JPH04206725A

JPH04206725A - 半導体ウェーハの洗浄方法及び装置

Info

Publication number: JPH04206725A
Application number: JP33606090A
Authority: JP
Inventors: Koichi Yajima; 興一矢嶋; Yasumasa Noda; 野田　康昌
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1990-11-30
Filing date: 1990-11-30
Publication date: 1992-07-28

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の目的〕（産業上の利用分野）本発明は、半導体ウェーハを洗浄する方法及び装置に関
する。

（従来の技術）半導体ウェーハをダイシングによりベレット毎に切断す
る最中に、シリコンくずを除去する洗浄が行なわれる。

この洗浄は従来、第４図及びその右側面である第５図に
示された洗浄装置を用いて行なわれていた。

半導体ウェーハ１７を砥石１６で切断する。砥石カバー
１３に組み込まれたノズル１４，１５゜３１からそれぞ
れ洗浄液Ｊ、に、Ｌを流出させ、半導体ウェーハ１７の
表面や切断溝にシリコンくずが付着しないように洗浄す
る。洗浄液としては、純水、炭酸水、上水道水等を使用
している。

しかしこのような従来の洗浄では、次のような問題があ
った。半導体ウェーハの表面又は切断溝からシリコンく
ずが十分に除去されず、この後の工程であるダイボンデ
ィングにおいて、切断された半導体ウェーハのベレット
を吸着するコレットにシリコンくずが付着して、半導体
ウェーハの表面に傷をもたらすという問題があった。ま
た除去されなかった半導体ウェーハの切断溝のシリコン
くずが、ベレットをピックアップする時に落下して隣り
のベレットを傷つけるという問題があった。

次に、ダイシング後に半導体ウェーハの表面又は切断溝
中のシリコンくずを除去する洗浄が、第６図に示される
ような洗浄装置を用いて行われる。

台２２の上に搭載された半導体ウェーハ４の表面に、ノ
ズル２１を通過した洗浄液Ｈを流出させて洗浄する。

しかしこの場合にも、ダイシング中に行う洗浄と同様の
問題があった。即ち、半導体ウェーハの表面又は切断溝
からシリコンくずが十分に除去されず、この後の工程で
あるダイボンディングにおいて、切断された半導体ウェ
ーハのベレットを吸着するコレットにシリコンくずが付
着して、半導体ウェーハの表面に傷をもたらすという問
題があった。また、除去されなかった半導体ウェーハの
切断溝のシリコンくずが、ベレットをピックアップする
時に落下して隣りのベレットを傷つけるという問題があ
った。

（発明が解決しようとする課題）このように、ダイシング中又はダイシング後に従来の洗
浄を行なったのでは上述のような問題が存在した。

本発明は上記事情に鑑み、半導体ウェーハのダイシング
中又はダイシング後において、シリコンくずの除去を十
分に行いつる半導体ウェーハの洗浄方法及び装置を提供
することを目的とする。

〔発明の構成〕

（課題を解決するための手段）半導体ウェーハをダイシングする最中に洗浄する工程で
は、本発明の洗浄方法は回路パターンが形成された半導
体ウェーハをダイシングしている際に、前記半導体ウェ
ーハを約０．　５ＭＨｚ以上の超音波の振動を与えた洗
浄液を用いて洗浄することを特徴とし、さらに洗浄装置
は前記半導体つ工−ハを支持する支持部と、前記半導体
をダイシングする手段と、ダイシングされている前記半
導体ウェーハの表面に洗浄液を流出するノズルと、前記
洗浄液に約０．　５ＭＨｚ以上の超音波の振動を与える
加振部とを備えたことを特徴としている。

さらに半導体ウェーハをダイシングした後に洗浄する工
程では、本発明の洗浄方法は、回路パターンが形成され
た半導体ウェーハを約０．　５ＭＨｚ以上の超音波の振
動を与えた洗浄液を用いて洗浄することを特徴とし、さ
らに洗浄装置は、前記半導体ウェーハを搭載する台と、
前記半導体ウェーハを洗浄する洗浄液を流出するノズル
と、前記洗浄液に約０．　５ＭＨｚ以上の超音波の振動
を与える加振部とを有することを特徴としている。

ここで半導体ウェーハを搭載する台が回転可能であり、
ノズルが支持部を支点として回動可能であってもよい。

（作　用）半導体ウェーハをダイシングする最中に、加振部により
約０．　５ＭＨｚ以上の超音波の振動が与えられた洗浄
液が用いられて半導体ウェーハの表面が洗浄される。こ
の場合に、支持部に支持されたダイシングされている半
導体ウェーハの表面に、約０．　５ＭＨｚ以上の超音波
の振動が与えられた洗浄液がノズルから流出されること
によって洗浄される。

半導体ウェーハをダイシングした後に、約０、　５ＭＨ
ｚ以上の超音波の振動が与えられた洗浄液が用いられて
半導体の表面が洗浄される。この場合に、台に搭載され
た半導体ウェーハの表面に、約０．　５ＭＨｚ以上の超
音波の振動が与えられた洗浄水がノズルから流出されて
洗浄される。

回転可能な台に半導体ウェーハが搭載され、支持部を支
点として回動可能なノズルから洗浄液が流出されること
によって、半導体ウェーハの表面全体に洗浄液がかかる
。

（実施例）以下、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。

第１図は、半導体ウェーハをダイシングする最中に洗浄
する工程で用いられる装置を示したもので、第２図にそ
の右側面図を示す。従来の場合を示す第４図、第５図と
比較し、ノズル３１を、超音波の振動を洗浄液に与える
加振器としての発振子１２を内蔵したノズル１１に換え
た点が異なる。

他の従来の場合と同一のものには同一番号を付し、説明
を省略する。洗浄液としては、純水、炭酸水、上水道水
等を用いることができる。

砥石１６により、半導体ウエーノ＼１７がプレードダイ
シングされて切断されている際に、ノズル　　　　　　
１１．１４．１５からそれぞれ洗浄液Ｅ、　Ｆ、　Ｇが
流出し、半導体ウエーノ＼１７の表面や切断溝にシリコ
ンくずが付着しないように洗浄する。この中で、ノズル
１１から流出する洗浄液Ｅは、発振子１２により約０．
　５ＭＨｚ以上の超音波の振動が与えられているため、
シリコンくずの除去が十分に行なわれる。

この洗浄により、半導体ウエーノ＼１７の表面又は切断
溝中のシリコンくずが十分に除去されるため、この後の
ダイボンディングを行なう工程において、シリコンくず
によって半導体ウェーハに傷がつくことを防止すること
ができる。さらに洗浄液に与える振動の周波数が約０．
　５ＭＨｚ以上と高いため、静電破壊が発生しない上に
、細かいシリコンぐずをも十分に除去することができる
。

本実施例では、ノズル１１の先端に発振子２が内蔵され
ているが、洗浄液に超音波の振動を与える加振部が洗浄
液が通過するいずれかの箇所に設けられていれば、他の
構造によるものであってもよい。砥石１６、砥石カバー
１３の構造は、図示された構造に限定されず、他のブレ
ードダイシングを行なう構造であってもよく、さらにノ
ズル１４．１５を有しない構造であってもよい。

第３図は、半導体ウェーハをダイシングした後に洗浄す
る工程で用いられる装置を示したものである。台５は半
導体ウェーハ４を搭載するものである。ノズル１の内部
に発振子２が設置され、ノズル１に管３が接続されてい
る。管３は純水をノズル１に送るものである。発振子２
は、加振器として送られた洗浄液Ａに約０．５ＭＨｚ以
上の超音波の振動を与えるためのものである。ノズル２
は、振動を与えられた洗浄液Ａを半導体ウニ　／’４の
表面にかけるものである。台５は矢印Ｃのように回転が
可能である。また、ノズル１は管３における図示されて
いない支持部を支点として矢印Ｂのように回動が可能で
ある。

管３を通過した洗浄液Ａが発振子２により約０、　５Ｍ
Ｈｚ以上の超音波の振動を与えられ、ノズル１から台５
に搭載された半導体ウェーハ４の表面にかけられる。ノ
ズル１の矢印Ｂのような回動と台５の矢印Ｃのような回
転により、半導体ウェーハ４の表面全体に洗浄液Ａがか
けられる。

ここで、洗浄液としては、純水、炭酸水、上水道水等を
用いることができる。

以上の洗浄によって、半導体ウェーハの表面又は切断溝
中のシリコンくずを十分に除去することができる。この
ため、この後のダイボンディングを行なう工程において
、シリコン（ずによって半導体ウェーハに傷がつくこと
を防止することができる。さらに洗浄液に与える振動の
周波数が約０、　５ＭＨｚ以上と高いため、静電破壊が
発生しない上に、細かいシリコンくずをも十分に除去す
ることができる。

本実施例では、ノズル１が回動し、台５が回転する構造
となっているが、洗浄液Ａが半導体ウェーハ４の表面全
体にかかる構造であればノズル１が半導体ウェーハ４上
を走査する等地の構造によるものであってもよい。また
、ノズル１の先端に発振子２が内蔵されているが、洗浄
液に超音波の振動を与える加振部が、洗浄液が通過する
いずれかの箇所に設けられていれば、他の構造によるも
のであってもよい。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明の半導体ウェーハの洗浄方法
及び装置は、半導体ウェーハをダイシングする際に、約
０．　５ＭＨｚ以上の超音波の振動を与えた洗浄水を用
いて洗浄することにより、シリコンくずを十分に除去す
ることができ、またシリコンくずが除去されずに半導体
ウェーハに傷がつくことを防止することが可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図は半導体ウェーハをダイシングする最中に洗浄す
る工程で用いられる本発明の一実施例による半導体ウェ
ーハの洗浄装置を示す正面図、第２図は第１図に示され
た装置の右側面図、第３図は半導体ウェーハをダイシン
グした後に洗浄する工程で用いられる本発明の一実施例
による半導体ウェーハの洗浄装置を示す斜視図、第４図
は半導体ウェーハをダイシングする最中に洗浄する工程
で用いられる従来の半導体ウェーハの洗浄装置を示す正
面図、第５図は第４図に示された装置の右側面図、第６
図は半導体ウェーハをダイシングした後に洗浄する工程
で用いられる従来の半導体つ工−ハの洗浄装置を示す斜
視図である。１・・・ノズル、２・・・発振子、３・・・管、４・・
・半導体ウェーハ、５・・・台、１１・・・ノズル、１
２・・・発振子、１３・・・砥石カバー、１４．１５・
・・ノズル、１６・・・砥石、１７・・・半導体ウェー
ハ、２１・・・ノズル、２２・・・台、３１・・・ノズ
ル、Ａ・・・洗浄液、Ｂ・・・動作、Ｃ・・・回転、Ｅ
、Ｆ、Ｇ、Ｈ，Ｊ、に、Ｌ・・・洗浄液。為１図　　　　馬２図ｊｐ）３図罠４図　　　　　為５図も６図

Claims

【特許請求の範囲】１、回路パターンが形成された半導体ウェーハをダイシ
ングしている際に、半導体ウェーハを、約０．５ＭＨｚ
以上の超音波の振動を与えた洗浄液を用いて洗浄するこ
とを特徴とする半導体ウェーハの洗浄方法。２、回路パターンが形成された半導体ウェーハを洗浄す
る装置において、前記半導体ウェーハを支持する支持部
と、前記半導体ウェーハをダイシングする手段と、ダイ
シングされている前記半導体ウェーハの表面に洗浄液を
流出するノズルと、前記洗浄液に約約０．５ＭＨｚ以上
の超音波の振動を与える加振部とを備えたことを特徴と
する半導体ウェーハの洗浄装置。３、回路パターンが形成された半導体ウェーハをダイシ
ングした後、半導体ウェーハを、約０．５ＭＨｚ以上の
超音波の振動を与えた洗浄液を用いて洗浄することを特
徴とする半導体ウェーハの洗浄方法。４、回路パターンが形成された半導体ウェーハをダイシ
ングした後洗浄する装置において、前記半導体ウェーハ
を搭載する台と、前記半導体ウェーハを洗浄する洗浄液
を流出するノズルと、前記洗浄液に約０．５ＭＨｚ以上
の超音波の振動を与える加振部とを有することを特徴と
する半導体ウェーハの洗浄装置。５、前記半導体ウェーハの表面全体に前記洗浄液がかか
るように、前記台が回転可能であり、前記ノズルに接続
された管の支持部を支点として前記ノズルが回動可能で
ある請求項４記載の半導体ウェーハの洗浄装置。