JP2815349B1 - 化学機械的ポリシング装置のパッドコンディショナ - Google Patents

化学機械的ポリシング装置のパッドコンディショナ

Info

Publication number
JP2815349B1
JP2815349B1 JP9195506A JP19550697A JP2815349B1 JP 2815349 B1 JP2815349 B1 JP 2815349B1 JP 9195506 A JP9195506 A JP 9195506A JP 19550697 A JP19550697 A JP 19550697A JP 2815349 B1 JP2815349 B1 JP 2815349B1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pad
swing arm
pad conditioner
wafer
conditioning
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP9195506A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH1133894A (ja
Inventor
ヘド チョン
デギュン アン
Original Assignee
ハンクック マシーン ツールズ カンパニー リミテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to US08/897,007 priority Critical patent/US5904615A/en
Application filed by ハンクック マシーン ツールズ カンパニー リミテッド filed Critical ハンクック マシーン ツールズ カンパニー リミテッド
Priority to JP9195506A priority patent/JP2815349B1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2815349B1 publication Critical patent/JP2815349B1/ja
Publication of JPH1133894A publication Critical patent/JPH1133894A/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
    • B24B53/017—Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B1/00—Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes
    • B24B1/04—Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes subjecting the grinding or polishing tools, the abrading or polishing medium or work to vibration, e.g. grinding with ultrasonic frequency
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S451/00—Abrading
    • Y10S451/91—Ultrasonic

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

【要約】 【課題】ＣＭＰ装置を用いるウェハーの加工時に発生さ
れる研磨用パッドの目詰まりを除去するためのＣＭＰ装
置のパッドコンディショナを提供することである。 【解決手段】ＣＭＰ装置１０の上部一側に位置する回動
軸を中心に外側端部が研磨用パッド１１の上部に移動し
てから繰り返して揺れるように設置されたスイングアー
ム１６と、スイングアーム１６の端部に結合されて、コ
ンディショニング工具３６を水平回転及び上下振動させ
るようにする回転装置及び振動発生装置２９を備えてな
る回転振動子１８と、一側外周面が前記スイングアーム
１６の端部に固定されて回転振動子１８を垂直方向に移
動させる上下移送装置１７とから構成される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウェハーの加
工方法であって、化学機械的ポリシング（Chemical Mec
hanical Polishing；以下、“ＣＭＰ”と略称する）装
置を用いるウェハーの研磨技術に関するもので、より詳
しくはＣＭＰ装置を用いるウェハーの研磨過程で供給さ
れたスラリー形態の研磨材がパッド表面の空隙に詰って
パッド表面に固着されたスラリーの微少粒子をパッドコ
ンディショナの回転運動と高周波振動により除去するこ
とにより研磨効率の向上を図るＣＭＰ装置のパッドコン
ディショナに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】最近開発されて脚光を浴びている次世帯
半導体ウェハー加工方法としてのＣＭＰは加工対象ウェ
ハーと研磨パッド間にスラリーを介入させて、化学的除
去（Chemical Removal）とともに機械的除去（Mechanic
al Removal）が行われるようにするもので、このような
装置の構造とウェハー加工過程を、添付した図１の一般
のＣＭＰ装置に関する概略図に基づいて調べると次のよ
うである。
【０００３】同図に示すように、ＣＭＰ装置は概して円
板状の平坦な上面を有する回転テーブル１の上面に研磨
用パッド２が付着され、そのパッド２の上部には加工対
象物であるウェハー３が装着されるウェハーキャリヤ４
が設置された構造で、このような構造のＣＭＰ装置を用
いてウェハー３を加工する時は、パッド２の上面中央部
にスラリー５を続けて供給しながら、ウェハー３が装着
されたキャリヤ４をパッド２の上面に対して加圧（Ｐ）
するとともに、キャリヤ４と回転テーブル１を回転させ
てウェハー３を研磨する。
【０００４】この際に、スラリー５がウェハー３とパッ
ド２間に円滑に供給されるようにするための方便とし
て、回転テーブル１とキャリヤ４の単純回転運動に加え
て、キャリヤ４の水平方向の揺れ運動（Oscillation）
が付加されている。
【０００５】一方、前記ウェハー３の加工対象面とパッ
ド２の上面間に供給されるスラリー５は、一例として数
十〜数百mm粒径のフュームシリカ（Fumed silica）をウ
ェハー３に対した腐蝕性に優れたＫＯＨ等のアルカリ性
水溶液に懸濁させた組成物で、ウェハー３の加圧により
ゲル状態のコロイダルシリカになった後、水平方向の相
対運動によりＳｉＯ2 の凝着、剥離作用でウェハー３の
表面を化学機械的に微少除去することになる。
【０００６】そして、前記研磨用パッド２は一例として
柔軟な不織布に発泡ウレタンを含浸させたウレタンパッ
ドで製作され、このようなパッドの表面には多数の微少
空隙が存在し、その空隙内にスラリーが含入されてウェ
ハーの化学的、機械的研磨作用を誘導することになる。
【０００７】このような従来のＣＭＰ装置を用いたウェ
ハーの研磨時は、研磨が進行するにつれて、ウェハーか
らパッドに加わる圧力と揺れ運動等によりパッド表面の
シャープポイント（sharp point）が摩耗されて倒れる
か、被加工物の摩耗成分とスラリーの混合成分がパッド
空隙を詰める、いわゆる目詰まり（glazing）が発生す
ることになる。
【０００８】このように、パッド表面のシャープポイン
トが摩耗されるか、目詰まりが発生する場合は、パッド
がスラリーをそれ以上維持し得なくなるので、ウェハー
の研磨効率及び加工面の平坦度を悪化させることにな
る。
【０００９】従って、従来のＣＭＰ装置では、数〜数十
枚のウェハーに対する加工後に、目詰まり等を除去する
ため、電着ダイアモンドディスクを用いてパッドの表面
に対する研削を行ってパッド表面層を除去することによ
り、新しいパッド面を生成させ、その新しいパッド上で
ウェハーの加工が継続的に行われるようにしている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
電着ダイアモンドディスクを使用するパッドのコンディ
ショニング時には、ディスクからダイアモンド粒子が脱
落されて加工対象ウェハーの表面にスクラッチ（scratc
h）を誘発させるか、ディスク自体又はディスク及びダ
イアモンド間の接着材料（ＳＵＳ又はＮｉ等）から金属
粒子が離れてウェハー及びパッドを汚染させる問題点を
有し、場合によってはパッド汚染の結果により高価のパ
ッド全体を交換すべきである。
【００１１】又、前記ダイアモンドディスクを用いるパ
ッドの研磨時は、除去されるパッドの摩耗量が多いた
め、パッドの寿命が短縮され、全般的にパッドのコンデ
ィショニングに多くの時間が要求されて収率にも悪影響
を及ぼす等の欠点もさらに指摘されている。
【００１２】従って、本発明は従来のＣＭＰ装置を用い
たウェハーの加工時に必要とするパッドに対するコンデ
ィショニングにおいて指摘されている前記諸般問題点を
解決するためのもので、回転運動と並行して上下高周波
振動を遂行する回転振動子によりパッドの目詰まりを効
率的に防止し得るようにしたＣＭＰ装置のパッドコンデ
ィショナを提供することに発明の目的を置く。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の前記目的は、Ｃ
ＭＰ装置の上面一側に回動可能に設置されたスイングア
ームと、スイングアームの回動中心軸上に設置されて、
スイングアームに駆動力を伝達するスイングアーム駆動
モーターと、前記スイングアームの自由端部に固定され
る回転振動子とからなる構造により達成される。
【００１４】ここで、前記回動振動子は、外周面一側が
前記スイングアームの端部に固定されるケーシングと、
ケーシングの上部外側に設置され、モーター軸がケーシ
ングの内部に貫通された駆動モーターと、前記駆動モー
ターのモーター軸と結合され、ケーシング内部で回転可
能に設置された振動発生装置と、前記ケーシングの底面
下部に位置し、前記振動発生装置と一体に結合された工
具装着具と、回転振動子を上下に乗降駆動させる上下移
送装置とからなっている。
【００１５】従って、本発明の回転振動子の下端部上に
装着されるコンディショニング工具は、駆動モーターの
駆動による水平方向への回転とともに振動発生装置から
発生された上下方向の振動により揺れ運動を遂行するよ
うに構成されている。
【００１６】
【発明の実施の形態】前記本発明の目的と技術的構成及
びその作用効果に関する事項は本発明の好ましい実施例
を示す図面を参照する以後の詳細な説明から明確に理解
可能であろう。
【００１７】先ず、図２は本発明の一実施例によるパッ
ドコンディショナを備えるＣＭＰ装置の平面図であり、
図３は図２の装置の正面図である。同図に示すように、
本発明のＣＭＰ装置１０は、その上面のほぼ中央部に研
磨用パッド１１が回転可能に設置され、パッド１１の上
部に水平移送機構１２により案内されて水平移送できる
ように設置されたキャリヤ駆動部１３が設置され、キャ
リヤ駆動部１３の一側にはキャリヤ駆動部１３から動力
を伝達受けて乗降及び回転駆動されるウェハーキャリヤ
１４が設置されたＣＭＰ装置において、前記ＣＭＰ装置
１０の一側上部に駆動モーター１５により駆動されるス
イングアーム１６が回動可能に設置され、そのスイング
アーム１６の自由端部には上下移送装置１７が装着され
た回転振動子１８が結合された構造である。
【００１８】図面で、未説明符号１９は水平移送機構１
２に駆動力を伝達する駆動モーターであり、２０はスイ
ングアーム１６の回動軸上部に設置され、バランスを保
つためのウェイトであり、２１はエンドエフェクタ洗浄
部（end effector clean station）である。
【００１９】図２はスイングアーム１６の動作前の状態
を示すもので、この時は回転振動子１８の下部（end ef
fector）が洗浄液で満たされたエンドエフェクタ洗浄部
２１内に位置し、図３は駆動モーター１５の動作により
スイングアームが図２の状態から反時計方向に回動して
回転振動子１８がパッド１１の上部に移動された状態を
示すもので、このように前記回転振動子１８はスイング
アーム１６の回動によりエンドエフェクタ洗浄部２１と
パッド１１面間を往復移動するように構成されている。
【００２０】前記本発明の回転振動子１８の構造を図４
に示す回転振動子に対する縦断面図に基づいて詳細に調
べると次のようである。同図に示すように、本発明の回
転振動子１８にはこれを上下移送させるための上下移送
装置１７が結合されており、このような上下移送装置１
７は密閉空間としてのシリンダーチャンバ２２内にピス
トン２３及びピストンロッド２４が往復移動するように
形成された空圧シリンダー２５と、ピストンロッド２４
に連結されて上下往復移動する回転振動子ケーシング２
６とから構成され、その回転振動子ケーシング２６の内
部に振動発生装置２９が挿入され、その上端部が前記ピ
ストンロッド２４の端部に結合されることにより、空圧
シリンダー２５の作動により回転振動子２６が乗降移動
されるように構成されている。
【００２１】即ち、前記空圧シリンダー２５は、その外
周面が下方に延長されたシリンダー２７が一体に形成さ
れ、シリンダー２７の外周面に前記スイングアーム１６
の外側端部が結合された状態で常に固定水平位置を維持
することにより、前記空圧シリンダー２５のピストンロ
ッド２４と結合された回転振動子ケーシング２６は空圧
シリンダー２５の作動により上下方向に乗降移動を遂行
することになる。
【００２２】この際に、前記回転振動子ケーシング２６
の上面外側には駆動モーター２８が装着され、そのモー
ター軸２８ａが回転振動子ケーシング２６の内部に貫通
され、その内部には振動発生装置２９が回転振動子ケー
シング２６の内壁との間に介在されたベアリング３０に
より回転可能に設置されている。
【００２３】一方、前記振動発生装置はその上面中央に
形成された連結ロッド３１とその連結ロッド３１とモー
ター軸２８ａとを結合させるカップリング３２とにより
駆動モーター２８からの回転駆動力が伝達されるように
構成されるので、駆動モーター２８の駆動により回転振
動子ケーシング２６の内部で回転することになる。
【００２４】前記振動発生装置２９は、高周波振動又は
超音波振動を発生させる振動発生素子３３と、振動発生
素子３３から発生された振動を増幅させるためのブース
タ３３ａとからなり、これらは前記連結ロッド３１に接
触しているブラシ３４を介して供給される電源により駆
動される。この際に、前記振動発生素子３３の具体的な
例としては、圧電素子型変換機（transducer）があり、
前記ブラシ３４としてはカーボンブラシを使用すること
が好ましい。
【００２５】そして、前記振動発生装置２９は、シリン
ダー２７に対して最大に上昇した位置にある時にも、そ
の端部、つまりブースタ３３ａの下部はシリンダー２７
の底面外側に露出された状態を維持するように設計さ
れ、そのブースタ３３ａの下端部にはホーン（horn）形
状の工具装着具３５が一体に形成され、その下端部に円
板形又はコップ形等のコンディショニング工具３６が装
着される。
【００２６】一方、前記工具装着具３５の周囲には、内
部に冷却水が循環される冷却管３７が設置されるので、
コンディショニング動作中に工具装着具３５が過熱され
ることを防止し得るように構成されている。
【００２７】本発明の回転振動子１８に使用されるコン
ディショニング工具３６としては、従来のＣＭＰ装置に
使用されていた一般の工具を始めとして、ナイフブレー
ド型、ダイアモンドバイト型、グルーブ（grooved）セ
ラミックス型及び二ドル型があり、これら工具の基本的
な形態はディスク形又はコップ形を有する。
【００２８】このような構造でなった本発明のパッドコ
ンディショナを用いてパッドコンディショニングする過
程を調べると次のようである。先ず、図２に示す状態か
ら上下移送装置１７を駆動させてエンドエフェクタ洗浄
部２１から回転振動子１８を上げた後、スイングアーム
駆動モーター１５を駆動させてスイングアーム１６が反
時計方向に回動されるようにすることにより、図３のよ
うに回転振動子１８がパッド１１の上部に来るようにす
る。
【００２９】次いで、回転振動子１８の駆動モーター２
８と振動発生装置２９を駆動させて、工具装着具３５及
びこれに装着されたコンディショニング工具３６が水平
回転運動とともに上下振動するようにした後、上下移送
装置１７を駆動させて回転振動子１８が下方に移動され
るようにして工具３６がパッド１１の上面と接触するよ
うにした後、スイングアーム１６がパッド面上で揺れ運
動しながら振動、回転することにより、パッド１１に対
するコンディショニングが行われる。
【００３０】このような本発明の回転振動子１８による
コンディショニング動作はウェハーの加工と並行して
（in-process）遂行することもできる。本発明では、回
転振動子１８によりコンディショニング工具３６がパッ
ド１１の上面に接触した状態で水平回転とともに高周波
振動を行う過程で、パッド１１の空隙に詰っていたスラ
リーの粒子成分が空隙から抜き出されるので、パッド１
１の摩耗なしに短時間内に目詰まりが除去される。
【００３１】このようなコンディショニング作業の結果
でパッドの目詰まりが除去されたか、コンディショニン
グ時間が一定時間経過した時は、回転振動子１８をエン
ドエフェクタ洗浄部２１に移送させて、回転振動子１８
の下部に残留するスラリーが除去されるようにする。
【００３２】図５Ａ乃至図５Ｃはパッドに対する走査電
子顕微鏡写真で、（Ａ）は新しいパッドに対するもので
あり、（Ｂ）はウェハーの加工により目詰まりが生じた
パッドのコンディショニング以前状態に対するもので、
写真で白色円形で見える部分が目詰まりが生じた部分で
ある。
【００３３】一方、図５の（Ｃ）の写真は前記（Ｂ）の
状態のパッドに対して本発明のパッドコンディショナを
用いてコンディショニングしたパッドの表面に対するも
ので、コンディショニング開始５分後のパッドに対する
ものである。
【００３４】前記図５から分かるように、本発明のパッ
ドコンディショナによるコンディショニング時は、短時
間の作業によっても新しいパッドに殆ど類似した状態の
表面が得られ、勿論それ以上のコンディショニング時間
が経過した時は目詰まりが殆ど全く除去される。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のパッドコ
ンディショナは、コンディショニング時、回転振動子１
８がウェハーの加工とイン−プロセスで回転及び振動し
てパッドの目詰まりを微細除去することにより、ウェハ
ーの加工中に常に目詰まりない新しいパッド表面を確保
し得るので、ウェハーの加工効率の低下を効果的に防止
し得ることは勿論、ウェハーの全体面にわたって優秀な
平坦度を図ることができる。
【００３６】そして、本発明では、従来の電着ダイアモ
ンドディスクを使用してパッドの表面層を除去する方式
とは異なり、コンディショニング工具の高周波振動によ
るパッドとの接触により目詰まりを除去する方式を取る
ので、ダイアモンド粒子又は金属成分粒子の脱落による
ウェハーのスクラッチ発生又は汚染発生の憂いがなく、
かつ本発明は、コンディショニング時、摩耗量の極めて
少ない微細除去の形態を取るので、パッドの摩耗量が極
めて少なくてパッドの寿命が殆ど半永久的である利点が
ある。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＣＭＰ装置を用いるウェハーのポリシング過程
を概略的に示す縦断面図である。
【図２】本発明の一実施例によるパッドコンディショナ
を備えるＣＭＰ装置の平面図である。
【図３】図２の装置の正面図である。
【図４】本発明の回転振動子及び上下移送装置の縦断面
図である。
【図５】本発明のパッドコンディショナを用いてコンデ
ィショニングされたパッド表面に対する走査電子顕微鏡
写真で、（Ａ）は新規のパッド表面であり、（Ｂ）はコ
ンディショニング以前の目詰まりの生じたパッド表面で
あり、（Ｃ）はコンディショニング後のパッド表面であ
る。
【符号の説明】
１０…ＣＭＰ装置、１１…パッド、１３…キャリヤ駆動
部、１４…ウェハーキャリヤ、１５…駆動モーター、１
６…スイングアーム、１７…上下移送装置、１８…回転
振動子、１９…水平移送機構、２０…ウエイト、２１…
エンドエフェクタ洗浄部、２２…シリンダーチャンバ、
２３…ピストン、２４…ピストンロッド、２５…空圧シ
リンダー、２６…回転振動子ケーシング、２７…シリン
ダー、２８…駆動モーター、２９…振動発生装置、３０
…ベアリング、３１…連結ロッド、３２…カップリン
グ、３３…振動発生素子、３４…ブラシ、３５…工具装
着具、３６…コンディショニング工具、３７…冷却管。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) B24B 37/00

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 化学機械的ポリシング装置の上部一側に
    位置する回動軸を中心に外側端部が研磨用パッドの上部
    に移動してから繰り返して揺れるように設置されたスイ
    ングアームと、 スイングアームの端部に結合されて、コンディショニン
    グ工具を水平回転及び上下振動させるようにする回転装
    置及び振動発生装置を備えてなる回転振動子と、 一側外周面が前記スイングアームの端部に固定されて回
    転振動子を垂直方向に移動させる上下移送装置とから構
    成されることを特徴とする化学機械的ポリシング装置の
    パッドコンディショナ。
  2. 【請求項２】 前記スイングアームは、回動軸上に設置
    された駆動モーターによりその端部がパッドの上部とパ
    ッド設置面外側に位置するエンドエフェクタ洗浄部間を
    往復移動し、振動部の駆動時、パッド表面上で揺れなが
    らコンディショニングすることを特徴とする請求項１記
    載の化学機械的ポリシング装置のパッドコンディショ
    ナ。
  3. 【請求項３】 前記回転振動子の回転装置は駆動モータ
    ーと、上端部が駆動モーターのモーター軸に連結される
    とともに下端部が振動発生装置に連結される連結ロッド
    とから構成され、振動発生装置は振動発生素子と、下端
    部に工具装着具が結合されるブースタとから構成される
    ことを特徴とする請求項１記載の化学機械的ポリシング
    装置のパッドコンディショナ。
  4. 【請求項４】 前記振動発生素子は圧電素子型変換機で
    あることを特徴とする請求項３記載の化学機械的ポリシ
    ング装置のパッドコンディショナ。
  5. 【請求項５】 前記上下移送装置は空圧シリンダーと、
    空圧シリンダーの下側に延長されたシリンダーとから構
    成され、シリンダーの内側で回転振動子ケーシングの上
    端部が前記空圧シリンダーのピストンロッド下端部に固
    定されて上下に移動されることを特徴とする請求項１記
    載の化学機械的ポリシング装置のパッドコンディショ
    ナ。
JP9195506A 1997-07-18 1997-07-22 化学機械的ポリシング装置のパッドコンディショナ Expired - Fee Related JP2815349B1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/897,007 US5904615A (en) 1997-07-18 1997-07-18 Pad conditioner for chemical mechanical polishing apparatus
JP9195506A JP2815349B1 (ja) 1997-07-18 1997-07-22 化学機械的ポリシング装置のパッドコンディショナ

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/897,007 US5904615A (en) 1997-07-18 1997-07-18 Pad conditioner for chemical mechanical polishing apparatus
JP9195506A JP2815349B1 (ja) 1997-07-18 1997-07-22 化学機械的ポリシング装置のパッドコンディショナ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2815349B1 true JP2815349B1 (ja) 1998-10-27
JPH1133894A JPH1133894A (ja) 1999-02-09

Family

ID=26509164

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9195506A Expired - Fee Related JP2815349B1 (ja) 1997-07-18 1997-07-22 化学機械的ポリシング装置のパッドコンディショナ

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5904615A (ja)
JP (1) JP2815349B1 (ja)

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000033555A (ja) * 1998-07-17 2000-02-02 Sony Corp 研磨装置
JP3772946B2 (ja) * 1999-03-11 2006-05-10 株式会社荏原製作所 ドレッシング装置及び該ドレッシング装置を備えたポリッシング装置
US20020077037A1 (en) * 1999-05-03 2002-06-20 Tietz James V. Fixed abrasive articles
US6193587B1 (en) * 1999-10-01 2001-02-27 Taiwan Semicondutor Manufacturing Co., Ltd Apparatus and method for cleansing a polishing pad
US6204592B1 (en) * 1999-10-12 2001-03-20 Ben Hur Ultrasonic nailing and drilling apparatus
US6368200B1 (en) 2000-03-02 2002-04-09 Agere Systems Guardian Corporation Polishing pads from closed-cell elastomer foam
JP2001274122A (ja) * 2000-03-23 2001-10-05 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェハ研磨装置
US6616513B1 (en) 2000-04-07 2003-09-09 Applied Materials, Inc. Grid relief in CMP polishing pad to accurately measure pad wear, pad profile and pad wear profile
US6368186B1 (en) * 2001-01-19 2002-04-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Apparatus for mounting a rotational disk
US6508697B1 (en) * 2001-07-16 2003-01-21 Robert Lyle Benner Polishing pad conditioning system
US6659846B2 (en) 2001-09-17 2003-12-09 Agere Systems, Inc. Pad for chemical mechanical polishing
US6769968B2 (en) * 2002-03-29 2004-08-03 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Interchangeable conditioning disk apparatus
US20030220051A1 (en) * 2002-05-21 2003-11-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Conditioning disk actuating system
US7094695B2 (en) * 2002-08-21 2006-08-22 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for conditioning a polishing pad used for mechanical and/or chemical-mechanical planarization
KR100562498B1 (ko) * 2003-02-12 2006-03-21 삼성전자주식회사 씨엠피 설비의 패드 컨디셔너
US7052371B2 (en) * 2003-05-29 2006-05-30 Tbw Industries Inc. Vacuum-assisted pad conditioning system and method utilizing an apertured conditioning disk
US7033253B2 (en) * 2004-08-12 2006-04-25 Micron Technology, Inc. Polishing pad conditioners having abrasives and brush elements, and associated systems and methods
JP4856650B2 (ja) * 2005-04-11 2012-01-18 一正 大西 切削もしくは研削装置
KR100577143B1 (ko) * 2005-07-04 2006-05-08 김오수 패드 컨디셔너
WO2007004782A1 (en) * 2005-07-04 2007-01-11 Oh Su Kim Pad conditioner and error detecting apparatus for the same
KR100727484B1 (ko) * 2005-07-28 2007-06-13 삼성전자주식회사 화학기계적 연마 장치 및 패드 컨디셔닝 방법
KR100728489B1 (ko) 2005-11-24 2007-06-14 박신택 불연성 시트를 구비한 담배
WO2007082556A1 (en) * 2006-01-23 2007-07-26 Freescale Semiconductor, Inc. Method and apparatus for conditioning a cmp pad
US7749050B2 (en) * 2006-02-06 2010-07-06 Chien-Min Sung Pad conditioner dresser
US8142261B1 (en) * 2006-11-27 2012-03-27 Chien-Min Sung Methods for enhancing chemical mechanical polishing pad processes
US20100173567A1 (en) * 2006-02-06 2010-07-08 Chien-Min Sung Methods and Devices for Enhancing Chemical Mechanical Polishing Processes
US20070272674A1 (en) * 2006-05-26 2007-11-29 3M Innovative Properties Company Abrasive brush recovery system and process
US7985122B2 (en) * 2006-06-13 2011-07-26 Freescale Semiconductor, Inc Method of polishing a layer using a polishing pad
US7828680B2 (en) * 2006-10-19 2010-11-09 Vincent Pfeifer Cover for the shaft of a lacrosse stick
US7658187B2 (en) * 2007-01-16 2010-02-09 John Budiac Adjustable stone cutting guide system
US20090127231A1 (en) * 2007-11-08 2009-05-21 Chien-Min Sung Methods of Forming Superhard Cutters and Superhard Cutters Formed Thereby
CN102015212A (zh) * 2008-04-11 2011-04-13 音诺帕德股份有限公司 具有孔隙网络的化学机械平坦化垫
DE102009047927A1 (de) 2009-10-01 2011-01-27 Siltronic Ag Läuferscheibe und Verfahren zur Politur einer Halbleiterscheibe
JP6282437B2 (ja) * 2012-10-18 2018-02-21 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 研磨パッドコンディショナ用ダンパ
CN111266937B (zh) * 2020-03-20 2021-09-10 大连理工大学 一种平面零件全口径确定性抛光的摇臂式抛光装置和方法
CN111409015B (zh) * 2020-05-08 2020-11-13 苏州航菱微精密组件有限公司 一种磨床机构、研磨工艺及其研磨材料的制备工艺

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5245796A (en) * 1992-04-02 1993-09-21 At&T Bell Laboratories Slurry polisher using ultrasonic agitation
US5547471A (en) * 1992-11-19 1996-08-20 Baxter International Inc. In-line drug delivery device for use with a standard IV administration set and a method for delivery
JPH08168953A (ja) * 1994-12-16 1996-07-02 Ebara Corp ドレッシング装置
US5688364A (en) * 1994-12-22 1997-11-18 Sony Corporation Chemical-mechanical polishing method and apparatus using ultrasound applied to the carrier and platen

Also Published As

Publication number Publication date
JPH1133894A (ja) 1999-02-09
US5904615A (en) 1999-05-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2815349B1 (ja) 化学機械的ポリシング装置のパッドコンディショナ
KR100727484B1 (ko) 화학기계적 연마 장치 및 패드 컨디셔닝 방법
US5531861A (en) Chemical-mechanical-polishing pad cleaning process for use during the fabrication of semiconductor devices
TW384244B (en) CMP pad maintenance apparatus and method
US6152805A (en) Polishing machine
US6354923B1 (en) Apparatus for planarizing microelectronic substrates and conditioning planarizing media
US5245790A (en) Ultrasonic energy enhanced chemi-mechanical polishing of silicon wafers
KR100750771B1 (ko) 천공된 컨디셔닝 디스크를 이용한 진공 보조 패드 컨디셔닝 방법
JPH068134A (ja) 平面状物品の研磨装置
JP2006021320A (ja) 研磨パッド調整装置および製造およびリサイクル方法
US6612912B2 (en) Method for fabricating semiconductor device and processing apparatus for processing semiconductor device
JP2002525885A (ja) 化学的機械研磨用コンディショナ
KR100223953B1 (ko) 화학기계적 폴리싱 장치의 패드 컨디셔너
US6514127B2 (en) Conditioner set for chemical-mechanical polishing station
JP2005329501A (ja) 超音波研磨工具及びそれを備えた研磨装置
JP2001237204A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2001277095A (ja) パッドコンディショニング装置及びパッドコンディショニング方法
JP2020168677A (ja) ドレッシング装置およびドレッシング方法
JP2005217037A (ja) 半導体ウェーハ用研磨パッドのコンディショニング方法
KR20030053375A (ko) 초음파 발생장치를 구비한 패드 컨디셔닝 장치
JPH1126405A (ja) 研磨装置
JPH09283486A (ja) 研磨装置の洗浄方法と洗浄装置
JPH0624693B2 (ja) 砥石の複合振動によるセラミック等の精密研削加工方法
KR100567891B1 (ko) 화학적 기계적 연마장치의 컨디셔너
JP2003347256A (ja) 研磨布洗浄プレート及び研磨布洗浄方法

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees