JPH04283075A - サンドブラスト装置 - Google Patents
サンドブラスト装置Info
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- JPH04283075A JPH04283075A JP40665690A JP40665690A JPH04283075A JP H04283075 A JPH04283075 A JP H04283075A JP 40665690 A JP40665690 A JP 40665690A JP 40665690 A JP40665690 A JP 40665690A JP H04283075 A JPH04283075 A JP H04283075A
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- Pending
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- 239000004576 sand Substances 0.000 title abstract 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 44
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims abstract description 3
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 claims description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 abstract 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 16
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 8
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 2
- 238000005247 gettering Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 239000011856 silicon-based particle Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコンウエハの裏面
にゲッタリング用ダメージを与えるサンドブラスト装置
に関する。
にゲッタリング用ダメージを与えるサンドブラスト装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコンウエハのデバイス工程中でのウ
エハ表面の汚染を除去する方法として、ＩＧ，ＥＧと称
されるゲッタリング手法が用いられている。ＥＧ法とし
ては、サンドブラスト法、ポリシリコン膜付着、等があ
るが、主として、サンドブラスト法により、ウエハ裏面
（デバイス形成を行なわない面）にＳｉＯ２ 砥粒と水
の懸濁液を噴射して、ダメージを与える方法が主流であ
る。従来のサンドブラスト法では、ウエハ裏面に砥粒や
Ｓｉ単結晶より剥離したＳｉ小片が残留すること、ダメ
ージをウエハ裏面の面内に均一に与えることが難しいこ
と等の難点があり、このために適切なサンドブラスト装
置が望まれている。
エハ表面の汚染を除去する方法として、ＩＧ，ＥＧと称
されるゲッタリング手法が用いられている。ＥＧ法とし
ては、サンドブラスト法、ポリシリコン膜付着、等があ
るが、主として、サンドブラスト法により、ウエハ裏面
（デバイス形成を行なわない面）にＳｉＯ２ 砥粒と水
の懸濁液を噴射して、ダメージを与える方法が主流であ
る。従来のサンドブラスト法では、ウエハ裏面に砥粒や
Ｓｉ単結晶より剥離したＳｉ小片が残留すること、ダメ
ージをウエハ裏面の面内に均一に与えることが難しいこ
と等の難点があり、このために適切なサンドブラスト装
置が望まれている。
【０００３】従来市販されているサンドブラスト装置２
０を図３に略示する。図３に示すようにエンドレスベル
ト２２上にウエハ２３を乗せて矢印２４方向へ水平移動
させる。移動中のウエハ上に数本例えば４本のガンノズ
ル２１から圧縮空気２６によって加圧したＳｉＯ２ ビ
ーズから成る砥粒を水に懸濁したスラリー２７（２７と
２８は同じスラリー、すでに２５中で砥粒を水に懸濁さ
せて収納している）を噴射し、ウエハ２３の上面をダメ
ージングする。このときの圧縮空気は、圧力２．０〜２
．５ｋｇｆ／ｃｍ２ 、送風量２ｍ３ ／分程度である
。またＳｉＯ２ ビーズは２０〜３０μｍの大きさのも
のを用いる。
０を図３に略示する。図３に示すようにエンドレスベル
ト２２上にウエハ２３を乗せて矢印２４方向へ水平移動
させる。移動中のウエハ上に数本例えば４本のガンノズ
ル２１から圧縮空気２６によって加圧したＳｉＯ２ ビ
ーズから成る砥粒を水に懸濁したスラリー２７（２７と
２８は同じスラリー、すでに２５中で砥粒を水に懸濁さ
せて収納している）を噴射し、ウエハ２３の上面をダメ
ージングする。このときの圧縮空気は、圧力２．０〜２
．５ｋｇｆ／ｃｍ２ 、送風量２ｍ３ ／分程度である
。またＳｉＯ２ ビーズは２０〜３０μｍの大きさのも
のを用いる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この装置では、ガンノ
ズル２１は直列でエンドレスベルト２２の進行方向に対
して直角方向（図３の奥行方向）に往復するようになっ
ている。ウエハ２３は手動で１枚ずつエンドレスベルト
２２上に供給されるか、又はカセットから自動的に供給
し、カセットへ戻す装置を用いる。このブラスト装置２
０はスラリーを除去するための洗浄装置を備えていない
。従ってウエハの清浄性に問題がある。また、ガンノズ
ル２１の往復回数が５０回／分程度と少ない。したがっ
て、ウエハ２３のダメージの均一性を図るためには多数
のガンノズルを必要とし、このためウエハ移動距離が長
くなり装置が大きな空間を占める。また圧縮空気等も大
容量が必要である。さらにウエハ上から散乱したスラリ
ーが機壁に付着し、乾燥した場合ＳｉＯ２ 粒同士が固
着して粒径が増大する。スラリーはスラリータンク２５
から循環使用するため、この粒径の大きな砥粒が混合し
た時に、ウエハに不必要なダメージを与え、またウエハ
片の剥離を起こさせる問題がある。本発明はこのような
問題点を解決した装置を提供することを目的とする。
ズル２１は直列でエンドレスベルト２２の進行方向に対
して直角方向（図３の奥行方向）に往復するようになっ
ている。ウエハ２３は手動で１枚ずつエンドレスベルト
２２上に供給されるか、又はカセットから自動的に供給
し、カセットへ戻す装置を用いる。このブラスト装置２
０はスラリーを除去するための洗浄装置を備えていない
。従ってウエハの清浄性に問題がある。また、ガンノズ
ル２１の往復回数が５０回／分程度と少ない。したがっ
て、ウエハ２３のダメージの均一性を図るためには多数
のガンノズルを必要とし、このためウエハ移動距離が長
くなり装置が大きな空間を占める。また圧縮空気等も大
容量が必要である。さらにウエハ上から散乱したスラリ
ーが機壁に付着し、乾燥した場合ＳｉＯ２ 粒同士が固
着して粒径が増大する。スラリーはスラリータンク２５
から循環使用するため、この粒径の大きな砥粒が混合し
た時に、ウエハに不必要なダメージを与え、またウエハ
片の剥離を起こさせる問題がある。本発明はこのような
問題点を解決した装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記問題点を解
決するために、■ ウエハを移動させずに真空チャッ
クを有する水平円板状のスピンナテーブル上に固定し、
ウエハを高速で回転させる。■ １ないし２本のスラ
リーノズルをウエハ上に近接させて配置し、ウエハ端か
ら中心に向けて走査させる。このノズルの移動速度はウ
エハ単位面積に均一な量の砥粒が噴射されるように半径
に逆比例する速度とする。またウエハ面上での砥粒束の
拡がりを１０ｍｍ程度にすることにより走査時の均一性
をより良く保つ。
決するために、■ ウエハを移動させずに真空チャッ
クを有する水平円板状のスピンナテーブル上に固定し、
ウエハを高速で回転させる。■ １ないし２本のスラ
リーノズルをウエハ上に近接させて配置し、ウエハ端か
ら中心に向けて走査させる。このノズルの移動速度はウ
エハ単位面積に均一な量の砥粒が噴射されるように半径
に逆比例する速度とする。またウエハ面上での砥粒束の
拡がりを１０ｍｍ程度にすることにより走査時の均一性
をより良く保つ。
【０００６】■ スラリーノズルの後側に超純水ノズ
ル、次にＨＦ溶液を含む表面汚染除去液ノズル、さらに
超純水ノズルを順番に配置することにより、サンドブラ
スト後ただちに残留砥粒及び剥離しかけたＳｉ小片を除
去する。■ ウエハを操作する装置はカセットからカ
セット方式とし、処理後はオーバーフローする超純水槽
に浸漬させる。
ル、次にＨＦ溶液を含む表面汚染除去液ノズル、さらに
超純水ノズルを順番に配置することにより、サンドブラ
スト後ただちに残留砥粒及び剥離しかけたＳｉ小片を除
去する。■ ウエハを操作する装置はカセットからカ
セット方式とし、処理後はオーバーフローする超純水槽
に浸漬させる。
【０００７】
【作用】本発明の装置は、ウエハ１枚毎にウエハを水平
に高速回転させておき、砥粒用ノズル、洗浄用ノズルを
半径方向に半径に逆比例する速度で水平移動させ、ウエ
ハ全面に一様なブラストを与え、かつ残留砥粒等を除去
する装置を一体的に集約してある。従って、ウエハ全面
に均一にブラストを施すことができ、さらに砥粒などが
付着残留する問題も併せて解決した。
に高速回転させておき、砥粒用ノズル、洗浄用ノズルを
半径方向に半径に逆比例する速度で水平移動させ、ウエ
ハ全面に一様なブラストを与え、かつ残留砥粒等を除去
する装置を一体的に集約してある。従って、ウエハ全面
に均一にブラストを施すことができ、さらに砥粒などが
付着残留する問題も併せて解決した。
【０００８】
【実施例】図１に実施例装置の縦断面図を示した。ウエ
ハ１４を真空チャック１２で上面に同心に吸着し、これ
を水平回転させる円形テーブル１３を上方開放のハウジ
ング１１内に備えたスピンナが設けられている。このス
ピンナのテーブル１３の上方をテーブル１３の半径方向
に走査するノズル群を備えている。このノズル群は、砥
粒用ノズル１、第１回洗浄用超純水ノズル２、残留砥粒
、Ｓｉ片除去液用ノズル３、第２回洗浄用超純水ノズル
４を連設してある。スピンナハウジング１１は下端出口
に三方弁７を備え、洗浄液を排出する排出口９と砥粒を
回収する砥粒タンク８に切替えるようになっている。 スピンナハウジング１１の内壁面を洗浄する壁面乾燥防
止用砥粒液放出ノズル５は砥粒タンク内の砥粒含有液を
循環して用いるか又は純水を噴射するかの選択が自由で
、そのための三方弁６を備えている。カセット１５はウ
エハ１４を一枚ずつ円形テーブル１３上に供給し、また
これを取去り移動させる。
ハ１４を真空チャック１２で上面に同心に吸着し、これ
を水平回転させる円形テーブル１３を上方開放のハウジ
ング１１内に備えたスピンナが設けられている。このス
ピンナのテーブル１３の上方をテーブル１３の半径方向
に走査するノズル群を備えている。このノズル群は、砥
粒用ノズル１、第１回洗浄用超純水ノズル２、残留砥粒
、Ｓｉ片除去液用ノズル３、第２回洗浄用超純水ノズル
４を連設してある。スピンナハウジング１１は下端出口
に三方弁７を備え、洗浄液を排出する排出口９と砥粒を
回収する砥粒タンク８に切替えるようになっている。 スピンナハウジング１１の内壁面を洗浄する壁面乾燥防
止用砥粒液放出ノズル５は砥粒タンク内の砥粒含有液を
循環して用いるか又は純水を噴射するかの選択が自由で
、そのための三方弁６を備えている。カセット１５はウ
エハ１４を一枚ずつ円形テーブル１３上に供給し、また
これを取去り移動させる。
【０００９】図３に示す従来装置と図１に示す本発明の
実施例装置によるウエハ上の残留パーティクル数の比較
を図２に示した。実施例ではあらゆる粒子領域において
残留数が少なくなった。
実施例装置によるウエハ上の残留パーティクル数の比較
を図２に示した。実施例ではあらゆる粒子領域において
残留数が少なくなった。
【００１０】
【発明の効果】■ 本発明により従来のサンドブラス
ト装置を使用して処理を行ったウエハ上に残留するサン
ドブラスト砥粒数と、ウエハ表面より剥離したウエハ小
片の残留数を減少することができ、ポリッシング前のウ
エハの清浄度を上げることができた。
ト装置を使用して処理を行ったウエハ上に残留するサン
ドブラスト砥粒数と、ウエハ表面より剥離したウエハ小
片の残留数を減少することができ、ポリッシング前のウ
エハの清浄度を上げることができた。
【００１１】■ 圧縮空気使用量、スラリー量の低減
が可能となり、コストを下げることができた。■ 装
置を小さくすることができるため、省スペースを図るこ
とができた。
が可能となり、コストを下げることができた。■ 装
置を小さくすることができるため、省スペースを図るこ
とができた。
【図１】本発明の実施例のフローシートである。
【図２】本発明の実施例の効果を示す図である。
【図３】従来の装置の説明図である。
１ 砥粒用ノズル
２ 第１回洗浄用超純水ノズル
３ 残留砥粒、Ｓｉ片除去液用ノズル４
第２回洗浄用超純水ノズル ５ スピンナ内部にリング状におかれた、壁面乾
燥防止用砥粒液放出ノズル ６ 砥粒液、超純水切換用三方弁７ 砥粒
回収、洗浄液排出切換用三方弁８ 砥粒タンク ９ 排出口 １１ ハウジング １２ 真空チャック １３ テーブル １４ ウエハ １５ カセット
第２回洗浄用超純水ノズル ５ スピンナ内部にリング状におかれた、壁面乾
燥防止用砥粒液放出ノズル ６ 砥粒液、超純水切換用三方弁７ 砥粒
回収、洗浄液排出切換用三方弁８ 砥粒タンク ９ 排出口 １１ ハウジング １２ 真空チャック １３ テーブル １４ ウエハ １５ カセット
Claims (1)
- 【請求項１】 ウエハを１枚ずつ固着して同心に水平
回転させる円形テーブルから成るスピンナと、該円形テ
ーブル上をテーブルの半径方向に走査する砥粒吹付ノズ
ル及び洗浄ノズル群と、スピンナを囲むハウジングの内
部洗浄装置とを備えたことを特徴とするサンドブラスト
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40665690A JPH04283075A (ja) | 1990-12-26 | 1990-12-26 | サンドブラスト装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40665690A JPH04283075A (ja) | 1990-12-26 | 1990-12-26 | サンドブラスト装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04283075A true JPH04283075A (ja) | 1992-10-08 |
Family
ID=18516276
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP40665690A Pending JPH04283075A (ja) | 1990-12-26 | 1990-12-26 | サンドブラスト装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04283075A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05148075A (ja) * | 1991-11-29 | 1993-06-15 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | 石英坩堝の洗浄装置 |
| EP0803900A2 (en) * | 1996-04-26 | 1997-10-29 | Applied Materials, Inc. | Surface preparation to enhance the adhesion of a dielectric layer |
| KR19990074948A (ko) * | 1998-03-16 | 1999-10-05 | 윤종용 | 반도체소자 제조설비의 웨이퍼 현상시스템 및 구동방법 |
| JP2005044920A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Asahi Sunac Corp | 基板の加工方法及び加工装置 |
| JP2012121108A (ja) * | 2010-12-09 | 2012-06-28 | Ud Trucks Corp | エアブラスト装置の搬送テーブル |
-
1990
- 1990-12-26 JP JP40665690A patent/JPH04283075A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05148075A (ja) * | 1991-11-29 | 1993-06-15 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | 石英坩堝の洗浄装置 |
| EP0803900A2 (en) * | 1996-04-26 | 1997-10-29 | Applied Materials, Inc. | Surface preparation to enhance the adhesion of a dielectric layer |
| US5910338A (en) * | 1996-04-26 | 1999-06-08 | Applied Materials, Inc. | Surface preparation to enhance adhesion of a dielectric layer |
| EP0803900A3 (en) * | 1996-04-26 | 1999-12-29 | Applied Materials, Inc. | Surface preparation to enhance the adhesion of a dielectric layer |
| KR19990074948A (ko) * | 1998-03-16 | 1999-10-05 | 윤종용 | 반도체소자 제조설비의 웨이퍼 현상시스템 및 구동방법 |
| JP2005044920A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Asahi Sunac Corp | 基板の加工方法及び加工装置 |
| JP2012121108A (ja) * | 2010-12-09 | 2012-06-28 | Ud Trucks Corp | エアブラスト装置の搬送テーブル |
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