JPS62156659A - 洗浄方法及び装置 - Google Patents

洗浄方法及び装置

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Publication number
JPS62156659A
JPS62156659A JP60298444A JP29844485A JPS62156659A JP S62156659 A JPS62156659 A JP S62156659A JP 60298444 A JP60298444 A JP 60298444A JP 29844485 A JP29844485 A JP 29844485A JP S62156659 A JPS62156659 A JP S62156659A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cleaning
tank
liquid chemical
article
chemical solution
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60298444A
Other languages
English (en)
Inventor
Takumi Sugiura
匠 杉浦
Terutaka Sawara
佐原 輝隆
Tadashi Yamazaki
山崎 征
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Plant Technologies Ltd
Original Assignee
Hitachi Plant Technologies Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Plant Technologies Ltd filed Critical Hitachi Plant Technologies Ltd
Priority to JP60298444A priority Critical patent/JPS62156659A/ja
Publication of JPS62156659A publication Critical patent/JPS62156659A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産1上坐皿且分立 本発明は、薄片状物品の湿式洗浄に係り、特に薄片状物
品の表面に付着する異物を極微量まで低減する目的で行
う物品の洗浄方法及び装置に関する。
なお、本明細書において、薬液とは、酸、アルカリ等の
薬品及び/又は洗剤を含み、物品の表面に付着する異物
を除去する作用を有する液を意味するものとする。
従来生技玉 半導体ウェーハ、フォトマスク用或いは液晶用ガラス基
板、磁気ディスク、光ディスク及び各種光学用レンズ等
の薄片状物品では、その表面の僅かな汚れも製品の歩留
りや性能に著しいK”lを与えるため、非常に精密かつ
高度な洗浄が必要とされている。
従来使用されている洗浄装置の一例を第3図に従って説
明する。第3図に示した装置では、薬液洗浄槽1に隣接
して段階状に4個の流水洗浄槽が配設されており、薄片
状被洗浄物品6は整列治具5によって保持され、整列治
具5は(般送用ハンドル4に把持されている。7.11
.13及び15はそれぞれ第一、第二、第三及び第四洗
浄槽であり、8.10.12及び14は各々オーバーフ
ロー室であり、各洗浄槽底部には、整流板9が設けであ
る。
薬液洗浄槽1には、薬液供給口2から薬液が供給され、
洗浄後には、薬液排出口3から薬液が排出される。整列
治具5に保持された被洗浄物品6は、まず、洗浄薬液の
満たされた薬液洗浄槽1に浸漬され、所定時間洗浄処理
を行った後、破線で示したように引き上げられ、一定流
量純水を流す流水洗浄槽に移される。被洗浄物品6は、
流水洗浄槽で第一洗浄槽7から第二洗浄槽11、第三洗
浄槽13、第四洗浄槽15へと下流側から上流側へと順
次、所定時間ずつ浸漬洗浄された後、次工程に移送され
る。これらの移送は、人手又は機械的な搬送により行わ
れる。
き口  < ηIt     ”   、    1、
U 占しかしながら、従来の装置では、液面が壁面と同
様の作用を及ぼし、槽内の整流化を妨げるので、整列治
具及び被洗浄物品に付着していたtηれが水槽内に徐々
に蓄積し、浸漬時に整列治具の上部の液面に浮上異物が
滞留し、整列治具を引き上げた時にこれらの異物が被洗
浄物品の表面に再付着してしまう。また、水洗漕のスペ
ースが大ぎく、装置のコンパクト化の妨げ止なる等の問
題点があった。
従って、本発明の目的は、前記の従来技術の問題点を解
決し、異物付着を極微量まで低減できる洗浄方法及びそ
のためのコンパクトな装置を提供することにある。
岡且夛 ”ン るための 又 本発明は、上部に4面オーバーフロー機構を有し、底部
中央に薬液及びリンス液の供給口及び排水口を有する物
品洗浄槽をただ1個使用して薬液洗浄及びリンスを順次
行うことによって前記の問題点を解決したものである。
即ち、本発明による洗浄方法は、(i)被洗浄物品を物
品洗浄槽内に搬入した後、(ii )物品洗浄用の薬液
を洗浄槽内に流入させ、一定時間浸漬し、(iii )
次いで、薬液を槽底中央に設けた供給口から所定上向流
速で流入させ、その一定量をオーバーフローさせ、(i
v)洗浄用薬液全量を槽底ドレンから排出させた後、(
v)同様に市水、純水及び超純水等のリンス液を使用し
て上記(ii)〜(iv)の操作を必要回数繰り返し、
(vi)必要に応じて他の薬液を用いて上記(i)〜(
v)の操作を行うことを特徴とする。
本発明方法を実施する装置は、上部に4面オーバーフロ
ー機構、底部中央に洗浄用薬液及びリンス液供給口及び
排水口を有する物品洗浄槽、薬液を過供給装置及び電動
機器類を電気的に制御する自動制御装置を有することを
特徴とする。
リンス液としては、市水、純水及び超純水等、その都度
、適宜選択使用することができる。
−作月一 槽の底部中央に薬液及びリンス液の供給口を設け、集中
流入方式としたことによりオーバーフロー洗浄の際に、
液面の流速が増加し、整列冶具上部に滞留する浮上異物
のオーバーフロー排出が促進される。また、オーバーフ
ロー室は槽の4面に設けられているので、槽のどこから
でもオーバーフローし、異物が蓄積しない。更に、間欠
的に全量排水を行うことにより、洗浄槽内の汚れの蓄積
が防止される。
1隻皿 次に、本発明を実施例に基づいて詳述するが、本発明は
これに限定されるものではない。
第1図は、本発明の物品洗浄装置の一実施例を示す断面
図である。第1図において、18は、洗浄用薬液及び純
水を順次充填し、被洗浄物品を洗浄する物品洗浄槽であ
り、その上部には、オーハロフロー液を受けるためのオ
ーバーフロー室17が設けられている。このオーバーフ
ロー室17は、物品洗浄槽18の4面を包囲し、物品洗
浄槽18の壁のどこからでもオーバーフローできるよう
になっている。物品洗浄槽18の底部には、薬液及び純
水の供給口19及び排水口20が設けられており、ライ
ン切替バルブ21及び25により薬液又は純水を供給、
排出する。純水は純水供給ライン22から供給される。
薬液は薬液貯槽24からポンプP及びフィルタFからな
る一過供給装置23を通って物品洗浄槽18に循環供給
できるように構成されている。
第1図に示した装置を用いた洗浄例を第2図のタイムチ
ャートに従って次に説明する。
まず、整列治具5に保持された被洗浄物品6が前工程か
ら移送される間に薬液(例えば、NH。
OH)が物品洗浄槽18に充填される。次に、薬液の満
たされた物品洗浄槽18に被洗浄物品6が1般入され、
槽底部中央の供給口19より、所定上向流速(例えば1
5cm/mu以上)で薬液が供給される。薬液を槽上部
からオーバーフロー室17ヘオーハーフローさせながら
循環させ、洗浄が行われる。この洗浄を一定時間(例え
ば3分間から5分間)行った後、薬液の供給を停止し、
槽底部の排出口20から薬液を排出させ、薬液貯槽24
に戻す。この時、ライン切替バルブ21及び25は薬液
循環側になっている。
次に、ライン切替バルブ21を純水供給側に、ライン切
替バルブ25は排水側に切り替え、槽底部中央の供給口
19より純水を物品洗浄槽18に流入させ、槽内に充虜
し、続いて所定上向流速(例えば15cm/am以上)
で一定時間(例えば3分間から5分間)純水を供給し、
オーバーフロー室17ヘオーバーフローさせ、排水し、
洗浄を行う。
その後、純水の供給を止め、槽底部の排水口20から全
槽内液を排水した後、再び純水を供給し、前記と同様の
純水洗浄を繰り返す。この一連の洗浄が終了したら、整
列冶具5に保持された被洗浄物品6を引き上げ、次工程
に移送する。
整列治具及び被洗浄物品の移送やライン切替バルブの切
替等は、人手で行ってもよいが、自動制御装置によって
機械的に行うこともできる。
更に、洗浄槽側面に超音波振動子を設け、洗浄時に被洗
浄物品に超音波振動を加えてもよいし、揺動やバブリン
グを併用してもよい。また、必要に応じて、純水洗浄の
繰り返し回数を増加することができる。
発肌夏訣果 本発明によれば、整列治具上部に滞留する浮上異物を迅
速に除去でき、水槽内の汚れの蓄積を防止できるので、
洗浄効果は数倍向上し、そのため洗浄時間の短縮、使用
水量の低減が可能となる。
更に、単一槽で洗浄を行えるので、省スペースとなると
いう利点もある。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明に係る物品洗浄装置の一実施例を示す
断面図、第2図はそのタイムチャートであり、第3図は
従来の洗浄装置を示す断面図である。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)半導体ウェーハ、フォトマスク用ガラス等の薄片
    状物品の湿式洗浄方法において、(i)被洗浄物品を物
    品洗浄槽内に搬入した後、(ii)物品洗浄用の薬液を
    洗浄槽内に流入させ、一定時間浸漬し、(iii)次い
    で、薬液を槽底中央に設けた供給口から所定上向流速で
    流入させ、その一定量をオーバーフローさせ、(iv)
    洗浄用薬液全量を槽底ドレンから排出させた後、(v)
    同様に市水、純水及び超純水等のリンス液を使用して上
    記(ii)〜(iv)の操作を必要回数繰り返し、(v
    i)必要に応じて他の薬液を用いて上記(i)〜(v)
    の操作を行うことを特徴とする洗浄方法。
  2. (2)上部に4面オーバーフロー機構、底部中央に洗浄
    用薬液及びリンス液供給口及び排水口を有する物品洗浄
    槽、薬液濾過供給装置及び電動機器類を電気的に制御す
    る自動制御装置を有することを特徴とする洗浄装置。
JP60298444A 1985-12-27 1985-12-27 洗浄方法及び装置 Pending JPS62156659A (ja)

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02146428U (ja) * 1989-05-15 1990-12-12
JPH03159123A (ja) * 1989-11-16 1991-07-09 Mitsubishi Materials Corp 半導体ウエーハの洗浄方法
JP2002158361A (ja) * 2000-11-22 2002-05-31 Nec Kagoshima Ltd 薄膜トランジスタの製造方法
CN101773915A (zh) * 2010-01-20 2010-07-14 常州亿晶光电科技有限公司 太阳能电池硅片多级循环清洗设备
CN102580945A (zh) * 2012-03-09 2012-07-18 昆山亿富达电子有限公司 溢流水洗装置
CN103934229A (zh) * 2014-03-19 2014-07-23 卡帕亚洲科技(嘉善)有限公司 一种高低位清洗池

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