JPH05234971A - ウエーハの検査装置 - Google Patents

ウエーハの検査装置

Info

Publication number
JPH05234971A
JPH05234971A JP35806191A JP35806191A JPH05234971A JP H05234971 A JPH05234971 A JP H05234971A JP 35806191 A JP35806191 A JP 35806191A JP 35806191 A JP35806191 A JP 35806191A JP H05234971 A JPH05234971 A JP H05234971A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
plate
polishing
stuck
fixed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP35806191A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2890082B2 (ja
Inventor
Katsuo Yoshizawa
克夫 吉沢
Mamoru Okada
守 岡田
Yoshi Oki
好 大木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Handotai Co Ltd
Nagano Electronics Industrial Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Handotai Co Ltd
Nagano Electronics Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Handotai Co Ltd, Nagano Electronics Industrial Co Ltd filed Critical Shin Etsu Handotai Co Ltd
Priority to JP35806191A priority Critical patent/JP2890082B2/ja
Publication of JPH05234971A publication Critical patent/JPH05234971A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2890082B2 publication Critical patent/JP2890082B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Machine Tool Sensing Apparatuses (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

(57)【要約】 [目的] 従来のウエーハの検査方法を大幅に簡略化す
ると同時に、ウエーハ製造工程中における無駄を無くし
て生産効率を高めることができるウエーハの検査装置を
提供すること。 [構成] ウエーハ4をプレート5上に接着固定した状
態で、該ウエーハ4の接着固定面とは反対側の面を研磨
する研磨工程の中間過程で、前記プレート5を取り外し
てこれに固定されたウエーハ4をその研磨面を上にした
状態でプレート5と共に水中に浸漬せしめ、微分干渉顕
微鏡12で水中のウエーハ4の表面を観察する。本発明
によれば、研磨工程の途中で、ウエーハ4をプレート5
に接着したままその表面を微分干渉顕微鏡12で観察す
ることができるため、従来の検査用ウエーハを剥離して
これを洗浄乾燥する手間が省かれ、その手間によるウエ
ーハ4表面の新たな面異常や傷の発生を防ぐことができ
るとともに、ウエーハ製造工程中における無駄を無くし
て生産効率を高めることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、研磨工程の中間過程で
ウエーハの表面を観察する検査装置に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】ウエーハは、SiやGeのような単体元
素、3−5族や2−6族化合物に代表される化合物半導
体の単結晶から製造され、各種エレクトロニクス製品を
製造するための重要な素材となっている。
【0003】その代表的製品であるSiウエーハを例に
挙げれば、その鏡面上に形成される半導体素子の集積度
は年々向上し、それに伴ってウエーハ鏡面の平坦度や表
面粗さ、微粒子や不純物による汚染への対策は、留まる
ことのない重要課題となっている。
【0004】斯かるウエーハは、例えばCZ法によって
引き上げ製造された単結晶の棒を、円筒研磨した後、所
定の厚さにスライスして円板を得、以下、面取り、ラッ
ピング、エッチング、熱処理等の諸工程を経た後、更に
鏡面研磨、洗浄、乾燥等の工程を経て製造される鏡面ウ
エーハの略称である。尚、最終工程の鏡面研磨や洗浄は
数段階のステップで行なわれ、ウエーハ製品としての品
質は、この最終工程で決定づけられる。
【0005】ところで、前記鏡面研磨において、現在最
も一般的に行なわれている方法は、ウエーハの片面のみ
を研磨する片面鏡面研磨方法である。同方法において
は、研磨中のウエーハを固定する手段として、ワックス
マウント方式が通常採用されている。
【0006】その研磨装置の概略構成を図2に示すが、
該研磨装置においては、ガラス又はセラミック材から成
る円板状のプレート5の表面に、研磨されるべきウエー
ハ4が接着剤(ワックス)3によって接着固定され、該
ウエーハ4の研磨面が、研磨布2を貼着したターンテー
ブル1上に、トップリング6を介し押し付けられる。
【0007】そして、上記状態から研磨布2の面にスラ
リー(研磨剤)7を供給しながら、ターンテーブル1を
強制回転させると、プレート5とトップリング6が連れ
回り、プレート5に保持されたウエーハ4と研磨布2相
互の擦り合せ運動によりウエーハ4の表面が鏡面研磨さ
れる。尚、図中、8はガイドローラーであって、これは
プレート5の周囲に複数配され、プレート5の位置合せ
と、同プレート5の径方向外方への飛び出しを防ぐ役割
を果たす。
【0008】而して、上記鏡面研磨は、研磨布2やスラ
リー7、その他の条件を変更しながら、数次の段階に分
けて行なわれている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記工
程を経て製造されたウエーハ製品について、その鏡面を
微分干渉顕微鏡で観察するとき、その面に1μm以上の
周期(波長)で凹凸を成すサザ波状の面荒れを認めるこ
とがある。
【0010】上記の場合には、ウエーハを研磨工程まで
フィードバックして対処しなければならず、該ウエーハ
に対して今までに施された研磨後の処理が無駄になるば
かりか、フィードバックによる再研磨という不利益を生
じる。又、異常発生の原因究明が遅れ、即座に適切な処
置を施すことも不可能である。
【0011】そのため、従来は鏡面研磨工程における1
次や2次研磨の段階で、研磨中のウエーハを研磨装置の
プレートから剥してこれを洗浄乾燥させた後、その表面
を検査し、該ウエーハを再びプレートに接着し直してそ
の表面を研磨するという手間を掛けていた。
【0012】ところが、上記手法を採る場合、上述のよ
うな手間が掛るという問題の他、ウエーハに対する洗浄
乾燥が不完全である場合には、スラリーがウエーハ表面
に焼付き、それに起因すると見られる新たな面異常が発
生したり、自然酸化膜が形成されたり、更には、ウエー
ハハンドリング時の擦れによってウエーハ表面に新たな
傷が発生し、ウエーハの品質が無用の悪影響を受ける虞
れがあるという問題が発生する。
【0013】本発明は上記問題を解決するためになされ
たもので、従来のウエーハの検査方法を大幅に簡略化す
ると同時に、ウエーハ製造工程中における無駄を無くし
て生産効率を高めることができるウエーハの検査装置を
提供することを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく本
発明は、ウエーハをプレート上に接着固定した状態で、
該ウエーハの接着固定面とは反対側の面を、平面状態の
研磨布又は砥石に押し当て、相互の擦り合せ運動により
当該ウエーハの表面を研磨する研磨工程の中間過程で、
前記プレートを取り外してこれに固定されたウエーハを
その研磨面を上にした状態でプレートと共に水中に浸漬
せしめ、微分干渉顕微鏡で水中のウエーハの表面を観察
することを特徴とする。
【0015】
【作用】本発明によれば、ウエーハの研磨工程の途中
で、ウエーハをプレートに接着したまま、その表面を微
分干渉顕微鏡で直ちに観察することができるため、検査
用のウエーハをプレートより剥離してこれを洗浄乾燥す
る手間が省かれ、その手間による新たなウエーハ表面の
面異常や傷の発生を防ぐことができるとともに、ウエー
ハの研磨面に面荒れや面異常が発生した場合には、その
場で即座にその原因を究明して適切な処置を施すことが
できる。従って、従来のような工程的な無駄が発生する
ことがなく、生産効率が高められる。
【0016】又、観察はウエーハを水中に浸漬させた状
態でなされるため、該ウエーハ表面の汚染が防がれる。
【0017】
【実施例】以下に本発明の一実施例を添付図面に基づい
て説明する。
【0018】図1は本発明に係るウエーハの検査装置の
斜視図である。
【0019】図において、11は枠構造を成す基台であ
り、該基台11の上方には可視光(タングステン光源)
を用いた非接触式の微分干渉顕微鏡12がx軸ステージ
13及びY軸ステージ14に沿って移動自在に設置され
ている。そして、この微分干渉顕微鏡12にはCCDカ
メラ15が接続されている。尚、微分干渉顕微鏡12
は、不図示のモータによって駆動されるボールネジ機構
によって前記X軸ステージ13及びY軸ステージ14に
沿って移動せしめられる。
【0020】又、前記基台11上には水槽16が設置さ
れており、該水槽16内には水が収容されている。
【0021】更に、基台11上の水槽16の側方には、
微分干渉顕微鏡12、X軸、Y軸ステージ13,14、
CCDカメラ15の作動を制御するための操作制御コン
ピュータ17及びウエーハ4の表面状態を所定の倍率で
表示するためのCRTモニター18が設けられている。
尚、微分干渉顕微鏡12の先部に取り付けられた水中レ
ンズ19は防水処理されており、この部分への水の浸入
が防がれる。
【0022】而して、研磨工程の途中で、プレート5上
にワックスにより接着固定されたウエーハ4は、プレー
ト5と共に水槽16内の純水中に浸漬せしめられる。す
ると、操作制御コンピュータ17に予め入力されたプロ
グラムに従ってX軸、Y軸ステージ13,14が駆動さ
れ、微分干渉顕微鏡12は各ウエーハ4を走査し、各ウ
エーハ4は微分干渉顕微鏡12によってその表面状態
(表面粗さ)が観察され、その観察像はCCDカメラ1
5によってキャッチされてCRTモニター18に表示さ
れる。
【0023】従って、作業者はCRTモニター18に表
示されるウエーハ4の表面状態を観察することができ、
ウエーハ4の研磨面にサザ波状の面荒れや面異常が発生
した場合には、その場で即座にその原因を究明すること
ができるとともに、ウエーハ4をプレート5に接着した
まま水から引き上げてこれを研磨装置に再セットし、面
異常が発生した箇所を再研磨する等の適切な処置を施す
ことができる。尚、前記検査の能率を上げるための補助
的手段として、水槽16自体、又は水槽16中において
プレート5を載置する台(図示せず)に、回転機能を付
与する手段も有用である。
【0024】
【発明の効果】以上の説明で明らかな如く、本発明によ
れば、ウエーハの研磨工程の途中で、研磨装置のプレー
トを、これにウエーハを接着した状態で水中に浸漬せし
め、微分干渉顕微鏡で水中のウエーハの表面を観察する
ようにしたため、従来必要としていた、研磨の途中で検
査用のウエーハをプレートより剥離してこれを洗浄乾燥
した後、該ウエーハの表面を検査するという手間や、そ
の検査後に再びウエーハをプレートに接着し直すという
手間を省略することができる。
【0025】又、斯かる手間に伴うウエーハ表面の新た
な面異常、傷、汚れ等の発生を防ぐことができる。
【0026】しかも、ウエーハ研磨の途中で、ウエーハ
の研磨面を簡単に検査することができるため、面の異常
発生時における原因の究明や適切な処置を即座になし得
て生産効率を高めることができ、その結果、規定の工程
で製品化されたウエーハを検査する段階で、その表面不
良を発見し、再び研磨工程にフィードバックすることに
伴う不利益を無くすことができる等の効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るウエーハの検査装置の斜視図であ
る。
【図2】研磨装置の概略構成図である。
【符号の説明】
4 ウエーハ 5 ガラスプレート 12 微分干渉顕微鏡 15 CCDカメラ 16 水槽 17 操作制御コンピュータ 18 CRTモニター
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大木 好 群馬県安中市磯部2丁目13番1号信越半導 体株式会社半導体磯部研究所内

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ウエーハをプレート上に接着固定した状
    態で、該ウエーハの接着固定面とは反対側の面を、平面
    状態の研磨布又は砥石に押し当て、相互の擦り合せ運動
    により当該ウエーハの表面を研磨する研磨工程の中間過
    程で、前記プレートを取り外してこれに固定されたウエ
    ーハをその研磨面を上にした状態でプレートと共に水中
    に浸漬せしめ、微分干渉顕微鏡で水中のウエーハの表面
    を観察することを特徴とするウエーハの検査装置。
JP35806191A 1991-12-27 1991-12-27 ウエーハの検査方法及び装置 Expired - Lifetime JP2890082B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP35806191A JP2890082B2 (ja) 1991-12-27 1991-12-27 ウエーハの検査方法及び装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP35806191A JP2890082B2 (ja) 1991-12-27 1991-12-27 ウエーハの検査方法及び装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH05234971A true JPH05234971A (ja) 1993-09-10
JP2890082B2 JP2890082B2 (ja) 1999-05-10

Family

ID=18457334

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP35806191A Expired - Lifetime JP2890082B2 (ja) 1991-12-27 1991-12-27 ウエーハの検査方法及び装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2890082B2 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0985620A (ja) * 1995-09-28 1997-03-31 Toshiba Mach Co Ltd 研磨装置
EP0806266A2 (en) * 1996-05-09 1997-11-12 Canon Kabushiki Kaisha Polishing method and polishing apparatus using the same
US6645045B2 (en) 2001-03-12 2003-11-11 Denso Corporation Method of measuring thickness of a semiconductor layer and method of manufacturing a semiconductor substrate
US6656755B1 (en) 1999-11-17 2003-12-02 Denso Corporation Method for manufacturing semiconductor device by polishing
JP2010515025A (ja) * 2006-12-21 2010-05-06 ジョンソン・アンド・ジョンソン・ビジョン・ケア・インコーポレイテッド 眼科用レンズの光学的検査用の液体充填セルを有するカルーセル

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0985620A (ja) * 1995-09-28 1997-03-31 Toshiba Mach Co Ltd 研磨装置
EP0806266A2 (en) * 1996-05-09 1997-11-12 Canon Kabushiki Kaisha Polishing method and polishing apparatus using the same
EP0806266A3 (en) * 1996-05-09 1998-12-09 Canon Kabushiki Kaisha Polishing method and polishing apparatus using the same
US6093081A (en) * 1996-05-09 2000-07-25 Canon Kabushiki Kaisha Polishing method and polishing apparatus using the same
US6656755B1 (en) 1999-11-17 2003-12-02 Denso Corporation Method for manufacturing semiconductor device by polishing
US6645045B2 (en) 2001-03-12 2003-11-11 Denso Corporation Method of measuring thickness of a semiconductor layer and method of manufacturing a semiconductor substrate
JP2010515025A (ja) * 2006-12-21 2010-05-06 ジョンソン・アンド・ジョンソン・ビジョン・ケア・インコーポレイテッド 眼科用レンズの光学的検査用の液体充填セルを有するカルーセル
US8427636B2 (en) 2006-12-21 2013-04-23 Johnson & Johnson Vision Care, Inc Cuvette for ophthalmic lens
JP2013238619A (ja) * 2006-12-21 2013-11-28 Johnson & Johnson Vision Care Inc 眼科用レンズの光学的検査用の液体充填セルを有するカルーセル

Also Published As

Publication number Publication date
JP2890082B2 (ja) 1999-05-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4996888B2 (ja) 半導体ウェーハを作製する方法
KR100206094B1 (ko) 반도체 유리면웨이퍼의 제조방법
US20080031510A1 (en) Method of and apparatus for inspecting wafers in chemical mechanical polishing equipment
CN110634740B (zh) 一种改进的半导体器件的背部开封方法
JP6327329B1 (ja) シリコンウェーハの研磨方法およびシリコンウェーハの製造方法
JPH10135164A (ja) 半導体ウェハの製造方法
US6752694B2 (en) Apparatus for and method of wafer grinding
JPH05234971A (ja) ウエーハの検査装置
TW202002054A (zh) 晶圓的加工方法及磨削裝置
JP2002016023A (ja) 薄板の加工方法
JP2001021873A (ja) 液晶表示装置の製造方法
KR100425471B1 (ko) 그라인딩과 폴리싱 기능을 겸비한 웨이퍼 후면 처리장비
US6217417B1 (en) Method for polishing thin plate and plate for holding thin plate
JP7370265B2 (ja) 加工方法及び加工装置
JP2000233354A (ja) ウェーハノッチ部ポリッシング加工装置
KR20080113710A (ko) 웨이퍼 이면 연마 방법 및 장치
JP3324011B2 (ja) 回転塗布によって形成された塗布基板の不要膜除去装置
KR100502406B1 (ko) 반도체소자 제조용 유브이테이프 제거장치 및 제거방법
JPH02222144A (ja) 半導体ウエーハ及びその製造方法
CN117577557A (zh) 晶圆加工过程中的辅助处理系统、方法及最终抛光设备
JP4128687B2 (ja) 半導体ウェーハ表面の清浄度管理方法およびエッチング代検出方法
JP2004342932A (ja) ウエーハの洗浄方法
TW202407780A (zh) 加工裝置
JP3014152B2 (ja) 半導体ウエハの製造方法
JPH0757980A (ja) 半導体ウエハの使用方法及び半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080226

Year of fee payment: 9

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080226

Year of fee payment: 9

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 9

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080226

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090226

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 11

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100226

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100226

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110226

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120226

Year of fee payment: 13

EXPY Cancellation because of completion of term