishing pad conditioner
DE19737849A1 (de) * 1997-08-29 1999-03-11 Siemens Ag Vorrichtung und Verfahren zum Beheizen eines flüssigen oder zähflüssigen Poliermittels sowie Vorrichtung zum Polieren von Wafern
TW404876B (en) * 1997-09-26 2000-09-11 Siemens Ag Process for chemical-mechanical planarization and equipment for performing said process
US5916010A (en) * 1997-10-30 1999-06-29 International Business Machines Corporation CMP pad maintenance apparatus and method
KR100567982B1 (ko) * 1997-12-08 2006-04-05 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 연마액 공급장치
US6083085A (en) * 1997-12-22 2000-07-04 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for planarizing microelectronic substrates and conditioning planarizing media
JPH11277434A (ja) * 1998-03-30 1999-10-12 Speedfam Co Ltd Cmp装置のスラリリサイクルシステム及びその方法
US6200199B1 (en) 1998-03-31 2001-03-13 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing conditioner
US6024829A (en) * 1998-05-21 2000-02-15 Lucent Technologies Inc. Method of reducing agglomerate particles in a polishing slurry
KR100302482B1 (ko) * 1998-06-23 2001-11-30 윤종용 반도체씨엠피공정의슬러리공급시스템
US6106374A (en) * 1998-07-16 2000-08-22 International Business Machines Corporation Acoustically agitated delivery
US6179693B1 (en) * 1998-10-06 2001-01-30 International Business Machines Corporation In-situ/self-propelled polishing pad conditioner and cleaner
US6468139B1 (en) 1998-12-01 2002-10-22 Nutool, Inc. Polishing apparatus and method with a refreshing polishing belt and loadable housing
US7425250B2 (en) * 1998-12-01 2008-09-16 Novellus Systems, Inc. Electrochemical mechanical processing apparatus
US6103628A (en) 1998-12-01 2000-08-15 Nutool, Inc. Reverse linear polisher with loadable housing
US6464571B2 (en) * 1998-12-01 2002-10-15 Nutool, Inc. Polishing apparatus and method with belt drive system adapted to extend the lifetime of a refreshing polishing belt provided therein
US6589105B2 (en) 1998-12-01 2003-07-08 Nutool, Inc. Pad tensioning method and system in a bi-directional linear polisher
JP4030247B2 (ja) 1999-05-17 2008-01-09 株式会社荏原製作所 ドレッシング装置及びポリッシング装置
US6488569B1 (en) 1999-07-23 2002-12-03 Florida State University Method and apparatus for detecting micro-scratches in semiconductor wafers during polishing process
US6306008B1 (en) 1999-08-31 2001-10-23 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for conditioning and monitoring media used for chemical-mechanical planarization
US6383934B1 (en) 1999-09-02 2002-05-07 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates with selected planarizing liquids
US6306768B1 (en) 1999-11-17 2001-10-23 Micron Technology, Inc. Method for planarizing microelectronic substrates having apertures
US6313038B1 (en) 2000-04-26 2001-11-06 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for controlling chemical interactions during planarization of microelectronic substrates
US6387289B1 (en) 2000-05-04 2002-05-14 Micron Technology, Inc. Planarizing machines and methods for mechanical and/or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies
US6612901B1 (en) 2000-06-07 2003-09-02 Micron Technology, Inc. Apparatus for in-situ optical endpointing of web-format planarizing machines in mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies
US6554688B2 (en) * 2001-01-04 2003-04-29 Lam Research Corporation Method and apparatus for conditioning a polishing pad with sonic energy
US6875091B2 (en) * 2001-01-04 2005-04-05 Lam Research Corporation Method and apparatus for conditioning a polishing pad with sonic energy
US6722943B2 (en) 2001-08-24 2004-04-20 Micron Technology, Inc. Planarizing machines and methods for dispensing planarizing solutions in the processing of microelectronic workpieces
US6666749B2 (en) * 2001-08-30 2003-12-23 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for enhanced processing of microelectronic workpieces
KR20030053375A (ko) * 2001-12-22 2003-06-28 동부전자 주식회사 초음파 발생장치를 구비한 패드 컨디셔닝 장치
US7131889B1 (en) 2002-03-04 2006-11-07 Micron Technology, Inc. Method for planarizing microelectronic workpieces
US6939203B2 (en) * 2002-04-18 2005-09-06 Asm Nutool, Inc. Fluid bearing slide assembly for workpiece polishing
KR20030096766A (ko) * 2002-06-17 2003-12-31 동부전자 주식회사 메가소닉 트랜스듀서를 이용한 슬러리 안정화 방법
US6869335B2 (en) * 2002-07-08 2005-03-22 Micron Technology, Inc. Retaining rings, planarizing apparatuses including retaining rings, and methods for planarizing micro-device workpieces
US7341502B2 (en) 2002-07-18 2008-03-11 Micron Technology, Inc. Methods and systems for planarizing workpieces, e.g., microelectronic workpieces
US6860798B2 (en) 2002-08-08 2005-03-01 Micron Technology, Inc. Carrier assemblies, planarizing apparatuses including carrier assemblies, and methods for planarizing micro-device workpieces
US7094695B2 (en) 2002-08-21 2006-08-22 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for conditioning a polishing pad used for mechanical and/or chemical-mechanical planarization
US7004817B2 (en) 2002-08-23 2006-02-28 Micron Technology, Inc. Carrier assemblies, planarizing apparatuses including carrier assemblies, and methods for planarizing micro-device workpieces
US7011566B2 (en) 2002-08-26 2006-03-14 Micron Technology, Inc. Methods and systems for conditioning planarizing pads used in planarizing substrates
US7008299B2 (en) 2002-08-29 2006-03-07 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for mechanical and/or chemical-mechanical planarization of micro-device workpieces
US6841991B2 (en) * 2002-08-29 2005-01-11 Micron Technology, Inc. Planarity diagnostic system, E.G., for microelectronic component test systems
US7074114B2 (en) 2003-01-16 2006-07-11 Micron Technology, Inc. Carrier assemblies, polishing machines including carrier assemblies, and methods for polishing micro-device workpieces
US6884152B2 (en) 2003-02-11 2005-04-26 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for conditioning polishing pads used in polishing micro-device workpieces
US6872132B2 (en) 2003-03-03 2005-03-29 Micron Technology, Inc. Systems and methods for monitoring characteristics of a polishing pad used in polishing micro-device workpieces
US6864181B2 (en) * 2003-03-27 2005-03-08 Lam Research Corporation Method and apparatus to form a planarized Cu interconnect layer using electroless membrane deposition
US7367872B2 (en) * 2003-04-08 2008-05-06 Applied Materials, Inc. Conditioner disk for use in chemical mechanical polishing
US6935929B2 (en) 2003-04-28 2005-08-30 Micron Technology, Inc. Polishing machines including under-pads and methods for mechanical and/or chemical-mechanical polishing of microfeature workpieces
US7131891B2 (en) 2003-04-28 2006-11-07 Micron Technology, Inc. Systems and methods for mechanical and/or chemical-mechanical polishing of microfeature workpieces
US7030603B2 (en) 2003-08-21 2006-04-18 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for monitoring rotation of a conductive microfeature workpiece
US7648622B2 (en) 2004-02-27 2010-01-19 Novellus Systems, Inc. System and method for electrochemical mechanical polishing
US7086927B2 (en) 2004-03-09 2006-08-08 Micron Technology, Inc. Methods and systems for planarizing workpieces, e.g., microelectronic workpieces
US7066792B2 (en) 2004-08-06 2006-06-27 Micron Technology, Inc. Shaped polishing pads for beveling microfeature workpiece edges, and associate system and methods
US7033253B2 (en) 2004-08-12 2006-04-25 Micron Technology, Inc. Polishing pad conditioners having abrasives and brush elements, and associated systems and methods
DE102004061193B3 (de) * 2004-12-20 2006-07-20 Kastriot Merlaku Elektrische Handpoliermaschine für das Polieren von Fahrzeugen
US7264539B2 (en) 2005-07-13 2007-09-04 Micron Technology, Inc. Systems and methods for removing microfeature workpiece surface defects
KR100727484B1 (ko) * 2005-07-28 2007-06-13 삼성전자주식회사 화학기계적 연마 장치 및 패드 컨디셔닝 방법
US7438626B2 (en) * 2005-08-31 2008-10-21 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for removing material from microfeature workpieces
US7326105B2 (en) 2005-08-31 2008-02-05 Micron Technology, Inc. Retaining rings, and associated planarizing apparatuses, and related methods for planarizing micro-device workpieces
US7294049B2 (en) 2005-09-01 2007-11-13 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for removing material from microfeature workpieces
US8545634B2 (en) 2005-10-19 2013-10-01 Freescale Semiconductor, Inc. System and method for cleaning a conditioning device
WO2007054125A1 (en) * 2005-11-08 2007-05-18 Freescale Semiconductor, Inc. A system and method for removing particles from a polishing pad
US7754612B2 (en) 2007-03-14 2010-07-13 Micron Technology, Inc. Methods and apparatuses for removing polysilicon from semiconductor workpieces
JP2010179407A (ja) * 2009-02-05 2010-08-19 Elpida Memory Inc Cmp装置
US20110169520A1 (en) * 2010-01-14 2011-07-14 Mks Instruments, Inc. Apparatus for measuring minority carrier lifetime and method for using the same
CN113649944B (zh) 2016-06-24 2024-09-03 应用材料公司 用于化学机械抛光的浆料分布设备
US10391609B1 (en) * 2017-09-05 2019-08-27 Optipro Systems, LLC Modular contact assembly for rotating machine tool

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0621029A (ja) * 1992-02-14 1994-01-28 Lsi Logic Corp 半導体ウェハの化学的−機械的研磨装置およびそれを用いた方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3123951A (en) * 1964-03-10 Ultrasonic cleaning of grinding wheels
US3093937A (en) * 1962-11-30 1963-06-18 Cavitron Ultrasonics Inc Ultrasonic lapping machines
US3855441A (en) * 1974-04-08 1974-12-17 Braelow D Method and apparatus for activation of an abrasive slurry by an electric arc
DE2435848C3 (de) * 1974-07-25 1979-07-26 Supfina Maschinenfabrik Hentzen Kg, 5630 Remscheid Vorrichtung zur Sauberhaltung der Kontaktfläche eines Honsteins
US4069805A (en) * 1977-01-25 1978-01-24 Philip Sherman Wire apparatus for abrasive powder machining
US4927432A (en) * 1986-03-25 1990-05-22 Rodel, Inc. Pad material for grinding, lapping and polishing
DE3625286A1 (de) * 1986-07-25 1988-02-04 Flier Gustav Schleifscheibenreinigung durch beaufschlagung des kuehlwassers mit ultraschall, insbesondere in anwendung fuer schleifmaschinen
JPS6362673A (ja) * 1986-09-01 1988-03-18 Speedfam Co Ltd 定寸機構付き平面研磨装置
JPS63185556A (ja) * 1987-01-28 1988-08-01 Toshiba Corp 研磨装置
WO1989008535A1 (en) * 1988-03-10 1989-09-21 Extrude Hone Corporation Ultrasonic polishing
US5104828A (en) * 1990-03-01 1992-04-14 Intel Corporation Method of planarizing a dielectric formed over a semiconductor substrate
US5055158A (en) * 1990-09-25 1991-10-08 International Business Machines Corporation Planarization of Josephson integrated circuit
US5154021A (en) * 1991-06-26 1992-10-13 International Business Machines Corporation Pneumatic pad conditioner

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0621029A (ja) * 1992-02-14 1994-01-28 Lsi Logic Corp 半導体ウェハの化学的−機械的研磨装置およびそれを用いた方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE69303109T2 (de) 1996-10-10
DE69303109D1 (de) 1996-07-18
ES2088228T3 (es) 1996-08-01
KR930022483A (ko) 1993-11-24
TW197531B (ja) 1993-01-01
US5245796A (en) 1993-09-21
HK180296A (en) 1996-10-04
EP0566258B1 (en) 1996-06-12
JP2981079B2 (ja) 1999-11-22
EP0566258A1 (en) 1993-10-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2981079B2 (ja) 平面状物品の研磨装置
US7951718B2 (en) Edge removal of silicon-on-insulator transfer wafer
KR100574323B1 (ko) 반도체장치의 제조방법 및 가공장치
JPH0621029A (ja) 半導体ウェハの化学的−機械的研磨装置およびそれを用いた方法
TW466554B (en) Apparatus and method for cleaning semiconductor substrate
KR19980087365A (ko) 반도체의 연마방법 및 장치
WO1997010613A1 (fr) Procede et dispositif de meulage
TWI847229B (zh) 拋光設備和拋光方法
US6489243B2 (en) Method for polishing semiconductor device
JP2001138233A (ja) 研磨装置、研磨方法および研磨工具の洗浄方法
JPS63185556A (ja) 研磨装置
JPH09254020A (ja) 研磨装置
WO2000024548A1 (fr) Dispositif de polissage et procede de fabrication de semi-conducteurs au moyen dudit dispositif
JPH09285957A (ja) 研磨材、それを用いた研磨方法および装置
JPH10315121A (ja) 平面研磨装置
JP3317910B2 (ja) 研削盤における研削装置
JP2001088009A (ja) ポリッシングパッドのドレッシング装置
JPH09326379A (ja) 半導体基板の研磨方法および装置
CN115972081A (zh) 兆声辅助的研磨盘及研磨总成
JP2002178245A (ja) 両頭平面研削装置および板状ワークの平面研削方法
JP2002134450A (ja) ウエハの薄厚加工方法及び装置
JP4580118B2 (ja) 研磨方法及び研削・研磨方法
JPH0557610A (ja) 研削加工方法
JPH11138394A (ja) ウェーハの加工方法及びその装置
JPH02232164A (ja) 研削装置

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080917

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090917

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090917

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100917

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110917

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110917

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120917

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130917

Year of fee payment: 14