KR100502406B1 - 반도체소자 제조용 유브이테이프 제거장치 및 제거방법 - Google Patents

반도체소자 제조용 유브이테이프 제거장치 및 제거방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체소자 제조용 유브이테이프 제거장치 및 제거방법에 관한 것이다.
본 발명의 제거장치는, 웨이퍼를 로딩 및 언로딩시킬 수 있는 이송부; 상기 웨이퍼를 안착시켜 소정의 속도로 회전시킬 수 있는 스핀척; 소정의 온도의 탈이온수에 면접시킬 수 있는 척구동부; 및 상기 웨이퍼의 면접으로 유브이테이프가 제거되도록 소정의 온도의 탈이온수를 수용할 수 있는 배스를 구비하여 이루어짐을 특징으로 한다.
본 발명의 제거방법은, 스핀척에 상기 웨이퍼를 로딩시키는 로딩단계; 상기 스핀척을 역전시키는 제1역전단계; 상기 소정의 탈이온수에 면접된 웨이퍼를 회전시켜 상기 웨이퍼의 전면에 부착된 유브이테이프를 제거시키는 제거단계; 상기 스핀척을 역전시키는 제2역전단계; 및 상기 웨이퍼를 언로딩시키는 언로딩단계를 구비하여 이루어짐을 특징으로 한다.
따라서, 탈이온수를 이용하여 UV테이프를 제거시키는 랩핑공정을 수행함으로써 이로 인한 불량의 발생 등을 최소화시켜 반도체소자의 제조에 따른 생산성이 향상되는 효과가 있다.

Description

반도체소자 제조용 유브이테이프 제거장치 및 제거방법
본 발명은 반도체소자 제조용 유브이테이프 제거장치 및 제거방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 탈이온수(Deionized Water)를 이용하여 자외선(Ultraviolet : 이하 'UV' 라고 한다.)테이프를 제거시킬 수 있는 반도체소자 제조용 유브이테이프 제거장치 및 제거방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체소자는 상기 반도체소자로 제조할 수 있는 웨이퍼(Wafer) 상에 상기 반도체소자의 특성에 따른 패턴(Pattern)을 형성시키는 페브리케이선(Fabrication)공정과 상기 웨이퍼 상에 형성시킨 패턴의 전기적특성을 검사하는 이디에스(EDS : Electrical Die Sorting)공정 및 상기 웨이퍼를 각각의 칩(Chip)으로 가공하는 어셈블리(Assembly)공정을 수행함으로써 제조된다.
그리고 상기 어셈블리공정을 수행하기에 앞서 주로 상기 웨이퍼의 이면을 가공하는 백랩(Back Lap)공정을 수행한다.
이에 따라, 상기 백랩공정의 수행시 발생하는 오염원 등에 상기 웨이퍼가 노출되는 것을 방지하기 위하여 상기 웨이퍼의 전면(前面)에 UV테이프를 부착시키는 공정 즉, 라미네이팅(Laminating)공정을 수행한다.
따라서 상기 백랩공정은 라미네이팅공정, 이면가공공정 및 UV테이프를 제거시키는 랩핑공정 등의 일련의 공정으로 이루어진다.
여기서 종래의 상기 랩핑공정은 주로 도1에 도시된 바와 제거테이프(10)를 이용하여 상기 웨이퍼(12)의 전면에 부착시킨 UV테이프(14)를 제거하는 제거장치를 이용하였다.
그러나 종래의 제거장치는 상기 UV테이프(14)의 제거시 제거테이프(10)를 이용하였기 때문에 상기 제거테이프(10)의 접착성 등으로 인하여 상기 웨이퍼(12)가 브로컨(Broken)되거나 또는 스크레치(Scratch)되는 등의 상황이 빈번하게 발생하였다.
그리고 상기 UV테이프(14)의 부착으로 인하여 오염원이 상기 웨이퍼(12) 상에 흡착할 수 있는 상황 등을 배제할 수 없었다.
따라서, 종래의 랩핑공정은 제거테이프의 이용으로 인한 빈번한 공정불량의 발생으로 반도체소자의 제조에 따른 생산성이 저하되는 문제점이 있었다.
본 발명의 목적은, 탈이온수를 이용하여 랩핑공정을 수행함으로써 이에 따른 공정불량을 최소화시켜 반도체소자의 제조에 따른 생산성을 향상시키기 위한 반도체소자 제조용 유브이테이프 제거장치 및 제거방법을 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체소자 제조용 유브이테이프 제거장치는, 유브이테이프가 전면(前面)에 부착된 웨이퍼를 로딩 및 언로딩시킬 수 있는 이송부; 상기 웨이퍼를 안착시켜 소정의 속도로 회전시킬 수 있는 스핀척; 상기 스핀척에 안착된 웨이퍼를 소정의 온도의 탈이온수에 면접시킬 수 있는 척구동부; 및 상기 웨이퍼의 면접으로 유브이테이프가 제거되도록 소정의 온도의 탈이온수를 수용할 수 있는 배스를 구비하여 이루어짐을 특징으로 한다.
상기 웨이퍼가 안착되는 스핀척에 소정의 온도를 제공할 수 있는 히팅부가 더 구비되는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 반도체소자 제조용 유브이테이프 제거방법은, 유브이테이프가 전면에 부착된 웨이퍼를 안착시켜 회전시킬 수 있는 스핀척에 상기 웨이퍼를 로딩시키는 로딩단계; 상기 스핀척에 안착된 웨이퍼가 소정의 온도의 탈이온수에 면접할 수 있는 방향으로 상기 스핀척을 역전시키는 제1역전단계; 상기 소정의 탈이온수에 면접된 웨이퍼를 회전시켜 상기 웨이퍼의 전면에 부착된 유브이테이프를 제거시키는 제거단계; 상기 유브이테이프가 제거된 웨이퍼를 언로딩시킬 수 있는 방향으로 상기 스핀척을 역전시키는 제2역전단계; 및 상기 웨이퍼를 언로딩시키는 언로딩단계를 구비하여 이루어짐을 특징으로 한다.
상기 스핀척에는 50℃ 내지 60℃ 정도의 온도를 제공하고, 상기 탈이온수는 50℃ 내지 60℃ 정도의 온도를 유지하는 것이 바람직하다.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도2는 본 발명에 따른 반도체소자 제조용 유브이테이프 제거장치의 일 실시예를 나타내는 구성도이고, 도3은 본 발명에 따른 반도체소자 제조용 유브이테이프 제거방법의 일 실시예를 나타내는 공정도이다.
도2는 본 발명의 랩핑공정 즉, UV테이프(20)를 제거할 수 있는 제거장치로써 먼저, UV테이프(20)가 전면(前面)에 부착된 웨이퍼(22)를 로딩(Loading) 및 언로딩(Unloading)시킬 수 있는 이송부(24)가 구비되어 있다.
그리고 상기 이송부(24)의 로딩으로 상기 웨이퍼(22)를 안착시켜 소정의 속도로 회전시킬 수 있는 스핀척(Spin Chuck)(26)이 구비되어 있다.
또한 상기 스핀척(26)에 안착된 웨이퍼(22)를 소정의 온도의 탈이온수에 면접시킬 수 있는 척구동부(28)가 구비되어 있고, 상기 웨이퍼(22)의 면접으로 UV테이프(20)가 제거되도록 소정의 온도의 탈이온수를 수용할 수 있는 배스(Bath)(30)가 구비되어 있다.
그리고 상기 웨이퍼(22)가 안착되는 스핀척(26)에는 상기 스핀척(26)에 소정의 온도를 제공할 수 있는 히팅부(Heating Part)(32)를 더 구비시킬 수 있다.
즉, 본 발명은 스핀척(26)을 이용하여 웨이퍼(22)를 회전시키면서 배스(30)에 수용된 소정의 온도의 탈이온수에 면접시킴으로써 상기 웨이퍼(22)에 부착된 UV테이프(20)를 제거시킬 수 있다.
그리고 상기의 제거장치를 이용한 UV테이프(20)의 제거방법은 도3에 도시된 바와 같이 먼저, 웨이퍼(22)를 로딩시키는 로딩단계가 구비되고, 상기 로딩으로 웨이퍼(22)를 스핀척(26)에 안착시킨 후, 상기 척구동부(28)를 이용하여 스핀척(26)을 역전시키는 제1역전단계가 구비된다.
이어서 상기 제1역전으로 소정의 온도의 탈이온수에 면접된 웨이퍼(22)를 회전시켜 상기 웨이퍼(22)의 전면에 부착된 UV테이프(20)를 제거시키는 제거단계가 구비된다.
그리고 상기 UV테이프(20)가 제거된 웨이퍼(22)를 다시 역전시키는 제2역전단계 및 상기 스핀척(26)에 안착된 웨이퍼(22)를 언로딩시키는 언로딩단계가 구비된다.
여기서 본 발명은 상기 스핀척(26)에 50℃ 내지 60℃ 정도의 온도를 제공하면서 공정을 수행할 수 있고, 상기 탈이온수 또한 50℃ 내지 60℃ 정도의 온도를 유지하면서 공정을 수행할 수 있다.
이러한 구성으로 이루어지는 본 발명은 백랩공정의 수행시 웨이퍼(22) 상에 형성시킨 패턴이 오염원 등에 노출되는 것을 방지하기 위하여 웨이퍼(22)의 전면에 부착시킬 수 있는 UV테이프(20)를 탈이온수를 이용하여 제거시킬 수 있다.
이에 따라 본 발명은 상기 UV테이프(20)의 제거시 상기 웨이퍼(22)가 브로컨되거나 스크레치되는 등의 불량을 방지할 수 있고, 상기 UV테이프(20)의 제거시 탈이온수를 이용함으로써 상기 UV테이프(20)로 인한 오염원의 흡착 등을 방지할 수 있으며, 또한 상기 웨이퍼(22)를 세정시키는 부수적인 효과 또한 기대할 수 있다.
전술한 구성으로 이루어지는 본 발명의 실시예에 따른 작용 및 효과에 대하여 설명한다.
먼저, 이송부(24)를 이용하여 UV테이프(20)를 제거시킬 수 있는 세정장치의 스핀척(26)에 웨이퍼(22)를 로딩시킨다.
여기서 상기 스핀척(26)에는 50℃ 내지 60℃ 정도의 온도가 제공되어 상기 웨이퍼(22)를 가열시킬 수 있다.
그리고 척구동부(28)를 이용하여 상기 웨이퍼(22)가 안착된 스핀척(26)을 배스(30)에 수용된 탈이온수에 면접할 수 있는 방향으로 역전시킨다.
여기서 상기 배스(30)에 수용되는 탈이온수의 온도는 50℃ 내지 60℃ 정도로 유지시킨다.
이어서 상기 스핀척(26)을 회전시켜 상기 웨이퍼(22)의 전면에 부착된 UV테이프(20)를 제거시킨다.
즉, 본 발명은 소정의 온도 즉, 50℃ 내지 60℃ 정도의 온도로 가열된 웨이퍼(22)를 50℃ 내지 60℃ 정도의 온도를 유지하는 탈이온수에 면접시키고, 상기 웨이퍼(22)를 회전시킴으로써 상기 웨이퍼(22)의 전면에 부착된 UV테이프(20)를 제거하는 것이다.
그리고 상기 UV테이프(20)가 제거된 웨이퍼(22)를 언로딩시킬 수 있는 방향으로 다시 역전시킨 후, 상기 웨이퍼(22)를 언로딩시킨다.
이러한 구성으로 이루어지는 본 발명은 상기 UV테이프(20)를 탈이온수 등을 이용하여 제거시킴으로써 UV테이프(20)의 제거로 인하여 발생할 수 있는 웨이퍼(22)의 브로컨 또는 스크레치 등을 방지할 수 있다.
또한 본 발명은 탈이온수를 이용함으로써 UV테이프(20)의 제거 뿐만 아니라 상기 웨이퍼(22)를 세정시키는 부수적인 효과를 기대할 수 있다.
즉, 본 발명은 상기 UV테이프(20)로 인하여 발생할 수 있는 불량을 미연에 방지할 수 있고, 탈이온수의 사용으로 세정의 효과도 획득할 수 있다.
따라서, 본 발명에 의하면 탈이온수를 이용하여 UV테이프를 제거시키는 랩핑공정을 수행함으로써 이로 인한 불량의 발생 등을 최소화시켜 반도체소자의 제조에 따른 생산성이 향상되는 효과가 있다.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.
도1은 종래의 반도체소자 제조용 유브이테이프 제거장치를 나타내는 모식도이다.
도2는 본 발명에 따른 반도체소자 제조용 유브이테이프 제거장치의 일 실시예를 나타내는 구성도이다.
도3은 본 발명에 따른 반도체소자 제조용 유브이테이프 제거방법의 일 실시예를 나타내는 공정도이다.
※도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 제거테이프 12, 22 : 웨이퍼
14, 20 : 유브이테이프 24 : 이송부
26 : 스핀척 28 : 척구동부
30 : 배스 32 : 히팅부

Claims (5)

  1. 유브이(UV ; Ultraviolet)테이프가 전면(前面)에 부착된 웨이퍼(Wafer)를 로딩(Loading) 및 언로딩(Unloading)시킬 수 있는 이송부;
    상기 웨이퍼를 안착시켜 소정의 속도로 회전시킬 수 있는 스핀척(Spin Chuck);
    상기 스핀척에 안착된 웨이퍼를 소정의 온도의 탈이온수(Deionized Water)에 면접시킬 수 있는 척구동부; 및
    상기 웨이퍼의 면접으로 유브이테이프가 제거되도록 소정의 온도의 탈이온수를 수용할 수 있는 배스(Bath);
    를 구비하여 이루어짐을 특징으로 하는 반도체소자 제조용 유브이테이프 제거장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 웨이퍼가 안착되는 스핀척에 소정의 온도를 제공할 수 있는 히팅부(Heating Part)가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조용 유브이테이프 제거장치.
  3. 유브이테이프가 전면에 부착된 웨이퍼를 안착시켜 회전시킬 수 있는 스핀척에 상기 웨이퍼를 로딩시키는 로딩단계;
    상기 스핀척에 안착된 웨이퍼가 소정의 온도의 탈이온수에 면접할 수 있는 방향으로 상기 스핀척을 역전시키는 제1역전단계;
    상기 소정의 탈이온수에 면접된 웨이퍼를 회전시켜 상기 웨이퍼의 전면에 부착된 유브이테이프를 제거시키는 제거단계;
    상기 유브이테이프가 제거된 웨이퍼를 언로딩시킬 수 있는 방향으로 상기 스핀척을 역전시키는 제2역전단계; 및
    상기 웨이퍼를 언로딩시키는 언로딩단계;
    를 구비하여 이루어짐을 특징으로 하는 반도체소자 제조용 유브이테이프 제거방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 스핀척에는 50℃ 내지 60℃ 정도의 온도를 제공하는 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조용 유브이테이프 제거방법.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 탈이온수는 50℃ 내지 60℃ 정도의 온도를 유지하는 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조용 유브이테이프 제거방법.
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