KR100962479B1 - 반도체 패키지 제조용 소잉 머신의 실리콘 먼지 제거 장치 및 그 제어 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
종래에 웨이퍼 표면에 먼지입자를 제거하기 위해 분사되는 워터(D.I. Water)는 웨이퍼상에서 마찰을 발생시키며 정전기(ESD)를 일으키게 되고, 이 정전기로 인하여 웨이퍼상에 분사된 워터는 웨이퍼의 전체 표면에 고르게 도포되지 않고 물방울이 맺히듯 도포되는 바, 결국 정전기는 웨이퍼 표면에 워터의 도포(웨이퍼의 젖음성)를 방해하는 원인이 된다.
이에, 웨이퍼 표면 위에 워터의 젖음(Wetting)이 이루어지지 않는 부분에 실리콘 먼지 입자가 씻겨 내려가지 않고 남게 되어, 이 실리콘 먼지 입자는 웨이퍼의 미세한 균열을 발생시키는 원인이 된다.
이러한 점을 고려하여, 본 발명에서는 서펙턴트 스프레이 시스템을 이용하여 웨이퍼 표면에 서펙턴트 용액을 분사한다.
계면활성제를 의미하는 서펙턴트(Surfactant)는 묽은 용액 속에서 계면에 흡착하여 그 표면장력을 감소시키는 물질로서, 본 발명의 서펙턴트 스프레이 시스템을 이용하여 웨이퍼 표면에 서펙턴트 용액을 분사시키게 되는 경우, 도 12에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 표면에 대한 표면장력을 줄여주어 워터가 표면에 얇은 막을 형성하게 한다.
따라서, 웨이퍼에서 발생하는 실리콘 먼지 입자가 드라이 스팟(dry spot)이 없기 때문에 웨이퍼에 달라 붙지 않게 되며, 결국 대부분의 실리콘 먼지 입자들은 워터에 의하여 쓸려서 제거되어진다.
이때, 상기 웨이퍼의 표면을 크리닝하기 위하여 서펙턴트 및 워터가 혼합된 혼합용액이 웨이퍼 표면에 도포될 때, 도 12의 (a)에 도시된 바와 같이 상기 서펙턴트 용액의 친유성 분자가 실리콘 먼지입자에 달라 붙게 된다.
특히, 도 12의 (b)에 도시된 바와 같이 상기 서펙턴트의 더 많은 친유성 분자가 실리콘 먼지입자(Silicon Dust)에 붙을수록 웨이퍼 표면과 실리콘 먼지입자간의 접촉 거리가 멀어지게 되고, 이렇게 서펙턴트의 친유성 분자가 실리콘 먼지 입자를 들어올리는 동시에 친수성 분자가 실리콘 먼지입자를 수용액내에 띄우게 되어, 결국 서펙턴트 용액의 흐름에 의하여 실리콘 먼지 입자는 쓸려서 제거되어진다.
Claims (5)
- 웨이퍼 소잉 머신의 웨이퍼 얼라인먼트부의 일측에 설치된 노즐형 에어 커튼바와;서펙턴트 용액과 워터가 혼합된 혼합용액을 저장하는 용액 저장부와;상기 용액 저장부내에 에어압을 제공하는 에어압 제공부와;상기 에어압 제공부와 용액 저장부간의 에어압 제공라인상에 설치되는 솔레노이드 밸브와;상기 용액 저장부와 노즐형 에어 커튼바간에 연결된 혼합용액 제공라인;을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조용 소잉 머신의 실리콘 먼지 제거 장치.
- 청구항 1에 있어서,상기 혼합용액 제공라인상에는 혼합용액의 유량을 조절하는 유량조절밸브가 더 설치된 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조용 소잉 머신의 실리콘 먼지 제거 장치.
- 청구항 1에 있어서,상기 솔레노이드 밸브의 작동 주기를 제어하는 타이머를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조용 소잉 머신의 실리콘 먼지 제거 장치.
- 웨이퍼 소잉 머신의 웨이퍼 얼라인먼트부에 웨이퍼가 안착되는 단계와;에어압 제공부와 용액 저장부간의 에어압 제공라인상에 설치되는 솔레노이드 밸브가 온 되어, 에어압이 용액 저장부내로 제공되는 단계와;상기 용액 저장부내의 서펙턴트 용액과 워터의 혼합용액이 에어압에 의하여 가압되어, 혼합용액 제공라인을 따라 노즐형 에어 커튼바로 이송되는 단계와;상기 혼합용액이 노즐형 에어 커튼바를 통하여 웨이퍼 상에 분사되어 도포되는 단계와;타이머의 출력신호에 의하여 솔레노이드 밸브가 오프되는 단계와;소잉 머신에 의한 웨이퍼 소잉이 진행되는 단계;로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조용 소잉 머신의 실리콘 먼지 제거 장치의 제어 방법.
- 청구항 4에 있어서,상기 소잉 머신에 의한 웨이퍼 소잉이 진행되는 중, 커프 체크시에도 상기 혼합용액이 웨이퍼상에 분사 도포되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조용 소잉 머신의 실리콘 먼지 제거 장치의 제어 방법.
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JPH04206725A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-28 | Toshiba Corp | 半導体ウェーハの洗浄方法及び装置 |
JPH09320994A (ja) * | 1996-05-28 | 1997-12-12 | Sony Corp | ダイシング装置 |
JP2003068677A (ja) | 2001-08-21 | 2003-03-07 | Sony Corp | ダイシング装置およびダイシング方法 |
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2008
- 2008-12-19 KR KR1020080129862A patent/KR100962479B1/ko active IP Right Grant
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