JP2981079B2 - 平面状物品の研磨装置 - Google Patents

平面状物品の研磨装置

Info

Publication number
JP2981079B2
JP2981079B2 JP9844393A JP9844393A JP2981079B2 JP 2981079 B2 JP2981079 B2 JP 2981079B2 JP 9844393 A JP9844393 A JP 9844393A JP 9844393 A JP9844393 A JP 9844393A JP 2981079 B2 JP2981079 B2 JP 2981079B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing
slurry
wafer
polishing pad
pad
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP9844393A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH068134A (ja
Inventor
エル ミラー ガブリエル
リチャード ワグナー エリック
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AT&T Corp
Original Assignee
AT&T Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by AT&T Corp filed Critical AT&T Corp
Publication of JPH068134A publication Critical patent/JPH068134A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2981079B2 publication Critical patent/JP2981079B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
    • B24B37/10—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping
    • B24B37/105—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping the workpieces or work carriers being actively moved by a drive, e.g. in a combined rotary and translatory movement
    • B24B37/107—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping the workpieces or work carriers being actively moved by a drive, e.g. in a combined rotary and translatory movement in a rotary movement only, about an axis being stationary during lapping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B1/00—Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes
    • B24B1/04—Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes subjecting the grinding or polishing tools, the abrading or polishing medium or work to vibration, e.g. grinding with ultrasonic frequency

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
  • Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は平面状物品をスラリによ
って研磨する装置に関し、特に半導体ウェーハの上の堆
積層をスラリによって研磨して平面化する装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】スラリを用いた研磨機は公知で、その一
例が米国特許第５０５５１５８号に開示されている。こ
の種の研磨機は、研磨用スラリの層によりカバーされた
水平なパッドを有する。ワークピース（一般的には半導
体ウェーハ）がこの回転中のパッドの上に搭載され研磨
される。このウェーハそのものも、通常パッドの回転速
度よりも遅い回転速度で回転している。こうすることに
より、ウェーハの表面を研磨して、均一平面を形成して
いる。この研磨用パッドの素材は、スラリを搭載でき、
研磨作業により生じたグリット（研磨済みで廃棄される
べき粒子等）を除去できる。このような材料は米国特許
第４９２７４３２号に開示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】半導体ウェーハは、様
々な処理を、例えば、マスキング、ドーピング、エッチ
ング等が行われるが、それらの処理の後のウェーハの表
面は平坦ではない。このような研磨作業においては、半
導体等の被研磨物質の表面に傷や他の欠陥が存在しない
ようにする必要がある。ところが長い使用期間の間、研
磨機の研磨用スラリは品質が劣化し、取り替える必要が
ある。品質の劣化したスラリでもって研磨すると、より
一層半導体の表面に傷がつき、不均一となる。従って、
本発明の目的は、研磨用スラリを寿命を伸ばして、でき
るだけその交換回数を少なくすることの出来る研磨機を
提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の平面状物品の研
磨装置は、研磨用スラリ１５に覆われている回転可能な
研磨パッド１１の第１位置に被研磨平面状物品（ウェー
ハ）１２を搭載し、ウェーハ１２を回転させて、ウェー
ハ１２を研磨する際、研磨用スラリ１５を超音波でもっ
て前記ウェーハ１２に隣接した第２位置で攪拌する攪拌
器２０を有し、研磨パッド１１面からグリット（廃棄さ
れるべき使用済み研磨剤）を取り除くことを特徴とす
る。
【０００５】
【実施例】図１において、市販のスラリ研磨機の研磨装
置板１０の上に被研磨材であるウェーハ１２と攪拌器２
０が搭載されている。攪拌器２０が、付属していない一
般的なスラリ研磨機としては、米国アリゾーナ州フェニ
ックス、アトランタアベニュＥ３５０２にあるウェステ
ックシステムス社（Westech Systems Inc.）により製
造、販売されているモデル３７２号がある。
【０００６】図１と２において、研磨装置板１０は、駆
動モータ（図示せず）により回転されるよう搭載され
る。研磨パッド１１は、研磨装置板１０の上面に搭載さ
れて、研磨装置板１０により回転している。これらの研
磨パッド１１は、一般的に５０から１００ミルの厚さ
で、弾力性があり、自己接着能力を有する。このような
パッドは、米国デラウア州ニューアーク、ダイヤモンド
ステート工業団地、ベレビューロード４５１にあるロー
デル社（Rodel Inc.）から市販されている。ウェーハ１
２は、ホルダ１３により保持され、このホルダ１３は、
ウェーハ１２を研磨パッド１１に３〜１０ポンド／イン
チ2の圧力でもって押し付けている。モータ１４が、ホ
ルダ１３とウェーハ１２とを回転させている。実際はモ
ータ１４は、ホルダ１３を様々な位置に動かすのが可能
な装置に搭載され、ウェーハをピックアップし、洗浄
し、研磨したウェーハを次の作業地点に持ち出すことが
できるようにしている。
【０００７】研磨用スラリ１５の層、またはその一部が
研磨パッド１１を覆い、その厚さは１／２〜１インチの
範囲である。半導体ウェーハ上の堆積層を研磨するのに
使用される一般的な研磨用スラリ１５は、水とＫＯＨの
ｐＨ８．３〜８．７の溶液でもってシリカ粒子をコロイ
ダル状に懸濁したものである。このような研磨用スラリ
は米国イリノイ州シカゴのナルコケミカルカンパニ（Na
lco Chemical Company）から市販されている。研磨用ス
ラリ１５は、研磨装置板１０の上の周囲壁１６内に配置
されている。必要ならば、研磨用スラリ１５は、別個の
貯蔵器（図示せず）から連続的に最循環されてもよい。
【０００８】攪拌器２０の動作表面は、研磨用スラリ１
５の中に埋没している。攪拌器２０は、一般的にトラン
スデューサ２１に接続され、このトランスデューサ２１
は、研磨機のフレームに固定されている。このトランス
デューサ２１は、鉛ジルコネートチタネート（ＰＺＴ）
のようなピエゾ電子材料で、４０ＫＨｚの超音波発生器
２２により駆動されている。超音波エネルギーがトラン
スデューサ２１に加えられると、音響パワーが攪拌器２
０の近傍のスラリを介して、液体スラリ溶液に加えられ
ている。このエネルギーは、トランスデューサ２１の下
の流体層を介して、研磨パッド１１に伝わり、この研磨
パッド１１の上に堆積したグリット（廃棄されるべき使
用済み研磨剤）を放出し、研磨パッド１１の界面をより
均一にする。さらに液体層（攪拌器２０と研磨パッド１
１の表面との間）の厚さが、１／４の波長の整数倍の厚
さに設定されると、パッド表面の作業動作は最大に改良
される。４０ＫＨｚの音響攪拌器では、これは約１／２
インチの厚さとなる。
【０００９】半導体ウェーハの上に堆積された二酸化シ
リコンの層を平面化する場合には、研磨装置板１０と研
磨パッド１１は、約１５ｒｐｍで回転し、ウェーハ１２
は、約４０ｒｐｍで回転している。この研磨用スラリ１
５は、約６０℃に加熱される。このような平面化作業は
約５〜８分行われ、ウェーハ１２の表面から１μｍの層
が除去される。
【００１０】
【発明の効果】研磨用スラリ１５を超音波で攪拌するこ
との利点は、研磨パッド１１に埋設されてしまうグリッ
ト、または使用済みスラリを除去し、長期間研磨作業を
均一に行うことができる点にある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一部を表した斜視図である
【図２】スラリを攪拌するのに使用される超音波装置の
場所を示したスラリ研磨機の部分断面側面図である。
【符号の説明】
１０ 研磨装置板 １１ 研磨パッド １２ ウェーハ １３ ホルダ １４ モータ １５ 研磨用スラリ １６ 周囲壁 ２０ 攪拌器 ２１ トランスデューサ ２２ 超音波発生器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 エリック リチャード ワグナー アメリカ合衆国 07080 ニュージャー ジー サウスプレーンフィールド、ラー ウェイ アヴェニュー 400 (56)参考文献 特開 平６−21029（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−206089（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−134650（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) B24B 37/00 H01L 21/304

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 研磨装置板（１０）に取り付けられ該研
    磨装置板とともに回転する研磨パッド（１１）上の第１
    位置に平面状物品（１２）を搭載し、前記研磨パッドを
    研磨用スラリ（１５）で覆い、前記平面状物品が前記研
    磨パッド上で円形の経路を描くように、前記回転により
    前記研磨パッドを前記平面状物品に対して相対的に移動
    させる、平面状物品の研磨装置において、該装置は、 前記経路上で前記第１位置とは異なる第２位置において
    研磨用スラリ内に配置され、研磨用スラリを超音波で撹
    拌して研磨パッドからグリットを取り除く撹拌器（２
    ０）を有し、 該撹拌器は、前記平面状物品、前記研磨パッドおよび前
    記研磨装置板から離れており、前記研磨用スラリの容器
    が存在する場合には該容器からも離れていることを特徴
    とする、平面状物品の研磨装置。
  2. 【請求項２】 前記攪拌器は、超音波発生器（２２）に
    よって駆動されるトランスデューサ（２１）に接続され
    ていることを特徴とする請求項１の装置。
JP9844393A 1992-04-02 1993-04-02 平面状物品の研磨装置 Expired - Lifetime JP2981079B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US07/862,044 US5245796A (en) 1992-04-02 1992-04-02 Slurry polisher using ultrasonic agitation
US862044 1997-05-22

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH068134A JPH068134A (ja) 1994-01-18
JP2981079B2 true JP2981079B2 (ja) 1999-11-22

Family

ID=25337489

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9844393A Expired - Lifetime JP2981079B2 (ja) 1992-04-02 1993-04-02 平面状物品の研磨装置

Country Status (8)

Country Link
US (1) US5245796A (ja)
EP (1) EP0566258B1 (ja)
JP (1) JP2981079B2 (ja)
KR (1) KR930022483A (ja)
DE (1) DE69303109T2 (ja)
ES (1) ES2088228T3 (ja)
HK (1) HK180296A (ja)
TW (1) TW197531B (ja)

Families Citing this family (97)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5384986A (en) * 1992-09-24 1995-01-31 Ebara Corporation Polishing apparatus
US5340036A (en) * 1993-05-19 1994-08-23 Emerson Electric Co. Dry waste grinder
US5531861A (en) * 1993-09-29 1996-07-02 Motorola, Inc. Chemical-mechanical-polishing pad cleaning process for use during the fabrication of semiconductor devices
US5456627A (en) * 1993-12-20 1995-10-10 Westech Systems, Inc. Conditioner for a polishing pad and method therefor
US5551907A (en) * 1994-03-14 1996-09-03 Hughes Aircraft Company System for ultrasonic lap grinding and polishing
US5562530A (en) * 1994-08-02 1996-10-08 Sematech, Inc. Pulsed-force chemical mechanical polishing
US5783497A (en) * 1994-08-02 1998-07-21 Sematech, Inc. Forced-flow wafer polisher
US5607341A (en) 1994-08-08 1997-03-04 Leach; Michael A. Method and structure for polishing a wafer during manufacture of integrated circuits
US5522965A (en) * 1994-12-12 1996-06-04 Texas Instruments Incorporated Compact system and method for chemical-mechanical polishing utilizing energy coupled to the polishing pad/water interface
US5688364A (en) * 1994-12-22 1997-11-18 Sony Corporation Chemical-mechanical polishing method and apparatus using ultrasound applied to the carrier and platen
US5591068A (en) * 1995-03-13 1997-01-07 Regents Of The University Of California Precision non-contact polishing tool
JP2647050B2 (ja) * 1995-03-31 1997-08-27 日本電気株式会社 ウェハ研磨装置
US5672095A (en) * 1995-09-29 1997-09-30 Intel Corporation Elimination of pad conditioning in a chemical mechanical polishing process
US5709593A (en) * 1995-10-27 1998-01-20 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for distribution of slurry in a chemical mechanical polishing system
KR100445139B1 (ko) * 1996-01-23 2004-11-17 가부시키 가이샤 에바라 세이사꾸쇼 폴리싱장치
US5915915A (en) * 1996-03-07 1999-06-29 Komag, Incorporated End effector and method for loading and unloading disks at a processing station
US5954570A (en) * 1996-05-31 1999-09-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Conditioner for a polishing tool
US5868608A (en) 1996-08-13 1999-02-09 Lsi Logic Corporation Subsonic to supersonic and ultrasonic conditioning of a polishing pad in a chemical mechanical polishing apparatus
US6537137B2 (en) 1996-08-16 2003-03-25 Rodel Holdings, Inc Methods for chemical-mechanical polishing of semiconductor wafers
US6245679B1 (en) 1996-08-16 2001-06-12 Rodel Holdings, Inc Apparatus and methods for chemical-mechanical polishing of semiconductor wafers
US6210525B1 (en) 1996-08-16 2001-04-03 Rodel Holdings, Inc. Apparatus and methods for chemical-mechanical polishing of semiconductor wafers
US5932486A (en) * 1996-08-16 1999-08-03 Rodel, Inc. Apparatus and methods for recirculating chemical-mechanical polishing of semiconductor wafers
US6769967B1 (en) 1996-10-21 2004-08-03 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for refurbishing polishing pads used in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers
US5782675A (en) * 1996-10-21 1998-07-21 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for refurbishing fixed-abrasive polishing pads used in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers
KR19980064179A (ko) * 1996-12-19 1998-10-07 윌리엄비.켐플러 웨이퍼 연마 공정시 실리콘 제거율을 안정화하는 방법
JPH10217149A (ja) * 1997-02-05 1998-08-18 Ebara Corp ターンテーブル用クロスの剥離治具
JP3130000B2 (ja) 1997-09-04 2001-01-31 松下電子工業株式会社 半導体ウェハ研磨装置及び研磨方法
US5968841A (en) * 1997-05-06 1999-10-19 International Business Machines Corporation Device and method for preventing settlement of particles on a chemical-mechanical polishing pad
US5967881A (en) * 1997-05-29 1999-10-19 Tucker; Thomas N. Chemical mechanical planarization tool having a linear polishing roller
US6036583A (en) * 1997-07-11 2000-03-14 Applied Materials, Inc. Conditioner head in a substrate polisher and method
US5904615A (en) * 1997-07-18 1999-05-18 Hankook Machine Tools Co., Ltd. Pad conditioner for chemical mechanical polishing apparatus
DE19737849A1 (de) * 1997-08-29 1999-03-11 Siemens Ag Vorrichtung und Verfahren zum Beheizen eines flüssigen oder zähflüssigen Poliermittels sowie Vorrichtung zum Polieren von Wafern
US5957754A (en) * 1997-08-29 1999-09-28 Applied Materials, Inc. Cavitational polishing pad conditioner
TW404876B (en) * 1997-09-26 2000-09-11 Siemens Ag Process for chemical-mechanical planarization and equipment for performing said process
US5916010A (en) * 1997-10-30 1999-06-29 International Business Machines Corporation CMP pad maintenance apparatus and method
KR100567982B1 (ko) * 1997-12-08 2006-04-05 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 연마액 공급장치
US6083085A (en) 1997-12-22 2000-07-04 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for planarizing microelectronic substrates and conditioning planarizing media
JPH11277434A (ja) * 1998-03-30 1999-10-12 Speedfam Co Ltd Ｃｍｐ装置のスラリリサイクルシステム及びその方法
US6200199B1 (en) 1998-03-31 2001-03-13 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing conditioner
US6024829A (en) * 1998-05-21 2000-02-15 Lucent Technologies Inc. Method of reducing agglomerate particles in a polishing slurry
KR100302482B1 (ko) * 1998-06-23 2001-11-30 윤종용 반도체씨엠피공정의슬러리공급시스템
US6106374A (en) * 1998-07-16 2000-08-22 International Business Machines Corporation Acoustically agitated delivery
US6179693B1 (en) * 1998-10-06 2001-01-30 International Business Machines Corporation In-situ/self-propelled polishing pad conditioner and cleaner
US6103628A (en) * 1998-12-01 2000-08-15 Nutool, Inc. Reverse linear polisher with loadable housing
US6589105B2 (en) 1998-12-01 2003-07-08 Nutool, Inc. Pad tensioning method and system in a bi-directional linear polisher
US7425250B2 (en) * 1998-12-01 2008-09-16 Novellus Systems, Inc. Electrochemical mechanical processing apparatus
US6468139B1 (en) 1998-12-01 2002-10-22 Nutool, Inc. Polishing apparatus and method with a refreshing polishing belt and loadable housing
US6464571B2 (en) * 1998-12-01 2002-10-15 Nutool, Inc. Polishing apparatus and method with belt drive system adapted to extend the lifetime of a refreshing polishing belt provided therein
JP4030247B2 (ja) 1999-05-17 2008-01-09 株式会社荏原製作所 ドレッシング装置及びポリッシング装置
US6488569B1 (en) 1999-07-23 2002-12-03 Florida State University Method and apparatus for detecting micro-scratches in semiconductor wafers during polishing process
US6306008B1 (en) * 1999-08-31 2001-10-23 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for conditioning and monitoring media used for chemical-mechanical planarization
US6383934B1 (en) 1999-09-02 2002-05-07 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates with selected planarizing liquids
US6306768B1 (en) 1999-11-17 2001-10-23 Micron Technology, Inc. Method for planarizing microelectronic substrates having apertures
US6313038B1 (en) 2000-04-26 2001-11-06 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for controlling chemical interactions during planarization of microelectronic substrates
US6387289B1 (en) 2000-05-04 2002-05-14 Micron Technology, Inc. Planarizing machines and methods for mechanical and/or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies
US6612901B1 (en) * 2000-06-07 2003-09-02 Micron Technology, Inc. Apparatus for in-situ optical endpointing of web-format planarizing machines in mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies
US6554688B2 (en) * 2001-01-04 2003-04-29 Lam Research Corporation Method and apparatus for conditioning a polishing pad with sonic energy
US6875091B2 (en) * 2001-01-04 2005-04-05 Lam Research Corporation Method and apparatus for conditioning a polishing pad with sonic energy
US6722943B2 (en) 2001-08-24 2004-04-20 Micron Technology, Inc. Planarizing machines and methods for dispensing planarizing solutions in the processing of microelectronic workpieces
US6666749B2 (en) * 2001-08-30 2003-12-23 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for enhanced processing of microelectronic workpieces
KR20030053375A (ko) * 2001-12-22 2003-06-28 동부전자 주식회사 초음파 발생장치를 구비한 패드 컨디셔닝 장치
US7131889B1 (en) 2002-03-04 2006-11-07 Micron Technology, Inc. Method for planarizing microelectronic workpieces
US6939203B2 (en) * 2002-04-18 2005-09-06 Asm Nutool, Inc. Fluid bearing slide assembly for workpiece polishing
KR20030096766A (ko) * 2002-06-17 2003-12-31 동부전자 주식회사 메가소닉 트랜스듀서를 이용한 슬러리 안정화 방법
US6869335B2 (en) * 2002-07-08 2005-03-22 Micron Technology, Inc. Retaining rings, planarizing apparatuses including retaining rings, and methods for planarizing micro-device workpieces
US7341502B2 (en) 2002-07-18 2008-03-11 Micron Technology, Inc. Methods and systems for planarizing workpieces, e.g., microelectronic workpieces
US6860798B2 (en) * 2002-08-08 2005-03-01 Micron Technology, Inc. Carrier assemblies, planarizing apparatuses including carrier assemblies, and methods for planarizing micro-device workpieces
US7094695B2 (en) 2002-08-21 2006-08-22 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for conditioning a polishing pad used for mechanical and/or chemical-mechanical planarization
US7004817B2 (en) 2002-08-23 2006-02-28 Micron Technology, Inc. Carrier assemblies, planarizing apparatuses including carrier assemblies, and methods for planarizing micro-device workpieces
US7011566B2 (en) 2002-08-26 2006-03-14 Micron Technology, Inc. Methods and systems for conditioning planarizing pads used in planarizing substrates
US7008299B2 (en) 2002-08-29 2006-03-07 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for mechanical and/or chemical-mechanical planarization of micro-device workpieces
US6841991B2 (en) * 2002-08-29 2005-01-11 Micron Technology, Inc. Planarity diagnostic system, E.G., for microelectronic component test systems
US7074114B2 (en) 2003-01-16 2006-07-11 Micron Technology, Inc. Carrier assemblies, polishing machines including carrier assemblies, and methods for polishing micro-device workpieces
US6884152B2 (en) * 2003-02-11 2005-04-26 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for conditioning polishing pads used in polishing micro-device workpieces
US6872132B2 (en) 2003-03-03 2005-03-29 Micron Technology, Inc. Systems and methods for monitoring characteristics of a polishing pad used in polishing micro-device workpieces
US6864181B2 (en) * 2003-03-27 2005-03-08 Lam Research Corporation Method and apparatus to form a planarized Cu interconnect layer using electroless membrane deposition
US7367872B2 (en) * 2003-04-08 2008-05-06 Applied Materials, Inc. Conditioner disk for use in chemical mechanical polishing
US7131891B2 (en) 2003-04-28 2006-11-07 Micron Technology, Inc. Systems and methods for mechanical and/or chemical-mechanical polishing of microfeature workpieces
US6935929B2 (en) 2003-04-28 2005-08-30 Micron Technology, Inc. Polishing machines including under-pads and methods for mechanical and/or chemical-mechanical polishing of microfeature workpieces
US7030603B2 (en) 2003-08-21 2006-04-18 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for monitoring rotation of a conductive microfeature workpiece
US7648622B2 (en) 2004-02-27 2010-01-19 Novellus Systems, Inc. System and method for electrochemical mechanical polishing
US7086927B2 (en) 2004-03-09 2006-08-08 Micron Technology, Inc. Methods and systems for planarizing workpieces, e.g., microelectronic workpieces
US7066792B2 (en) 2004-08-06 2006-06-27 Micron Technology, Inc. Shaped polishing pads for beveling microfeature workpiece edges, and associate system and methods
US7033253B2 (en) 2004-08-12 2006-04-25 Micron Technology, Inc. Polishing pad conditioners having abrasives and brush elements, and associated systems and methods
DE102004061193B3 (de) * 2004-12-20 2006-07-20 Kastriot Merlaku Elektrische Handpoliermaschine für das Polieren von Fahrzeugen
US7264539B2 (en) 2005-07-13 2007-09-04 Micron Technology, Inc. Systems and methods for removing microfeature workpiece surface defects
KR100727484B1 (ko) * 2005-07-28 2007-06-13 삼성전자주식회사 화학기계적 연마 장치 및 패드 컨디셔닝 방법
US7326105B2 (en) 2005-08-31 2008-02-05 Micron Technology, Inc. Retaining rings, and associated planarizing apparatuses, and related methods for planarizing micro-device workpieces
US7438626B2 (en) * 2005-08-31 2008-10-21 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for removing material from microfeature workpieces
US7294049B2 (en) 2005-09-01 2007-11-13 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for removing material from microfeature workpieces
WO2007045267A1 (en) 2005-10-19 2007-04-26 Freescale Semiconductor, Inc. A system and method for cleaning a conditioning device
US7883393B2 (en) 2005-11-08 2011-02-08 Freescale Semiconductor, Inc. System and method for removing particles from a polishing pad
US7754612B2 (en) * 2007-03-14 2010-07-13 Micron Technology, Inc. Methods and apparatuses for removing polysilicon from semiconductor workpieces
JP2010179407A (ja) * 2009-02-05 2010-08-19 Elpida Memory Inc Ｃｍｐ装置
US20110169520A1 (en) * 2010-01-14 2011-07-14 Mks Instruments, Inc. Apparatus for measuring minority carrier lifetime and method for using the same
CN109414801B (zh) 2016-06-24 2021-09-03 应用材料公司 用于化学机械抛光的浆料分布设备
US10391609B1 (en) * 2017-09-05 2019-08-27 Optipro Systems, LLC Modular contact assembly for rotating machine tool

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3123951A (en) * 1964-03-10 Ultrasonic cleaning of grinding wheels
US3093937A (en) * 1962-11-30 1963-06-18 Cavitron Ultrasonics Inc Ultrasonic lapping machines
US3855441A (en) * 1974-04-08 1974-12-17 Braelow D Method and apparatus for activation of an abrasive slurry by an electric arc
DE2435848C3 (de) * 1974-07-25 1979-07-26 Supfina Maschinenfabrik Hentzen Kg, 5630 Remscheid Vorrichtung zur Sauberhaltung der Kontaktfläche eines Honsteins
US4069805A (en) * 1977-01-25 1978-01-24 Philip Sherman Wire apparatus for abrasive powder machining
US4927432A (en) * 1986-03-25 1990-05-22 Rodel, Inc. Pad material for grinding, lapping and polishing
DE3625286A1 (de) * 1986-07-25 1988-02-04 Flier Gustav Schleifscheibenreinigung durch beaufschlagung des kuehlwassers mit ultraschall, insbesondere in anwendung fuer schleifmaschinen
JPS6362673A (ja) * 1986-09-01 1988-03-18 Speedfam Co Ltd 定寸機構付き平面研磨装置
JPS63185556A (ja) * 1987-01-28 1988-08-01 Toshiba Corp 研磨装置
JP2691787B2 (ja) * 1988-03-10 1997-12-17 イクストゥルードゥ ホーン コーポレーション 超音波つや出し
US5104828A (en) * 1990-03-01 1992-04-14 Intel Corporation Method of planarizing a dielectric formed over a semiconductor substrate
US5055158A (en) * 1990-09-25 1991-10-08 International Business Machines Corporation Planarization of Josephson integrated circuit
US5154021A (en) * 1991-06-26 1992-10-13 International Business Machines Corporation Pneumatic pad conditioner
US5245790A (en) * 1992-02-14 1993-09-21 Lsi Logic Corporation Ultrasonic energy enhanced chemi-mechanical polishing of silicon wafers

Also Published As

Publication number Publication date
US5245796A (en) 1993-09-21
ES2088228T3 (es) 1996-08-01
EP0566258A1 (en) 1993-10-20
TW197531B (ja) 1993-01-01
DE69303109T2 (de) 1996-10-10
JPH068134A (ja) 1994-01-18
EP0566258B1 (en) 1996-06-12
DE69303109D1 (de) 1996-07-18
HK180296A (en) 1996-10-04
KR930022483A (ko) 1993-11-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2981079B2 (ja) 平面状物品の研磨装置
US7951718B2 (en) Edge removal of silicon-on-insulator transfer wafer
JP3645528B2 (ja) 研磨方法及び半導体装置の製造方法
KR100750771B1 (ko) 천공된 컨디셔닝 디스크를 이용한 진공 보조 패드 컨디셔닝 방법
KR100574323B1 (ko) 반도체장치의 제조방법 및 가공장치
JPH0621029A (ja) 半導体ウェハの化学的−機械的研磨装置およびそれを用いた方法
KR19980087365A (ko) 반도체의 연마방법 및 장치
KR19990036434A (ko) 웨이퍼 세척 장치
JPH11156711A (ja) 研磨装置
TWI847229B (zh) 拋光設備和拋光方法
JP3663348B2 (ja) 研磨装置及び研磨方法
US6576552B2 (en) Method for polishing semiconductor device
JP3097913B1 (ja) ガラス基板の鏡面仕上げ方法
KR19980070998A (ko) 연마 장치, 연마 부재 및 연마 방법
JPWO2004059714A1 (ja) 研磨装置及び半導体デバイスの製造方法
JP3528501B2 (ja) 半導体の製造方法
JPH10315121A (ja) 平面研磨装置
WO2000024548A1 (fr) Dispositif de polissage et procede de fabrication de semi-conducteurs au moyen dudit dispositif
JP2001088009A (ja) ポリッシングパッドのドレッシング装置
JP2002134450A (ja) ウエハの薄厚加工方法及び装置
JPH09326379A (ja) 半導体基板の研磨方法および装置
JP3566852B2 (ja) ウエハを研磨する方法
CN115972081A (zh) 兆声辅助的研磨盘及研磨总成
JP2002178245A (ja) 両頭平面研削装置および板状ワークの平面研削方法
JP3435165B2 (ja) 研磨方法及び研磨装置

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080917

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090917

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090917

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100917

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110917

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110917

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120917

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130917

Year of fee payment: 14