JP3014152B2 - 半導体ウエハの製造方法 - Google Patents
半導体ウエハの製造方法Info
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- JP3014152B2 JP3014152B2 JP3039516A JP3951691A JP3014152B2 JP 3014152 B2 JP3014152 B2 JP 3014152B2 JP 3039516 A JP3039516 A JP 3039516A JP 3951691 A JP3951691 A JP 3951691A JP 3014152 B2 JP3014152 B2 JP 3014152B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、高集積化・高密度化
に好適な半導体ウエハの製造方法に関するものである。
に好適な半導体ウエハの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のウエハの製造方法とし
て、図２に示すものがあった。図２(a)において、Ｘ線
方位測定によりインゴット１は切断機に正しくセットさ
れ、刃（ブレード）２を高速回転しながら結晶と相対的
に移動してウエハが切断される。図２(b) において、ウ
エハ周辺の接触などによる「かけ」や、これによる他の
ウエハに対する粒子付着などの原因、またエピタキシャ
ル成長時のウエハ周辺で異常成長を防止するために真空
チャック６によりウエハ４を吸着して、砥石５で研磨す
ることにより、ある決まった形状で面取り加工が行われ
る。図２(c) において、洗浄液を充填した洗浄槽７にウ
エハ４を浸すことにより、各工程にそれぞれ適した洗浄
がおこなわれる。図２(d) において、成長したウエハに
発生したドナーにより目標の抵抗率が得られないため、
酸化炉９またはランプ加熱により、ウエハに再び６００
℃以上の熱処理を短時間行ってドナーを消去する。図２
(e) において、ウエハ形状や加工歪層のばらつきを矯正
するため、砥粒に粒径１０μｍ前後のＡｌ2 Ｏ3 やＳｉ
Ｃが適量の水でウエハ４の両面に運ばれ鏡面研磨され
る。このときウエハはその表面に研磨布１１が張られた
回転ステージ１０に搭載されており、ワックス１２によ
りウエハをこの回転ステージと逆方向に回転する。
て、図２に示すものがあった。図２(a)において、Ｘ線
方位測定によりインゴット１は切断機に正しくセットさ
れ、刃（ブレード）２を高速回転しながら結晶と相対的
に移動してウエハが切断される。図２(b) において、ウ
エハ周辺の接触などによる「かけ」や、これによる他の
ウエハに対する粒子付着などの原因、またエピタキシャ
ル成長時のウエハ周辺で異常成長を防止するために真空
チャック６によりウエハ４を吸着して、砥石５で研磨す
ることにより、ある決まった形状で面取り加工が行われ
る。図２(c) において、洗浄液を充填した洗浄槽７にウ
エハ４を浸すことにより、各工程にそれぞれ適した洗浄
がおこなわれる。図２(d) において、成長したウエハに
発生したドナーにより目標の抵抗率が得られないため、
酸化炉９またはランプ加熱により、ウエハに再び６００
℃以上の熱処理を短時間行ってドナーを消去する。図２
(e) において、ウエハ形状や加工歪層のばらつきを矯正
するため、砥粒に粒径１０μｍ前後のＡｌ2 Ｏ3 やＳｉ
Ｃが適量の水でウエハ４の両面に運ばれ鏡面研磨され
る。このときウエハはその表面に研磨布１１が張られた
回転ステージ１０に搭載されており、ワックス１２によ
りウエハをこの回転ステージと逆方向に回転する。
【０００３】図２(f) において、上記のラップや面取り
において結晶に残留する加工歪層を除去するためにＳｉ
Ｏ2 の粉末１３をサンドブラストし、化学エッチングを
行う。図２(g) において、デバイスプロセスの高熱処理
中にデバイスがつくられる表面を汚染する重金属がある
場合に、これを裏面による歪に吸収させ、デバイス特性
の劣化を防止するために、裏面ひずみ加工を行ない、裏
面にダメージを与える。図２(h) において、洗浄液１５
を充填した洗浄槽１４にウエハ４を浸すことにより、微
粒子を除去する機械的洗浄と有機物を除去する化学的洗
浄と金属不純物を除去する化学的洗浄の３つの要素を含
むウエハの洗浄を行う。図２(i) において、シリコンの
場合光学的な鏡面の他に欠陥発生の原因や不純物の汚染
源を除去する必要があるため、研磨を行なう。この研磨
としては化学的，機械的研磨の方法がとられる。ここで
は機械的研磨の方法を示しており、図２(e) の場合と同
様、表面に研磨布１７が張られた回転ステージ１６上に
ウエハ４を搭載し、ワックス１８により回転ステージ１
６と逆方向にウエハを回転することにより研磨を行な
う。
において結晶に残留する加工歪層を除去するためにＳｉ
Ｏ2 の粉末１３をサンドブラストし、化学エッチングを
行う。図２(g) において、デバイスプロセスの高熱処理
中にデバイスがつくられる表面を汚染する重金属がある
場合に、これを裏面による歪に吸収させ、デバイス特性
の劣化を防止するために、裏面ひずみ加工を行ない、裏
面にダメージを与える。図２(h) において、洗浄液１５
を充填した洗浄槽１４にウエハ４を浸すことにより、微
粒子を除去する機械的洗浄と有機物を除去する化学的洗
浄と金属不純物を除去する化学的洗浄の３つの要素を含
むウエハの洗浄を行う。図２(i) において、シリコンの
場合光学的な鏡面の他に欠陥発生の原因や不純物の汚染
源を除去する必要があるため、研磨を行なう。この研磨
としては化学的，機械的研磨の方法がとられる。ここで
は機械的研磨の方法を示しており、図２(e) の場合と同
様、表面に研磨布１７が張られた回転ステージ１６上に
ウエハ４を搭載し、ワックス１８により回転ステージ１
６と逆方向にウエハを回転することにより研磨を行な
う。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のウエハ製造工程
は以上のように構成されているので、洗浄工程やバック
サイドダメージ工程では薬品飛沫や研磨材等による微粒
子が発生しゴミの原因となっていた。また、これらの粒
子がウエハ裏面に付着したままになっているなどの問題
点があった。
は以上のように構成されているので、洗浄工程やバック
サイドダメージ工程では薬品飛沫や研磨材等による微粒
子が発生しゴミの原因となっていた。また、これらの粒
子がウエハ裏面に付着したままになっているなどの問題
点があった。
【０００５】この発明は、上記のような問題点を解決す
るためになされたもので，ウエハに付着した薬品ミスト
を蒸発させ取り除くことができるとともに、ウエハの裏
面に付着した微粒子の「ごみ」を脱落させることができ
る半導体ウエハの製造方法を得ることを目的とする。
るためになされたもので，ウエハに付着した薬品ミスト
を蒸発させ取り除くことができるとともに、ウエハの裏
面に付着した微粒子の「ごみ」を脱落させることができ
る半導体ウエハの製造方法を得ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体ウ
エハの製造方法は、インゴットをスライスして半導体ウ
エハを得るスライス工程と、この半導体ウエハに対しバ
ックサイドダメージを行うバックサイドダメージ工程
と、このバックサイドダメージを行った半導体ウエハに
対し熱処理を行うことにより、上記バックサイドダメー
ジによりウエハ裏面に付着したゴミを除去する熱処理工
程とを含むようにしたものである。
エハの製造方法は、インゴットをスライスして半導体ウ
エハを得るスライス工程と、この半導体ウエハに対しバ
ックサイドダメージを行うバックサイドダメージ工程
と、このバックサイドダメージを行った半導体ウエハに
対し熱処理を行うことにより、上記バックサイドダメー
ジによりウエハ裏面に付着したゴミを除去する熱処理工
程とを含むようにしたものである。
【０００７】
【作用】この発明におけるウエハ製造方法は、上述のよ
うに構成したことにより、バックサイドダメージ工程で
発生した研磨材などを含むゴミを、熱処理工程でシリコ
ンウエハとゴミとの熱膨張係数の差を利用することによ
り、ウエハから脱落させ低減させる。
うに構成したことにより、バックサイドダメージ工程で
発生した研磨材などを含むゴミを、熱処理工程でシリコ
ンウエハとゴミとの熱膨張係数の差を利用することによ
り、ウエハから脱落させ低減させる。
【０００８】
【実施例】以下、この発明の実施例を図について説明す
る。図１は本発明の一実施例による半導体ウエハの製造
方法を示す。図１(a) において、Ｘ線方位測定によりイ
ンゴット１は切断機に正しくセットされ、刃（ブレー
ド）２を高速回転しながら結晶と相対的に移動してウエ
ハが切断される。図１(b) において、ウエハ周辺の接触
などによるかけや、これによる他のウエハに対する粒子
付着などの原因、またエピタキシャル成長時のウエハ周
辺で異常成長を防止するために真空チャック６によりウ
エハ４を吸着して、砥石５で研磨することにより、ある
決まった形状で面取り加工が行われる。図１(c) におい
て、洗浄液を充填した洗浄槽７にウエハ４を浸すことに
より、各工程にそれぞれ適した洗浄が行われる。図１
(d) において、成長したウエハに発生したドナーのため
に、目標の抵抗率が得られないため、酸化炉６またはラ
ンプ加熱により、ウエハに再び６００℃以上の熱処理を
短時間に行ってドナーを消去する。図１(e) において、
ウエハ形状や加工歪層ばらつきを矯正するため、砥粒に
粒径１０μｍ前後のＡｌ2 Ｏ3 やＳｉＣが適量の水でウ
エハ４の両面に運ばれ研磨される。このときウエハはそ
の表面に研磨布１１が張られた回転ステージ１０に搭載
されており、ワックス１２によりウエハをこの回転ステ
ージと逆方向に回転する。
る。図１は本発明の一実施例による半導体ウエハの製造
方法を示す。図１(a) において、Ｘ線方位測定によりイ
ンゴット１は切断機に正しくセットされ、刃（ブレー
ド）２を高速回転しながら結晶と相対的に移動してウエ
ハが切断される。図１(b) において、ウエハ周辺の接触
などによるかけや、これによる他のウエハに対する粒子
付着などの原因、またエピタキシャル成長時のウエハ周
辺で異常成長を防止するために真空チャック６によりウ
エハ４を吸着して、砥石５で研磨することにより、ある
決まった形状で面取り加工が行われる。図１(c) におい
て、洗浄液を充填した洗浄槽７にウエハ４を浸すことに
より、各工程にそれぞれ適した洗浄が行われる。図１
(d) において、成長したウエハに発生したドナーのため
に、目標の抵抗率が得られないため、酸化炉６またはラ
ンプ加熱により、ウエハに再び６００℃以上の熱処理を
短時間に行ってドナーを消去する。図１(e) において、
ウエハ形状や加工歪層ばらつきを矯正するため、砥粒に
粒径１０μｍ前後のＡｌ2 Ｏ3 やＳｉＣが適量の水でウ
エハ４の両面に運ばれ研磨される。このときウエハはそ
の表面に研磨布１１が張られた回転ステージ１０に搭載
されており、ワックス１２によりウエハをこの回転ステ
ージと逆方向に回転する。
【０００９】図１(f) において、上記のラップや面取り
において結晶に残留する加工歪層を除去するためにＳｉ
Ｏ2 の粉末１３をサンドブラストし、化学エッチングを
行う。図１(g) において、デバイスプロセスの高温熱処
理中にデバイスがつくられる表面を汚染する重金属があ
る場合に、これを裏面による歪みに吸収させ、デバイス
特有の劣化を防止するために、裏面ひずみ加工を行な
い、裏面にダメージを与える。図１(h) において、洗浄
液１５を充填した洗浄槽１４にウエハ４を浸すことによ
り、微粒子を除去する機械的洗浄と有機物を除去する化
学的洗浄と金属不純物を除去する化学的洗浄の３つの要
素を含むウエハの洗浄を行う。図１(i) において、ウエ
ハに付着した薬品ミストを蒸発させ、シリコンウエハと
付着したゴミとの熱膨張係数の差を利用して、ウエハ裏
面に付着した微粒子を脱落させるため、酸化炉１９また
はランプ加熱によりウエハに熱処理を加える。図１(j)
において、シリコンの場合光学的な鏡面の他に欠陥発生
の原因や不純物の汚染源を除去する必要があるため、研
磨を行なう。この研磨の方法としては化学的，機械的研
磨の方法がとられる。この研磨としては化学的、機械的
研磨の方法がとられる。ここでは機械的研磨の方法を示
しており、図１(e) の場合と同様、表面に研磨布１７が
張られた回転ステージ１６上にウエハ４を搭載し、ワッ
クス１８により回転ステージ１６と逆方向にウエハを回
転することにより研磨を行なう。
において結晶に残留する加工歪層を除去するためにＳｉ
Ｏ2 の粉末１３をサンドブラストし、化学エッチングを
行う。図１(g) において、デバイスプロセスの高温熱処
理中にデバイスがつくられる表面を汚染する重金属があ
る場合に、これを裏面による歪みに吸収させ、デバイス
特有の劣化を防止するために、裏面ひずみ加工を行な
い、裏面にダメージを与える。図１(h) において、洗浄
液１５を充填した洗浄槽１４にウエハ４を浸すことによ
り、微粒子を除去する機械的洗浄と有機物を除去する化
学的洗浄と金属不純物を除去する化学的洗浄の３つの要
素を含むウエハの洗浄を行う。図１(i) において、ウエ
ハに付着した薬品ミストを蒸発させ、シリコンウエハと
付着したゴミとの熱膨張係数の差を利用して、ウエハ裏
面に付着した微粒子を脱落させるため、酸化炉１９また
はランプ加熱によりウエハに熱処理を加える。図１(j)
において、シリコンの場合光学的な鏡面の他に欠陥発生
の原因や不純物の汚染源を除去する必要があるため、研
磨を行なう。この研磨の方法としては化学的，機械的研
磨の方法がとられる。この研磨としては化学的、機械的
研磨の方法がとられる。ここでは機械的研磨の方法を示
しており、図１(e) の場合と同様、表面に研磨布１７が
張られた回転ステージ１６上にウエハ４を搭載し、ワッ
クス１８により回転ステージ１６と逆方向にウエハを回
転することにより研磨を行なう。
【００１０】このように、本実施例によれば、図１(h)
の洗浄工程の後に、熱処理工程でシリコンウエハとゴミ
との熱膨張係数の差を利用することにより、ウエハに付
着したゴミを脱落させ低減するようにするとともに、デ
バイス制作中に微粒子等の付着で発生するパターン欠陥
などを低減できるようにしたので、洗浄工程やバックサ
イドダメージ工程で発生していたゴミを除去でき、より
一層の高集積化，高密度化に適した半導体ウエハを製造
することができる。
の洗浄工程の後に、熱処理工程でシリコンウエハとゴミ
との熱膨張係数の差を利用することにより、ウエハに付
着したゴミを脱落させ低減するようにするとともに、デ
バイス制作中に微粒子等の付着で発生するパターン欠陥
などを低減できるようにしたので、洗浄工程やバックサ
イドダメージ工程で発生していたゴミを除去でき、より
一層の高集積化，高密度化に適した半導体ウエハを製造
することができる。
【００１１】なお、上記実施例では図１(h) の洗浄工程
の後にただちに熱処理工程を行なう場合を示したが、図
１(h) の洗浄工程で発生する薬品ミストや研磨材等の微
粒子を除去するための洗浄工程を、この洗浄工程と熱処
理工程の間に別途行なうようにしてもよく、この場合、
より一層の清浄化が可能となることは言うまでもない。
の後にただちに熱処理工程を行なう場合を示したが、図
１(h) の洗浄工程で発生する薬品ミストや研磨材等の微
粒子を除去するための洗浄工程を、この洗浄工程と熱処
理工程の間に別途行なうようにしてもよく、この場合、
より一層の清浄化が可能となることは言うまでもない。
【００１２】
【発明の効果】以上のように、この発明に係る半導体ウ
エハの製造方法によれば、インゴットをスライスして半
導体ウエハを得るスライス工程と、この半導体ウエハに
対しバックサイドダメージを行うバックサイドダメージ
工程と、このバックサイドダメージを行った半導体ウエ
ハに対し熱処理を行うことにより、上記バックサイドダ
メージによりウエハ裏面に付着したゴミを除去する熱処
理工程とを含むようにしたので、バックサイドダメージ
形成などのゴミを、シリコンウエハとの熱膨張係数の差
を利用して脱落させることにより、ウエハに付着したゴ
ミを除去，低減させることができ、より一層の高集積
化，高密度化に適した半導体ウエハを製造することがで
きる効果がある。
エハの製造方法によれば、インゴットをスライスして半
導体ウエハを得るスライス工程と、この半導体ウエハに
対しバックサイドダメージを行うバックサイドダメージ
工程と、このバックサイドダメージを行った半導体ウエ
ハに対し熱処理を行うことにより、上記バックサイドダ
メージによりウエハ裏面に付着したゴミを除去する熱処
理工程とを含むようにしたので、バックサイドダメージ
形成などのゴミを、シリコンウエハとの熱膨張係数の差
を利用して脱落させることにより、ウエハに付着したゴ
ミを除去，低減させることができ、より一層の高集積
化，高密度化に適した半導体ウエハを製造することがで
きる効果がある。
【図１】この発明の一実施例による半導体ウエハの製造
方法を示す図である。
方法を示す図である。
【図２】従来の半導体ウエハの製造方法を示す図であ
る。
る。
１ ウエハ ２ ブレード ３ カーボン ４ ウエハ ５ 砥石 ６ 真空チャック ７，１４ 洗浄槽 ８，１５ 洗浄液 ９，１９ 酸化炉 １０，１６ 回転ステージ １１，１７ 研磨布 １２，１８ ワックス １３ ＳｉＯ2 粉末
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−235337（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−215127（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−216426（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−154134（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/322 H01L 21/304 311 H01L 21/304 321
Claims (1)
- 【請求項１】インゴットをスライスして半導体ウエハを
得るスライス工程と、 この半導体ウエハに対しバックサイドダメージを行うバ
ックサイドダメージ工程と、 このバックサイドダメージを行った半導体ウエハに対し
熱処理を行うことにより、上記バックサイドダメージに
よりウエハ裏面に付着したゴミを除去する熱処理工程と
を含むことを特徴とする半導体ウエハの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3039516A JP3014152B2 (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | 半導体ウエハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3039516A JP3014152B2 (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | 半導体ウエハの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04255228A JPH04255228A (ja) | 1992-09-10 |
| JP3014152B2 true JP3014152B2 (ja) | 2000-02-28 |
Family
ID=12555209
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3039516A Expired - Lifetime JP3014152B2 (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | 半導体ウエハの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3014152B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5933972B2 (ja) * | 1982-06-11 | 1984-08-20 | 小松電子金属株式会社 | シリコン基板の製造方法 |
| JPS61154134A (ja) * | 1984-12-27 | 1986-07-12 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1991
- 1991-02-07 JP JP3039516A patent/JP3014152B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04255228A (ja) | 1992-09-10 |
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