CN103887151B - 一种构图装置和构图方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种构图装置，所述构图装置包括抓取单元和处理液槽，所述处理液槽用于盛放处理液，所述抓取单元用于将基板放置入所述处理液槽内，并将处理后的所述基板从所述处理液槽中移出。相应地，本发明还提供一种构图方法，用于利用上述构图装置对基板进行对应的处理。本发明能够改善处理液与基板对应材料反应的均匀性，能够避免现有的喷淋方式可能对基板上图形造成的损伤。

Description

一种构图装置和构图方法

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种构图装置和构图方法。

背景技术

在半导体以及显示装置制造领域中，光刻胶的显影通常采用喷淋显影液的方式，即，向基板上喷淋显影液，使已曝光（或未曝光）的光刻胶剥离或溶解。

然而，采用喷淋的方式容易在基板上造成显影液残留以及颗粒污染，同时，喷淋显影液时的冲击力可能会对光刻胶的图形造成一定损伤。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种构图装置，能够避免在构图过程中对图形造成损伤。

为实现上述目的，本发明提供一种构图装置，所述构图装置包括抓取单元和处理液槽，所述处理液槽用于盛放处理液，所述抓取单元用于将基板放置入所述处理液槽内，并将处理后的所述基板从所述处理液槽中移出。

优选地，所述处理液槽包括多个子处理液槽，所述抓取单元能够将所述基板从一个所述子处理液槽移动至另一个所述子处理液槽。

优选地，所述处理液槽中设置有至少一个挡板，以将所述处理液槽分隔成多个所述子处理液槽。

优选地，所述构图装置还包括至少一个过滤器，所述过滤器用于将一个所述子处理液槽中处理液过滤后注入另一个所述子处理液槽。

优选地，所述构图装置还包括翻转单元，所述翻转单元用于翻转所述基板以使所述基板的图形面朝下，所述抓取单元包括吸附件，所述吸附件用于吸附所述基板。

优选地，所述处理液为显影液或刻蚀液。

相应地，本发明还提供一种构图方法，用于利用上述本发明所提供的构图装置对基板进行处理，所述构图方法包括：

S1、利用所述抓取单元将所述基板浸泡在所述处理液槽盛放的处理液中进行处理；

S2、利用所述抓取单元将处理后的所述基板移出所述处理液槽。

优选地，所述处理液槽包括多个所述子处理液槽，所述抓取单元能够将所述基板从一个所述子处理液槽移动至另一个所述子处理液槽，所述S1包括：

利用所述抓取单元将所述基板依次浸泡在各所述子处理液槽盛放的处理液中进行处理。

优选地，所述构图装置包括所述过滤器，所述S2之后还包括：

S3、通过所述过滤器将一个所述子处理液槽中处理液过滤后注入另一个所述子处理液槽中。

优选地，所述S1中将所述基板浸泡在所述处理液中时，利用所述抓取单元带动所述基板沿水平方向按照预设速率往复移动。

优选地，所述构图装置包括翻转单元，所述抓取单元包括吸附件，在进行S1之前，当所述基板的图形面朝上时，所述S1之前包括：

利用所述翻转单元翻转所述基板以使所述基板的图形面朝下，利用所述吸附件吸附所述基板的与图形面相对的一面。

可以看出，本发明通过利用抓取单元将基板浸泡在处理液槽盛放的处理液中，能够改善处理液与基板上对应材料反应的均匀性，如显影液与光刻胶的反应或者刻蚀液与对应膜层的反应等，避免了残渣的残留，并且避免了现有的喷淋方式可能对图形造成的损伤。此外，本发明还能够重复利用处理液，能够节约成本。

附图说明

附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中：

图1为本发明实施例所提供的构图装置示例图；

图2为本发明实施例所提供的构图装置的另一示例图；

图3为本发明实施例所提供的构图装置的再一示例图；

图4为本发明实施例所提供的构图方法流程示例图。

附图标记说明

10-抓取单元；11-基板；20-处理液槽；21a-1号子处理液槽；21b-2号子处理液槽；21c-3号子处理液槽；21d-4号子处理液槽；22-挡板；30-过滤器。

具体实施方式

以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。

作为本发明的一个方面，提供一种构图装置，如图1至图3所示，该构图装置可以包括抓取单元10和处理液槽20，其中，处理液槽20用于盛放处理液，抓取单元10能够用于将基板11放置在处理液槽20内，并且，抓取单元10能够将经过处理液处理后的基板11从处理液槽20中移出。

现有技术中，通常采用喷淋处理液的方式对基板进行相应的构图工艺（如显影或刻蚀），喷淋处理液的冲击力可能会对基板上的图形造成一定损伤，同时，难以保证处理液对基板进行相应处理时的均匀性，可能会造成颗粒残留。上述本发明提供的构图装置中，能够通过抓取单元10将基板11放置在处理液槽20内，以将基板11浸泡在处理液中进行对应处理，与现有技术相比，能够改善处理液与基板对应材料（如光刻胶或对应膜层）反应的均匀性，同时，避免了喷淋处理液对基板11图形造成的损伤。并且，在实际应用时，可以使基板11的图形面朝下，从而能够避免处理液处理后产生的残渣或颗粒残留在基板11上。

更进一步地，如图2所示，处理液槽20可以包括多个子处理液槽，并且，抓取单元10能够将基板11从一个子处理液槽中移动至另一个所述子处理液槽中。为了能够达到更好的处理效果，可以设置多个子处理液槽，在处理时，可以利用抓取单元10依次将基板11放置在各个子处理液槽中进行处理。由于处理基板11后会在处理液中产生相应的残渣，影响后续处理效果，因此，采用上述结构可以在一个子处理液槽中产生了一定的残渣后，将基板11移至下一个子处理液槽进行处理，能够有效改善处理效果。子处理液槽可以是各自独立的，或者，如图2所示，可以在处理液槽20中设置至少一个挡板22，以通过挡板22将处理液槽20分隔成多个子处理液槽。在处理液槽20中设置挡板22形成多个子处理液槽能够节约成本、便于加工，并且，所形成的多个子处理液槽依次排列，便于抓取单元10将基板11从一个子处理液槽移动至另一个子处理液槽。

子处理液槽的数量可以根据需要进行设置，本发明对此不作限制，当需要处理的基板面积较大时，可以设置较多的子处理液槽；当需要处理的基板面积较小时，可以设置较少的子处理液槽。

更进一步地，如图3所示，本发明所提供的构图装置中还包括至少一个过滤器30，过滤器30能够用于将一个子处理液槽中的处理液过滤后注入另一个子处理液槽中。如图3所示，由于在对基板11进行处理时，可以将基板11依次放入各子处理液槽中进行处理，例如可以从左至右依次将基板11放入子处理液槽中，相应地，在各子处理液槽中产生的残渣也会从左至右逐渐减少。因此，当需要更新各子处理液槽中的处理液时，可以利用过滤器30将右侧子处理液槽的处理液过滤后注入到右侧的子处理液槽中。例如，在图3所示示例中，在更新各子处理液槽中的处理液时，可以向4号子处理液槽21d中加入新液，而将4号子处理液槽21d中的原处理液过滤后注入到2号子处理液槽21b和3号子处理液槽21c中，可以将2号子处理液槽21b和3号子处理液槽21c中的原处理液过滤后注入到1号子处理液槽21a中，而1号子处理液槽21a中的原处理液由于残渣较多，可以直接作为废液排出。采用上述方式，能够有效重复利用处理液，可以节约成本。上述过滤器中可以设置有泵结构，以能够将过滤后的处理液注入到子处理液槽中。

更进一步地，本发明所提供的构图装置还可以包括翻转单元，该翻转单元可以用于翻转基板以使基板的图形面朝下，而抓取单元可以包括吸附件，该吸附件可以用于吸附基板。通常，基板在各工艺流程中图形面都是朝上放置，因此，在将基板放置到处理液槽中之前，可以通过翻转单元对基板进行翻转，以使基板的图形面朝下。而抓取单元可以包括吸附件，可以通过吸附件吸附基板上与图形面相对的一面，以能够使基板图形面朝下放置在处理液槽中。具体地，吸附件可以利用吸盘形成，而翻转单元可以利用机械手等装置形成。

更进一步地，上述处理液槽中盛放的处理液可以为显影液或者刻蚀液。即可以在处理液槽中盛放显影液，以对基板上的光刻胶进行显影以形成对应图形；或者，可以在处理液槽中盛放刻蚀液，以对基板上的相应膜层进行刻蚀以形成对应图形。当然，上述处理液槽中盛放的处理液也可以为去离子水，用于对基板进行清洗，例如可以在上述对基板进行了显影或刻蚀过程之后，通过抓取单元将基板浸泡入装有去离子水的处理液槽中，以去除残留在基板上的显影液或刻蚀液，实现对基板的清洗，该过程可以和显影或者刻蚀的过程实现连续作业。

作为本发明的再一方面，提供一种构图方法，该构图方法可以利用上述本发明所提供的构图装置对基板进行处理，如图4所示，该构图方法可以包括：

S1、利用所述抓取单元将所述基板浸泡在所述处理液槽盛放的处理液中进行处理；

S2、利用所述抓取单元将所述基板移出所述处理液槽。

具体地，可以利用上述本发明所提供的构图装置中的抓取单元将基板放置在处理液槽中，并浸泡在处理液中进行相应的处理（如显影或者刻蚀）以形成所需图形。当处理完毕后，可以利用抓取单元将基板移出处理液槽。

更进一步地，当构图装置中的处理液槽包括多个子处理液槽，且抓取单元能够将基板从一个子处理液槽移动至另一个子处理液槽时，S1包括：

利用所述抓取单元将所述基板依次浸泡在各所述子处理液槽盛放的处理液中进行处理。

即，构图装置的处理液槽中可以包括多个子处理液槽，在进行处理时，可以利用抓取单元依次将基板放置在各子处理液槽中，并浸泡在处理液中。将基板在各子处理液槽中浸泡的时间可以根据需要进行设定，本发明对此不作限制。

更进一步地，构图装置可以包括过滤器，如图4所示，所述S2之后还可以包括：

S3、通过所述过滤器将一个所述子处理液槽中处理液过滤后注入另一个所述子处理液槽中。

具体地，各子处理液槽中的处理液在处理一定数量的基板后需要进行更新，可以通过过滤器将一个子处理液槽中处理液过滤后注入另一个子处理液槽中，以能够更新各子处理液槽中的处理液。对应于图3中所示示例，可以在4号子处理液槽21d中加入新处理液，将4号子处理液槽21d中的原处理液过滤后注入到2号子处理液槽21b和3号子处理液槽21c中，可以将2号子处理液槽21b和3号子处理液槽21c中的原处理液过滤后注入到1号子处理液槽21a中，而1号子处理液槽21a中的原处理液排出。

更进一步地，上述S1中将基板浸泡在处理液中时，可以利用抓取单元带动所述基板沿水平方向按照预设速率往复移动。具体地，在将基板浸泡在处理液中时，可以利用抓取单元在水平方向按预设速率带动基板往复移动，这样，有助于处理液与基板上的相应材料（光刻胶或对应膜层）发生充分的反应，并且，有助于所产生的残渣脱落。往复移动的速率可以根据需要进行设定，优选地，可以将往复移动速率设定在3cm/s～6cm/s之间。

更进一步的，所述构图装置还可以包括滑动导轨，所述抓取单元10可以通过在滑动导轨上滑动以实现抓取单元10放置所述基板至处理液槽中或者从处理液槽中移出，从一个子处理液槽移动至另一子处理液槽，以及带动所述基板在处理液槽中反复移动。当然，为了实现上述动作，所述构图装置还包括动力部件以及控制部件。

更进一步地，上述构图装置还可以包括翻转单元，而抓取单元还可以包括吸附件，在进行S1之前，当所述基板的图形面朝上时，S1之前还可以包括：

利用所述翻转单元翻转所述以使所述基板的图形面朝下，利用所述吸附件吸附所述基板上与图形面相对的一面。

即，在利用构图装置进行对应处理时，若基板的图形面朝上，可以通过翻转单元翻转基板，使基板的图形面朝下，之后利用抓取单元上的吸附件吸附基板上与图形面相对的一面，以使得将基板浸泡在处理液中时，基板的图形面朝下。

上述为对本发明所提供的构图装置和构图方法进行的描述，可以看出，本发明通过利用抓取单元将基板浸泡在处理液槽盛放的处理液中，能够改善处理液与基板对应材料反应的均匀性，避免了残渣的残留，并且避免了现有的喷淋方式可能对图形造成的损伤。此外，本发明还能够重复利用处理液，能够节约成本。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (7)

1.一种构图装置，其特征在于，所述构图装置包括抓取单元和处理液槽，所述处理液槽用于盛放处理液，所述抓取单元用于将基板放置入所述处理液槽内，并将处理后的所述基板从所述处理液槽中移出；所述处理液槽包括多个子处理液槽，所述抓取单元能够将所述基板从一个所述子处理液槽移动至另一个所述子处理液槽；所述构图装置还包括至少一个过滤器，所述过滤器用于将一个所述子处理液槽中的处理液过滤后注入另一个所述子处理液槽。

2.根据权利要求1所述的构图装置，其特征在于，所述处理液槽中设置有至少一个挡板，以将所述处理液槽分隔成多个所述子处理液槽。

3.根据权利要求1或2所述的构图装置，其特征在于，所述构图装置还包括翻转单元，所述翻转单元用于翻转所述基板以使所述基板的图形面朝下，所述抓取单元包括吸附件，所述吸附件用于吸附所述基板。

4.根据权利要求1或2所述的构图装置，其特征在于，所述处理液为显影液或刻蚀液。

5.一种构图方法，用于利用权利要求1至4中任意一项所述的构图装置对基板进行处理，其特征在于，所述构图方法包括：

S1、利用所述抓取单元将所述基板浸泡在所述处理液槽盛放的处理液中进行处理；

S2、利用所述抓取单元将处理后的所述基板移出所述处理液槽；所述处理液槽包括多个所述子处理液槽，所述抓取单元能够将所述基板从一个所述子处理液槽移动至另一个所述子处理液槽，所述S1包括：利用所述抓取单元将所述基板依次浸泡在各所述子处理液槽盛放的处理液中进行处理；

所述构图装置包括所述过滤器，所述S2之后还包括：

S3、通过所述过滤器将一个所述子处理液槽中处理液过滤后注入另一个所述子处理液槽中。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述S1中将所述基板浸泡在所述处理液中时，利用所述抓取单元带动所述基板沿水平方向按照预设速率往复移动。

7.根据权利要求5或6所述的方法，其特征在于，所述构图装置包括翻转单元，所述抓取单元包括吸附件，在进行S1之前，当所述基板的图形面朝上时，所述S1之前包括：

利用所述翻转单元翻转所述基板以使所述基板的图形面朝下，利用所述吸附件吸附所述基板的与图形面相对的一面。