JPS6347137B2 - - Google Patents

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JPS6347137B2
JPS6347137B2 JP56105521A JP10552181A JPS6347137B2 JP S6347137 B2 JPS6347137 B2 JP S6347137B2 JP 56105521 A JP56105521 A JP 56105521A JP 10552181 A JP10552181 A JP 10552181A JP S6347137 B2 JPS6347137 B2 JP S6347137B2
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JP
Japan
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tank
liquid
processing
treatment
wafer
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Application number
JP56105521A
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English (en)
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JPS587830A (ja
Inventor
Hironori Inoe
Michoshi Maki
Masahiro Wanami
Akira Kabashima
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP56105521A priority Critical patent/JPS587830A/ja
Priority to US06/396,031 priority patent/US4458703A/en
Publication of JPS587830A publication Critical patent/JPS587830A/ja
Publication of JPS6347137B2 publication Critical patent/JPS6347137B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04Cleaning involving contact with liquid
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S134/00Cleaning and liquid contact with solids
    • Y10S134/902Semiconductor wafer

Landscapes

  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Feeding Of Articles By Means Other Than Belts Or Rollers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は物品、特に半導体ウエハを塵埃等の付
着を防ぎつつ洗浄する方法およびそのための装置
に関する。
例えば半導体装置を製造する場合、出発材料で
ある半導体ウエハ(以下単にウエハ)の表面には
製造工程に従つて種々の熱処理が施される。代表
的な処理を挙げれば、熱酸化による酸化膜形成工
程、不純物拡散工程、エピタキシヤル成長層等の
気相成長工程等がある。
これらの処理が施されるウエハ表面は十分に清
浄であることが必要である。仮にウエハ表面に不
純物や塵埃、あるいは汚れが付着していた場合、
熱処理時にこれら不純物や塵埃、あるいは汚れを
構成する物質が半導体と不要の反応をしたり、半
導体中に拡散する恐れが生じる。その結果、半導
体中に結晶欠陥が導入されたり、半導体中のキヤ
リヤのライフタイムが低下したり、ウエハの主表
面と直角方向あるいは水平方向で異常拡散が生じ
る等の悪影響が出る。
上述したような悪影響を避けるために熱処理に
先立つて、従来からウエハを清浄雰囲気中で洗浄
した後、乾燥させる処理が行なわれている。この
洗浄処理は例えば次の工程により行なわれる。ま
ずウエハを希弗酸液に浸漬し、表面に形成された
自然酸化膜をエツチングで除去すると共に付着し
たダスト等をも除去する。次に水洗した後、濃硝
酸液に浸漬し金属類の汚染を溶解除去する。最後
に水洗し、その後回転乾燥法等で水切りし乾燥す
る。
以上の操作は通常第1図に示すように、ウエハ
1を一定数ウエハカートリツジ2に収納した状態
で各処理液槽31〜34に順次浸す、いわゆるバ
ツチ処理方式で行なわれている。すなわち、ま
ず、ウエハをウエハカートリツジ2に収納し、ウ
エハカートリツジごと洗浄槽3の弗酸槽31に浸
漬する。5は均一洗浄のために用いられた窒素ガ
スバブラーである。所定時間の浸漬を終えた後カ
ートリツジ2を槽外へ引き上げ第1の純水槽32
に移し水洗する。同様にして硝酸槽33に浸漬し
た後、第2の純水槽34で水洗をする。その後ウ
エハ1はカートリツジ2ごと洗浄槽3槽から槽外
へ引き上げられ、第2図に示す回転乾燥装置に移
され回転乾燥される。このような洗浄、乾燥処理
によれば、少なくともウエハ表面の自然酸化膜お
よび金属類の汚染の大半は除去し得る。
ところが近年、半導体装置の精密化、微細化が
進むに従つて、従来の洗浄法ではウエハ表面の清
浄化が未だ不十分であることが明らかになつた。
例えばIC、LSI等の製造工程においてウエハ表面
に描画される半導体素子のための各種パターンは
1μmのオーダーにもなつて来ている。そのため
に、従来問題視されなかつた微細な塵埃(例えば
直径が0.5〜1μm程度のもの)であつても、半導
体装置の特性に多大な悪影響を及ぼすのである。
この悪影響は上述したような高温処理のみなら
ず、例えばホトリソグラフイ処理時、微細配線膜
の蒸着時等、低温処理においても当然生じるもの
である。その結果、IC、LSI等の製造歩留りが著
しく低下していた。
同様の状況が、ゲートターンオフサイリスタ、
静電誘電型サイリスタ等、微細電極構造を有する
個別半導体装置においてもあてはまる。ゲートタ
ーンオフサイリスタ等では、主としてターンオフ
特性を向上させるために、カソード領域およびそ
の上に形成されるカソード電極を、それぞれが反
対導電型のゲート領域およびその上に形成される
ゲート電極に囲まれるように多数に分割して形成
される。そのために、同一主表面に露出するpn
接合部の長さが長くなり、塵埃の数が少ないとし
てもそれらがpn接合部に存在する確率が高くな
る。この種半導体装置では外部電極板等により分
割された全てのカソード電極を電気的に接続して
使用されるので、塵埃等により上述のpn接合の
1カ所でも不完全になれば、半導体装置全体が不
良となる。したがつて、この種半導体装置におい
てもウエハを十分に清浄化する必要性がある。特
に半導体基体が大型化すればする程、わずかな不
完全部分による全体の犠牲が大きくなるので問題
が深刻になる。
本発明の目的は上述の問題点を解決し、塵埃、
汚れ等の付着の少ない物品の洗浄方法およびその
ための好ましい装置を提供するにある。
本発明方法の特徴は、例えば半導体ウエハ等の
物品を2種以上の洗浄液に順次浸漬して洗浄する
際、物品を液外に露出させることなく、すなわち
全洗浄工程にわたつて物品を液中に浸しながら洗
浄する点にある。
また、本発明方法では好ましくは、薄片状物品
は一枚ずつ、処理液中で液の噴流により液中に浮
遊した状態で、すなわち物品を保持するための治
具を用いずに、処理される。
本発明装置の特徴は、2種の異なる処理液がそ
れぞれ収容された2つの処理槽を少なくとも有
し、それらの間に、上記2種の処理液が供給可能
でありしかも上記した2つの処理槽のそれぞれと
の間が開閉可能なゲートで仕切られた中間槽を具
備する点にある。
また、本発明装置では好ましくは各槽底部に処
理液の排出口と、排出口をとり囲むように配置さ
れた処理液の噴出口とを有し、噴出口から処理液
を槽内に供給しつつ排出口から処理液を排出させ
る機構を有する点にある。
以下、本発明について更に詳細に説明する。
本発明者らの実験的検討によれば、洗浄液に浸
して洗浄した物品であつても、その後物品を液外
すなわち外気にさらすと、表面に塵埃等が付着し
易いことが明らかとなつた。また、塵埃等の付着
の度合は洗浄後に物品を外気にさらした時間が長
ければ長い程、多いことも明らかとなつた。
一例として、直径76mmのシリコンウエハをクラ
ス1000の環境内で、第1図および第2図に示した
従来の方法で洗浄および乾燥させたときの各段階
におけるウエハ表面の異物数を計数した結果を第
3図に示す。異物としては大きさが直径約1μm以
上のものを計数した。第3図によれば、ウエハ表
面の異物数は薬液による洗浄後に必ず増加してい
る。また、この実験により、一たん付着した異物
は次の薬液洗浄後も減少せず、逆に後の薬液によ
る洗浄で付着する数だけ増加することが分つた。
更に、薬液から純水中に移送する時間を短くすれ
ばするほど表面付着異物数は減少することが認め
られ、結局、従来の洗浄法の最大の欠点は洗浄槽
間移送時に物品を一度外気にさらす点にあること
がわかつた。また、異物の付着は物品の表面がぬ
れにくい場合(例えば表面の自然酸化膜が弗酸等
により除去されたシリコンウエハ等)ほど顕著で
あることも確認した。
本発明はこのような知見に基づき、洗浄工程
中、好ましくは洗浄後乾燥するまで、物品を外気
にさらさないようにすることを基本とするもので
ある。
即ち、本発明の洗浄装置は、第1の処理槽と、
中間槽と、第2の処理槽とがそれぞれ開閉可能な
ゲートを介して順次隣接配置され、前記第1の処
理槽は、第1の処理液を供給する手段および排出
する手段を有し、前記第2の処理槽は、第2の処
理液を供給する手段および排出する手段を有し、
前記中間槽は、前記第1および第2の処理液を供
給する手段及び排出する手段を有し、上記第1の
処理槽、上記中間槽、上記第2の処理槽の順に、
上記ゲートを順次開いて、薄片状物品を液中で移
送する手段を有し、上記第1の処理槽、上記中間
槽、及び上記第2の処理槽は、液中に上記薄片状
物品を保持する手段を有し、上記液中に上記薄片
状物品を保持する手段は、上記第1の処理槽、上
記中間槽、及び上記第2の処理槽の各槽底部の略
中央に設けられ、上記各槽内に供給された上記薄
片状物品の下面側の上記第1又は第2の処理液を
吸引する排出口と、上記各槽底部に上記排出口の
周囲を囲むように設けられ、上記薄片状物品の下
面に向かつて上記第1又は第2の処理液を噴出す
る複数の噴出口とであることを特徴とする薄片状
物品の洗浄装置である。以下本発明を物品として
半導体ウエハを例にとり、実施例によつて詳細に
説明する。
第4図ないし第6図に本発明の一実施例を示
す。第4図に洗浄および乾燥装置の全体構成を示
し、第5図に洗浄装置の要部断面を、第6図にそ
の俯瞰図をそれぞれ示す。本実施例では、薄片状
物品たるシリコンウエハ1に対し第1の処理液た
る希弗酸による洗浄と、第2の処理液たる純水に
よる洗浄を施した後、回転乾燥させるものであ
る。
第4図において、洗浄槽3は全体として長い樋
状であり、その一端は回転乾燥装置の容器20と
連通している。洗浄槽3は開閉可能なゲート7
1,72,および73によつて、第1の処理槽た
る薬液槽31、中間槽たる薬液槽312および第
2の処理槽たる水洗槽32の3区画に分割されて
いる。これら3区画の各底部には、第5図に詳細
を示すように、流れの噴出口8と排出口9が設け
られている。これらの流れの噴出口と排出口は、
第1の処理槽たる薬液槽31では第1の噴出口と
第1の排出口に相当し、第2の処理槽たる水洗槽
32では第2の噴出口と第2の排出口に相当す
る。排出口9は区画された各槽のほぼ中央に設け
られ、噴出口8は排出口9の周囲をとり囲むよう
に分散配置されている。薬液等の液体の槽内への
供給は、第5図において配管101により行なわ
れる。この場合、多数の噴出口8に対する液体の
供給を簡単化するため、配管101は各噴出口8
に共通に連通された空隙81に接続されている。
液体の排出は、第5図においては配管103に
より行なわれる。また、各槽の外部下側には、各
槽の上端よりあふれ出る液体を集めて排出するた
めのオーバーフロー用受槽181,182および
183がそれぞれ設置されている。
洗浄槽3の各区画および乾燥装置の容器20へ
の配管について第4図により、説明する。
まず、中間槽312へ第1の処理液(薬液:希
弗酸など)および第2の処理液(純水)を供給す
る手段、第1の処理槽(薬液槽31)へ第1の処
理液(薬液:希弗酸など)を供給する手段、およ
び第2の処理槽(水洗槽32)へ第2の処理液
(純水)を供給する手段について説明する。薬液
タンク15からは、ポンプ171、流量計11
1、ニードルバルブ121を経て薬液槽31の噴
出口へ至る配管101と、ポンプ171(配管1
01と共用)、バルブ131、流量計112、ニ
ードルバルブ122を経て中間槽312の噴出口
へ至る配管102とが設置されている。また、純
水タンク162からは、ポンプ172を経たの
ち、バルブ132を通つて上述の中間槽312の
配管102のバルブ131と流量計112との間
に連なる配管105と、流量計115、ニードル
バルブ125を経て水洗槽32の噴出口へ至る配
管106と、バルブ211を経て回転乾燥装置の
容器20の噴出口21へ至る配管108とがそれ
ぞれ接続されている。
また、中間槽312から第1の処理液(薬液:
希弗酸など)および第2の処理液(純水)を排出
する手段、第1の処理槽(薬液槽31)から第1
の処理液(薬液:希弗酸)を排出する手段、およ
び第2の処理槽(水洗槽32)から第2の処理液
(純水)を排出する手段について説明する。
薬液槽31の排出口からはニードルバルブ12
3、流量計113を経て薬液タンク15へ至る配
管103が設置されている。中間槽312の排出
口からはニードルバルブ124、流量計114、
バルブ141を経て薬液タンク15へ至る配管1
04が設置されている。この配管104の流量計
114とバルブ141の間からは、バルブ142
を介して外部排出口(図示せず)へ至る配管が付
加されている。水洗槽32の排出口からはニード
ルバルブ126、流量計116を経て外部排出口
へ至る配管107が設置されている。また、乾燥
装置の容器20の底部の排出口22からはバルブ
212を介して外部排出口へ至る配管が、容器2
0の側面のオーバーフロー用排出口23からは直
接外部排出口へ至る配管がそれぞれ設置されてい
る。なお、各受槽181,182および183の
各底部からは配管103,104および107の
途中に設けられた流量計113,114および1
16の直後に連なる配管1031,1041およ
び1071がそれぞれ設けられている。
ところで、本発明の洗浄方法は、第1の処理液
で満たされた第1の処理槽において、上記第1の
処理槽底部の略中央に設けられ、上記第1の処理
槽内に供給された上記薄片状物品の下面側の上記
第1の処理液洗浄液を吸引する第1の排出口と、
上記第1の処理槽底部に上記第1の排出口の周囲
を囲むように設けられ、上記薄片状物品の下面に
向かつて上記第1の処理液を噴出する複数の第1
の噴出口とによつて造られた上記第1の処理液の
流れによつて上記薄片状物品を上記第1の処理液
の液中にほぼ静止させつつ処理する工程(以下、
工程(1)と称す。)、上記第1の処理槽から上記第1
の処理液で満たされた中間槽へ、上記薄片状物品
を上記第1の処理液中に浸したまま移送する工程
(以下、工程(2)と称す。)、上記工程(2)の後に、上
記中間槽中の上記第1の処理液を第2の処理液で
置換する工程(以下、工程(3)と称す。)、上記中間
槽から上記第2の処理液で満たされた第2の処理
槽へ、上記薄片状物品を上記第2の処理液中に浸
したまま移送する工程(以下、工程(4)と称す。)、
上記第2の処理槽において、上記第2の処理槽底
部の略中央に設けられ、上記第2の処理槽内に供
給された上記薄片状物品の下面側の上記第2の処
理液を吸引する第2の排出口と、上記第2の処理
槽底部に上記第2の排出口の周囲を囲むように設
けられ、上記薄片状物品の下面に向かつて上記第
2の処理液を噴出する複数の第2の噴出口とによ
つて造られた上記第2の処理液の流れによつて上
記薄片状物品を上記第2の処理液の液中にほぼ静
止させつつ処理する工程(以下、工程(5)と称す。)
を含むことを特徴とする薄片状物品の洗浄方法で
ある。
次に、本装置によつてウエハを処理する手順を
説明する。まず、ウエハ1は搬送ベルト24によ
つて運ばれ、薬液槽31に投入される。薬液槽3
1には予め配管101および103によつて、タ
ンク15の薬液が噴出孔8より供給され排出口
9、及びオーバーフロー用受槽181を通し再び
タンク15に戻されて循環されている。ウエハ1
は薬液によつて所定時間洗浄されるこれが工程(1)
に相当する。
このときの薬液槽31内の薬液の流れについて
第5図および第6図により説明する。薬液は噴出
口8より噴出されると同時に排出口9より排出さ
れるので、薬液槽31内ではウエハ1に対し第5
図で示したように流れる。第4図のニードルバル
ブ121および123を操作し、噴出量と排出量
を調整することにより、ウエハ1を薬液槽31内
で液中に静止させることができた。液中の静止は
噴出口8から噴出される薬液の噴出力と、噴出口
8から排出口9への流れによつてウエハに生じた
向心力とにより達成されたものと考えられる。こ
のとき、条件によつて噴出量が排出口9からの排
出量よりも大となるが、余剰の薬液はオーバーフ
ロー用受槽181により回収されるので薬液の損
失は防止できる。
薬液槽31での所定の洗浄を終えた後、ウエハ
1は中間槽312へ移送される。このとき、中間
槽312へは配管102および104により、薬
液槽31と同じ条件で薬液が循環されている。そ
のために、バルブ132および142は閉じら
れ、バルブ131および141は開かれている。
この状態でゲート71が開けられ、ウエハ1はガ
イド棒61(第6図)に沿つて移動する移送ロツ
ド6により軽く押されて薬液槽31から中間槽3
12へ移送される。なお、洗浄槽3の内側底部に
は移送ロツド6を確実に移動させるための案内溝
26が形成されている。ウエハ1が中間槽312
内で液中静止する点は、薬液槽31内におけると
同様である。これが工程(2)に相当する。
ウエハ1の移送完了と同時にゲート71を閉じ
る。以後、バルブ131を閉じ、バルブ132を
開け、バルブ141を閉じ、バルブ142を開け
ることにより、中間槽312内を循環していた薬
液を、純水タンク16から配管105を経て供給
される純水で置換する。これが工程(3)に相当す
る。
その後、ウエハ1は水洗槽32へ移送される。
水洗槽32内には、配管106および107によ
り、予め純水が循環されている。ウエハの槽間移
送は上述した薬液槽31および中間槽312間の
移送に準じて行なわれる。これが工程(4)に相当す
る。また、ニードルバルブ125および126の
操作により純水の噴出量と排出口からの排出量が
調節され、ウエハ1は水洗槽32内で液中に静止
されつつ、水洗される。これが工程(5)に相当す
る。なお、ウエハ1の水洗槽32への移送が完了
し、ゲート72が閉じられた後、中間槽31内の
純水はバルブ操作により再び薬液に置換され、後
続ウエハの処理に備える。
水洗槽32での水洗を終えたウエハ1を水洗槽
32から取り出し、乾燥させる方法は原則として
任意である。本実施例では完全液中処理の思想を
生かし、ウエハ1の乾燥装置への移送をも、液中
にて行つている。以下この点について説明する。
第4図において、洗浄槽3の水洗槽32側の端
部はゲート73を介し、回転乾燥装置の容器20
と連通している。容器20内部には回転軸192
に取り付けられた回転板19が収納されており、
回転板19にはウエハ1が収容される凹部191
が形成されている。
水洗槽32での水洗が終つた時点で、容器20
内には、バルブ212を閉じバルブ211を開け
ることによつて、オーバーフロー用排出口23の
位置まで純水が供給されている。排出口23の位
置は回転板19が純水に浸され、かつ容器20で
の水面が洗浄槽3での液面と略等しくなるような
位置にされている。この状態で凹部191の開口
を水洗槽32側へ向け、ゲート73を開き、移送
ロツド6により、水洗槽内のウエハ1を回転板1
9の凹部191内へ移送する。移送が完了したな
らばゲート73を閉じ、ウエハ1が回転板19の
回転により凹部191から外部へ飛び出さないよ
うに凹部191の開口部にピン193を投入する
等のウエハ係止手段を施す。同時にバルブ211
を閉じ、バルブ212を開いて容器20内の純水
を排出する。更に容器20外部に置かれた回転機
構(図示せず)により、回転軸192を高速回転
させてウエハ1を遠心脱水、乾燥させる。本乾燥
装置によれば、ウエハ1は凹部191内部に収容
されるため、回転乾燥中に水滴がウエハに再付着
することによる再汚染の恐れはない。
乾燥されたウエハは、例えば先端部に真空チヤ
ツクが設置されたアーム25を有するウエハ取出
手段により、回転装置から外部へ取り出され、洗
浄および乾燥処理を終える。なお、以上説明した
装置のうち第4図中破線100で囲つた部分は除
塵された空気、または窒素等の不活性ガス雰囲気
内に隔離され、更に薬液から発生するガスは専用
ダクトによつて排気されていることは言うまでも
ない。
本実施例によれば、ウエハ1を洗浄槽3へ投入
してから洗浄が終了するまでの全工程を通じてウ
エハを外気にさらさず、液中に浸した状態を保つ
たので、ウエハに付着する異物数は従来の洗浄方
法による場合と比較し、激減した。
また、本実施例では従来のように多数のウエハ
を一度にまとめて処理せずに、ウエハを1枚ずつ
処理している(枚葉処理)ので、各ウエハについ
て均一な洗浄効果が得られた。更に枚葉処理とし
たことにより、洗浄時にウエハを保持するホルダ
ーあるいはカートリツジ等の治具が不要となつた
ので、ウエハを治具に着脱する際に生じていたウ
エハ周辺の欠けが皆無となつた。このほか、枚葉
処理とすることにより、ウエハ処理工程の連続化
が容易となる、洗浄槽が小型化されるので薬液の
使用量が低減される等の効果がある。
更に、枚葉処理に加え、ウエハを洗浄槽内の液
中に治具を使用せずに静止させることができたの
で、ウエハ表面と他の固体部材との接触が最小限
となり、他の固体部材からウエハに移される異物
が無くなつた。
本実施例で用いられた洗浄装置によれば、種類
の異なる処理液槽間に、上述した中間槽および開
閉可能のゲートが設置されているため、物品の液
中移送が容易に行える。また、各槽の底部の噴出
口から処理液を供給しつつ、排出口から処理液を
排出する機構を備えているので、物品の液中静止
が容易に行える。
上述の実施例では、洗浄工程のみならず、洗浄
後にウエハを回転乾燥装置に収納するまで、ウエ
ハを外気にさらさないようにしているので、ウエ
ハへの異物の付着は一層少なくなつた。
次に本発明の他の実施例について第7図により
説明する。本実施例では、ウエハは枚葉処理され
ず、多数のウエハカートリツジに収納され、この
カートリツジごと各液槽間を液中移送される。第
7図において、多数のウエハ(図では10枚)はカ
ートリツジ2に互いに間隔をおいて積層して収納
され、カートリツジ2は先端にカートリツジ係止
部を有する移送用ロツド6により、支持されてい
る。また、回転乾燥装置の回転板19の形状は、
カートリツジ2を収納係止できるようにされてい
る。その他の部材は本質的に第4図に示すすと同
様であり、第4図におけると同等の部分は第4図
におけると同じ符号を用いて示し、詳細な説明は
省略する。なお、本実施例ではウエハ1を液中に
浮かせて静止させる必要がないため、配管系には
第4図で示したニードルバルブおよび流量計は省
略されている。
本実施例における操作手順は、ニードルバルブ
の調整が無い点を除き、第4図の実施例における
操作と同じである。すなわち、薬液槽31で薬液
による洗浄を行い、中間槽312で薬液から純水
への置換操作を受け、水洗槽32で水洗され、回
転乾燥装置にて乾燥される。各槽間および水洗槽
32と乾燥装置の容器20間のウエハ移送は勿
論、ウエハ1が液中に浸された状態で行なわれ
る。
したがつて、本実施例においてもウエハに付着
する異物数が激減する効果が得られる。また、本
実施例によれば、多数のウエハを同時に処理でき
るので効率が良いという効果を有する。
第8図に本発明の効果を具体的に例示する。第
8図でaは複数の洗浄槽間および回転乾燥装置と
の間のウエハの移動を外気(クラス1000のクリー
ンルーム内)中にて行なつた場合の乾燥後のウエ
ハ主表面での異物(1μm以上のもの)分布例、b
は第2図ないし第4図に示した本発明の実施例に
従つて処理されたウエハ主表面での同様の分布例
である。いずれもウエハの直径は76mmである。各
分布は面板欠陥検査装置を用いて測定された。第
6図によれば、bでの異物数はaと比較して激減
していることがわかる。
本発明は上述の実施例に限定されず、種々の態
様にて実施できる。例えば第4図で回転板19に
複数の間隙部191を設け、1回に複数のウエハ
を回転乾燥させることも可能である。
また、本発明は使用される薬液の種類と数によ
らず、適用され得る。薬液の数が増加した場合に
は、各薬液槽の間に中間槽を設置することによ
り、実施可能である。更に、本発明の対象は半導
体ウエハのみならず、同様の清浄化が要求される
任意の物品に対し適用し得る。特に、表面が洗浄
液に対しぬれにくい物品あるいは撥水性の物品は
その表面に異物が付着しやすいので、本発明の効
果が著しい。
以上説明したように、本発明によれば塵埃、汚
れ等の付着の少ない物品の洗浄方法およびそのた
めの装置を得るのに効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の洗浄方法および装置を示す断面
図、第2図は従来の回転乾燥方法および装置を示
す断面図、第3図は従来の洗浄および乾燥方法に
おけるウエハ表面の異物数を処理工程ごとに示す
グラフ、第4図は本発明の一実施例を示す図、第
5図は第4図の要部断面図、第6図は第4図の要
部俯瞰図、第7図は本発明の他の実施例を示す
図、第8図は本発明の効果を従来例との比較にお
いて示す図である。 1……ウエハ、2……カートリツジ、3……洗
浄槽、6……移送ロツド、8……噴出口、9……
排出口、19……回転板、31……薬液槽、31
2……中間槽、32……水洗槽。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 薄片状物品を2種以上の処理液に順次浸す工
    程を有する薄片状物品の洗浄方法において、 (1) 第1の処理液で満たされた第1の処理槽にお
    いて、上記第1の処理槽底部の略中央に設けら
    れ上記第1の処理槽内に供給された上記薄片状
    物品の下面側の上記第1の処理液を吸引する第
    1の排出口と、上記第1の処理槽底部に上記第
    1の排出口の周囲を囲むように設けられ上記薄
    片状物品の下面に向かつて上記第1の処理液を
    噴出する複数の第1の噴出口とによつて造られ
    た上記第1の処理液の流れによつて、上記薄片
    状物品を上記第1の処理液の液中にほぼ静止さ
    せつつ処理する工程、 (2) 上記第1の処理槽から上記第1の処理液で満
    たされた中間槽へ、上記薄片状物品を上記第1
    の処理液中に浸したまま移送する工程、 (3) 上記工程(2)の後に、上記中間槽中の上記第1
    処理液を第2の処理液で置換する工程、 (4) 上記中間槽から上記第2の処理液で満たれた
    第2の処理槽へ、上記薄片状物品を上記第2の
    処理液中に浸したまま移送する工程、 (5) 上記第2の処理槽において、上記第2の処理
    槽底部の略中央に設けられ、上記第2の処理槽
    内に供給された上記薄片状物品の下面側の上記
    第2の処理液を吸引する第2の排出口と、上記
    第2の処理槽底部に上記第2の排出口の周囲を
    囲むように設けられ、上記薄片状物品の下面に
    向かつて上記第2の処理液を噴出する複数の第
    2の噴出口とによつて造られた上記第2の処理
    液の流れによつて、上記薄片状物品を上記第2
    の処理液の液中にほぼ静止させつつ処理する工
    程、 を含むことを特徴とする薄片状物品の洗浄方法。 2 第1の処理槽と、中間槽と、第2の処理槽と
    がそれぞれ開閉可能なゲートを介して順次隣接配
    置され、 前記第1の処理槽は、第1の処理液を供給する
    手段および排出する手段を有し、 前記第1の処理槽は、第2の処理液を供給する
    手段および排出する手段を有し、 前記中間槽は、前記第1および第2の処理液を
    供給する手段及び排出する手段を有し、 上記第1の処理槽、上記中間槽、上記第2の処
    理槽の順に、上記ゲートを順次開いて、薄片状物
    品を液中で移送する手段を有し、 上記第1の処理槽、上記中間槽、及び上記第2
    の処理槽は、液中に上記薄片状物品を保持する手
    段を有し、 上記液中に上記薄片状物品を保持する手段は、 上記第1の処理槽、上記中間槽、及び上記第2
    の処理槽の各槽底部の略中央に設けられ、上記各
    槽内に供給された上記薄片状物品の下面側の上記
    第1又は第2の処理液を吸引する排出口と、 上記各槽底部に上記排出口の周囲を囲むように
    設けられ、上記薄片状物品の下面に向かつて上記
    第1又は第2の処理液を噴出する複数の噴出口と
    であることを特徴とする薄片状物品の洗浄装置。
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