JPS63178531A - 水洗式中間ステ−ジ - Google Patents
水洗式中間ステ−ジInfo
- Publication number
- JPS63178531A JPS63178531A JP62011072A JP1107287A JPS63178531A JP S63178531 A JPS63178531 A JP S63178531A JP 62011072 A JP62011072 A JP 62011072A JP 1107287 A JP1107287 A JP 1107287A JP S63178531 A JPS63178531 A JP S63178531A
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- JP
- Japan
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- wafer
- water
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- inner tank
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Links
- 238000005406 washing Methods 0.000 title abstract description 6
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 11
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 14
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 abstract 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 43
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 241000132456 Haplocarpha Species 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
ウェーハプロセスが完了したウェーハを、障害を与えな
いように背面研磨装置にロードする、洗浄液を導入する
導入孔と、ウェーハ挿入時のガイドとを備えた水洗式中
間ステージ。
いように背面研磨装置にロードする、洗浄液を導入する
導入孔と、ウェーハ挿入時のガイドとを備えた水洗式中
間ステージ。
（産業上の利用分野〕
本発明は、ウェーハの背面研磨装置に係り、特にウェー
ハプロセスが完了したウェーハをロードする際に用いる
中間ステージの改良に関するものである。
ハプロセスが完了したウェーハをロードする際に用いる
中間ステージの改良に関するものである。
ウェーハプロセスが完了したウェーハは、その時点で半
導体チップとしての厚みにするために、背面を研磨する
背面研磨装置で加工される。
導体チップとしての厚みにするために、背面を研磨する
背面研磨装置で加工される。
この場合に、ウェーハのパターンの存在する面を下にし
て中間ステージに載せて、そこからウェーハを背面研磨
装置の定盤の上にロードするが、ウェーハのパターンの
存在する面に損傷を与える異物が付着することがあり、
更に、異物に起因するマイクロクラックが発生すること
がある。
て中間ステージに載せて、そこからウェーハを背面研磨
装置の定盤の上にロードするが、ウェーハのパターンの
存在する面に損傷を与える異物が付着することがあり、
更に、異物に起因するマイクロクラックが発生すること
がある。
このような状況から、ウェーハのパターンの存在する面
に損傷を与えず、マイクロクランクを発生させない中間
ステージがが要望されている。
に損傷を与えず、マイクロクランクを発生させない中間
ステージがが要望されている。
従来の中間ステージは第２図に示すように、四方にガイ
ド１３を有し、ウェーハ１のパターンの存在する面に損
傷を与えないような材料、例えばプラスチックのスポン
ジ状のシート８を備えたものである。
ド１３を有し、ウェーハ１のパターンの存在する面に損
傷を与えないような材料、例えばプラスチックのスポン
ジ状のシート８を備えたものである。
このシート８は、本来はウェーハ１のパターンに損傷を
与えるものではないが、ウェーハ１に付着したシリコン
の破片やその他の塵埃がこのシート８に付着し、それら
がウェーハ１に付着したままでウェーハ１が背面研磨装
置にロードされると、研磨加工中にウェーハ１表面のパ
ターンに損傷を与えたり、ウェーハ１にマイクロクラン
クを生じさせたりしている。
与えるものではないが、ウェーハ１に付着したシリコン
の破片やその他の塵埃がこのシート８に付着し、それら
がウェーハ１に付着したままでウェーハ１が背面研磨装
置にロードされると、研磨加工中にウェーハ１表面のパ
ターンに損傷を与えたり、ウェーハ１にマイクロクラン
クを生じさせたりしている。
以上説明の従来の中間ステージで問題となるのは、中間
ステージに備えであるプラスチックのスポンジ状のシー
ト８に、シリコンの破片やその他の塵埃が蓄積されてウ
ェーハ１に付着し、背面研磨加工時にウェーハ１の表面
のパターンに損傷を与えたり、ウェーハ１にマイクロク
ランクを生じさせることである。
ステージに備えであるプラスチックのスポンジ状のシー
ト８に、シリコンの破片やその他の塵埃が蓄積されてウ
ェーハ１に付着し、背面研磨加工時にウェーハ１の表面
のパターンに損傷を与えたり、ウェーハ１にマイクロク
ランクを生じさせることである。
本発明は以上のような状況から簡単且つ安価に製造可能
な水洗式中間ステージの提供を目的としたものである。
な水洗式中間ステージの提供を目的としたものである。
〔問題点を解決するための手段〕
上記問題点は、洗浄液を導入する導入孔と、ウェーハ挿
入時のガイドとを備えた本発明による水洗式中間ステー
ジによって解決される。
入時のガイドとを備えた本発明による水洗式中間ステー
ジによって解決される。
即ち本発明においては、水洗式中間ステージに載せられ
たウェーハは、先ずガイドによって中央に挿入され、下
部より供給された液体が導入孔から噴出するするから、
ウェーハの面に対して小さな鋭角をもった水流がウェー
ハのパターン面に沿って流れるので、ウェーハのパター
ン面に付着している物は全て洗い流され、背面研磨装置
にロードされるウェーハのパターン面には異物が存在し
なくなるので、パターン面が損傷を受けたり、ウェーハ
にマイクロクラックを生じさせることがなくなり、良質
の半導体ウェーハを得ることが可能となる。
たウェーハは、先ずガイドによって中央に挿入され、下
部より供給された液体が導入孔から噴出するするから、
ウェーハの面に対して小さな鋭角をもった水流がウェー
ハのパターン面に沿って流れるので、ウェーハのパター
ン面に付着している物は全て洗い流され、背面研磨装置
にロードされるウェーハのパターン面には異物が存在し
なくなるので、パターン面が損傷を受けたり、ウェーハ
にマイクロクラックを生じさせることがなくなり、良質
の半導体ウェーハを得ることが可能となる。
以下第１図について本発明の一実施例を説明する。
第１図にに示すように本発明の中間ステージは排水管７
を設けた外槽５の中に、スペーサ６を介して周囲にガイ
ド３を６個所に設けた内槽４を設置した構造を有してお
り、ウェーハ１の表面に水を吹きつける導入孔２が内槽
４の中心部に設けられている。
を設けた外槽５の中に、スペーサ６を介して周囲にガイ
ド３を６個所に設けた内槽４を設置した構造を有してお
り、ウェーハ１の表面に水を吹きつける導入孔２が内槽
４の中心部に設けられている。
水洗用の水は、図示のように外槽５を貫通する管によっ
て内槽４の中心部に設けた導入部に供給され、ウェーハ
１の面に対して鋭い鋭角をもって穿孔加工された導入孔
２を通って噴出し、内槽４の縁からオーバーフローして
外槽５の中にこぼれ落ち、排水管７から排出される。
て内槽４の中心部に設けた導入部に供給され、ウェーハ
１の面に対して鋭い鋭角をもって穿孔加工された導入孔
２を通って噴出し、内槽４の縁からオーバーフローして
外槽５の中にこぼれ落ち、排水管７から排出される。
なお、水の流れを安定させるために、内槽４の底に水ぬ
き孔４ａを設けて水を少しづつ流している。
き孔４ａを設けて水を少しづつ流している。
図示しないウェーハキャリアからこの中間ステージに供
給されるウェーハ１は、ガイド３に設けた入り勾配によ
って正しく中心部にガイドされて水面に載せられる。
給されるウェーハ１は、ガイド３に設けた入り勾配によ
って正しく中心部にガイドされて水面に載せられる。
このウェーハ１の面に噴出された水流によってウェーハ
１は回転させられると同時にウェーハ１の面に付着した
異物が洗い流される。
１は回転させられると同時にウェーハ１の面に付着した
異物が洗い流される。
このように背面研磨装置にロードする前に、ウェーハ１
を位置決めすると同時に水流によって水洗することによ
り、背面研磨装置にて研磨加工する際に、ウェーハ１表
面のパターンに損傷を与えたり、ウェーハ１にマイクロ
クラックを生じさせないようにすることが可能となる。
を位置決めすると同時に水流によって水洗することによ
り、背面研磨装置にて研磨加工する際に、ウェーハ１表
面のパターンに損傷を与えたり、ウェーハ１にマイクロ
クラックを生じさせないようにすることが可能となる。
以上説明したように本発明によれば、極めて簡単な構造
の水洗式中間ステージを用いることにより、背面研磨加
工時にウェーハのパターン面が損傷を受けたり、ウェー
ハにマイクロクラックを生じさせることがなくなる等の
利点があり、著しい経済的及び、信頼性向上の効果が期
待でき工業的に極めて有用である。
の水洗式中間ステージを用いることにより、背面研磨加
工時にウェーハのパターン面が損傷を受けたり、ウェー
ハにマイクロクラックを生じさせることがなくなる等の
利点があり、著しい経済的及び、信頼性向上の効果が期
待でき工業的に極めて有用である。
第１図は本発明による一実施例を示す図、第２図は従来
の中間ステージを示す図、である。 図において、 １はウェーハ、 ２は導入孔、 ３はガイド、 ４は内槽、 ４ａは水ぬき孔、 ５は外槽、 ６はスペーサ、 ７は排水管、 を示す。 ＋ａ＋ 平 面 図 本発明による一実ｊ％例を示す図 第 １ 図
の中間ステージを示す図、である。 図において、 １はウェーハ、 ２は導入孔、 ３はガイド、 ４は内槽、 ４ａは水ぬき孔、 ５は外槽、 ６はスペーサ、 ７は排水管、 を示す。 ＋ａ＋ 平 面 図 本発明による一実ｊ％例を示す図 第 １ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ウェーハプロセスが完了したウェーハを、背面研磨装置
にロードする際に用いる中間ステージであって、 洗浄液を導入する導入孔（２）と、 ウェーハ（１）挿入時のガイド（３）と、 を備えたことを特徴とする水洗式中間ステージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62011072A JPH0624202B2 (ja) | 1987-01-20 | 1987-01-20 | 水洗式中間ステ−ジ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62011072A JPH0624202B2 (ja) | 1987-01-20 | 1987-01-20 | 水洗式中間ステ−ジ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63178531A true JPS63178531A (ja) | 1988-07-22 |
| JPH0624202B2 JPH0624202B2 (ja) | 1994-03-30 |
Family
ID=11767775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62011072A Expired - Lifetime JPH0624202B2 (ja) | 1987-01-20 | 1987-01-20 | 水洗式中間ステ−ジ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0624202B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02721U (ja) * | 1988-06-14 | 1990-01-05 | ||
| JPH0224537U (ja) * | 1988-08-01 | 1990-02-19 | ||
| US5517711A (en) * | 1993-08-05 | 1996-05-21 | Byong Duk Choi | Toothbrush |
| KR100304706B1 (ko) * | 1999-06-16 | 2001-11-01 | 윤종용 | 화학기계적 연마장치 및 연마 헤드 내부의 오염 물질 세척방법 |
| JP2005019439A (ja) * | 2003-06-23 | 2005-01-20 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ受渡し方法、ウェーハ受渡し装置及びそれを用いたウェーハ加工装置 |
| US8500916B2 (en) | 2004-11-05 | 2013-08-06 | HGST Netherlands B.V. | Method for aligning wafers within wafer processing equipment |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5258458A (en) * | 1975-11-10 | 1977-05-13 | Hitachi Ltd | Spinner cleaning and drying mechanism |
-
1987
- 1987-01-20 JP JP62011072A patent/JPH0624202B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5258458A (en) * | 1975-11-10 | 1977-05-13 | Hitachi Ltd | Spinner cleaning and drying mechanism |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02721U (ja) * | 1988-06-14 | 1990-01-05 | ||
| JPH0224537U (ja) * | 1988-08-01 | 1990-02-19 | ||
| US5517711A (en) * | 1993-08-05 | 1996-05-21 | Byong Duk Choi | Toothbrush |
| US5538410A (en) * | 1993-08-05 | 1996-07-23 | Byong Duk Choi | Toothbrush body preform molding device and toothbrush body preform to be provided with buffer cap |
| KR100304706B1 (ko) * | 1999-06-16 | 2001-11-01 | 윤종용 | 화학기계적 연마장치 및 연마 헤드 내부의 오염 물질 세척방법 |
| JP2005019439A (ja) * | 2003-06-23 | 2005-01-20 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ受渡し方法、ウェーハ受渡し装置及びそれを用いたウェーハ加工装置 |
| US8500916B2 (en) | 2004-11-05 | 2013-08-06 | HGST Netherlands B.V. | Method for aligning wafers within wafer processing equipment |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0624202B2 (ja) | 1994-03-30 |
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