JP3566852B2 - ウエハを研磨する方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、ベアウエハ、デバイスウエハ、磁気ディスクウエハ等のウエハの表面を鏡面的な平滑度に研磨する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
ICの高集積化は、64Mbitから256Mbitへと移行しつつあり、更に21世紀初頭には1Gbitになることが予測されている。この様な高集積化に対応するためデバイスの多層構造化が進み、デバイス表面の凹凸のため、露光時に焦点を合せることが困難になりつつある。
【0003】
そのため、半導体ウエハの6インチ、8インチから12インチへの拡径および薄肉化、ウエハの表面平坦度を1μmから、0.5μm、更には0.3μm、0.2μmにもっていくことが要求されている(「精密工学会誌」、Vol.62、No.4、1996年486−490頁)。
【0004】
従来、半導体ウエハ5の研磨方法としては、図3に示すように中空回転軸10上に設けた作業テーブル11の上に研磨布(発泡ポリウレタンパッド、フェルトパッド)12を載置し、この研磨布12の上面に、上部チャック機構Aのヘッド3内に取り付けられたポーラスなセラミックス板、もしくは酸化アルミナ板または穿孔した樹脂板、アルミニウム板よりなる剛体の吸着パッド4に通気性の不織布1を粘着テープ7で貼合し、この不織布面に吸着させたウエハ5をZ軸方向に下降させて当接し、ロータリージョイントにより回転可能に軸2に取りつけられたヘッド3をモーター(図示してない)により軸2を作業テーブルの回転方向と逆方向または同一方向に回転させて研磨布でウエハを研磨する方法が行われている(「砥粒加工学会誌」、Vol.42、No.1、1998年1月号、18−21頁)。ウエハと研磨布は上下逆に取りつける研磨盤も存在する。
【0005】
この研磨の際、ウエハと研磨布の間には、水、アルカリ性水溶液、酸性水溶液あるいは、酸化アルミナ粉、ダイヤモンド粉もしくは酸化珪素粉を水に分散させたスラリー状研磨剤が供給されることもある(ケミカルメカニカルポリシング)。
この不織布を利用した研磨盤は前に研磨されたウエハの削り屑や埃が上部チャックに付着しても又、ウエハを洗浄した液が薄い膜となり、内に気泡を含んだ水泡として付着しても柔らかい不織布に吸着、仮り止めされるのでそれらの存在は余り問題とならないが、不織布の表面の平坦性が粗いので研磨されたウエハの平坦度が1〜2μmと大きく、好ましくない。
【0006】
可撓性の不織布の欠点を改良する研磨盤(ポリシングマシン)として、回転軸2に固定されたガラス製もしくはセラミック製の剛性の高い貼付板に半導体ウエハ5をホットメルト接着剤のポリエチレンワックスを用いて接着して次いで半導体ウエハを下降させて研磨布に当接し研磨する方法が行われている(「砥粒加工学会誌」、Vol.38,No.3,1994年5月号、18−20頁、「砥粒加工学会誌」、Vol.39,No.4,1995年7月号、190−193頁参照)。
この方法は、ワックスがクッション材の役目を果たし、又、異物の影響が小さいので不織布を利用する研磨盤よりより平坦性の良好な半導体ウエハが得られるが、この研磨方法でも、8インチウエハの場合、平坦度は0.5μmまで、あるいはデバイスの段差は100nm(ナノメーター)である。
逆に、このホットメルト接着剤を利用するウエハの研磨方法は、▲1▼ウエハを貼着板にホットメルト接着剤で貼合する。▲2▼研磨終了後、貼着板を新しいものに置き代える。▲3▼研磨されたウエハに付着したホットメルト接着剤を次の回路印刷工程に持っていく前に洗浄で取り除く必要があり、工程が長く、かつ、環境上問題がある。
上記対策としてウエハをセラミックチャック等に直接吸着する方法が周知されている。この方法をとるとウエハ平坦度が0.5μm以下になると共に、ウエハを直接チャックに保持する為研磨後の厚さ精度を1μm以下にできると共に、研磨後の洗浄を簡素化しコストダウン及び環境にやさしい工程が可能となる。
しかし、ウエハとチャック間に異物及び気泡、水泡等が混入すると研磨後それが原因で局部的に数μmのヘコミとなる。加圧力にもよるが厚さ500μm以上のウエハではこの影響が発生しにくいが、500μm未満の薄いウエハでは、吸着面の影響が受けやすく、ひどいときには、ウエハが割れてしまう問題がある。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、平坦度が0.5μm以下であると共に、研磨加工後のウエハ間の厚さのバラツキの小さいウエハを得ることができる、平面研磨盤を用いてウエハを研磨する方法の提供を目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
請求項1の発明は、回転可能な中空回転軸2に取り付けられたヘッド3および該ヘッド内に取り付けられたウエハを直接吸着することが可能な剛体の吸着パッド4を備える上部チャック機構A、回転軸10に備え付けられた作業テ−ブル11上に載置された研磨布12および、前記上部チャック機構Aの剛体の吸着パッド4表面と、この吸着パッドのウエハ5の吸着面に液体を上部チャック機構Aの側面または下面から吹きつけることができる液体供給ノズルBを具備するウエハの平面研磨盤1を用い、ウエハを前記吸着パッド4に吸着させる前に、上部チャック機構Aの中空回転軸2の中空部を減圧しつつ上部チャック機構Aの剛体の吸着パッド4の下面または側面の位置の高さに設けた液体供給ノズルBより液体を回転している吸着パッド4の吸着面に吹きつけ、この吸着パッド4に吹きつけられた液体を中空回転軸2の中空部を経て上部チャック機構A外へ排出しつつ上部チャック機構Aを下降させてウエハを吸着し、次いで液体供給ノズルBからの液体吹付を中止した後、ウエハを作業テ−ブル11上の研磨布に押し当て研磨布の回転とウエハの回転を利用してウエハの表面を研磨する方法を提供するものである。
【0010】
【作用】
先の段階で残されたウエハの研削屑や埃、水泡が吸着パッド4や中空回転軸2、ヘッド3に付着していても、ノズルBより吹きつけられた液体により上部チャック機構Aより中空回転軸2を経由して排出され、及び水泡は消滅し、その後、上部チャック機構の剛体のガラスまたはセラミック等の吸着パッド4にウエハ5が吸着され、その後、研磨布によりウエハが研磨される。
吸着パッドとウエハの間には研削屑、異物や埃、水泡、気泡が夾雑されないので、かつ、吸着パッドは剛体であるので中空回転軸の中空軸内を減圧しても吸着パッドは変形しないので研磨時、これら夾雑物や吸着パッドの変形によるウエハの変形がないので、肉厚の薄いウエハであってもへこみの発生がなく、平坦度0.5μm以下、ウエハの厚さ精度1μm以下と表面が平坦で、かつ、段差の小さいウエハが得られる。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、図面を用いて本発明を説明する。
図1は、本発明の一態様を示す平面研磨盤の平面図、図2は、上部チャック機構の別の態様を示す一部を切り欠いた断面図である。
図1において、1は平面研磨盤、Aは上部チャック機構、2は中空回転軸、2aは中空部、3はヘッド、3aはヘッドのチャンパー、4は剛体の吸着パッド、4aは流体通路用孔、4bは小孔、5はウエハ、Bは液体供給ノズル、10は下部チャック機構の中空回転軸、10aは中空部、11は作業テーブル、11aは研磨布の上載台、12は研磨布である。
【0012】
吸着パッド4、研磨布上載台11aの材料としては、ポーラス酸化アルミナ板、ポーラスセラミックス板、焼結金属板、樹脂やアルミニウム板に通気用の小孔を穿ったもの等が使用される。この吸着パッドは曲げ強度が20,000kg/cm2 以上、好ましくは40,000kg/cm2 以上と剛性の高いものを素材とする。
研磨布12は、発泡ポリウレタンシート、フェルト等が利用される。かかる平面研磨盤1を用いてウエハ5を研磨するには、上部チャック機構Aを、アーム等により移動して液体供給ノズルBの近傍に吸着パッド4下面を位置させるか、上部チャック機構Aの下面に液体供給ノズルBを移動させ、次いで回転、減圧している吸着パッド4の下面に前記液体供給ノズルBより洗浄用液体を吹きつける。
【0013】
吸着パッド4に吹きつけられた液体は、中空回転軸2が300〜700mmHgに減圧されているのでヘッド3のチャンバー3a、中空回転軸2の中空部2aを経由して上部チャック機構A外へ放出される。
液体としては水、アルカリ性水溶液、酸性水溶液等が使用できるが、中でもCaイオン、Siイオン、マグネシウムイオン、アルミニウムイオンの総含有量が20ppm以下、好ましくは0〜10ppmのイオン交換水、蒸留水が好ましい。吸着パッド4への液体の吹き付け量は、ウエハの表面積当り1〜20cm3 /分/cm2 、水量で0.1〜50リットル/分が好ましい。吸着パッド4下面へのノズルBからの吹き付け角度(α)は、0〜90度、好ましくは0〜30度である。ノズルBの数は、1個でも2〜6個の複数でもよい。又、ドーナツ状の中空リング管に流体吹出用の小孔を多数穿ったものでもよい。吸着パッド4を回転させる場合は液体が吸着パッドの下面全体をくまなく洗浄する。
【0014】
次いで、上部チャック機構Aを、ウエハ供給台上に載置されているウエハ上面に移動し、下降させウエハを吸着パッドに吸着させ、液体供給ノズルからの液体吹付を中止した後、作業テーブル11上の研磨布12の上に上部チャック機構を下降させて当接し、ウエハの回転と研磨布の回転を利用してウエハの表面を研磨布で研磨する。
【0015】
このウエハの研磨方法において、研磨布の上面に、従来のCMP(Chemical Machanical Polishing)方法と同じく、水、苛性ソーダ水溶液、トリメチルテトラミン水溶液、塩酸水溶液、酸化硅素粉やダイヤモンド結晶粉、ガラス粉を水に分散したスラリー状研磨剤を供給して研磨を行ってもよい。又、ウエハの冷却上、そのようにするのが好ましい。
【0016】
回転軸2はモーターにより10〜1,500rpm、好ましくは50〜1,000rpmの回転数で回転させる。作業テーブルの回転軸10はモーターにより10〜1,500rpm、好ましくは40〜1,000rpmの回転数で回転させる。作業テーブルの回転軸10と回転軸2の回転方向は、正逆いずれの方向でもよいが、逆方向回転の方がより平坦なウエハが得られるので好ましい。
【0017】
ウエハ5にかかる研磨布12の圧力は、5〜1,000g/cm2 、好ましくは20〜800g/cm2 である。
回転軸の回転数は、ウエハの研磨の状態により段階的に階段上り状に変更してもよい。例えば、0.5〜1μmの平坦度のときは圧を5〜200g/cm2 、回転軸10の回転数を20〜400rpm、回転軸2の回転数を30〜500rpm、0.3〜0.4μmの平坦度のときは圧300〜800g/cm2 、回転軸10の回転数30〜600rpm、回転軸2の回転数50〜1,000rpm、0.1〜0.2μmの平坦度のときは、圧500〜1,000g/cm2 、回転軸10の回転数600〜1,500rpm、回転軸2の回転数800〜2,000rpmとする。
【0018】
【実施例】
実施例1
図1に示す研磨盤を用い、液体供給ノズルよりイオン交換水(Si、Mg、Al、Caの全量は3ppm以下)を10cm3 /分/cm2 の割合で上部チャック機構の吸着パッド(ポーラス酸化アルミナ板;曲げ強度50,000kg/cm2 以上)の下面より角度(α)5度で吹きつけた。
【0019】
ついで、2分間吹付後、受台上の8インチ径の平坦度3.5μmのシリコンウエハを吸着パッド4を下降させて吸着パッドに吸着させ、ノズルよりイオン交換水の供給を中断した。
ウエハを吸着した上部チャック機構を作業テーブル11上の研磨布12の上に移動し、下降してウエハを研磨布に押し当て、回転軸10を右方向に回転数600rpm、回転軸2を左方向に回転数800rpm、ウエハへの研磨布の圧力50g/cm2 、加工速度1.5μm/分で研磨布の上面に水を時々加えながら10分間研磨した。
研磨されたウエハの探針式粗さ計測定の粗さ(Rmax )は0.03μm、平坦度;静電容量型厚み計で測定は0.3μmであった。
【0020】
比較例1
流体供給ノズルよりのイオン交換水の供給を行わない他は実施例1と同様にしてウエハの研磨を行った。
研磨されたウエハの平滑性は、探針式粗さ計測定の粗さ(Rmax )は0.05μm、平坦度は0.5μmであった。
【0021】
【発明の効果】
従来の不織布を利用したCMP法では、研磨されたウエハは、粗さ(Rmax )0.1μm、平坦度0.5〜1.0μmであったのが本発明方法によるとより平坦なウエハが得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施に用いる平面研削盤の一部を切り欠いた断面図である。
【図2】上部チャック機構を示す断面図である。
【図3】従来の平面研磨盤の一部を切り欠いた断面図である。
Claims (1)
- 回転可能な中空回転軸(2)に取り付けられたヘッド(3)および該ヘッド内に取り付けられたウエハを直接吸着することが可能な剛体の吸着パッド(4)を備える上部チャック機構(A)、回転軸(10)に備え付けられた作業テ−ブル(11)上に載置された研磨布(12)および、前記上部チャック機構(A)の剛体の吸着パッド(4)表面と、この吸着パッドのウエハ(5)の吸着面に液体を上部チャック機構(A)の側面または下面から吹きつけることができる液体供給ノズル(B)を具備するウエハの平面研磨盤(1)を用い、ウエハを前記吸着パッド(4)に吸着させる前に、上部チャック機構(A)の中空回転軸(2)の中空部を減圧しつつ上部チャック機構(A)の剛体の吸着パッド(4)の下面または側面の位置の高さに設けた液体供給ノズル(B)より液体を回転している吸着パッド(4)の吸着面に吹きつけ、この吸着パッド(4)に吹きつけられた液体を中空回転軸(2)の中空部を経て上部チャック機構(A)外へ排出しつつ上部チャック機構(A)を下降させてウエハを吸着し、次いで液体供給ノズル(B)からの液体吹付を中止した後、ウエハを作業テ−ブル(11)上の研磨布に押し当て研磨布の回転とウエハの回転を利用してウエハの表面を研磨する方法。
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