JPS61154134A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS61154134A JPS61154134A JP27382484A JP27382484A JPS61154134A JP S61154134 A JPS61154134 A JP S61154134A JP 27382484 A JP27382484 A JP 27382484A JP 27382484 A JP27382484 A JP 27382484A JP S61154134 A JPS61154134 A JP S61154134A
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- treatment
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/322—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections
- H01L21/3221—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections of silicon bodies, e.g. for gettering
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体装置の製造方法に係り、特にウェハ製造
過程での結晶欠陥を低減する熱処理方法に関する。
過程での結晶欠陥を低減する熱処理方法に関する。
従来の技術
一般に半導体ウェハ（ｗａｆｅｒ）はインゴットからス
ライスされ、次にスライスで生じたウェハ表面層の平面
度の向上のためにラッピングが施され、更にウェハ表面
のダメージ層除去の為にＨＦ／ＨＮＯ３等の酸、又はア
ル５カリ等による化学エツチングが行なわれ１、そして
鏡面仕上げ（ポリッシング）が施されている。
ライスされ、次にスライスで生じたウェハ表面層の平面
度の向上のためにラッピングが施され、更にウェハ表面
のダメージ層除去の為にＨＦ／ＨＮＯ３等の酸、又はア
ル５カリ等による化学エツチングが行なわれ１、そして
鏡面仕上げ（ポリッシング）が施されている。
上記ウェハの製造工程に於いて半導体インゴットをＣＺ
法で引き上げる際に加わる熱によって発６５０℃の温度
、０〜１０時間、窒素、酸素、アルゴン等のｗｅｔ又は
ｄｒｙ雰囲気中で通常上記化学エツチングの後又はスラ
イシング後で実施される。
法で引き上げる際に加わる熱によって発６５０℃の温度
、０〜１０時間、窒素、酸素、アルゴン等のｗｅｔ又は
ｄｒｙ雰囲気中で通常上記化学エツチングの後又はスラ
イシング後で実施される。
発明が解決しようとする問題点
上記ドナーキラーの処理では鏡面仕上後の結晶欠陥はシ
ャローピット密度で１０” ｃｍ−”程度もあり、半導
体デバイスの特性を著しく劣化させていた。
ャローピット密度で１０” ｃｍ−”程度もあり、半導
体デバイスの特性を著しく劣化させていた。
問題点を解決するための手段
上記問題点は、本発明によれば半導体金属インゴットを
スライスし、該半導体金属スライス面にラッピングを施
し、化学エツチングを施し、更に鏡面仕上げを行なう工
程を含む半導体装置の製造方法において、前記化学エツ
チング工程と鏡面仕上げ工程の間で７５０℃以上で１２
５０℃以下の温度で熱処理を施すことを特徴とする半導
体装置の製造方法によって解決される。
スライスし、該半導体金属スライス面にラッピングを施
し、化学エツチングを施し、更に鏡面仕上げを行なう工
程を含む半導体装置の製造方法において、前記化学エツ
チング工程と鏡面仕上げ工程の間で７５０℃以上で１２
５０℃以下の温度で熱処理を施すことを特徴とする半導
体装置の製造方法によって解決される。
作用
すなわち、本発明によれば、ウェハを化学エツチングし
た後、従来の６５０℃程度の熱処理であるドナーキラー
の処理の他に、７５０℃以上１２５０℃以下の温度での
熱処理を施すことにより結晶欠陥や不純物をより効果的
にウェハの表面側に移行せしめることが可能となる。な
お７５０℃未満の温度の熱処理では酸化、アニールの効
果がほとんどなく１２５０℃を超えた温度での熱処理で
は熱処理材を融かす恐れがあるために制限される。
た後、従来の６５０℃程度の熱処理であるドナーキラー
の処理の他に、７５０℃以上１２５０℃以下の温度での
熱処理を施すことにより結晶欠陥や不純物をより効果的
にウェハの表面側に移行せしめることが可能となる。な
お７５０℃未満の温度の熱処理では酸化、アニールの効
果がほとんどなく１２５０℃を超えた温度での熱処理で
は熱処理材を融かす恐れがあるために制限される。
実施例
例えば４インチ径の単結晶シリコンのインゴットを約６
３０μｍの厚さを有するシリコンウェハにスライスし、
次に約３０μｍの深さの両面ラフピンク加工を行い、ウ
ェハ表面の平面度を向上させた。次ぎに弗酸１体積、硝
酸１０体積の混酸で更にウェハ表面を化学エツチングし
ダメージ層を除去した。該化学エツチングにより片面的
２０μｍのシリコン層が除去された。この化学エツチン
グの後、第１図に示した熱処理曲線の如く熱処理を施し
た。すなわち、先ず複数枚のウェハーを２００ｃｍ／分
の速度で通常のドナーキラー処理炉に挿入し、６５０℃
の温度、２０％酸素、残部窒素の雰囲気中で１時間ドナ
ーキラー処理を行い、次に乾燥窒素（ｄｒｙ Ｎｚ）雰
囲気で１０℃／分の速度で３５分間で１０００℃の温度
に上昇させ雰囲気をｎｅｔ酸素として１０００℃の温度
で１時間本発明の特徴たる熱処理を行なう。咳ｉ ｏ
ｏ ｏ℃の熱処理後、ｄｒｙ窒素雰囲気として２℃／分
のゆっくりした速度で７００℃迄温度を下げ１００ｃｍ
／分の速度で炉から取り出し熱処理を完了させた。
３０μｍの厚さを有するシリコンウェハにスライスし、
次に約３０μｍの深さの両面ラフピンク加工を行い、ウ
ェハ表面の平面度を向上させた。次ぎに弗酸１体積、硝
酸１０体積の混酸で更にウェハ表面を化学エツチングし
ダメージ層を除去した。該化学エツチングにより片面的
２０μｍのシリコン層が除去された。この化学エツチン
グの後、第１図に示した熱処理曲線の如く熱処理を施し
た。すなわち、先ず複数枚のウェハーを２００ｃｍ／分
の速度で通常のドナーキラー処理炉に挿入し、６５０℃
の温度、２０％酸素、残部窒素の雰囲気中で１時間ドナ
ーキラー処理を行い、次に乾燥窒素（ｄｒｙ Ｎｚ）雰
囲気で１０℃／分の速度で３５分間で１０００℃の温度
に上昇させ雰囲気をｎｅｔ酸素として１０００℃の温度
で１時間本発明の特徴たる熱処理を行なう。咳ｉ ｏ
ｏ ｏ℃の熱処理後、ｄｒｙ窒素雰囲気として２℃／分
のゆっくりした速度で７００℃迄温度を下げ１００ｃｍ
／分の速度で炉から取り出し熱処理を完了させた。
上記の如く新たな熱処理工程を含んだドナーキラー処理
工程を終えた後、通常の鏡面仕上げ（片面）を施しゲッ
タリング効果を確かめた。その結果、シャローピット密
度は約１６２０１２と従来の１０” ｃｒｔ＋−”より
大幅に減少していることがわかった。
工程を終えた後、通常の鏡面仕上げ（片面）を施しゲッ
タリング効果を確かめた。その結果、シャローピット密
度は約１６２０１２と従来の１０” ｃｒｔ＋−”より
大幅に減少していることがわかった。
なお本実施例では本発明に係る熱処理を従来のドナーキ
ラー処理の後に施しているが、その前に施しても同様の
効果を得、また従来のドナーキラー処理を施さず本発明
に係る高温の熱処理のみでも良好な効果を得る。
ラー処理の後に施しているが、その前に施しても同様の
効果を得、また従来のドナーキラー処理を施さず本発明
に係る高温の熱処理のみでも良好な効果を得る。
更にまた、実施例ではシリコンウェハの場合ノみを示し
ているが、本発明はガリウム砒素（ＧａＡｓ）、インジ
ウムリン（ＩｎＰ）等の化合物半導体に於いても、用い
ることが可能である。
ているが、本発明はガリウム砒素（ＧａＡｓ）、インジ
ウムリン（ＩｎＰ）等の化合物半導体に於いても、用い
ることが可能である。
発明の詳細
な説明したように本発明によればウェハの結晶欠陥、例
えばシャロービット密度等を減少させることができ、デ
バイスの特性向上、歩留向上が実現される。
えばシャロービット密度等を減少させることができ、デ
バイスの特性向上、歩留向上が実現される。
第１図は本発明に係る熱処理方法を説明するための図で
ある。
ある。
Claims (1)
- １、半導体金属インゴットをスライスし、該半導体金属
スライス面にラッピングを施し、化学エッチングを施し
、更に鏡面仕上げを行なう工程を含む半導体装置の製造
方法において、前記化学エッチング工程と鏡面仕上げ工
程の間で７５０℃以上で１２５０℃以下の温度で熱処理
を施すことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27382484A JPS61154134A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27382484A JPS61154134A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61154134A true JPS61154134A (ja) | 1986-07-12 |
Family
ID=17533064
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27382484A Pending JPS61154134A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61154134A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04255228A (ja) * | 1991-02-07 | 1992-09-10 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウエハの製造方法 |
| JPH058785U (ja) * | 1991-07-03 | 1993-02-05 | 日立マクセル株式会社 | テープカートリツジ |
| JP2003124220A (ja) * | 2001-10-10 | 2003-04-25 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | シリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハ |
-
1984
- 1984-12-27 JP JP27382484A patent/JPS61154134A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04255228A (ja) * | 1991-02-07 | 1992-09-10 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウエハの製造方法 |
| JPH058785U (ja) * | 1991-07-03 | 1993-02-05 | 日立マクセル株式会社 | テープカートリツジ |
| JP2003124220A (ja) * | 2001-10-10 | 2003-04-25 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | シリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハ |
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