JPS58161328A - 薄片状物品の洗浄装置 - Google Patents
薄片状物品の洗浄装置Info
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- JPS58161328A JPS58161328A JP4260882A JP4260882A JPS58161328A JP S58161328 A JPS58161328 A JP S58161328A JP 4260882 A JP4260882 A JP 4260882A JP 4260882 A JP4260882 A JP 4260882A JP S58161328 A JPS58161328 A JP S58161328A
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は物品の洗浄装置に係り、臀に薄片状物品の洗浄
装置に関する。
装置に関する。
半導体装置等の製造プロセスでは、通常酸化膜形成、不
純物拡散、気相成長等高温度（４００〜１２００ｔｌ：
’）の熱処理工程が多数回繰り返し行なわれる。この場
合、半導体装置を形成する素材薄片（通常直径５０〜１
５ｏＵ、厚さ０．３〜１． Ｏｔｒａｒの円板状薄片：
ウェハ）表面に付着している不純物や汚れ等は、熱処理
中にウェハと不必要な化学反応をしたり、捷たウェハ内
部に拡散し、その結果、結晶欠陥の導入、キャリヤライ
フタイムの低下、異常拡散、素子パターンの損傷等素子
製作上致命的な悪影響の原因となっている。このため、
ウェハは前述した熱処理工程の直前に薬液や純水等で洗
浄し、表面に付着する金属類、有機物、ダスト、薬品残
渣等の汚れを除去する方法がとられている。
純物拡散、気相成長等高温度（４００〜１２００ｔｌ：
’）の熱処理工程が多数回繰り返し行なわれる。この場
合、半導体装置を形成する素材薄片（通常直径５０〜１
５ｏＵ、厚さ０．３〜１． Ｏｔｒａｒの円板状薄片：
ウェハ）表面に付着している不純物や汚れ等は、熱処理
中にウェハと不必要な化学反応をしたり、捷たウェハ内
部に拡散し、その結果、結晶欠陥の導入、キャリヤライ
フタイムの低下、異常拡散、素子パターンの損傷等素子
製作上致命的な悪影響の原因となっている。このため、
ウェハは前述した熱処理工程の直前に薬液や純水等で洗
浄し、表面に付着する金属類、有機物、ダスト、薬品残
渣等の汚れを除去する方法がとられている。
近年、ＬＳＩのように素子パターンが微細化するに従っ
て、前述の汚染領域が数μｍ以下の微少領域であっても
構成素子−個の不良がチップ全体（約数１０ｍ”）の不
良を招くことから製品歩留りを大きく左右するようにな
って来た。このため、ウェハ汚染の問題は前述した高温
熱処理工程のみならずリソグラフィの工程や金属薄膜の
形成工程等常温ないし比較的低温（４００〜１ｏｏｏｃ
）の工程においても重要な問題になって来ている。
て、前述の汚染領域が数μｍ以下の微少領域であっても
構成素子−個の不良がチップ全体（約数１０ｍ”）の不
良を招くことから製品歩留りを大きく左右するようにな
って来た。このため、ウェハ汚染の問題は前述した高温
熱処理工程のみならずリソグラフィの工程や金属薄膜の
形成工程等常温ないし比較的低温（４００〜１ｏｏｏｃ
）の工程においても重要な問題になって来ている。
第１図は従来の酸化、拡散等一般的な熱処理工程におけ
るシリコンウェハ洗浄方法のフローチャートを示す。ま
ずウェハ會弗酸に浸漬し表面に形成されている自然酸化
膜をエツチング除去すると共に付着したダスト等も除去
する。次に水洗した後硝酸液に浸漬し金属類の汚染を溶
解除去する。
るシリコンウェハ洗浄方法のフローチャートを示す。ま
ずウェハ會弗酸に浸漬し表面に形成されている自然酸化
膜をエツチング除去すると共に付着したダスト等も除去
する。次に水洗した後硝酸液に浸漬し金属類の汚染を溶
解除去する。
最後に水洗した後回転乾燥法等で水切りし乾燥する。
以上の操作は通常第２図（→に示すように、ウェハ１を
一定数つエバカートリッジ２に収納して、弗酸の槽３ａ
に浸漬する。所定時間の浸漬を終えた後カートリッジ２
を引き上げ純水の槽３ｂに移し水洗する。同様にし、硝
酸槽３Ｃ浸漬、純水槽３ｄで水洗した後ウェハ１をカー
トリッジ２ごと第２図（ｂ）に示す回転乾燥装置４に移
しスピン乾燥する。この場合、洗浄効果を高めるため水
洗槽に超音波振動子５を取付は超音波洗浄を行なう場合
もある。
一定数つエバカートリッジ２に収納して、弗酸の槽３ａ
に浸漬する。所定時間の浸漬を終えた後カートリッジ２
を引き上げ純水の槽３ｂに移し水洗する。同様にし、硝
酸槽３Ｃ浸漬、純水槽３ｄで水洗した後ウェハ１をカー
トリッジ２ごと第２図（ｂ）に示す回転乾燥装置４に移
しスピン乾燥する。この場合、洗浄効果を高めるため水
洗槽に超音波振動子５を取付は超音波洗浄を行なう場合
もある。
しかしながら、従来洗浄法には■洗浄液からウェハを一
旦引き上げ別の洗浄液に移すため、ウェハは液面浮遊異
物や大気中異物の汚染を受は易い。
旦引き上げ別の洗浄液に移すため、ウェハは液面浮遊異
物や大気中異物の汚染を受は易い。
■ウェハを多数枚カートリッジに保持し洗浄することか
らウェハ位置によシ、また洗浄槽の液のよどみ等によシ
ウエハ内２間で洗浄の不均一が生じ易い。■超音波振動
が樹脂性カートリッジに吸収され弱まるためウェハに対
する洗浄効果が小さい。
らウェハ位置によシ、また洗浄槽の液のよどみ等によシ
ウエハ内２間で洗浄の不均一が生じ易い。■超音波振動
が樹脂性カートリッジに吸収され弱まるためウェハに対
する洗浄効果が小さい。
■操作がバッチ式であるため連続化が困難である。
■洗浄液の使用量が多い。■カートリッジは樹脂性でダ
ストが静電付着し易く、このためウェハ汚染も生じ易い
。■カートリッジを使用することから工程間の移し替え
時にウェハ沿面破損等による汚染も生じ易いなどの欠点
がある。
ストが静電付着し易く、このためウェハ汚染も生じ易い
。■カートリッジを使用することから工程間の移し替え
時にウェハ沿面破損等による汚染も生じ易いなどの欠点
がある。
最近、ウェハ直径が大口径φ１００〜１５０闘化するに
従って各工程の枚葉処理化が検討されつつおる中で、前
述した従来のウェハ洗浄法の改善はよシ重要な昧題とな
りつつある。
従って各工程の枚葉処理化が検討されつつおる中で、前
述した従来のウェハ洗浄法の改善はよシ重要な昧題とな
りつつある。
本発明の目的は、前述した従来洗浄方法の欠点を解消し
、被洗浄物表面に不純物、異物、汚れなどの付着の生じ
ない洗浄装置を提供するにある。
、被洗浄物表面に不純物、異物、汚れなどの付着の生じ
ない洗浄装置を提供するにある。
本発明洗浄装置の％徴とするところは、異種の洗浄液槽
の間に異種の洗浄液のいずれも供給及び排出可能な中間
槽を設け、それぞれの検量を開閉可能な隔離壁（ゲート
）によシ分離したことである。
の間に異種の洗浄液のいずれも供給及び排出可能な中間
槽を設け、それぞれの検量を開閉可能な隔離壁（ゲート
）によシ分離したことである。
他の％徴とするところは、洗浄槽間の被洗浄物の移送を
ゲートの開閉及び、中間槽における洗浄液の交換操作に
よって外気に晒すことなく行うことである。この方法は
竹に疎水性表面を持つ薄片の洗浄において効果が顕著に
示される。
ゲートの開閉及び、中間槽における洗浄液の交換操作に
よって外気に晒すことなく行うことである。この方法は
竹に疎水性表面を持つ薄片の洗浄において効果が顕著に
示される。
更に別な特徴は、洗浄槽底部に設けた噴出孔よシ洗浄液
を供給し、その一部を中央部分に設けたドレイン口より
排出するにある。このような方法によれば被洗浄物を液
中において浮上状態を保つと共に停止状態にできること
から、洗浄治具を使用する必要がなくなる。
を供給し、その一部を中央部分に設けたドレイン口より
排出するにある。このような方法によれば被洗浄物を液
中において浮上状態を保つと共に停止状態にできること
から、洗浄治具を使用する必要がなくなる。
更に別な特徴は、被洗浄物を液中浮上、停止状態で超音
波洗浄を行うにある。被洗浄物によや直接的に超音波振
動が伝わシ洗浄効果を大きくできる。
波洗浄を行うにある。被洗浄物によや直接的に超音波振
動が伝わシ洗浄効果を大きくできる。
更に別な特徴は洗浄後の被洗浄物の乾燥は乾燥直前まで
外気に晒すことなく行うにある。
外気に晒すことなく行うにある。
以下、本発明を第３図から第５図に従って説明する。
第３図は本発明の洗浄装置の構成説明図である。
１は被洗浄物としてのシリコンタエバ、６はウェハ移送
装置、３は洗浄槽である。洗浄槽３は開閉可能なゲート
７で三つの槽３−１．３−２．３−３に区切られている
。洗浄槽３−３には超音波ホーン５が設置されている。
装置、３は洗浄槽である。洗浄槽３は開閉可能なゲート
７で三つの槽３−１．３−２．３−３に区切られている
。洗浄槽３−３には超音波ホーン５が設置されている。
第４図は洗浄槽の断面拡大図、第６図は斜視図である。
８は洗浄液の噴出孔、９は洗浄液のドレインである。噴
出孔８とドレイン９にはそれぞれ第４図のように配管１
０が接続され、矢印の方向に洗浄液が供給、排出されて
いる。また、それぞれのｊｉｉｊ流量計１１とニードル
バルブ１２で調節されている。１３．１４はそれぞれ供
給側及び排水側切替バルブである。
出孔８とドレイン９にはそれぞれ第４図のように配管１
０が接続され、矢印の方向に洗浄液が供給、排出されて
いる。また、それぞれのｊｉｉｊ流量計１１とニードル
バルブ１２で調節されている。１３．１４はそれぞれ供
給側及び排水側切替バルブである。
１５．１６に薬液及び純水の貯槽、１７は供給ポンプを
示す。１８は各洗浄槽３−１．３−２．３−３に対応す
るオーバフロー受槽である。受槽１８で受けた液はドレ
イン９と合流する。１９は回転乾燥装置、２０は乾燥装
置水槽、２１は純水供給バルブ、２２は排水バルブ、２
３はオーバフロー排水口である。２４はウェハの搬送ベ
ルト、２５はウェハのアンローダアームである。また、
第５図の２６はウェハ移送装置ガイド溝である。
示す。１８は各洗浄槽３−１．３−２．３−３に対応す
るオーバフロー受槽である。受槽１８で受けた液はドレ
イン９と合流する。１９は回転乾燥装置、２０は乾燥装
置水槽、２１は純水供給バルブ、２２は排水バルブ、２
３はオーバフロー排水口である。２４はウェハの搬送ベ
ルト、２５はウェハのアンローダアームである。また、
第５図の２６はウェハ移送装置ガイド溝である。
次に具体的なウエノ・洗浄方法について説明する。
まず、ウェハ１は搬送ベルト２４によって、まず３−１
に投入される。槽３−１にはポンプ１７によって貯槽１
５の薬液が噴出孔８よシ供給され、この洗浄液はドレイ
ン９から、まだ、洗浄槽上部からオーバフローし受槽１
８を通って再び貯槽１５に戻る。この時、洗浄槽３−１
中のウェハ１の状態と薬液の流れの状態を第４，５図に
示す。
に投入される。槽３−１にはポンプ１７によって貯槽１
５の薬液が噴出孔８よシ供給され、この洗浄液はドレイ
ン９から、まだ、洗浄槽上部からオーバフローし受槽１
８を通って再び貯槽１５に戻る。この時、洗浄槽３−１
中のウェハ１の状態と薬液の流れの状態を第４，５図に
示す。
噴出孔８からの噴出量と、ドレイン９からのドレイン量
をニードルバルブ１２と流量計１１−で調節し最適に選
ぶことによってウェハ１に浮力を与えることができ、ま
た、ドレイン９に向う液の流れによってウェハ１の中心
とドレイン９の中心が一致する位ｆｉｉＫ’７エハ１を
停止状態にすることができる。このため、洗浄治具を使
用する必要がない。
をニードルバルブ１２と流量計１１−で調節し最適に選
ぶことによってウェハ１に浮力を与えることができ、ま
た、ドレイン９に向う液の流れによってウェハ１の中心
とドレイン９の中心が一致する位ｆｉｉＫ’７エハ１を
停止状態にすることができる。このため、洗浄治具を使
用する必要がない。
槽３−１で所定時間洗浄したウェハ１は３−１と槽３−
２間のゲート７を開はウェハ移送装置６によって中間の
槽３−２に移される。移送装置６は洗浄槽底部のガイド
１１１２６に沿って移動するためウェハの移送ミスは生
じない。槽３−２には槽３−１と同様に、切替バルブ１
３によって貯槽１５の薬液が循環されている。以上のよ
うにしてウェハ１を槽３−２に移送すると同時に槽３−
１と槽３−２間のゲート７を閉じ、次いでバルブ１３を
切９替え槽３−２には貯槽１６の純水を供給し薬液を置
換する。この場合、噴出孔からの液の供給は途切れるこ
とがなく、ウエノ・１の液中浮上状態は保たれているこ
とは言うまでもない。また、排水側切替バルブ１４は純
水供給と同時に薬液貯槽１５側が閉じられるため薬液槽
１５への純水の混入はない。
２間のゲート７を開はウェハ移送装置６によって中間の
槽３−２に移される。移送装置６は洗浄槽底部のガイド
１１１２６に沿って移動するためウェハの移送ミスは生
じない。槽３−２には槽３−１と同様に、切替バルブ１
３によって貯槽１５の薬液が循環されている。以上のよ
うにしてウェハ１を槽３−２に移送すると同時に槽３−
１と槽３−２間のゲート７を閉じ、次いでバルブ１３を
切９替え槽３−２には貯槽１６の純水を供給し薬液を置
換する。この場合、噴出孔からの液の供給は途切れるこ
とがなく、ウエノ・１の液中浮上状態は保たれているこ
とは言うまでもない。また、排水側切替バルブ１４は純
水供給と同時に薬液貯槽１５側が閉じられるため薬液槽
１５への純水の混入はない。
ウェハ１は所定時間の純水置換が終ると槽３−２と槽３
−３間のゲート７を開は移送装置６で常に純水が供給さ
れている槽３−３に移送される。
−３間のゲート７を開は移送装置６で常に純水が供給さ
れている槽３−３に移送される。
以上説明した方法によってウェハ１は外気に接すること
なく、また、洗浄治具を使用することなく薬液槽から純
水槽に移送される。
なく、また、洗浄治具を使用することなく薬液槽から純
水槽に移送される。
一方、槽３−２の純水にバルブ１３．１４の切替によっ
て純水が排水された後、次のウェハ１の移送を待つため
再び薬液槽１５の薬液が供給される。
て純水が排水された後、次のウェハ１の移送を待つため
再び薬液槽１５の薬液が供給される。
純水槽の槽３−３で液中浮上・停止状態のウェハは更に
槽３−３において超音波洗浄される。超音波振動子５は
槽３−３ｉ面近傍に設置されているため９エバに槽底部
と振動子との間で超音波洗（９） 浄される。この場合、振動子５は構造上杵されるなら液
面近傍に限られるものではない。この結果、超音波振動
は直接的にウェハに伝９、ウェハ１表面に強固に付着す
る異物を除くことができる。
槽３−３において超音波洗浄される。超音波振動子５は
槽３−３ｉ面近傍に設置されているため９エバに槽底部
と振動子との間で超音波洗（９） 浄される。この場合、振動子５は構造上杵されるなら液
面近傍に限られるものではない。この結果、超音波振動
は直接的にウェハに伝９、ウェハ１表面に強固に付着す
る異物を除くことができる。
超音波洗浄の後、ウェハ１は槽３−３で更に水洗され、
次にゲート７を開はスピン乾燥装置１９のウェハ収納部
に移送される。この時、スピン乾燥装置１９には純水供
給口２１より純水がウェハ収納部分の高さ以上に満たさ
れ、オーバフロー排水口２３から排水されているためウ
ェハ１の外気は接しない。ウェハ１がスピン乾燥装置１
９のウェハ収納部に収納されるとゲート７を閉じ、また
給水バルブ２１を閉じ、排水バルブ２２を開はスピン乾
燥装［１９の水！！１１２０内の純水を一度に排水する
。同時に乾燥装置１９を回転しウェハ１をスピン乾燥す
る。この場合、ウェハ１を第３図に示すように回転部分
の間隙に収納しスピン乾燥するため、水滴の躍ね返ｐに
よるウェハ１の再汚染全低減できる。
次にゲート７を開はスピン乾燥装置１９のウェハ収納部
に移送される。この時、スピン乾燥装置１９には純水供
給口２１より純水がウェハ収納部分の高さ以上に満たさ
れ、オーバフロー排水口２３から排水されているためウ
ェハ１の外気は接しない。ウェハ１がスピン乾燥装置１
９のウェハ収納部に収納されるとゲート７を閉じ、また
給水バルブ２１を閉じ、排水バルブ２２を開はスピン乾
燥装［１９の水！！１１２０内の純水を一度に排水する
。同時に乾燥装置１９を回転しウェハ１をスピン乾燥す
る。この場合、ウェハ１を第３図に示すように回転部分
の間隙に収納しスピン乾燥するため、水滴の躍ね返ｐに
よるウェハ１の再汚染全低減できる。
スピン乾燥を終えたウェハ１はアンローダ２５（１０）
のアーム先端の真空チャックにより回転乾燥装置１９か
ら取り出され次の工程に送られる。
ら取り出され次の工程に送られる。
勿論、外気汚染を最少にするため本洗浄装置のうち第３
図破線部分は除塵された空気、または窒素等の不活性ガ
ス雰囲気内に隔離され、更にまた、薬液から発生するガ
スは専用ダクトによって排気されていることは言うまで
もない。
図破線部分は除塵された空気、または窒素等の不活性ガ
ス雰囲気内に隔離され、更にまた、薬液から発生するガ
スは専用ダクトによって排気されていることは言うまで
もない。
以上説明した半導体９エバの洗浄装置によれば■外気に
接することなくウェハを異種類の洗浄液槽間移送できる
、０枚葉処理することによシクエハの均一な洗浄ができ
る、■洗浄用カートリッジが不要となりウェハのチッピ
ング等を生じない、■超音波洗浄の効来が高まる、など
の理由から洗浄後のウェハ表面異物付着数を従来の洗浄
装置に比べて大幅に低減できる。
接することなくウェハを異種類の洗浄液槽間移送できる
、０枚葉処理することによシクエハの均一な洗浄ができ
る、■洗浄用カートリッジが不要となりウェハのチッピ
ング等を生じない、■超音波洗浄の効来が高まる、など
の理由から洗浄後のウェハ表面異物付着数を従来の洗浄
装置に比べて大幅に低減できる。
また、本発明によれは枚葉処理方式であることから大口
径ウェハの洗浄ヤ、工程間の連続化が容易になる。更に
、洗浄槽容積を小さくできることから薬液の使用量を低
減することが可能など別な利点を得ることができる。
径ウェハの洗浄ヤ、工程間の連続化が容易になる。更に
、洗浄槽容積を小さくできることから薬液の使用量を低
減することが可能など別な利点を得ることができる。
（１１）
以上の説明では洗浄液が二種類の場合について説明した
。二種類以上の場合には槽３−３全別な薬液とし、また
、槽３−２に切替パルプによって三種類の洗浄液を供給
可能（薬液Ａ−＋純水純水液薬液な構造とすれば容易に
拡張できる。勿論、力ｌえた洗浄槽の後には２つの槽、
乾燥装置の接続が必要となる。但し、中間槽での水洗全
十分に行い、また、超音波洗浄を中間槽で行えば乾燥装
置直前の洗浄槽は省くことも可能である。
。二種類以上の場合には槽３−３全別な薬液とし、また
、槽３−２に切替パルプによって三種類の洗浄液を供給
可能（薬液Ａ−＋純水純水液薬液な構造とすれば容易に
拡張できる。勿論、力ｌえた洗浄槽の後には２つの槽、
乾燥装置の接続が必要となる。但し、中間槽での水洗全
十分に行い、また、超音波洗浄を中間槽で行えば乾燥装
置直前の洗浄槽は省くことも可能である。
本発明の説明は半導体ウェハの洗浄’ｋｆｌＪとして説
明したが他のいかなる材料の薄片等にも適用できる。
明したが他のいかなる材料の薄片等にも適用できる。
第１図は従来洗浄法のフローチャート、第２図は従来洗
浄方法の概略説明図、第３．４．５図は本発明の洗浄装
置を説明する几めの概略図である。 （１２）
浄方法の概略説明図、第３．４．５図は本発明の洗浄装
置を説明する几めの概略図である。 （１２）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■、薄片状物品を１個ずつ薬液ま′ｆＣ，は純水等で洗
浄し乾燥する洗浄装置において、該物品の洗浄槽底部に
洗浄液の噴出孔とドレインを設け、該物品を洗浄治具等
固体物質に触れることなく液中浮上・停止状態で洗浄す
ることを特徴とする薄片状物品の洗浄装置。 ２、特許請求の範囲第１項において、洗浄槽に超音波振
動子を設置し、該物品を成牛浮上停止状態において超音
波洗浄を行うことを特徴とする薄片状物品の洗浄装置。 ３、特許請求の範囲第１項或いは第２項において、洗浄
液の異なる洗浄槽間に前記両者の洗浄液の供給及び排出
可能な中間槽を設け、該洗浄槽を開閉可能なゲートで区
切った小金特徴とする薄片状物品の洗浄装置。 ４、特許請求の範囲第１項、第２項或いは第３項におい
て、洗浄槽と同一水位を保つことが可能な水槽を有する
該薄片の乾燥装置を接続し、該洗浄槽と乾燥装置とを開
閉可能なゲートで区切ったことを特徴とする薄片状物品
の洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4260882A JPS58161328A (ja) | 1982-03-19 | 1982-03-19 | 薄片状物品の洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4260882A JPS58161328A (ja) | 1982-03-19 | 1982-03-19 | 薄片状物品の洗浄装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58161328A true JPS58161328A (ja) | 1983-09-24 |
| JPS6347258B2 JPS6347258B2 (ja) | 1988-09-21 |
Family
ID=12640742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4260882A Granted JPS58161328A (ja) | 1982-03-19 | 1982-03-19 | 薄片状物品の洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58161328A (ja) |
Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| JPH07161673A (ja) * | 1993-12-08 | 1995-06-23 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄方法及び洗浄装置 |
| JP2012238833A (ja) * | 2011-04-27 | 2012-12-06 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
Families Citing this family (1)
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|---|---|---|---|---|
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| JPS4941800U (ja) * | 1972-07-13 | 1974-04-12 | ||
| JPS5332523U (ja) * | 1976-08-26 | 1978-03-22 | ||
| JPS55158634A (en) * | 1979-05-30 | 1980-12-10 | Fujitsu Ltd | Treating device for photo-mask, etc. |
-
1982
- 1982-03-19 JP JP4260882A patent/JPS58161328A/ja active Granted
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6347258B2 (ja) | 1988-09-21 |
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